JPH06266138A - 電子写真装置 - Google Patents
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- JPH06266138A JPH06266138A JP5078635A JP7863593A JPH06266138A JP H06266138 A JPH06266138 A JP H06266138A JP 5078635 A JP5078635 A JP 5078635A JP 7863593 A JP7863593 A JP 7863593A JP H06266138 A JPH06266138 A JP H06266138A
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- photoconductor
- photoconductive layer
- optical memory
- electrophotographic apparatus
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
- G03G13/22—Processes involving a combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光メモリーのない、総合的に高画質な画像を
得られる、アモルファスシリコン感光体を用いた電子写
真装置を提供する。 【構成】 アモルファスシリコン感光体を有する電子写
真装置の前記感光体の光導電層中の局在準位密度ｎと、
該感光体にかかる電界Ｅと、該感光体の表面の移動速度
Ｓとを、ｌｎ（ｎ）×１ｎ（Ｓ）／１ｎ（Ｅ）≦１９．
０になるように制御したことを特徴とする電子写真装
置。これにより、光メモリーを引き起こすと考えられる
光導電層内の光キャリアの残留分を減少させ、潜像が次
の工程の潜像に及ぼす影響を低減することができ、帯電
能率の低下を伴わずに、光メモリーのない高画質な画像
を得ることが出来る。
得られる、アモルファスシリコン感光体を用いた電子写
真装置を提供する。 【構成】 アモルファスシリコン感光体を有する電子写
真装置の前記感光体の光導電層中の局在準位密度ｎと、
該感光体にかかる電界Ｅと、該感光体の表面の移動速度
Ｓとを、ｌｎ（ｎ）×１ｎ（Ｓ）／１ｎ（Ｅ）≦１９．
０になるように制御したことを特徴とする電子写真装
置。これにより、光メモリーを引き起こすと考えられる
光導電層内の光キャリアの残留分を減少させ、潜像が次
の工程の潜像に及ぼす影響を低減することができ、帯電
能率の低下を伴わずに、光メモリーのない高画質な画像
を得ることが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光メモリー低減を目的
とした、電子写真装置に関するものである。
とした、電子写真装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン系感光体（以下ａ
−Ｓｉ感光体と称する。）は高耐久性、高光感度性等の
特性により、特に高速複写機やレーザービームプリンタ
ーなどの電子写真用感光体として賞用されている。
−Ｓｉ感光体と称する。）は高耐久性、高光感度性等の
特性により、特に高速複写機やレーザービームプリンタ
ーなどの電子写真用感光体として賞用されている。
【０００３】図２（Ａ）（Ｂ）は代表的なａ−Ｓｉ感光
体の構造を示す模式的な断面図である。この図におい
て、（Ａ）は光導電層が機能分離されていないいわゆる
単層型の感光体であり、（Ｂ）は光導電層が電荷発生領
域と電荷輸送領域とに分離された機能分離型感光体であ
る。
体の構造を示す模式的な断面図である。この図におい
て、（Ａ）は光導電層が機能分離されていないいわゆる
単層型の感光体であり、（Ｂ）は光導電層が電荷発生領
域と電荷輸送領域とに分離された機能分離型感光体であ
る。
【０００４】図２（Ａ）に示すａ−Ｓｉ感光体は、Ａｌ
等からなる導電性支持体２０１上に順次堆積された電荷
注入阻止層２０２と光導電層２０３と表面層２０４とか
らなる。ここで、電荷注入阻止層２０２は導電性支持体
２０１から光導電層２０３への電荷の注入を抑制するた
めのものであり、必要に応じて設けられる。
等からなる導電性支持体２０１上に順次堆積された電荷
注入阻止層２０２と光導電層２０３と表面層２０４とか
らなる。ここで、電荷注入阻止層２０２は導電性支持体
２０１から光導電層２０３への電荷の注入を抑制するた
めのものであり、必要に応じて設けられる。
【０００５】また、光導電層２０３は少なくとも硅素原
子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示すもので
ある。さらに、表面層２０４は硅素原子と炭素原子（さ
らに必要に応じて水素原子かつ／またはハロゲン原子）
を含み、表面からの電荷の注入を抑制したり、電子写真
における画像を安定化させる能力等を有するものであ
る。
子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示すもので
ある。さらに、表面層２０４は硅素原子と炭素原子（さ
らに必要に応じて水素原子かつ／またはハロゲン原子）
を含み、表面からの電荷の注入を抑制したり、電子写真
における画像を安定化させる能力等を有するものであ
る。
【０００６】図２（Ｂ）に示すａ−Ｓｉ感光体は、光導
電層２０３が、少なくとも硅素原子を含む非晶質材料で
構成された電荷輸送領域２０６と、少なくとも硅素原子
を含む非晶質材料で構成された電荷発生領域２０５が順
次積層された構成の機能分離型とされたものである。こ
の感光体に光照射すると主として電荷発生領域２０５で
生成されたキャリアが電荷輸送領域２０６を通って導電
性支持体２０１に至る。
電層２０３が、少なくとも硅素原子を含む非晶質材料で
構成された電荷輸送領域２０６と、少なくとも硅素原子
を含む非晶質材料で構成された電荷発生領域２０５が順
次積層された構成の機能分離型とされたものである。こ
の感光体に光照射すると主として電荷発生領域２０５で
生成されたキャリアが電荷輸送領域２０６を通って導電
性支持体２０１に至る。
【０００７】図３は、ａ−Ｓｉ感光体を用いた電子写真
装置の一従来例を示す概略構成図である。
装置の一従来例を示す概略構成図である。
【０００８】３０１は円筒状のａ−Ｓｉ感光体、３０２
は主帯電器、３０３は画像情報露光、３０７は転写材間
に相当する感光体の表面を除電するためのブランク露
光、３０４は前記静電潜像を現像して顕像化するための
現像器、３０５はクリーニング装置、３０６は主除電光
であり、これらが感光体３０１に近接して感光体３０１
の回転方向に所定の間隔を持って順に設けられている。
は主帯電器、３０３は画像情報露光、３０７は転写材間
に相当する感光体の表面を除電するためのブランク露
光、３０４は前記静電潜像を現像して顕像化するための
現像器、３０５はクリーニング装置、３０６は主除電光
であり、これらが感光体３０１に近接して感光体３０１
の回転方向に所定の間隔を持って順に設けられている。
【０００９】図示の電子写真装置に於いて、Ｘ方向に一
定の速度で回転する感光体３０１はその表面が主帯電器
３０２によって一様に帯電せられ、静電潜像を形成する
ために画像情報付与手段（不図示）により画像情報露光
３０３が照射され、現像器３０４によって顕像化せられ
る。転写材（不図示）はこの後感光体３０１と接し、前
記顕像を転写材に転移させるための転写帯電器および定
着器（不図示）とを経て複写機外に送出される。転写材
と転写材の間に相当する感光体３０１の部分は、ブラン
ク露光３０７によって、除電され不要な現像材が現像さ
れない様にしてある。この後、感光体３０１はクリーニ
ング装置３０５によって、その表面がクリーニングされ
た後、主除電光３０６によって一様に露光され除電され
る、という工程を繰り返す。
定の速度で回転する感光体３０１はその表面が主帯電器
３０２によって一様に帯電せられ、静電潜像を形成する
