JPS6283470A - 光導電体 - Google Patents
光導電体Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は複写機等のように電子写真法を用いる装置や
原稿読取装置等において使用される光導電体の製造方法
に関する。
原稿読取装置等において使用される光導電体の製造方法
に関する。
〈発明の概要〉
この発明の光導電体は、要約すれば、基体上に形成した
アモルファスシリコン膜の特性エネルギー Ｅ ｏの値
が所定値以下となるようにすることにより、残像現象を
防止して画像品質の向上を図ろうとするものである。
アモルファスシリコン膜の特性エネルギー Ｅ ｏの値
が所定値以下となるようにすることにより、残像現象を
防止して画像品質の向上を図ろうとするものである。
〈従来技術とその欠点〉
複写機等のように電子写真法を用いる装置や原稿読取装
置等では、画像を形成する光導電層を構成するために種
々の光導電体を用いている。このような光導電体として
従来から使用されるものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の
無機光導電材料やＴＶＫ−ＴＭＦ等に代表される有機光
導電材料がある。ところが、これらの従来からの光導電
材料は、光感度１分光感度、ＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）
あるいは耐久性や人体への安全性等の光導電体として要
求される性質が必ずしも十分満足されるものではなく、
ある程度の妥協のもとに個々のケースに応じて選択して
使用されているのが現状であった。一方、アモルファス
シリコン（ａ−３ｔ）からなる光導電体は、高い光感度
、高耐久性および無公害等の優れた特徴を有している。
置等では、画像を形成する光導電層を構成するために種
々の光導電体を用いている。このような光導電体として
従来から使用されるものに、Ｓｅ、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の
無機光導電材料やＴＶＫ−ＴＭＦ等に代表される有機光
導電材料がある。ところが、これらの従来からの光導電
材料は、光感度１分光感度、ＳＮ比（明抵抗／暗抵抗）
あるいは耐久性や人体への安全性等の光導電体として要
求される性質が必ずしも十分満足されるものではなく、
ある程度の妥協のもとに個々のケースに応じて選択して
使用されているのが現状であった。一方、アモルファス
シリコン（ａ−３ｔ）からなる光導電体は、高い光感度
、高耐久性および無公害等の優れた特徴を有している。
しかしながら、このようなアモルファスシリコンも、フ
ォトキャリアがアモルファスのハンドティルに捕獲され
るために残像現象が生じ、画像品質が低下するという欠
点を有していた。
ォトキャリアがアモルファスのハンドティルに捕獲され
るために残像現象が生じ、画像品質が低下するという欠
点を有していた。
〈発明の目的〉
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、基体上に形成するアモルファスシリコン膜の特性エ
ネルギーＥｏの値を０．０９〔ｅＶ〕以下となるように
することにより、残像現象を防止して画像品質の向上を
図り得る光導電体を提供することを目的とする。
て、基体上に形成するアモルファスシリコン膜の特性エ
ネルギーＥｏの値を０．０９〔ｅＶ〕以下となるように
することにより、残像現象を防止して画像品質の向上を
図り得る光導電体を提供することを目的とする。
〈発明の構成および効果〉
この発明の光導電体は、アモルファスシリコンの可視光
における吸収係数α（ｃｍ−’）と光子エネルギーｈω
（ｅ Ｖ）との光学ギャップ以下での関係を示す式、 ｃｘ＝Ｃ０ｅｘｐ （７ｔω／ＥＯ） Ｃ：定数 において、特性エネルギーＥ０の値が０．０９ （ｅ
Ｖ〕以下となるように温度条件等を設定して、基体上に
アモルファスシリコン膜を形成したことを特徴とする 特性エネルギーＥｏは、価電子帯および伝導帯における
ハンドテイルの傾きを反映するので、この特性エネルギ
ーＥｏの値を小さくしてその逆数となる（頃きを大きく
することにより、フェトキャリアがハントテイルに捕獲
されることによって起こる残像現象を防止することがで
きる。このため、この発明の光導電体を上記のように構
成すると、この残像現象を防止して画像品質を高めるこ
とができ、アモルファスシリコンを用いた光導電体の実
用化に貢献することができる。
における吸収係数α（ｃｍ−’）と光子エネルギーｈω
（ｅ Ｖ）との光学ギャップ以下での関係を示す式、 ｃｘ＝Ｃ０ｅｘｐ （７ｔω／ＥＯ） Ｃ：定数 において、特性エネルギーＥ０の値が０．０９ （ｅ
Ｖ〕以下となるように温度条件等を設定して、基体上に
アモルファスシリコン膜を形成したことを特徴とする 特性エネルギーＥｏは、価電子帯および伝導帯における
ハンドテイルの傾きを反映するので、この特性エネルギ
ーＥｏの値を小さくしてその逆数となる（頃きを大きく
することにより、フェトキャリアがハントテイルに捕獲
されることによって起こる残像現象を防止することがで
きる。このため、この発明の光導電体を上記のように構
成すると、この残像現象を防止して画像品質を高めるこ
とができ、アモルファスシリコンを用いた光導電体の実
用化に貢献することができる。
なお、特性エネルギーＥＯＯ値を０．０９ （ｅ Ｖ）
