JPS5828751A

JPS5828751A - 光導電部材の製造法

Info

Publication number: JPS5828751A
Application number: JP57077672A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; 茂白井; Junichiro Kanbe; 純一郎神辺; Tadaharu Fukuda; 福田　忠治
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1982-05-10
Filing date: 1982-05-10
Publication date: 1983-02-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子写真用像
形成部材や原稿読取装置等に於ける光導電層を形成する
光導電材料として目、高感度で、ＳＮ比〔光電流（ＩＰ
）／暗電流（Ｉｄ　）　’］が高く、照射する電磁波の
スペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を
有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有する
こと、使＋＋４時に於いて人体に対して・Ｊｌｊｌｉ公
害である串、更には固体撮像装置に於いては、残像を所
定時間内に容易に処理することが出来る事等の特性が要
求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時に於ける無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記する）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
特開昭５５−３９４０４号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

百年ら、従来のａ−８ｔで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性の
点、更には経時的安定性の点に於いて、更に改良される
可き点が存し、広範囲に於ける応用を含めた実用的な固
体撮像装置や読取装置、電子写真用像形成部材等には、
生産性、量産性をも加味して仲々有効に使用し得ないの
が実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、その
使用時に於いて残留電位が残る場合が度々観測され、こ
の様な種の光導電部材は繰返し長時間使用し続けると、
繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ずる所
謂ゴース、ト現象を発する様になる等の不都合な点が少
なくなかった。

更には例えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子
写真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ
−８ｉは、従来のＳｅ　、　ＣｄＳ　。

ＺｎＯ或いはＰＶＣ７，やＴＮＦ等のＯＰＣ（有機光導
電部材）に較べて、数多くの利点を有するが、従来の太
陽電池１−’１４として使用する為の特性が付与されだ
ａ−８ｉから成る単層構成の光導電層を有する電子写真
用像形成部材の上記光導電１ｑ・１に静電像形成の為の
帯電処理を施しても暗減衰（ｄａｒｋ　ｄｅｃａｙ）が
著し７く速く、通常の１１イ子写真法が仲々適用され難
い事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記１１１１向が
著しく、場合によっては現像時間寸で帯電々荷を全く保
持し得ない事がある等、解決され得る可き点が存在して
いる事が判明している。

従って、ａ−８ｔ材料そのものの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様々所望の電
気的、光学的及び光２へ電画特性が得られる様に工夫さ
れる必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−３ｔに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される先導車１都祠としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子を母体とし、水素原子０又はノ・ロゲン原子
■のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材
料、所謂水素化アモルファスシリコン、ノ・ロゲン化ア
モルファスシリコン、或いは２１０ゲン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記としてａ　
　８１　（ＨＩ　Ｘ）を使用する〕から構成される光導
電層上に特定の障壁層を設けた層構成に設計されて作製
された光導電部材は実用的に充分使用し得るばかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみても殆んどの点に於い
て凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材とし
て著しく優れた特性を有していることを見出した点に基
いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現
象を起さず、残留電位が全く又は殆んど観測されない光
導電部材の製造法を提案することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度領域も略
々全可視光域を覆っていて、且つ光応答性の速い光導電
部材の製造法を提案することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材の製造法を提案することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高＜１．７％−７トー
ンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事
が容易に出来る電子写真用の光導電部材の製造法を提案
することである。

本発明の光導電部材の製造法は減圧にし得る堆積室内に
所望のガスを導入し、所望の内圧とし、該堆積室内にあ
るシリコン原子供給用の出発物質に放電エネルギーを与
えて、支持体上にシリコン原子を母体とするアモルファ
ス材料で構成される光導電層を形成し、次いで、シリコ
ン原子を母体とし、炭素原子と水素原子を含むアモルフ
ァス材料形成用の出発物質に放電エネルギーを与えて前
記光導電層上に表面障壁層を形成することを特徴とする
。

一ヒ記した様な本発明の製造法によって得られた光導電
部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極めてすぐ
れた電気的・光学的・光導電的特性及び使用環境特性を
示す。

殊に、電子写真用像形成部材或いは撮像装置として適用
させた場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、多湿雰囲気中でも
その電気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有
するものであって耐光疲労、繰返し使用性に著しく長け
、更に電子写真用像形成部材の場合には、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質
の可視画像を得る事が出来る。

更に又、電子写真用像形成部材に適用させる場合、高暗
抵抗のａ　−Ｓ　ｉ　（Ｈ＋　Ｘ　）は光感度が低く、
逆に光感度の高いａ−８ｔ　（ＩＨ，Ｘ）は暗抵抗が１
０８ｎｔｙｎ前後と低く、いずれの場合にも、従来の層
構成の光導電層のままでは電子写真用の像形成部材には
適用されなかったのに対して、本発明の場合には、その
特定化された層構造から比較的低抵抗（５Ｘ１０”Ωｍ
以上）のａ　−Ｓｔ（Ｈ，Ｘ　）でも電子写真用の光導
電層を構成する材料となることができるので、抵抗は比
較的低いが高感度である。