ために画像情報付与手段（不図示）により画像情報露光
３０３が照射され、現像器３０４によって顕像化せられ
る。転写材（不図示）はこの後感光体３０１と接し、前
記顕像を転写材に転移させるための転写帯電器および定
着器（不図示）とを経て複写機外に送出される。転写材
と転写材の間に相当する感光体３０１の部分は、ブラン
ク露光３０７によって、除電され不要な現像材が現像さ
れない様にしてある。この後、感光体３０１はクリーニ
ング装置３０５によって、その表面がクリーニングされ
た後、主除電光３０６によって一様に露光され除電され
る、という工程を繰り返す。
【００１０】一方、ａ−Ｓｉ感光体３０１には多くの局
在準位が存在するため、光キャリアの一部を捕獲してそ
の走行性を低下させ、或いはキャリアの再結合確率を低
下させる。従って、上記のような電子写真装置では、画
像形成プロセスに於いて、画像情報露光光３０３、ブラ
ンク露光３０７の露光によって生成された光キャリアの
うち、次の帯電工程まで感光体の内部に残留しているも
のが帯電時またはそれ以降に局在準位から開放され、露
光部と非露光部でａ−Ｓｉ感光体３０１の表面電位に差
が生じて、これが最終的に光メモリーに起因する画像む
らとなって現れる。
在準位が存在するため、光キャリアの一部を捕獲してそ
の走行性を低下させ、或いはキャリアの再結合確率を低
下させる。従って、上記のような電子写真装置では、画
像形成プロセスに於いて、画像情報露光光３０３、ブラ
ンク露光３０７の露光によって生成された光キャリアの
うち、次の帯電工程まで感光体の内部に残留しているも
のが帯電時またはそれ以降に局在準位から開放され、露
光部と非露光部でａ−Ｓｉ感光体３０１の表面電位に差
が生じて、これが最終的に光メモリーに起因する画像む
らとなって現れる。
【００１１】そこで、上記の様な光メモリー（残像現
象）を消去するために主除電光３０６を設けているが、
やみくもに光メモリー消去能力を上げてしまうと帯電能
率確保及び電位シフト低減等の点で弊害を生じてしまう
ため、主除電光３０６から発せられる主除電光の波長及
び光量を厳密にコントロールできるＬＥＤアレイを用い
ることが一般的である。
象）を消去するために主除電光３０６を設けているが、
やみくもに光メモリー消去能力を上げてしまうと帯電能
率確保及び電位シフト低減等の点で弊害を生じてしまう
ため、主除電光３０６から発せられる主除電光の波長及
び光量を厳密にコントロールできるＬＥＤアレイを用い
ることが一般的である。
【００１２】また、ブランク露光３０７は高速反応性、
発光領域の制限等の点から、ＬＥＤアレイを用いてい
る。
発光領域の制限等の点から、ＬＥＤアレイを用いてい
る。
【００１３】また、光導電層にIII 族の原子をドープす
る事により、浅いエネルギー準位の局在準位密度を意図
的に増加させ、光メモリーを低減するという方法がとら
れることもある。
る事により、浅いエネルギー準位の局在準位密度を意図
的に増加させ、光メモリーを低減するという方法がとら
れることもある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子写
真装置における感光体の使用条件、即ち、感光体にかか
る電界、感光体表面の移動速度、光メモリー源等の変化
が生じた場合、上述の主除電光３０６による光メモリー
の消去や光導電層にIII 族の原子をドープする事による
光メモリーの改善は、電子写真特性である帯電能率を低
下させたり、また、同一条件下で現像器３０４位置での
電位が徐々に変化するという電位シフト現象が生ずるな
どといったことをある程度割り切らねばならないという
問題がある。
真装置における感光体の使用条件、即ち、感光体にかか
る電界、感光体表面の移動速度、光メモリー源等の変化
が生じた場合、上述の主除電光３０６による光メモリー
の消去や光導電層にIII 族の原子をドープする事による
光メモリーの改善は、電子写真特性である帯電能率を低
下させたり、また、同一条件下で現像器３０４位置での
電位が徐々に変化するという電位シフト現象が生ずるな
どといったことをある程度割り切らねばならないという
問題がある。
【００１５】［発明の目的］本発明の目的は、上記問題
を解決するためのものであり、光メモリーのない、総合
的に高品位な画像を得ることができる電子写真装置を提
供することである。
を解決するためのものであり、光メモリーのない、総合
的に高品位な画像を得ることができる電子写真装置を提
供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した課題
を解決するための手段として、少なくとも非晶質の光導
電層を有し、該光導電層が少なくとも硅素及び水素かつ
／またはハロゲン原子を含む感光体（以下ａ−Ｓｉ感光
体）を用い、該感光体に近接して少なくとも主除電光、
主帯電器、画像露光、且つ／またはブランク露光を具備
した電子写真装置において、下記の式（１）によって与
えられる値Ａが１９．０以下となるように、下記のパラ
メータｎ，ｄ，Ｅ，Ｓを制御したことを特徴とする電子
写真装置を提供するものである。
を解決するための手段として、少なくとも非晶質の光導
電層を有し、該光導電層が少なくとも硅素及び水素かつ
／またはハロゲン原子を含む感光体（以下ａ−Ｓｉ感光
体）を用い、該感光体に近接して少なくとも主除電光、
主帯電器、画像露光、且つ／またはブランク露光を具備
した電子写真装置において、下記の式（１）によって与
えられる値Ａが１９．０以下となるように、下記のパラ
メータｎ，ｄ，Ｅ，Ｓを制御したことを特徴とする電子
写真装置を提供するものである。
【００１７】 Ａ＝ｌｎ（ｎ）・ｌｎ（Ｓ）／ｌｎ（Ｅ） …（１） ｎ：光導電層に於いてｄ〜０．９５ｅＶの範囲にある局
在準位の密度（ｍｍ-3） ｄ：該感光体のある部位が、光メモリー源（画像露光ま
たはブランク露光等）から主帯電器まで移動する時間に
キャリアが熱励起し得るエネルギー深さ（ｅＶ）［光メ
モリー源が複数ある時は、小さいｄを 用い
る］ Ｅ：該感光体にかかる電界（Ｖ／ｍｍ） Ｓ：該感光体表面の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ） また、前記光導電層に含有されるIII 族原子の含有量が
４．０ｐｐｍ以下であることを特徴とし、また、前記光
導電層に含有される炭素原子の含有量が１％以下である
ことを特徴とし、また、前記光導電層中のIII 族原子が
ほう素（Ｂ）であることを特徴とする電子写真装置を、
前記課題を解決するための手段とするものである。
在準位の密度（ｍｍ-3） ｄ：該感光体のある部位が、光メモリー源（画像露光ま
たはブランク露光等）から主帯電器まで移動する時間に
キャリアが熱励起し得るエネルギー深さ（ｅＶ）［光メ
モリー源が複数ある時は、小さいｄを 用い
る］ Ｅ：該感光体にかかる電界（Ｖ／ｍｍ） Ｓ：該感光体表面の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ） また、前記光導電層に含有されるIII 族原子の含有量が
４．０ｐｐｍ以下であることを特徴とし、また、前記光
導電層に含有される炭素原子の含有量が１％以下である
ことを特徴とし、また、前記光導電層中のIII 族原子が
ほう素（Ｂ）であることを特徴とする電子写真装置を、
前記課題を解決するための手段とするものである。
【００１８】
【作用】感光体にかかる電界、感光体の移動速度と、そ
れ等に応じた局在準位の密度を制御することにより、光
キャリアを捕獲され難くすることができ、キャリアの走
行性が上昇し、光メモリーのない高画質な画像が得られ
る。
れ等に応じた局在準位の密度を制御することにより、光
キャリアを捕獲され難くすることができ、キャリアの走
行性が上昇し、光メモリーのない高画質な画像が得られ
る。
【００１９】本発明者らは、この点に鑑み、鋭意研究検
討を重ねた結果、本発明に至った。
討を重ねた結果、本発明に至った。
【００２０】本発明のａ−Ｓｉ感光体を用いた電子写真
