JPH08179534A

JPH08179534A - 光受容部材

Info

Publication number: JPH08179534A
Application number: JP33652394A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Niino; 博明新納
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-12-22
Filing date: 1994-12-22
Publication date: 1996-07-12

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】温度特性を向上させると共に、光メモリーを低
減して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を
母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する
光受容部材を提供する。【構成】シリコン原子を母体とし水素原子及び／または
ハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された光導
電層を有する光受容部材において、光導電層がキャリア
の光学的バンドギャップ内における局在準位に捕獲され
る割合を小さくした第一の層領域と、それが捕獲される
割合を大きくした第二の層領域とをその層厚を異ならせ
て積層し、温度特性を向上させると共に光メモリーの発
生をなくして良好な特性を発揮するようにした。その光
導電層は、第一の層領域における水素原子含有量が２０
〜３０原子％、第二の層領域におけるそれが１０〜２０
原子％、第一と第二の層領域の層厚（ｄ１，ｄ２）の比
が、ｄ２／ｄ１＝０．０３〜０．３とされている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光（ここでは広義の光で
あって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを
意味する。）のような電磁波に対して感受性のある光受
容部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であるこ
と、等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィ
スで使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真
用光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害
性は重要な点である。このような点に優れた性質を示す
光導電材料に水素アモルファスシリコン（以下、「ａ−
Ｓｉ：Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−
３５０５９号公報には電子写真用光受容部材としての応
用が記載されている。そして、電子写真用光受容部材
は、一般的には、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加
熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラ
ズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電
層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、
原料ガスを高周波あるいはマイクロ波グロー放電によっ
て分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が
好適なものとして実用に付されている。また、特開昭５
４−８３７４６号公報においては、導電性支持体と、ハ
ロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ
−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導電層からなる電子写真用
光受容部材が提案されている。当該公報においては、ａ
−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至４０原子％含有させるこ
とにより、耐熱性が高く、電子写真用光受容部材の光導
電層として良好な電気的、光学的特性を得ることができ
るとしている。また、特開昭５７−１１５５５６号公報
には、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光
導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、
光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さ
らには経時的安定性について改善を図るため、シリコン
原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電
層上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。更に、特開昭６０−６７９５１号公
報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を
含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感
光体についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１
６１号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原
子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む
非晶質材料を用いる技術が記載されている。さらに、特
開昭５７−１５８６５０号公報には、水素を１０〜４０
原子％含有し、赤外吸収スペクトルの２１００ｃｍ^-1と
２０００ｃｍ^-1の吸収ピークの吸収係数比が０．２〜
１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層に用いることによ
り高感度で高抵抗な電子写真用感光体が得られることが
記載されている。

【０００３】そして、特開昭５８−２１２５７号公報に
は、光導電層の作成中に支持体温度を変化させることに
より光導電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であって
光感度領域の広い感光体を得る技術が開示され、特開昭
５８−１２１０４２号公報には、光導電層の膜厚方向に
エネルギーギャップ状態密度を変化させ、表層のエネル
ギーギャップ状態密度を１０¹⁷〜１０¹⁹ｃｍ^-3とするこ
とにより、湿度による表面電位の低下を防止する技術が
開示されている。また、特開昭５９−１４３３７９号公
報ならびに特開昭６１−２０１４８１号公報には、水素
含有量の異なるａ−Ｓｉ：Ｈを積層することにより暗抵
抗が高く高感度の感光体を得る技術が開示されている。
一方、特開昭６０−９５５５１号公報には、アモルファ
スシリコン感光体の画像品質向上のために、感光体表面
近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して帯電、露光、現
像および転写といった画像形成行程を行うことにより、
感光体表面での水分の吸着による表面抵抗の低下とそれ
に伴って発生する画像流れを防止する技術が開示されて
いる。これらの技術により、電子写真用光受容部材の電
気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上
し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を図
る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。特に、電子写真装置の高画質、高速化、高耐久化は
急速に進んでおり、電子写真用光受容部材においては電
気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、帯電能、
感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能を延ばす
ことが求められている。そして、電子写真装置の画像特
性向上のために電子写真装置内の光学露光装置、現像装
置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受
容部材においても従来以上の画像特性の向上が求められ
るようになった。

【０００５】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、周囲
温度の変化による電子写真特性の変動や光疲労あるいは
ブランクメモリーやゴーストといった光メモリーを低減
することがいっそう求められるようになってきた。例え
ば、従来は感光体の画像流れの防止のために前記特開昭
６０−９５５５１号公報に記載されているように、複写
機内にドラムヒーターを設置して感光体の表面温度を４
０℃程度に保っていた。しかしながら、従来の感光体で
は前露光キャリアや熱励起キャリアの生成に起因した帯
電能の温度依存性、いわゆる温度特性が大きく、複写機
内の実際の使用環境下では本来感光体が有しているより
も帯電能が低い状態で使用せざるをえなかった。例え
ば、室温での使用時に比べてドラムヒーターで４０℃程
度に加熱している状態では帯電能が１００Ｖ近く低下し
てしまっていた。また、従来は複写機を使用しない夜間
でもドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電に
よって生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸
着することによって発生する画像流れを防止するように
していた。しかし、現在では省資源、省電力のために複
写機の夜間通電を極力行わないようになってきている。
このような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周
囲温度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下し
て、複写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生
じていた。一方、同一原稿を連続して繰り返し複写する
と、画像露光による感光体の光疲労のために、画像濃度
の低下やかぶりが生じることがあった。また、トナーを
節約するために連続複写時の紙間において感光体に照射
される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画像
上に濃度差が生じるブランクメモリーや、前回の複写行
程の像露光の残像が次回の複写時に画像上に生じる、い
わゆるゴースト等が画像品質を向上させる上で問題にな
ってきた。光メモリーは複写機のプロセス条件（プロセ
ススピード、帯電電位設定、ブランク露光、像露光）に
も依存する傾向があり、さまざまなプロセス条件下にお
いて帯電能や感度の向上と温度特性や光メモリーの低減
とを両立することは困難であった。したがって、電子写
真用光受容部材を設計する際に、上記したような問題が
解決されるように電子写真用光受容部材の層構成、各層
の化学的組成など総合的な観点からの改良を図るととも
に、ａ−Ｓｉ材料そのものの一段の特性改良を図ること
が必要とされている。

【０００６】そこで、本発明は、上記した従来のａ−Ｓ
ｉで構成された光受容層を有する光受容部材における諸
問題を解決することを目的とするものである。すなわ
ち、本発明の主たる目的は、温度特性を向上させると共
に、光メモリーを低減して画像品質を飛躍的に向上させ
た、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成され
た光受容層を有する光受容部材を提供することにある。
特に、あらゆるプロセス条件のもとにおける温度特性の
向上と光メモリーの低減とを両立した光受容層を有する
光受容部材を提供することにあり、このような光受容部
材を用いた電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に
ほとんど依存することなく実質的に常時安定しており、
耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化現象を起
こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほとんど観測
されず、更に画像品質の良好な、シリコン原子を母体と
した非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写
真用光受容部材を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者らは、光導電層のキャリアの挙動に着目
し、ａ−Ｓｉのバンドギャップ内の局在状態分布と温度
特性や光メモリーとの関係について鋭意検討した結果、
光導電層の厚さ方向において、水素含有量、光学的バン
ドギャップやシリコン原子と水素原子の結合状態、さら
にバンドギャップ内の局在状態密度の分布を制御するこ
とにより上記目的を達成できるという知見を得た。すな
わち、シリコン原子を母体とし、水素原子及び／または
ハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された光導
電層を有する光受容部材において、その層構造を特定化
して作成された光受容部材は、実用上著しく優れた特性
を示すばかりでなく、従来の光受容部材と比べてみても
あらゆる点において凌駕していること、特に電子写真用
の光受容部材として優れた特性を有していることを見い
だした。

