JPS6159451A - 光電導絶縁要素の製造方法 - Google Patents
光電導絶縁要素の製造方法Info
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- JPS6159451A JPS6159451A JP60180597A JP18059785A JPS6159451A JP S6159451 A JPS6159451 A JP S6159451A JP 60180597 A JP60180597 A JP 60180597A JP 18059785 A JP18059785 A JP 18059785A JP S6159451 A JPS6159451 A JP S6159451A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、一般に電子写真、特にドープされた水素化無
定形珪素の層を含有する光電導性絶縁要素に関する。さ
らに詳細には、本発明は導電性支持体、その支持体上の
バリヤー層およびバリヤー層上のドープされた水素化無
定形珪素の層からなる特に広い動的露光範囲を与えるの
に適した光電導絶縁要素の改良製造方法に関する。
定形珪素の層を含有する光電導性絶縁要素に関する。さ
らに詳細には、本発明は導電性支持体、その支持体上の
バリヤー層およびバリヤー層上のドープされた水素化無
定形珪素の層からなる特に広い動的露光範囲を与えるの
に適した光電導絶縁要素の改良製造方法に関する。
光電導性要素は、暗所では絶縁性であるがしかし放射線
に露光されると導電性になる光電導性物質の層を担持し
た導電性支持体を含んでいる。そのような要素を用いて
画像を形成する普通の技術は、要素の表面に静電荷を均
一に帯電させ、次いでその表面を放射線に像状露光する
ことである。
に露光されると導電性になる光電導性物質の層を担持し
た導電性支持体を含んでいる。そのような要素を用いて
画像を形成する普通の技術は、要素の表面に静電荷を均
一に帯電させ、次いでその表面を放射線に像状露光する
ことである。
光電導層が照射された領域では、可動性電荷キャリヤー
が発生して要素の表面に移動し、そこで表面電荷を散逸
させる。これによって非照射域に静電潜像と呼ばれる電
荷パターンが残る。この静電潜像は次いでそれが形成さ
れた表面上でかあるいはそれを転写した他の表面で検電
性マーキング粒子を含有する液体または乾式現像剤組成
物を適用して現像することが出来る。これらの粒子は帯
電領域に選択的に引きつけられて付着するかあるいは帯
電領域によって反撥され非帯電領域に選析的に付着する
。マーキング粒子のパターンはそれらの粒子が付着した
表面に定着させることが出来あるいはそれらの粒子を他
の表面に転写してそこに定着させることが出来る。
が発生して要素の表面に移動し、そこで表面電荷を散逸
させる。これによって非照射域に静電潜像と呼ばれる電
荷パターンが残る。この静電潜像は次いでそれが形成さ
れた表面上でかあるいはそれを転写した他の表面で検電
性マーキング粒子を含有する液体または乾式現像剤組成
物を適用して現像することが出来る。これらの粒子は帯
電領域に選択的に引きつけられて付着するかあるいは帯
電領域によって反撥され非帯電領域に選析的に付着する
。マーキング粒子のパターンはそれらの粒子が付着した
表面に定着させることが出来あるいはそれらの粒子を他
の表面に転写してそこに定着させることが出来る。
光電導性要素は、光導電性物質を含有する単一の活性層
を含むことが出来るか、または多重活性層を含むことが
出来る。多重活性層を持つ要素（時にはマルチ活性要素
と呼ばれる）は、少なくとも１つの電荷発生層および少
なくとも１つの電荷輸送層を有する。電荷発生層は可動
電荷キャリヤーを発生させることにより放射線に応答し
、電荷輸送層は電荷キャリヤーの要素の表面への移動を
容易にし、その表面で電荷キャリヤーは光の当った領域
で均一な静電荷を散逸させ、静電潜像を形成させる。
を含むことが出来るか、または多重活性層を含むことが
出来る。多重活性層を持つ要素（時にはマルチ活性要素
と呼ばれる）は、少なくとも１つの電荷発生層および少
なくとも１つの電荷輸送層を有する。電荷発生層は可動
電荷キャリヤーを発生させることにより放射線に応答し
、電荷輸送層は電荷キャリヤーの要素の表面への移動を
容易にし、その表面で電荷キャリヤーは光の当った領域
で均一な静電荷を散逸させ、静電潜像を形成させる。
シランガスＳｉＨ４のグロー放電分解による無定形珪素
（以下α−Ｓｉと呼ぶ）の薄膜の製造は以前から知られ
てｂる〔たとえば、Ｒ，Ｃ、チティック（ＣｈｌｔＮｃ
ｋ） 、Ｊ、Ｈ，アレキサンダー（Ａｌｅｘａｎｄｅｒ
）及びＨ，Ｆ、スターリング（Ｓｔｅｒｌｉｎｇ）。
（以下α−Ｓｉと呼ぶ）の薄膜の製造は以前から知られ
てｂる〔たとえば、Ｒ，Ｃ、チティック（ＣｈｌｔＮｃ
ｋ） 、Ｊ、Ｈ，アレキサンダー（Ａｌｅｘａｎｄｅｒ
）及びＨ，Ｆ、スターリング（Ｓｔｅｒｌｉｎｇ）。
ジェーーエレクトロヶムーソシ９（Ｊ、Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｅｈｅｍ。
ｅｈｅｍ。
Ｓｏｃ、）１１６，７７、（１９６９）およびＲ，Ｃ。
（１９７ｏ）］。これら薄膜の導電率および導電形は、
結晶半導体の場合と同様に適当な元素をドープすること
によって変えることが出来ることも知られている〔たと
えば、ｗ、Ｅ、スベーア−（Ｓｐｅａｒ）及びＰ、Ｇ、
レコーパーＬｅＣｏｒｎｂｅｒ） 、ソさらに、原子水
素の存在はこれら物質の電気的および光学的特性に大き
な役割を演じることも広く認識されており〔たとえば、
Ｍ、Ｈ，プロトスキイしたがって、いわゆる「水素化無
定形珪素」（以下α−Ｓｉ（Ｈ）と呼ぶ）の薄膜の特性
および用途に現在広く関心が持たれている。
結晶半導体の場合と同様に適当な元素をドープすること
によって変えることが出来ることも知られている〔たと
えば、ｗ、Ｅ、スベーア−（Ｓｐｅａｒ）及びＰ、Ｇ、
レコーパーＬｅＣｏｒｎｂｅｒ） 、ソさらに、原子水
素の存在はこれら物質の電気的および光学的特性に大き
な役割を演じることも広く認識されており〔たとえば、
Ｍ、Ｈ，プロトスキイしたがって、いわゆる「水素化無
定形珪素」（以下α−Ｓｉ（Ｈ）と呼ぶ）の薄膜の特性
