JPH09311495A - 光受容部材 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 45
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 460
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 88
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 59
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 51
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 51
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 48
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 25
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 23
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 100
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 68
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 description 51
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 32
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 9
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 9
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 4
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 4
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical class F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000036452 memory potential Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004867 photoacoustic spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性支持体と、この導電性支持体の表面上
にシリコン原子を母体として水素原子および／またはハ
ロゲン原子を含有する非単結晶材料からなり光導電性を
示す光導電層を有する光受容層とを少なくとも有する光
受容部材において、特に可視レーザー光に適した優れた
電位特性、画像特性を有する光受容部材を提供する。 【解決手段】 光導電層中に、水素含有量が１５〜２５
原子％、光学的バンドギャップが１．７５ｅＶ以上１．
８０ｅＶ以下、光吸収スペクトルから得られる指数関数
裾の特性エネルギーが５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶの第一の
層領域と、水素含有量が１０〜２０原子％、光学的バン
ドギャップ１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、光吸収
スペクトルから得られ指数関数裾の特性ネルギーが４５
ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの第二の層領域を含むように構成す
る。
にシリコン原子を母体として水素原子および／またはハ
ロゲン原子を含有する非単結晶材料からなり光導電性を
示す光導電層を有する光受容層とを少なくとも有する光
受容部材において、特に可視レーザー光に適した優れた
電位特性、画像特性を有する光受容部材を提供する。 【解決手段】 光導電層中に、水素含有量が１５〜２５
原子％、光学的バンドギャップが１．７５ｅＶ以上１．
８０ｅＶ以下、光吸収スペクトルから得られる指数関数
裾の特性エネルギーが５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶの第一の
層領域と、水素含有量が１０〜２０原子％、光学的バン
ドギャップ１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、光吸収
スペクトルから得られ指数関数裾の特性ネルギーが４５
ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの第二の層領域を含むように構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光（ここでは広義の
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線の
ような電磁波を意味する。）に対して感受性のある光受
容部材に関する。
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線の
ような電磁波を意味する。）に対して感受性のある光受
容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であること
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる受容部材の場
合には、上記の使用時における無害性は重要な点であ
る。
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であること
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる受容部材の場
合には、上記の使用時における無害性は重要な点であ
る。
【０００３】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には電子写真用光受容部材としての応用が記
載されている。
料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には電子写真用光受容部材としての応用が記
載されている。
【０００４】このような光受容部材には、一般的には、
導電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、この支持体
上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等
の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。
なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周
波あるいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持
体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとし
て実用に付されている。
導電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、この支持体
上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等
の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。
なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周
波あるいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持
体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとし
て実用に付されている。
【０００５】特開昭５６−８３７４６号公報において
は、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成原子として含
むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導
電層からなる電子写真用光受容部材が提案されている。
この公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学
的特性を得ることができるとしている。
は、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成原子として含
むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導
電層からなる電子写真用光受容部材が提案されている。
この公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学
的特性を得ることができるとしている。
【０００６】特開昭５７−１１５５５６号公報には、ａ
−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部材
の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、
光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さらには
経時安定性について改善を図るため、シリコン原子を母
体としたアモルファス材料で構成された光導電層上に、
シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性のアモル
ファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記載
されている。
−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部材
の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、
光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さらには
経時安定性について改善を図るため、シリコン原子を母
体としたアモルファス材料で構成された光導電層上に、
シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性のアモル
ファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記載
されている。
【０００７】特開昭６０−６７９５１号公報には、アモ
ルファスシリコン、炭素、酸素および弗素を含有してな
る透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体につい
ての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１号公報
には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４１〜
７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質材料
を用いる技術が記載されている。
ルファスシリコン、炭素、酸素および弗素を含有してな
る透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体につい
ての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１号公報
には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４１〜
７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質材料
を用いる技術が記載されている。
【０００８】特開昭６２−８３４７０号公報には、電子
写真用感光体の光導電層において光吸収スペクトルの指
数関数裾の特性エネルギーを０．０９ｅＶ以下にするこ
とにより残像現象のない高品質の画像を得る技術が開示
されている。
写真用感光体の光導電層において光吸収スペクトルの指
数関数裾の特性エネルギーを０．０９ｅＶ以下にするこ
とにより残像現象のない高品質の画像を得る技術が開示
されている。
【０００９】特開昭５８−２１２５７号公報には、光導
電層の作成中に支持体温度を変化させることにより光導
電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であって光感度領
域の広い感光体を得る技術が開示され、特開昭５８−１
２１０４２号公報には、光導電層の膜厚方向にエネルギ
ーギャップ状態密度を変化させ、表層のエネルギーギャ
ップ状態密度が１０17〜１０19ｃｍ-3とすることによ
り、湿度による表面電位の低下を防止する技術が開示さ
れている。また、特開昭５９−１４３３７９号公報なら
びに特開昭６１−２０１４８１号公報には、水素含有量
の異なるａ−Ｓｉ：Ｈを積層することにより暗抵抗値が
高く高感度の感光体を得る技術が開示されている。
電層の作成中に支持体温度を変化させることにより光導
電層内で禁止帯幅を変化させ、高抵抗であって光感度領
域の広い感光体を得る技術が開示され、特開昭５８−１
２１０４２号公報には、光導電層の膜厚方向にエネルギ
ーギャップ状態密度を変化させ、表層のエネルギーギャ
ップ状態密度が１０17〜１０19ｃｍ-3とすることによ
り、湿度による表面電位の低下を防止する技術が開示さ
れている。また、特開昭５９−１４３３７９号公報なら
びに特開昭６１−２０１４８１号公報には、水素含有量
の異なるａ−Ｓｉ：Ｈを積層することにより暗抵抗値が
高く高感度の感光体を得る技術が開示されている。
【００１０】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。
【００１１】これらの技術により、電子写真用光受容部
材の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境特性
が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
材の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境特性
が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性および使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
は特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を
図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。
ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真
用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性および使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
は特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を
図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。
【００１３】特に、電子写真装置の高画質、高速化、高
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性のさらなる向上ととも
に、帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に
性能を延ばすことが求められている。
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性のさらなる向上ととも
に、帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に
性能を延ばすことが求められている。
【００１４】そして、電子写真装置の画像特性向上のた
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。
【００１５】また、近年のオフィスや一般家庭へのコン
ピューターの普及と文章画像のデジタル化が進みマルチ
メディア時代に向けて電子写真装置も従来の複写機だけ
でなくファクシミリやプリンターの役目を担うためにデ
ジタル化が求められるようになった。デジタル化のため
に用いられる半導体レーザーやＬＥＤは発光強度や価格
の問題からも赤外から赤色可視光までの長波長のものが
主流である。そのため、従来のハロゲン光を用いたアナ
ログ複写機には見られなかった特性が問題となり改善が
求められるようになった。
ピューターの普及と文章画像のデジタル化が進みマルチ
メディア時代に向けて電子写真装置も従来の複写機だけ
でなくファクシミリやプリンターの役目を担うためにデ
ジタル化が求められるようになった。デジタル化のため
に用いられる半導体レーザーやＬＥＤは発光強度や価格
の問題からも赤外から赤色可視光までの長波長のものが
主流である。そのため、従来のハロゲン光を用いたアナ
ログ複写機には見られなかった特性が問題となり改善が
求められるようになった。
【００１６】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、さらなる帯電能や画像品質の向上に
関しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリ
コン系光受容部材のさらなる高画質化への課題として、
周囲温度の変化による電子写真特性の変動や光疲労ある
いはブランクメモリーやゴーストのような光メモリーを
低減することがいっそう求められるようになってきた。
また、デジタル化に伴い長波長のレーザーやＬＥＤを用
いることにより、光量・帯電能曲線の変化部分が温度に
よって変化する（感度の温度特性）やその変化部分が直
線から鈍ってくる（感度の直線性）が新たな特性として
注目されるようになってきた。
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、さらなる帯電能や画像品質の向上に
関しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリ
コン系光受容部材のさらなる高画質化への課題として、
周囲温度の変化による電子写真特性の変動や光疲労ある
いはブランクメモリーやゴーストのような光メモリーを
低減することがいっそう求められるようになってきた。
また、デジタル化に伴い長波長のレーザーやＬＥＤを用
いることにより、光量・帯電能曲線の変化部分が温度に
よって変化する（感度の温度特性）やその変化部分が直
線から鈍ってくる（感度の直線性）が新たな特性として
注目されるようになってきた。
【００１７】例えば、従来は感光体の画像流れの防止の
ために前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載されて
いるように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光
体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしなが
ら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリア
の生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特
性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感光
体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるを
得なかった。例えば、室温での使用時に比べてドラムヒ
ーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１
００Ｖ程度低下ししてしまっていた。
ために前記特開昭６０−９５５５１号公報に記載されて
いるように、複写機内にドラムヒーターを設置して感光
体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしなが
ら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリア
の生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特
性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感光
体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるを
得なかった。例えば、室温での使用時に比べてドラムヒ
ーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１
００Ｖ程度低下ししてしまっていた。
【００１８】また、従来は複写機を使用しない夜間でも
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成するオゾン生成物を夜間に感光体表面に吸着させ
ることによって、画像流れの発生を防止るるようにして
いた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機
の夜間通電を極力行わないようになってきている。この
ような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周囲温
度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下して、複
写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生じてい
た。
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成するオゾン生成物を夜間に感光体表面に吸着させ
ることによって、画像流れの発生を防止るるようにして
いた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機
の夜間通電を極力行わないようになってきている。この
ような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周囲温
度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下して、複
写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生じてい
た。
【００１９】また、レーザー光を用いたデジタル機で上
記のようにドラムヒーター等により感光体の温度を一定
に制御していない場合、感光体周囲温度が変化すること
によって、感度の温度特性や感度の直線性のために、感
度が変化し画像濃度が変わってしまうという問題が生じ
ていた。
記のようにドラムヒーター等により感光体の温度を一定
に制御していない場合、感光体周囲温度が変化すること
によって、感度の温度特性や感度の直線性のために、感
度が変化し画像濃度が変わってしまうという問題が生じ
ていた。
【００２０】一方、同一原稿を連続して繰り返し複写す
ると、画像露光による感光体の光疲労のために、画像濃
度の低下やかぶりが生じることがあった。また、トナー
を節約するために連続複写時の紙間において感光体に照
射される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画
像上に濃度差が生じるブランクメモリーや、前記の複写
行程の像露光の残像が次回の複写時に画像上に生じる、
いわゆるゴースト等が画像品質を向上させる上で問題に
なってきた。
ると、画像露光による感光体の光疲労のために、画像濃
度の低下やかぶりが生じることがあった。また、トナー
を節約するために連続複写時の紙間において感光体に照
射される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画
像上に濃度差が生じるブランクメモリーや、前記の複写
行程の像露光の残像が次回の複写時に画像上に生じる、
いわゆるゴースト等が画像品質を向上させる上で問題に
なってきた。
【００２１】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成等総合的
な観点からの改良を図ると共に、ａ−Ｓｉ材料そのもの
の一段の特性改良を図ることが必要とされている。
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成等総合的
な観点からの改良を図ると共に、ａ−Ｓｉ材料そのもの
の一段の特性改良を図ることが必要とされている。
【００２２】そこで、本発明は、上述した従来のａ−Ｓ
ｉで構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材
における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。
ｉで構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材
における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。
【００２３】すなわち、本発明の主たる目的は、帯電能
の向上と、温度依存性の低減および前記の光メモリーの
低減を高次元で両立させて、得られる画像品質を飛躍的
に向上させることのできる、シリコン原子を母体とした
非単結晶材料で構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。
の向上と、温度依存性の低減および前記の光メモリーの
低減を高次元で両立させて、得られる画像品質を飛躍的
に向上させることのできる、シリコン原子を母体とした
非単結晶材料で構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。
【００２４】特に、電気的、光学的、光導電的特性が使
用環境にほとんど影響されることなく実質的に常時安定
しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣
化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほ
とんど観測されず、さらに得られる画像の品質が良好
な、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成され
た光受容層を有する光受容部材を提供することにある。
用環境にほとんど影響されることなく実質的に常時安定
しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣
化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほ
とんど観測されず、さらに得られる画像の品質が良好
な、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成され