【０００８】このようなことから、本発明はつぎのよう
な特徴を有する発明を提供するものである。すなわち、
本発明の光受容部材は、第１に、シリコン原子を母体と
し水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する非単結
晶材料で構成された光導電層を有する光受容部材におい
て、前記光導電層がキャリアの光学的バンドギャップ内
における局在準位に捕獲される割合を小さくした第一の
層領域と、それが捕獲される割合を大きくした第二の層
領域とをその層厚を異ならせて積層し、温度特性を向上
させると共に光メモリーの発生をなくして良好な特性を
発揮するようにしたことを特徴としている。第２に、そ
の光導電層は、第一の層領域における水素含有量、光学
的バンドギャップ、光吸収スペクトルから得られる指数
関数裾の特性エネルギー及び光学的バンドギャップ内の
局在状態密度と、第二の層領域におけるそれらの値が異
なるように構成されていることを特徴としている。第３
に、その光導電層は、第一の層領域における水素原子含
有量が２０〜３０原子％、光学的バンドギャップが１．
７５ｅＶ以上１．８５ｅＶ未満、光吸収スペクトルから
得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、光学的バンドギャップ内の局在状態密
度が１×１０¹⁴ｃｍ^-3以上１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満であ
り、第二の層領域における水素原子含有量が１０〜２０
原子％、光学的バンドギャップが１．６５ｅＶ以上１．
７５ｅＶ未満、光吸収スペクトルから得られる指数関数
裾の特性エネルギーが６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ未満、
光学的バンドギャップ内の局在状態密度が１×１０¹⁶ｃ
ｍ^-3以上１×１０¹⁷ｃｍ^-3未満であって、第一の層領域
の層厚（ｄ１）と第二の層領域の層厚（ｄ２）の比が、
ｄ２／ｄ１＝０．０３〜０．３とされていることを特徴
としている。第４に、その光導電層は、第一の層領域に
おける赤外吸収スペクトルから得られるＳｉ−Ｈ₂結合
とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比が０．４以上１．０
未満であり、第二の層領域における前記吸収ピーク強度
比が０．１以上０．４未満であることを特徴としてい
る。第５に、その光導電層は、導電性支持体の表面上に
おける第一の層領域の上に第二の層領域が積層されてい
ることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項
に記載の光受容部材。第６に、その光導電層は、導電性
支持体の表面上における第二の層領域の上に第一の層領
域が積層されていることを特徴としている。第７に、そ
の光導電層は、導電性支持体の表面上における第一の層
領域の上に第二の層領域が、さらにその上に第一の層領
域が積層されていることを特徴とする請求項１〜請求項
３のいずれか１項に記載の光受容部材。第８に、その光
導電層は、その光導電層中に周期律表第IIIｂ族または
第Ｖｂ族に属する元素の少なくとも一つを含有すること
を特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載
の光受容部材。第９に、その光導電層は、その光導電層
中に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むことを特
徴としている。第１０に、その光導電層は、その光導電
層の表面上に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含む
シリコン系非単結晶材料からなる表面層が設けられてい
ることを特徴としている。第１１に、その光導電層は、
シリコン原子を母体とし炭素、酸素、窒素の少なくとも
一つおよび周期律表第IIIｂ族または第Ｖｂ族から選ば
れる元素の少なくとも一つを含む非単結晶材料からなる
電荷注入阻止層の表面に設けられていることを特徴とし
ている。第１２に、前記表面層は、その層厚が０．０１
〜３μｍであることを特徴としている。第１３に前記電
荷注入阻止層は、その層厚が０．１〜５μｍであること
を特徴としている。第１４に、その光導電層は、その層
厚が２０〜５０μｍであることを特徴とする請求項１〜
請求項１３のいずれか１項に記載の光受容部材。なお、
本発明において用られている「指数関数裾」とは、光吸
収スペクトルの吸収から低エネルギー側に裾を引いた吸
収スペクトルのことを指しており、また、「特性エネル
ギー」とは、この指数関数裾の傾きを意味している。

【０００９】

【作用】本発明者らは、光学的バンドギャップ（以下、
「Ｅｇ」と略記する）ならびにＣＰＭによって測定され
たサブバンドギャップ光吸収スペクトルから求められる
指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギー（以
下、「Ｅｕ」と略記する）や局在状態密度（以下、「Ｄ
ＯＳ」と略記する）と感光体特性との相関を種々の条件
に渡って調べた結果、Ｅｇ、ＥｕおよびＤＯＳがａ−Ｓ
ｉ感光体の温度特性や光メモリーと密接な関係にあるこ
とを見いだし、さらに、それらの異なる膜を積層するこ
とによりプロセス条件に依存せず良好な感光体特性を発
揮することを見いだし本発明を完成するに至った。

【００１０】すなわち、光学的バンドギャップを大きく
し、キャリアの局在準位への捕獲率を小さくして光導電
層のキャリアの走行性を改善することによって、温度特
性を向上させ、また、光メモリーの発生を少なくするこ
とはできるが、それだけでは光メモリーの発生を完全に
なくすることは困難であり、むしろこのようなキャリア
の局在準位の捕獲率の小さい層領域に、更にキャリアの
局在準位への捕獲率の高い層領域を積層することにより
光メモリーがより低減されることが本発明者らの実験に
より明らかになった。

【００１１】これを更に詳しく説明すると、一般的に、
ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合
の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓｉの
未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因す
る深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕
獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる原因
になることが知られている。このようなバンドギャップ
中の局在準位の状態を測定する方法として、一般に深準
位分光法、等温容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音
響分光法、一定光電流法等が用いられている。中でも一
定光電流法［ＣｏｎｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅ
ｎｔＭｅｔｈｏｄ：以後「ＣＰＭ」と略記する］は、
ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブギャップ光吸収ス
ペクトルを簡便に測定する方法として有用である。

【００１２】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャアが
帯電能の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンドギ
ャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しなが
ら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが挙
げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達し
たキャリアについては帯電能の低下にほとんど影響がな
いが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を通過
した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温度
特性として観測される。また、帯電器を通過した後に熱
励起されたキャアも表面電荷を打ち消し帯電能の低下を
引き起こす。したがつて、光学的バンドギャップを大き
くすることにより膜の抵抗を増大して熱励起キャリアの
生成を抑え、なおかつキャリアの走行性を向上させるこ
とが温度特性の向上のために必要である。

【００１３】さらに、光メモリーはブランク露光や像露
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアが光導電層内に残留することな
く、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行
性を改善しなければならない。そのために、Ｅｇを広く
し、そのＥｕおよびＤＯＳを制御することにより、熱励
起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリア
や光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくする
ことができるためにキャリアの走行性が改善される。し
かしながら、帯電電位と露光波長（ブランク露光、像露
光）の設定によっては、単に光導電層内の光キャリアの
走行性を改善しただけでは光メモリーを完全になくする
ことは困難であることが実験により明らかになった。む
しろ光キャリアの局在準位への捕獲を積極的に利用する
層領域を設けること、すなわち、キャリアの局在準位の
捕獲率の小さい層領域に、更にキャリアの局在準位への
捕獲率の高い層領域を積層することにより光メモリーが
より低減されることが実験により明らかになった。

【００１４】光導電層を局在状態密度の異なる層領域の
積層構造とすることによって光メモリーが格段に改善さ
れる理由としては、現段階では必ずしも明らかではない
が、以下のように考えている。正帯電の場合、通常のメ
モリーは、画像上において下地濃度よりもメモリー像の
濃度が薄くなり、一般的にポジメモリーとよばれる。こ
れは主に正孔（ホール）が捕獲準位にトラップされるこ
とにより生じる。それに対してキャリアの捕獲確率が一
定の水準を超えると、電子の捕獲確率が増え、ポジメモ
リーとは逆に下地画像濃度よりメモリー像の濃度が濃
い、いわゆるネガメモリーが観測される。そこで、この
二つの領域を積層し、その膜厚比を適宜設定することに
より、捕獲確率の低い膜で発生するポジメモリーと捕獲
確率の高い膜で生じるネガメモリーが相殺することによ
って実質的にメモリーが観測されなくなる。その結果、
感光体の温度特性が飛躍的に改善されるとともに電子写
真プロセスによらず光メモリーの発生を抑制することが
できるために、感光体の使用環境に対する安定性が向上
し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質
の画像を安定して得ることができる。つまり、電子写真
用光受容部材の最表面側に第一の層領域を設けて、実質
的に光を吸収する領域を第一の層領域とすることによ
り、特に温度特性の点で顕著な効果が見られ、電子写真
用光受容部材の最表面側に第二の層領域を設けて、実質
的に光を吸収する領域を第二の層領域とすることによ
り、特にメモリーの低減について顕著な効果が見られ
る。したがって、本発明は上記構成によって、あらゆる
プロセス条件のもとにおける温度特性の向上と光メモリ
ーの低減とを両立させ、前記した従来技術における諸問
題の全てを解決することができ、極めて優れた電気的、
光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使用環
境性を示す光受容部材を得ることができる。