ａ　　５１（Ｉ−１ｔ　Ｘ）も充分使用し得、ａ−８ｔ
（Ｈ，Ｘ）の特性面からの制約が軽減され得る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成例を説明
する為に模式的に示した模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
支持体１０１の上に、光導電層１０２該光導電層１０２
上に直接接触した状態に設けられている表面障壁層１０
３とで構成される層構造を有する。

支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ス
テンレス＋　Ａ４　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｎ、　Ｎｂ。

Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ
等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、　ＮｉＣｒ。

Ａｔ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ＋　Ｉｒ＊　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ、　Ｉｎ、０．。

Ｓｎ　Ｏｔ　ｇ　ＩＴＯ（Ｉ　ｎｔＯｓ　＋　Ｓｎｏｗ
　）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａｌｒ　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚ
ｎｔ　Ｎｉ　、　Ａｎ、　Ｃｒ、　Ｍｎ、　Ｉｒ。

Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ＋　Ｔｉ　、　Ｐｔ等の金属の薄膜
を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその
表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理
して、その表面に導電性が付与される。支持体の形状と
しては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得
、所望によって、その形状は決定されるが、例えば、第
１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベル
ト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、
所望１市りの光導電部材が形成される様に適宜決定され
るが、光導電部材として可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。百年ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１
０μ以上とされる。

表面障壁層１０３は、その表面に帯電処理が施された際
、表面電荷が光導電層１０２中に注入されるのを阻止す
る機能が荷せられている。

表面障壁層１０３を構成する材料の選択及びその層厚の
決定は、表面障壁層１０３側より光導電層１０２の感受
する電磁波を照射する様にして光導電部材１００を使用
する場合には、照射される電磁波が光導電層１０２に充
分量到達して、効率良く、フォトキャリアの発生を引起
させ得る様に注意深く成される。

表面障壁層１０３は、シリコン原子及び、炭素原子とを
母体とし、水素原子を含む、非光導電性の非晶質材料で
構成される。

表面障壁層１０３を上記の非晶質材料で構成する場合の
層形成法としてはグロー放電法、スパッターリング法、
イオンインプランテーション法、イオンブレーティング
法、エレクトロンビーム法等によって成される。これ等
の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造
規模９作製される光導電部材に所望される特性等の要因
によって適宜選択されて採用されるが、所望する特性を
有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である。シリコン原子と炭素原子、水素原子を作
成する表面障壁層１０３中に導入することが容易に行え
る等の利点からグロー放電法或いはスパッタリング法が
好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して表面障壁層１０３を
形成しても良い。

グロー放電法によって表面障壁層１０３を形成するには
、前記非晶質材料形成用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスと所定計の混合比で混合して、支持体１０１の設
置しである真空堆積用の畦檀家に導入し、導入されたガ
スをグロー放電を生起させることでガスプラズマ化して
前記支持体１０１上に前記の非晶質材料を堆積させれば
良い。

本発明に於いて、炭素系の非晶質祠料で構成される表面
障壁層１０３を形成する為の原料ガスとして有効に使用
されるのは、８１とＴ（とを構成原子とするＳｔＬ　＋
　５ｉｔＴ（ａ　＋　５ｔｓＴＴｓ　＋　５ｔｄ−Ｌ。

等のシラン（Ｓｉｊａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭
化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素。

炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）　
、エタン（ＣｔＴ（６）、プロパン（ＣｓＨｓ　）　、
ｎ−ブタン（ｎ　Ｃ４Ｈ１０）　＋ペンタン（ＣｓＨ＋
ｔ　）−エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃｔ
Ｈ４）　、プロピレン（Ｃ，Ｈ，’）　、ブテン−１（
Ｃ４ＨＩ　）　、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）。

イソブチレン（Ｃ，ｌ−ｌ８）、ペンテン（Ｃ５ＨＩＧ
　）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（ｃ
ｔｌ。

メチルアセチレン（ＣｓＩＬ）、ブチン（Ｃ４Ｈａ）等
が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｔ　（ＣＨｓ　）４　＋　Ｓ　ｔ　（Ｃｗｔ（ｓ　）４
等のケイ化アルキルを挙げることが出来る。これ等の原
料ガスの他、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も有
効なものとして使用される。

これ等の表面障壁層形成物質は、形成される表面障壁層
中に、所定の組成比でシリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子
（Ｃ）及び水素原子α車とが含有される様に、障壁層形
成の際に所望に従って選択されて使用される。

スパッタリング法によって炭素系の非晶質材料で構成さ
れる表面障壁層１０３を形成するには、単結晶又は多結
晶のＳｉウェーハー又はＣウェーハー又けＳｉとＣが混
合されて含有されているウェーハーをターゲットとして
、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングするこ
とによって行えば良い。

例えば％　８１ウエーハーをターゲットとして使用する
のであれば、炭素原子Ｃ）と水素原子α■を導入する為
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ッタ用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズ
マを形成してｉ’＋１１記Ｓｔウェーハーをスパッタリ
ングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚の、ターゲットを使用するこ
とによって、少なくとも水素原子０を含有するガス雰囲
気中でスパッタリングすることによって成される。