装置は、感光体にかかる電界Ｅと、感光体表面の移動速
度Ｓと、感光体の光導電層における局在準位密度ｎとか
らなる、上式（１）の値Ａを１９．０以下になるよう
に、各パラメータｎ，ｄ，Ｅ，Ｓを制御することによ
り、図３の画像情報露光３０３、かつ／またはブランク
露光３０７により生じる光キャリアが捕獲され難くなる
作用で、光メモリーを改善できるので、主除電光３０６
の光量増加を必要としない、すなわち帯電能率の低下の
ない、総合的に良好な高画質の電子写真装置を提供する
ことができる。
装置は、感光体にかかる電界Ｅと、感光体表面の移動速
度Ｓと、感光体の光導電層における局在準位密度ｎとか
らなる、上式（１）の値Ａを１９．０以下になるよう
に、各パラメータｎ，ｄ，Ｅ，Ｓを制御することによ
り、図３の画像情報露光３０３、かつ／またはブランク
露光３０７により生じる光キャリアが捕獲され難くなる
作用で、光メモリーを改善できるので、主除電光３０６
の光量増加を必要としない、すなわち帯電能率の低下の
ない、総合的に良好な高画質の電子写真装置を提供する
ことができる。
【００２１】特に、光導電層を図２（Ａ）の様な、いわ
ゆる単層型とした場合には、本発明の目的を達成できる
と同時に更に高画質の電子写真装置となる。
ゆる単層型とした場合には、本発明の目的を達成できる
と同時に更に高画質の電子写真装置となる。
【００２２】また、より好ましく、前記光導電層に含有
されるIII 族原子の含有量を４．０ｐｐｍ以下にするこ
とにより、更に帯電能率が高く、より大きなコントラス
トを得られるものである。
されるIII 族原子の含有量を４．０ｐｐｍ以下にするこ
とにより、更に帯電能率が高く、より大きなコントラス
トを得られるものである。
【００２３】また、より好ましく、前記光導電層に含有
される炭素原子の含有量を１％以下にすることにより、
式（１）のｎ値が更に小さくなり、上記理由による光メ
モリーの改善に更に効果的である。
される炭素原子の含有量を１％以下にすることにより、
式（１）のｎ値が更に小さくなり、上記理由による光メ
モリーの改善に更に効果的である。
【００２４】［実験例］以下、図面を参照しながら本発
明の上記式（１）を導き出すに至った実験例について詳
細に説明する。
明の上記式（１）を導き出すに至った実験例について詳
細に説明する。
【００２５】以下に示す実験例、実施例において光メモ
リーの測定はキヤノン（株）製ＮＰ６６５０を改造して
以下のように行った。
リーの測定はキヤノン（株）製ＮＰ６６５０を改造して
以下のように行った。
【００２６】光メモリー電位（Ｖｍ）…図３に於いて、
感光体３０１を所定の速度で回転させ、該感光体のブラ
ンク露光３０７位置に於ける暗部電位が所定の電位とな
るように主帯電器３０２の帯電電流を調整し、ブランク
露光３０７位置のブランク露光による明部電位が所定の
電位となるようにブランク露光３０７の点灯電圧を調整
する。この状態で、ブランク露光３０７をコピー用紙
（Ａ４サイズ）を原稿としたときの間隔で点灯・消灯を
繰り返すようにしたとき、このブランク露光３０７の光
が照射された感光体３０１の部分の、一回転後の現像器
３０４位置に於ける電位（ＶＢｏｎ）を測定し、他方、
感光体３０１のＶＢｏｎを測定した同位置について、ブ
ランク露光３０７を消灯状態で感光体表面３０１の現像
器３０４位置に於ける電位（ＶＢｏｆｆ）を測定し、Ｖ
ＢｏｆｆとＶＢｏｎの電位差を光メモリー電位（Ｖｍ）
として表す。
感光体３０１を所定の速度で回転させ、該感光体のブラ
ンク露光３０７位置に於ける暗部電位が所定の電位とな
るように主帯電器３０２の帯電電流を調整し、ブランク
露光３０７位置のブランク露光による明部電位が所定の
電位となるようにブランク露光３０７の点灯電圧を調整
する。この状態で、ブランク露光３０７をコピー用紙
（Ａ４サイズ）を原稿としたときの間隔で点灯・消灯を
繰り返すようにしたとき、このブランク露光３０７の光
が照射された感光体３０１の部分の、一回転後の現像器
３０４位置に於ける電位（ＶＢｏｎ）を測定し、他方、
感光体３０１のＶＢｏｎを測定した同位置について、ブ
ランク露光３０７を消灯状態で感光体表面３０１の現像
器３０４位置に於ける電位（ＶＢｏｆｆ）を測定し、Ｖ
ＢｏｆｆとＶＢｏｎの電位差を光メモリー電位（Ｖｍ）
として表す。
【００２７】ブランク露光メモリー画像…中間調原稿
（キヤノン製テストチャートＦＹ９−９０４２−０２
０）を用いてＡ４サイズで連続１０枚の画像出しを行
い、その画像の濃度差を測定した。
（キヤノン製テストチャートＦＹ９−９０４２−０２
０）を用いてＡ４サイズで連続１０枚の画像出しを行
い、その画像の濃度差を測定した。
【００２８】ゴースト画像…中間調原稿（キヤノン製テ
ストチャートＦＹ９−９０４２−０２０）を置き、さら
にＡ４原稿後端部３０ｍｍに相当する位置にゴースト用
チャート（キヤノン製テストチャートＦＹ９−９０４０
−０００）を置き、Ａ４サイズで連続１０枚の画像出し
を行い、その画像の濃度差を測定した。
ストチャートＦＹ９−９０４２−０２０）を置き、さら
にＡ４原稿後端部３０ｍｍに相当する位置にゴースト用
チャート（キヤノン製テストチャートＦＹ９−９０４０
−０００）を置き、Ａ４サイズで連続１０枚の画像出し
を行い、その画像の濃度差を測定した。
【００２９】以下に示す実験例、実施例において感光
体、及びサンプルの作成は、以下のように行った。
体、及びサンプルの作成は、以下のように行った。
【００３０】感光体の作成に際し、支持体であるＡｌシ
リンダーを脱脂、洗浄し、表面を鏡面に仕上げた。ま
た、サンプル作成に際し、絶縁性のガラス基板を使用
し、該基板を脱脂、洗浄した。感光体、サンプルとも、
各々前記の通り準備したＡｌシリンダー、ガラス基板を
用いて高周波プラズマＣＶＤ法（以下、ＲＦ−ＰＣＶＤ
法）により作成した。
リンダーを脱脂、洗浄し、表面を鏡面に仕上げた。ま
た、サンプル作成に際し、絶縁性のガラス基板を使用
し、該基板を脱脂、洗浄した。感光体、サンプルとも、
各々前記の通り準備したＡｌシリンダー、ガラス基板を
用いて高周波プラズマＣＶＤ法（以下、ＲＦ−ＰＣＶＤ
法）により作成した。
【００３１】次に、ＲＦ−ＰＣＶＤ法によって堆積膜を
形成するための装置及び形成方法について簡単に述べ
る。
形成するための装置及び形成方法について簡単に述べ
る。
【００３２】図４は、ＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真
用感光体の製造装置の一例であり、堆積装置３１００
と、原料ガス供給装置３２００と、堆積装置３１００中
の反応容器３１１１を減圧するための排気装置（不図
示）と、ＲＦ電源（不図示）と、マッチングボックス３
１１５とから構成されている。
用感光体の製造装置の一例であり、堆積装置３１００
と、原料ガス供給装置３２００と、堆積装置３１００中
の反応容器３１１１を減圧するための排気装置（不図
示）と、ＲＦ電源（不図示）と、マッチングボックス３
１１５とから構成されている。
【００３３】ここで、反応容器３１１１内には円筒状支
持体３１１２と、支持体加熱ヒーター３１１３と、原料
ガス導入管３１１４とが設置されている。原料ガス供給
装置３２００は、ＳｉＨ4 ，Ｈ2 ，ＣＨ4 ，ＮＨ3 ，Ｓ
ｉＦ4 などの原料ガスの各ボンベ３２２１〜３２２６
と、各バルブ３２３１〜３２３６と、各流入バルブ３２
４１〜３２４６各流出バルブ３２５１〜３２５６と各マ
スフローコントローラー３２１１〜３２１６とから構成
され、各原料ガスのガスボンベ３２２１〜３２２６は補
助バルブ３２６０を介して反応容器３１１１内のガス導
入管３１１４に接続されている。
持体３１１２と、支持体加熱ヒーター３１１３と、原料
ガス導入管３１１４とが設置されている。原料ガス供給
装置３２００は、ＳｉＨ4 ，Ｈ2 ，ＣＨ4 ，ＮＨ3 ，Ｓ
ｉＦ4 などの原料ガスの各ボンベ３２２１〜３２２６
と、各バルブ３２３１〜３２３６と、各流入バルブ３２
４１〜３２４６各流出バルブ３２５１〜３２５６と各マ
スフローコントローラー３２１１〜３２１６とから構成
