JPS582850A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS582850A JPS582850A JP10211781A JP10211781A JPS582850A JP S582850 A JPS582850 A JP S582850A JP 10211781 A JP10211781 A JP 10211781A JP 10211781 A JP10211781 A JP 10211781A JP S582850 A JPS582850 A JP S582850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glow discharge
- photoconductive layer
- torr
- amorphous silicon
- electrophotographic receptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファス光導電体を用いた電子写真用感光
体に関するものである０ 従来から電子写真用感光体としてはセレン、硫化カドミ
ウム、酸化亜鉛等が広く利用されているが、これ等の物
質は次のような欠点をもっている０即ちセレンは安定性
に問題があり、熱やコロナ放電により表面が結晶化して
特性が劣化する０また分光増感作用のために加えられる
ＡｓやＴｅと同様にセレン自体も人体に有害な物質であ
り、製造時及び取り扱いにあたっては充分な注意を払わ
ねばならない。上記硫化カドミウム及び酸化亜鉛は通常
樹脂バインダーに分散させて使用さするが、この分散状
態を制御することは極めて困難であり、製造時の歩留り
に大きく影響し、特性の揃った感光体を製造することが
難しい。またこれらの物質は表面硬度が小さいため摩耗
には弱く、長寿命化は期待できない、等の問題があった
。
体に関するものである０ 従来から電子写真用感光体としてはセレン、硫化カドミ
ウム、酸化亜鉛等が広く利用されているが、これ等の物
質は次のような欠点をもっている０即ちセレンは安定性
に問題があり、熱やコロナ放電により表面が結晶化して
特性が劣化する０また分光増感作用のために加えられる
ＡｓやＴｅと同様にセレン自体も人体に有害な物質であ
り、製造時及び取り扱いにあたっては充分な注意を払わ
ねばならない。上記硫化カドミウム及び酸化亜鉛は通常
樹脂バインダーに分散させて使用さするが、この分散状
態を制御することは極めて困難であり、製造時の歩留り
に大きく影響し、特性の揃った感光体を製造することが
難しい。またこれらの物質は表面硬度が小さいため摩耗
には弱く、長寿命化は期待できない、等の問題があった
。
このような問題が多い従来の感光体に対して、新規な電
子写真用感光体として最近注目されているものの中にア
モルファスシリコン（以下 ａＳｉと略記する）がある
。
子写真用感光体として最近注目されているものの中にア
モルファスシリコン（以下 ａＳｉと略記する）がある
。
水素化ａ−８ｉ（以下ａ−８ｉ：Ｈと略記する）につい
て、価電子制御が可能であることが報告されて以来太陽
電池用材料として研究がさかんであり、その顕著な光導
電特性から電子写真用感光体に応用できる可能性がある
事は電子写真研究者にとって容易に推察できるところで
ある。しかしながら、電子写真用感光体として実用に供
し得る為には、充分な電荷受容性を得るに足る暗抵抗を
もつこと、光照射によって叩有抵抗値が３桁以上減少す
る程度の′光感度をもつこと、及び、帯電・露光のくり
返しによって特性が大きく変化しない耐久性、環境変化
に容易に影響を受けない安定性等、種々の条件を具備し
なければならず、ａ−８ｉによる電子写真用感光体は現
在まで実用化に到っていない。
て、価電子制御が可能であることが報告されて以来太陽
電池用材料として研究がさかんであり、その顕著な光導
電特性から電子写真用感光体に応用できる可能性がある
事は電子写真研究者にとって容易に推察できるところで
ある。しかしながら、電子写真用感光体として実用に供
し得る為には、充分な電荷受容性を得るに足る暗抵抗を
もつこと、光照射によって叩有抵抗値が３桁以上減少す
る程度の′光感度をもつこと、及び、帯電・露光のくり
返しによって特性が大きく変化しない耐久性、環境変化
に容易に影響を受けない安定性等、種々の条件を具備し
なければならず、ａ−８ｉによる電子写真用感光体は現
在まで実用化に到っていない。
特に水素化ａ−８ｉにおいては熱的な安定性が問題とな
る。即ちａ−８ｉ：Ｈにおいて、水素はシリコンのｄａ
ｎｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄを埋める役割を持っておりこの