炭素原子又は水素原子導入用の原料ガスとしては、先述
したグロー放電の例で示した原料ガスが、スパッタリン
グ法の場合にも有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、表面障壁層１０３をグロー放電法又は
スパッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂、希ガス、例えばＴ（ｅ　、　Ｎｅ　、　
Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける表面障壁層１０３は、その要求される特
性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、ＳｉとＣ及び■を構成原子とする物質はその作成
条件によって構造的には結晶からアモルファスオでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導電性、絶縁性
までの間の性質を、又、光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を、各々示すので、本発明に於いては
、非光導電性の非晶質材料が形成される様に、その作成
条件の選択が厳密に成される。

本発明の表面障壁層１０３を構成する非晶質材料は表面
障壁層１０３の機能が、その表面に帯電処理が施された
際、表面電荷が光導電層１０２中に注入されるのを阻止
するものであることから、電気絶縁性的挙動を示すもの
として形成される。

上記の様な特性を有する前記の非晶質材料から成る表面
障壁層１０３が形成される為の層作成条件の中の重要な
要素として、層作成時の支持体温度を挙げる事が出来る
。

即ち、光導電体１０２の表面に前記非晶質材料から成る
表面障壁層１０３を１杉成する際、層形成中の支持体温
度は、形成される層の構造及び特性を左右する重要な因
子であって、本発明に於いては、目的とする特性を有す
る前記非晶質材料が所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御される。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の表面障壁
層１０３を形成する際の支持体温度としては表面障壁層
１０３の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、表
面障壁層１０３の形成が実行されるが、通常の場合、１
００℃〜３００℃、好適には１５０℃〜２５０’Ｃとさ
れるのが望ましいものである。表面障壁層１０３の形成
には、同一系内で光導電層１０２から、表面障壁層１０
３まで連続的に形成することが出来る、各層を構成する
原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比
べて比較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパ
ッタリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法
で表面障壁層１０３を形成する場合には前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が、作成さ
れる表面障壁層１０３の特性を左右する重要な因子とし
て挙げることが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有する表面
障壁層１０３が生産性よく効果的に作成される為の放電
パワー条件としては、通常１〜３００Ｗ好適には２〜１
５０Ｗである。父、堆積室内のガス圧は通常３×１０〜
５　Ｔｏｒｒ、好適には８Ｘｉｒｌ〜０．５　Ｔｏ　ｒ
　ｒ　程度とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面障壁層１０３に含有さ
れる炭素原子、及び水素原子の量は、表面障壁層１０３
の作製条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性
が得らｉする障壁層が形成される重要な因子である。

ａ−（Ｓｉ５Ｃ１−１））３．Ｈｌ−ｃ　で構成さｈる
表面障壁層は、炭素原子の含有量１ｄ、通常３０〜９０
ａｔｏｍｉｃチ、好適には４０〜９０　ａｔｏｍｉｃチ
、最適には５　（１〜８０　ａｔｏｍｉｃ％、水素原子
の含有（ｔｌとしては、通常１−４０　ａｔｏｍｉｃ％
、好適には２〜３５ａｔｏｍｉｃ＄　１最適には５〜３
０　ａｔｏｍｉｃ％ｅ　ｂ　＋　ｃの表示で示せば、ｂ
が通常は０．１〜０．５．好適には０１〜０．３５．最
適には０．１５〜０．３．　ｃが通常は０．６０〜０．
９９．好適には０．６５〜０．９８　、最適には０．７
〜０．９５とされる。

エレクトロンビーム法を用いる場合には障壁層形成用の
出発物質を蒸着ボート内に入れてエレクトロンビームを
照射して加熱蒸発させ各種ガスプラズマ中を通過させれ
ばよいが、表面障壁層１０３は、その表面に帯電処理が
施された際、表面電荷が光導電層１０２中に注入される
のを阻止する機能を有するものであることから、電気絶
縁性的挙動を示すものとして形成される。

本発明に於ける表面障壁層１０３の層厚の数値範囲は、
本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１つ
である。

表面障壁層１０３の層厚が充分過ぎる程に薄いと、表面
電荷が光導電層１０２中に注入されるのを阻止する働き
が充分果し得なくなり、又充分過ぎる稈身上に厚いと、
表面障壁層１０３側より光導電層１０２の感受する電磁
波を照射した際に光導電層中で発生したフォトキャリア
が、光導電層と表面障壁層の界面に蓄積される為、特別
な帯電露光プロセス（例えばＮＰプロセス）を必要とす
る。

上記の点に鑑みて本発明の目的を効果的に達成する為の
表面障壁層１０３の層厚と１７ては、通常の場合、３０
人〜５μｍ、好適には、５０人〜２　ｐｍである。

第１図に示す電子写真用像形成部材に於いて本発明の目
的を効果的に達成する為に、光導電層１０２は下記に示
す半導体特性を有するａ　−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る。

（ｌ’）　　ｐ型ａ　　Ｓｔ　（Ｔ（ｙ　Ｘ）　・”ア
クセプターのみを含むもの。或い１ｒ１、ドナーとアク
セプターとの両方を含み、アクセプターの濃度（Ｎａ）
が高いもの。