および用途に現在広く関心が持たれている。
電子写真の分野は、α−Ｓｉ （Ｈ）の薄膜の利用に現
在広く関心がある分野である。今日までの所、当業界で
は、電子写真法で使用するのに適した真正および（また
は）ドープα−８Ｉ （Ｈ）の薄膜を含む種々の光電導
性要素が開示されている（とこで、「ドープα−８Ｉ
（Ｈ）層」とはｎ−形またはｐ−形にするのに十分な程
度まで１種以上の元素をドープされた水素化無定形珪素
の層を云う）。真正および（または）ドープα−８ｔ（
Ｈ）の層を含有する光導電性絶縁要素について記載して
いる多くの特許の中に次のものがある： 米国特許第４，２２５，２２２号（１９８０年９月３０
日付）米国特許第４，２６５．９９１号（１９８１年５
月５日付）米国特許第４．３５９．５１２号（１９８２
年１１月１６日付）米国特許第４，３５９，５１４号（
１９８２年１１月１６日付）米国特許第４，３７７．６
２８号（１９８３年３月２２日付）米国特許第４．４０
３，０２６号（１９８３年９月６日付）米国特許第４．
４０９，３０８号（１９８３年１０月１１日付）米国特
許第４．４４３，５２９号（１９８４年４月１７日付）
米国特許第４，４６１，８１９号（１９８４年７月２４
日付）〔発明が解決しようとする問題点〕 潜像の形成に必要な放射線を決定する先受容体特性は、
量子効率、厚さ、誘電率、およびトラッピングの存在で
ある。トラッピングを無視出来る最も簡単な場合、露光
量は次のように表わすことが出来る： ここで、Ｅは露光量エルグ／ ｃＪ 、 εは相対誘電
率、Ｌは厚さく７）、ｅは電荷ｅｓｕ、λは波長ｎｍ
、φは量子効率、Ｋは５．２ Ｘ １０−”に等しい定
数、ΔＶは画像領域とバックグラウンド領域間の電圧差
Ｖ、−Ｖ、である。１を越えることが出来ない量子効率
は吸収されて自由電子−正孔対を生じる入射光子の割合
を表わす。
在広く関心がある分野である。今日までの所、当業界で
は、電子写真法で使用するのに適した真正および（また
は）ドープα−８Ｉ （Ｈ）の薄膜を含む種々の光電導
性要素が開示されている（とこで、「ドープα−８Ｉ
（Ｈ）層」とはｎ−形またはｐ−形にするのに十分な程
度まで１種以上の元素をドープされた水素化無定形珪素
の層を云う）。真正および（または）ドープα−８ｔ（
Ｈ）の層を含有する光導電性絶縁要素について記載して
いる多くの特許の中に次のものがある： 米国特許第４，２２５，２２２号（１９８０年９月３０
日付）米国特許第４，２６５．９９１号（１９８１年５
月５日付）米国特許第４．３５９．５１２号（１９８２
年１１月１６日付）米国特許第４，３５９，５１４号（
１９８２年１１月１６日付）米国特許第４，３７７．６
２８号（１９８３年３月２２日付）米国特許第４．４０
３，０２６号（１９８３年９月６日付）米国特許第４．
４０９，３０８号（１９８３年１０月１１日付）米国特
許第４．４４３，５２９号（１９８４年４月１７日付）
米国特許第４，４６１，８１９号（１９８４年７月２４
日付）〔発明が解決しようとする問題点〕 潜像の形成に必要な放射線を決定する先受容体特性は、
量子効率、厚さ、誘電率、およびトラッピングの存在で
ある。トラッピングを無視出来る最も簡単な場合、露光
量は次のように表わすことが出来る： ここで、Ｅは露光量エルグ／ ｃＪ 、 εは相対誘電
率、Ｌは厚さく７）、ｅは電荷ｅｓｕ、λは波長ｎｍ
、φは量子効率、Ｋは５．２ Ｘ １０−”に等しい定
数、ΔＶは画像領域とバックグラウンド領域間の電圧差
Ｖ、−Ｖ、である。１を越えることが出来ない量子効率
は吸収されて自由電子−正孔対を生じる入射光子の割合
を表わす。
従来公知の電子写真法では、ΔＶは典型的には４００−
５００Ｖである。ｆｆ ＝ ３．０、λ＝５００ｎｍお
よびＬ−１０ｃｒｎの典型的な値を仮定すると、上記式
から１１．８〜１４．７エルグ／ ｃＡの電光エネルギ
ーが予知される。これ罠よってトラッピングが存在せず
、吸収された放射線に基づくものであると考えられる。
５００Ｖである。ｆｆ ＝ ３．０、λ＝５００ｎｍお
よびＬ−１０ｃｒｎの典型的な値を仮定すると、上記式
から１１．８〜１４．７エルグ／ ｃＡの電光エネルギ
ーが予知される。これ罠よってトラッピングが存在せず
、吸収された放射線に基づくものであると考えられる。
実際、放射線は完全に吸収されず、したがって露光量は
大きくなる。したがって、大抵の光受容体は静電像の形
成に２０−１００エルグ／ ｃ＝Ａの露光量を必要とす
る。これらは０．１〜０．０２のＡＳＡ等級に相当する
。これに対して、常用のハロゲン化銀写真では潜像の形
成に必要な露光量は１０−２〜１０−１エルグ／ ｃ４
またはそれ以下の範囲であり、したがって、電子写真の
放射線感度は、常用のノ・ロダン化銀写真より少なくと
も１０ 倍だけ小さい。
大きくなる。したがって、大抵の光受容体は静電像の形
成に２０−１００エルグ／ ｃ＝Ａの露光量を必要とす
る。これらは０．１〜０．０２のＡＳＡ等級に相当する
。これに対して、常用のハロゲン化銀写真では潜像の形
成に必要な露光量は１０−２〜１０−１エルグ／ ｃ４
またはそれ以下の範囲であり、したがって、電子写真の
放射線感度は、常用のノ・ロダン化銀写真より少なくと
も１０ 倍だけ小さい。
電子写真感度の他に、電子写真法で光電導絶縁要素を使
用することに関して重要なパラメーターは、露光ラチチ
ーード、またはしばしば呼ばれるように動的露光域であ
る。光受容体の応答を特徴づける通常の方法は、ある初
期電位ｖｏに対して露光放射線の対数に対して表面電位
をプロットすることである。露光量の対数は再生すべき
画像の光学濃度を表わすので、Ｖ−１ｏｇＥ曲線の直線
部分は表面電位によって画像を忠実に再生することが出
来る光学濃度の範囲を与える。この露光範囲は普通動的
範囲として記載される。動的範囲を越える光学濃度の範
囲からなる画像は、光受容体表面電位によって正確に再
生することが出来ない。
用することに関して重要なパラメーターは、露光ラチチ
ーード、またはしばしば呼ばれるように動的露光域であ
る。光受容体の応答を特徴づける通常の方法は、ある初
期電位ｖｏに対して露光放射線の対数に対して表面電位
をプロットすることである。露光量の対数は再生すべき
画像の光学濃度を表わすので、Ｖ−１ｏｇＥ曲線の直線
部分は表面電位によって画像を忠実に再生することが出