水素によってａ７ｑｉ：Ｈの固有抵抗、光導電性等諸物
性が改善される。しかるに、ＳｉとＨの結合力は比較的
弱く熱エネルギーによって容易に結合が切れ水素の離脱
が起こる。従ってａ−８ｉ：Ｈを電子写真用感光体とし
て用いた場合、熱的な安定性は充分であるとは言えず、
特にレーザービームプリンター等強い光照射のくシ返し
による熱的刺激を受けた場合には大幅な特性劣化をきた
す惧れがある。
る。即ちａ−８ｉ：Ｈにおいて、水素はシリコンのｄａ
ｎｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄを埋める役割を持っておりこの
水素によってａ７ｑｉ：Ｈの固有抵抗、光導電性等諸物
性が改善される。しかるに、ＳｉとＨの結合力は比較的
弱く熱エネルギーによって容易に結合が切れ水素の離脱
が起こる。従ってａ−８ｉ：Ｈを電子写真用感光体とし
て用いた場合、熱的な安定性は充分であるとは言えず、
特にレーザービームプリンター等強い光照射のくシ返し
による熱的刺激を受けた場合には大幅な特性劣化をきた
す惧れがある。
本発明者は以上のような問題点を解決すべくなされたも
ので、弗素を含有したａ−８ｔによって、安定性・耐久
性に優れ、かつ無公害の新規な電子写真用感光体を提供
するものである。
ので、弗素を含有したａ−８ｔによって、安定性・耐久
性に優れ、かつ無公害の新規な電子写真用感光体を提供
するものである。
本発明の特徴はａ−８ｉのｄａｎｇｌｉｎｇ ｂｏｎ
ｄを埋めて所望の電気的特性を得る為に弗素を用いた点
にある。ＳｉとＦの結合エネルギーはＳｉとＨのそれに
較べて約１．６倍高く、従って５ｉ−Ｆ結合は熱的によ
り安定な結合であると言える。以下本発明を実施例に従
って説明する。
ｄを埋めて所望の電気的特性を得る為に弗素を用いた点
にある。ＳｉとＦの結合エネルギーはＳｉとＨのそれに
較べて約１．６倍高く、従って５ｉ−Ｆ結合は熱的によ
り安定な結合であると言える。以下本発明を実施例に従
って説明する。
４ 誘導結合型グロー放電装置の真空槽内にアルミニ
ウムドラムを設置しヒーター加熱により２５０℃に保持
する。真空槽内を５Ｘ１０−７Ｔｏｒｒまで排気した後
、ＳｉＦ４ガスとＨ２ガスを１０：１に混合したガスを
導入し２Ｔｏｒｒの圧力を保つように流量を調節する。
ウムドラムを設置しヒーター加熱により２５０℃に保持
する。真空槽内を５Ｘ１０−７Ｔｏｒｒまで排気した後
、ＳｉＦ４ガスとＨ２ガスを１０：１に混合したガスを
導入し２Ｔｏｒｒの圧力を保つように流量を調節する。
次に誘導コイルに１３．５６ＭＨｚ 。
１００Ｗの高周波を印加してグロー放電を起こさせ、ア
ルミニウムドラム上に光導電層を形成する。この光導電
層は数パーセントの弗素と１パーセント以下の水素を含
むａ−８ｉ：Ｆ：Ｈから成っている。
ルミニウムドラム上に光導電層を形成する。この光導電
層は数パーセントの弗素と１パーセント以下の水素を含
むａ−８ｉ：Ｆ：Ｈから成っている。
このようにして作製された感光体に従来の電子写真プロ
セスと同様にコロナ放電にヨシ負電荷を帯 寥
電させ、画像露光により静電潜像を形成した後、磁気ブ
ラシ法でトナー現像し紙に転写したと゛ころ良質の画像
が得られた□次にこの感光体を４００℃の言回気中で１
時間熱処理した後、上記作像プロセスによって画偉出し
を行なったところ熱処理前と変わらない画像が得られた
。
セスと同様にコロナ放電にヨシ負電荷を帯 寥
電させ、画像露光により静電潜像を形成した後、磁気ブ
ラシ法でトナー現像し紙に転写したと゛ころ良質の画像
が得られた□次にこの感光体を４００℃の言回気中で１
時間熱処理した後、上記作像プロセスによって画偉出し
を行なったところ熱処理前と変わらない画像が得られた
。
上記方法によって作製された弗素および水素を含むａ−
８ｉを光導電層とする感光体は、電子写真における所謂
カールソン法によって実用に供し得る画像の形成が可能
であり、熱的に充分な安定性を有しているので高照度の
光照射や環境変化に対しても安定した特性を維持できる
。また、上記感光体は高い表面硬度を有しているため機
械的な摩耗に対して強く、長寿命が期待できるものであ
る。
８ｉを光導電層とする感光体は、電子写真における所謂
カールソン法によって実用に供し得る画像の形成が可能
であり、熱的に充分な安定性を有しているので高照度の
光照射や環境変化に対しても安定した特性を維持できる
。また、上記感光体は高い表面硬度を有しているため機
械的な摩耗に対して強く、長寿命が期待できるものであ
る。
本発明による感光体の作製方法は前記の実施例に限定さ
れるものではない。例えば原料ガスとしてけ５ｔＦ４１
５ＩＨ４＋ Ｈ２ｒ Ｆ２ ＋その他高次の水素化シリ