（ｊ）ｐ−型ａ−８ｔ　（Ｔ（、Ｘ）・・・■のタイプ
に於いてアクセプターの濃度（Ｎａ）が低い所謂Ｉ）型
不純物をライトリ−ドープしだもの。

（３）ｎ型ａ−８ｉ　（Ｔ（、Ｘ）−ドナーのみを含む
もの。或いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナ
ー濃度（Ｎｄ）が高いもの。

（４）ｎ−型ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）・・・■のタイプに於
いてドナーの濃度（Ｎｄ）が低い、所謂ノンドープのも
のか又はｎ型不純物をライトリ−ドープしたもの。

■　ｉ型ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）　・”　Ｎａ＊　Ｎａ＝
ｏのもの又は、　Ｎａ’：：ＮｄＯもの。

本発明に於いて、光導電層１０５中に含有されるハロゲ
ン原子■としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものとして
挙げることが出来る０本発明において、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される光
導電層１０５を形成するには例えばグロー放電法、スパ
ッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の放電
現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば、
グロー放電法によって、ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる光導電層を形成するには、Ｓｉを生成し得るＳｉ生
成原料ガスと共に、水素原子導入用の又は／及びノ１０
ゲン原子導入用の原料ガスを内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ　
−Ｓ　ｉ　（Ｈ＊　Ｘ　）からなる層を形成させれば良
い。又、スパッタリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ、　ｌｌｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとｔ７た混合ガスの雰囲気中でＳｉで形成されたター
ゲットをスパッタリングする際、水素原子又け／及びハ
ロゲン原子導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に
導入してやれば１隻い。

本発明において使用されるＳｉ生成原料ガスとしては、
Ｓｔ’［（、＋　５ｉｔＩ（ａ　、　Ｓｉ、Ｈ，、Ｓｉ
、Ｔ（、、笠のガス状態の又はガス化し得る水叱化硅素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ殊
に、層作成作業の際の扱い易さ％　Ｓ１生成効率の良さ
等の点でＳｉＨ４ＨＳｔ、）Ｔ８が好ましいものとして
挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用原料ガス
として有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物
、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又
はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得るハロゲンを含む硅素
化合物も有効なものとして本発明においては挙げること
が出来る。

本発明において好適に使用し得るノ為ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、　ＢｒＦ、　Ｃ４Ｆ、　ＣｔＦｓ。

ＢｒＦ５　ｇ　ＢｒＦ５　Ｉ　ＴＦｔ　＋　ＩＦｓ　Ｈ
Ｉｃｚ、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが
出来る。

ハロゲンを含む硅素化合物、所謂、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体としては、具体的には例えばＳｉＦ４　
ＨＳｘＪ’ｅ　Ｈ５ｉＣ４ｇ　５ｉＢｒ＋等の／％ｔｆ
ｆゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る
。

この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用してグロー放
電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成する場
合には、Ｓｔを生成し得る原料ガスとしての水素化硅素
ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ−８ｔ：Ｘ
から々る光導電層を形成する事が出来る。

３グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む光導電層１
０２を製造する場合、基本的には、Ｓｉ生成用の原料ガ
スであるハロゲン化硅素ガスとＡｒ　Ｈ）−ｂ　＋　Ｈ
ｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量になる様にして
光導電層を形成する堆積室内に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって、所定の支持体上に光導電層１０２を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等のガス
に更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合し
て層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。反応スパッタ
リング法或いはイオンブレーティング法に依ってａ−８
ｉ　（ＩＴ、　Ｘ）から成る光導電層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合にはＳｉから成るターゲ
ットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中で
スパッタリングし、イオンブレーティング法の場合には
、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸４発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を
抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＦＢ法）等
によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ
雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、■７．前記したシラン類等のガスをス
パッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン導入用の原料ガスとして上
記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素化合
物が有効なものとして使用されるものであるが、その他
に、Ｉ（Ｆ、　ＨＣｚ−＋Ｔ（ｔ３ｒ。

ＨＩ　　等のハロゲン化水素、５ｉ）ＴｔＦｔ　、　５
ｉＨｔＣ４＋５ｉＨＣ４＋　５ｉＨｔＢｒ２＋　５ｔ）
（Ｂｒａ　　等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス
状態の或いはガス化し得る水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な光導電層形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、光導電層形成
の際に層中にハロゲンガスの導入と同時に’ｉ、に気的
或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入
されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用の
原料として使用される。

水素原子を光導電層中に構造的に導入するには、上記の
他にＨ７或いはＳ’■＜　＋　５ＩＪＩａ　Ｉ　Ｓｔ３
■ｄ８１Ｓ　ｉ　４　Ｈｆｏ等の水素化硅素のガスをａ
−８ｉを生成する為のシリコン化合物と堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｔメタ−
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＩ−１，
ガスを必要に応じてＨｅ、Ａｒ　　等の不活性ガスも含
めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記
Ｓｔメタ−ットをスパッタリングする事によって、基板
上にａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る光導電層が形成される
。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ２）Ｌｌ　。

