JPS62195672A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野の説明〕 本発明は光（ここでは広義の光であって紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意味する。）のような電磁
波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関する
。

〔従来の技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における光
受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ
比〔光電流（Ｉ　ｐ）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ル特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値
を有すること、使用時において人体に対して無公害であ
ること、等の特性が要求される。殊に、事務機としてオ
フィスで使用される電子写真装置内に組込まれる電子写
真用光受容部材の場合には、上記の使用時における無公
害性は重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ−３ｉと表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用光受容部材としての
応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−３ｔで構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的、光学的、光導電的特性および使用
環境特性の点、更には経時的安定性および耐久性の点に
おいて、各々、個々には特性の向上が計られているが、
総合的な特性向上を計る上で更に改良される余地が存す
るのが実情である。

たとえば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来にお
いてはその使用時において残留電位が残る場合が度々観
測され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄精が起こって、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な
点が少なくなかった。

また、Ａ−３ｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
あるいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子、およ
び電気的伝導型の制御のために硼素原子や燐原子などが
或いはその他の特性改良のために他の原子が、各々構成
原子として光導電層中に含有されるが、これらの構成原
子の含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的あ
るいは光導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があっ
た。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、或いは、転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ
」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思われる
画像欠陥や、クリーニングにブレードを用いると、その
摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云われている
画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿雰囲気中で使
用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した直後に
使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少なくな
かった。

従ってＡ−５ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記したようなｌＷｌ顕
の総てが解決されるように層構成、各層の化学的組成９
作成法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述のごときＡ−３ｉで構成された従来の光
受容層を有する電子写真用光受容部材における諸問題を
解決することを目的とするものである。

即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光導電
的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的に常
時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際して
も劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位
が全くかまたは殆んど観測されない、Ａ−３ｉ及び多結
晶シリコンで構成された光受容層を有する電子写真用光
受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間における密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、Ａ−
Ｓｔ及び多結晶シリコンで構成された光受容層を有する
電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真月光受験部材として
適用させた場合、静電像形成のたグの帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり。

通常の電子写真法が極めて有効に適用され得ｉ優れた電
子写真特性を示す、Ａ−５ｉ及び多艇晶シリコンで構成
された光受容層を有する電９写真用光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の別の目的は、長期の使用において面像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが群間
に出て、且つ解像度の高し゛高品質画像を得ることが容
易にできる、電子）真用のＡ−３ｉ及び多結晶シリコン
で構成された光受容層を有する光受容部材を提供するこ
とにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、ＭＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する。Ａ−３ｉ及び多結晶シリコ
ンで構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の電子写真用光受容部材は、支持体と、該支持体
上に窒素原子、酸素原子、炭素原子の少なくとも１つと
シリコン原子を構成要素として含む多結晶材料で構成さ
れる密着層とシリコン原子を母体とし、水素原子、及び
ハロゲン原子の少なくともいずれか一方を構成要素とし
て含む非晶質材料で（以後ｒＡ−３ｔ（Ｈ。

Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性を示す光導１
！層と、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを構成要
素として含む多結晶材料で構成されている表面層とから
成る光受容層とを有する事を特徴としている。

又、前記表面層にはハロゲン原子が含有されてもよく、
更に前記光導電層には炭素原子。

酸素原子、窒素原子の中の少なくとも１種類の原子を含
有してもよい。

又、前記光導電層と支持体の間に炭素原子。

鹸素原子、窒素原子及び伝導性を制御する物質の少なく
ともいずれか１つと水素原子及びハロゲン原子の少なく
ともいずれか一方とシリコン原子とを構成要素として含
む非晶質材料又は多結晶材料で構成され、支持体からの
電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層を設けても良い、
その結果、帯電特性の改善を計り、さらに良好な充電特
性を有するが比較的低抵抗なＡ−３ｉ（Ｈ、Ｘ）で構成
される光導電層を用いることも可能になった。

さらに前記光導電層又は前記電荷注入阻止層と支持体と
の間に、シリコン原子とゲルマニウム原子を含有する非
晶質材料で構成された長波長光に感度を有する長波長光
感光層を設けても良い。その結果、殊に半導体レーザに
対する光感度に優れ、且つ光応答が速い電子写真用光受
容部材とすることができた。

又、前記電荷注入阻止層及び長波長光感光層中に含有さ
れる。炭素原子、ｓ′素原子、窒素原子及び伝導性を制
御する物質の少なくともいずれか１つと長波長光感光層
中に含有されるゲルーー＾Ｉ百ヱＩ↓Ｃノ庚１ｔ−１−
イ偏Ｍ士血ノー佑−Ｉ−分布しても良いし、又、不均一
に分布しても良い。

上記したような層構成を取るようにして設計された本発
明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており高感度、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性、＃湿性９酎圧性
に長ける為に、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て
、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定して繰返し得
ることができる。

以下１図面に従って本発明の光導電部材に就で詳細に説
明する。

第１−１図及び第１−２図は、本発明の電子写真用光受
容部材の層構成を説明するために模式的に示しｆ−模式
的構成図である。

４χ　ｌ−１１ｉＷ　あ　１メ　墳　１−９　Ｍ　じ　
千　＋雷　−−７７宵　田光受容部材１００は、光受容
部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が
設けられており、該光受容層１０２は、窒素原子、酸素
原子、炭素原子の少なくとも１つとシリコン原子を含む
多結晶材料で構成される密着層とＡ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）か
ら成り、光導電性を有する光導電層１０３と、シリコン
原子と、炭素原子と水素原子とを構成要素とする多結晶
材料で構成されている表面層１０４とからなる層構成を
有する。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１．Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属またはこ
れ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙などが通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ＡＭ
、ＣｒｌＭｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｉ　ｎ２０３．５ｎ０２．　ＩＴＯ（Ｉｎ２
０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによって
導電性が付与され、或゛いはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａ！１．Ａｇ、
Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉ　ｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。支持体の形状としては１円
筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によっ
て、その形状は決定されるが、例えば、連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
、支持体の厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材が
形成される様に適宜決定されるが、電子写真用光受容部
材として可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が十分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。しかしながら、この様な場合、支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から１通常は１０ル以上
とされる。

特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行な
う場合には、可視画像において現われる、所謂、干渉縞
模様による画像不良を解消するために、支持体表面に凹
凸を設けてもよい。

第３図は、凹凸形状を有する支持体１５０１上にその凹
凸の傾斜面に沿って光受容層１５００を備えた光受容部
材を示している。第３図に於いて１５０２−１は密着層
、１５０２−２は光導電層、１５０３は表面層である。

この時、自由表面１５０４と光受容層１５００中に形成
される界面における傾斜の程度が異なるため、自由表面
１５０４並びに光受容層１５００中に形成される界面で
の反射光の反射角度が各々異なる。