コンおよび弗素化シリコンガス等よシ選ばれる任童の組
み合わせを用いる事ができる。
れるものではない。例えば原料ガスとしてけ５ｔＦ４１
５ＩＨ４＋ Ｈ２ｒ Ｆ２ ＋その他高次の水素化シリ
コンおよび弗素化シリコンガス等よシ選ばれる任童の組
み合わせを用いる事ができる。
またこれら原料ガスからａ−８ｉ：Ｆ：Ｈを生成する手
段としては前記誘導結合型グロー放電法以外にも容量結
合型グロー放電法、リアクティブスパッタ法、ＣＶＤ法
、イオンブレーティング法、クラスターイオンビーム法
等を用いる事ができる。形成されたａ−８ｉ：Ｆ：Ｈに
含有される弗素量は１〜４０％の範囲で選ばれ、好適に
は２〜２０％の範囲で使用される。水素含有量は０．１
〜１０％の範囲で選ばれ、好適には０．２〜２％の範囲
で使用される。
段としては前記誘導結合型グロー放電法以外にも容量結
合型グロー放電法、リアクティブスパッタ法、ＣＶＤ法
、イオンブレーティング法、クラスターイオンビーム法
等を用いる事ができる。形成されたａ−８ｉ：Ｆ：Ｈに
含有される弗素量は１〜４０％の範囲で選ばれ、好適に
は２〜２０％の範囲で使用される。水素含有量は０．１
〜１０％の範囲で選ばれ、好適には０．２〜２％の範囲
で使用される。
本発明の光導電層として使用されるａ−８ｉ：Ｆ：Ｈに
は必要に応じて周期律表■族Ａまたは■族Ａの元素を不
純物として添加することができる０例えば前記実施例に
おいて原料ガスにＢＦ３を混入すればＰ型の光導電性膜
が得られるし、ＰＦ５を用いれば膜はｎ型となる０この
ようにして得られるＰ型および／またはｎ型のａ−８ｉ
：Ｆ：Ｈ膜を積層した形態においても本発明は有効に実
施さ五る０以上本発明によれば、光導電特性及び機械的
性質が電子写真感光体に好適なものを、簡単な製造方法
で、且つ無公害の材料及び処理工程によって製造するこ
とができるＯ 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
は必要に応じて周期律表■族Ａまたは■族Ａの元素を不
純物として添加することができる０例えば前記実施例に
おいて原料ガスにＢＦ３を混入すればＰ型の光導電性膜
が得られるし、ＰＦ５を用いれば膜はｎ型となる０この
ようにして得られるＰ型および／またはｎ型のａ−８ｉ
：Ｆ：Ｈ膜を積層した形態においても本発明は有効に実
施さ五る０以上本発明によれば、光導電特性及び機械的
性質が電子写真感光体に好適なものを、簡単な製造方法
で、且つ無公害の材料及び処理工程によって製造するこ
とができるＯ 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
Claims (1)
- １、導電性支持体上に光導電層を積層してなる電子写真
用感光体において、光導電層がフッ素化及び水素化され
たアモルファスシリコンを含んでなることを特徴とする
電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10211781A JPS582850A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10211781A JPS582850A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582850A true JPS582850A (ja) | 1983-01-08 |
Family
ID=14318850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10211781A Pending JPS582850A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582850A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083746A (ja) * | 1973-11-28 | 1975-07-07 | ||
| JPS5624354A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10211781A patent/JPS582850A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083746A (ja) * | 1973-11-28 | 1975-07-07 | ||
| JPS5624354A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
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