され、各原料ガスのガスボンベ３２２１〜３２２６は補
助バルブ３２６０を介して反応容器３１１１内のガス導
入管３１１４に接続されている。
【００３４】この製造装置により以下のように感光体及
びサンプルを作成する。ここで感光体の場合には円筒状
支持体としてＡｌシリンダーを用い、サンプルの場合に
はガラス基板を円筒状支持体に固定して用いる。
びサンプルを作成する。ここで感光体の場合には円筒状
支持体としてＡｌシリンダーを用い、サンプルの場合に
はガラス基板を円筒状支持体に固定して用いる。
【００３５】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで、各流出バルブ３２５１〜３２５６のうち必
要なものと補助バルブ３２６０とを開き反応容器３１１
１に導入した後、反応容器３１１１内の圧力（以下、内
圧と称する）が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるよう
に真空計３１１９を見ながらメカニカルブースターポン
プ（不図示）の出力を調整し、内圧が安定した後にマッ
チングボックス３１１５を通じて反応容器３１１１中に
ＲＦ電力を導入し、ＲＦ電源を所望の電力にセットし、
ＲＦグロー放電を生起させる。この放電により、反応容
器３１１１中の各原料ガスが分解され、円筒状支持体３
１１２上に所定の非晶質硅素を主成分とする堆積膜が形
成される。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の
供給を停止、堆積膜の形成を終える。
たところで、各流出バルブ３２５１〜３２５６のうち必
要なものと補助バルブ３２６０とを開き反応容器３１１
１に導入した後、反応容器３１１１内の圧力（以下、内
圧と称する）が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるよう
に真空計３１１９を見ながらメカニカルブースターポン
プ（不図示）の出力を調整し、内圧が安定した後にマッ
チングボックス３１１５を通じて反応容器３１１１中に
ＲＦ電力を導入し、ＲＦ電源を所望の電力にセットし、
ＲＦグロー放電を生起させる。この放電により、反応容
器３１１１中の各原料ガスが分解され、円筒状支持体３
１１２上に所定の非晶質硅素を主成分とする堆積膜が形
成される。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の
供給を停止、堆積膜の形成を終える。
【００３６】同様の操作を複数回繰り返すことにより所
望の多層構造の感光体が形成される。
望の多層構造の感光体が形成される。
【００３７】ここで作成する感光体の総厚は２９μｍ
（うち、光導電層２５．５μｍ）、またサンプルの厚さ
は１μｍである。 ［実験例１］サンプルは光学測定用、及び電気的測定用
のものを作成した。
（うち、光導電層２５．５μｍ）、またサンプルの厚さ
は１μｍである。 ［実験例１］サンプルは光学測定用、及び電気的測定用
のものを作成した。
【００３８】サンプルの基準作成条件として、Ｈ2 ／Ｓ
ｉＨ4 ＝１．７、Ｂ2 Ｈ6 ／ＳｉＨ4 ＝０．５５ｐｐｍ
となるようにＨ2 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＨ4 を混合した。反
応容器の内圧は０．５７Ｔｏｒｒ、基板温度は２９０
℃、高周波の実効パワー（以下ＲＦパワー）を５００Ｗ
とした。また、堆積速度を２２．４Å／ｓｅｃとした。
ｉＨ4 ＝１．７、Ｂ2 Ｈ6 ／ＳｉＨ4 ＝０．５５ｐｐｍ
となるようにＨ2 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＨ4 を混合した。反
応容器の内圧は０．５７Ｔｏｒｒ、基板温度は２９０
℃、高周波の実効パワー（以下ＲＦパワー）を５００Ｗ
とした。また、堆積速度を２２．４Å／ｓｅｃとした。
【００３９】本発明の実験に当たり、光導電層、またサ
ンプルの作成条件を変化させた。具体的には、ＲＦパワ
ーを４００〜６００Ｗの範囲で変化させ作成した。作成
時のガス流量、内圧、基板温度など、他の条件は、基準
作成条件と同じとした。
ンプルの作成条件を変化させた。具体的には、ＲＦパワ
ーを４００〜６００Ｗの範囲で変化させ作成した。作成
時のガス流量、内圧、基板温度など、他の条件は、基準
作成条件と同じとした。
【００４０】作成したサンプルについて、一定光電流法
（ＣＰＭ）により、局在準位密度ｎを測定した。
（ＣＰＭ）により、局在準位密度ｎを測定した。
【００４１】ＣＰＭは、サンプルに単波長光を照射し、
各波長に於ける光電流を一定とする光量を測定する方法
で、この方法により、やや深い準位に於ける局在準位密
度ｎが得られる。
各波長に於ける光電流を一定とする光量を測定する方法
で、この方法により、やや深い準位に於ける局在準位密
度ｎが得られる。
【００４２】本実験例では、ＣＰＭ測定用サンプルは、
成膜後にＣｒの櫛形電極を１０００Å蒸着し、測定を行
った。
成膜後にＣｒの櫛形電極を１０００Å蒸着し、測定を行
った。
【００４３】基板温度２９０℃のときのＲＦパワーと、
局在準位密度ｎの関係を図５に示す。ＲＦパワーの増加
にともない、ｎは減少する傾向にある。 ［実験例２］図２（Ａ）の層構成を有する感光体をＲＦ
−ＰＣＶＤ法を用いて作成した。本感光体は、導電性基
板上に、ボロンをドープした電荷注入阻止層（３μ
ｍ）、光導電層（２５．５μｍ）、表面層（０．５μ
ｍ）を順次積層してなる。
局在準位密度ｎの関係を図５に示す。ＲＦパワーの増加
にともない、ｎは減少する傾向にある。 ［実験例２］図２（Ａ）の層構成を有する感光体をＲＦ
−ＰＣＶＤ法を用いて作成した。本感光体は、導電性基
板上に、ボロンをドープした電荷注入阻止層（３μ
ｍ）、光導電層（２５．５μｍ）、表面層（０．５μ
ｍ）を順次積層してなる。
【００４４】感光体作成の際、電荷注入阻止層の基準作
成条件として、Ｈ2 ／ＳｉＨ4 ＝４．０、Ｂ2 Ｈ6 ／Ｓ
ｉＨ4 ＝１５００ｐｐｍ、ＮＯ／ＳｉＨ4 ＝０．３３と
なるようにＨ2 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＨ4 ，ＮＯをそれぞれ
混合し、反応容器の内圧は０．４５Ｔｏｒｒ、基板温度
は２９０℃、ＲＦパワーを１００Ｗとした。また、堆積
速度を６．４Å／ｓｅｃとした。
成条件として、Ｈ2 ／ＳｉＨ4 ＝４．０、Ｂ2 Ｈ6 ／Ｓ
ｉＨ4 ＝１５００ｐｐｍ、ＮＯ／ＳｉＨ4 ＝０．３３と
なるようにＨ2 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＨ4 ，ＮＯをそれぞれ
混合し、反応容器の内圧は０．４５Ｔｏｒｒ、基板温度
は２９０℃、ＲＦパワーを１００Ｗとした。また、堆積
速度を６．４Å／ｓｅｃとした。
【００４５】光導電層の基準作成条件として、Ｈ2 ／Ｓ
ｉＨ4 ＝１．７、Ｂ2 Ｈ6 ／ＳｉＨ4 ＝０．５５ｐｐｍ
となるようにＨ2 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＨ4 を混合した。反
応容器の内圧は０．５７Ｔｏｒｒ、基板温度は２９０
℃、ＲＦパワーを５００Ｗとした。また、堆積速度を２
２．４Å／ｓｅｃとした。
ｉＨ4 ＝１．７、Ｂ2 Ｈ6 ／ＳｉＨ4 ＝０．５５ｐｐｍ
となるようにＨ2 ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＨ4 を混合した。反
応容器の内圧は０．５７Ｔｏｒｒ、基板温度は２９０
℃、ＲＦパワーを５００Ｗとした。また、堆積速度を２
２．４Å／ｓｅｃとした。
【００４６】表面層の基準作成条件として、ＣＨ4 ／Ｓ
ｉＨ4 ＝４．０〜４５．７の変化層とした。反応容器の
内圧は０．４５Ｔｏｒｒ、基板温度は２９０℃、ＲＦパ
ワーを１２０Ｗとした。また、堆積速度を１．９Å／ｓ
ｅｃとした。
ｉＨ4 ＝４．０〜４５．７の変化層とした。反応容器の
内圧は０．４５Ｔｏｒｒ、基板温度は２９０℃、ＲＦパ