来る光学濃度の範囲を与える。この露光範囲は普通動的
範囲として記載される。動的範囲を越える光学濃度の範
囲からなる画像は、光受容体表面電位によって正確に再
生することが出来ない。
このため、光受容体動的範囲は電子写真法における臨界
パラメーターである。
パラメーターである。
動的範囲を評価する普通の方法は、常用の写真で用いる
技術を基礎としている。この技術は下記工程からなる： （１）ある初期電位ｖｏに対して露光放射線の対数に対
して表面電位（ボルト）をプロットし、Ｖ−１ｏｇ Ｅ
曲線を得る。
技術を基礎としている。この技術は下記工程からなる： （１）ある初期電位ｖｏに対して露光放射線の対数に対
して表面電位（ボルト）をプロットし、Ｖ−１ｏｇ Ｅ
曲線を得る。
（２）次に、曲線の微分係数を測定し、同じ露光軸にプ
ロットする。微分係数はビル）／１ｏｇＥの単位として
表わし、コントラストγとして定義する。
ロットする。微分係数はビル）／１ｏｇＥの単位として
表わし、コントラストγとして定義する。
（３）次に、動的露光範囲（単位はｌｏｇＢ）を初期電
位ｖｏ対最大コントラストγｍａｘの比として定義する
。
位ｖｏ対最大コントラストγｍａｘの比として定義する
。
このように定義すると、動的露光域の実験値は、光受容
体表面電位によって正確に再生出来る光学濃度の範囲に
きわめて近似したものになる。
体表面電位によって正確に再生出来る光学濃度の範囲に
きわめて近似したものになる。
最大コントラストラ制御する基本的現象は量子効率の電
界依存性である。量子効率の電界依存性が弱い場合、コ
ントラストは大きく、したがって動的範囲は小さい。逆
に、電界依存性の強い量子効率を有する物質はコントラ
ストが低く、動的範囲の大きい物質である。
界依存性である。量子効率の電界依存性が弱い場合、コ
ントラストは大きく、したがって動的範囲は小さい。逆
に、電界依存性の強い量子効率を有する物質はコントラ
ストが低く、動的範囲の大きい物質である。
ドープされた水素化無定形珪素の層を１つまたはそれ以
上含む光電導絶縁要素は、それらを商業的に魅力的にす
る多くの貴重な特性を有し、当業界で現在広く関心が持
たれているが、しかし、これらの要素はむしろコントラ
ストが大きく、したがって動的露光域がむしろ狭く、典
型的には約０．７〜約０．８１ｏｇＥの範囲である。デ
ジタル情報（たとえば線コピー）の再生にはこの大きさ
の値で普通十分であるが、しかし連続的な色調の再生（
たとえば絵の情報）には十分ではない。したがって、こ
の重要な新しい種類の光電導要素の動的露光域を拡大す
る成功的な技術の開発によって、電子写真業界は大きな
利益を受けるであろう。
上含む光電導絶縁要素は、それらを商業的に魅力的にす
る多くの貴重な特性を有し、当業界で現在広く関心が持
たれているが、しかし、これらの要素はむしろコントラ
ストが大きく、したがって動的露光域がむしろ狭く、典
型的には約０．７〜約０．８１ｏｇＥの範囲である。デ
ジタル情報（たとえば線コピー）の再生にはこの大きさ
の値で普通十分であるが、しかし連続的な色調の再生（
たとえば絵の情報）には十分ではない。したがって、こ
の重要な新しい種類の光電導要素の動的露光域を拡大す
る成功的な技術の開発によって、電子写真業界は大きな
利益を受けるであろう。
ドープされた水素化無定形珪素の層を含む光電導絶縁要
素の最も有用な製造方法は、シラン（たとえば５ＩＨ４
）とドープ剤たとえばホスフィンガス（ＰＨ３）または
ジボランガス（Ｂ２Ｈ６）のガス混合物のプラズマ誘起
解離を含む方法である。この方法は、高温・減圧、典型
的には２００℃以上の温度および約１トルの圧力で行わ
れる。
素の最も有用な製造方法は、シラン（たとえば５ＩＨ４
）とドープ剤たとえばホスフィンガス（ＰＨ３）または
ジボランガス（Ｂ２Ｈ６）のガス混合物のプラズマ誘起
解離を含む方法である。この方法は、高温・減圧、典型
的には２００℃以上の温度および約１トルの圧力で行わ
れる。
したがって、本発明が解決しようとする問題点は、ドー
プされた水素化無定珪素の層を含む光電導絶縁要素の改
良プラズマ誘起解離製造法を提供し、それによって動的
露光域の拡大を計ることであるＯ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、導電性支持体、支持体上のバリヤー層および
バリヤー層上のドープされた水素化無定形珪素の層を含
む光電導絶縁要素の製造方法の改良である。この方法は
、ドープされた水素化無定形珪素の層を、シランとドー
プ剤のガス混合物のプラズマ誘起解離法によって形成す
る方法である。
プされた水素化無定珪素の層を含む光電導絶縁要素の改
良プラズマ誘起解離製造法を提供し、それによって動的
露光域の拡大を計ることであるＯ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、導電性支持体、支持体上のバリヤー層および
バリヤー層上のドープされた水素化無定形珪素の層を含
む光電導絶縁要素の製造方法の改良である。この方法は
、ドープされた水素化無定形珪素の層を、シランとドー
プ剤のガス混合物のプラズマ誘起解離法によって形成す
る方法である。
改良は、解離法の温度を、ドープされた水素化無定形珪
素の層の最初の大部分が２００〜４００℃の温度で形成
され、そしてドープされた水素化無定形珪素の層の最終
的な小部分が１２５〜１７５℃の温度で形成されるよう
に制御することからなる。製造方法でそのような温度制
御は、予期せぬことに、用いる温度が従来技術の実施に
より２００℃以上である方法によって製造される他の点
で同じ要素に比較して要素の動的露光域の大幅な増大を
もたらすことが見い出された。
素の層の最初の大部分が２００〜４００℃の温度で形成
され、そしてドープされた水素化無定形珪素の層の最終
的な小部分が１２５〜１７５℃の温度で形成されるよう
に制御することからなる。製造方法でそのような温度制
御は、予期せぬことに、用いる温度が従来技術の実施に
より２００℃以上である方法によって製造される他の点
で同じ要素に比較して要素の動的露光域の大幅な増大を
もたらすことが見い出された。
所望の温度制御を与える種々の方法を実施することが出
来る。したがって、たとえば、本方法は、第一段階でた
とえば２５０℃の高い一定温度を使用し、第二段階でた
