JPS5821256A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5821256A JPS5821256A JP11960281A JP11960281A JPS5821256A JP S5821256 A JPS5821256 A JP S5821256A JP 11960281 A JP11960281 A JP 11960281A JP 11960281 A JP11960281 A JP 11960281A JP S5821256 A JPS5821256 A JP S5821256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- hydrogenated amorphous
- amorphous silicon
- photoconductive layer
- electrophotographic photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水素化アモルファス炭化ケイ素光導電層を有す
る電子写真感光体に関する。
る電子写真感光体に関する。
電子写真用儂形成部材に於ける光導電層を構成する光導
電材料としては、使用時に於いて、電気的特性が安定で
あること及び耐熱性を有すること更に人体に対して無公
害である事、高感度、高抵抗を有し、視感度にできる限
シ近いスペクトル特性を有することが重要な点である。
電材料としては、使用時に於いて、電気的特性が安定で
あること及び耐熱性を有すること更に人体に対して無公
害である事、高感度、高抵抗を有し、視感度にできる限
シ近いスペクトル特性を有することが重要な点である。
百年ら、従来の電子写真用倫形成部材の光導電層を構成
する材料Ｏ８・、 ０（Ｉｓ、 ＺｎＯ等の無機光導
電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール（ｐｖｘ）、）リ
ニトロフルオレ／（丁Ｍν）等の有機光導電材料（ｏｐ
Ｏ）は、１配の諸条件の総てを水準以上に必ずしも満足
しているとＦｉ断言し―い。
する材料Ｏ８・、 ０（Ｉｓ、 ＺｎＯ等の無機光導
電材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール（ｐｖｘ）、）リ
ニトロフルオレ／（丁Ｍν）等の有機光導電材料（ｏｐ
Ｏ）は、１配の諸条件の総てを水準以上に必ずしも満足
しているとＦｉ断言し―い。
例えば１分光感度領域を広げる為Ｋ Ｔｏ ４’ Ａｓ
＋加えたＢ・系党導１層を有する電子写真用惨形成部
材＃ｉ、ｓｇ度ヤｌｌ＊による電気的特性のｔ化が大き
くＸ光疲労が大きくなる為に複写画像の均−性中安定性
＠０欠叶る欠点を有している。
＋加えたＢ・系党導１層を有する電子写真用惨形成部
材＃ｉ、ｓｇ度ヤｌｌ＊による電気的特性のｔ化が大き
くＸ光疲労が大きくなる為に複写画像の均−性中安定性
＠０欠叶る欠点を有している。
面奄、 Ｂｍ、殊にムｓ、Ｔ・け人体に対して椿めて有
害ｆ）ｉ！！１１度的にも弱いことから、複写画像中に
混入したｉｍｌ写様内に飛散したヤして、人体ＫＩＩ触
する原因となる。
害ｆ）ｉ！！１１度的にも弱いことから、複写画像中に
混入したｉｍｌ写様内に飛散したヤして、人体ＫＩＩ触
する原因となる。
又、Ｓｅ系光導電層は、光導電層として高暗抵抗を保有
する為にアモルファス状＠に形成されるが８・Ｏ結晶化
が６５℃と極めて低い温度で起る為に使用中に１にける
ｍｓ影形成プロセス中他の部材との摩擦熱の影譬を受け
て結晶化を起し、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性
上にも欠点がある。
する為にアモルファス状＠に形成されるが８・Ｏ結晶化
が６５℃と極めて低い温度で起る為に使用中に１にける
ｍｓ影形成プロセス中他の部材との摩擦熱の影譬を受け