ワーを１２０Ｗとした。また、堆積速度を１．９Å／ｓ
ｅｃとした。
【００４７】本実験例では、光導電層に関してのみ、実
験例１と同様の成膜条件により作成した。この際、光導
電層成膜時のＲＦパワーを実験例１同様に４００〜６０
０Ｗの範囲で変化させた。基板温度、内圧、ガス流量な
ど、他の成膜条件は基準作成条件に同じとした。
験例１と同様の成膜条件により作成した。この際、光導
電層成膜時のＲＦパワーを実験例１同様に４００〜６０
０Ｗの範囲で変化させた。基板温度、内圧、ガス流量な
ど、他の成膜条件は基準作成条件に同じとした。
【００４８】このように作成した感光体について、該感
光体にかかる電界を１．０×１０4〜２．０×１０4 Ｖ
／ｍｍ、感光体表面の移動速度Ｓを２００〜６００ｍｍ
／ｓｅｃの範囲で変化させ、ｎ，Ｅ，Ｓの各パラメータ
と光メモリー電位（Ｖｍ）及び画像との相関をみた。
光体にかかる電界を１．０×１０4〜２．０×１０4 Ｖ
／ｍｍ、感光体表面の移動速度Ｓを２００〜６００ｍｍ
／ｓｅｃの範囲で変化させ、ｎ，Ｅ，Ｓの各パラメータ
と光メモリー電位（Ｖｍ）及び画像との相関をみた。
【００４９】ｎ＝１．８Ｅ１２、Ｓ＝３００のときのＥ
とＶｍの関係を図６に、ｎ＝１．８Ｅ１２、Ｅ＝１．３
Ｅ４のときのＳとＶｍの関係を図７に、Ｅ＝１．３Ｅ
４、Ｓ＝３００、のときのｎとＶｍの関係を図８に示
す。
とＶｍの関係を図６に、ｎ＝１．８Ｅ１２、Ｅ＝１．３
Ｅ４のときのＳとＶｍの関係を図７に、Ｅ＝１．３Ｅ
４、Ｓ＝３００、のときのｎとＶｍの関係を図８に示
す。
【００５０】この測定結果より、従来と同様の層構成を
有する感光体において、光導電層成膜時のＲＦパワーを
増加し、且つ／または電界Ｅを増加し、且つ／または感
光体の移動速度Ｓを減少させることによって、光メモリ
ーのない高画質な画像が得られることがわかった。
有する感光体において、光導電層成膜時のＲＦパワーを
増加し、且つ／または電界Ｅを増加し、且つ／または感
光体の移動速度Ｓを減少させることによって、光メモリ
ーのない高画質な画像が得られることがわかった。
【００５１】以上、説明した実験例１、および実験例２
について見たのと同様に、ｎ，Ｓ，Ｅをさらに多くの組
み合わせで実験した結果から、図１のような、式（１）
の値Ａ（即ちｎ，Ｓ，Ｅ）と光メモリー電位Ｖｍの関係
が得られた。式（１）の値Ａが減少すると、光メモリー
電位Ｖｍもそれに伴い減少する傾向にある。
について見たのと同様に、ｎ，Ｓ，Ｅをさらに多くの組
み合わせで実験した結果から、図１のような、式（１）
の値Ａ（即ちｎ，Ｓ，Ｅ）と光メモリー電位Ｖｍの関係
が得られた。式（１）の値Ａが減少すると、光メモリー
電位Ｖｍもそれに伴い減少する傾向にある。
【００５２】また、実験例２より、画像上で光メモリー
が従来よりも向上したと判別できる良い画像が得られる
のは、同実験例で得られる光メモリー電位Ｖｍが１０Ｖ
以下の時であり、また、好ましく、光メモリーが問題視
されない、たいへん良い画像が得られるのはＶｍが７Ｖ
以下の時である。さらにより好ましく、光メモリーが認
識されない、非常によい画像が得られるのは、Ｖｍが５
Ｖ以下の時であることが判った。
が従来よりも向上したと判別できる良い画像が得られる
のは、同実験例で得られる光メモリー電位Ｖｍが１０Ｖ
以下の時であり、また、好ましく、光メモリーが問題視
されない、たいへん良い画像が得られるのはＶｍが７Ｖ
以下の時である。さらにより好ましく、光メモリーが認
識されない、非常によい画像が得られるのは、Ｖｍが５
Ｖ以下の時であることが判った。
【００５３】即ち、式（１）の値Ａの最低値が１９．０
以下の時、好ましくは１８．０以下の時、さらに、好ま
しくは１７．０以下の時、光メモリーのない、非常に高
画質な電子写真装置を得ることができた。
以下の時、好ましくは１８．０以下の時、さらに、好ま
しくは１７．０以下の時、光メモリーのない、非常に高
画質な電子写真装置を得ることができた。
【００５４】 Ａ＝ｌｎ（ｎ）・ｌｎ（Ｓ）／ｌｎ（Ｅ） …（１） ｎ：光導電層に於いてｄ〜０．９５ｅＶの範囲にある局
在準位の密度（ｍｍ-3） ｄ：該感光体のある部位が、光メモリー源（画像露光ま
たはブランク露光等）から主帯電器まで移動する時間に
キャリアが熱励起し得るエネルギー深さ（ｅＶ）［光メ
モリー源が複数ある時は、小さいｄを 用い
る］ Ｅ：該感光体にかかる電界（Ｖ／ｍｍ） Ｓ：該感光体表面の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ） 本実験例では、サンプル及び感光体を成膜するに際し
て、局在準位密度ｎの制御のために、ＲＦパワーを変化
させて成膜したが、言うまでもなく他のパラメーター即
ち基板温度・堆積速度などによっても制御する事ができ
る。
在準位の密度（ｍｍ-3） ｄ：該感光体のある部位が、光メモリー源（画像露光ま
たはブランク露光等）から主帯電器まで移動する時間に
キャリアが熱励起し得るエネルギー深さ（ｅＶ）［光メ
モリー源が複数ある時は、小さいｄを 用い
る］ Ｅ：該感光体にかかる電界（Ｖ／ｍｍ） Ｓ：該感光体表面の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ） 本実験例では、サンプル及び感光体を成膜するに際し
て、局在準位密度ｎの制御のために、ＲＦパワーを変化
させて成膜したが、言うまでもなく他のパラメーター即
ち基板温度・堆積速度などによっても制御する事ができ
る。
【００５５】
【実施例】以下、表、図面を参照しながら本発明の実施
例について詳細に説明するが、本発明は以下に示す実施
例に限定されることはなく、本発明の目的が達成され得
るものであれば良い。
例について詳細に説明するが、本発明は以下に示す実施
例に限定されることはなく、本発明の目的が達成され得
るものであれば良い。
【００５６】また、特にことわりのない限り、感光体成
膜条件は実験例２で既述した基準作成条件と同じとす
る。
膜条件は実験例２で既述した基準作成条件と同じとす
る。
【００５７】［実施例１］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを６００Ｗ、また基板温度を３１５℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅ＝１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、非常によい結
果が得られた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを６００Ｗ、また基板温度を３１５℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅ＝１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、非常によい結
果が得られた。表１にその結果を示す。
【００５８】［実施例２］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを２．７×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、たいへんよい
結果が得られた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを２．７×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、たいへんよい
結果が得られた。表１にその結果を示す。
【００５９】［実施例３］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、よい結果が得
られた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、よい結果が得
られた。表１にその結果を示す。