従って、いわゆるニュートンリング現象に相当するシェ
アリング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されると
ころとなる。これによりこうした光受容部材を介して現
出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮りに現出され
たとしても、それらは視覚的にはとらえられない程度の
ものとなる。即ち、かくなる表面形状を有する支持体の
使用は、その上に多層構成の光受容層を形成してなる光
受容部材にあって、該光受容層を通過した光が、層界面
及び支持体表面で反射し、それらが干渉することにより
、形成される画像が縞模様となることを効率的に防止す
る。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体をあらかじめ所望に従
って設計されたプログラムに従って回転させながら規則
的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を正
確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さ
で形成される。この様な切削加工法によって形成される
凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の
中心軸を中心にした螺線構造を有する。逆Ｖ字形突起部
のａ線構造は、二飯、三重の多重螺線構造、又は交叉螺
線描造とされても差支えない。

或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿った連線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第２図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい、これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で１．を発明の目的を結果的に達成出来る様に設定され
る。

即ち、第１は光受容層を構成するＡ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）層
は、層形成される表面の状態に構造敏感であって、表面
状態に応じて層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）層の層品質の低下を招来し
ない様に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョン
を設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると１画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００Ｂｍ　
〜０．３ｇｍ、より好ましくは２００ｐｍ〜１４ｍ、最
適には５０ｇ、ｍ〜５ｇｍであるのが望ましい。

また、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１給ｍ〜５
ｐｍ、より好ましくは０．３ｐｍ〜３ｐｍ、最適には０
．６ｇｍ〜２１Ｌｍとされるのが望ましい、支持体表面
の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹
部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１
度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４
度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基〈層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくはＯ０
１μｍ〜２Ｂｍ、より好ましくはＯ，１４ｍ−１，５ｐ
ｍ、最適には０．２ｇｍ〜ｌｐｍとされるのが望ましい
。

又、レーザー光などの可干渉性光を用いた場合の干渉縞
模様による画像不良を解消する別の方法として、支持体
表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよ
い。

即ち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求される
解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。

以下に１本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状及びその好適な製造例を第４図及び第５図
により説明するが、本発明の光受容部材における支持体
の形状及びその製造法は、これによって限定されるもの
ではない。

第４図は、本発明の電子写真用光受容部材における支持
体の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を
部分的に拡大して模式的に示すものである。

第４図において１６０１は支持体、１６０２は支持体表
面、１６０３は剛体真珠、１６０４は球状痕跡窪みを示
している。

更に第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい製
造方法の１例をも示すものである。

即ち、剛体真珠１６０３を支持体表面１６０２より所定
の高さの位置より自然落下させて支持体表面１６０２に
衝突させることにより、球状窪み１６０４を形成し得る
ことを示している。

そして、はぼ同一径Ｒ′の剛体真珠１６０３を複数個用
い、それらを同一の高さｈより、同時あるいは逐時、落
下させることにより、支持体表面１６０２に、はぼ同一
曲線半径Ｒ及び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み１
６０４を形成することができる。

前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状の形成された支持体の典型例を第５図に示す、１
７０１は支持体、１７０２は凹凸部の凸部表面、１７０
３は剛体真球、１７０４は凹部の表面を示す。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒ及び幅りは
、こうした本発明の光受容部材における干渉縞の発生を
防市する作用効果を効率的に達成するためには重要な要
因である６本発明者らは、各種実験を重ねた結果以下の
ところを究明した。即ち、曲率半径Ｒ及び幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。更に次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうした事から、光受容部材の全体に発生する干渉縞を
各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材における干
渉縞の発生を防止するためには、前記賛を０．０３５　
、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

又、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００牌
ｍ程度、好ましくは２００ルｍ以下、より好ましくは１
００４ｍ以下とするのが好ましい。

里」Ｌ層 本発明における密着層は窒素原子、酸素原子、炭素原子
の少なくとも１つとシリコン原子と必要に応じて水素原
子とハロゲン原子の少なくとも一方とを含有する多結晶
材料で構成される。さらに前記密着層は構成原子として
伝導性を制御する物質を含有してもよい。

すなわち、支持体と電荷注入阻止層との密着性を向上さ
せることが該層の主たる目的である。又、伝導性を制御
する物質を該層に含有させることにより、支持体と電荷
注入阻止層との間の電荷の輸送を一層効率よく行なうこ
とが可能になる。

該層に含有される窒素原子、酸素原子、炭素原子の少な
くとも１つと必要に応じて該層に含有される水素原子、
ハロゲン原子の少なくとも一方と伝導性を制御する物質
はいずれも該層中に万偏無く均一されても良いし、或い
は層厚方向に不均一な分布状態で分布していてもよい。

本発明において、形成される密着層中に含有される炭素
、酸素又は窒素の量は所望に応じて適宜決定されねばな
らなか、好ましくは０、　ＯＯＯ５〜７０原子％、より
好適には０．００１〜５０原子％、最適には０．００２
〜３０原子％とされるのが望ましい。

密着層の層厚は密着性、電荷の輸送効率。

生産効率を考慮し適宜状められるが、好ましく０、０１
〜ｌ　Ｏｐ、　ｍ　、より好適には０．０２〜５７ｔｍ
とされるのが望ましい。

密着層中に含有される水素原子の量又はハロゲン原子の
量又は水素原子とハロゲン原子の量の和は好ましくはＯ
８１〜７０原子％、より好ましくは０．５〜５０原子％
、最適には１．０〜３０原子％とされるのが望ましい。

本発明の密着層は多結晶材料で構成されるため、構造配
列的に緻密で安定であり、該層上に形成される光導電層
あるいは長波長光感光層との密着性が飛躍的に改善され
た。その結果、耐久性、特に耐久時の画像欠陥の増加は
ほとんど認められなくなった。

本発明に於いて、その目的を効果的に達成する為に、支
持体上に形成され、光受容層の一部を構成する光導電層
は下記に示す半導体特性を有し、照射される光に対して
光導電性を示すＡ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される。

■　ｐ型Ａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　−−−アクセプターの
みを含むもの。或いはドナーとアクセプターとの両方を
含み、アクセプターの相対的濃度が高いもの。

■　ｐ−型Ａ−Ｓ　ｉ　　（）Ｉ　、　Ｘ）　−−一■
のタイプに於いてアクセプターの濃度（Ｎ　ａ）が低い
か、又はアクセプターの相対的濃度が低いもの。

Ｃ３）ｎ型Ａ−Ｓ　ｉ　　（Ｈ、Ｘ）　−−−ドナーの
みを含むもの、或いはドナーと７クセプターの両方を含
み、ドナーの相対的濃度が高いもの。

■　ｎ−型Ａ−５ｉ　　（Ｈ、Ｘ）　−−一■のタイプ
に於いてドナーの濃度（Ｎｄ）が低いか、又はアクセプ
ターの相対的濃度が低いもの。

（＄　　１ｆｆｉＡ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）−−−Ｎａ：Ｎｂ
二〇のもの又は、Ｎａ二Ｎｄのもの。