ＰＨｓ　＝　ＰＦ、等のガスを導入してやる事も出来る
。

本発明に於いて、形成される光導電部材の光導電層中に
含有されるＨ又はＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）の量は通常の場
合１〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、好適には５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｅ％とされるのが望ましい。

層中に含有されるＨ又は／及びＸの量を制御するには、
例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含有させる為に使
用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々
力等を制御してやれば良い。

光導電層をｎ型傾向又はｐ型傾向或いはｉ型とするには
、グロー放電法や反応スパッタリング法等による層形成
の際に、ｎ型不純物又はｐ型不純物、或いは両年細物を
形成される層中にその量を制御し乍らドーピングしてや
る事によ−１て成される。

光導電層中にドーピングされる不純物としては、光導電
層をｉ型又はｐ型傾向にするには、周期律表第■族Ａの
元素、例えば、　Ｂ、　ＡＬ、　Ｇａ。

Ｉｎ、Ｔｔ　等が好適なものとして挙げられる。

ｎ型傾向にする場合には、周期律表第■族Ａの元素、例
えば、Ｎ＋　Ｐ、　Ａ８１　Ｓｂ＋　Ｂｉ等が好適なも
のとして挙げられる。光導電層中にドーピングされる不
純物の量は、所望される電気的・光学的特性に応じて適
宜決定さ：ねるが、周期律表第■族Ａの不純物の場合は
３　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ％までの範囲内でドーピン
グしてやれば良く、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合は
５刈Ｏａｔｏｍｔｃ％以下の量範囲内でドーピングして
やることが望ましいものである。光導電層の層厚は、光
導電層中でフォトギヤリアが効率良く発生され、所定の
方向に効率良く輸送される様に所望に従って適宜法めら
れ、通常は３〜１００μ、好適には５〜５０μとされる
。

本発明に於いては、表面障壁層１０３を設けることによ
って光導電層１０２は、比較的低抵抗であっても使用さ
れ得るものであるが、一層良好な結果を得る為には、形
成される光導電層１０２の暗抵抗が好適には５Ｘ１０’
Ωｍ以上、最適には１０１００鋸以上となる様に光導電
層１０２が形成されるのが望捷しいものである。

殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された光導電部
材を電子写真用像形成部材や、低照度領域で使用される
高感度の読取装置や撮像装置、或いは光電変換装置とし
て使用する場合には重要な要素である。

本発明に於ける光導電部材の光導電層１０２の層厚とし
ては、読取装置、撮像装置或いは電子写真用像形成部材
等の適用するものの目的に適合させて所望に従って適宜
決定される。本発明に於ては、光導電層１０２の層厚と
しては、光導電層１０２０機能及び表面障壁層の機能が
各々有効に活されて本発明の目的が効果的に達成される
様に表面障壁層１０３との層厚関係に於て適宜所望に従
って決められるものであ如、通常の場合、表面障壁層１
０３の層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされるの
が好ましいものである。

実施例１完全にシールドされたクリーンルーム中に設置された第
２図に示す装置を用い、以下の如き操作によって第１図
に示す層構造の光導電部材を作成した。

表面が清浄にされた０、５■厚１ｏｃｒｎ角のモリブデ
ン（基板）２０５を堆積室２０１内の所定位置にある固
定部材２０３に堅固に固定した。

基板２０５は、固定部材２０３内の加熱ヒーター２０４
によって±０．５℃の精度で加熱される。

温度は、熱雷対（アルメル−クロメル）によって基板裏
面を直接測定されるようになされた。

次いで系内の全バルブが閉じられていることを確認して
からメインバルブ２３２を全開して一旦５　Ｘ　１０　
ｔｏｒｒ程度まで真空にされ（このとき系の全パルプは
閉じられている）、補助バルブ２３１および流出バルブ
２２５．２２６，２２７゜２２８．２２９，２３０が開
かれフローメータ２４０　、２４１．２４２．２４３．
２４４．２４５内が十分に脱気された後、流出バルブ２
２５゜２２６．２２７，２２８，２２９，２３０と補助
バルブ２３１が閉じられた。ここでヒータ２０４はＯＮ
され基板温度は２５０℃に設置される。

その後、几で１０　ｖｏｌ　％に稀釈された５ｉＩ−（
４ガス（純度９９．９９９チ、以後Ｓ　ｉ＆　／）（、
と記す）のボンベ２０７のバルブ２１３、Ｈ，で５００
　Ｖｐｐｍに稀釈されたＢ、Ｉ−ガス（以後ＢｔＨ，／
Ｉ（、と記す）のボンベ２０８のバルブ２１４を開け、
出口圧ゲージ２３４，２３５の圧を１（包に調整し、流
入バルブ２１９，２２０を徐々に開けてフローメーター
２４０，２４１内へ５ｉＴ（、ガス、及びＢ、ルガスを
流入させた。引続いて、流出バルブ２２５゜２２６を徐
々に開け、次いで補助バルブ２３１を徐々に開けた。こ
のときＳ　ｉ　Ｈ４／Ｉ（ｔガス流量とＢｔＨ６７’ｉ
（、ガス流量比が５００　：　１に寿るように２１９．
２２０を調整し、補助バルブ２３１の開口を調整して室
２０１内をＩ　Ｘ　１０　ｔｏｒｒに保っだ。室２０１
の内圧が安定してからメインバルブ２３２を徐々に閉じ
、ビラニーゲージ２４６の指示が０．２ｔｏｒｒになる
様に開口を調節した。