【００６０】［実施例４］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを３００ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、よい結果が得
られた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを３００ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、よい結果が得
られた。表１にその結果を示す。
【００６１】［実施例５］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを２．７×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、よい結果が得
られた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを２．７×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、よい結果が得
られた。表１にその結果を示す。
【００６２】［実施例６］光導電層の作成条件に関し、
ほう素（Ｂ）の替りにアルミニウム（Ａｌ）をＡｌ／Ｓ
ｉ＝１．１ｐｐｍとなるように混合し、ＲＦパワーを５
００Ｗ、また基板温度を２９０℃として感光体を作成
し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１０4 Ｖ／ｍ
ｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓｅｃにして
Ｖｍ、画像を測定したところ、よい結果が得られた。表
１にその結果を示す。
ほう素（Ｂ）の替りにアルミニウム（Ａｌ）をＡｌ／Ｓ
ｉ＝１．１ｐｐｍとなるように混合し、ＲＦパワーを５
００Ｗ、また基板温度を２９０℃として感光体を作成
し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１０4 Ｖ／ｍ
ｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓｅｃにして
Ｖｍ、画像を測定したところ、よい結果が得られた。表
１にその結果を示す。
【００６３】［実施例７］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを６００ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、よい結果が得
られた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを６００ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、よい結果が得
られた。表１にその結果を示す。
【００６４】［比較例１］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを６．７×１
０3 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、光メモリーが
認められた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを６．７×１
０3 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、光メモリーが
認められた。表１にその結果を示す。
【００６５】［比較例２］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、光メモリーが
認められた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、光メモリーが
認められた。表１にその結果を示す。
【００６６】［比較例３］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを６．７×１
０3 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、光メモリーが
認められた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを６．７×１
０3 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、光メモリーが
認められた。表１にその結果を示す。
【００６７】［比較例４］光導電層の作成条件に関し、
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを６００ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、光メモリーが
認められた。表１にその結果を示す。
ＲＦパワーを４００Ｗ、また基板温度を２８０℃として
感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを１．３×１
０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを６００ｍｍ／ｓ
ｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、光メモリーが
認められた。表１にその結果を示す。
【００６８】［比較例５］光導電層の作成条件に関し、
Ｃ／Ｓｉ＝２％とし、ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板
温度を２９０℃として感光体を作成し、該感光体にかか
る電界Ｅを１．３×１０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速
度Ｓを４５０ｍｍ／ｓｅｃにしてＶｍ、画像を測定した
ところ、光メモリーが認められた。表１にその結果を示
す。
Ｃ／Ｓｉ＝２％とし、ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板
温度を２９０℃として感光体を作成し、該感光体にかか
る電界Ｅを１．３×１０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速
度Ｓを４５０ｍｍ／ｓｅｃにしてＶｍ、画像を測定した
ところ、光メモリーが認められた。表１にその結果を示
す。
【００６９】［比較例６］光導電層の作成条件に関し、
Ｂの替りにＡｌをＡｌ／Ｓｉ＝５．０ｐｐｍとなるよう
に混合し、ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９
０℃として感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを
１．３×１０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５
０ｍｍ／ｓｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、高
画質な画像が得られたが帯電能率が低下した。表１にそ
の結果を示す。
Ｂの替りにＡｌをＡｌ／Ｓｉ＝５．０ｐｐｍとなるよう
に混合し、ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９
０℃として感光体を作成し、該感光体にかかる電界Ｅを
１．３×１０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓを４５
０ｍｍ／ｓｅｃにしてＶｍ、画像を測定したところ、高
画質な画像が得られたが帯電能率が低下した。表１にそ
の結果を示す。
【００７０】［比較例７］光導電層の作成条件に関し、
Ｂ／Ｓｉ＝４．２ｐｐｍとなる様にＢ2 Ｈ6 を混合し、
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成して感光体を作成し、該感光体にかかる電