以下とするには、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａ
ｐｏｒ ｄｅｐ−ｏｓｉｔｉｏｎ ）法によるアモルフ
ァスシリコン膜の形成過程において基板温度を所定範囲
内に制御する方法の他、たとえば、高周波電力、ＳｉＨ
４流量、ＳｉＨ４濃度９濃度９力応圧力宜調整すること
によっても行うことができる。
以下とするには、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａ
ｐｏｒ ｄｅｐ−ｏｓｉｔｉｏｎ ）法によるアモルフ
ァスシリコン膜の形成過程において基板温度を所定範囲
内に制御する方法の他、たとえば、高周波電力、ＳｉＨ
４流量、ＳｉＨ４濃度９濃度９力応圧力宜調整すること
によっても行うことができる。
〈実施例〉
基体上にアモルファスシリコン膜を形成する方法として
はＣＶＤ法又はスパッタリング等にょるＰ Ｖ Ｄ （
ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法がある。このうちＣＶＤ法による形成方法を第３
図に基づいて説明する。
はＣＶＤ法又はスパッタリング等にょるＰ Ｖ Ｄ （
ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）法がある。このうちＣＶＤ法による形成方法を第３
図に基づいて説明する。
アモルファスシリコン膜を形成する基体としてはアルミ
ニウムの管状のドラムｌを使用する。このドラム１は、
十分に表面を洗浄した後、反応室２内のドラムヒータ３
に装着する。ドラムヒータ３は、ドラム１の内径に密着
して嵌まり込み、表面を均一に加熱することができるヒ
ータであり、さらに反応室２外の駆動装置４と連結して
ドラム１を適宜回転させることができる。このようにし
てドラム１のセントを終了すると、排気バルブ５を開き
真空ポンプ６によって反応室２内の排気を行う。また、
このとき同時にドラムヒータ３の電源を入れ、ドラム１
の表面が所定温度となるようにしておく。次に、補助バ
ルブ７を全開にし、マスフローコントローラ８によって
所定の混合比に調整された原料混合ガスを反応室２内に
流入させる。このとき、排気バルブ５を調整して反応室
２内の圧力を所定の値に保つ。原料混合ガスは、たとえ
ばＳｉＨ４やＢ ２Ｈ６等のガスを所定の混合比に調整
したものである。反応室２内の雰囲気をこのように設定
した後に放電電極９．９間に高周波電源１０からの１３
．５６ ＭＨｚの高周波電源を印加することにより、こ
の放電電極９．９間にグロー放電を起こさせ、ドラムヒ
ータ３によって加熱されたドラム１の表面にアモルファ
スシリコン膜を形成する。
ニウムの管状のドラムｌを使用する。このドラム１は、
十分に表面を洗浄した後、反応室２内のドラムヒータ３
に装着する。ドラムヒータ３は、ドラム１の内径に密着
して嵌まり込み、表面を均一に加熱することができるヒ
ータであり、さらに反応室２外の駆動装置４と連結して
ドラム１を適宜回転させることができる。このようにし
てドラム１のセントを終了すると、排気バルブ５を開き
真空ポンプ６によって反応室２内の排気を行う。また、
このとき同時にドラムヒータ３の電源を入れ、ドラム１
の表面が所定温度となるようにしておく。次に、補助バ
ルブ７を全開にし、マスフローコントローラ８によって
所定の混合比に調整された原料混合ガスを反応室２内に
流入させる。このとき、排気バルブ５を調整して反応室
２内の圧力を所定の値に保つ。原料混合ガスは、たとえ
ばＳｉＨ４やＢ ２Ｈ６等のガスを所定の混合比に調整
したものである。反応室２内の雰囲気をこのように設定
した後に放電電極９．９間に高周波電源１０からの１３
．５６ ＭＨｚの高周波電源を印加することにより、こ
の放電電極９．９間にグロー放電を起こさせ、ドラムヒ
ータ３によって加熱されたドラム１の表面にアモルファ
スシリコン膜を形成する。
この実施例の光導電体は、第１図に示す設定条件で上記
のようにアモルファスシリコン膜を形成することにより
構成される。なお、この際に可視光吸収特性を測定する
ため、ドラム１面を削り、ガラス基板を装着して、第２
層と同じ条件で膜厚０．３μｍの膜形成を行った。また
、比較のために、各層の形成時の基板温度がそれぞれ５
０°Ｃ低い条件で同様にアモルファスシリコン膜を形成
した。この場合にも同じくガラス基板を装着して、この
ガラス基板上に第２層のみを形成した。
のようにアモルファスシリコン膜を形成することにより
構成される。なお、この際に可視光吸収特性を測定する
ため、ドラム１面を削り、ガラス基板を装着して、第２
層と同じ条件で膜厚０．３μｍの膜形成を行った。また
、比較のために、各層の形成時の基板温度がそれぞれ５
０°Ｃ低い条件で同様にアモルファスシリコン膜を形成
した。この場合にも同じくガラス基板を装着して、この
ガラス基板上に第２層のみを形成した。
上記実施例および比較例の設定条件で形成したアモルフ
ァスシリコン膜の可視光における吸収スペクトルの実測
結果を第２図に示す。第２図は、光エネルギーｈωに対
する吸収係数αの変化を、光子エネルギーｈωを横軸に
吸収係数αを縦軸の対数軸にとって示したものである。
ァスシリコン膜の可視光における吸収スペクトルの実測
結果を第２図に示す。第２図は、光エネルギーｈωに対
する吸収係数αの変化を、光子エネルギーｈωを横軸に
吸収係数αを縦軸の対数軸にとって示したものである。
アモルファスシリコン膜は光学ギャップ以下の場合（光