【００１５】以下、図面に従って本発明の電子写真用光
受容部材について詳細に説明する。図１は、本発明の電
子写真用光受容部材の層構成を説明するための模式的構
成図である。図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１
００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光
受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２はａ
−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導電層１０
３で構成され、光導電層１０３は支持体側から順に第二
の層領域１１２と第一の層領域１１１とからなってい
る。第一の層領域１１１と第二の層領域１１２の順番は
必要に応じて入れ替えることができる。図１（ｂ）に示
す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられてい
る。該光受容層１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導
電性を有する光導電層１０３で構成され、光導電層１０
３は支持体側から順に第一の層領域１１１と第二の層領
域１１２と、さらに第一の層領域１１１とからなってい
る。図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材１００は、
光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導電層１０３と、ア
モルファスシリコン系表面層１０４とから構成されてい
る。また、光導電層１０３は支持体側から順に第二の層
領域１１２と第一の層領域１１１とからなっている。第
一の層領域１１１と第二の層領域１１２の順番は必要に
応じて入れ替えることができる。図１（ｄ）に示す電子
写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持
体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該
光受容層１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性を
有する光導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面
層１０４と、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層１
０５とから構成されている。また、光導電層１０３は支
持体側から順に第一の層領域１１１と第二の層領域１１
２とからなっている。第一の層領域１１１と第二の層領
域１１２の順番は必要に応じて入れ替えることができ
る。

【００１６】つぎに、本発明の支持体について説明す
る。本発明において使用される支持体としては、導電性
でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体として
は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、
Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合
金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なく
とも光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持体
も用いることができる。

【００１７】本発明において使用される支持体１０１の
形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子
写真用光受容部材１００を形成し得るように適宜決定す
るが、電子写真用光受容部材１００としての可撓性が要
求される場合には、支持体１０１としての機能が充分発
揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。し
かしながら、支持体１０１は製造上及び取扱い上、機械
的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。特にレ
ーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う場合に
は、可視画像において現れる、いわゆる干渉縞模様によ
る画像不良をより効果的に解消するために、支持体１０
１の表面に凹凸を設けてもよい。支持体１０１の表面に
設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、
同６０−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号
公報等に記載された公知の方法により作成される。ま
た、レーザー光などの可干渉光を用いた干渉縞模様によ
る画像不良をより効果的に解消する別の方法として、支
持体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状
を設けてもよい。即ち、支持体１０１の表面が電子写真
用光受容部材１００に要求される解像力よりも微少な凹
凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによる
ものである。支持体１０１の表面に設けられる複数の球
状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−２３１５６１号
公報に記載された公知の方法により作成される。

【００１８】つぎに、本発明の光導電層について説明す
る。本発明において、その目的を効果的に達成するため
に支持体１０１上に形成され、光受容層１０２の一部を
構成する光導電層１０３は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法な
どの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負
荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製
造するに当たっての条件の制御が比較的容易であること
からグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源周
波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。グロー
放電法によって光導電層１０３を形成するには、基本的
にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガス及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定
の支持体１０１上にａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなる層を形成
すればよい。

【００１９】また、本発明において光導電層１０３中に
水素原子及び／またはハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の末結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よって
水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子
とハロゲン原子の和の量は、第一の層領域の場合、シリ
コン原子と水素原子及び／またはハロゲン原子の和に対
して２０〜３０原子％とされるのが望ましく、第二の層
領域の場合、シリコン原子と水素原子または／及びハロ
ゲン原子の和に対して１０〜２０原子％とされるのが望
ましい。本発明において使用されるＳｉ供給用ガスとな
り得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、
Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素化
珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、更に層作成時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等
の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げら
れる。そして、形成される光導電層１０３中に水素原子
を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそ
う容易になるようにはかり、本発明の目的を達成する膜
特性を得るために、これらのガスに更にＨ₂及び／また
はＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望
量混合して層形成することが必要である。また、各ガス
は単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差
し支えないものである。

【００２０】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、
ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原
子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ
₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものとして挙げる
ことができる。光導電層１０３中に含有される水素原子
及び／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体１０１の温度、水素原子及び／またはハロゲン原
子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内
へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【００２１】本発明においては、光導電層１０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１０３中に
万遍なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。前記伝導性を制御する原子として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIｂ族に属
する原子（以後「第IIIｂ族原子」と略記する）または
ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子
（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることがで
きる。ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム第（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。光導電層１０３に含有される伝導性を制御する
原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１×１
０²原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５０原子
ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０原子ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。さらに第一の層領域に比べて第二の
層領域での伝導性を制御する原子の含有量を多くするこ
とが好ましい。伝導性を制御する原子、たとえば、第II
Iｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第IIIｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、光導電層１０３を形成するための他のガスと
ともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり
得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用され
るのが望ましい。

【００２２】そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料
物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂
Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、
Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃、
ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等
も挙げることができる。第Ｖｂ族原子導入用の原料物質
として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、
ＰＨ₃、Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、
ＰＣｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、Ａ
ｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、Ｓ
ｂＦ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、
ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げることができる。また、これらの伝導性
を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ₂及
び／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。

【００２３】さらに本発明においては、光導電層１０３
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
を含有させることも有効である。炭素原子及び／または
酸素原子及び／または窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０^-4〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ま
しい。炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されても良い
し、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均
一な分布をもたせた部分があっても良い。本発明におい
て、光導電層１０３の層厚は所望の電子写真特性が得ら
れること及び経済的効果等の点から適宜所望にしたがっ
て決定され、好ましくは２０〜５０μｍ、より好ましく
は２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍとされるの
が望ましい。層厚が２０μｍより薄くなると、帯電脳や
感度等の電子写真特性が実用上不充分となり、５０μｍ
より厚くなると、光導電層の作製時間が長くなって製造
コストが高くなる。また、第一の層領域に対する第二の
層領域の膜厚の割合としては０．０３〜０．３、好まし
くは０．０５〜０．４、最適には０．１〜０．３とする
のが望ましい。膜厚比が０．０３より小さいとメモリー
低減の効果が充分に発揮されず、０．３より大きくなる
と、ネガメモリーが発生するとともにメモリーと温度特
性との両立を果たすことが困難になる。

【００２４】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
希釈ガスとして使用するＨ₂及び／またはＨｅの流量
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
第一の層領域の場合、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂及び／
またはＨｅを、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜
１５倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望
ましい。また、第二の層領域の場合は、Ｓｉ供給用ガス
に対しＨ₂及び／またはＨｅを、通常の場合０．３〜３
倍、好ましくは０．５〜２．５倍、最適には１〜２倍の
範囲に制御することが望ましい。反応容器内のガス圧も
同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、通常の場合１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３
×１０^-2〜１．３３３×１０³Ｐａ）、好ましくは５×
１０^-4〜５Ｔｏｒｒ（６．６６５×１０^-2〜６．６６５
×１０²Ｐａ）、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒ
（１．３３３×１０^-1〜１．３３３×１０²Ｐａ）とす
るのが好ましい。放電電力もまた同様に層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの
流量に対する放電電力の比を、第一の層領域の場合３〜
８、好ましくは４〜７、最適には５〜６の範囲に設定す
ることが望ましい。第二の層領域の場合０．５〜３、好
ましくは０．８〜２．５、最適には１〜２の範囲に設定
することが望ましい。さらに、支持体１０１の温度は、
層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常
の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは
２３０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするの
が望ましい。本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。

【００２５】つぎに、本発明の表面層について説明す
る。本発明においては、上述のようにして支持体１０１
上に形成された光導電層１０３の上に、更にアモルファ
スシリコン系の表面層１０４を形成することが好まし
い。この表面層１０４は自由表面１０６を有し、主に耐
湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境
特性、耐久性において本発明の目的を達成するために設
けられる。また、本発明においては、光受容層１０２を
構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する非
晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を
有しているので、積層界面において化学的な安定性の確
保が充分なされている。表面層１０４は、アモルファス
シリコン系の材料であればいずれの材質でも可能である
が、例えば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子
（Ｘ）を含有し、更に炭素原子を含有するアモルファス
シリコン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ、Ｘ」と表記する）、
水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有
し、更に酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以
下「ａ−ＳｉＯ：Ｈ、Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に
窒素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−
ＳｉＮ：Ｈ、Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／
またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸
素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルフ
ァスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ、Ｘ」と表記
する）等の材料が好適に用いられる。