ガス流入が安定し、内圧が安定するのを確認し高周波電
源２４７のスイッチをＯＮ状態にして誘導コイル２０６
に高周波電力を投入し、入力電力１０Ｗで室２０１内に
グロー放電を発生させた。どの様にしてグロー放電を約
１０時間持続させることによって光導電層を形成１．、
、だ。層形成後、バルブ２１３，２１４を一旦閉じた。

その後、補助バルブ２３１、次いで流出パルプ２２５，
２２６及び流入パルプ２１９．２２０を全開し、フロー
メーター２４０，２４１内も十分脱気真空状態にされた
。補助バルブ２３１、流出パルプ２１９，２２０，２２
５，２２６を閉じた後、　Ｈ，で１０　ｖｏｌ　’ｌｉ
に稀釈された５ｉ）Ｔ、ガス（純度９９．９９９チ、以
後５ＩＴ（４／Ｈｔと記す）のボンベ２０７のバルブ２
１３　、Ｈ，で１０ｖｏ１％に稀釈されたＣ、Ｈ４ガス
（以後Ｃ！ｌ−ｌ４ＡＩ、と記す）のボンベ２１０のバ
ルブ２１６を開け、出口圧ゲージ２３４，２３７の圧を
Ｉ　ＫｇＡに調整し、流入パルプ２１９，２２２を徐々
に開けてフローメーター２４０，２４３内へＳｉＨ４ガ
ス、Ｃ２Ｈ４ガスを夫々流入させた。引続いて、流出バ
ルブ２２５゜２２８を徐々に開け、次いで補助パルプ２
３１を徐々に開けた。このときＳ　ｉ　Ｈａ　／Ｉｔガ
ス流量とＣｔＨ＜　Ａｔ　　ガス流量比が１：９になる
ように流入パルプ２１９，２２２を調整した。次にビラ
ニーゲージ２４６の読みを注視しながら補助パルプ２３
１の開口を調整し、室２０１内が１刈０−２ｔｏｒｒに
なるまで補助パルプ２３１を開けた。室２０１内圧が安
定してから、メインバルブ２３２を徐々に閉じ、ビラニ
ーゲージ２４６の指示が０、５　ｔｏｒｒになる様に開
口を調節した。ガス流入が安定し内圧が安定するのを確
認し続いて高周波電源２４７のスイッチをＯＮ状態にし
て、誘導コイル２０６に、１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を投入し、室３０１内にグロー放電を発生させ、１０
Ｗの入力電力とした。上記条件で基板上にａ−（Ｓｉｚ
Ｃ，−Ｘ）ｙ：Ｈｌ−アを堆積させる為に、１分間条件
を保って表面障壁層を形成した。その後、高周波電源２
４７をｏｆｆ状態とし、流出バルブ２２５゜２２８及び
流入パルプ２１９，２２２を閉じ、メインパルプ２３２
を全開にして、室２０１内を１０　ｔｏｒｒ以下にした
後、メインバルブ２３２を閉じ、室２０１内をリークバ
ルブ２３３によって大気圧として基板を取り出した。

このようにして基板上に形成された層の全厚は約１５μ
であった。

こうして得られた光導電部材を、実験用の帯電露光装置
に設置した。（１）６Ｋｖでコロナ帯電を行い、露光は
画像信号を与えられた７８０ｎｍの半導体レーザーによ
る走査で行なわれ、その光景は５７ｚＪであった。

その後直ちに、○荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を光導電部材表面にカスケードすることによっ
て、光導電部材表面−にに良好なトナー画像を得だ。光
導電部（ｊ上のトナー画像を、■５：ＯＫＶのコロナ帯
電で転写紙−ヒに転写した処、解像力に優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。又、画像形成
を５万回繰返し行っても上記の画像特性の低下は見られ
なかった。

実施例２表面障壁層の形成に於て、Ｓ　ｉ　Ｈ，／Ｉ（２とｃｔ
′ｒＭｎ２の流量比をかえることによって該層中のＣの
含有量を種々に変化させた以外は実施例１と全く同様の
条件及び手順によって光導電部材を作成した場合及び表
面障壁層の形成に於て、グロー放電時間を変えることに
よって表面障壁層の層厚を種々に変化させた以外は実施
例１と全く同様の条件及び手順によって光導電部材を作
成した場合について、それぞれの試料を実施例１と全く
同様の帯電露光装置に設置して画像形成を行い、その画
質を判定したところ、下記の第１第　　１　　表５１ｙＣ＋−Ｘ画質評価基準：◎・・・優良　Ｏ・・・良好△・・・実
用上充分である実施例３実施例１と同一な条件及び手順に従ってモリブデン塙板
上に光導電層を形成した後、Ｈ，で１゜ｖｏ１％に希釈
された８１（ＣＨｉ）４ガス（純度９９．９９９％。