とえば１５０℃の低い一定温度を使用する二段法である
ことが出来る。別法として、本方法は高い初期温たとえ
ば２５０℃で開始し、一連の数段階で各前の段階より低
い温度を使用しながら温度を低下させ、低い温度たとえ
ば１５０℃で終了する多段法であることが出来る。
来る。したがって、たとえば、本方法は、第一段階でた
とえば２５０℃の高い一定温度を使用し、第二段階でた
とえば１５０℃の低い一定温度を使用する二段法である
ことが出来る。別法として、本方法は高い初期温たとえ
ば２５０℃で開始し、一連の数段階で各前の段階より低
い温度を使用しながら温度を低下させ、低い温度たとえ
ば１５０℃で終了する多段法であることが出来る。
他の方法として、高い初期温度たとえば２５０℃から低
い最終温度たとえば１５０℃に定常的に漸次減少させる
方法であることが出来る。しかしながら、これらの方法
のいずれを使用するに当っても、ドープ層の大部分すな
わち全厚さのイより太き厚さが２００〜４００℃の温度
で形成され、ドープ層の央部のみすなわち全厚さのイよ
り小さい厚さが１２５〜１７５℃の温度で形成されるこ
とが必要である。
い最終温度たとえば１５０℃に定常的に漸次減少させる
方法であることが出来る。しかしながら、これらの方法
のいずれを使用するに当っても、ドープ層の大部分すな
わち全厚さのイより太き厚さが２００〜４００℃の温度
で形成され、ドープ層の央部のみすなわち全厚さのイよ
り小さい厚さが１２５〜１７５℃の温度で形成されるこ
とが必要である。
〔作用〕
前述したように、本発明の方法は、シランと一種以上の
ドープ剤のガス混合物のプラズマ誘起解離法を温度制御
し、それによってドープα−Ｓｉ（ｆ（）の層の最初の
大部分を２００〜４００℃の温度（そのような層の製造
において従来典型的に使用されている温度範囲）で形成
し、他方層の最終的小部分を１２５〜１７５℃の温度で
形成するものである。したがって、従来技術の常法は全
付着に対して典型的には単一温度たとえば２５０℃を使
用するが、本発明の新規な方法は、付着工程を最初に開
始する温度よりかなり低い温度で完了するように温度を
制御する。
ドープ剤のガス混合物のプラズマ誘起解離法を温度制御
し、それによってドープα−Ｓｉ（ｆ（）の層の最初の
大部分を２００〜４００℃の温度（そのような層の製造
において従来典型的に使用されている温度範囲）で形成
し、他方層の最終的小部分を１２５〜１７５℃の温度で
形成するものである。したがって、従来技術の常法は全
付着に対して典型的には単一温度たとえば２５０℃を使
用するが、本発明の新規な方法は、付着工程を最初に開
始する温度よりかなり低い温度で完了するように温度を
制御する。
５ｉｉ−ｒ４のプラズマ誘起解離工程で、種々の化学種
たとえばより安定な化合物の生成の中間種であるｓｔＨ
，５ｉｕ２およびＳ ｉ Ｈ５が生成すると考えられて
いる。解離工程の温度を本文に記載のように制御すると
広い動的露光域の有利な結果が得られる理由は確実には
知られていない。恐らく、ドープ層に水素濃度「輪郭」
が形成される結果であると思われる。したがって、層の
最初の部分の形成に使用される高い温度では、より低い
水素濃度が起ると予期することが出来、層の最終部分の
形成に使用される低い温度では、より高い水素濃度が起
ることが予期することが出来る。この結果水素「輪郭」
すなわち層の厚さ方向に水素濃度の変化が起る。他の特
徴たとえば発生する特定の中間種の濃度に関する輪郭の
形成およびその結果生じる層の特性の修正も重要である
かも知られない。
たとえばより安定な化合物の生成の中間種であるｓｔＨ
，５ｉｕ２およびＳ ｉ Ｈ５が生成すると考えられて
いる。解離工程の温度を本文に記載のように制御すると
広い動的露光域の有利な結果が得られる理由は確実には
知られていない。恐らく、ドープ層に水素濃度「輪郭」
が形成される結果であると思われる。したがって、層の
最初の部分の形成に使用される高い温度では、より低い
水素濃度が起ると予期することが出来、層の最終部分の
形成に使用される低い温度では、より高い水素濃度が起
ることが予期することが出来る。この結果水素「輪郭」
すなわち層の厚さ方向に水素濃度の変化が起る。他の特
徴たとえば発生する特定の中間種の濃度に関する輪郭の
形成およびその結果生じる層の特性の修正も重要である
かも知られない。
以下余白
〔実施例〕
本発明に係る光電導性要素は、
（ａ） それ自身導電性である支持体物質であるかま
たは電気絶縁性物質に導電層を塗布したものからなる導
電性支持体、 （ｂ） 支持体から要素の光導電層に電荷キャリヤー
が移動するのを妨げる働きをする層である支持体上のバ
リヤー層、および （ｃ） 当業界に公知の多くの種々のドープ剤の一種
以上をドープして変性された水素化無定形珪素層である
ドープα−８ｌ（ｆ（）層、 を含む。
たは電気絶縁性物質に導電層を塗布したものからなる導
電性支持体、 （ｂ） 支持体から要素の光導電層に電荷キャリヤー
が移動するのを妨げる働きをする層である支持体上のバ
リヤー層、および （ｃ） 当業界に公知の多くの種々のドープ剤の一種
以上をドープして変性された水素化無定形珪素層である
ドープα−８ｌ（ｆ（）層、 を含む。
本発明の方法は、前記で特定した特徴（ａ） 、 （ｂ
）および（ｃ）を含む限り種々の異なる光電導性要素の
製造に適用することが出来る。したがって、たとえば要
素は異なるドープ剤をまたは同じドープ剤の異なる量を
ドープされたドープα−Ｓｉ （Ｈ）を２種またはそれ
以上を含むことが出来、また一種以上のドープα−８Ｉ
（Ｉ（）層の他に真正α−Ｓｉ （Ｈ）層を含むこと
が出来る。
）および（ｃ）を含む限り種々の異なる光電導性要素の
製造に適用することが出来る。したがって、たとえば要
素は異なるドープ剤をまたは同じドープ剤の異なる量を
ドープされたドープα−Ｓｉ （Ｈ）を２種またはそれ
以上を含むことが出来、また一種以上のドープα−８Ｉ
（Ｉ（）層の他に真正α−Ｓｉ （Ｈ）層を含むこと
が出来る。
本発明の方法により製造される要素は、導電性支持体を
含み、そのような支持体は導電性物質かまたは電気絶縁
基材に一種以上の導電層を塗布したものからなる複合物
質であることが出来る。導電性支持体は、比較的硬質の
物質であることが必要で、α−Ｓｉ （Ｈ）の層にかな