て結晶化を起し、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性
上にも欠点がある。
一方、ＺｎＯ，０６８＠を光導電層構成材料として所■
バインダー系党導電層を有する像形成部材は、光導電層
の１気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を決定す
るパラメーターが多く再現性が悪く歩留９の低下を招き
、又湿度依存性が着しく、電気的特性の劣化を来たし、
クリーニング性も良くない。
バインダー系党導電層を有する像形成部材は、光導電層
の１気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を決定す
るパラメーターが多く再現性が悪く歩留９の低下を招き
、又湿度依存性が着しく、電気的特性の劣化を来たし、
クリーニング性も良くない。
本発明はかかる欠点を除去したもので、光導電層として
水素化アモルファス炭化ケイ素を用い。
水素化アモルファス炭化ケイ素を用い。
高感度で耐久性に優れた感光体を提供することを目的と
する。
する。
ア毫ル７アス炭化ケイ素を電子写真感光体光導電層とし
て採用する場合を可視光での光感受性が高いことが要求
される。又、単層構造としてカールソン方式等の感光体
として採用する場合、さらに体積抵抗率が約１０”Ω・
諺以上であることが要求される０本発明の水素化アモル
ファス炭化ケイ素は該水素化アモルファス炭化ケイ素中
に含有される水素濃度を調整する事によシ、前記要求を
十分に満足し得たので、以下実施例に基づいて本発明の
詳細な説明すゐ。
て採用する場合を可視光での光感受性が高いことが要求
される。又、単層構造としてカールソン方式等の感光体
として採用する場合、さらに体積抵抗率が約１０”Ω・
諺以上であることが要求される０本発明の水素化アモル
ファス炭化ケイ素は該水素化アモルファス炭化ケイ素中
に含有される水素濃度を調整する事によシ、前記要求を
十分に満足し得たので、以下実施例に基づいて本発明の
詳細な説明すゐ。
１１１１に本発明の水素化アモルファス炭化ケイ素ｔ）
製造ａｔの蟹略を示す、１０は配管、１１はパｘ７’、
１２Ｆｉパイレックスガラスオたは石英ガラス製のチェ
ンバー、１５ｔｉ高１１ａｌコイル、１４はアルミニウ
ム（＾ｔ）、ニクロム（ＮｉＯｒ）、ニッケル。
製造ａｔの蟹略を示す、１０は配管、１１はパｘ７’、
１２Ｆｉパイレックスガラスオたは石英ガラス製のチェ
ンバー、１５ｔｉ高１１ａｌコイル、１４はアルミニウ
ム（＾ｔ）、ニクロム（ＮｉＯｒ）、ニッケル。
クロム、ステンレス。ガラス、石英、透明電響を蒸着し
たガラス岬のドラム基板を適当な方法によって加熱され
る。１５ｔｊ基板ホルダー、１６Ｆｉ圧力針、１７は基
板ホルダー支持棒で適当な方法で回転する。１８ＦｉＩ
＆５４ＭＨｍｌたＦ１４Ｍ１１ｔｓの高周波嘗澤％ｅＦ
ｉガス、Ｐは排気である０本発明の水素化アモルファス
炭化ケイ素シランは（８１１１，）、メタン（ｏＩＮ、
）、水素（Ｈ，）ｌジボラン（Ｂ、Ｈ、） 、ホヌフイ
ン（ｐＨ，ｋｆｌｌｆ４ｂ＊に応シてマスフロークント
ローラ−により流量調整し、皺チェンバー１２内を断電
の内圧に保ち、１高周波ｆｉｉ［１８より該高周波コイ
ＡＩＢＫ高周波を印加し、＃チェンバー内にグロー放電
′を起こさしめ該ガス群を分解し、所定の’ＩＷＩＫ保
った皺試料ドラム１４上に析出させ得られる。又、８１
Ｂ、 、 ＯＨ，、Ｈ，、Ｂ、１１．、 ＰＨ，＠
はあらかじめ−によって適当に希釈し用いた。以下１！
ＩＫ製作東件を示す。
たガラス岬のドラム基板を適当な方法によって加熱され
る。１５ｔｊ基板ホルダー、１６Ｆｉ圧力針、１７は基
板ホルダー支持棒で適当な方法で回転する。１８ＦｉＩ
＆５４ＭＨｍｌたＦ１４Ｍ１１ｔｓの高周波嘗澤％ｅＦ
ｉガス、Ｐは排気である０本発明の水素化アモルファス
炭化ケイ素シランは（８１１１，）、メタン（ｏＩＮ、
）、水素（Ｈ，）ｌジボラン（Ｂ、Ｈ、） 、ホヌフイ