以後Ｓ　ｉ　（ＣＨｓ　）ａ　／Ｔｌｔと記す）のボン
ベ２１１のパルプ２１７を開は出口圧ゲージの圧をＩ　
Ｋｖ／ｃａに調整し、流入パルプ２２３を徐々に開けて
フローメーター２４４内へ５ｉ（ＣＨｓ）＜　／Ｈｚガ
スを流入させた。引続いて流出パルプ２２９を徐々に開
けた。次にビラニーゲージ２４６の読みを注視しながら
補助パルプ２３１の開口を調整し、室２０１内がＩ　Ｘ
　１０　Ｔｏｒｒになるまで補助パルプ２３１を開けた
。室２０１の内圧が安定してから、メインパルプ２３２
を徐々に閉じ、ビラニーゲージ２４６の指示がＱ、５　
Ｔｏｒｒになる様に開口を調節した。ガス流入が安定し
内圧が安定するのを確認し、続いて高周波電源２４２の
スイッチをＯＮ状態にして、誘導コイル２０６に、１３
．５６■（ｚの高周波電力を投入し、室２０１内にグロ
ー放電を発生させ、１０Ｗの入力電力とした。１分間同
条件を保って表面障壁層を形成した後、高周波電源２４
７をｏｆｆ状態として、グロー放電を中止させ、基板温
度が１００℃になるのを待ってから流出パルプ２２９及
び流入パルプ２２３を閉じ、メインバルブ２３２を全開
にして、Ｋ＜　２０１内を］ｏ−５ｔｏｒｒ以下にした
後、メインバルブ２３２を閉じ、室２０１内をリークパ
ルプ２３３によって大気圧として基板を取り出した。こ
の場合、形成された層の全厚は約９μであった。こうし
て得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設置し、
■６．ＯＫＶで０．２ｓｅａ間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光像は、タングステンランプ光源を
用い、１、　ＯＪｕｘ−ｓｅ自の光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤー
を含む）を部材表面にカスケードすることによって、部
材表面上に良好なトナー画像を得た。部材上のトナー画
像を、−５，ＯＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写した
所、解像力に優、１、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。

又、コロナ帯電極性をｅに、現像剤極性をのに変えても
同様に鮮明で良好な画像が実施例１と同様に得られた。

実施例４モリブデン塞板−にに光導電層を形成する際にヒータ２
０４の入力電圧を上昇させ、基板温度を検知しながら入
力電圧を変化させ、２５０℃の一定値になる壕で安定さ
せた。

その後、補助バルブ２３１、次いで流出パルプ２２５及
び流入パルプ２１９を全開し、フローメーター２４０内
も十分脱気真空状態にされた。補助バルブ２３１．パル
プ２２５，２１９を閉じた後、Ｈ３で１０　ｖｏｌ　％
に希稀された５ｉＩ−Ｉ４ガス（純度９９．９９９係、
以後Ｓｉｒ’（４／ＴＩｔと記す）のボンベ２０７のバ
ルブ２１３を開け、出口圧ゲージ２３４の圧をＩ　Ｋｇ
／ｃＪに調整し、流入パルプ２１９を徐々に開けてフロ
ーメーター２４０内へＳ　ｉ　Ｈ，／Ｈ２Ｉ２ガス入さ
せた。引続いて、流出パルプ２２５を徐々に開け、次い
で補助バルブ２３１を徐々に開けた。次にビラニーゲー
ジ２４６の読みを注視しながら補助バルブ２３１の開口
を調整し、室２０１内がｌＸ１０ｔｏｒｒになるまで補
助バルブ２３１を開けた。室２０１内圧が安定してから
、メインバルブ２３２を徐々に閉じ、ビラニーゲージ２
４６の指示が０．５　ｔｏｒｒになる様に開口を調節し
た。ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し、続い
て高周波電源２４７のスイッチをＯＮ状態にして、誘導
コイル２０６に１３．５６　ＭＴＴｚの高周波電力を投
入し室２０１内にグロー放電を発生させ、１０Ｗの入力
電力と　　−した。グロー放電を３時間持続させて光導
電層を形成した後、加熱ヒーター２０４をｏｆｆ伏態に
し、高周波電源２４７もｏｆｆ伏態とし、基板温度が１
００℃にｈるのを待ってから実施例１と同様の操作によ
って光導電層上にａ　（Ｓ　Ｉ　ＸＣＩ　−Ｘ　）ｙ：
　Ｈ，−７からなる表面障壁層を設けた。この場合、形
成された層の全厚は約９μであった。こうして得られた
像形成部材を、実施例１と同様の手Ｉｌｌに従い転写紙
上に画像形成したところ、Ｏコロナ放電を行って画像形
成した方が、■コロナ放電を行って画像形成したよりも
その画質が優れており極めて鮮明であった。この結果よ
り本実施例で得られた像形成部材には帯電極性の依存性
が認められた。