り近い熱膨張係数含有するものであるのが好ましい。特
に有用な物質として、アルミニウム、鋼、および適当な
導電性被覆を施したガラスが挙げられる。好ましくは、
支持体はドラムまたは管状につくられる。そのような形
状は比較的脆い物質たとえばα−８Ｉ （Ｈ）に対して
用いるのに最も適しているからである。
含み、そのような支持体は導電性物質かまたは電気絶縁
基材に一種以上の導電層を塗布したものからなる複合物
質であることが出来る。導電性支持体は、比較的硬質の
物質であることが必要で、α−Ｓｉ （Ｈ）の層にかな
り近い熱膨張係数含有するものであるのが好ましい。特
に有用な物質として、アルミニウム、鋼、および適当な
導電性被覆を施したガラスが挙げられる。好ましくは、
支持体はドラムまたは管状につくられる。そのような形
状は比較的脆い物質たとえばα−８Ｉ （Ｈ）に対して
用いるのに最も適しているからである。
無定形珪素からなる光電導絶縁要素の特に重要な特徴は
、バリヤー層である、バリヤー層は基体から光導電層へ
の電荷キャリヤーの注入を防止する働き全する。特に、
バリヤー層は光受容体が負の電位に帯電された場合基体
から正孔の注入を防止し、光受容体が正の電位に帯電さ
れた場合基体から電子の注入を防止する。もちろん、電
子写真法において所望なら正または負の帯電を使用する
ことが出来る。要素にバリヤー層を含ませることは、要
素が適当な電荷受容性を与えるために必要である。
、バリヤー層である、バリヤー層は基体から光導電層へ
の電荷キャリヤーの注入を防止する働き全する。特に、
バリヤー層は光受容体が負の電位に帯電された場合基体
から正孔の注入を防止し、光受容体が正の電位に帯電さ
れた場合基体から電子の注入を防止する。もちろん、電
子写真法において所望なら正または負の帯電を使用する
ことが出来る。要素にバリヤー層を含ませることは、要
素が適当な電荷受容性を与えるために必要である。
無定形珪素光電導絶縁要素でバリヤー層を形成するのに
有用な多数の物質が知られている。たとえば、有用な物
質として、酸化物たとえば酸化珪素（ｓｉｏ）または酸
化アルミニウム（Ａｔ２０３）が挙げられる。好ましく
は、バリヤー層は適当なドープ剤を多量にドープしたα
−８ｔ（Ｈ）の層である。ここで「多量にドープした」
とは、ドープ剤の濃度が少なくとも１００ ｐｐｍであ
ることを意味する。
有用な多数の物質が知られている。たとえば、有用な物
質として、酸化物たとえば酸化珪素（ｓｉｏ）または酸
化アルミニウム（Ａｔ２０３）が挙げられる。好ましく
は、バリヤー層は適当なドープ剤を多量にドープしたα
−８ｔ（Ｈ）の層である。ここで「多量にドープした」
とは、ドープ剤の濃度が少なくとも１００ ｐｐｍであ
ることを意味する。
ドープα−Ｓｉ（Ｈ）層の水素含量は所望に応じて特定
の特性を与えるために広範囲にわたって変えることが出
来る。一般に、水素含量は１〜５０％、好ましくは５〜
２５チ（水素含量は原子チとして定義される）である。
の特性を与えるために広範囲にわたって変えることが出
来る。一般に、水素含量は１〜５０％、好ましくは５〜
２５チ（水素含量は原子チとして定義される）である。
α−８ｌ（Ｈ）層の特性を有利に修正するのに使用出来
る多くの種々のドープ剤が当業界で知られている。その
ようなドープ剤の中には、周期表第ＶＡ族の元素すなわ
ちＮｔＰ＋Ａｓ 、ｓｂおよびＢｉ（ｎ形層を与えるも
の−一すなわち負の電荷キャリヤー（電子）の伝導を選
ぶもの）および周期表第１ＩＩＡ族の元素すなわちＢ
ｌ ｈｔ ｒ Ｇ ａ ＊ Ｉ ｎおよびＴｔ（ｐ形層
を与えるもの−一すなわち正の電荷キャリヤー（正孔）
の伝導を選ぶもの）が含まれる。
る多くの種々のドープ剤が当業界で知られている。その
ようなドープ剤の中には、周期表第ＶＡ族の元素すなわ
ちＮｔＰ＋Ａｓ 、ｓｂおよびＢｉ（ｎ形層を与えるも
の−一すなわち負の電荷キャリヤー（電子）の伝導を選
ぶもの）および周期表第１ＩＩＡ族の元素すなわちＢ
ｌ ｈｔ ｒ Ｇ ａ ＊ Ｉ ｎおよびＴｔ（ｐ形層
を与えるもの−一すなわち正の電荷キャリヤー（正孔）
の伝導を選ぶもの）が含まれる。
ｎ形層の形成に好ましいドープ剤は燐であり、燐はプラ
ズマ誘起解離においてホスフィンがス（ＰＨ３）として
好適に使用される。ｐ形層の形成に好ましいドープ剤は
硼素であり、硼素はプラズマ誘起解離においてジボラン
がス（Ｂ２Ｈ６）として好適に使用される。
ズマ誘起解離においてホスフィンがス（ＰＨ３）として
好適に使用される。ｐ形層の形成に好ましいドープ剤は
硼素であり、硼素はプラズマ誘起解離においてジボラン
がス（Ｂ２Ｈ６）として好適に使用される。
ドープα−８ｌ （Ｈ）の形成に使用されるドープ剤の
濃度は、非常に広い範囲にわたって変えることが出来る
。典型的には、ドープ剤はドープ層の形成に使用される
ガス組成物中で最大に１．０００ ｐｐｍまでの量、好
ましくは１５〜１５０ ｐｐｍの量で使用される。ドー
プα−Ｓｉ （Ｈ）層を要素でバリヤー層として使用す
る場合、ドープ層は典型的に高度にドープされた層、た
とえば５００〜５＋０００ ｐｐｍのドープ剤を含有す
る組成物から形成された層である。
濃度は、非常に広い範囲にわたって変えることが出来る
。典型的には、ドープ剤はドープ層の形成に使用される
ガス組成物中で最大に１．０００ ｐｐｍまでの量、好
ましくは１５〜１５０ ｐｐｍの量で使用される。ドー
プα−Ｓｉ （Ｈ）層を要素でバリヤー層として使用す
る場合、ドープ層は典型的に高度にドープされた層、た
とえば５００〜５＋０００ ｐｐｍのドープ剤を含有す
る組成物から形成された層である。
ドープ剤が暗抵抗率に及ぼす効果は、使用する特定のド
ープ剤および濃度に左右される。たとえば、３０ ｐｐ
ｍまでの硼素濃度では、暗抵抗率は硼素濃度の増大と共
に増大する。この範囲以上では、反対になる。
ープ剤および濃度に左右される。たとえば、３０ ｐｐ
ｍまでの硼素濃度では、暗抵抗率は硼素濃度の増大と共
に増大する。この範囲以上では、反対になる。
本発明の方法は、所望に応じて種々の層の厚さが広く変
えられる光電導絶縁要素の製造に有用である。バリヤー
層は典型的には０．０１〜５ミクロンの厚さを有する。
えられる光電導絶縁要素の製造に有用である。バリヤー
層は典型的には０．０１〜５ミクロンの厚さを有する。
ドープα−８ｌ （Ｈ）層は典型的には約１〜５０ミク