【００２６】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法
によることが好ましい。例えば、グロー放電法によつて
ａ−ＳｉＣ：Ｈ、Ｘよりなる表面層１０４を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供
給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給
用の原料ガス及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し
得るＸ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容
器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロ
ー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された
光導電層１０３を形成した支持体１０１上にａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ、Ｘからなる層を形成すればよい。本発明に於て
用いる表面層の材質としてはシリコンを含有するアモル
ファス材料ならば何れでも良いが、炭素、窒素、酸素よ
り選ばれた元素を少なくとも一つ含むシリコン原子との
化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分としたもの
が好ましい。表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。

【００２７】また、本発明において表面層１０４中に水
素原子及び／またはハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子の末結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構
成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好
適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％と
するのが望ましい。また、弗素原子の含有量として、通
常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１
０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが望ま
しい。これらの水素及び／または弗素含有量の範囲内で
形成される光受容部材は、実際面において従来にない格
段に優れたものとして充分適用させ得るものである。す
なわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や
炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受容部
材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。
例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の劣化、
使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化する
ことによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や光照射
時に光導電層より表面層に電荷が注入され、前記表面層
内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り返し使
用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げられ
る。しかしながら表面層内の水素含有量を３０原子％以
上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減少し、そ
の結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連続使用性
において飛躍的な向上を図ることができる。一方、前記
表面層中の水素含有量が７０原子％を超えると表面層の
硬度が低下するために、繰り返し使用に耐えられなくな
る。従って、表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制
御することが格段に優れた所望の電子写真特性を得る上
で非常に重要な因子の一つである。表面層中の水素含有
量は、原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電パワ
ー、ガス圧等によって制御し得る。また、表面層中の弗
素含有量を０．０１原子％以上の範囲に制御することで
表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生をより
効果的に達成することが可能となる。さらに、表面層中
の弗素原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシ
リコン原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止する
ことができる。一方、表面層中の弗素含有量が１５原子
％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合
の発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン
原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど
認められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中
のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メ
モリーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗
素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真
特性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗
素含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量
（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制
御し得る。

【００２８】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取扱
い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ
₆が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳ
ｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、
Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。炭素供給
用ガスとなり得る物質としては、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ
₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられ、更
に層作成時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられ
る。また、これらのＣ供給用の原料ガスを必要に応じて
Ｈ ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用し
てもよい。窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質と
しては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、Ｏ₂、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｎ₂
等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が有効に使
用されるものとして挙げられる。また、これらの窒素、
酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。ま
た、形成される表面層１０４中に導入される水素原子の
導入割合の制御をいっそう容易になるように図るため
に、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む
珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが好
ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比
で複数種混合しても差し支えないものである。

【００２９】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明において好
適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗
素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、
ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げる
ことができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆ
るハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具
体的には、例えばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好
ましいものとしてあげることができる。表面層１０４中
に含有される水素原子及び／またはハロゲン原子の量を
逝去するには、例えば支持体１０１の温度、水素原子及
び／またはハロゲン原子を含有させるために使用される
原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御
すればよい。炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。

【００３０】さらに本発明においては、表面層１０４に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０４中
に万遍なく均一に分布した状態で含有されても良いし、
あるいは層厚方向に不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。前記の伝導性を制御する原子として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIｂ族に属
する原子（以後「第IIIｂ族原子」と略記する）または
ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子
（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることがで
きる。

【００３１】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特
に、Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子として
は、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン
（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが
好適である。表面層１０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×
１０³原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１
０²原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０²原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、例
えば、第IIIｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に
導入するには、層形成の際に、第IIIｂ族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス
状態で反応容器中に、表面層１０４を形成するための他
のガスとともに導入してやればよい。第IIIｂ族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質
となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。そのような第IIIｂ族原子導入
用の原料物質として具体的には硼素原子導入用として
は、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆
Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢ
ｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、Ｔｌ
Ｃｌ₃等も挙げることができる。

【００３２】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、
Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン
化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣ
ｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、Ｓｂ
Ｆ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、Ｂ
ｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。また、これらの伝導性を
制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ₂、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用しても良
い。

【００３３】本発明における表面層１０４の層厚として
は、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を
使用中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、
３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低
下がみられる。

【００３４】本発明によると表面層１０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成
される。すなわち、Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／また
はＯ、Ｈ及び／またはＸを構成要素とする物質はその形
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又、光導電的性質から非光導電的
性質までの間の性質を各々示すので、本発明において
は、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成され
るように、所望にしたがってその形成条件の選択が厳密
になされる。例えば、表面層１０４を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。

【００３５】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる
場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和さ
れ、照射される光に対して有る程度の感度を有する非単
結晶材料として形成される。本発明の目的を達成し得る
特性を有する表面層１０４を形成するには、支持体１０
１の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適
宜設定する必要がある。支持体１０１の温度（Ｔｓ）
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好まし
くは２３０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とす
るのが望ましい。反応容器内のガス圧も同様に層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３×１
０^-2〜１．３３３×１０³）、より好ましくは５×１０
^-4〜５Ｔｏｒｒ（６．６６５×１０^-1〜６．６６５×１
０²）、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒ（１．３３３
×１０^-1〜１．３３３×１０²）とするのが好ましい。

【００３６】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。さらに本発明においては、光導
電層と表面層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の
含有量を表面層より減らしたブロッキング層（下部表面
層）を設けることも帯電能等の特性を更に向上させるた
めには有効である。また表面層１０４と光導電層１０３
との間に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒
素原子の含有量が光導電層１０３に向かって減少するよ
うに変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と
光導電層の密着性を向上させ、光キャリアの表面への移
動がスムーズになるとともに光導電層と表面層の界面で
の光の反射による干渉の影響をより少なくすることがで
きる。

【００３７】つぎに、本発明の電荷注入阻止層について
説明する。本発明の電子写真用光受容部材においては、
導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側から
の電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設
けるのがいっそう効果的である。すなわち、電荷注入阻
止層は光受容層が一定極性の帯電処理をその自由表面に
受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入される
のを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた
際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依
存性を有している。そのような機能を付与するために、
電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に
比べ比較的多く含有させる。該層に含有される伝導性を
制御する原子は、該層中に万遍なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多
く分布するように含有させるのが好適である。しかしな
がら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向に
おいては、均一な分布で万遍なく含有されることが面内
方向における特性の均一化を図る点からも必要である。

【００３８】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第IIIｂ族に属する原子（以後「第IIIｂ族原子」と略記
する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に
属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用い
ることができる。第IIIｂ族原子としては、具体的に
は、Ｂ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリ
ウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、
Ａｓが好適である。本発明において電荷注入阻止層中に
含有さる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発
明の目的が効果的に達成できるように所望にしたがって
適宜決定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴原子ｐ
ｐｍ、より好適には５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適
には１×１０²〜３×１０³原子ｐｐｍとされるのが望ま
しい。

【００３９】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。該層に含有される炭素原子または窒素原子ま
たは酸素原子は該層中に万遍なく均一に分布されてもよ
いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面
と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含有
されることが面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。本発明における電荷注入阻止層の全層
領域に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／
または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量
として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは
１×１０^-3〜３０原子％、より好適には５×１０^-3〜２
０原子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とされるの
が望ましい。

【００４０】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子及び／またはハロゲン原子は層内に存
在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電
荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは
水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜
５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には１
０〜３０原子％とするのが望ましい。本発明において、
電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特性が得られる
こと、及び経済的効果等の点から好ましくは０．１〜５
μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、最適には０．５
〜３μｍとされるのが望ましい。層厚が０．１μｍより
薄くなると、支持体からの電荷の注入阻止能が不充分に
なって充分な帯電能が得られなくなり、５μｍより厚く
しても電子写真特性の向上は期待できず、作製時間の延
長による製造コストの増加を招くだけである。

【００４１】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。本発明の目的を達成し得る特性を有す
る電荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０
３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の
温度を適宜設定することが必要である。希釈ガスである
Ｈ₂及び／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適
宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対してＨ
₂及び／またはＨｅを、通常の場合０．３〜２０倍、好
ましくは０．５〜１５倍、最適には１〜１０倍の範囲に
制御することが望ましい。反応容器内のガス圧も同様に
層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常
の場合１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０^-2
〜１．３３３×１０³Pa）、好ましくは５×１０^-4〜５
Ｔｏｒｒ（６．６６５×１０^-1〜６．６６５×１０²P
a）、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒ（１．３３３×
１０^-1〜１．３３３×１０² Pa）とするのが好まし
い。放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適
範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する
放電電力の比を、通常の場合０．５〜８、好ましくは
０．８〜７、最適には１〜６の範囲に設定することが望
ましい。さらに支持体１０１の温度は、層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０
℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。