本発明に於いて、光導電層中に含有されるハロゲン原子
（Ｘ）として好適なのはＦ、Ｃ１゜Ｂｒ、Ｉであり、殊
にＦ、Ｃ１が望ましいものである。

本発明に於いて、密着層、光導電層及び必要に応じて電
荷注入阻止層を形成するには、例えばグロー放電法、マ
イクロ波放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレ
ーティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によっ
て成される。例えば、グロー放電法によって層を形成す
るには、基本的にはシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得
るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にＡ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）又は多結晶シ
リコンからなる層を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でＳｔで構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれ
ば良い。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、Ｓｉ４Ｈ１０
等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で５ｉＨ
ａ、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くの／＼ロゲン化合物が挙げら
れ１例えばノ＼ロゲンガス、／＼ロゲン化物、ハロゲン
間化合物、ノ＼ロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス又、更には、シリコン原子とハロゲン
原子とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、
ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして本発
明に於いては挙げることが出来る。

本発明に於いて好適に使用し得る／＼ロゲン化合物とし
ては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣｆＬＦ。

ＣｌＦ３．ＢｒＦ５．ＢｒＦ３．ＩＦ３゜ＩＦ７．ＩＣ
１，ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る
。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ＼ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
５ｉＦａ、Ｓｉ２Ｆ６．ＳｉＣ交４．ＳｉＢｒ４等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る
。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用し成要素として含むＡ−Ｓｉ：Ｈ又は多
結晶シリコンから成る層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む層を製造す
る場合、基本的にはＳｉ供給用の原料ガスであるハロゲ
ン化硅素ガスとＡｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして密着層、光導電層及び電荷注入阻１ヒ層を形成
する堆積室内に導入し、グロー放電を生起してこれ等の
ガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、所定の
支持体上に密着層、光導電層及び電荷注入阻と層を形成
し得るものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等
のガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガスを所定量
混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってＡ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）又は多結晶シリコンから成る
層を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には
Ｓｉから成るターゲットを使用して、これを所定のガス
プラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーテ
ィング法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコ
ンを蒸発源として蒸着ポートに収容し、このシリコン蒸
発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法ＣＥＢ
法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプ
ラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される府中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２，或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明に於いては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｈｌ等（７）　ハロゲン化水素、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃｕ２゜Ｓｉ８０Ｍ
３．５ｉＨ２Ｂｒ２．’５ｔＨＢｒ３等のハロゲン置換
水素化硅素１等々のガス状態の或いはガス化し得る、水
素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な密
着層、光導電層及び電荷注入阻止層形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形成の際に
層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので１
本発明に於いては好適なハロゲン導入用の原料として使
用される。

水素原子を層中に構造的に導入するには、上Ｖ　　Ｍ　
　／市　ｔｆ　　阿　つ　　　ｉν　い　ｌ±　Ｓ　　
ｉ　　Ｍ　　ａ　　−Ｓ　　ｉ　　９　　Ｈｆ　　。

５ｉ３ＨＢ、５ｉ４）（１０等の水素化硅素のガスをＳ
ｔを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｔメタ−
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉり゛
−ゲットをスパッタリングする事によって、基板上にＡ
−５ｔ（Ｈ，Ｘ）又は多結晶シリコンから成る層が形成
される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ２Ｈ６等のガス
を導入してやることも出来る。

本発明に於いて、形成される電子写真用光受容部材の密
着層、光導電層及び電荷注入阻と層中に含有される水素
原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原
子とハロゲン原子の量の和は好ましくは１〜４０原子％
、より好適には５〜３０原子％とされるのが望ましい。

層中に含有される水素原子（）Ｉ）又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度又は
／及び水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン原子（Ｘ）を
含有させる為に使用される出発物質の体積装置系内へ導
入する量。

放電電力等を制御してやれば良い。

本発明に於て、密着層、光導電層又は電荷注入阻止層を
グロー放電法又はスパッタリング法で形成する際に使用
される稀釈ガスとしては、所謂稀ガス、例えばＨｅ、Ｎ
ｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げる事が出来る。

光導電層の半導体特性を■〜くΦの中の所望のものとす
るには、又、密着層や電荷注入阻止層中に伝導性を制御
する物質を含有させる場合には、該層形成の際に、ｎ型
不純物又は、ｐ型不純物、或いは両不純物を形成される
層中にその量を制御し乍らドーピングしてやる事によっ
て成される。その様な不純物としては、ｐ型不純物とし
て周期律表第ｍ族に属する原子、例えば、Ｂ、ＡＭ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｔ文等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不
純物としては１周期律表■族に属する原子、例えば、Ｎ
、Ｐ、Ａｓ。

Ｓｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ
、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。

本発明に於いて所望の伝導型を有する為に光導電層中に
ドーピングされる不純物の量は、所望される電気的、光
学的特性に応じて適宜決定されるが１周期律表第■族の
不純物の場合は３Ｘ１０−３原子％以下の量範囲でドー
ピングしてやれば良く、周期律表Ｖ族の場合には５×１
０−３原子％以下の量範囲でドーピングしてやれば良い
。

本発明において密着層及び電荷注入阻止層中に含有され
る第■族原子又は第Ｖ族原子の含有量としては、本発明
の目的が効果的に達成される様に所望に従って適宜法め
られるが、好ましくは３Ｘ１０−３〜５原子％、より好
ましくは５Ｘ　Ｉ　Ｏ−３〜１原子％、最適にはｌＸｌ
０−２〜０．５原子％とされるのが望ましいものである
。

密着層、光導電層及び電荷注入阻と層中に不純物をドー
ピングするには、層形成の際に不純物導入用の原料物質
をガス状態で堆積室中に密着層、光導電層及び電荷注入
阻止層を形成する主原料物質と共に導入してやれば良い
、この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧
でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用されるのが望ましい。

その様な不純物導入用の出発物質として具体的には、Ｐ
Ｈ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３　、ＰＦｓ　。

ＰＣｌ３．ＡＳＨ３、ＡｇＦ２　、ＡｓＦ５　。

ＡｓＣｕ３．ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．ＳｂＦ５゜ＢｉＨ３
、ＢＦ３　、ＢＣＣ２０ＢＢｒ３．５２Ｈ６，Ｂ４１１
０．Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１゜ＢｅＨｌｏ、Ｂｓ）Ｉｔ２
．ＢｅＨｔａ、ＡｉＣ見３゜ＧａＣｌ３　、Ｉ　ｎｃＪ
１３　、Ｔ文ｃ１３等を挙げる事が出来る。

′！！：着層、着層電光導電層荷注入阻止層に、炭素原
子、＃素原子、窒素原子の中央なくともＩＪｌｉｔｒ＜
の百２ル存に増静スＬψｌ斗　碗＝ＪＪ　　Ｎ門−放電
法で形成する場合には、炭素原子、ｍ素原子、窒素原子
の中、少なくとも１種の元素を含有する化合物を密着層
、光導電層及び電荷注入阻止層を形成する原料ガスと共
に内部を減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内
でグロー放電を生起させて密着層、光導電層及び電荷注
入阻止層を形成すればよい。

その様な炭素原子導入用の原料となる炭素原子含有化合
物としては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素
数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチ
レン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブ
タン（ｎ−Ｃ４Ｈｔｏ）。

ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては
、エチレン（Ｃ２Ｈａ）　　、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）
、ブテン−１（ＣａＨ８）、ブテン−２（ＣａＨｓ）、
インブチレン（Ｃ４ＨＲ）、ペンテン（Ｃ５Ｈ＋ｏ）、
アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）。

メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブｆン（Ｃ４Ｈｓ）等
が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＨ３）　４．Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ４）４等のケイ化
アルキルを挙げる事が出来る。

酸素原子導入用の原料となる酸素原子含有化合物として
は、例えば酸素（０２）、−酸化炭素（Ｃｏ）、二酸化
炭素（ＣＯ２）、−酸化窒素、二酸化窒素、等が挙げら
れる。

又、窒素原子導入用の原料となる窒素原子含有化合物と
しては、例えば、窒素（Ｎ２）、−酸化炭素、二酸化窒
素、アンモニア等が挙げられる。

又１例えば密着層、光導電層及び電荷注入阻止層をスパ
ッタリング法で形成する場合には、所望の混合比とし、
例えば、（Ｓｉ＋５ｉ３Ｎ４）、（Ｓｉ＋５ｉＣ）又は
（Ｓｉ＋５ｉ０２）なる成分で混合成形したスパッター
用のターゲットを使用するか、Ｓｔウニｌ＼−とＳｉ３
Ｎ４ウェハーの二枚、ＳｉウェハーとＳｉＣウェハーの
二枚、又はＳｉウェハーとＳ　＋０２ウエハーの二枚の
ターゲットを使用して、スパッタリングを行うか、又は
炭素を含んだ化合物のガス、窒素を含んだ化合物のガス
、又は酸素を含んだ化合物のガスを、例えばＡｒガス等
のスパッター用のガスと共に堆積室内に導入して、Ｓｉ
又はターゲットを使用してスパッタリングを行って密Ｓ
層、光導を層及び電荷注入阻止層を形成すれば良い。

本発明に於いて、形成される光導電層中に含有される炭
素、酸素または窒素の量は、形成される電子写真用光受
容部材の特性を大きく左右するものであって、所望に応
じて適宜決定されねばならないが、好ましくはｏ、ｏｏ
ｏｓ〜３０原子％、より原子軸はｏ、ｏｏｉ〜２０原子
％。

最適には０．００２〜１５原子％とされるのが望ましい
。

本発明において密着層及び電荷注入阻止層中に含有され
る酸素原子又は／及び窒素原子の含有器又は両者の和と
しては１本発明の目的が効果的に達成される様に所望に
従って適宜法められるが好ましくは０．０　Ｏｌ〜５０
原子％、より好ましくは０．　ＯＯ２〜４０原子％、最
適には０、００３〜３０原子％とされるのが望ましい。

密着層、光導電層及び電荷注入阻止層を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であって、本発明に於いては、目的
とする特性を有する密着層、光導電層及び電荷注入阻止
層が所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明における目的が効果的に達成される為の密着層を
形成する際の支持体温度としては、密着層の形成法に併
せて適宜最適範囲が選択されて、密着層の形成が実行さ
れるが、好ましくは２００℃〜７００℃、より好適には
２５０　’Ｃ！〜６００℃とされるのが望ましい。

又、本発明における目的が効果的に達成される為の光導
電層１０３及び電荷注入阻止層を形成する際の°支持体
温度としては光導電層１０３及び電荷注入阻止層の形成
法に併せて適宜最適範囲が選択されて、光導電層１０３
及び電荷注入阻止層の形成が実行されるが、好ましくは
５０℃〜３５０℃、より好適には１００℃〜３００℃と
されるのが♀ましいものである。密着層、光導電層１０
３及び電荷注入阻止層の形成には１層を構成する原子の
組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事などの為に、グロー放電法やスパッタ
リング方の採用が有利であるが、これ等の層形成法で密
着層、光導電層及び電荷注入阻止層を形成する場合には
、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、
ガス圧が作成される密着層、光導電層及び電荷注入阻止
層の特性を左右する重要な因子の１つである。

本発明における目的が達成されるた、めの特性を有する
密着層が生産性良く効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくは１００〜５００Ｗ、より好
適には２００〜２０００Ｗとされるのが望ましい、堆積
室内のガス圧は好ましくは１（１３〜０．８　Ｔ　ｏ　
ｒ　ｒ、より好適には５Ｘ　ｌ　Ｏ−３〜０．５Ｔｏ　
ｒ　ｒ程度とされるのが望ましい。

本発明における目的が達成される為の特性を有する光導
電層１０３及び電荷注入阻止層が生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては、好ましくはｔｏ
−ｉｏｏｏｗ、より好適には２０〜ｓ　ｏ　ｏｗとされ
るのが望ましい。堆積室内のガス圧は、好ましくは０．
０１〜ＩＴｏｒｒ、より好適には０．１−０．５Ｔｏｒ
ｒ程度とされるのが望ましい。

本発明に於いては、密着層、光導電層及び電荷注入阻止
層を作成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、これ等
の層作成ファクターは、独立的に別々に決められるもの
ではなく、所望特性の密着層光導電層及び電荷注入阻止
層が形成される様に相互的有機的関連性に基づいて、各
層形成ファクターの最適値が決められるのが望°ましい
。

光導電層の層厚は、所望のスペクトル特性を有する光の
照射によって発生されるフォトキャリアが効率良く輸送
される様に所望に従って適宜法められ、好ましくは１〜
１００．、より好適には２〜５０濤とされるのが望まし
い。

必要に応じて設けられる電荷注入阻止層の層厚は好まし
くは０．０１〜１０ｇ、好適には０．１〜５濤とされる
のが望ましい。

本発明においては、前記電荷注入阻止層と前記支持体と
の間に、シリコン原子とゲルマニウム原子を含有し、長
波長光に感度を有する非晶質材料で構成された長波長光
感光層を設けてもよい。

さらに前記長波長光感光層中に層厚方向に均一に又は不
均一な分布状態で炭素原子、酸素原子、窒素原子及び伝
導性を制御する物質の少なくともいずれか１つを含有し
てもよい。

該層を設けることにより１本発明の電子写真用光受容部
材は全可視域において光感度が高く、殊に半導体レーザ
とのマツチングに優れ、且つ光地答性が向上した。

又、該層中に炭素原子、酸素原子、窒素原子のいずれか
１つを含有させる事により該層と支持体又は／及び該層
と電荷注入阻止層との密着性及び該層のバンドギャップ
の調整が図られる。

さらに、該層中に伝導性を制御する物質を含有させるこ
とにより、支持体からの電荷注入阻止、もしくは光励起
された電荷の輸送効率の向上が図られる。

グロー放電法によってシリコン原子とゲルマニウム原子
を含有する非晶質材料で構成される長波長光感光層を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｔ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、ゲルマニウム原子（
Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応
じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されである所定の支持体表面上に層を形
成させれば良い、又、スパッタリング法で形成する場合
には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲット、或いは、該ターゲットとＧｅで構成され
たターゲットの二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混
合されたターゲットを使用して、必要に応じて、Ｈｅ、
Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを
、必要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って成される。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、５ｉａＨ１０
等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類
）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に１層作
成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
４゜Ｓ　ｉ　２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ５。

Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ５Ｈ１２，ＧｅＨ１４，Ｇｅ７Ｈ１
６，Ｇｅ１３Ｈ１９，Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｇｅ供給効率の良さ等の点Ｔ、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、
Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、長波長光感光層を形成する場合には、ハロゲン原子
導入用の原料ガスとしてハロゲン化合物或はハロゲンを
含む硅素化合物が有効なものとして使用されるものであ
るが、その他に、ＧｅＨＢｒ３　　、ＧｅＨ２Ｆ２．Ｇ
ｅＨ３Ｆ、ＧｅＨＣｌ　　３　、ＧｅＨ２ＣＪｌ　　２
　、ＧｅＨ３ＣＪｌ。

ＧｅＨＢｒ３　　、ＧｅＨＢｒ３．ＧｅＨＢｒ３ＧｅＨ
Ｉ３　、ＧｅＨＢｒ３．ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン
化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素に１つとする
ハロゲン化物、ＧｅＦ４゜Ｇｅ０文、ＧｅＢｒ４．Ｇｅ
Ｉ４．ＧｅＦ２　。

Ｇｅ４Ｈ１０、ＧｅＢｒ２　、ＧｅＩ２等（７）　ハロ
ゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或はガス化し得
る物質も有効な長波長光感光層形成用の出発物質として
挙げる事が出来る。

本発明において長波長光感光層中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜法められるが、シリコン
原子との和に対して、好ましくは１〜１ＯＸ１０５ａｔ
　ｏｍｉ　ｃｐｐｍ、好ましくは１００〜９．５Ｘ１０
５ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、最適には５００〜８×１０
５１０５ａｔｏ　　ｐｐｍとされるのが望ましい。

前記、長波長光感光層はさらに伝導性を制御する物質、
酸素原子窒素原子のうち少なくとも１つを含有してもよ
い。

本発明において、長波長光感光層中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、好ましくは０．０
１〜５ｘｔｏｓａｔ　ａｎｔ　ｃｐｐｍ、より好ましく
は０．５〜ｌＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　　ＰＰｍ、最適に
は１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが
望ましいものである。

長波長光感光層中に含有される窒素原子（Ｎ）の量、ま
たは酸素原子（０）の量または窒素原子とｆｌ＃素原子
の量の和（Ｎ　＋　０）は好ましくはｏ、ｏｉ〜４０原
子％、より好ましくは０．０５〜３０原子％最適には０
．１〜２５原子％とされるのが望ましい。

本発明における目的が効果的に達成される為の支持体温
度は、適宜最適範囲を選択するが非晶質材料で構成され
る長波長感光層を形成する場合、好ましくは５０℃〜３
５０℃、より好適には１００℃〜３００℃とするのが望
ましい。

本発明における長波長光感光層の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に
比較して容易であることから、グロー放電法やスパッタ
リング法の採用が望ましいが、これ等の層形成法で長波
長感光層を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に、層の形成の際の放電パワー、ガス圧が作成される長
波長光感光層の特性を左右する重要な要因である。

本発明の目的を達成しうる特性を有する長波長感光層、
を生産性良く効率的に作成するに当っては、放電パワー
条件について、非晶質材料で構′成される長波長光感光
層を形成する場合、好ましくは１０〜１００ＯＷ、より
好適には２０〜５００Ｗとするのが望ましく、また、堆
積室内のガス圧については、非晶質材料で構成される長
波長光感光層を形成する場合、好ましくは０．０１〜１
Ｔｏｒｒ、より好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度と
するのが望ましい。

本発明においては、長波長光感光層を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは１
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する長波長光感光層を形成すべく、相互的且つ
有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値
を決めるのが望ましい。

本発明において長波長光感光層の層厚は、好ましくは、
３０人〜５０ｐ、より好ましくは４０人〜４０　ｇｍ、
最適には５０人〜３０ｐｍとされるのが望ましい。

光導電層上に形成される表面層は、自由表面を有し、主
に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性使用環境
特性、耐久性に於て本発明の目的を達成する為に設けら
れる。

表面層は、シリコン原、子と炭素原子と水素原子とで構
成される多結晶材料で形成される。

表面層１０４の形成はグロー放電法、スパッタリング法
、イオンインプランテーション法、イオンブレーティン
グ法、エレクトロンビーム法等によって成される。これ
等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製
造規模、作成される電子写真用光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望する特性を有する電子写真用光受容部材を製造する為
の作成条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と
共に炭素原子及び水素原子を作成する表面層中に導入す
ることが容易に行える等の利点からグロー放電法或いは
スパッタリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層を形成しても良
い。

グロー放電法によって表面層を形成するには、原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、
導入されたガスをグロー放電を生起させることでガスプ
ラズマ化して前記支持体上に既に形成されである光導電
層上に表面層を堆積させれば良い。

本発明に於いて表面層形成用の原料ガスとしては、Ｓｉ
　、Ｃ，Ｈの中の少なくとも１つを構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈの中の１つとしてＳｉを構成原子とする原
料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、Ｓｔを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或はＳｉを構成原子とする原料ガスと
、Ｓｔ　、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。

又、別にはＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣを
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて１表面層形成用の原料ガスとして有効に
使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする５ｉＨａ
、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ３。

５ｉａＨ１ｏ等のシラｙ（Ｓｉｕａｎｅ）類等の水素化
硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられ
る。

具体的゛には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨａ
）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３ＨＢ）、ｎ−
ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、
エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、
プロピレン（Ｃ３Ｈ６）。

ブテン−１（ＣａＨ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）。

イソブチレン（Ｃ４Ｈｓ）、ペンテン（ＣｓＨｔｏ）。

アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈａ）。

ブチン（ＣａＨｓ）等が挙げられる。

ＳｔとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈａ）　４等のケイ化アル
キルを挙げる事が出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も有効なものとして使
用される。

スパッタリング法によって表面層１０４を形成するには
、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェーハー
又はＳｔとＣが混合されて含有されているウェーハーを
ター°ゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でス
パッタリングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハー
をスパッタリングすれば良い。

又、別にはＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又は
ＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用することに
よって、少なくとも水素原子を含有するガス雰囲気中で
スパッタリングすることによって成される。

Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスが、スパッタリングの場合にも
有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、表面層１０４をグロー放電法又はスパ
ッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとして
は、所謂φ希ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ等を好適な
ものとして挙げることが出来る。

本発明における表面層は、その要求される特性が所望通
りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、Ｃ及びＨを構成原子とする物質はその作成
条件によって構造的にＪよ結晶からアモルファスまでの
形態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を各々示すので、本発明に於いては、
目的に応じた所望の特性を有する表面層が形成される様
に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される
。

即ち、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを構成要素
として含む多結晶材料で構成される表面層を形成するこ
とにより、表面層中の欠陥濃度が減少し、又、構造配列
的に緻密で安定となるため自由表面からの電荷の注入に
対する阻止能が向上し、さらに欠陥による電荷のトラッ
プに起因する残留電位やゴーストなどが減少し、電子写
真特性が向上した。さらに１表面層の硬度がアップし、
＃久性が飛躍的に向上した。