ン（ｐＨ，ｋｆｌｌｆ４ｂ＊に応シてマスフロークント
ローラ−により流量調整し、皺チェンバー１２内を断電
の内圧に保ち、１高周波ｆｉｉ［１８より該高周波コイ
ＡＩＢＫ高周波を印加し、＃チェンバー内にグロー放電
′を起こさしめ該ガス群を分解し、所定の’ＩＷＩＫ保
った皺試料ドラム１４上に析出させ得られる。又、８１
Ｂ、 、 ＯＨ，、Ｈ，、Ｂ、１１．、 ＰＨ，＠
はあらかじめ−によって適当に希釈し用いた。以下１！
ＩＫ製作東件を示す。
！！１
以下嵌２に８１Ｈ，を５０ ｓｅｃｍ 、 Ｈ，を４５
０ ｍｃｃｍ 。
０ ｍｃｃｍ 。
ＯＨ，を１５ ｓｅａｍの時に基板温度１丁Ｂ）を５０
〜５００℃の間で析出させた水素化アモルファス炭化水
素の光感受性を示す、光感受性はガラス基板上に水素化
アモルファス炭化水素薄膜を前記条件で析出し、鋏薄膜
上にくし形のアル（＝つ五ｔＷを蒸着し、該アルミニウ
ム電極間に電圧を印加し前記薄膜上に可視光を入射する
事によって該薄膜中を流れる電流値より決定した。
〜５００℃の間で析出させた水素化アモルファス炭化水
素の光感受性を示す、光感受性はガラス基板上に水素化
アモルファス炭化水素薄膜を前記条件で析出し、鋏薄膜
上にくし形のアル（＝つ五ｔＷを蒸着し、該アルミニウ
ム電極間に電圧を印加し前記薄膜上に可視光を入射する
事によって該薄膜中を流れる電流値より決定した。
衰 ２
Ｘ・・不良 Δ・・やや良 Ｏ・・良Ｏ・・非１１
に良である。
に良である。
該条件で作成した水素化アモルファス膨化Φケイ素中に
含有される水素１ｍ痩をうずフォードパッタスキャクリ
ング法及び赤外吸収法によって関ぺたところ１ｗＩ光感
受性は水素化アモルファス炭化ケイ素中に含有１れる水
素濃度に敏感ｔあった。
含有される水素１ｍ痩をうずフォードパッタスキャクリ
ング法及び赤外吸収法によって関ぺたところ１ｗＩ光感
受性は水素化アモルファス炭化ケイ素中に含有１れる水
素濃度に敏感ｔあった。
この水嵩一度は前記種々製作条件で変化すゐが、１褒に
示す様に＠に基板温度に敏感である。該水嵩化アモルフ
ァス炭化水素を電子写真感光体の光電層として用いる場
合は、水素濃度を５〜４０原子数パーセント内に納める
のが崎に肝要である。
示す様に＠に基板温度に敏感である。該水嵩化アモルフ
ァス炭化水素を電子写真感光体の光電層として用いる場
合は、水素濃度を５〜４０原子数パーセント内に納める
のが崎に肝要である。
噛た、不純物として周期律褒−ｓｂ族ボロン（ト）。
アル建ニウム（ムｔ）、ガリウム（Ｇａ） 、インジウ
ム（ＸＩｎ）、 タリウム（’ｒｊ）郷を水素化アモル
ファス炭化水素に１Ｄ’〜１０４身子数パーセント、険
は不純物として周期律１ｅａｓｈ族冑素（Ｎｌ、リン（
至）、ヒ嵩（ム・）、アンチモン（ｓｂ） 、 ビス
マス（Ｂｔ）岬ｔｊｋｌｌ化ア毫ルフγス嶽化水素ＫＩ
Ｄ→〜１０４ Ｗ十数パーセット混入する事によって光
感受性が数倍から数ケタ高める事ができ、皺不純物混入
範囲及び―紀水素濃度範囲内で水素化アモルファス炭化
ケイ素を作製する事によって非常に光感受性の高い電子
写真感光体を作製でき、該不純物の混入は非常に有用で
ある。
ム（ＸＩｎ）、 タリウム（’ｒｊ）郷を水素化アモル
ファス炭化水素に１Ｄ’〜１０４身子数パーセント、険
は不純物として周期律１ｅａｓｈ族冑素（Ｎｌ、リン（
至）、ヒ嵩（ム・）、アンチモン（ｓｂ） 、 ビス
マス（Ｂｔ）岬ｔｊｋｌｌ化ア毫ルフγス嶽化水素ＫＩ
Ｄ→〜１０４ Ｗ十数パーセット混入する事によって光
感受性が数倍から数ケタ高める事ができ、皺不純物混入
範囲及び―紀水素濃度範囲内で水素化アモルファス炭化
ケイ素を作製する事によって非常に光感受性の高い電子
写真感光体を作製でき、該不純物の混入は非常に有用で
ある。
＄１１２閣に本実施例の水素化アモルファス膨化水素電
子感光体の断面図を示す、２１は水素化ア峰ルファス脚
化ケイ素、２２は前記基板である。
子感光体の断面図を示す、２１は水素化ア峰ルファス脚
化ケイ素、２２は前記基板である。