た光受容層を有する光受容部材を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者は、光導電層のキャリアの挙動に着目し、
ａ−Ｓｉのバンドギャップ内の局在状態密度分布と温度
特性や光メモリーとの関係について鋭意検討した結果、
光導電層の厚さ方向において、水素含有量、光学的バン
ドギャップやバンドギャップ内の局在状態密度の分布を
制御することにより上記目的を達成できるという知見を
得た。すなわち、シリコン原子を母体とし、水素原子お
よび／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構
成された光導電層を有する光受容部材において、その層
構造を特定化するように設計されて作成された光受容部
材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従
来の光受容部材と比べてみてもあらゆる点において凌駕
していること、特に電子写真用の光受容部材としては優
れた特性を有していることを見いだした。
に、本発明者は、光導電層のキャリアの挙動に着目し、
ａ−Ｓｉのバンドギャップ内の局在状態密度分布と温度
特性や光メモリーとの関係について鋭意検討した結果、
光導電層の厚さ方向において、水素含有量、光学的バン
ドギャップやバンドギャップ内の局在状態密度の分布を
制御することにより上記目的を達成できるという知見を
得た。すなわち、シリコン原子を母体とし、水素原子お
よび／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構
成された光導電層を有する光受容部材において、その層
構造を特定化するように設計されて作成された光受容部
材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従
来の光受容部材と比べてみてもあらゆる点において凌駕
していること、特に電子写真用の光受容部材としては優
れた特性を有していることを見いだした。
【００２６】また、本発明はデジタル化に対応した長波
長光（レーザーやＬＥＤ）に最適化するために、特に光
電変換に関わる光入射部について、水素含有量、光学的
バンドギャップやバンドギャップ内の局在状態密度の分
布を制御することにより感度の温度特性や感度の直線性
を改善するという目的を達成できるという知見を得た。
このようなことから、本発明は次のような特徴を有する
発明を提供するものである。
長光（レーザーやＬＥＤ）に最適化するために、特に光
電変換に関わる光入射部について、水素含有量、光学的
バンドギャップやバンドギャップ内の局在状態密度の分
布を制御することにより感度の温度特性や感度の直線性
を改善するという目的を達成できるという知見を得た。
このようなことから、本発明は次のような特徴を有する
発明を提供するものである。
【００２７】すなわち、本発明の光受容部材は、第１
に、シリコン原子を母体とし水素原子および／またはハ
ロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された光導電
層を有する光受容部材において、前記光導電層中に光吸
収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギ
ー、水素含有量および光学的バンドギャップの異なる複
数の層領域を含み、長波長レーザーを用いた場合に生じ
る感度の温度特性、感度の直線性の問題を解決すると共
に、帯電能、温度特性が向上して、光メモリーの発生が
ない良好な特性を発揮させるようにしたことを特徴とし
ている。
に、シリコン原子を母体とし水素原子および／またはハ
ロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成された光導電
層を有する光受容部材において、前記光導電層中に光吸
収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギ
ー、水素含有量および光学的バンドギャップの異なる複
数の層領域を含み、長波長レーザーを用いた場合に生じ
る感度の温度特性、感度の直線性の問題を解決すると共
に、帯電能、温度特性が向上して、光メモリーの発生が
ない良好な特性を発揮させるようにしたことを特徴とし
ている。
【００２８】第２に、その光導電層は、第一の層領域と
第二の層領域とが積層されて含まれ、第一の層領域にお
ける水素含有量が１５〜２５原子％、光学的バンドギャ
ップが１．７５ｅＶ以上１．８０ｅＶ以下、光吸収スペ
クトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５５
ｍｅＶ〜６５ｍｅＶであり、第二の層領域における水素
含有量が１０〜２０原子％、光学的バンドギャップが
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、光吸収スペクトル
から得られる指数関数裾の特性エネルギーが４５ｍｅＶ
〜５５ｍｅＶであることを特徴とする前記第１の光受容
部材である。第３に、前記光導電層において、全光導電
層膜厚に占める第二の層領域の割合は、３％以上５０％
未満であることを特徴とする前記第１または第２に記載
の光受容部材である。第４に、前記光導電層は、導電性
支持体の表面上における第一の層領域の上に第二の層領
域が積層されていることを特徴とする前記第１〜第３の
いずれかに記載の光受容部材である。第５に、前記光導
電層は、導電性支持体の表面上における第二の層領域の
上に第一の層領域が積層されていることを特徴とする前
記第１〜第３のいずれかに記載の光受容部材である。第
６に、前記光導電層は、導電性支持体の表面上における
第二の層領域の上に第一の層領域が、さらにその上に第
二の層領域が積層されることを特徴とする前記第１〜第
３のいずれかに記載の光受容部材である。第７に、第一
の層領域の表面側に積層された第二の層領域は、像露光
に用いるレーザー波長の光吸収率が８０％以上９５％以
下になるのに必要な膜厚に積層されるていことを特徴と
する、前記第１〜第４および第６のいずれかに記載の光
受容部材である。第８に、前記光導電層は、その光導電
層中に周期律表第III ｂ族または第Ｖｂ族に属する元素
の少なくとも一つを含有することを特徴とする、前記第
１〜第７のいずれかに記載の光受容部材である。第９
に、前記光導電層は、その光導電層中に炭素原子、酸素
原子および窒素原子の少なくとも一つを含むことを特徴
とする、前記第１〜第８のいずれかに記載の光受容部材
である。第１０に、前記光導電層は、その表面上に炭素
原子、酸素原子および窒素原子の少なくとも一つを含む
シリコン系非単結晶材料からなる表面層が設けられてい
ることを特徴とする前記第１〜第９のいずれかに記載の
光受容部材である。第１１に、前記光導電層は、シリコ
ン原子を母体とし、炭素原子、酸素原子および窒素原子
の少なくとも一つおよび周期律表第III ｂ族または第Ｖ
ｂ族から選ばれる元素の少なくとも一つを含む非単結晶
材料からなる電荷注入阻止層の表面上に設けられ、さら
にこの光導電層の表面上に、炭素原子、酸素原子および
窒素原子の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材
料からなる前記表面層が設けられていることを特徴とす
る前記第１０に記載の光受容部材である。第１２に、前
記表面層は、その層厚が０．０１〜３μｍであることを
特徴とする、前記第１０または第１１に記載の光受容部
材である。第１３に、前記電荷注入阻止層は、その層厚
が０．１〜５μｍであることを特徴とする前記第１１に
記載の光受容部材である。第１４に、前記光導電層の層
厚が２０〜５０μｍである前記第１〜第１３のいずれか
に記載の光受容部材である。
第二の層領域とが積層されて含まれ、第一の層領域にお
ける水素含有量が１５〜２５原子％、光学的バンドギャ
ップが１．７５ｅＶ以上１．８０ｅＶ以下、光吸収スペ
クトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５５
ｍｅＶ〜６５ｍｅＶであり、第二の層領域における水素
含有量が１０〜２０原子％、光学的バンドギャップが
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、光吸収スペクトル
から得られる指数関数裾の特性エネルギーが４５ｍｅＶ
〜５５ｍｅＶであることを特徴とする前記第１の光受容
部材である。第３に、前記光導電層において、全光導電
層膜厚に占める第二の層領域の割合は、３％以上５０％
未満であることを特徴とする前記第１または第２に記載
の光受容部材である。第４に、前記光導電層は、導電性
支持体の表面上における第一の層領域の上に第二の層領
域が積層されていることを特徴とする前記第１〜第３の
いずれかに記載の光受容部材である。第５に、前記光導
電層は、導電性支持体の表面上における第二の層領域の
上に第一の層領域が積層されていることを特徴とする前
記第１〜第３のいずれかに記載の光受容部材である。第
６に、前記光導電層は、導電性支持体の表面上における
第二の層領域の上に第一の層領域が、さらにその上に第
二の層領域が積層されることを特徴とする前記第１〜第
３のいずれかに記載の光受容部材である。第７に、第一
の層領域の表面側に積層された第二の層領域は、像露光
に用いるレーザー波長の光吸収率が８０％以上９５％以
下になるのに必要な膜厚に積層されるていことを特徴と
する、前記第１〜第４および第６のいずれかに記載の光
受容部材である。第８に、前記光導電層は、その光導電
層中に周期律表第III ｂ族または第Ｖｂ族に属する元素
の少なくとも一つを含有することを特徴とする、前記第
１〜第７のいずれかに記載の光受容部材である。第９
に、前記光導電層は、その光導電層中に炭素原子、酸素
原子および窒素原子の少なくとも一つを含むことを特徴
とする、前記第１〜第８のいずれかに記載の光受容部材
である。第１０に、前記光導電層は、その表面上に炭素
原子、酸素原子および窒素原子の少なくとも一つを含む
シリコン系非単結晶材料からなる表面層が設けられてい
ることを特徴とする前記第１〜第９のいずれかに記載の
光受容部材である。第１１に、前記光導電層は、シリコ
ン原子を母体とし、炭素原子、酸素原子および窒素原子
の少なくとも一つおよび周期律表第III ｂ族または第Ｖ
ｂ族から選ばれる元素の少なくとも一つを含む非単結晶
材料からなる電荷注入阻止層の表面上に設けられ、さら
にこの光導電層の表面上に、炭素原子、酸素原子および
窒素原子の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材
料からなる前記表面層が設けられていることを特徴とす
る前記第１０に記載の光受容部材である。第１２に、前
記表面層は、その層厚が０．０１〜３μｍであることを
特徴とする、前記第１０または第１１に記載の光受容部
材である。第１３に、前記電荷注入阻止層は、その層厚
が０．１〜５μｍであることを特徴とする前記第１１に
記載の光受容部材である。第１４に、前記光導電層の層
厚が２０〜５０μｍである前記第１〜第１３のいずれか
に記載の光受容部材である。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる「指数
関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギ
ー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、
また、「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾き
を意味している。
関数裾」とは、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギ
ー側に裾を引いた吸収スペクトルのことを指しており、
また、「特性エネルギー」とは、この指数関数裾の傾き
を意味している。
【００３０】このことは図１を用いて詳しく説明する。
図１は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸に吸収係数α
を自然対数軸として示したａ−Ｓｉのサブギャップ光吸
収スペクトルの１例である。このスペクトルは大きく二
つの部分に分けられる。すなわち吸収係数αが光子エネ
ルギｈνに対して指数関数的、すなわち直線的に変化す
る部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテイル）と、
αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部分Ａであ
る。
図１は、横軸に光子エネルギーｈν、縦軸に吸収係数α
を自然対数軸として示したａ−Ｓｉのサブギャップ光吸
収スペクトルの１例である。このスペクトルは大きく二
つの部分に分けられる。すなわち吸収係数αが光子エネ
ルギｈνに対して指数関数的、すなわち直線的に変化す
る部分Ｂ（指数関数裾またはＵｒｂａｃｈテイル）と、
αがｈνに対しより緩やかな依存性を示す部分Ａであ
る。
【００３１】Ｂ領域はａ−Ｓｉ中の価電子帯側のテイル
準位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ
領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次
式で表される。
準位から伝導帯への光学遷移による光吸収に対応し、Ｂ
領域の吸収係数αのｈνに対する指数関数的依存性は次
式で表される。
【００３２】α＝αo ｅｘｐ（ｈν／Ｅｕ） この両辺の対数をとると ｌｎα＝（１／Ｅｕ）・ｈν＋α１ ただし、α１＝ｌｎαo となり、特性エネルギーＥｕの逆数（１／Ｅｕ）が、Ｂ
部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電子帯側のテイ
ル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギーに
相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル準
位が少ないことを意味する。
部分の傾きを表すことになる。Ｅｕは価電子帯側のテイ
ル準位の指数関数的エネルギー分布の特性エネルギーに
相当するため、Ｅｕが小さければ価電子帯側のテイル準
位が少ないことを意味する。
【００３３】本発明者らは、光学的バンドギャップ（以
下、「Ｅｇ」と略記する）ならびに後述するＣＰＭによ
って測定されたサブバンドギャップ光吸収スペクトルか
ら求められる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エ
ネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記する）と感光体特性と
の相関を種々の条件に亘って調べた結果、Ｅｇ、Ｅｕと
ａ−Ｓｉ感光体の帯電能、温度特性や光メモリーとが緻
密な関係にあることを見いだし、さらに、それらの異な
る膜を積層することによりａ−Ｓｉ感光体が良好な感光
体特性を発揮することを見いだし本発明を完成するに至
った。
下、「Ｅｇ」と略記する）ならびに後述するＣＰＭによ
って測定されたサブバンドギャップ光吸収スペクトルか
ら求められる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エ
ネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記する）と感光体特性と
の相関を種々の条件に亘って調べた結果、Ｅｇ、Ｅｕと
ａ−Ｓｉ感光体の帯電能、温度特性や光メモリーとが緻
密な関係にあることを見いだし、さらに、それらの異な
る膜を積層することによりａ−Ｓｉ感光体が良好な感光
体特性を発揮することを見いだし本発明を完成するに至
った。
【００３４】特に長波長レーザーに最適化するために、
光入射部のＥｇ、Ｅｕとレーザー光源を用いたときの感
光体特性を詳細に検討した結果、Ｅｇ、Ｅｕと感度の温
度特性、感度の直線性とが密接な関係にあることを見だ
した。すなわち光入射部のＥｇ、Ｅｕおよび水素含有量
を特定の範囲内にすることにより感光体がデジタル化に
適した感光体特性を発揮することを見いだし本発明を完
成するに至った。
光入射部のＥｇ、Ｅｕとレーザー光源を用いたときの感
光体特性を詳細に検討した結果、Ｅｇ、Ｅｕと感度の温
度特性、感度の直線性とが密接な関係にあることを見だ
した。すなわち光入射部のＥｇ、Ｅｕおよび水素含有量
を特定の範囲内にすることにより感光体がデジタル化に
適した感光体特性を発揮することを見いだし本発明を完
成するに至った。
【００３５】具体的には、光学的バンドギャップが小さ
く、キャリアの局在準位への捕獲率を小さくした層領域
を光導電層と表面層の界面領域に介在させることによ
り、感度の温度特性および感度の直線性を大幅に改善し
光メモリーのの発生を実質的になくすることができるこ
とが本発明者の実験により明らかになった。
く、キャリアの局在準位への捕獲率を小さくした層領域
を光導電層と表面層の界面領域に介在させることによ
り、感度の温度特性および感度の直線性を大幅に改善し
光メモリーのの発生を実質的になくすることができるこ
とが本発明者の実験により明らかになった。
【００３６】また、光学的バンドギャップが小さく、キ
ャリアの局在準位への捕獲率を小さくした層領域を光導
電層と阻止層の界面領域に介在させることにより、帯電
能の向上と温度特性および光メモリーの低減とを両立さ
せ、なおかつ密着性向上により小径支持体への積層に伴
う応力増大にも問題なく対応できることも明らかになっ
た。
ャリアの局在準位への捕獲率を小さくした層領域を光導
電層と阻止層の界面領域に介在させることにより、帯電
能の向上と温度特性および光メモリーの低減とを両立さ
せ、なおかつ密着性向上により小径支持体への積層に伴
う応力増大にも問題なく対応できることも明らかになっ
た。
【００３７】これをさらに詳しく説明すると、一般的
に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ
結合の構造的な乱れに基づくテイル（裾）準位と、Ｓｉ
未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因す
る深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕
獲、再結合中心として働き、素子の特性を低下させる原
因になることが知られている。
に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ
結合の構造的な乱れに基づくテイル（裾）準位と、Ｓｉ
未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因す
る深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕
獲、再結合中心として働き、素子の特性を低下させる原
因になることが知られている。
【００３８】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Co
nstant Photocurrent Method：「ＣＰＭ」と略記する）
はａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブギャップ光吸収
スペクトルを簡便に測定する方法として有用である。
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法（Co
nstant Photocurrent Method：「ＣＰＭ」と略記する）
はａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブギャップ光吸収
スペクトルを簡便に測定する方法として有用である。
【００３９】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到
達したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影
響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器
を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すため
に温度特性として観測される。また、帯電器を通過した
後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、主となる光導電層の
光学的バンドギャップを大きくすることにより熱励起キ
ャリアの生成を抑え、なおかつ深い局在準位を少なくす
ることによりキャリアの走行性を向上させることが温度
特性の向上のために必要である。
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到
達したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影
響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器
を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すため
に温度特性として観測される。また、帯電器を通過した
後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、主となる光導電層の
光学的バンドギャップを大きくすることにより熱励起キ
ャリアの生成を抑え、なおかつ深い局在準位を少なくす
ることによりキャリアの走行性を向上させることが温度
特性の向上のために必要である。
【００４０】さらに、光メモリーはブランク露光や像露
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降の表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアの光導電層内の残留を極力少なく
し、光キャリアが１回の複写行程で走行するように、キ
ャリアの走行性を改善しなければならない。
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降の表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアの光導電層内の残留を極力少なく
し、光キャリアが１回の複写行程で走行するように、キ
ャリアの走行性を改善しなければならない。
【００４１】また、感度の温度特性は、光導電層の正孔
と電子の走行性の違いが大きい上に、走行性が温度によ
って変化するために生じる。光入射部内では正孔と電子
が対で生成され、正孔は支持体側へ電子は表面層側へ走
行するが、その移動中に光入射部で正孔と電子が混在す
ると、支持体や表面に達するまでに再結合をしてしまう
割合が多くなる。その再結合の割合が再捕獲中心からの
熱励起により変化するために、露光量すなわち光生成キ
ャリアの数と表面電位を打ち消すキャリア数が温度によ
って変化することになり、その結果感度が温度によって
変わることになる。したがって、光入射部での再結合の
割合を少なくする、すなわち再捕獲中心となる深い準位
を少なくすることと、正孔と電子の混在領域が小さくな
るように長波長光の光吸収率を大きくし、そしてキャリ
アの走行性も改善しなければならない。
と電子の走行性の違いが大きい上に、走行性が温度によ
って変化するために生じる。光入射部内では正孔と電子
が対で生成され、正孔は支持体側へ電子は表面層側へ走
行するが、その移動中に光入射部で正孔と電子が混在す
ると、支持体や表面に達するまでに再結合をしてしまう
割合が多くなる。その再結合の割合が再捕獲中心からの
熱励起により変化するために、露光量すなわち光生成キ
ャリアの数と表面電位を打ち消すキャリア数が温度によ
って変化することになり、その結果感度が温度によって
変わることになる。したがって、光入射部での再結合の
割合を少なくする、すなわち再捕獲中心となる深い準位
を少なくすることと、正孔と電子の混在領域が小さくな
るように長波長光の光吸収率を大きくし、そしてキャリ
アの走行性も改善しなければならない。
【００４２】さらに、感度の直線性は、長波長レーザー
の露光量が多くなるにしたがって、相対的に表面から深
い場所での光生成キャリアが増加し、走行距離が長いキ
ャリア（電子）が増加するために生じる。したがって、
光入射部の光吸収率を高めると共に、光入射部の電子の
走行性とその支持体側の正孔の走行性を改善しバランス
をとらなければならない。
の露光量が多くなるにしたがって、相対的に表面から深
い場所での光生成キャリアが増加し、走行距離が長いキ
ャリア（電子）が増加するために生じる。したがって、
光入射部の光吸収率を高めると共に、光入射部の電子の
走行性とその支持体側の正孔の走行性を改善しバランス
をとらなければならない。
【００４３】したがって、Ｃｈ（水素含有量）を少なく
してＥｇを狭くしつつＥｕを制御（低減）した層領域を
光入射部として設けることにより、熱励起キャリアや光
キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすること
ができるためにキャリアの走行性が飛躍的に改善され
る。Ｅｇを小さくすることによって長波長光の吸収が大
きくなり光入射部を小さくできるために、正孔電子混在
領域が縮小できる。またさらなる効果として支持体側光
導電層は主たるキャリアを正孔としてその走行性を改善
した層設計が可能となる。すなわち主たる光導電層には
Ｃｈを多くしてＥｇを拡大しつつＥｕを制御（低減）し
た層を用いることによって、熱励起キャリアの生成が抑
えられ、なおかつ熱励起キャリアや光キャリアが局在準
位に捕獲される割合を小さくすることができるためにキ
ャリアの走行性が飛躍的に改善される。
してＥｇを狭くしつつＥｕを制御（低減）した層領域を
光入射部として設けることにより、熱励起キャリアや光
キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすること
ができるためにキャリアの走行性が飛躍的に改善され
る。Ｅｇを小さくすることによって長波長光の吸収が大
きくなり光入射部を小さくできるために、正孔電子混在
領域が縮小できる。またさらなる効果として支持体側光
導電層は主たるキャリアを正孔としてその走行性を改善
した層設計が可能となる。すなわち主たる光導電層には
Ｃｈを多くしてＥｇを拡大しつつＥｕを制御（低減）し
た層を用いることによって、熱励起キャリアの生成が抑
えられ、なおかつ熱励起キャリアや光キャリアが局在準
位に捕獲される割合を小さくすることができるためにキ
ャリアの走行性が飛躍的に改善される。
【００４４】つまり、光受容部材の最表面側に第二の層
領域を設けて、実質的に光を吸収する領域を第二の層領
域とすることにより、特にレーザー光を用いたときの感
度の温度特性、感度の直線性を大幅に改善し、かつ帯電
能、温度特性、光メモリーについても効果が見られ、光
受容部材の最表面側に第一の層領域を設けて、実質的に
光を吸収する領域を第一の層領域とすることにより、特
に帯電能、温度特性、メモリーおよび密着性の点で顕著
な効果が見られる。
領域を設けて、実質的に光を吸収する領域を第二の層領
域とすることにより、特にレーザー光を用いたときの感
度の温度特性、感度の直線性を大幅に改善し、かつ帯電
能、温度特性、光メモリーについても効果が見られ、光
受容部材の最表面側に第一の層領域を設けて、実質的に
光を吸収する領域を第一の層領域とすることにより、特
に帯電能、温度特性、メモリーおよび密着性の点で顕著
な効果が見られる。
【００４５】したがって、本発明は上記構成によって、
レーザー光を用いたときの感度の温度特性、感度の直線
性および帯電能の向上と温度依存性減少ならびに光メモ
リーの低減とを高い次元で両立させ、前記した従来技術