【００４２】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面
層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて各層
作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。このほ
かに、本発明の電子写真用光受容部材においては、光受
容層１０２の前記支持体１０１側に、少なくともアルミ
ニウム原子、シリコン原子、水素原子及び／またはハロ
ゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領
域を有することが望ましい。また、本発明の電子写真用
光受容部材においては、支持体１０１と光導電層１０３
おるいは電荷注入阻止層１０５との間の密着性の一層の
向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、Ｓｉ
Ｏ、あるいはシリコン原子を母体とし、水素原子及び／
またはハロゲン原子と、炭素原子及び／または酸素原子
及び／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成され
る密着層を設けても良い。更に、支持体からの反射光に
よる干渉模様の発生を防止するための光吸収層を設けて
も良い。

【００４３】次に、光受容層を形成するための装置およ
び膜形成方法について詳述する。図２は電源周波数とし
てＲＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後、「Ｒ
Ｆ−ＰＣＶＤ」と略記する）による電子写真用光受容部
材の製造装置の一例を示す模式的な構成図である。図２
に示す製造装置の構成は以下の通りである。この装置は
大別すると、堆積装置（２１００）、原料ガスの供給装
置（２２００）、反応容器（２１１１）内を減圧にする
ための排気装置（不図示）から構成されている。堆積装
置（２１００）中の反応容器（２１１１）内には円筒状
支持体（２１１２）、支持体加熱用ヒーター（２１１
３）、原料ガス導入管（２１１４）が設置され、更に高
周波マッチングボックス（２１１５）が接続されてい
る。原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ₄、Ｇｅ
Ｈ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガスのボンベ
（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜２２３
６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）および
マスフローコントローラ（２２１１〜２２１６）から構
成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６０）を介
して反応容器（２１１１）内のガス導入管（２１１４）
に接続されている。

【００４４】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。まず、反応容器（２１
１１）内に円筒状支持体（２１１２）を設置し、不図示
の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器（２１
１１）内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター
（２１１３）により円筒状支持体（２１１２）の温度を
２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御する。堆積膜
形成用の原料ガスを反応容器（２１１１）に流入さるに
は、ガスボンベのバルブ（２２３１〜２２３７）、反応
容器のリークバルブ（２１１７）が閉じられていること
を確認し、又、流入バルブ（２２４１〜２２４６）、流
出バルブ（２２５１〜２２５６）、補助バルブ（２２６
０）が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（２１１８）を開いて反応容器（２１１１）およびガス
配管内（２１１６）を排気する。次に真空計（２１１
９）の読みが約５×１０^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助
バルブ（２２６０）、流出バルブ（２２５１〜２２５
６）を閉じる。その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２
６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ
（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入
する。

【００４５】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体（２
１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（２
２５１〜２２５６）のうちの必要なものおよび補助バル
ブ（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２１〜
２２２６）から所定のガスをガス導入管（２１１４）を
介して反応容器（２１１１）内に導入する。次にマスフ
ローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
反応空間（２１１１）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定
の圧力になるように真空計（２１１９）を見ながら、メ
インバルブ（２１１８）の開口を調整する。内圧が安定
したところで、周波数１３．５６ＭＨzのＲＦ電源（不
図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボッ
クス（２１１５）を通じて反応容器（２１１１）内にＲ
Ｆ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エ
ネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分
解され、円筒状支持体（２１１２）上に所定のシリコン
を主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望
の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流
出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積
膜の形成を終える。

【００４６】同様の操作を数回繰返すことによって、所
望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれの層を
形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて閉
じられていることは言うまでもなく、また、それぞれの
ガスが反応容器（２１１１）内、流出バルブ（２２５１
〜２２５６）から反応容器（２１１１）に至る配管内に
残留することを避けるために、流出バルブ（２２５１〜
２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開き、さ
らにメインバルブ（２１１８）を全開にして系内を一旦
高真空に排気する操作を必要に応じて行う。また、膜形
成の均一化を図るために、層形成を行っている間は、支
持体（２１１２）を駆動装置（不図示）によって所定の
速度で回転させることも有効である。さらに、上述のガ
ス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがっ
て変更が加えられることは言うまでもない。

【００４７】次に、電源周波数としてＶＨＦ帯を用いた
高周波プラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略
記する）法によって形成される電子写真用光受容部材の
製造方法について説明する。図２に示した製造装置にお
けるＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積装置（２１００）を、
図３に示す堆積装置（３１００）に交換して原料ガス供
給装置（２２００）と接続することにより、ＶＨＦ−Ｐ
ＣＶＤ法による電子写真用光受容部材製造装置を得るこ
とができる。この装置は大別すると、真空気密化構造を
成した減圧にし得る反応容器（３１１１）、原料ガスの
供給装置（２２００）、および反応容器内を減圧にする
ための排気装置（不図示）から構成されている。反応容
器（３１１１）内には円筒状支持体（３１１２）、支持
体加熱用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（不図
示）、電極（３１１５）が設置され、電極には更に高周
波マッチングボックス（３１１６）が接続されている。
また、反応容器（３１１１）内は排気管（３１２１）を
通じて不図示の拡散ポンプに接続されている。原料ガス
供給装置（２２００）は、ＳｉＨ₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、Ｃ
Ｈ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガスのボンベ（２２２１〜
２２２６）とバルブ（２２３１〜２２３６，２２４１〜
２２４６，２２５１〜２２５６）およびマスフローコン
トローラー（２２１１〜２２１６）から構成され、各原
料ガスのボンベはバルブ（２２６０）を介して反応容器
（３１１１）内のガス導入管（不図示）に接続されてい
る。また、円筒状支持体（３１１２）によって取り囲ま
れた空間（３１３０）が放電空間を形成している。ＶＨ
Ｆ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積膜の形成は、以
下のように行うことができる。まず、反応容器（３１１
１）内に円筒状支持体（３１１２）を配置し、駆動装置
（３１２０）によって支持体（３１１２）を回転し、不
図示の排気装置（例えば拡散ポンプ）により反応容器
（３１１１）内を排気管（３１２１）を介して排気し、
反応容器（３１１１）内の圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ以
下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター（３１１
３）により円筒状支持体（３１１２）の温度を２００℃
乃至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。