ロンの厚さを有する。
ロンの厚さを有する。
前述したように、ｎ形層の形成に好ましいドープ剤は燐
であり、ｐ形層の形成に好ましいドープ剤は硼素である
。これらの試薬はドープ層で１５〜１５０ ｐｐｍの濃
度で使用するのが好ましい。
であり、ｐ形層の形成に好ましいドープ剤は硼素である
。これらの試薬はドープ層で１５〜１５０ ｐｐｍの濃
度で使用するのが好ましい。
ドープ剤の使用量は最適結果を得るために注意深く制御
しなければならない。たとえば、余り少いドープ剤量は
望ましくないほど低い量子効率をもたらし、一方、余り
多いドープ剤量は過度に大きい暗電導率をもたらす。
しなければならない。たとえば、余り少いドープ剤量は
望ましくないほど低い量子効率をもたらし、一方、余り
多いドープ剤量は過度に大きい暗電導率をもたらす。
前述した必須の層の他に、本発明の方法で使用される光
電導絶縁要素はある任意の層を含有することが出来る。
電導絶縁要素はある任意の層を含有することが出来る。
たとえば反射を低減して効率を増大させるために反射防
止層を有することが出来る。
止層を有することが出来る。
窒化珪素は反射防止層の形成に特に有用な物質であり、
有利には０．１〜Ｏ，５ミクロンの厚さで使用される。
有利には０．１〜Ｏ，５ミクロンの厚さで使用される。
前述したように、本発明の方法において温度を特に制御
し、しかも広い動的露光域の所望の結果を達成出来る多
くの種々の方法がある。
し、しかも広い動的露光域の所望の結果を達成出来る多
くの種々の方法がある。
本方法を二段階法で行う場合、第一段階の温度は２００
〜４００℃の範囲であることが必要である。この範囲内
で、使用する特定の温度たとえば２５０〜３００℃また
は３５０℃は得られる結果に大した差はないであろう。
〜４００℃の範囲であることが必要である。この範囲内
で、使用する特定の温度たとえば２５０〜３００℃また
は３５０℃は得られる結果に大した差はないであろう。
要素のコントラストおよび露光ラチチューＰを制御する
のは第二段階で使用する温度であり、この温度は１２５
〜１７５℃の範囲であることが必要である。しかしなが
ら、ドープα−８ｌ （Ｈ）層の全厚さの大部分は２０
０〜４００℃範囲の温度で形成され、少部分のみが１２
５〜１７５℃範囲の温度で形成されるのが必要である。
のは第二段階で使用する温度であり、この温度は１２５
〜１７５℃の範囲であることが必要である。しかしなが
ら、ドープα−８ｌ （Ｈ）層の全厚さの大部分は２０
０〜４００℃範囲の温度で形成され、少部分のみが１２
５〜１７５℃範囲の温度で形成されるのが必要である。
全付着が一定の比較的低い温度たとえば１５０℃で行わ
れる場合、得られる要素の暗室導率は余り大き過ぎて電
子写真で効果的に使用出来ない。他方、全付着が一定の
比較的高い温度たとえば２５０℃で行われる場合、要素
は所望の広い動的露光域を呈しないであろう。
れる場合、得られる要素の暗室導率は余り大き過ぎて電
子写真で効果的に使用出来ない。他方、全付着が一定の
比較的高い温度たとえば２５０℃で行われる場合、要素
は所望の広い動的露光域を呈しないであろう。
もちろん、二段階法を使用することは必須ではない。所
望なら三段階またはそれ以上の方法を用いて、第一段階
で２００〜４００℃範囲の温度で開始し、最終段階で１
２５〜１７５℃範囲の温度で終了することが出来る。２
００〜４００℃範囲の最初の温度から１２５〜１７５℃
範囲の最終温度へ定常的に漸次減少する温度を使用する
ことも出来る。ドープα−８ｌ （Ｈ）の全層の大部分
すなわち全厚のイより多い部分は２００〜４００℃範囲
の温度で形成しなければならないが、しかし、少部分す
なわち全厚のイ未満は１２５〜１７５℃範囲の温度で形
成される。好ましくは、全厚の６０〜９０％は２００〜
４００℃範囲の温度で形成され、１０〜４０チは１２５
〜１７５℃範囲の温度で形成される。特に好ましい方法
は２５０℃における全厚の８０％の形成および１５０ｔ
ｌ：：における残りの２０チの形成を伴う。
望なら三段階またはそれ以上の方法を用いて、第一段階
で２００〜４００℃範囲の温度で開始し、最終段階で１
２５〜１７５℃範囲の温度で終了することが出来る。２
００〜４００℃範囲の最初の温度から１２５〜１７５℃
範囲の最終温度へ定常的に漸次減少する温度を使用する
ことも出来る。ドープα−８ｌ （Ｈ）の全層の大部分
すなわち全厚のイより多い部分は２００〜４００℃範囲
の温度で形成しなければならないが、しかし、少部分す
なわち全厚のイ未満は１２５〜１７５℃範囲の温度で形
成される。好ましくは、全厚の６０〜９０％は２００〜
４００℃範囲の温度で形成され、１０〜４０チは１２５
〜１７５℃範囲の温度で形成される。特に好ましい方法
は２５０℃における全厚の８０％の形成および１５０ｔ
ｌ：：における残りの２０チの形成を伴う。
低い温度範囲の上限１７５℃と高い温度範囲の下限２０
０℃との間の温度はもちろん本発明の方法で使用するこ
とから除外されない。たとえば、本方法は２５０’℃か
ら１５０℃に漸次減少する温度を使用して、全厚の６０
％を２５０〜２００℃の範囲で形成し、全厚の２０優を
２００〜１７５℃の範囲で形成し、そして全厚の２０チ
を１７５〜１５０℃範囲で形成することが出来る。別法
として、本方法は全厚の６０％を第一段階で２５０℃で
形成し、全厚の２０チを第二段階で１８０℃で形成し、
そして全厚の２０チを第三段階で１５０℃で形成する三
段階法であってもよい。
０℃との間の温度はもちろん本発明の方法で使用するこ
とから除外されない。たとえば、本方法は２５０’℃か
ら１５０℃に漸次減少する温度を使用して、全厚の６０
％を２５０〜２００℃の範囲で形成し、全厚の２０優を
２００〜１７５℃の範囲で形成し、そして全厚の２０チ
を１７５〜１５０℃範囲で形成することが出来る。別法
として、本方法は全厚の６０％を第一段階で２５０℃で
形成し、全厚の２０チを第二段階で１８０℃で形成し、
そして全厚の２０チを第三段階で１５０℃で形成する三
段階法であってもよい。
ドープα−５Ｉ（ａ）層の付着方法は、前述したように
温度の適当な変化がなされる唯一の変化である単一連続
法であることが出来る。しかしながら、これは必須では
なく、層は２つ以上の別々の工程で付着させることが出
来、一般に、温度が単一付着で用いるものと同じである