における諸問題の全てを解決することができ、極めて優
れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性
および使用環境性を示す光受容部材を得ることができ
る。
レーザー光を用いたときの感度の温度特性、感度の直線
性および帯電能の向上と温度依存性減少ならびに光メモ
リーの低減とを高い次元で両立させ、前記した従来技術
における諸問題の全てを解決することができ、極めて優
れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性
および使用環境性を示す光受容部材を得ることができ
る。
【００４６】以下、図面にしたがって本発明の光受容部
材について詳細に説明する。図２は本発明の光受容部材
の層構成を説明するための模式的構成図である。図２
（ａ）に示す光受容部材２００は、光受容部材用として
の支持体２０１の上に、光受容層２０２が設けられてい
る。この光受容層２０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光
導電性を有する光導電層２０３で構成され、光導電層２
０３は支持体２０１側から順に第一の層領域２１１と第
二の層領域２１２とからなっている。
材について詳細に説明する。図２は本発明の光受容部材
の層構成を説明するための模式的構成図である。図２
（ａ）に示す光受容部材２００は、光受容部材用として
の支持体２０１の上に、光受容層２０２が設けられてい
る。この光受容層２０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光
導電性を有する光導電層２０３で構成され、光導電層２
０３は支持体２０１側から順に第一の層領域２１１と第
二の層領域２１２とからなっている。
【００４７】図２（ｂ）に示す光受容部材２００は、光
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。この光受容層２０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３で構成
され、光導電層２０３は支持体２０１側から順に第二の
層領域２１２と第一の層領域２１１とからなっている。
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。この光受容層２０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３で構成
され、光導電層２０３は支持体２０１側から順に第二の
層領域２１２と第一の層領域２１１とからなっている。
【００４８】図２（ｃ）に示す光受容部材２００は、光
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。この光受容層２０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３で構成
され、光導電層２０３は支持体２０１側から順に第二の
層領域２１２と第一の層領域２１１と、さらに第二の層
領域２１２とからなっている。
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。この光受容層２０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３で構成
され、光導電層２０３は支持体２０１側から順に第二の
層領域２１２と第一の層領域２１１と、さらに第二の層
領域２１２とからなっている。
【００４９】図２（ｄ）に示す光受容部材２００は、光
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。この光受容層２０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３と、ア
モルファスシリコン系表面層２０４とから構成されてい
る。光導電層２０３は支持体２０１側から順に第一の層
領域２１１と第二の層領域２１２とからなっている。第
一の層領域２１１と第二の層領域２１２の順番は必要に
応じて入れ替えることができ、さらに、支持体２０１側
から順に第二の層領域２１２、第一の層領域２１１、第
二の層領域２１２とすることができる。
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。この光受容層２０２はａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層２０３と、ア
モルファスシリコン系表面層２０４とから構成されてい
る。光導電層２０３は支持体２０１側から順に第一の層
領域２１１と第二の層領域２１２とからなっている。第
一の層領域２１１と第二の層領域２１２の順番は必要に
応じて入れ替えることができ、さらに、支持体２０１側
から順に第二の層領域２１２、第一の層領域２１１、第
二の層領域２１２とすることができる。
【００５０】図２（ｅ）に示す光受容部材２００は、光
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。この光受容層２０２は支持体２０
１側から順にアモルファスシリコン系電荷注入阻止層２
０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光
導電層２０３と、アモルファスシリコン系表面層２０４
とから構成されている。光導電層２０３は電荷注入阻止
層２０５側から順に第一の層領域２１１と第二の層領域
２１２とからなっている。第一の層領域２１１と第二の
層領域２１２の順番は必要に応じて入れ替えることがで
き、さらに、電荷注入阻止層２０５側から順に第二の層
領域２１２、第一の層領域２１１、第二の層領域２１２
とすることができる。
受容部材用としての支持体２０１の上に、光受容層２０
２が設けられている。この光受容層２０２は支持体２０
１側から順にアモルファスシリコン系電荷注入阻止層２
０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光
導電層２０３と、アモルファスシリコン系表面層２０４
とから構成されている。光導電層２０３は電荷注入阻止
層２０５側から順に第一の層領域２１１と第二の層領域
２１２とからなっている。第一の層領域２１１と第二の
層領域２１２の順番は必要に応じて入れ替えることがで
き、さらに、電荷注入阻止層２０５側から順に第二の層
領域２１２、第一の層領域２１１、第二の層領域２１２
とすることができる。
【００５１】＜支持体＞本発明において使用される支持
体としては、それ自体導電性のものでも電気絶縁性のも
のを導電処理したものであってもよい。導電性支持体と
しては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なく
とも光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持体
も用いることができる。
体としては、それ自体導電性のものでも電気絶縁性のも
のを導電処理したものであってもよい。導電性支持体と
しては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，
Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なく
とも光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持体
も用いることができる。
【００５２】本発明において使用され支持体２０１の形
状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベル
ト状であることができ、その厚さは、所望通りの光受容
部材２００を形成し得るように適宜決定するが、光受容
部材２００としての可撓性が要求される場合には、支持
体２０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な
限り薄くすることができる。しかしながら、支持体２０
１は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から通
常は１０μｍ以上である。
状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または無端ベル
ト状であることができ、その厚さは、所望通りの光受容
部材２００を形成し得るように適宜決定するが、光受容
部材２００としての可撓性が要求される場合には、支持
体２０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な
限り薄くすることができる。しかしながら、支持体２０
１は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から通
常は１０μｍ以上である。
【００５３】特にレーザー光等の可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわ
ゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
ために、支持体２０１の表面に凹凸を設けてもよい。支
持体２０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１
６８１１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同
６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法に
より作成される。
記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわ
ゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
ために、支持体２０１の表面に凹凸を設けてもよい。支
持体２０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１
６８１１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同
６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法に
より作成される。
【００５４】また、レーザー光等の可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
別の方法として、支持体２０１の表面に複数の球状痕跡
窪みによる凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持体
２０１の表面が光受容部材２００に要求される解像力よ
りも微少な凹凸を有し、しかもこの凹凸は、複数の球状
痕跡窪みによるものである。支持体２０１の表面に設け
られる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−
２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作成
される。
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
別の方法として、支持体２０１の表面に複数の球状痕跡
窪みによる凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持体
２０１の表面が光受容部材２００に要求される解像力よ
りも微少な凹凸を有し、しかもこの凹凸は、複数の球状
痕跡窪みによるものである。支持体２０１の表面に設け
られる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−
２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作成
される。
【００５５】＜光導電層＞支持体２０１上に形成され、
光受容層２０２の一部を構成する光導電層２０３は、真
空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように
適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成され
る。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ
法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流
放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形
成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条
件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される
光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択
されて採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を
製造するに当たっての条件の制御が比較的容易にあるこ
とからグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源
周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。
光受容層２０２の一部を構成する光導電層２０３は、真
空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように
適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成され
る。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ
法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流
放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形
成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条
件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される
光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択
されて採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を
製造するに当たっての条件の制御が比較的容易にあるこ
とからグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源
周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。
【００５６】グロー放電法によって光電導層２０３を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、この
反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の
位置に設置されてある所定の支持体２０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、この
反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の
位置に設置されてある所定の支持体２０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
【００５７】また、本発明において光導電層２０３中に
水素原子または／およびハロゲン原子を含有されること
が必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。水素原
子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロ
ゲン原子の和の量は、第一の層領域の場合、シリコン原
子と水素原子または／およびハロゲン原子の和に対して
２０〜３０原子％とされるのが望ましく、第二の層領域
の場合、シリコン原子と水素原子または／およびハロゲ
ン原子の和に対して１０〜２０原子％とするのが望まし
い。
水素原子または／およびハロゲン原子を含有されること
が必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。水素原
子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロ
ゲン原子の和の量は、第一の層領域の場合、シリコン原
子と水素原子または／およびハロゲン原子の和に対して
２０〜３０原子％とされるのが望ましく、第二の層領域
の場合、シリコン原子と水素原子または／およびハロゲ
ン原子の和に対して１０〜２０原子％とするのが望まし
い。
【００５８】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ3
Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10などのガス状態の、またはガス化し
得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましい
ものとして挙げられる。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ3
Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10などのガス状態の、またはガス化し
得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点でＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましい
ものとして挙げられる。
【００５９】そして、形成される光導電層２０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるように図り、本発明の目的を達成す
る膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ2 およ
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが好ましい。また、
各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合し
ても差し支えないものである。
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるように図り、本発明の目的を達成す
る膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ2 およ
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが好ましい。また、
各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合し
ても差し支えないものである。
【００６０】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましくは挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得るハロゲン原子
を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げること
ができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2 ）、ＢｒＦ，
ＣｌＦ，ＣｌＦ3，ＢｒＦ3 ，ＢｒＦ5 ，ＩＦ3 ，ＩＦ7
等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲ
ン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換
されたシラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉ
Ｆ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 の弗化珪素が好ましいものとして挙げ
ることができる。
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましくは挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得るハロゲン原子
を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げること
ができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2 ）、ＢｒＦ，
ＣｌＦ，ＣｌＦ3，ＢｒＦ3 ，ＢｒＦ5 ，ＩＦ3 ，ＩＦ7
等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲ
ン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換
されたシラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉ
Ｆ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 の弗化珪素が好ましいものとして挙げ
ることができる。
【００６１】光導電層２０３中に含有される水素原子ま
たは／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体２０１の温度、水素原子または／およびハロゲン
原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器
内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
たは／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体２０１の温度、水素原子または／およびハロゲン
原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器
内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００６２】本発明においては、光導電層２０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層２０３中に
万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あ
るいは層厚方向には不均一な状態で含有している部分が
あってもよい。
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層２０３中に
万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あ
るいは層厚方向には不均一な状態で含有している部分が
あってもよい。
【００６３】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第III ｂ族に属する原子
（以後「第III ｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第
Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第III ｂ族に属する原子
（以後「第III ｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第
Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
【００６４】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。
【００６５】光導電層２０３に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜１
×１０2 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５０
原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０原子ｐｐｍ
とされるのが望ましい。さらに第一の層領域比べて第二
の層領域での伝導性を制御する原子の含有量を多くする
ことが好ましい。
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜１
×１０2 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５０
原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０原子ｐｐｍ
とされるのが望ましい。さらに第一の層領域比べて第二
の層領域での伝導性を制御する原子の含有量を多くする
ことが好ましい。
【００６６】伝導性を制御する原子、例えば第III ｂ族
原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あるいは
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、光導電層２０３を形成するための他のガスと共に導
入してやればよい。第III ｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものと
しては、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものを採用するのが望まし
い。
原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あるいは
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、光導電層２０３を形成するための他のガスと共に導
入してやればよい。第III ｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものと
しては、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものを採用するのが望まし
い。
【００６７】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質としては具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2
Ｈ6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ10，Ｂ6
Ｈ12，Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 ，Ｂ
Ｂｒ3 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ
ｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，ＩｎＣｌ
3 ，ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
質としては具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2