【００４８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３
１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（不図示）が
閉じられていることを確認し、又、流入バルブ（２２４
１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）、
補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確認し
て、まずメインバルブ（不図示）を開いて反応容器（３
１１１）およびガス配管内を排気する。次に、真空計
（不図示）の読みが約５×１０^-6Ｔｏｒｒになった時点
で補助バルブ（２２６０）、流出バルブ（２２５１〜２
２５６）を閉じる。その後、ガスボンベ（２２２１〜２
２２６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を
開いて導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）によ
り各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バ
ルブ（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスを
マスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に
導入する。以上のようにして成膜の準備が完了した後、
以下のようにして円筒状支持体（３１１２）上に各層の
形成を行う。円筒状支持体（３１１２）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のう
ちの必要なものおよび補助バルブ（２２６０）を徐々に
開き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガ
スをガス導入管（不図示）を介して反応容器（３１１
１）内の放電空間（３１３０）に導入する。次にマスフ
ローコントローラ（２２１１〜２２１６）によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、放
電空間（３１３０）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の
圧力になるように真空計（不図示）を見ながら、メイン
バルブ（不図示）の開口を調整する。圧力が安定したと
ころで、例えば周波数５００ＭＨzのＶＨＦ電源（不図
示）を所望の電力に設定して、マッチングボックス（３
１１６）を通じて放電空間（３１３０）にＶＨＦ電力を
導入し、グロー放電を生起させる。かくして支持体（３
１１２）により取り囲まれた放電空間（３１３０）にお
いて、導入された原料ガスは、放電エネルギーにより励
起されて解離し、支持体（３１１２）上に所定の堆積膜
が形成される。この時、層形成の均一化を図るため支持
体回転用モーター（３１２０）によって、所望の回転速
度で回転させる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨ
Ｆ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器への
ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【００４９】同様の操作を数回繰り返すことによって、
所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれの層
を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて
閉じられていることは言うまでもなく、また、それぞれ
のガス反応容器（３１１１）内、流出バルブ（２２５１
〜２２５６）から反応容器（３１１１）に至る配管内に
残留することを避けるために、流出バルブ（２２５１〜
２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開き、さ
らにメインバルブ（不図示）を全開にして系内を一旦高
真空に排気する操作を必要に応じて行う。上述のガス種
およびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがって変
更が加えられることは言うまでもない。いずれの方法に
おいても、堆積膜形成時の支持体温度は、特に２００℃
以上３５０℃以下、好ましくは２３０℃以上３３０℃以
下、より好ましくは２５０℃以上３１０℃以下が望まし
い。支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱体であれ
ばよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付けヒ
ーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵
抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ラ
ンプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による
発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステン
レス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミ
ックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設け、
加熱した後、反応容器内に真空中で支持体を搬送する方
法が用いられる。また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法におけ
る放電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ
（１．３３３×１０^-1Ｐａ）以上５００ｍＴｏｒｒ
（６．６６５×１０¹Ｐａ）以下、より好ましくは３ｍ
Ｔｏｒｒ（３．９９９×１０^-1Ｐａ）以上３００ｍＴｏ
ｒｒ（３．９９９×１０¹Ｐａ）以下、最も好ましくは
５ｍＴｏｒｒ（６．６６５×１０^-1Ｐａ）以下１００ｍ
Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０¹Ｐａ）以下に設定するこ
とが望ましい。ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に
設けられる電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないな
らばいずれのものでも良いが、実用上は直径１ｍｍ以上
１０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。この時、電極の長さ
も、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設
定できる。電極の材料としては、表面が導電性となるも
のならばいずれのものでも良く、例えば、ステンレス、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したガラス、セラミック等が通常使用され
る。

【００５０】以下、実験例および実施例により本発明を
具体的に説明する。まず、その実験例をつぎに示す。［実験例１］図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写
真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。さらに光導電層のＳ
ｉＨ₄とＨ₂との混合比ならびに放電電力および支持体温
度を変えることによって、種々の光受容部材を作製し
た。作製した光受容部材を電子写真装置（キヤノン製Ｎ
Ｐ６０６０を実験用に改造）にセットして、帯電能の温
度依存性（温度特性）、メモリー電位を評価した。温度
特性は、光受容部材の温度を室温から約４５℃まで変え
て電子写真装置の現像器位置に設置した電位センサーで
帯電能を測定し、このときの温度１℃当たりの帯電能の
変化を測定して、２Ｖ/deg以下を合格と判定した。また、
メモリー電位は、同様の電位センサーを用いて、非露光状
態での表面電位と一旦露光した後に再度帯電した時との
電位差を測定した。このとき、最帯電時の電位が非露光時
よりも低い時に正のメモリー電位とした。一方、図２の
装置においてアルミニウムシリンダーに代えて、円筒形
のサンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層
の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）
を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＭＰにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度
（ＤＯＳ）を測定し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩ
Ｒにより水素含有量ならびに結合状態を測定した。

【００５１】本例では、Ｅｇが１．７５ｅＶ以上１，８
５ｅＶ未満となるように作製条件を調整した。またいず
れのサンプルも水素含有量は２０〜３０原子％であり、
赤外吸収スペクトルから得られるSi-H₂結合とSi-H結合
の吸収ピーク強度比が０．４以上１．０未満であった。
本例のＥｕと温度特性との関係を図４に、ＤＯＳとメモ
リーとの関係を図５に示す。図４ならびに図５から明ら
かなように、Ｅｇが１．７５ｅＶ以上１．８５ｅＶ未満
の条件において、Ｅｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未満
で、ＤＯＳが１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満のときには温度特性
は良好であるものの、正のメモリー電位が観測され、Ｅ
ｕが６０ｍｅＶ以上、ＤＯＳが１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で
は温度特性、メモリー電位ともに増加することがわかっ
た。

【００５２】

【表１】［実験例２］実験例１と同様に、図２に示すＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、
直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリン
ダー（支持体）上に光受容部材ならびにサンプルを作製
した。作製条件は表２に示す条件とし、光導電層のＳｉ
Ｈ₄とＨ₂との混合比、放電電力および支持体温度を変え
ることによって、種々の光受容部材を作製した。本例で
はＥｇが１．６５ｅＶ以上１，７５ｅＶ未満となるよう
に作製条件を調整した。このとき、いずれのサンプルも
水素含有量は１０〜２０原子％であり、赤外吸収スペク
トルのSi-H₂結合とSi-H結合の吸収ピーク強度比が０．
１以上０．４未満であった。作製した光受容部材ならび
にサンプルについて実験例１と同様の評価を行った。本
例のＥｕと温度特性との関係を図６に、ＤＯＳとメモリ
ーとの関係を図７に示す。図６ならびに図７から明らか
なように、Ｅｇが１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ未満の
条件において、Ｅｕが６０ｍｅＶ未満で、ＤＯＳが１×
１０¹⁶ｃｍ^-3未満のときには、温度特性は比較的良好で
はあるが、正のメモリーが観測され、Ｅｕが６０ｍｅＶ
以上で、ＤＯＳが１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上のときには温度
特性は増加し、負のメモリー電位が観測されることがわ
かった。

【００５３】

【表２】［実験例３］次に光導電層を支持体側から第一の層領域
と第二の層領域に分割し、光導電層の総膜厚を一定（３
０μｍ）にした上で、第一の層領域と第二の層領域の膜
厚比を変えて電子写真用光受容部材を作製し、各々につ
いて温度特性ならびにメモリー電位を測定した。この
際、第一の層領域としてＥｕ＝５５、ＤＯＳ＝３．２×
１０¹⁵ｃｍ^-3の膜を用い、第二の層領域としてＥｕ＝６
５、ＤＯＳ＝２．６×１０¹⁶ｃｍ^-3の膜を用いた。本例
の膜厚比（ｄ2／ｄ1）と温度特性との関係を図８に、膜
厚比（ｄ2／ｄ1）とＤＯＳとの関係を図９に示す。図８
および図９から明らかなように、膜厚比（ｄ2／ｄ1）が
０．０３以上０．３未満のときに温度特性が良好で、な
おかつ光メモリーが実質的に観測されないことがわかっ
た。また、プロセススピード、帯電電位設定、露光波
長、露光量を変えて同様の測定をしたところ、第一の層
領域と第二の層領域の膜厚比が０．０３〜０．３の時に
はいずれも良好な電子写真特性が得られた。

【００５４】次に、本発明の実施例を示す。

【００５５】

【実施例１】図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写
真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上
に、表３に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層（第一
の層領域、第二の層領域）、表面層からなる光受容部材
を作製した。作製した光受容部材を電位特性測定装置
（ドラム試験機）にセットして、帯電能の温度依存性
（温度特性）、メモリー電位を評価したところ、温度特
性は１．５Ｖ／ｄｅｇ、メモリー電位は１Ｖという結果
が得られた。表２にこのときの電子写真用光受容部材の
作製条件を示した。本例では、光導電層の第一の層領域
のＥｕとＤＯＳは、ぞぞれ５３ｍｅＶ、２×１０¹⁵ｃｍ
^-3、第二の層領域のＥｕとＤＯＳは、それぞれ６８ｍｅ
Ｖ、５×１０¹⁶ｃｍ^-3という結果が得られた。また、作
製した電子写真用光受容部材を正帯電して画像評価をし
たところ、画像上でも光メモリーは観測されずその他の
画像特性（ポチ、画像流れ）についても良好な電子写真
特性が得られた。すなわち、光導電層の第一の層領域
（Ｅｇ＝１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ）をＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上６０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁴ｃ
ｍ^-3以上１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満とし、第二の層領域（Ｅ
ｇ＝１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが６０ｍｅＶ
以上７０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3
以上１×１０¹⁷ｃｍ^-3未満とするとともに、第一の層領
域と第二の層領域の膜厚比（ｄ2／ｄ1）を０．０３以上
０．３未満とすることが良好な電子写真特性を得るため
に必要であることがわかった。