光導電層の表面に表面層を形成する際、層形成中の支持
体温度は、形成される層の構造及び特性を左右する重要
な因子であって、本発明に於いては、目的とする特性を
有する表面層が所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於る目的が効果的に達成される為の表面層を形
成する際の支持体温度としては表面層の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、表面層の形成が実行される
が、好ましくは５０℃〜３５０℃、より好適には１００
℃〜３００　’Ｃとされるのが望ましいものである０表
面層の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制
御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
などの為に、グロー放電法やスパッタリング法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で表面層を形成する場
合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パ
ワー、ガス圧が作成される表面層の特性を左右する重要
な因子の１つである。

本発明における目的が達成されるための特性を有する表
面層が生産性良く効果的に作成されるための放電パワー
条件としては、好ましくは１００〜５０００Ｗ、好適に
は２００〜２０００Ｗとされるのが望ましい、堆積室内
のガス圧は好ましくはｌＸｌ０−３〜０．８、好適には
５ｘｔｏ−３〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされるのが望まし
い。

本発明に於いては、表面層を作成する為の支特休温度、
放電パワーの望ましい数値範囲として前記した範囲の値
が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは、独立的
に別々に決められるものではなく、所望特性の多結晶材
料から成る表面層が形成される様に相互的有機的関連性
に基いて、各層形成ファクターの最終値が決められるの
が望ましい。

未発明の電子写真用光受容部材における表面層に含有さ
れる炭素原子及び水素原子の量は、表面層の作製条件と
同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表
面層が形成される重要な因子である。

本発明における表面層に含有される炭素原子の量はシリ
コン原子と炭素原子の総量に対して好ましくはｌＸｌ０
−３〜９０原子％、より好適には１０〜８０原子％とさ
れるのが望ましいものである。水素原子の含有量として
は、構成原子の総量に対して好ましくはｌ　Ｘ　１０−
３〜７０原子％、より好適にはｌＸｌ０−２〜６０原子
％、とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量
がある場合に形成される光受容部材は、実際面に於いて
従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るも
のである。

すなわち、シリコン原子と水素原子と炭素原子を含む多
結晶材料で構成される表面層内に存在する欠陥（主にシ
リコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写
真用光受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知
られ、例えば自由表面からの電荷の注入による帯電特性
の劣化、使用環境１例えば高い湿度のもとで表面構造が
変化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電
時や光照射時に光導電層より表面層に電荷が注入し、前
記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることによる繰
り返し使用時の残像現象等があげられる。

しかしながら表面層をシリコン原子と炭素原子と水素原
子とを含む多結晶材料にすることで表面層中°の欠陥が
大幅に減少し、その結果、前記の問題点は全て解消し、
殊に従来のに較べて電気的特性面及び高速連続使用性に
於いて飛躍的な向上を図ることが出来る。

表面層中の水素含有量は、Ｈ２ガスの流量、支持体温度
、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。

又、更に表面層中にはハロゲン原子を含有させてもよい
。表面層中にハロゲン原子を含有させる方法として、例
えば原料ガスにＳｉＦ４゜５ｉＦＨ３、Ｓｉ２Ｆ６．５
ｉＦ３ＳｉＨ３。

５ｉＣＪ１ａｉのハロゲン化シリコンガスを混合させる
か、又は／及びＣＦ４．ＣＣｌ４　。

ＣＨ３ＣＦ３等のハロゲン化炭素ガスを混合させてグロ
ー放電分解法またはスパッタリング法で形成すればよい
。

本発明における層厚の数値範囲は、本発明の目的を効果
的に達成する為の重要な因子の１つである。

本発明における表面層の層厚の数値範囲は、本発明の目
的を効果的に達成する様に所期の目的に応じて適宜所望
に従って決められる。

又、表面層の層厚は、光導電層の層厚との関係に於いそ
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。更
に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点に
於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於る表面層の層厚としては、好ましくはＯ，Ｏ
Ｏ３〜３０体、より好適には０．００４〜２０ＪＬ、最
適にはＯ，ＯＯ５〜ｌＯルとされるのが望ましいもので
ある。

本発明における電子写真用光受容部材の光受容層の層厚
としては、目的に適合させて所望に従って適宜決定され
る。

本発明に於いては、光受容層の層厚としては、光受容層
を構成する光導電層と表面層に付与される特性が各々有
効に活されて本発明の目的が効果的に達成される様に光
導電層と表面層との層厚関係に於いて適宜所望に従って
決められるものであり、好ましくは、表面層の層厚に対
して光導電層の層厚が数百〜数千倍以上となる様にされ
るのが好ましいものである。

具体的な値としては、好ましくは３〜１００鉢、より好
適には５〜７０ｇ、最適には５〜５０、の範囲とされる
のが望ましい。

次にグロー放電分解法によって形成される光導電部材の
製造方法について説明する。

第６図にグロー放電分解法による電子写真用光受容部材
の製造装置を示す。

図中の１１０２．１１０３，１１０４．１１０５．１１
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その１例として１例え
ば、１１０２は５ｉＨａガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ。

１１０３はＢ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．
９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／Ｈ２と略す、）ボンベ、１１
０４はＳ　ｉ　２Ｈ６ガス（純度９９゜９９％）ボンベ
、１１０５はＢ２ガス（純度９９、９９９％）ボンベ、
１１０６はＣＨ４ガスボンベである。

これらのガスを反応室１ｔｏｉに流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉゛じられていることを確認し
、又、流入バルブ１１１２〜１１１６．流出バルブ１１
１７〜１１２１、補助バルブ１１３２〜１１３３が開か
れていることを確認して先ずメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１．ガス配管内を排気する。次に真空
計１１３６の読みが約５ＸＩＯ−８Ｔｏｒｒになった時
点で、補助バルブ１１３２〜１１３３、流出バルブ１１
１７〜１１１２を閉じる。

基体シリンダー１１３７上に光受容層を形成する場合の
１例を挙げると、ガスボンベ１１０２よりＳｉＨ４ガス
、ガスポンベ１１０３よりＢ２Ｈ６／Ｂ２ガス、バルブ
１１２２゜１１２３を開いて出口圧ゲージ１１２７　。

１１２８の圧をＩ　Ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ　２に調節し、
流入パル’；）’１１１２．１１１３を徐々に開けて、
マスフロコントローラ１１０７．ＬＬＯＢ内に流入させ
る。引き続いて流出バルブ１１１７゜１１１８、補助バ
ルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０
１に流入させる。こｃ７）とｆｆの５ｉＨａガス流量、
Ｂ　２　Ｈ６／　Ｈｅガス流量の比が所望の値になるよ
うに流出バルブＬＬ１７．１１１８を調整し５、又、反
応室内の圧力が所望の値になるよう真空計１１３６の読
みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒーター１
１３８により５０〜３５０℃の温度に設定されているこ
とを確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定し
て反応室１１０１内にグロー放電を生起させ基体シリン
ダー上の光導電層を形成する。