Ｈ6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ10，Ｂ6
Ｈ12，Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 ，Ｂ
Ｂｒ3 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ
ｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，ＩｎＣｌ
3 ，ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
【００６８】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ3 ，Ｐ2
Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，ＰＦ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ
3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ5 、ＰＩ3 等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，Ａｓ
Ｃｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，ＡｓＦ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3，
ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，ＳｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣ
ｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の
有効なものとして挙げることができる。これらの伝導性
を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2 お
よび／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ3 ，Ｐ2
Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，ＰＦ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ
3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ5 、ＰＩ3 等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，Ａｓ
Ｃｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，ＡｓＦ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3，
ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，ＳｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣ
ｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の
有効なものとして挙げることができる。これらの伝導性
を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2 お
よび／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。
【００６９】さらに本発明においては、光導電層２０３
に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素
原子を含有させることも有効である。炭素原子および／
または酸素原子および／または窒素原子の含有量は、シ
リコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に
対して好ましくは１×１０-5〜１０原子％、より好まし
くは１×１０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原
子％が望ましい。炭素原子および／または酸素原子およ
び／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含
有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化
するような不均一な分布をもたせた部分があってもよ
い。
に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素
原子を含有させることも有効である。炭素原子および／
または酸素原子および／または窒素原子の含有量は、シ
リコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に
対して好ましくは１×１０-5〜１０原子％、より好まし
くは１×１０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原
子％が望ましい。炭素原子および／または酸素原子およ
び／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含
有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化
するような不均一な分布をもたせた部分があってもよ
い。
【００７０】本発明において、光導電層２０３の層厚は
所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等
の点から適宜決定され、好ましくは２０〜５０μｍ、よ
り好ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍ
とするのが望ましい。層厚が２０μｍより薄くなると、
帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不充分となり、
５０μｍより厚くなると、光導電層の作製時間が長くな
って製造コストが高くなる。
所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等
の点から適宜決定され、好ましくは２０〜５０μｍ、よ
り好ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍ
とするのが望ましい。層厚が２０μｍより薄くなると、
帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不充分となり、
５０μｍより厚くなると、光導電層の作製時間が長くな
って製造コストが高くなる。
【００７１】また、本発明において、光導電層２０３全
体（第一の層領域＋第二の層領域）に占める第二の層領
域の膜厚の比は、０．０３〜０．５とすることが望まし
い。膜厚比が０．０３より小さいと、電荷の注入阻止性
能が不充分である、また特に第二の層領域を表面層側に
位置させるときには、用いるレーザー波長の光吸収率が
８０％以上９５％以下となるようにその膜厚を決める必
要があり、吸収率が８０％未満の膜厚では、正孔の走行
性に有利な層設計をした第一の層領域のかなり深い部分
まで光が到達する。その部分は電子の走行性が小さいの
で感度の温度特性や感度の直線性の改善の効果を充分に
発揮することができない。また、表面側の第二の層領域
の膜厚が光吸収率９５％を越えると、第二の層領域中を
多数の正孔がかなりの距離走行しなくてはならない。通
常、表面層側の第二の層領域には、電子の走行性を重視
して、ドーピングをほとんど行わない。そのため第二の
層領域の正孔の走行性は小さく、感度および残留電位の
上昇を招き、本発明の効果を得ることは難しくなる。ま
た、正孔の走行性を大きくするためにこの部分にもドー
ピングした場合は電子の走行性が小さくなり、感度が大
きくなり、また帯電能の減少、暗減衰の増感等本発明の
効果は発揮されない。また、第二の層領域として満足で
きる膜質を得るためには、現状では堆積速度を第一の層
領域よりも若干小さくすることが必要なため、膜厚比が
０．５より大きいと光導電層の作製時間が非常に長くな
って製造コストが高くなる。
体（第一の層領域＋第二の層領域）に占める第二の層領
域の膜厚の比は、０．０３〜０．５とすることが望まし
い。膜厚比が０．０３より小さいと、電荷の注入阻止性
能が不充分である、また特に第二の層領域を表面層側に
位置させるときには、用いるレーザー波長の光吸収率が
８０％以上９５％以下となるようにその膜厚を決める必
要があり、吸収率が８０％未満の膜厚では、正孔の走行
性に有利な層設計をした第一の層領域のかなり深い部分
まで光が到達する。その部分は電子の走行性が小さいの
で感度の温度特性や感度の直線性の改善の効果を充分に
発揮することができない。また、表面側の第二の層領域
の膜厚が光吸収率９５％を越えると、第二の層領域中を
多数の正孔がかなりの距離走行しなくてはならない。通
常、表面層側の第二の層領域には、電子の走行性を重視
して、ドーピングをほとんど行わない。そのため第二の
層領域の正孔の走行性は小さく、感度および残留電位の
上昇を招き、本発明の効果を得ることは難しくなる。ま
た、正孔の走行性を大きくするためにこの部分にもドー
ピングした場合は電子の走行性が小さくなり、感度が大
きくなり、また帯電能の減少、暗減衰の増感等本発明の
効果は発揮されない。また、第二の層領域として満足で
きる膜質を得るためには、現状では堆積速度を第一の層
領域よりも若干小さくすることが必要なため、膜厚比が
０．５より大きいと光導電層の作製時間が非常に長くな
って製造コストが高くなる。
【００７２】また、表面層側に第二の層領域を設けた場
合は、レーザー光等の可干渉光であっても、その８０％
以上９５％以下の光を吸収するので、支持体や下部層に
おいて特別な干渉縞模様対策をする必要がなく、良好な
画像を得ることができる。
合は、レーザー光等の可干渉光であっても、その８０％
以上９５％以下の光を吸収するので、支持体や下部層に
おいて特別な干渉縞模様対策をする必要がなく、良好な
画像を得ることができる。
【００７３】所望の膜特性を有する光導電層２０３を形
成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適
宜設定すればよい。
成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適
宜設定すればよい。
【００７４】希釈ガスとして使用するＨ2 および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対してＨ2 および／また
はＨｅを、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５
倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対してＨ2 および／また
はＨｅを、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５
倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。
【００７５】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０-4〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-2〜１．３３３
×１０3 Ｐａ）、好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒｒ
（６．６６５×１０-2〜６．６６５×１０2 Ｐａ）、最
適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-1〜
１．３３３×１０2 Ｐａ）とするのが好ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０-4〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-2〜１．３３３
×１０3 Ｐａ）、好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒｒ
（６．６６５×１０-2〜６．６６５×１０2 Ｐａ）、最
適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-1〜
１．３３３×１０2 Ｐａ）とするのが好ましい。
【００７６】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比（Ｗ／ＣＣ）を、１〜８、好まし
くは１〜６の範囲に設定することが望ましい。また、第
二の層領域のＳｉ供給用のガスの流量に対する放電電力
の比を第一の層領域に比べて小さくし、いわゆるパワー
リミット領域で作成することが好ましい。
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比（Ｗ／ＣＣ）を、１〜８、好まし
くは１〜６の範囲に設定することが望ましい。また、第
二の層領域のＳｉ供給用のガスの流量に対する放電電力
の比を第一の層領域に比べて小さくし、いわゆるパワー
リミット領域で作成することが好ましい。
【００７７】さらに、支持体２０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。
【００７８】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。
【００７９】＜表面層＞本発明においては、上述のよう
にして支持体２０１上に形成された光導電層２０３の上
に、さらにアモルファスシリコン系の表面層２０４を形
成することが好ましい。この表面層２０４は自由表面２
０６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、耐久性によい効果を与えるた
めに設けられる。
にして支持体２０１上に形成された光導電層２０３の上
に、さらにアモルファスシリコン系の表面層２０４を形
成することが好ましい。この表面層２０４は自由表面２
０６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、耐久性によい効果を与えるた
めに設けられる。
【００８０】また、本発明においては、光受容層２０２
を構成する光導電層２０３と表面層２０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が充分なされている。
を構成する光導電層２０３と表面層２０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が充分なされている。
【００８１】表面層２０４は、アモルファスシリコン系
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）
を含有し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリ
コン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素
原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有
し、さらに酸素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さ
らに窒素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）
および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭
素原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有す
るアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，
Ｘ」と表記する）等の材料が好適に用いられる。
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）
を含有し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリ
コン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素
原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有
し、さらに酸素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さ
らに窒素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）
および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭
素原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有す
るアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，
Ｘ」と表記する）等の材料が好適に用いられる。
【００８２】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層２０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件を設定し作成されるのが好ましい。具体的に
は、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶ
Ｄ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、
あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形成することがで
きる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資
下の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法に
よることが好ましい。
するために、表面層２０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件を設定し作成されるのが好ましい。具体的に
は、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶ
Ｄ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、
あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形成することがで
きる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資
下の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法に
よることが好ましい。
【００８３】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層２０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガス、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料
ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガ
スまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態を導入して、この反応容器内にグロー放電
が生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電
層２０３を形成した支持体２０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，
Ｘからなる層を形成すればよい。
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層２０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガス、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料
ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガ
スまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態を導入して、この反応容器内にグロー放電
が生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電
層２０３を形成した支持体２０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，
Ｘからなる層を形成すればよい。
【００８４】本発明において用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでも
よいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくと
も１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ
−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
はシリコンを含有するアモルファス材料ならば何れでも
よいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくと
も１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ
−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
【００８５】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０原子％から９０原子％の範囲が好ましい。
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０原子％から９０原子％の範囲が好ましい。
【００８６】また、本発明において表面層２０４中に水
素原子または／およびハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特
性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量
は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子
％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原
子％とするのが望ましい。また、ハロゲン原子の含有量
として、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には
０．１〜１０原子％、最適には０．６〜４原子％とする
のが望ましい。
素原子または／およびハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特
性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量
は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子
％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原
子％とするのが望ましい。また、ハロゲン原子の含有量
として、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には
０．１〜１０原子％、最適には０．６〜４原子％とする
のが望ましい。
【００８７】これらの水素および／またはハロゲン原子
含有量の範囲内で形成される光受容部材は、実際面にお
いて従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得
るものである。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主
にシリコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電
子写真用光受容部材としての特性に悪影響を及ぼすこと
が知られている。例えば自由表面から電荷の注入による
帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表
面構造が変化することによる帯電特性の変動、さらにコ
ロナ帯電時や光照射時に光導電層より表面層に電荷が注
入され、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされるこ
とにより繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影
響として挙げられる。
含有量の範囲内で形成される光受容部材は、実際面にお
いて従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得
るものである。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主
にシリコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電
子写真用光受容部材としての特性に悪影響を及ぼすこと
が知られている。例えば自由表面から電荷の注入による
帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表
面構造が変化することによる帯電特性の変動、さらにコ
ロナ帯電時や光照射時に光導電層より表面層に電荷が注
入され、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされるこ
とにより繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影
響として挙げられる。
【００８８】表面層内の水素含有量を３０原子％以上に
制御することにより表面層内の欠陥が大幅に減少し、そ
の結果、従来に比べて電気的特性面および高速連続使用
性において飛躍的な向上を図ることができるが、これ未
満ではその効果は小さい。前記表面層中の水素含有量が
７０原子％を越えると表面層の硬度が低下するために、
繰り返し使用に耐えられなくなる。したがって、表面層
中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に
優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子
の１つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流
量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって
制御し得る。
制御することにより表面層内の欠陥が大幅に減少し、そ
の結果、従来に比べて電気的特性面および高速連続使用
性において飛躍的な向上を図ることができるが、これ未
満ではその効果は小さい。前記表面層中の水素含有量が