該水素化ア毫ル７アス巌化ケイ素は以下ｐｓＫ示す条件
で作製した。
で作製した。
表 ５
壇た、鯖水素化アモルファス屓化ケイ素＃ｉＢ、Ｈ。
Ｋよ抄メロンを３０原子数ｐｐｍ含有させた。また館試
料Ｏ水ｌＩ―度は１０〜２５原子数パーセントｏｓｉｓ
内に＆る。該試料１〜５をコロナ帯電器によって夫々暗
所で帯電しその表面電位表面電位の滅責を暗所１′一定
した。その結果を第３図に示す。
料Ｏ水ｌＩ―度は１０〜２５原子数パーセントｏｓｉｓ
内に＆る。該試料１〜５をコロナ帯電器によって夫々暗
所で帯電しその表面電位表面電位の滅責を暗所１′一定
した。その結果を第３図に示す。
＆は試料１．ｂは試料２、Ｃは試料３を示す０表５に示
す様にメタンガスを増すに従って（試料１から試料５）
表面１位は増加し、水素化アモルファス炭化ケイ素中に
含有する炭素濃度が１ｊ子数パ一セント以上のとき電子
感光体として十分な体積抵抗率を有する。オた。炭素濃
度が５０Ｊｌ［十数パーセント以上のとｔｌは電子感光
体として必要な光感受性を有せず、電子感光体として特
性を満足するＫＦｉ、水素化アモルファス炭化ケイ素中
に含有する水素一度を５〜４０原子数パーセント；巌嵩
−変を１〜４５原子数パ一セント以内にすることが肝要
である。なシ脚素濃度はイオンマイクロブａ−プ質量分
析によって検出した。
す様にメタンガスを増すに従って（試料１から試料５）
表面１位は増加し、水素化アモルファス炭化ケイ素中に
含有する炭素濃度が１ｊ子数パ一セント以上のとき電子
感光体として十分な体積抵抗率を有する。オた。炭素濃
度が５０Ｊｌ［十数パーセント以上のとｔｌは電子感光
体として必要な光感受性を有せず、電子感光体として特
性を満足するＫＦｉ、水素化アモルファス炭化ケイ素中
に含有する水素一度を５〜４０原子数パーセント；巌嵩
−変を１〜４５原子数パ一セント以内にすることが肝要
である。なシ脚素濃度はイオンマイクロブａ−プ質量分
析によって検出した。
第４ｍＫ＊ＳＫ示した試料１〜３を暗所でコロナ帯電１
１４０００ム〜８０００ Ａ の可視光を順次照射し
波長と光電流との関係を示した。ｄけ試料１、・け試料
２、ｆけ試料５を示す、メタンガスを順次増すととによ
シ光電流のピーク波長が短波長側に移に、電子写真＠に
用いる光源によって炭素ＩＩ！＋１゛を適当に制御し、
最適な水素化アモルファス炭化ケイ素を用いれば、非常
に光感度な感光体が得られ有用である。
１４０００ム〜８０００ Ａ の可視光を順次照射し
波長と光電流との関係を示した。ｄけ試料１、・け試料
２、ｆけ試料５を示す、メタンガスを順次増すととによ
シ光電流のピーク波長が短波長側に移に、電子写真＠に
用いる光源によって炭素ＩＩ！＋１゛を適当に制御し、
最適な水素化アモルファス炭化ケイ素を用いれば、非常
に光感度な感光体が得られ有用である。
本実施例においては、Ｂｉ Ｈ４，ＯＨａ 、 Ｈ冨、
Ｂｔ胸のガスを用いたが、Ｂｉ＆の代わりにダイシラン
（８１，１１）、弗化シラン（８１Ｆ＋）、ジクロロシ
ラン（８１Ｈ雪Ｏｔ冨）、ＯＨ４の代わ〉にエタン（Ｃ
雪Ｈ・）、ブーパン（Ｏｓｌｉ・）、エチレン（０冨Ｅ
４）、プロピレン（０吐・）テトラメチルシラン（８１
（（Ｈａ）４） 岬を用いても同様な効果が得られた
。
Ｂｔ胸のガスを用いたが、Ｂｉ＆の代わりにダイシラン
（８１，１１）、弗化シラン（８１Ｆ＋）、ジクロロシ
ラン（８１Ｈ雪Ｏｔ冨）、ＯＨ４の代わ〉にエタン（Ｃ
雪Ｈ・）、ブーパン（Ｏｓｌｉ・）、エチレン（０冨Ｅ
４）、プロピレン（０吐・）テトラメチルシラン（８１
（（Ｈａ）４） 岬を用いても同様な効果が得られた
。
意見ＷＲＫよれば水素化アモルファス訳化ケイ素中に含
有する水素濃度を５〜４０ｇ−７１１１パーセント、炭
素濃度を１〜４５原子数パー竜ントに納める事によって
高感度な電子写真感光体が得られ有用である。
有する水素濃度を５〜４０ｇ−７１１１パーセント、炭
素濃度を１〜４５原子数パー竜ントに納める事によって
高感度な電子写真感光体が得られ有用である。