子エネルギーｈωが１．６ 〔ｅＶ〕以下の場合）に
は、吸収係数αが光子エネルギーｈωに対して指数関数
的に変化するので、グラフは第２図に示すような直線状
となる。この第２図に示すグラフより各アモルファスシ
リコン膜の特性エネルギーＥ Ｏを求める。
子エネルギーｈωが１．６ 〔ｅＶ〕以下の場合）に
は、吸収係数αが光子エネルギーｈωに対して指数関数
的に変化するので、グラフは第２図に示すような直線状
となる。この第２図に示すグラフより各アモルファスシ
リコン膜の特性エネルギーＥ Ｏを求める。
可視光における吸収係数αと光子エネルギーｈωとの光
学ギャップ以下での関係は次の式で示される。
学ギャップ以下での関係は次の式で示される。
ｔｘ−Ｃ−ｅｘｐ （′ＰＬω／ＥＯ）Ｃ：定数
この式の両辺の対数をとると、
Ａｎα−（１／ＥＯ）・Ａω＋Ｃ′
Ｃ’＝ｆｆｎＣ
となり、（１／ＥＯ）が第２図における各グラフの傾き
を表すことになる。このため、光子エネルギーｈω、お
よびｈω２に対する各グラフ上の吸収係数α１およびα
２を求め、 １／Ｅｏ ” （Ｉ！、ｎα２−６ｎα、）／（ｔＬω
２−八ω、） の式に代入することにより特性エネルギーＥｏを計算す
ることができる。実施例の場合、光子エネルギーへω１
カ月、２ 〔ｅＶ〕に対して吸収係数α１が１．４．
（ｃｍ−’）となり、光子エネルギーｈω２が１．６〔
ｅＶ〕に対して吸収係数α２が１２０ 〔ｃｍ −’
）となるので、特性エネルギーＥｏの値がおよそ０．０
９ （ｅ Ｖ）と計算される。また、比較例の場合は、
光子エネルギーｈω、が１．２〔ｅＶ〕に対して吸収係
数α、が２０ （ｃｍ−’）となり、光子エネルギーｈ
ω２か１．６〔ｅＶ〕に対して吸収係数α２が１０００
（ｃｍ−’）となるので、特性エネルギーＥ０の値が
およそ０．１〔ｅＶ〕と計算される。
を表すことになる。このため、光子エネルギーｈω、お
よびｈω２に対する各グラフ上の吸収係数α１およびα
２を求め、 １／Ｅｏ ” （Ｉ！、ｎα２−６ｎα、）／（ｔＬω
２−八ω、） の式に代入することにより特性エネルギーＥｏを計算す
ることができる。実施例の場合、光子エネルギーへω１
カ月、２ 〔ｅＶ〕に対して吸収係数α１が１．４．
（ｃｍ−’）となり、光子エネルギーｈω２が１．６〔
ｅＶ〕に対して吸収係数α２が１２０ 〔ｃｍ −’
）となるので、特性エネルギーＥｏの値がおよそ０．０
９ （ｅ Ｖ）と計算される。また、比較例の場合は、
光子エネルギーｈω、が１．２〔ｅＶ〕に対して吸収係
数α、が２０ （ｃｍ−’）となり、光子エネルギーｈ
ω２か１．６〔ｅＶ〕に対して吸収係数α２が１０００
（ｃｍ−’）となるので、特性エネルギーＥ０の値が
およそ０．１〔ｅＶ〕と計算される。
上記実施例と比較例との設定条件でアモルファスシリコ
ン膜を形成した光導電体を複写機の感光体として使用し
た場合、実施例の場合には残像現象が確認されなかった
が、比較例の場合には残像現象が確認された。さらに、
種々の設定条件でアモルファスシリコン膜を形成し、測
定を行った結果、特性エネルギーＥｏの値が０．０９〔
ｅＶ〕以下の場合に残像現象が確認できず、高品質の画
像を得ることができた。
ン膜を形成した光導電体を複写機の感光体として使用し
た場合、実施例の場合には残像現象が確認されなかった
が、比較例の場合には残像現象が確認された。さらに、
種々の設定条件でアモルファスシリコン膜を形成し、測
定を行った結果、特性エネルギーＥｏの値が０．０９〔
ｅＶ〕以下の場合に残像現象が確認できず、高品質の画
像を得ることができた。
なお、比較例に対して実施例は基板温度を高めることに
より特性エネルギーＥ０の値を低下させだが、さらに温
度を上昇させて基板温度を３００℃以上にすると、アモ
ルファスシリコン膜の水素含有量が低下し欠陥を水素に
よって十分補償することができなくなることから特性エ
ネルギーＥＯはかえって増大する。基板温度以外に特性
エネルギーＥ０を変化させる要因としては、高周波電力
、ＳｉＨ４流量、５ｉｒ（＜濃度および反応圧力等が考
えられる。
より特性エネルギーＥ０の値を低下させだが、さらに温
度を上昇させて基板温度を３００℃以上にすると、アモ
ルファスシリコン膜の水素含有量が低下し欠陥を水素に
よって十分補償することができなくなることから特性エ
ネルギーＥＯはかえって増大する。基板温度以外に特性
エネルギーＥ０を変化させる要因としては、高周波電力
、ＳｉＨ４流量、５ｉｒ（＜濃度および反応圧力等が考
えられる。
第１図はこの発明の実施例である光導電体のアモルファ
スシリコン膜形成条件を示す図、第２図は実施例と比較
例とにおけるアモルファスシリコン膜の吸収スペクトル
を示す図、第３図はアモルファスシリコン膜形成方法を
説明するためのＣＶＤ装置の概略図である。 １−ドラ広く基体）。
スシリコン膜形成条件を示す図、第２図は実施例と比較
例とにおけるアモルファスシリコン膜の吸収スペクトル
を示す図、第３図はアモルファスシリコン膜形成方法を
説明するためのＣＶＤ装置の概略図である。 １−ドラ広く基体）。
Claims (1)
- （１）アモルファスシリコンの可視光における吸収係数
α〔ｃｍ＾−＾１〕と光子エネルギー■ω〔ｅＶ〕との
光学ギャップ以下での関係を示す式、 α＝Ｃ・ｅｘｐ（■ω／Ｅ＿０） Ｃ：定数 において、 特性エネルギーＥ＿０の値が０．０９〔ｅＶ〕以下とな
るように温度条件等を設定して、基体上にアモルファス