光導電層中にハロゲン原子を含有される場合には、上記
のガスに例えば５ｉＦａガスを更に付加して反応室１１
０１内に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る０例えば５ｉＨａガスの代り
にＳｉ２Ｈ６ガスを用いて層形成を行なえば、数倍高め
ることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された光導電層上に表面層を形成す
るには、先導ＭＩＮの形成の際と同様なバルブ操作によ
って、例えばＳｉＨ４ガス。

Ｃ）（ａガス、及び必要に応じてＢ２等の稀釈ガスを、
所望の流量比で反応室１１０１中に流し、所望の条件に
従ってグロー放電を生起させることによって成される。

表面層中の含有される炭素原子の量は例えば、５ｉＨａ
ガスと、ＣＨ４ガスの反応室１１０１内に導入される流
量比を所望に従って任意に変えることによって、所望に
応じて制御することが出来る。

又、表面層中に含有される水素原子の量は例えば、Ｂ２
ガスの反応室１１０１内に導入される流量を所望に従っ
て任意に変えることによりて、所望に応じて制御するこ
とができる。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じる事は言う迄もなく、又。

夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反
応室１１０１内、流出八ルブ１１１７〜１１２１から反
応室１１０１内に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ補助バルブ
１１３２を開いてメインバルブ１１３４を全開して系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体シリンダー１１３７は、モータ１１３９によって所
望される速度で一定に回転させる。

〈実施例１〉 第６図の製造装置を用い、第１表の作製条件に従って鏡
面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容
部材を形成した。又、第６図と同型の装置を用い、同一
仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの及び密
着層のみを形成したものを分析用サンプルとして夫々別
個に用意した。光受容部材（以後ドラムと表現）の方は
、電子写真装置にセットして１種々の条件のもとに、初
期の帯電能、残留電位、ゴースト等の電子、写真特性を
チェックし、又、１５０万枚実機耐久後の帯電能低下、
感度劣化９画像欠陥の増加を調べた。更に、３５°ｃ、
８５％の高温・高湿雰囲気中でのドラムの画像流れにつ
いても評価した。そして、評価の終了したドラムは、画
像部の上・中令下に相当する部分を切り出し、ＳＩＭＳ
を利用して表面層中に含まれる水素の定量分析に供した
。又１表面層及び密着層のみのサンプルの方は、サンプ
ルの母線方向の上・中・下に相当する部分を切り出し後
、Ｘ線回折装置にて回折角２７°付近の５ｉ（１１１）
に対応する回折パターンを求め、結晶性の有無を調べた
。上記の評価結果及び表面層中の水素含有量、さらに表
面層と密着層の結晶性の有無を総合して第２表に示す。

第２表に見られる様に、特に初期帯電能１画像流れ、残
留電位、ゴースト、画像欠陥１画像欠陥の増加の各項目
について著しい優位性が認められた。

く比較例１〉 作製条件を第３表のように変えた以外は、実施例１と同
様の装置、方法でドラム及びサンプルを作成し、同様の
評価・分析に供した。その結果を第４表に示す。

第４表にみもれる様に、実施例１と比べて諸々の項目に
ついて劣ることが認められた。

〈実施例２〉 第６図の製造装置を用い、第５表の作製条件に従って鏡
面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容
部材を形成した。又、第６図と同型の装置を用い、同一
仕様のシリンダー上に表面層のみを形成したもの及び密
着層のみを形成させたものを分析用サンプルとしてそれ
ぞれ別個に用意した。光受容部材（以後ドラムと表現）
の方は、電子写真装置にセットして、種々の条件のもと
に初期の帯電能、残留電位。

ゴースト等の電子写真特性をチェックし、又、１５０万
枚実ＪａＩＴＩ＋久後の帯電能低下、感度劣化１画像欠
陥の増加を調べた。更に、３５°Ｃ１８５％の高温・高
湿雰囲気中でのドラムの画像流れについても評価した。

そして、評価の終了したドラムは、画像部の上・中・下
に相当する部分を切り出し、ＳＩＭＳを利用して表面層
中に含まれる水素の定量分析に供し、又、電荷注入阻止
層中の層厚方向でのホウ素（Ｂ）、酸素（０）の成分プ
ロファイルを調べた。一方、表面層のみ及び密着層のみ
のサンプルの方は、サンプルの母線方向の上・中・下に
相当する部分を切り出し後、Ｘ線回折装置にて回折角２
７゜付近の５ｔ（ｉｌｌ）に対応する回折パターンを求
め、結晶性の有無を調べた。上記の評価結果及び表面層
中の水素含有量さらに表面層と密着層の結晶性の有無を
総合して第６表に示す。

又、上記電荷注入阻止層中の当該元素の成分プロシアイ
ルを第９図に示す。第６表に見られる様に、特に初期帯
電能、残留電位、ゴースト。

画像流れ１画像欠陥１画像欠陥の増加の各項目について
著しい優位性が認められた。

〈実施例３（比較例２）〉 表面層の作製条件を第７表に示す数種の条件に変え、そ
れ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラムおよび
表面層のみを形成した分析用サンプルを用意した。これ
らのドラムおよびサンプルを実施例１と同様の評価Φ分
析にかけた結果、第８表に示すような結果を得た。

〈実施例４〉 光導電層の作製条件を第９表に示す数種の条件に変え、
・それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のドラムを
用意した。これらのドラムを実施例１と同様の評価にか
けた結果、第１０表に示すような結果を得た。

〈実施例５〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラム及び電荷注入阻止層：層のみを形成させたサンプル
を用意した。これらのドラム及び分析用サンプルを実施
例１と同様の評価・分析にかけた結果、第１２表に示す
ような結果を得た。

〈実施例６〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１３表に示す数種の条件
に゛変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数の
ドラム及び電荷注入阻止層のみを形成させたサンプルを
用意した。これらの１ラム及び分析用サンプルを実施例
１と同様の評価・分析にかけた結果、第１４表に示すよ
うな結果を得た。

〈実施例７〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１５表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラム及び電荷注入阻止層のみを形成させたサンプルを用
意した。これらのドラム及び分析用サンプルを実施例１
と同様の評価−分析にかけた結果、第１６表に示すよう
な結果を得た。

〈実施例８〉 電荷注入阻止層の作製条件を第１７表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラム及び電荷注入阻止層のみを形成させたサンプルを用
意した。これらのドラム及び分析用サンプルを実施例１
と同様の評価Φ分析にかけた結果、第１８表に示すよう
な結果を得た。

〈実施例９〉 長波長光感光層の作製条件を第１９表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラムを用意した。これらのドラムを実施例１と同様の評
価にかけた結果、第２０表に示すような結果を得た。

〈実施例１０＞ 長波長光感光層の作製条件を第２１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１と同様の条件にて複数のド
ラムを用意した。これらのドラムを実施例１と同様の評
価にかけた結果。

第２２表に示す様な結果を得た。そして、評価の終了し
たＮｏ、１００２のドラムを画像部の上・中Φ下に相当
する部分を切り出し、ＳＩＭＳを利用して長波長光感光
層の層厚方向でのゲルマニウム（Ｇｅ）の成分プロファ
イルを調べた。その結果を第１０図に示す。