限り同じ効果が認められるであろう。拡大された動的露
光域の効果は、付着層をアニーリングするかまたは他の
方法で熱処理することにより得ることが出来ないことは
明らかであり、知る限りにおいて、付着工程の温度を適
当に制御することによってのみ達成することが出来る。
温度の適当な変化がなされる唯一の変化である単一連続
法であることが出来る。しかしながら、これは必須では
なく、層は２つ以上の別々の工程で付着させることが出
来、一般に、温度が単一付着で用いるものと同じである
限り同じ効果が認められるであろう。拡大された動的露
光域の効果は、付着層をアニーリングするかまたは他の
方法で熱処理することにより得ることが出来ないことは
明らかであり、知る限りにおいて、付着工程の温度を適
当に制御することによってのみ達成することが出来る。
本文に記載のようにして付着工程の温度を制御すること
によって、動的露光域を従来技術の典型である０、７〜
０．８１ｏｇＫの値から１．４１ｏｇＥまたはそれ以上
の高い値に拡大することが出来る。
によって、動的露光域を従来技術の典型である０、７〜
０．８１ｏｇＫの値から１．４１ｏｇＥまたはそれ以上
の高い値に拡大することが出来る。
本発明を下記の例によりさらに説明する。
ステンレス鋼基板に硼素を高度にドープしたα−Ｓｉ
（Ｈ）からなるバリヤー層をオーバーコートし、さらに
硼素を軽度にドープしたα−Ｓｉ （Ｈ）からなる光導
電層をオーバーコートしたものからなる一連の光電導絶
縁要素を製造した。これらの要素を形成するために、ス
テンレス鋼基板１２００ｍパイレックスガラスプラズマ
反応管の中心に置かれたヒーターブロック上に置いた。
（Ｈ）からなるバリヤー層をオーバーコートし、さらに
硼素を軽度にドープしたα−Ｓｉ （Ｈ）からなる光導
電層をオーバーコートしたものからなる一連の光電導絶
縁要素を製造した。これらの要素を形成するために、ス
テンレス鋼基板１２００ｍパイレックスガラスプラズマ
反応管の中心に置かれたヒーターブロック上に置いた。
反応管を最初約１０−’ ）ルの圧力まで排気し、基板
温度全ニクロムヒーター要素によって制御した。反応ガ
スを反応管に導入して全圧’ｌｒ０．８）ルとした。基
板全数百社？ルトの負のｄｃ定電位維持し、付着速度は
０．５ミクロン／時であった。
温度全ニクロムヒーター要素によって制御した。反応ガ
スを反応管に導入して全圧’ｌｒ０．８）ルとした。基
板全数百社？ルトの負のｄｃ定電位維持し、付着速度は
０．５ミクロン／時であった。
バリヤー層を形成するために、付着は２５０℃でＨｅで
希釈した７ ００ ｐｐｍのＢ２Ｈ６を含有する５ＩＨ
４０，０５トル分圧で行った。厚さ０．０３ミクロンの
バリヤー層が形成された後、供給ガス中のＢ２Ｈ６含量
は１５ ｐｐｍに低下し、下記の表１に示す全厚を有す
る光導電層が形成された。この層は二段温度制御法で形
成し、全層厚の約８０％が付着するまで２５０℃で付着
を行い、次いで残りの２０％の付着は１５０℃で行った
。コントラストおよび動的露光域の測定に当って、露光
は１６０マイクロセカンドキセノン充填ランプをスペク
トルの可視域のみを含むようにフィルターにかけたもの
で行った。得られた結果は次のようであった。
希釈した７ ００ ｐｐｍのＢ２Ｈ６を含有する５ＩＨ
４０，０５トル分圧で行った。厚さ０．０３ミクロンの
バリヤー層が形成された後、供給ガス中のＢ２Ｈ６含量
は１５ ｐｐｍに低下し、下記の表１に示す全厚を有す
る光導電層が形成された。この層は二段温度制御法で形
成し、全層厚の約８０％が付着するまで２５０℃で付着
を行い、次いで残りの２０％の付着は１５０℃で行った
。コントラストおよび動的露光域の測定に当って、露光
は１６０マイクロセカンドキセノン充填ランプをスペク
トルの可視域のみを含むようにフィルターにかけたもの
で行った。得られた結果は次のようであった。
以下余白
表 １
試験 層厚さ ＶＯｒｍａｘ Ｖｏ／７ｍ
ａｘ１ １３．９ ６０ ５９ １．０２ ２ １２．５ １４０ １４２ ０．９９３ ２．４
３０ ２７ １．１１ ４ ２．４ ３０ ２５ １．２０ ５ ２．４３０ ３１ ０．９７ ６ ２．４ ３０ ３１ ０．９７ ７ ２．４ ３０ ２１ １．４３ 表■に記載の試験サンプルの平均動的露光域は１、１０
１ｏｇＥであった。
ａｘ１ １３．９ ６０ ５９ １．０２ ２ １２．５ １４０ １４２ ０．９９３ ２．４
３０ ２７ １．１１ ４ ２．４ ３０ ２５ １．２０ ５ ２．４３０ ３１ ０．９７ ６ ２．４ ３０ ３１ ０．９７ ７ ２．４ ３０ ２１ １．４３ 表■に記載の試験サンプルの平均動的露光域は１、１０
１ｏｇＥであった。
比較として、温度を１５０℃に低下させない、すなわち
付着中温塵を２５０℃に維持したことを除いて前記と同
様にして行った試験において表Ｈに示す結果を得た。
付着中温塵を２５０℃に維持したことを除いて前記と同
様にして行った試験において表Ｈに示す結果を得た。
以下余白
表■
Claims (1)
- １、導電性支持体、前記支持体上のバリヤー層および前
記バリヤー層上のドープα−Ｓｉ（Ｈ）層からなる光電
導絶縁要素を製造するに当つて、前記ドープα−Ｓｉ（
Ｈ）の層をシランとドープ剤のガス混合物のプラズマ誘
起解離法によつて形成し、その際、温度を、前記ドープ
α−Ｓｉ（Ｈ）層の最初の大部分が２００〜４００℃の
温度で形成され、前記ドープα−Ｓｉ（Ｈ）層の最終的
少部分を１２５〜１７５℃の温度で形成されるように制
御することを特徴とする、光電導絶縁要素の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US642604 | 1984-08-20 | ||
| US06/642,604 US4540647A (en) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | Method for the manufacture of photoconductive insulating elements with a broad dynamic exposure range |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159451A true JPS6159451A (ja) | 1986-03-26 |