【００５６】

【表３】

【００５７】

【実施例２】本例では、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第二の層領域、第一の層領域の順とし、実施例１の表
面層に代えて、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けた。表４に、このときの電子写真用光受容部材の作製
条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。作製し
た電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をした
ところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られ
た。すなわち、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けた場合においても、光導電層の第一の層領域（Ｅｇ＝
１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ）をＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁴ｃｍ^-3以上
１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満とし、第二の層領域（Ｅｇ＝１．
６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが６０ｍｅＶ以上７０
ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×
１０¹⁷ｃｍ^-3未満とするとともに、第一の層領域と第二
の層領域の膜厚比（ｄ2／ｄ1）を０．０３以上０．３未
満とすることが良好な電子写真特性を得るために必要で
あることがわかった。

【００５８】

【表４】

【００５９】

【実施例３】本例では、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第二の層領域、第一の層領域の順とし、実施例１の表
面層に代えて、表面層のシリコン原子および炭素原子の
含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設
けるとともに、全ての層にフッ素原子、ホウ素原子、炭
素原子、酸素原子、窒素原子を含有させた。表５に、こ
のときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他
の点は実施例１と同様とした。作製した電子写真用光受
容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と
同様に良好な電子写真特性が得られた。すなわち、表面
層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に
不均一な分布状態とした表面層を設けるとともに全ての
層にフッ素原子、ホウ素原子、炭素原子、酸素原子、窒
素原子を含有させた場合においても、光導電層の第一の
層領域（Ｅｇ＝１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ）をＥｕが
５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１
０¹⁴ｃｍ^-3以上１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満とし、第二の層領
域（Ｅｇ＝１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが６０
ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁶
ｃｍ^-3以上１×１０¹⁷ｃｍ^-3未満とするとともに、第一
の層領域と第二の層領域の膜厚比（ｄ2／ｄ1）を０．０
３以上０．３未満とすることが良好な電子写真特性を得
るために必要であることがわかった。

【００６０】

【表５】

【００６１】

【実施例４】本例では、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の領域の順とし、支持体と電荷注
入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様
の発生を防止するための光吸収層としてＩＲ吸収層を設
けた。表６に、このときの電子写真用光受容部材の作製
条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。作製し
た電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をした
ところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られ
た。すなわち、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持
体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための
光吸収層としてＩＲ吸収層を設けた場合においても、光
導電層の第一の層領域（Ｅｇ＝１．７５ｅＶ〜１．８５
ｅＶ）をＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未満、局在状
態密度が１×１０¹⁴ｃｍ^-3以上１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満
とし、第二の層領域（Ｅｇ＝１．６５ｅＶ〜１．７５ｅ
Ｖ）をＥｕが６０ｍｅ以上７０ｍｅＶ未満、局在状態密
度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁷ｃｍ^-3未満とす
るとともに、第一の層領域と第二の層領域の膜厚比（ｄ
２／ｄ１）を０．０３以上０．３未満とすることが良好
な電子写真特性を得るために必要であることがわかっ
た。

【００６２】

【表６】

【００６３】

【実施例５】本例では、光導電層と電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域、第一の層領域の順とし
た三層構成とし、シリコン原子および炭素原子の含有量
を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。
表７に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を
示した。他の点は実施例１と同様とした。また、作製し
た電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をした
ところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られ
た。すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側から第一の
層領域、第二の層領域、第一の層領域の順とした三層構
成とし、シリコン原子および炭素原子の含有量を層厚方
向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合におい
ても、光導電層の第一の層領域（Ｅｇ＝１．７５ｅＶ〜
１．８５ｅＶ）をＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未
満、局在状態密度が１×１０¹⁴ｃｍ^-3以上１×１０¹⁶
ｃｍ^-3 未満とし、第二の層領域（Ｅｇ＝１．６５ｅ
Ｖ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ
未満、局在状態密度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3 以上１×１
０¹⁷ ｃｍ^-3未満とするとともに、第一の層領域と第
二の層領域の膜厚比（ｄ２／ｄ１）を０．０３以上０．
３未満とすることが良好な電子写真特性を得るために必
要であることがわかった。

【００６４】

【表７】

【００６５】

【実施例６】本例では、実施例１のＲＦ−ＰＣＶＤ法に
代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真
用光受容部材の製造装置を用い、実施例１と同様に直径
１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ−
（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層（電荷注入
阻止層側から第二の層領域、第一の層領域の順）、表面
層からなる光受容部材を作製した。表８にこのときの電
子写真用光受容部材の作製条件を示した。本例では、光
導電層の第一の層領域のＥｕとＤＯＳは、それぞれ５５
ｍｅＶ、５×１０¹⁵ ｃｍ^-3、第二の層領域のＥｕと
ＤＯＳは、それぞれ６６ｍｅＶ、７×１０¹⁶ ｃｍ^-3
という結果が得られた。また、作製した電子写真用光受
容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と
同様に良好な電子写真特性が得られた。すなわち、ＶＨ
Ｆ−ＰＣＶＤ法を用い、表面層のシリコン原子および炭
素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表
面層を設けた場合においても、光導電層の第一の層領域
（Ｅｇ＝１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ）をＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上６０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁴
ｃｍ^-3以上１×１０¹⁶ｃｍ^-3未満とし、第二の層領域
（Ｅｇ＝１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが６０ｍ
ｅＶ以上７０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁶
ｃｍ^-3以上１×１０¹⁷ ｃｍ^-3未満とするとともに、
第一の層領域と第二の層領域の膜厚比（ｄ２／ｄ１）を
０．０３以上０．３未満とすることが良好な電子写真特
性を得るために必要であることがわかった。

【００６６】

【表８】

【００６７】

【実施例７】本例では、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層を構成
する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層
に含有させて設けた。表９にこのときの電子写真用光受
容部材の作製条件を示した。他の点は実施例６と同様と
した。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１
と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子
写真特性が得られた。すなわち、表面層を構成する原子
として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層に含有さ
せて設けた場合においても、すなわち、表面層を構成す
る原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を含有させ
た表面層を設けた場合においても、光導電層の第一の層
領域（Ｅｇ＝１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ）をＥｕが５
０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０
¹⁴ ｃｍ^-3以上１×１０¹⁶ ｃｍ^-3未満とし、第二の
層領域（Ｅｇ＝１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが
６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１
０¹⁶ ｃｍ^-3以上１×１０¹⁷ ｃｍ^-3未満とするとと
もに、第一の層領域と第二の層領域の膜厚比（ｄ２／ｄ
１）を０．０３以上０．３未満とすることが良好な電子
写真特性を得るために必要であることがわかった。

【００６８】

【表９】

【００６９】

【実施例８】本例では、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第二の層領域、第一の層領域の順とし、表面層に窒素
原子および酸素原子を含有させた。表１０にこのときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実
施例６と同様とした。また、作製した電子写真用光受容
部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同
様に良好な電子写真特性が得られた。すなわち、表面層
に炭素原子に加えて窒素原子および酸素原子を含有させ
た場合においても、光導電層の第一の層領域（Ｅｇ＝
１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ）をＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁴ ｃｍ^-3
以上１×１０¹⁶ ｃｍ^-3未満とし、第二の層領域（Ｅ
ｇ＝１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが６０ｍｅＶ
以上７０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁶ｃｍ
^-3以上１×１０¹⁷ ｃｍ^-3未満とするとともに、第一
の層領域と第二の層領域の膜厚比（ｄ２／ｄ１）を０．
０３以上０．３未満とすることが良好な電子写真特性を
得るために必要であることがわかった。

【００７０】

【表１０】

【００７１】

【実施例９】本例では、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、光導電層と表
面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らし、
伝導性を制御する原子を含有させた中間層（上部阻止
層）を設けた。表１１にこのときの電子写真用光受容部
材の作製条件を示した。他の点は実施例６と同様とし
た。また、作製した電子写真用光受容部材を負帯電させ
て実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に
良好な電子写真特性が得られた。すなわち、光導電層と
表面層の間に中間層（上部阻止層）を設け、負帯電をし
た場合においても、光導電層の第一の層領域（Ｅｇ＝
１．７５ｅＶ〜１．８５ｅＶ）をＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁴ ｃｍ^-3
以上１×１０¹⁶ ｃｍ^-3未満とし、第二の層領域（Ｅ
ｇ＝１．６５ｅＶ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが６０ｍｅＶ
以上７０ｍｅＶ未満、局在状態密度が１×１０¹⁶ｃｍ
^-3以上１×１０¹⁷ ｃｍ^-3未満とするとともに、第一
の層領域と第二の層領域の膜厚比（ｄ２／ｄ１）を０．
０３以上０．３未満とすることが良好な電子写真特性を
得るために必要であることがわかった。