シリコン膜を形成したことを特徴とする光導電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222352A JPS6283470A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222352A JPS6283470A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光導電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283470A true JPS6283470A (ja) | 1987-04-16 |
Family
ID=16780993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222352A Pending JPS6283470A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283470A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738963A (en) * | 1995-08-23 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography having a photoconductive layer composed of a first layer region and a second layer region having different energy bandgaps and characteristic energies |
| US5939230A (en) * | 1996-05-23 | 1999-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| US5945241A (en) * | 1996-08-29 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof |
| US6379852B2 (en) | 1996-09-11 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
| US6632578B2 (en) | 1995-12-26 | 2003-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member and process for its production |
| US8330161B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-12-11 | Kyocera Corporation | Electronic photosensitive body and manufacturing method for same, as well as image forming apparatus |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222352A patent/JPS6283470A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738963A (en) * | 1995-08-23 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography having a photoconductive layer composed of a first layer region and a second layer region having different energy bandgaps and characteristic energies |
| US6632578B2 (en) | 1995-12-26 | 2003-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member and process for its production |
| US5939230A (en) * | 1996-05-23 | 1999-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| US5945241A (en) * | 1996-08-29 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof |
| US6379852B2 (en) | 1996-09-11 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
| US8330161B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-12-11 | Kyocera Corporation | Electronic photosensitive body and manufacturing method for same, as well as image forming apparatus |
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