７０原子％を越えると表面層の硬度が低下するために、
繰り返し使用に耐えられなくなる。したがって、表面層
中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に
優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子
の１つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流
量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって
制御し得る。
【００８９】表面層中のハロゲン原子含有量を０．０１
原子％以上の範囲に制御することにより表面層内のシリ
コン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成す
ることが可能となる。さらに、表面層中のハロゲン原子
の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子
と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができ
る。しかし０．０１原子％未満ではこれらの効果は小さ
い。
原子％以上の範囲に制御することにより表面層内のシリ
コン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成す
ることが可能となる。さらに、表面層中のハロゲン原子
の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子
と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができ
る。しかし０．０１原子％未満ではこれらの効果は小さ
い。
【００９０】一方、表面層中のハロゲン原子含有量が１
５原子％を越えると表面層内のシリコン原子と炭素原子
の結合の発生の効果およびコロナ等のダメージによるシ
リコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほ
とんど認められなくなる。さらに、過剰のハロゲン原子
が表面層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電
位や画像メモリーが顕著に現われてくる。したがって、
表面層中のハロゲン原子含有量を前記範囲内に制御する
ことが所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の一つ
である。表面層中のハロゲン原子含有量は、水素原子含
有量と同様に原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電
パワー、ガス圧等によって制御し得る。
５原子％を越えると表面層内のシリコン原子と炭素原子
の結合の発生の効果およびコロナ等のダメージによるシ
リコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほ
とんど認められなくなる。さらに、過剰のハロゲン原子
が表面層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電
位や画像メモリーが顕著に現われてくる。したがって、
表面層中のハロゲン原子含有量を前記範囲内に制御する
ことが所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の一つ
である。表面層中のハロゲン原子含有量は、水素原子含
有量と同様に原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電
パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【００９１】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作成
時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものとして挙げられる。ま
た、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガスにより希釈して使用し
てもよい。
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作成
時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものとして挙げられる。ま
た、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガスにより希釈して使用し
てもよい。
【００９２】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ4 ，Ｃ2 Ｈ2 ，Ｃ2 Ｈ6 ，Ｃ3Ｈ8 ，Ｃ4 Ｈ10等の
ガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用
されるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い
易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＣＨ4 ，Ｃ2 Ｈ2 ，
Ｃ2 Ｈ6 が好ましいものとして挙げられる。また、これ
らのＣ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
ＣＨ4 ，Ｃ2 Ｈ2 ，Ｃ2 Ｈ6 ，Ｃ3Ｈ8 ，Ｃ4 Ｈ10等の
ガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用
されるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い
易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＣＨ4 ，Ｃ2 Ｈ2 ，
Ｃ2 Ｈ6 が好ましいものとして挙げられる。また、これ
らのＣ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９３】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ3 ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2 ，Ｏ2 ，Ｃ
Ｏ，ＣＯ2 ，Ｎ2 等のガス状態の、またはガス化し得る
単体または化合物が有効に使用されるものとして挙げら
れる。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必
要に応じてＨ2 、Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。
としては、ＮＨ3 ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2 ，Ｏ2 ，Ｃ
Ｏ，ＣＯ2 ，Ｎ2 等のガス状態の、またはガス化し得る
単体または化合物が有効に使用されるものとして挙げら
れる。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必
要に応じてＨ2 、Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。
【００９４】また、形成される表面層２０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは
水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形
成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでな
く所定の混合比で複数種混合しても差し支えないもので
ある。
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは
水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形
成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでな
く所定の混合比で複数種混合しても差し支えないもので
ある。
【００９５】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状のまたはガス化し得る単体またはハロ
ゲン化合物が好ましくは挙げられる。また、さらにはシ
リコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状の
またはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化
合物も有効なものとして挙げることができる。本発明に
おいて好適に使用し得る単体またはハロゲン化合物とし
ては、具体的には弗素ガス（Ｆ2 ）、ＢｒＦ，ＣｌＦ，
ＣｌＦ3 ，ＢｒＦ3 ，ＢｒＦ5 ，ＩＦ3 ，ＩＦ7 等のハ
ロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を
含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシ
ラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉＦ4 ，Ｓ
ｉ2 Ｆ6 の弗化珪素が好ましいものとして挙げることが
できる。
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状のまたはガス化し得る単体またはハロ
ゲン化合物が好ましくは挙げられる。また、さらにはシ
リコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状の
またはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化
合物も有効なものとして挙げることができる。本発明に
おいて好適に使用し得る単体またはハロゲン化合物とし
ては、具体的には弗素ガス（Ｆ2 ）、ＢｒＦ，ＣｌＦ，
ＣｌＦ3 ，ＢｒＦ3 ，ＢｒＦ5 ，ＩＦ3 ，ＩＦ7 等のハ
ロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を
含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシ
ラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉＦ4 ，Ｓ
ｉ2 Ｆ6 の弗化珪素が好ましいものとして挙げることが
できる。
【００９６】表面層２０４中に含有される水素原子また
は／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体２０１の温度、水素原子または／およびハロゲン原
子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内
へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
は／およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体２０１の温度、水素原子または／およびハロゲン原
子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内
へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００９７】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有され
れもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有され
れもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
【００９８】さらに本発明においては、表面層２０４に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層２０４中
に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、
あるいは層厚方向には不均一な状態で含有している部分
があってもよい。
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層２０４中
に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、
あるいは層厚方向には不均一な状態で含有している部分
があってもよい。
【００９９】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える第III ｂ族原子またはｎ型伝
導特性を与える第Ｖｂ族原子を用いることができる。
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える第III ｂ族原子またはｎ型伝
導特性を与える第Ｖｂ族原子を用いることができる。
【０１００】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。
【０１０１】表面層２０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、
例えば第III ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に
導入するには、層形成の際に、第III ｂ族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス
状態で反応容器中に、表面層２０４を形成するための他
のガスと共に導入してやればよい。第III ｂ族原子導入
用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質と
なり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものを採用
するのが望ましい。そのような第III ｂ族原子導入用の
原料物質としては具体的には、硼素原子導入用として
は、Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ
10，Ｂ6 Ｈ12，Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 、ＢＣ
ｌ3 ，ＢＢｒ3 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，Ｉ
ｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、
例えば第III ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に
導入するには、層形成の際に、第III ｂ族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス
状態で反応容器中に、表面層２０４を形成するための他
のガスと共に導入してやればよい。第III ｂ族原子導入
用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質と
なり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものを採用
するのが望ましい。そのような第III ｂ族原子導入用の
原料物質としては具体的には、硼素原子導入用として
は、Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ
10，Ｂ6 Ｈ12，Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 、ＢＣ
ｌ3 ，ＢＢｒ3 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，Ｉ
ｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
【０１０２】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ3 ，Ｐ2
Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，ＰＦ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ
3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ5 、ＰＩ3 等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，Ａ
ｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，ＡｓＦ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ
3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，ＳｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，Ｂ
ｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。
に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ3 ，Ｐ2
Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，ＰＦ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ
3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ5 、ＰＩ3 等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，Ａ
ｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，ＡｓＦ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ
3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，ＳｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，Ｂ
ｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。
【０１０３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。
用の原料物質を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１０４】本発明における表面層２０４の層厚として
は、通常０．０１〜３μｍ，好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を
使用中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、
３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低
下がみられる。
は、通常０．０１〜３μｍ，好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を
使用中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、
３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低
下がみられる。
【０１０５】表面層２０４は、その要求される特性が所
望通りに与えられるように注意深く形成される。すなわ
ち、Ｓｉ，Ｃおよび／またはＮおよび／またはＯ，Ｈお
よび／またはＸを構成要素とする物質はその形成条件に
よって構造的には結晶からアモルファスまでの形態をと
り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性までの
間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的性質ま
での間の性質を各々示すので、本発明においては、目的
に応じた所望の特性を有する化合物が形成されるよう
に、所望にしたがってその形成条件の選択が厳密になさ
れる。
望通りに与えられるように注意深く形成される。すなわ
ち、Ｓｉ，Ｃおよび／またはＮおよび／またはＯ，Ｈお
よび／またはＸを構成要素とする物質はその形成条件に
よって構造的には結晶からアモルファスまでの形態をと
り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性までの
間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的性質ま
での間の性質を各々示すので、本発明においては、目的
に応じた所望の特性を有する化合物が形成されるよう
に、所望にしたがってその形成条件の選択が厳密になさ
れる。
【０１０６】例えば、表面層２０４の耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。 ま
た、連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として表面層２０４が設けられる場合には、上記
の電気絶縁性の度合いはある程度緩和され、照射される
光に対してある程度の感度を有する非単結晶材料として
形成される。
な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。 ま
た、連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として表面層２０４が設けられる場合には、上記
の電気絶縁性の度合いはある程度緩和され、照射される
光に対してある程度の感度を有する非単結晶材料として
形成される。
【０１０７】表面層２０４を形成するには、支持体２０
１の温度、反応容器内のガス圧を適宜設定する必要があ
る。支持体２０１の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがっ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましく
は２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０
℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。反
応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合好ましくは１×１０-4
〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-2〜１．３３３×１
０3 Ｐａ）、より好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒｒ
（６．６６５×１０ -1〜６．６６５×１０2 Ｐａ）、最
適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-1〜
１．３３３×１０2 Ｐａ）とするのが好ましい。
１の温度、反応容器内のガス圧を適宜設定する必要があ
る。支持体２０１の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがっ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましく
は２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０
℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。反
応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合好ましくは１×１０-4
〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-2〜１．３３３×１
０3 Ｐａ）、より好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒｒ
（６．６６５×１０ -1〜６．６６５×１０2 Ｐａ）、最
適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-1〜
１．３３３×１０2 Ｐａ）とするのが好ましい。
【０１０８】表面層を形成するための支持体温度、ガス
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。
【０１０９】さらに本発明において、光導電層と表面層
の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表面
層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設ける
ことも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有効
である。
の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表面
層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設ける
ことも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有効
である。
【０１１０】なた表面層２０４と光導電層２０３との間
に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素
原子の含有量が光導電層２０３に向かって減少するよう
に変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と光
導電層の密着性を向上させ、光キャリアの表面への移動
がスムーズになると共に光導電層と表面層の界面での光
の反射による干渉の影響をより少なくすることができ
る。
に炭素原子および／または酸素原子および／または窒素
原子の含有量が光導電層２０３に向かって減少するよう
に変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と光
導電層の密着性を向上させ、光キャリアの表面への移動
がスムーズになると共に光導電層と表面層の界面での光
の反射による干渉の影響をより少なくすることができ
る。
【０１１１】＜電荷注入素子層＞本発明の光受容部材に
おいては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支
持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入
阻止層を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、
電荷注入素子層は光受容層が一定極性の帯電処理をその
自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が
注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処