Family
ID=24577275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60180597A Pending JPS6159451A (ja) | 1984-08-20 | 1985-08-19 | 光電導絶縁要素の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4540647A (ja) |
| EP (1) | EP0174241B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6159451A (ja) |
| CA (1) | CA1251694A (ja) |
| DE (1) | DE3565728D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4618381A (en) * | 1983-05-26 | 1986-10-21 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Method for adding impurities to semiconductor base material |
| US4741964A (en) * | 1986-07-17 | 1988-05-03 | International Business Machines Corporation | Structure containing hydrogenated amorphous silicon and process |
| US4851367A (en) * | 1988-08-17 | 1989-07-25 | Eastman Kodak Company | Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition |
| JP2809540B2 (ja) * | 1992-02-21 | 1998-10-08 | シャープ株式会社 | 光導電型液晶ライトバルブおよびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2746967C2 (de) * | 1977-10-19 | 1981-09-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrofotographische Aufzeichnungstrommel |
| AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| DE2954551C2 (ja) * | 1978-03-03 | 1989-02-09 | Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
| JPS56116037A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of electrophotographic receptor |
| JPS56150752A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive film |
| JPS574172A (en) * | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Canon Inc | Light conductive member |
| JPS574053A (en) * | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Canon Inc | Photoconductive member |
| US4409308A (en) * | 1980-10-03 | 1983-10-11 | Canon Kabuskiki Kaisha | Photoconductive member with two amorphous silicon layers |
| US4403026A (en) * | 1980-10-14 | 1983-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having an electrically insulating oxide layer |
| JPS57177156A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS58124224A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | 電子写真用アモルフアス水素化シリコンの製造法 |
-
1984
- 1984-08-20 US US06/642,604 patent/US4540647A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-05-29 CA CA000482716A patent/CA1251694A/en not_active Expired
- 1985-08-09 DE DE8585401621T patent/DE3565728D1/de not_active Expired
- 1985-08-09 EP EP85401621A patent/EP0174241B1/en not_active Expired
- 1985-08-19 JP JP60180597A patent/JPS6159451A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1251694A (en) | 1989-03-28 |
| EP0174241B1 (en) | 1988-10-19 |
| US4540647A (en) | 1985-09-10 |
| DE3565728D1 (en) | 1988-11-24 |
| EP0174241A1 (en) | 1986-03-12 |
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