界Ｅを１．３×１０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓ
を４５０ｍｍ／ｓｅｃにしてＶｍ、画像を測定したとこ
ろ、高画質な画像が得られたが帯電能率が低下した。表
１にその結果を示す。
Ｂ／Ｓｉ＝４．２ｐｐｍとなる様にＢ2 Ｈ6 を混合し、
ＲＦパワーを５００Ｗ、また基板温度を２９０℃として
感光体を作成して感光体を作成し、該感光体にかかる電
界Ｅを１．３×１０4 Ｖ／ｍｍ、該感光体の移動速度Ｓ
を４５０ｍｍ／ｓｅｃにしてＶｍ、画像を測定したとこ
ろ、高画質な画像が得られたが帯電能率が低下した。表
１にその結果を示す。
【００７１】また、Ｓ，Ｅ，ｎ依存性を表２，３，４に
それぞれ示す。
それぞれ示す。
【００７２】実施例、比較例中では、光導電層のＡ値を
制御するため、高周波パワー及び基板温度を変化させた
が、これは、堆積速度など、他の手段によっても制御し
得る。
制御するため、高周波パワー及び基板温度を変化させた
が、これは、堆積速度など、他の手段によっても制御し
得る。
【００７３】［表の簡単な説明］表１は、実施例１，
２，３，４，５，６，７及び比較例１，２，３，４，
５，６，７の感光体の測定、判定結果を示す表である。
２，３，４，５，６，７及び比較例１，２，３，４，
５，６，７の感光体の測定、判定結果を示す表である。
【００７４】表２は、実施例、比較例の感光体の測定、
判定結果（該感光体表面の移動速度：Ｓ依存性）を示す
表である。
判定結果（該感光体表面の移動速度：Ｓ依存性）を示す
表である。
【００７５】表３は、実施例及び比較例の感光体の測
定、判定結果（該感光体にかかる電界：Ｅ依存性）を示
す表である。
定、判定結果（該感光体にかかる電界：Ｅ依存性）を示
す表である。
【００７６】表４は、実施例及び比較例の感光体の測
定、判定結果（該感光体の光導電層中の局在準位密度：
ｎ依存性）を示す表である。
定、判定結果（該感光体の光導電層中の局在準位密度：
ｎ依存性）を示す表である。
【００７７】
【表１】 （出願時に挿入）
【００７８】
【表２】
【００７９】
【表３】
【００８０】
【表４】
【００８１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次に示す
効果がある。
効果がある。
【００８２】本発明のａ−Ｓｉ系感光体は、その光導電
層における局在準位密度ｎと、電界Ｅと、感光体３０１
の表面の移動速度Ｓとからなる、式（１）によって与え
られる値Ａを１９．０以下になるように、下記の各パラ
メータｎ，ｄ，Ｅ，Ｓを制御することにより、帯電能率
を低下すること無く、光メモリーのない、総合的に高品
質の画像形成装置図を得ることができる電子写真装置を
提供することができる。
層における局在準位密度ｎと、電界Ｅと、感光体３０１
の表面の移動速度Ｓとからなる、式（１）によって与え
られる値Ａを１９．０以下になるように、下記の各パラ
メータｎ，ｄ，Ｅ，Ｓを制御することにより、帯電能率
を低下すること無く、光メモリーのない、総合的に高品
質の画像形成装置図を得ることができる電子写真装置を
提供することができる。
【００８３】 Ａ＝ｌｎ（ｎ）・ｌｎ（Ｓ）／ｌｎ（Ｅ） …（１） ｎ：光導電層に於いてｄ〜０．９５ｅＶの範囲にある局
在準位の密度（ｍｍ-3） ｄ：該感光体のある部位が、光メモリー源（画像露光ま
たはブランク露光等）から主帯電器まで移動する時間に
キャリアが熱励起し得るエネルギー深さ（ｅＶ）［光メ
モリー源が複数ある時は、小さいｄを 用い
る］ Ｅ：該感光体にかかる電界（Ｖ／ｍｍ） Ｓ：該感光体表面の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ） とくに、光導電層を図２（Ａ）の様な、いわゆる単層型
とした場合には、本発明の目的を達成できると同時に更
に良好な感光体となる。
在準位の密度（ｍｍ-3） ｄ：該感光体のある部位が、光メモリー源（画像露光ま
たはブランク露光等）から主帯電器まで移動する時間に
キャリアが熱励起し得るエネルギー深さ（ｅＶ）［光メ
モリー源が複数ある時は、小さいｄを 用い
る］ Ｅ：該感光体にかかる電界（Ｖ／ｍｍ） Ｓ：該感光体表面の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ） とくに、光導電層を図２（Ａ）の様な、いわゆる単層型
とした場合には、本発明の目的を達成できると同時に更
に良好な感光体となる。
【００８４】また、サンプルによる検討が可能なため、
従来のように感光体そのものを作成しそれを使用する電
子写真装置で検討を行う必要がなく、電界や、感光体の
回転速度など感光体の使用条件に応じた光メモリーの無
い理想的な感光体の作成条件が得られる。
従来のように感光体そのものを作成しそれを使用する電
子写真装置で検討を行う必要がなく、電界や、感光体の
回転速度など感光体の使用条件に応じた光メモリーの無
い理想的な感光体の作成条件が得られる。
【００８５】さらに、層構成の異なるａ−Ｓｉ感光体で
光メモリーをなくす検討をおこなう場合にも非常に効果
的である。
光メモリーをなくす検討をおこなう場合にも非常に効果
的である。
【００８６】一方、感光体にマッチした電子写真装置を
検討する際にも非常に有効である。
検討する際にも非常に有効である。
【図１】本発明の特徴となる式（１）の値Ａと光メモリ
ー電位Ｖｍの関係を示すグラフである。
ー電位Ｖｍの関係を示すグラフである。
【図２】ａ−Ｓｉ感光体の層構成を示す模式断面図であ
り、（Ａ）は光導電層が一層からなるいわゆる単層型感
光体で、（Ｂ）は光導電層が、電荷発生領域と電荷輸送
領域からなる、機能分離型感光体である。
り、（Ａ）は光導電層が一層からなるいわゆる単層型感
光体で、（Ｂ）は光導電層が、電荷発生領域と電荷輸送
領域からなる、機能分離型感光体である。
【図３】ａ−Ｓｉ感光体を用いた電子写真装置の一例を
示す図である。
示す図である。
【図４】感光体及びサンプルの作成に用いた成膜装置の
概略図である。
概略図である。
【図５】サンプルをＣＰＭ測定した際のＲＦパワーと局
在準位密度ｎの関係を示した図である。
在準位密度ｎの関係を示した図である。
【図６】ａ−Ｓｉ感光体にかかる電界Ｅと光メモリー電
位Ｖｍの関係を示した図である。
位Ｖｍの関係を示した図である。
【図７】ａ−Ｓｉ感光体表面の移動速度Ｓと光メモリー
電位Ｖｍの関係を示した図である。
電位Ｖｍの関係を示した図である。
【図８】ａ−Ｓｉ感光体の光導電層中の局在準位密度ｎ
と光メモリー電位Ｖｍの関係を示した図である。
と光メモリー電位Ｖｍの関係を示した図である。
３０１ 円筒状のａ−Ｓｉ感光体、 ３０２ 主帯電器、 ３０３ 画像情報露光、 ３０７ 転写材間に相当する感光体の表面を除電するた
めのブランク露光、 ３０４ 静電潜像を現像して顕像化するための現像器、 ３０５ クリーニング装置、 ３０６ 主除電光、
めのブランク露光、 ３０４ 静電潜像を現像して顕像化するための現像器、 ３０５ クリーニング装置、 ３０６ 主除電光、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 晃司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 新納 博明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも非晶質の光導電層を有し、該
光導電層が少なくとも硅素及び水素かつ／またはハロゲ
ン原子を含む感光体（以下ａ−Ｓｉ感光体）を用い、該
感光体に近接して少なくとも主除電光、主帯電器、画像
露光、且つ／またはブランク露光を具備した電子写真装
置において、 下記の式（１）によって与えられる値Ａが１９．０以下
となるように、下記のパラメータｎ，ｄ，Ｅ，Ｓを制御
したことを特徴とする電子写真装置。 Ａ＝ｌｎ（ｎ）・ｌｎ（Ｓ）／ｌｎ（Ｅ） …（１） ｎ：光導電層に於いてｄ〜０．９５ｅＶの範囲にある局
在準位の密度（ｍｍ-3） ｄ：該感光体のある部位が、光メモリー源（画像露光ま