実施例５実施例１と同様な条件及び手順によって堆積室内を５　
Ｘ　１０　　ｔｏｒｒｔで排気してＳｉＨ４／Ｈｔガス
を実施例１と同様の手順で、室２０１内に導入した。そ
の後Ｈ７で２５　ＶｎＬ　ｐｐｍに希釈しだＰＩ−Ｉ３
ガス（μ後ＰＨ，／Ｈ，と記す）のボンベ２０９から流
入バルブ２２１を通じて１　ｈ／２４のガス圧（出口圧
ゲージ２３６の読み）で流入バルブ２２１、流出パルプ
２２７の調整によってフローメーター２４１の読みがＳ
　ｉ　Ｈ４／ルガスの流量の１１５０にガる様に流出パ
ルプ２２７の開口を定め、安定化させた。

引き続き、高周波電源２４７をｏｎ状態にして、グロー
放電を発生させた。そのときの入力電圧を１０Ｗにしだ
。こうしてグロー放電を４時間持続させて光導電層を形
成した後、加熱ヒーター２０４をｏｆｆ伏態にし、高周
波電源２４７もｏｆｆ伏態にし、基板温度が１００℃に
なるのを待ってから実施例１と同様な条件及び手順によ
って光導電層−ヒにａ　　（５ｉｚＣ＋−Ｘ）　ｙ　：
　Ｈ＋　　’ｌから々る表面障壁層を設けた。この場合
、形成された層の全厚は約１１μであった。とうして得
られた像形成部材を、実施例１と同様の条件及び手順で
転写紙−ヒに画像を形成ｌ−７だところＯコロナ放電を
行って画像形成した方が、■コロナ放電を行って画像形
成したよりもその画質が優れており極めて鮮明であった
。との結果より本実施例で得られた像形成部材には帯電
極性の依存性が認められた。

実施例６実施例１と同様な条件及び手順によって、堆積室２０１
内を５　Ｘ　１０　ｔｏｒｒまで排気して５ｉｌｌ。

／Ｈ２Ｉ２ガス２０１内に導入した。その後Ｉ（、で５
０　ＶｏｔＴ）ｐｍに希釈したＢ、迅ガス（以後ｎｔ■
ｂ（ｓＯ）／迅と記す）のボンベ２０８から流入パルプ
２２０を涌じてＩ　Ｋｑ／ｅｒａ　　のガス圧（出口圧
ゲージ２３５の読み）で流入バルブ２２０．流出パルプ
２２６の調整によってフローメーター２４１の読みが５
ｉＩ（４／Ｈｚガスの流量の１／１０になる様に流出バ
ルブ２２６の開口を定め、安定化させた。

引き続き、高周波電源２４７をｏｎ状態にして、グロー
放電を発生させた。そのときの入力電力をＩＯＷにした
。こうしてグロー放電を更に４時間持続させて光導電層
を形成した後、加熱ヒーター２０４をｏｆｆ状態にし、
高周波電源２４７もｏｆｆ状態とし、基板温度が１００
℃になるのを待ってから実施例１と同様の操作によって
光導電層上にａ　　（５ｉｚＣｓ−ｘ　）　ｙ　：　Ｈ
＋−ｙからなる表面障壁層を設けた。この場合形成され
た層の全厚は約１０　ｌｔであった。こうして得られた
像形成部材を、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙
上に画像を形成したところ、■コロナ放電を行って画像
形成した方が、Ｏコロナ放電を行って画像形成したより
もその画質が優れており極めて鮮明であった。この結果
よυ本実施例で得られた像形成部材には帯電極性の依存
性が認められた。而し、その帯電極性依存性は実施例４
．５で得られた像形成部材とは逆であった。

実施例７釈されていないＳｉ、Ｉ（、ボンベ２１２を用い、■（
。

で５０　ＶｏｔＩ）ｐｍに希釈されたＢ、ｎ、ガス（Ｂ
ｄｌｅ　（５０）／Ｈ，のボンベ２０８を、Ｉ−Ｉ、で
５００　ｖａｔ　ｐｐｍに希釈されたＢｔＨａガス（Ｂ
ＪＩａ／）ｈ）のボンベに変えた以外は、実施例１と同
様の条件及び手順によって、光導電層９表面障壁層をモ
リブデン法板上に形成した後堆積室２０１外に取り出し
実施例１と同様に帯電露光の実験装置に静置して画像形
成の試験をした所、−５，５ＫＶのコロナ放電、■荷電
性現像剤の絹み合せの場合に、極めて良質の、コントラ
ストの高いトナー画像が転写紙上に得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の好適な実施態様例の層
構成を説明する為の模式的説明図、第２図は本発明の光
導電部材を作成する為の装置を説明する為の模式的説明
図である。１００・・・光導電部材１０１−・支持体１０２・・・光導電層１０３・−・表面障壁層１０４・・・自由表面出願人　キャノン株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

減圧にし得る堆積室内に所望のガスを導入し、所望の内
圧とし、該堆積室内にあるシリコン原子供給用の出発物
質に放電エネルギーを与えて、支持体上にシリコン原子
を母体とするアモルファス材料で構成される光導電層を
形成し、次いで、シリコン原子を母体とし、炭素原子と
水素原子を含むアモルファス材料形成用の出発物質に放
電エネルギーを与えて前記光導電層上に表面障壁層を形
成することを特徴とする光導電部材の製造法。