理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわ
ゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与す
るために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を
光導電層に比べ比較的多く含有させる。
おいては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支
持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入
阻止層を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、
電荷注入素子層は光受容層が一定極性の帯電処理をその
自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が
注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処
理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわ
ゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与す
るために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を
光導電層に比べ比較的多く含有させる。
【０１１２】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子は、層中に万遍なく均一に分布されてもよい
し、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有し
ている部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合に
は、支持体側に多く分布するように含有させるのが好適
である。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面
と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含有
されることが面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。
する原子は、層中に万遍なく均一に分布されてもよい
し、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有し
ている部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合に
は、支持体側に多く分布するように含有させるのが好適
である。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面
と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含有
されることが面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。
【０１１３】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、前述の第III ｂ族原子、第Ｖｂ
族原子を用いることができる。
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、前述の第III ｂ族原子、第Ｖｂ
族原子を用いることができる。
【０１１４】第III ｂ族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（ア
ンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓ
が好適である。
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（ア
ンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓ
が好適である。
【０１１５】電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制
御する原子の含有量は、所望にしたがって適宜決定され
るが、好ましくは１０〜１×１０4 原子ｐｐｍ、より好
適には５０〜５×１０3 原子ｐｐｍ、最適には１×１０
2 〜３×１０3 原子ｐｐｍとするのが望ましい。
御する原子の含有量は、所望にしたがって適宜決定され
るが、好ましくは１０〜１×１０4 原子ｐｐｍ、より好
適には５０〜５×１０3 原子ｐｐｍ、最適には１×１０
2 〜３×１０3 原子ｐｐｍとするのが望ましい。
【０１１６】さらに電荷注入阻止層には、炭素原子、窒
素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、この電荷注入阻止層に直接接触して設けら
れる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図るこ
とができる。
素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、この電荷注入阻止層に直接接触して設けら
れる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図るこ
とができる。
【０１１７】電荷注入阻止層に含有される炭素原子また
は窒素原子または酸素原子はこの層中に万遍なく均一に
分布されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一に分
布する状態で含有している部分があってもよい。しかし
ながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向
においては、均一な分布で万遍なく含有されることが面
内方向における特性の均一化を図る点からも必要であ
る。
は窒素原子または酸素原子はこの層中に万遍なく均一に
分布されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一に分
布する状態で含有している部分があってもよい。しかし
ながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向
においては、均一な分布で万遍なく含有されることが面
内方向における特性の均一化を図る点からも必要であ
る。
【０１１８】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、適宜決定されるが、原子が
一種の場合はその量として、原子が二種以上の場合はそ
の総和として、好ましくは１×１０-3〜３０原子％、よ
り好適には５×１０-3〜２０原子％、最適には１×１０
-2〜１０原子％とするのが望ましい。
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、適宜決定されるが、原子が
一種の場合はその量として、原子が二種以上の場合はそ
の総和として、好ましくは１×１０-3〜３０原子％、よ
り好適には５×１０-3〜２０原子％、最適には１×１０
-2〜１０原子％とするのが望ましい。
【０１１９】本発明における電荷注入阻止層に含有され
る水素原子および／またはハロゲン原子は層内に存在す
る未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注
入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素
原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜５０
原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には１０〜
３０原子％とするのが望ましい。
る水素原子および／またはハロゲン原子は層内に存在す
る未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注
入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素
原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜５０
原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には１０〜
３０原子％とするのが望ましい。
【０１２０】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは
０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとするのが望
ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体から
の電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が得
られなくなり、５μｍより厚くしても電子写真特性の向
上は期待できず、作製時間の延長による製造コストの増
加を招くだけである。
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは
０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとするのが望
ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体から
の電荷の注入阻止能が不充分になって充分な帯電能が得
られなくなり、５μｍより厚くしても電子写真特性の向
上は期待できず、作製時間の延長による製造コストの増
加を招くだけである。
【０１２１】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。
【０１２２】本発明における電荷注入阻止層２０５を形
成するには、光導電層２０３と同様に、Ｓｉ供給用のガ
スと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電
力ならびに支持体２０１の温度を適宜設定すればよい。
成するには、光導電層２０３と同様に、Ｓｉ供給用のガ
スと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電
力ならびに支持体２０１の温度を適宜設定すればよい。
【０１２３】希釈ガスであるＨ2 および／またはＨｅの
流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2 および／またはＨｅを、
通常の場合０．３〜２０倍、好ましくは０．５〜１５
倍、最適には１〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。
流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2 および／またはＨｅを、
通常の場合０．３〜２０倍、好ましくは０．５〜１５
倍、最適には１〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。
【０１２４】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合好まし
くは１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-2〜
１．３３３×１０3 Ｐａ）、好ましくは５×１０-4〜５
Ｔｏｒｒ（６．６６５×１０ -1〜６．６６５×１０2 Ｐ
ａ）、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒ（１．３３３×
１０-1〜１．３３３×１０2 Ｐａ）とするのが好まし
い。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合好まし
くは１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒ（１．３３３×１０-2〜
１．３３３×１０3 Ｐａ）、好ましくは５×１０-4〜５
Ｔｏｒｒ（６．６６５×１０ -1〜６．６６５×１０2 Ｐ
ａ）、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒ（１．３３３×
１０-1〜１．３３３×１０2 Ｐａ）とするのが好まし
い。
【０１２５】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、通常の場合０．５〜８、好ま
しくは０．８〜７、最適には１〜６の範囲に設定するこ
とが望ましい。
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、通常の場合０．５〜８、好ま
しくは０．８〜７、最適には１〜６の範囲に設定するこ
とが望ましい。
【０１２６】さらに、支持体２０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。
【０１２７】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する層を
形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作成
ファクターの最適値を決めるのが望ましい。
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する層を
形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作成
ファクターの最適値を決めるのが望ましい。
【０１２８】この他、本発明の光受容部材においては、
光受容層２０２の前記支持体２０１側に、少なくともア
ルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／およ
びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有す
る層領域を有することが望ましい。
光受容層２０２の前記支持体２０１側に、少なくともア
ルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／およ
びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有す
る層領域を有することが望ましい。
【０１２９】また、本発明の光受容部材においては、支
持体２０１と光導電層２０３あるいは電荷注入阻止層２
０５との間の密着性のいっそうの向上を図る目的で、例
えば、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，あるいはシリコ
ン原子を母体とし、水素原子および／またはハロゲン原
子と、炭素原子および／または酸素原子および／または
窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設
けてもよい。さらに、支持体からの反射光による干渉模
様の発生を防止するための光吸収層を設けてもよい。
持体２０１と光導電層２０３あるいは電荷注入阻止層２
０５との間の密着性のいっそうの向上を図る目的で、例
えば、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，あるいはシリコ
ン原子を母体とし、水素原子および／またはハロゲン原
子と、炭素原子および／または酸素原子および／または
窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設
けてもよい。さらに、支持体からの反射光による干渉模
様の発生を防止するための光吸収層を設けてもよい。
【０１３０】次に、光受容層を形成するための装置およ
び膜形成方法について詳述する。
び膜形成方法について詳述する。
【０１３１】図３は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記
する）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的
な構成図である。図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆
積膜の製造装置の構成は以下の通りである。
周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記
する）による光受容部材の製造装置の一例を示す模式的
な構成図である。図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆
積膜の製造装置の構成は以下の通りである。
【０１３２】この装置は大別すると、堆積装置３１０
０、原料ガスの供給装置３２００、反応容器３１１１内
に減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置３１００中の反応容器３１１１内には
円筒状支持体３１１２、支持体加熱用ヒーター３１１
３、原料ガス導入管３１１４が設置され、さらに高周波
マッチングボックス３１１５が接続されている。
０、原料ガスの供給装置３２００、反応容器３１１１内
に減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置３１００中の反応容器３１１１内には
円筒状支持体３１１２、支持体加熱用ヒーター３１１
３、原料ガス導入管３１１４が設置され、さらに高周波
マッチングボックス３１１５が接続されている。
【０１３３】原料ガス供給装置３２００はＳｉＨ4 ，Ｇ
ｅＨ4 ，Ｈ2 ，ＣＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＰＨ3 等の原料ガス
のボンベ３２２１〜３２２６とバルブ３２３１〜３２３
６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６およびマ
スフローコントローラ３２１１〜３２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ３２６０を介して反応
容器３１１１内のガス導入管３１１４に接続されてい
る。
ｅＨ4 ，Ｈ2 ，ＣＨ4 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＰＨ3 等の原料ガス
のボンベ３２２１〜３２２６とバルブ３２３１〜３２３
６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６およびマ
スフローコントローラ３２１１〜３２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ３２６０を介して反応
容器３１１１内のガス導入管３１１４に接続されてい
る。
【０１３４】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。まず、反応容器３１１
１内に円筒状支持体３１１２を設置し、不図示の排気装
置（例えば真空ポンプ）により反応容器３１１１内を排
気する。続いて、支持体加熱用ヒーター３１１３によ
り、円筒状支持体３１１２の温度を２００℃乃至３５０
℃の所定の温度に制御する。
以下のように行うことができる。まず、反応容器３１１
１内に円筒状支持体３１１２を設置し、不図示の排気装
置（例えば真空ポンプ）により反応容器３１１１内を排
気する。続いて、支持体加熱用ヒーター３１１３によ
り、円筒状支持体３１１２の温度を２００℃乃至３５０
℃の所定の温度に制御する。
【０１３５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３２３１〜３
２３７、反応容器のリークバルブ３１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ３２４１〜３２４
６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ３
１１８を開いて反応容器３１１１およびガス配管３１１
６内を排気する。
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３２３１〜３
２３７、反応容器のリークバルブ３１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ３２４１〜３２４
６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ３
１１８を開いて反応容器３１１１およびガス配管３１１
６内を排気する。
【０１３６】次に真空計３１１９の読みが約５×１０-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３２６０、流出バル
ブ３２５１〜３２５６を閉じる。その後、ガスボンベ３
２２１〜３２２６より各ガスをバルブ３２３１〜３２３
６を開いて導入し、圧力調整器３２６１〜３２６６によ
り各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ 2 に調整する。次に、流入バ
ルブ３２４１〜３２４６を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー３２１１〜３２１６内に導入す
る。
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３２６０、流出バル
ブ３２５１〜３２５６を閉じる。その後、ガスボンベ３
２２１〜３２２６より各ガスをバルブ３２３１〜３２３
６を開いて導入し、圧力調整器３２６１〜３２６６によ
り各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ 2 に調整する。次に、流入バ
ルブ３２４１〜３２４６を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー３２１１〜３２１６内に導入す
る。
【０１３７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体３１
１２が所定の温度になったところで流出バルブ３２５１
〜３２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ３２６
０を徐々に開き、ガスボンベ３２２１〜３２２６から所
定のガスをガス導入管３１１４を介して反応容器３１１
１内に導入する。次にマスフローコントローラー３２１
１〜３２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよ
うに調整する。その際、反応容器３１１１内の圧力が１
Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力なるように真空計３１１９を
見ながらメインバルブ３１１８の開口を調整する。内圧
が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電
源（不図示）を所望の電圧に設定して、高周波マッチン
グボックス３１１５を通じて反応容器３１１１内にＲＦ
電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネ
ルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解
され、円筒状支持体３１１２上に所定のシリコンを主成
分とする堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行わ
れた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反
応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層
構造の光受容部材が形成される。
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体３１
１２が所定の温度になったところで流出バルブ３２５１
〜３２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ３２６
０を徐々に開き、ガスボンベ３２２１〜３２２６から所
定のガスをガス導入管３１１４を介して反応容器３１１
１内に導入する。次にマスフローコントローラー３２１
１〜３２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよ
うに調整する。その際、反応容器３１１１内の圧力が１
Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力なるように真空計３１１９を
見ながらメインバルブ３１１８の開口を調整する。内圧
が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電
源（不図示）を所望の電圧に設定して、高周波マッチン
グボックス３１１５を通じて反応容器３１１１内にＲＦ
電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネ
ルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解
され、円筒状支持体３１１２上に所定のシリコンを主成
分とする堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行わ
れた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反
応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層
構造の光受容部材が形成される。
【０１３８】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまで
もなく、また、それぞれのガスが反応容器３１１１内、
流出バルブ３２５１〜３２５６から反応容器３１１１に
至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ
３２５１〜３２５６を閉じ、補助バルブ３２６０を開
き、さらにメインバルブ３１１８を全開にして系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまで
もなく、また、それぞれのガスが反応容器３１１１内、
流出バルブ３２５１〜３２５６から反応容器３１１１に
至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ
３２５１〜３２５６を閉じ、補助バルブ３２６０を開
き、さらにメインバルブ３１１８を全開にして系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１３９】膜形成の均一化を図るために、層形成を行
っている間は、支持体３１１２を駆動装置（不図示）に
よって所定の速度で回転させることも有効である。上述
のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にした
がって変更が加えられることは言うまでもない。
っている間は、支持体３１１２を駆動装置（不図示）に
よって所定の速度で回転させることも有効である。上述
のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にした
がって変更が加えられることは言うまでもない。