たはブランク露光等）から主帯電器まで移動する時間に
キャリアが熱励起し得るエネルギー深さ（ｅＶ）［光メ
モリー源が複数ある時は、小さいｄを 用い
る］ Ｅ：該感光体にかかる電界（Ｖ／ｍｍ） Ｓ：該感光体表面の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ） - 【請求項２】 前記光導電層に含有されるIII 族原子の
含有量が４．０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求
項１記載の電子写真装置。 - 【請求項３】 前記光導電層に含有される炭素原子の含
有量が１％以下であることを特徴とする請求項１記載の
電子写真装置。 - 【請求項４】 前記光導電層中のIII 族原子がほう素
（Ｂ）であることを特徴とする請求項２記載の電子写真
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5078635A JPH06266138A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 電子写真装置 |
| US08/209,876 US5480750A (en) | 1993-03-15 | 1994-03-14 | Electrophotographic process and electrophotographic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5078635A JPH06266138A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 電子写真装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06266138A true JPH06266138A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13667336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5078635A Pending JPH06266138A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 電子写真装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5480750A (ja) |
| JP (1) | JPH06266138A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020026787A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| WO2020026788A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3862334B2 (ja) | 1995-12-26 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 電子写真用光受容部材 |
| JP3754751B2 (ja) * | 1996-05-23 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 光受容部材 |
| JPH1090929A (ja) | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材 |
| US6605405B2 (en) | 2000-07-26 | 2003-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic method and electrophotographic apparatus |
| JP5121785B2 (ja) | 2008-07-25 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
| JP4580028B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-11-10 | キヤノン株式会社 | 画像形成方法及び画像形成装置 |
| JP4612913B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 画像形成方法 |
| US8585956B1 (en) | 2009-10-23 | 2013-11-19 | Therma-Tru, Inc. | Systems and methods for laser marking work pieces |
| JP5607499B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
| JP5653186B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2015-01-14 | キヤノン株式会社 | 電子写真装置 |
| JP5675287B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
| JP5675289B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
| JP5675292B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3891316A (en) * | 1974-03-18 | 1975-06-24 | Xerox Corp | Multi-process control system for an electrophotographic printing machine |
| DE3506657A1 (de) * | 1984-02-28 | 1985-09-05 | Sharp K.K., Osaka | Photoleitfaehige vorrichtung |
| DE3807121A1 (de) * | 1988-03-04 | 1989-09-14 | Siemens Ag | Elektrofotografische druckeinrichtung mit geregeltem elektrofotografischen prozess |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5078635A patent/JPH06266138A/ja active Pending
-
1994
- 1994-03-14 US US08/209,876 patent/US5480750A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020026787A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| WO2020026788A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JPWO2020026787A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2021-08-02 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JPWO2020026788A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2021-08-02 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5480750A (en) | 1996-01-02 |
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