ｗ４１図は本発明の水素化アモルファス膨化ケイ素の製
造装曾の概略図である。− 蒙２１１１Ｆｉ本発明による実施例の水素化アモルファ
ス炭化ケイ素電子写真感光体の断面図である・第３５１
１＃′１表面電位の時間便化である。 Ｍ４図は光電流の波長依存性を示した図である。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第２ＵＡ 時間 第３図 第４図
造装曾の概略図である。− 蒙２１１１Ｆｉ本発明による実施例の水素化アモルファ
ス炭化ケイ素電子写真感光体の断面図である・第３５１
１＃′１表面電位の時間便化である。 Ｍ４図は光電流の波長依存性を示した図である。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第２ＵＡ 時間 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） グロー放電分解法により生成される水素化ア
モルファス炭化ケイ素光導電層を有することを特徴とす
る電子写真感光体。 （２） 前記水素化アモルファス炭化ケイ素の組成比
を４０〜９０原子数パーセントケイ素、１〜４５厚子数
パーセント炭素５〜４０原子数パーセント水素とするこ
とを特徴とする特許請求の範１１項記載の電子写真感光
体。 （蜀 前記水素化アモルファス炭化ケイ素に、周期律褒
＊ｓｂ族の元素を混入することを特徴とする特許請求の
範１１項又は第２項記載の電子写真感光体。 （４） 前記水素化アモルファス炭化ケイ素に、周期
律費１１５ｂ族の元素を混入することを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は＃１２項記載の電子写真感光体。 （５） 前記水素化アモルファス炭化ケイ素光導電層
は基板温度１００℃〜４５０℃の下で形成されたもので
あゐ事を特徴とする特許請求の範囲第１項。 鮪２項、＃５項あるいは館４項のいずれかに記載の電子
写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11960281A JPS5821256A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11960281A JPS5821256A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821256A true JPS5821256A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14765451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11960281A Pending JPS5821256A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821256A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPH01315758A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-12-20 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP11960281A patent/JPS5821256A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPH01315758A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-12-20 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
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