【０１４０】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【０１４１】実施例１ 図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍと３０ｍｍの鏡面加工を施した
アルミニウムシリンダー（支持体）上に、表１に示す条
件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。この際、電荷注入阻止層側から第一の
層領域、第二の層領域の順で導電層を形成した。
置を用い、直径８０ｍｍと３０ｍｍの鏡面加工を施した
アルミニウムシリンダー（支持体）上に、表１に示す条
件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容
部材を作製した。この際、電荷注入阻止層側から第一の
層領域、第二の層領域の順で導電層を形成した。
【０１４２】
【表１】 ＊第二の層領域は、６８０ｎｍの光を８０％以上９５％以下吸収できる膜厚と した。
【０１４３】一方、アルミニウムシリンダーに代えて、
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層の
作成条件で膜厚約１μｍのａｓ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）
を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウ
エハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）
を測定した。
サンプル基板を設置するための溝加工を施した円筒形の
サンプルホルダーを用い、ガラス基板（コーニング社
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、上記光導電層の
作成条件で膜厚約１μｍのａｓ−Ｓｉ膜を堆積した。ガ
ラス基板上の堆積膜は、光学的バンドギャップ（Ｅｇ）
を測定した後、Ｃｒの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）を測定し、Ｓｉウ
エハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量（Ｃｈ）
を測定した。
【０１４４】表１の例では第一の層領域はＣｈ，Ｅｇ，
Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１．７７ｅＶ、６０ｍｅＶ
であり、第二の層領域はＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕはそれぞれ１
８原子％、１．７３ｅＶ、５３ｍｅＶであった。
Ｅｕはそれぞれ２３原子％、１．７７ｅＶ、６０ｍｅＶ
であり、第二の層領域はＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕはそれぞれ１
８原子％、１．７３ｅＶ、５３ｍｅＶであった。
【０１４５】次に第二の層領域においてＳｉＨ4 ガスと
Ｈ2 ガスの混合比、ＳｉＨ4 ガスと放電電力との比率な
らびに支持体温度を種々変えることによって、第二の層
領域のＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕの異なる種々の光受容部材を
作製した。なお、第一の光導電層および第二の層領域の
膜厚はそれぞれ２８μｍおよび２μｍに固定した。
Ｈ2 ガスの混合比、ＳｉＨ4 ガスと放電電力との比率な
らびに支持体温度を種々変えることによって、第二の層
領域のＥｇ（Ｃｈ）、Ｅｕの異なる種々の光受容部材を
作製した。なお、第一の光導電層および第二の層領域の
膜厚はそれぞれ２８μｍおよび２μｍに固定した。
【０１４６】作製した光受容部材を電子写真装置（キャ
ノン製ＮＰ−６５５０、ＣＬＣ−２００とＧＰ−５５を
実験用に改造したもの）にセットして、電位特性の評価
を行った。この際、まずプロセススピード３８０ｍｍ／
ｓｅｃ、前露光（波長７００ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・
ｓｅｃ、像露光（６８０ｎｍのＬＥＤとハロゲン光が交
換可能）のＮＰ−６５５０にセットして、電位特性の評
価を行った（感度の温度特性、感度の直線性、帯電
能）。帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ ３４４）電位センサーにより光受容部材
の表面電位を測定し、それを帯電能とした。また、光受
容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を室温（約
２５℃）から５０℃まで変えて、上記の条件にて帯電能
を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能の変化を
温度特性とした。また、メモリー電位は、像露光光源に
ハロゲンランプを用い、上述の条件下において同様の電
位センサーにより非露光状態での表面電位と一旦露光し
た後に再度帯電したときとの電位差を測定した。感度の
温度特性は室温と５０℃でそれぞれ、表面電位がΔ２０
０Ｖのときの露光量を比較し室温の露光量との差の絶対
値として評価した。感度の直線性は設定電圧／Δ３５０
の露光量と設定電圧／Δ２００の直線を外挿して求めた
Δ３５０の露光量との差の絶対値で評価した（図１
２）。その後、感度の温度特性、感度の直線性ならびに
画像チェック（干渉縞模様）を６８０ｎｍの可視レーザ
ーを用いたＣＬＣ−２００にセットして評価した。ま
た、３０ｍｍのシリンダーはＧＰ−５５にセットして画
像チェックのみ行った。本例のＥｕならびにＥｇと感度
の温度特性、感度の直線性、帯電能、温度特性、メモリ
ーとの関係をそれぞれ図４、図５、図６（Ａ），
（Ｂ）、図７（Ａ），（Ｂ）、図８（Ａ），（Ｂ）に示
す。また、第二の層領域の膜厚と感度の温度特性ならび
に感度の直線性との関係を図９、図１０に示す。それぞ
れの特性に関して、光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一
の層領域のみで構成した場合を１としたときの相対値で
示した。図４、図５、図６（Ａ），（Ｂ）、図７
（Ａ），（Ｂ）、図８（Ａ），（Ｂ）、図９ならびに図
１０から明らかなように第二の層領域においてＥｇが
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが４５ｍｅＶ
〜５５ｍｅＶで像露光を８０％乃至９５％吸収できる膜
厚とする条件において、特に感度の温度特性、感度の直
線性が良好で、かつ帯電能、温度特性、メモリーともに
良好な特性を得られることがわかった。また、可視レー
ザーを用いた場合でも、画像の干渉縞模様は見られなか
った。
ノン製ＮＰ−６５５０、ＣＬＣ−２００とＧＰ−５５を
実験用に改造したもの）にセットして、電位特性の評価
を行った。この際、まずプロセススピード３８０ｍｍ／
ｓｅｃ、前露光（波長７００ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・
ｓｅｃ、像露光（６８０ｎｍのＬＥＤとハロゲン光が交
換可能）のＮＰ−６５５０にセットして、電位特性の評
価を行った（感度の温度特性、感度の直線性、帯電
能）。帯電器の電流値１０００μＡの条件にて、電子写
真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ
社Ｍｏｄｅｌ ３４４）電位センサーにより光受容部材
の表面電位を測定し、それを帯電能とした。また、光受
容部材に内蔵したドラムヒーターにより温度を室温（約
２５℃）から５０℃まで変えて、上記の条件にて帯電能
を測定し、そのときの温度１℃当たりの帯電能の変化を
温度特性とした。また、メモリー電位は、像露光光源に
ハロゲンランプを用い、上述の条件下において同様の電
位センサーにより非露光状態での表面電位と一旦露光し
た後に再度帯電したときとの電位差を測定した。感度の
温度特性は室温と５０℃でそれぞれ、表面電位がΔ２０
０Ｖのときの露光量を比較し室温の露光量との差の絶対
値として評価した。感度の直線性は設定電圧／Δ３５０
の露光量と設定電圧／Δ２００の直線を外挿して求めた
Δ３５０の露光量との差の絶対値で評価した（図１
２）。その後、感度の温度特性、感度の直線性ならびに
画像チェック（干渉縞模様）を６８０ｎｍの可視レーザ
ーを用いたＣＬＣ−２００にセットして評価した。ま
た、３０ｍｍのシリンダーはＧＰ−５５にセットして画
像チェックのみ行った。本例のＥｕならびにＥｇと感度
の温度特性、感度の直線性、帯電能、温度特性、メモリ
ーとの関係をそれぞれ図４、図５、図６（Ａ），
（Ｂ）、図７（Ａ），（Ｂ）、図８（Ａ），（Ｂ）に示
す。また、第二の層領域の膜厚と感度の温度特性ならび
に感度の直線性との関係を図９、図１０に示す。それぞ
れの特性に関して、光導電層（総膜厚３０μｍ）を第一
の層領域のみで構成した場合を１としたときの相対値で
示した。図４、図５、図６（Ａ），（Ｂ）、図７
（Ａ），（Ｂ）、図８（Ａ），（Ｂ）、図９ならびに図
１０から明らかなように第二の層領域においてＥｇが
１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが４５ｍｅＶ
〜５５ｍｅＶで像露光を８０％乃至９５％吸収できる膜
厚とする条件において、特に感度の温度特性、感度の直
線性が良好で、かつ帯電能、温度特性、メモリーともに
良好な特性を得られることがわかった。また、可視レー
ザーを用いた場合でも、画像の干渉縞模様は見られなか
った。
【０１４７】実施例２ 図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実施例１と同様の条件で、直径８０ｍｍと３
０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支
持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からな
る光受容部材を作製した。この際、第一の層領域と第二
の層領域の積層順を逆転して、電荷注入阻止層側から第
二の層領域、第一の層領域の順で光導電層を形成した。
このとき第二の層領域の膜厚は２μｍとした。
置を用い、実施例１と同様の条件で、直径８０ｍｍと３
０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支
持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からな
る光受容部材を作製した。この際、第一の層領域と第二
の層領域の積層順を逆転して、電荷注入阻止層側から第
二の層領域、第一の層領域の順で光導電層を形成した。
このとき第二の層領域の膜厚は２μｍとした。
【０１４８】作製した個々の光受容部材について実施例
１と同様の電位特性評価を行い、さらに密着性としてφ
６０、φ４０、φ３０、φ２５、φ２０ｍｍの鏡面加工
を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上にも複数
回成膜し、成膜直後の剥れの有無の割合で評価し、結果
は図１１に示す。その結果、第二の層領域においてＥｇ
が１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが４５ｍｅ
Ｖ〜５５ｍｅＶの条件において、光導電層を第一の層領
域のみで構成した場合に比べ、帯電能および温度特性、
メモリーが向上し、さらに密着性も向上することがわか
った。感度の温度特性ならびに感度の直線性については
第一の層領域のみで構成した場合と同等で効果は認めら
れなかった。
１と同様の電位特性評価を行い、さらに密着性としてφ
６０、φ４０、φ３０、φ２５、φ２０ｍｍの鏡面加工
を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上にも複数
回成膜し、成膜直後の剥れの有無の割合で評価し、結果
は図１１に示す。その結果、第二の層領域においてＥｇ
が１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、Ｅｕが４５ｍｅ
Ｖ〜５５ｍｅＶの条件において、光導電層を第一の層領
域のみで構成した場合に比べ、帯電能および温度特性、
メモリーが向上し、さらに密着性も向上することがわか
った。感度の温度特性ならびに感度の直線性については
第一の層領域のみで構成した場合と同等で効果は認めら
れなかった。
【０１４９】実施例３ 図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、実施例１と同様の条件で、直径８０ｍｍと３
０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支
持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からな
る光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻止層側か
ら第二の層領域、第一の層領域、第二の層領域の順で積
層した。支持体側第二の層領域の膜厚は２μｍとし、表
面層側第二の層領域の膜厚は実施例１と同様に６８０ｎ
ｍの光を８０％以上９５％以下吸収できる膜厚とした。
置を用い、実施例１と同様の条件で、直径８０ｍｍと３
０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支
持体）上に、電荷注入阻止層、光導電層、表面層からな
る光受容部材を作製した。この際、電荷注入阻止層側か
ら第二の層領域、第一の層領域、第二の層領域の順で積
層した。支持体側第二の層領域の膜厚は２μｍとし、表
面層側第二の層領域の膜厚は実施例１と同様に６８０ｎ
ｍの光を８０％以上９５％以下吸収できる膜厚とした。
【０１５０】作製した個々の光受容部材について実施例
１と同様の電位特性評価を行い、さらに密着性としてφ
６０、φ４０、φ３０、φ２５、φ２０ｍｍの鏡面加工
を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上にも成膜
し、成膜直後の剥れの有無で評価した結果、第二の層領
域においてＥｇが１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、
Ｅｕが４５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの条件において、光導電
層を第一の層領域のみで構成した場合に比べ、レーザー
光、ＬＥＤ光およびハロゲン光ともに感度の温度特性、
感度の直線性、帯電能、温度特性、光メモリーおよび密
着性の全てが向上しており、レーザーおよびＬＥＤ光に
おいて感度の温度特性、感度の直線性が大幅に改善して
いることがわかった。また、可視レーザーを用いた場合
でも、画像に干渉縞模様は見られなかった。
１と同様の電位特性評価を行い、さらに密着性としてφ
６０、φ４０、φ３０、φ２５、φ２０ｍｍの鏡面加工
を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上にも成膜
し、成膜直後の剥れの有無で評価した結果、第二の層領
域においてＥｇが１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、
Ｅｕが４５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶの条件において、光導電
層を第一の層領域のみで構成した場合に比べ、レーザー
光、ＬＥＤ光およびハロゲン光ともに感度の温度特性、
感度の直線性、帯電能、温度特性、光メモリーおよび密
着性の全てが向上しており、レーザーおよびＬＥＤ光に
おいて感度の温度特性、感度の直線性が大幅に改善して
いることがわかった。また、可視レーザーを用いた場合
でも、画像に干渉縞模様は見られなかった。
【０１５１】実施例４ 図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による光受容部材の製造装
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層、表面層からなる光受容部材を作製した。この際、光
導電層を電荷注入阻止層側から第一の層領域、第二の層
領域の順とした。
置を用い、直径８０ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に、電荷注入阻止層、光導電
層、表面層からなる光受容部材を作製した。この際、光
導電層を電荷注入阻止層側から第一の層領域、第二の層
領域の順とした。
【０１５２】表２にこのときの光受容部材の作製条件を
示した。
示した。
【０１５３】
【表２】 ＊第二の層領域は、６８０ｎｍの光を９０％吸収できる膜厚とした。
【０１５４】本例では、光導電層の第一の層領域のＣ
ｈ，Ｅｇ，Ｅｕは、それぞれ２０原子％、１．７７ｅ
Ｖ、６０ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは、
それぞれ１９原子％、１．７３ｅＶ、５２ｅｍＶであっ
た。
ｈ，Ｅｇ，Ｅｕは、それぞれ２０原子％、１．７７ｅ
Ｖ、６０ｍｅＶ、第二の層領域のＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕは、
それぞれ１９原子％、１．７３ｅＶ、５２ｅｍＶであっ
た。
【０１５５】作製した光受容部材を電子写真装置（キャ
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光は６８０
ｎｍのＬＥＤとハロゲン光が交換可能）にセットして、
電位特性の評価を行ったところ、ＬＥＤ光とハロゲン光
ともに感度の温度特性、感度の直線性、帯電能、温度特
性、メモリーとも良好な特性が得られた。
ノン製ＮＰ−６５５０を実験用に改造、像露光は６８０
ｎｍのＬＥＤとハロゲン光が交換可能）にセットして、
電位特性の評価を行ったところ、ＬＥＤ光とハロゲン光
ともに感度の温度特性、感度の直線性、帯電能、温度特
性、メモリーとも良好な特性が得られた。
【０１５６】また、作製した光受容部材を正帯電して画
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ずその他の画像特性（ポチ、画像流れ）についても良好
な電子写真特性が得られた。
像評価をしたところ、画像上でも光メモリーは観測され
ずその他の画像特性（ポチ、画像流れ）についても良好
な電子写真特性が得られた。
【０１５７】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域の順とした場合において
も、光導電層の第一の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕ
をそれぞれ１５〜２５原子％、１．７５ｅＶ以上１．８
０ｅＶ以下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶとし、第二の層領
域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１０〜２０原子
％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、４５ｍｅＶ〜
５５ｍｅＶとすることによって良好な電子写真特性が得
られることがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域の順とした場合において
も、光導電層の第一の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕ
をそれぞれ１５〜２５原子％、１．７５ｅＶ以上１．８
０ｅＶ以下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶとし、第二の層領
域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１０〜２０原子
％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、４５ｍｅＶ〜
５５ｍｅＶとすることによって良好な電子写真特性が得
られることがわかった。
【０１５８】実施例５ 本例では、光導電層を電荷注入阻止層側から第二の層領
域、第一の層領域の順とし、実施例４の表面層に代え
て、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。
域、第一の層領域の順とし、実施例４の表面層に代え
て、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。
【０１５９】表３に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。
を示した。
【０１６０】
【表３】 本例では、光導電層の第一および第二の層領域のＣｈ、
Ｅｕ、Ｅｇの値はそれぞれ次のようであった。
Ｅｕ、Ｅｇの値はそれぞれ次のようであった。
【０１６１】 第一の層 Ｃｈ＝１８％ Ｅｕ＝６２ｍｅＶ Ｅｇ＝１．８０ｅＶ 第二の層 Ｃｈ＝１５％ Ｅｕ＝５２ｍｅＶ Ｅｇ＝１．７０ｅＶ 作製した光受容部材を実施例４と同様の評価とさらに密
着性も含めた評価をしたところ、ハロゲン光において同
様に良好な電子写真特性が得られた。
着性も含めた評価をしたところ、ハロゲン光において同
様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１６２】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第二の層領域、第一の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電
層の第一の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ
１５〜２５原子％、１．７５ｅＶ以上１．８０ｅＶ以
下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶとし、第二の層領域におい
てＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１０〜２０原子％、１．
６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、４５ｍｅＶ〜５５ｍｅ
Ｖとすることによって良好な電子写真特性が得られるこ
とがわかった。
ら第二の層領域、第一の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電
層の第一の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ
１５〜２５原子％、１．７５ｅＶ以上１．８０ｅＶ以
下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶとし、第二の層領域におい
てＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１０〜２０原子％、１．
６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、４５ｍｅＶ〜５５ｍｅ
Ｖとすることによって良好な電子写真特性が得られるこ
とがわかった。
【０１６３】実施例６ 本例では、光導電層を電荷注入阻止層側から第一の層領
域、第二の層領域の順とし、実施例４の表面層に代え
て、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けるととも
に全ての層に弗素原子、硼素原子、炭素原子、酸素原
子、窒素原子を含有させた。
域、第二の層領域の順とし、実施例４の表面層に代え
て、表面層のシリコン原子および炭素原子の含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けるととも
に全ての層に弗素原子、硼素原子、炭素原子、酸素原
子、窒素原子を含有させた。
【０１６４】表４に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。
を示した。
【０１６５】
【表４】 ＊第二の層領域は、６８０ｎｍの光を８５％吸収できる膜厚とした。
【０１６６】本例では、光導電層の第一および第二の層
領域のＣｈ、Ｅｕ、Ｅｇの値はそれぞれ次のようであっ
た。
領域のＣｈ、Ｅｕ、Ｅｇの値はそれぞれ次のようであっ
た。
【０１６７】 第一の層 Ｃｈ＝２２％ Ｅｕ＝６４ｍｅＶ Ｅｇ＝１．７９ｅＶ 第二の層 Ｃｈ＝１２％ Ｅｕ＝５０ｍｅＶ Ｅｇ＝１．７０ｅＶ 作製した光受容部材を実施例４と同様の評価をしたとこ
ろ、ＬＥＤ光とハロゲン光双方ともに同様に良好な電子
写真特性が得られた。
ろ、ＬＥＤ光とハロゲン光双方ともに同様に良好な電子
写真特性が得られた。
【０１６８】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けるとともに、全ての弗素原
子、硼素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子を含有さ
せた場合においても、光導電層の第一の層領域において
Ｃｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１５〜２５原子％、１．７
５ｅＶ以上１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶと
し、第二の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ
１０〜２０原子％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以
下、４５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶとすることにより良好な電
子写真特性が得られることがわかった。
ら第一の層領域、第二の層領域の順とし、表面層のシリ
コン原子および炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な
分布状態とした表面層を設けるとともに、全ての弗素原
子、硼素原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子を含有さ
せた場合においても、光導電層の第一の層領域において
Ｃｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１５〜２５原子％、１．７
５ｅＶ以上１．８０ｅＶ、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶと
し、第二の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ
１０〜２０原子％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以
下、４５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶとすることにより良好な電
子写真特性が得られることがわかった。
【０１６９】実施例７ 本例では、光導電層を電荷注入阻止層側から第一の層領
域、第二の層領域の順とし、支持体と電荷注入阻止層と
の間に、支持体からの反射光による干渉縞模様の発生を
防止するための光吸収層としてＩＲ吸収層を設けた。
域、第二の層領域の順とし、支持体と電荷注入阻止層と
の間に、支持体からの反射光による干渉縞模様の発生を
防止するための光吸収層としてＩＲ吸収層を設けた。
【０１７０】表５に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。