〈実施例１１＞ 基体シリンダー上に第２３表に示す数種の作製条件のも
とで、密着層を形成し、更にその土に実施例１と同様の
作製条件のもとで光受容部材を形成した。これと別に密
着層のみを形成させたサンプルを用意した。光受容部材
の方は、実施例１と同様の評価にかけ、又、サンプルの
方は、一部を切り出し、Ｘ線回折装置にて回折角２７°
付近の５ｉ（１１１）に対応する回折パターンを求め結
晶性の有無を調べた。

以上の結果を第２４表に示す。

〈実施例１２〉 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
バイトによる旋盤加工に供し、第７図のような断面形状
で第２５表のような種々の断面パターンを持つシリンダ
ーを複数本用意した。該シリンダーを順次第６図の製造
装置にセットし、実施例１と同様の作製条件の基にドラ
ム作製に供した０作製されたドラムは、７８０ｎｍの波
長を有する半導体レーザーを光源としたデジタル露光機
能の電子写真装置により１種々の評価を行い、第２６表
の結果を得た。

〈実施例１３＞ 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング用法の落下の基にさらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生ぜしめる。所謂表面ディンプル化処理を施
し、第８図のような断面形状で第２７表のような種々の
断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。該シ
リンダーを順次第６図の製造装置にセットし、実施例１
と同様の作製条件の基にドラム作製に供した０作成され
たドラムは、７８０ｎｍの波長を有する半導体レーザー
を光源としたデジタル露光機能の電子写真装置により、
種々の評価を行い、第２８表の結果を得た。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は、　Ａ−Ｓ　ｔ　（Ｈ、Ｘ）で構
成された光導電層を有する電子写真用光受容部材の層構
成を前述のごとき特定の層構成としたことにより、Ａ−
３ｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における
諸問題を全て解決することができ、特に極めて噸れた耐
温性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性および耐久性等を有するものである。又、残留電位の
影響が全くなく、その電気的特性が安定しており、それ
を用いて得られる画像は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出る等、すぐれた極めて秀でたものとなる。

特に本発明における電子写真用光受容部材において、す
なわち、シリコン原子と炭素原子と水素原子とを構成要
素として含む、多結晶材料で構成される表面層を形成す
ることにより、表面層中の欠陥濃度が減少し又、構造配
列的に緻密で安定となるため自由表面からの電荷の注入
に対する阻止能が向上し、さらに欠陥による電荷のトラ
ップに起因する残留電位やゴーストなどが減少し、電子
写真特性が向よした。さらに、表面層の硬度がアップし
、耐久性が飛躍的に向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第５図は支持体表
面の凹凸形状及び該凹凸形状を作製する方法を説明する
ための模式図、第６図は本発明の電子写真用光受容部材
の光受容層を形成するための装置の一例でグロー放電法
による製造装置の模式的説明図である。第７図及び第８
図は夫々本発明の一実施例の断面形状を示す説明図であ
る。第９図及び第１Ｏ図は層中に含有される各分子の分
布状態を説明する説明図である。 第１−１図、第１−２図について。 １００−−−−−−−一−−−電子写真用光受容部材、
１０１−−−−−−−−−−一支特体、１０２−−−−
−−−−−−一光受容層、１０３−−−−−−−−−−
一光導電層、ｌ　Ｏ４−−−−−−−−−−一表面層。 １０５−−−−−−−−−−一自由表面、１０６−−−
−−−−−−−−長波長光感光層、１０７−−−−−−
−−−−−電荷注入阻止層。 第３図について。 １５００−−−−−−−−一光受容層、１５０１−−−
−−−−−一支特体、 １５０２−−−−−−−−一光導電層、１５０３−−−
−−−−〜−一表面層 １５０４−−−−−−−−一自由表面。 第４図、第５図について １６０１　、　ｌ　７０１−−−−−一支特体、１６０
２．１７０２−−−−−一支持体表面。 １６０３．１７０３−−−−−一剛体真球。 １６０４．１７０４−−−−−一球状朕跡窪み。 第６図について ｉ　ｔ　ｏ　ｔ−−−−−−−−−−−−−−一反応室
、１１０２〜１１０６−−−−−ガスボンベ、１１０７
〜１１１１−−−−−マスフロコントローラ、 １１１２〜１１１６−−−−−流人バルブ。 １１１７〜ｌ　ｌ　２１−−−−一流出バルブ、１１２
２〜１１２８−−−−−パルプ。 １１２７〜１１３１−−−−一圧力調整器、１１３２．
１１３３−−一−−補助バルブ、１１３４−−−−−−
−−−一−−−〜−メインバルブ、１１３５〜−一−−
−−−−−−−−−−リークバルブ。 １１３６−−−−−−−−−−−−−−−真空計、ｌ　
Ｌ　３７−−−−−−−−−−−−−−−基体シリンダ
ー、ｔ　ｔ　３　ａ−−−一−−−−−−−−−−−加
熱ヒーター、１１３９−−−−−−−−−−−−−−−
モーター。 １１４０−−−−−−−−−一−−−−−高周波電源。 ｌり０３ ／’７０４Ｌ ￥ｇｃＪＪ βｑ庁（ｐｍ） 胛ヴ 手続ｆｔｆｆ正書（自発） １、事件の表示 昭和６１年特許願第　３７７６０号 ２、　４５？！１０１１の名称 容 電子写真用光受舟部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）　　キャノン株式会社代表者　賀　　来　　龍　三　
部 ４、代理人 居所　〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２キャノ
ン株式会社内（？１を話７５８−２１１１）５、補正の
対象 明細書 ６、補正の内容 （１）明細書の第９６頁第４行と同頁第５行の間に以下
の文を挿入する。 容

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と該支持体上に窒素原子、酸素原子、炭素
   原子の少なくとも１つとシリコン原子を構成要素として
   含む多結晶材料で構成される密着層と、シリコン原子を
   母体とし、水素原子およびハロゲン原子の少なくともい
   ずれか一方を構成要素として含む非晶質材料で構成され
   、光導電性を示す光導電層と、シリコン原子と炭素原子
   と水素原子とを構成要素として含む多結晶材料で構成さ
   れている表面層とを有する光受容層とを有する事を特徴
   とする電子写真用光受容部材。
2. （２）前記表面層にハロゲン原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の電子写真用光受容部材。
3. （３）前記光導電層に、炭素原子、酸素原子、窒素原子
   の中の少なくとも１種類を含有する特許請求の範囲第１
   項および第２項に記載の電子写真用光受容部材。
4. （４）前記光導電層と前記支持体の間に炭素原子、酸素
   原子、窒素原子及び伝導性を制御する物質の少なくとも
   いずれか１つとシリコン原子とを構成要素として含む非
   晶質材料又は多結晶材料で構成される電荷注入阻止層を
   有することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
   項に記載の電子写真用光受容部材。
5. （５）前記光導電層又は前記電荷注入阻止層と支持体の
   間にシリコン原子とゲルマニウム原子を含有し、長波長
   光に感度を有する非晶質材料で構成された長波長光感光
   層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
   第４項に記載の電子写真用光受容部材。