【００７２】

【表１１】

【００７３】

【実施例１０】本例では、電荷注入阻止層を削除し、光
導電層として炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で
含有する第一の層領域と実質的に炭素原子を含まない第
二の層領域と連続して形成した。表１２に、このときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実
施例６と同様とした。作製した電子写真用光受容部材を
実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良
好な電子写真特性が得られた。すなわち、電荷注入阻止
層を削除し、光導電層を炭素原子を層厚方向に不均一な
分布状態で含有する第一の層領域と実質的に炭素原子を
含まない第二の層領域と連続して形成した場合において
も、光導電層の第一の層領域（Ｅｇ＝１．７５ｅＶ〜
１．８５ｅＶ）をＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未
満、局在状態密度が１×１０¹⁴ ｃｍ^-3以上１×１０
¹⁶ ｃｍ^-3未満とし、第二の層領域（Ｅｇ＝１．６５
ｅＶ〜１．７５ｅＶ）をＥｕが６０ｍｅＶ以上７０ｍｅ
Ｖ未満、局在状態密度が１×１０¹⁶ ｃｍ^-3以上１×
１０¹⁷ ｃｍ^-3未満とするとともに、第一の層領域と
第二の層領域の膜厚比（ｄ２／ｄ１）を０．０３以上
０．３未満とすることが良好な電子写真特性を得るため
に必要であることがわかった。

【００７４】

【表１２】

【００７５】

【発明の効果】本発明は以上のような構成により、温度
特性の向上と光メモリーの低減とを両立した光受容層を
有する光受容部材を提供することができる。したがっ
て、この光受容部材で電子写真用光受容部材を構成する
ことにより、電子写真用光受容部材の使用温度領域での
温度特性が飛躍的に改善されるとともに光メモリーの発
生を実質的になくすることができ、電子写真用光受容部
材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像力の高い高品位の画像を安定して得
ることができる電子写真用光受容部材が得られる。

【００７６】特に、本発明において、キャリアの光学的
バンドギャップ内における局在準位に捕獲される割合を
小さくした第一の層領域と、それが捕獲される割合を大
きくした第二の層領域と積層した光導電層を有する光受
容部材で電子写真用光受容部材を構成することにより、
電子写真装置のプロセス条件によらず光メモリーの発生
が実質的に無視し得るほどに低減し、周囲環境の変動に
対する表面電位の変化が抑制された使用環境特性の優れ
た、また、電気的特性、光学的特性、光導電特性、画像
特性、耐久性の優れた電子写真用光受容部材を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真用光受容部材の好適な一例の
層構成を説明するための模式的層構成図である。

【図２】本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグ
ロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模
式的説明図である。

【図３】本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を形
成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いた
グロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の
模式的説明図である。

【図４】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第一の層領域のアーバックテイルの特性エネルギー
（Ｅｕ）と温度特性の関係を示す図である。

【図５】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第一の層領域の局在状態密度（ＤＯＳ）とメモリー
電位との関係を示す図である。

【図６】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第二の層領域のアーバックテイルの特性エネルギー
（Ｅｕ）との温度特性の関係を示す図である。

【図７】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第二の層領域の局在状態密度（ＤＯＳ）とメモリー
電位との関係を示す図である。

【図８】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第一の層領域と第二の層領域の膜厚比と温度特性と
の関係を示す図である。

【図９】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層の第一の層領域と第二の層領域の膜厚比とメモリー電
位との関係を示す図である。

【符号の説明】

１００光受容部材１０１導電性支持体１０２光受容層１０３光導電層１０４表面層１０５電荷注入阻止層１１０自由表面１１１第一の層領域１１２第二の層領域２１００、３１００堆積装置２１１１、３１１１反応容器２１１２、３１１２円筒状支持体２１１３、３１１３支持体加熱用ヒーター２１１４原料ガス導入管２１１５、３１１６マッチングボックス２１１６原料ガス配管２１１７反応容器リークバルブ２１１８メイン排気バルブ２１１９真空計２２００原料ガス供給装置２２１１〜２２１６マスフローコントローラ２２２１〜２２２６原料ガスボンベ２２３１〜２２３６原料ガスボンベバルブ２２４１〜２２４６ガス流入バルブ２２５１〜２２５６ガス流出バルブ２２６１〜２２６６圧力調整器３１１５電極３１２０支持体回転用モーター３１２１排気管３１３０放電空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１３３１４３１５３１６３３１３３３３３４３３５

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン原子を母体とし水素原子及び／ま
たはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された
光導電層を有する光受容部材において、前記光導電層が
キャリアの光学的バンドギャップ内における局在準位に
捕獲される割合を小さくした第一の層領域と、それが捕
獲される割合を大きくした第二の層領域とをその層厚を
異ならせて積層し、温度特性を向上させると共に光メモ
リーの発生をなくして良好な特性を発揮するようにした
ことを特徴とする光受容部材。
【請求項２】前記光導電層は、第一の層領域における水
素含有量、光学的バンドギャップ、光吸収スペクトルか
ら得られる指数関数裾の特性エネルギー及び光学的バン
ドギャップ内の局在状態密度と、第二の層領域における
それらの値が異なるように構成されていることを特徴と
する請求項１に記載の光受容部材。
【請求項３】前記光導電層は、第一の層領域における水
素原子含有量が２０〜３０原子％、光学的バンドギャッ
プが１．７５ｅＶ以上１．８５ｅＶ未満、光吸収スペク
トルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０ｍ
ｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、光学的バンドギャップ内の局
在状態密度が１×１０¹⁴ｃｍ^-3以上１×１０¹⁶ｃｍ^-3未
満であり、第二の層領域における水素原子含有量が１０
〜２０原子％、光学的バンドギャップが１．６５ｅＶ以
上１．７５ｅＶ未満、光吸収スペクトルから得られる指
数関数裾の特性エネルギーが６０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ
未満、光学的バンドギャップ内の局在状態密度が１×１
０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁷ｃｍ^-3未満であって、第一の
層領域の層厚（ｄ１）と第二の層領域の層厚（ｄ２）の
比が、ｄ２／ｄ１＝０．０３〜０．３とされていること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の光受容部
材。
【請求項４】前記光導電層は、第一の層領域における赤
外吸収スペクトルから得られるＳｉ−Ｈ₂結合とＳｉ−
Ｈ結合の吸収ピーク強度比が０．４以上１．０未満であ
り、第二の層領域における前記吸収ピーク強度比が０．
１以上０．４未満であることを特徴とする請求項３に記
載の光受容部材。
【請求項５】前記光導電層は、導電性支持体の表面上に
おける第一の層領域の上に第二の層領域が積層されてい
ることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項
に記載の光受容部材。
【請求項６】前記光導電層は、導電性支持体の表面上に
おける第二の層領域の上に第一の層領域が積層されてい
ることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項
に記載の光受容部材。
【請求項７】前記光導電層は、導電性支持体の表面上に
おける第一の層領域の上に第二の層領域が、さらにその
上に第一の層領域が積層されていることを特徴とする請
求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の光受容部材。
【請求項８】前記光導電層は、その光導電層中に周期律
表第IIIｂ族または第Ｖｂ族に属する元素の少なくとも
一つを含有することを特徴とする請求項１〜請求項７の
いずれか１項に記載の光受容部材。
【請求項９】前記光導電層は、その光導電層中に炭素、
酸素、窒素の少なくとも一つを含むことを特徴とする請
求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の光受容部材。
【請求項１０】前記光導電層は、その光導電層の表面上
に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系
非単結晶材料からなる表面層が設けられていることを特
徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の光
受容部材。
【請求項１１】前記光導電層は、シリコン原子を母体と
し炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表第
IIIｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくとも
一つを含む非単結晶材料からなる電荷注入阻止層の表面
に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の
光受容部材。
【請求項１２】前記表面層は、その層厚が０．０１〜３
μｍであることを特徴とする請求項１０または請求項１
１に記載の光受容部材。
【請求項１３】前記電荷注入阻止層は、その層厚が０．
１〜５μｍであることを特徴とする請求項１１に記載の
光受容部材。
【請求項１４】前記光導電層は、その層厚が２０〜５０
μｍであることを特徴とする請求項１〜請求項１３のい
ずれか１項に記載の光受容部材。