を示した。
【０１７１】
【表５】 ＊第二の層領域は、６８０ｎｍの光を８５％吸収できる膜厚とした。
【０１７２】本例では、光導電層の第一および第二の層
領域のＣｈ、Ｅｕ、Ｅｇの値はそれぞれ次のようであっ
た。
領域のＣｈ、Ｅｕ、Ｅｇの値はそれぞれ次のようであっ
た。
【０１７３】 第一の層 Ｃｈ＝２０％ Ｅｕ＝６０ｍｅＶ Ｅｇ＝１．７８ｅＶ 第一の層 Ｃｈ＝１８％ Ｅｕ＝５４ｍｅＶ Ｅｇ＝１．７４ｅＶ 作製した光受容部材を実施例５と同様の評価をしたとこ
ろ、ＬＥＤ光とハロゲン光双方とも同様に良好な電子写
真特性が得られた。
ろ、ＬＥＤ光とハロゲン光双方とも同様に良好な電子写
真特性が得られた。
【０１７４】すなわち、支持体と電荷注入阻止層との間
に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止す
るための光吸収層としてＩＲ吸収層を設け、光導電層の
電荷注入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域の順
とした場合においても、光導電層の第一の層領域におい
てＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１５〜２５原子％、１．
７５ｅＶ以上１．８０ｅＶ以下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅ
Ｖとし、第二の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれ
ぞれ１０〜２０原子％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ
以下、４５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶとすることによって良好
な電子写真特性が得られることがわかった。
に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止す
るための光吸収層としてＩＲ吸収層を設け、光導電層の
電荷注入阻止層側から第一の層領域、第二の層領域の順
とした場合においても、光導電層の第一の層領域におい
てＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１５〜２５原子％、１．
７５ｅＶ以上１．８０ｅＶ以下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅ
Ｖとし、第二の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれ
ぞれ１０〜２０原子％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ
以下、４５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶとすることによって良好
な電子写真特性が得られることがわかった。
【０１７５】実施例８ 本例では、光導電層の電荷注入阻止層側から第二の層領
域、第一の層領域、第二の層領域とし、シリコン原子お
よび炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態と
した表面層を設けた。
域、第一の層領域、第二の層領域とし、シリコン原子お
よび炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態と
した表面層を設けた。
【０１７６】表６に、このときの光受容部材の作製条件
を示した。
を示した。
【０１７７】
【表６】 ＊第二の層領域は、６８０ｎｍの光を９５％吸収できる膜厚とした。
【０１７８】本例では、光導電層の第一および第二の層
領域のＣｈ、Ｅｕ、Ｅｇの値はそれぞれ次のようであっ
た。
領域のＣｈ、Ｅｕ、Ｅｇの値はそれぞれ次のようであっ
た。
【０１７９】 第一の層 Ｃｈ＝２３％ Ｅｕ＝６５ｍｅＶ Ｅｇ＝１．８０ 第二の層 Ｃｈ＝１４％ Ｅｕ＝５３ｍｅＶ Ｅｇ＝１．７１ 作製した光受容部材を実施例５と同様の評価をしたとこ
ろ、ＬＥＤ光とハロゲン光双方とも同様に良好な電子写
真特性が得られた。
ろ、ＬＥＤ光とハロゲン光双方とも同様に良好な電子写
真特性が得られた。
【０１８０】すなわち、光導電層を電荷注入阻止層側か
ら第二の層領域、第一の層領域、第二の層領域の順とし
た三層構成とし、シリコン原子および炭素原子の含有量
を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場
合においても、光導電層の第一の層領域においてＣｈ，
Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１５〜２５原子％、１．７５ｅＶ
以上１．８０ｅＶ以下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶとし、
第二の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１０
〜２０原子％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、４
５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶとすることにより良好な電子写真
特性が得られることがわかった。
ら第二の層領域、第一の層領域、第二の層領域の順とし
た三層構成とし、シリコン原子および炭素原子の含有量
を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場
合においても、光導電層の第一の層領域においてＣｈ，
Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１５〜２５原子％、１．７５ｅＶ
以上１．８０ｅＶ以下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶとし、
第二の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１０
〜２０原子％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、４
５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶとすることにより良好な電子写真
特性が得られることがわかった。
【０１８１】実施例９ 本例では、実施例４、７〜８のように、表面層側に第二
の層領域を積層して、直径３０ｍｍの鏡面加工を施した
アルミニウムシリンダー（支持体）上に光受容層を形成
した。
の層領域を積層して、直径３０ｍｍの鏡面加工を施した
アルミニウムシリンダー（支持体）上に光受容層を形成
した。
【０１８２】他の条件は各々の実施例と同様とした。
【０１８３】作製した光受容部材を実験用に改造した電
子写真装置（キャノン製ＧＰ−５５）にセットして、１
０万枚の耐久画像チェックを行ったところ、環境温度が
変化しても、画像濃度変化および干渉縞模様もなく良好
な画像が得られた。また、膜剥れ等も全く見られなかっ
た。
子写真装置（キャノン製ＧＰ−５５）にセットして、１
０万枚の耐久画像チェックを行ったところ、環境温度が
変化しても、画像濃度変化および干渉縞模様もなく良好
な画像が得られた。また、膜剥れ等も全く見られなかっ
た。
【０１８４】すなわち、第二の層領域、を表面側に設け
た場合には、光導電層の第一の層領域において、Ｃｈ，
Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１５〜２５原子％、１．７５ｅＶ
以上１．８０ｅＶ以下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶとし、
第二の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１０
〜２０原子％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、４
５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶで、表面層側に第二の層領域を設
けることによって、可視レーザー光を用いた場合でも干
渉縞もなく良好な画像を安定して得られた。
た場合には、光導電層の第一の層領域において、Ｃｈ，
Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１５〜２５原子％、１．７５ｅＶ
以上１．８０ｅＶ以下、５５ｍｅＶ〜６５ｍｅＶとし、
第二の層領域においてＣｈ，Ｅｇ，Ｅｕをそれぞれ１０
〜２０原子％、１．６５ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、４
５ｍｅＶ〜５５ｍｅＶで、表面層側に第二の層領域を設
けることによって、可視レーザー光を用いた場合でも干
渉縞もなく良好な画像を安定して得られた。
【０１８５】
【発明の効果】本発明の電子写真用光受容部材を前述の
ような特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで構成さ
れた従来の電子写真用光受容部材における諸問題を全て
解決することができ、特に極めて優れた電気的特性、光
学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性および使用環
境特性を示す。特に本発明においては、光導電層を光学
的バンドギャップとギャップ内準位の異なる層領域に分
割することによって、特に光入射部を特定化することに
より、デジタル化のための長波長レーザーおよびＬＥＤ
に対して、感度直線の温度依存（傾きや曲線化）を小さ
く抑え、かつ帯電能が高く、加えて周囲環境の変動に対
する表面電位の変化が抑制され、極めて優れた電位特
性、画像特性を有するという特徴を有する。
ような特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで構成さ
れた従来の電子写真用光受容部材における諸問題を全て
解決することができ、特に極めて優れた電気的特性、光
学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性および使用環
境特性を示す。特に本発明においては、光導電層を光学
的バンドギャップとギャップ内準位の異なる層領域に分
割することによって、特に光入射部を特定化することに
より、デジタル化のための長波長レーザーおよびＬＥＤ
に対して、感度直線の温度依存（傾きや曲線化）を小さ
く抑え、かつ帯電能が高く、加えて周囲環境の変動に対
する表面電位の変化が抑制され、極めて優れた電位特
性、画像特性を有するという特徴を有する。
【０１８６】本発明によれば、光受容部材の使用温度領
域で、特に感度温度特性および感度の直線性ならびに帯
電能の温度特性が飛躍的に改善されるとともに光メモリ
ーの発生を実質的になくすることができ、さらに光受容
層の密着性の向上もなされるために、光受容部材に使用
環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明にで
てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることが
できる電子写真用光受容部材が得られる。
域で、特に感度温度特性および感度の直線性ならびに帯
電能の温度特性が飛躍的に改善されるとともに光メモリ
ーの発生を実質的になくすることができ、さらに光受容
層の密着性の向上もなされるために、光受容部材に使用
環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明にで
てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることが
できる電子写真用光受容部材が得られる。
【図１】本発明における指数関数裾の特性エネルギーを
説明するためのａ−Ｓｉのサブギャップ光吸収スペクト
ルの一例を示す図である。
説明するためのａ−Ｓｉのサブギャップ光吸収スペクト
ルの一例を示す図である。
【図２】本発明の光受容部材の層構成を説明するための
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図３】本発明の光受容部材の光受容層を形成するため
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放
電法による光受容部材の製造装置の模式的説明図であ
る。
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波電源を用いたグロー放
電法による光受容部材の製造装置の模式的説明図であ
る。
【図４】本発明の光受容部材における光導電層の第二の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
感度の温度特性との関係を示す図である。
層領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と
感度の温度特性との関係を示す図である。
【図５】本発明の光受容部材における光導電層の第二の
層領域のアーバックテイルの特性エネルギ（Ｅｕ）と感
度の直線性との関係を示す図である。
層領域のアーバックテイルの特性エネルギ（Ｅｕ）と感
度の直線性との関係を示す図である。
【図６】本発明の光受容部材における光導電層の第二の
層領域を、（Ａ）は第二の層領域を表面層側に、（Ｂ）
は第二の層領域を支持体側に設置したときの、第二の層
領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と帯
電能との関係を示す図である。
層領域を、（Ａ）は第二の層領域を表面層側に、（Ｂ）
は第二の層領域を支持体側に設置したときの、第二の層
領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と帯
電能との関係を示す図である。
【図７】本発明の光受容部材における光導電層の第二の
層領域を、（Ａ）は第二の層領域を表面層側に、（Ｂ）
は第二の層領域を支持体側に設置したときの、第二の層
領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温
度特性との関係を示す図である。
層領域を、（Ａ）は第二の層領域を表面層側に、（Ｂ）
は第二の層領域を支持体側に設置したときの、第二の層
領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温
度特性との関係を示す図である。
【図８】本発明の光受容部材における光導電層の第二の
層領域を、（Ａ）は第二の層領域を表面層側に、（Ｂ）
は第二の層領域を支持体側に設置したときの、第二の層
領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）とメ
モリーとの関係を示す図である。
層領域を、（Ａ）は第二の層領域を表面層側に、（Ｂ）
は第二の層領域を支持体側に設置したときの、第二の層
領域のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）とメ
モリーとの関係を示す図である。
【図９】本発明の光受容部材における光導電層の第二の
層領域を露光量の光吸収率に基づいて決めた膜厚と感度
の温度特性をとの関係を示す図である。
層領域を露光量の光吸収率に基づいて決めた膜厚と感度
の温度特性をとの関係を示す図である。
【図１０】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の層領域を露光量の光吸収率に基づいて決めた膜厚と感
度の直線性をとの関係を示す図である。
の層領域を露光量の光吸収率に基づいて決めた膜厚と感
度の直線性をとの関係を示す図である。
【図１１】本発明の光受容部材における光導電層の第二
の層領域を支持体側に設置したときの成膜直後の膜剥れ
の割合で示して膜の密着性と支持体の直径の関係を示す
図である。
の層領域を支持体側に設置したときの成膜直後の膜剥れ
の割合で示して膜の密着性と支持体の直径の関係を示す
図である。
【図１２】感度の温度特性と感度の直線性を説明する図
である。
である。
２００ 光受容部材 ２０１ 導電性支持体 ２０２ 光受容層 ２０３ 光導電層 ２０４ 表面層 ２０５ 電荷注入阻止層 ２１０ 自由表面 ２１１ 第一の層領域 ２１２ 第二の層領域 ３１００，４１００ 堆積装置 ３１１１，４１１１ 反応容器 ３１１２，４１１２ 円筒状支持体 ３１１３，４１１３ 支持体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス導入管 ３１１５，４１１６ マッチングボックス ３１１６ 原料ガス配管 ３１１７ 反応容器リークバルブ ３１１８ メイン排気バルブ ３１１９ 真空計 ３２００ 原料ガス供給装置 ３１１１〜３２１６ マスフローコントローラー ３２２１〜３２２６ 原料ガスボンベ ３２２３〜３２３６ 原料ガスボンベバルブ ３２４１〜３２４６ ガス流入バルブ ３２５１〜３２５６ ガス流出バルブ ３２６１〜３２６６ 圧力調整器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１６ Ｇ０３Ｇ 5/08 ３１６ ３３１ ３３１
Claims (14)
- 【請求項１】 シリコン原子を母体とし水素原子および
／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成さ
れた光導電層を有する光受容部材において、該光導電層
中に光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エ
ネルギー、水素含有量および光学的バンドギャップの異
なる複数の層領域を含み、帯電能の向上、帯電能および
感度の温度特性ならびに光メモリーを低減して良好な特
性を発揮させるようにしたことを特徴とする光受容部
材。 - 【請求項２】 前記光導電層は、第一の層領域と第二の
層領域とが積層されて含まれ、第一の層領域における水
素含有量が１５〜２５原子％、光学的バンドギャップが
１．７５ｅＶ以上１．８０ｅＶ以下、光吸収スペクトル
から得られる指数関数裾の特性エネルギーが５５ｍｅＶ
〜６５ｍｅＶであり、第二の層領域における水素含有量
が１０〜２０原子％、光学的バンドギャップが１．６５
ｅＶ以上１．７５ｅＶ以下、光吸収スペクトルから得ら
れる指数関数裾の特性エネルギーが４５ｍｅＶ〜５５ｍ
ｅＶであることを特徴とする請求項１に記載の光受容部
材。 - 【請求項３】 前記光導電層において、全光導電層膜厚
に占める第二の層領域の割合は、３％以上５０％未満で
あることを特徴とする請求項１または２に記載の光受容
部材。 - 【請求項４】 前記光導電層は、導電性支持体の表面上
における第一の層領域の上に第二の層領域が積層されて
いることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記
載の光受容部材。 - 【請求項５】 前記光導電層は、導電性支持体の表面上
における第二の層領域の上に第一の層領域が積層されて
いることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記
載の光受容部材。 - 【請求項６】 前記光導電層は、導電性支持体の表面上
における第二の層領域の上に第一の層領域が、さらにそ
の上に第二の層領域が積層されることを特徴とする請求
項１〜３のいずれか１項に記載の光受容部材。 - 【請求項７】 第一の層領域の表面側に積層された第二
の層領域は、像露光に用いるレーザー波長の光吸収率が
８０％以上９５％以下になるのに必要な膜厚に積層され
ていることを特徴とする、請求項１〜４および請求項６
のいずれか１項に記載の光受容部材。 - 【請求項８】 前記光導電層は、その光導電層中に周期
律表第III ｂ族または第Ｖｂ族に属する元素の少なくと
も一つを含有することを特徴とする、請求項１〜７のい
ずれか１項に記載の光受容部材。 - 【請求項９】 前記光導電層は、その光導電層中に炭素
原子、酸素原子および窒素原子の少なくとも一つを含む
ことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載
の光受容部材。 - 【請求項１０】 前記光導電層は、その表面上に炭素原
子、酸素原子および窒素原子の少なくとも一つを含むシ
リコン系非単結晶材料からなる表面層が設けられている
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の
光受容部材。 - 【請求項１１】 前記光導電層は、シリコン原子を母体
とし、炭素原子、酸素原子および窒素原子の少なくとも
一つおよび周期律表第III ｂ族または第Ｖｂ族から選ば
れる元素の少なくとも一つを含む非単結晶材料からなる
電荷注入阻止層の表面上に設けられ、さらに該光導電層
の表面上に、炭素原子、酸素原子および窒素原子の少な
くとも一つを含むシリコン系非単結晶材料からなる前記
表面層が設けられていることを特徴とする請求項１０に
記載の光受容部材。 - 【請求項１２】 前記表面層は、その層厚が０．０１〜
３μｍであることを特徴とする、請求項１０または１１
に記載の光受容部材。 - 【請求項１３】 前記電荷注入阻止層は、その層厚が
０．１〜５μｍであることを特徴とする請求項１１に記
載の光受容部材。 - 【請求項１４】 前記光導電層の層厚が２０〜５０μｍ
である請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光受容部
材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12807796A JP3754751B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 光受容部材 |
| DE69718098T DE69718098T2 (de) | 1996-05-23 | 1997-05-23 | Lichtempfangselement |
| US08/862,351 US5939230A (en) | 1996-05-23 | 1997-05-23 | Light receiving member |
| EP97108409A EP0809153B1 (en) | 1996-05-23 | 1997-05-23 | Light receiving member |
| HK98103910A HK1004690A1 (en) | 1996-05-23 | 1998-05-06 | Light receiving member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12807796A JP3754751B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 光受容部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09311495A true JPH09311495A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3754751B2 JP3754751B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=14975867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12807796A Expired - Fee Related JP3754751B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 光受容部材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5939230A (ja) |
| EP (1) | EP0809153B1 (ja) |
| JP (1) | JP3754751B2 (ja) |
| DE (1) | DE69718098T2 (ja) |
| HK (1) | HK1004690A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8330161B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-12-11 | Kyocera Corporation | Electronic photosensitive body and manufacturing method for same, as well as image forming apparatus |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH1165146A (ja) | 1997-08-22 | 1999-03-05 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
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- 1996-05-23 JP JP12807796A patent/JP3754751B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1997-05-23 DE DE69718098T patent/DE69718098T2/de not_active Expired - Lifetime
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- 1997-05-23 EP EP97108409A patent/EP0809153B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0809153A3 (en) | 1998-10-21 |
| DE69718098T2 (de) | 2003-10-09 |
| EP0809153A2 (en) | 1997-11-26 |
| HK1004690A1 (en) | 1998-12-04 |
| JP3754751B2 (ja) | 2006-03-15 |
| US5939230A (en) | 1999-08-17 |
| DE69718098D1 (de) | 2003-02-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040811 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041008 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051207 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051219 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081222 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101222 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111222 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131222 Year of fee payment: 8 |
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