JPS6057349A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無公害であること、更には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点でおる。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアも（シフフスシリコン（以後ａ　−Ｓｌと表記す）
があυ、例えば、独国公開第２７４６９６７−８小ｍ　
開鎖９ＲＲＲ７１Ｒ得公報には電子写真用像形成部材と
しての応用、独国公開第２９３３４１１号公報には光電
変換読取装置への応用が記載されている。

しかしながら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点にお
いて、総合的な特性向上を計る必要があるという更に改
良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、との種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ザースト現象を発する様になるとか、或いは
、高速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の
不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−Ｓｔは、可視光領域の短波長側に較べて、
長波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比
較的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマ
ツチングに於いて、また、通常使用されているハロゲン
ランプや螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効
に使用し得ていないという点に於いて、夫々改良される
余地が残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて充分吸
収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射に−よる干
渉が起って画像の「ゼケ」が生ずる一要因となる。

この影響は解像度を上げる為に照射ス号？ットを小さく
する程大きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場合
には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｔ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よシの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

文には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よシ取）出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ　−Ｓ　ｉ材料そのものの特性改良が計られ為
−丈で弄導電部材を設計する際に、上記した様な問題の
総てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１に
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子（Ｓｌ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを母体
とし、水素原子（６）又はハロゲン原子に）のいずれか
一方を少なくとも含有するアモルファス材料、所謂水素
化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化アモ
ルファスシリコンゲルマニウム、或いはハロゲン含有水
素化アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ等の
総称的表記として［ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）Ｊを使用
する〕から構成される光導電性を示す光受容層を有する
光導電部材の構成を以後に説明される様に特定化して設
計され作成された光導電部材は、実用上著しく優れた特
性を示すばかシでなく、従来の光導電部材と較べてみて
もあらゆる点において凌駕していること、殊に電子写真
用の光導電部材として著しく優れた特性を有しているこ
と及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優れてい
ることを見出した点に基いている。

本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常時安定し
ていて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であ
シ、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残
留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供
することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ且つ光応答の
速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あシ、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、／Ｓ−７トーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を借る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高８Ｎ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、光導電性を示す光受容層とを有し、該光受容層
は、層厚方向に不均一な分布状態で炭素原子が含有され
ている層領域を有することを特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトー／が鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が、層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れておシ、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

Ｍ１図は、本発明の第１の実施態様の光導電部的構成図
である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８１Ｇθ（ＨＩＸ）から成
る光導電性を有する光受容層１０２とを有する。光受容
層１０２中に含有されるゲルマニウム原子は、該光受容
層１０２の層厚方向及び支持体１０１０表面と平行な面
内方向に連続的に均一に分布した状態となる様に前記光
受容層１０２中に含有される。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマ、＝ラム原子の
含有される光受容層には伝導特性を支配する物質（Ｃ）
を含有させた層領域（ＰＮ　）を支持体側に設けること
によシ、該層領域（ＰＮ　）の伝導特性を所望に従って
任意に制御することが出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る光受容層を構成するａ　−８ｉＧｅ（ＨＩＸ）に対し
て、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性
を与えるｎ型不純物を挙げり−Ｌ−Ａｔ出１Ｌ旦仕的に
Ｍ、ｎ型不純物とじては周期律表第■族に属する原子（
第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）　１．　Ａｔ　（ア
ルミニウム）　、　Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウ
ム）、Ｔｔ（タリウム）等があシ、殊に好適に周込られ
るのは、Ｂ　、　Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）　、　Ａａ　（砒素）。

ｓｂ　（アンチモン）　ｌ　Ｂｉ　（ビスマス）等でｓ
ｂ、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ　、　Ａｍである
。

本発明に於いて、光受容層中に設けられる層領域（ＰＮ
）に含有される伝導特性を市゛制御する物質Ｃ）の含有
量は、該層領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは
該層領域（ＰＮ）が直に接触して設けられる支持体との
接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於い
て、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域に直に接触して設けられる他の層領域の
特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との関
係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が適
宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ　）中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、好ましくは０．
０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、よシ好
適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適には１〜５×１０”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐとされ
るのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｑが含有さ
れる層領域（ＰＮ　）に於ける該物質（０の含有量を、
好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ＰＦｎ以上、よシ好適
には５０　ａｔｏｍｉａ　ｐ］１ｆｔ１以上、最適には
１００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上とすると、例えば上記
の含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には
、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に
支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的に阻
止することが出来、又、前記の含有させる物質が前記の
ｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に
帯電処理を受けた際に支持体側から光受容層中への正孔
の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には前記層領域（ＰＮ　）を除いた部分
の層領域馨）には、層領域（ＰＮ　）に含有される伝導
特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特性を支
配する物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝
導特性を支配する物質を、層領域（ＰＮ　）に含有され
る実際の量よシも一段と少ない量にして含有させても良
いものである。この様な場合、前記層領域■）中に含有
される前記伝導特性を支配する物質の含有量は、層領域
（ＰＮ　）に含有される前記物質の極性や含有量に応じ
て所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましく
は０．００１゛〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、よ
シ好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　とされ
るのが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ　）及び層領域■）に同
種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層領
域■）に於ける含有量としては、好ましくは、３０　ａ
ｔｏｍｉｃ　Ｐｐｍ　以下とするのが望ましいものであ
る。

上記した場合の他に、本発明に於いては、光受容層中に
一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた
層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質を
含有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触
領域に所謂空乏層を設けることも出来る。つまシ、例え
ば、光受容層中に、前記のｐｍ不純物を含有する層領域
と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する
様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設ける
ことが出来る。

本発明において、光受容層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成される様
に所望に従って適宜法められるが、シリコン原子との和
に対して好ましくは１〜９．５Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ
　ｐｌＩｎ　、−よシ好ましくは１００〜８０Ｘ　１０
’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍｑ最適には５００〜７×１０
５１０５ａｔｏ　Ｐｐｍ　とされるのが望ましいもので
ある。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
計る目的の為に、光受容層中には、炭素原子が含有され
る。光受容層中に含有される炭素原子は、光受容層の全
層領域に層厚方向には不均一な分布状態で１偏なく含有
されても良いし、或いは光受容層の一部の層領域のみに
含有させて偏在させても良い。

又、炭素原子の含有される層領域（財）を光受容層の一
部として設け、る場合炭素原子の分布状態は分布濃度Ｃ
（Ｃ）が層領域（イ）に於いてその層厚方向に於いて均
一であっても、不均一であっても良い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる炭素原子の含有
されている層領域（ｑは、光感度と暗抵抗の向上を主た
る目的とする場合には、光受容層の全層領域を占める様
に設けられ、支持体と光受容層との間の密着性の強化を
計るのを主たる目的とする場合には、光受容層の支持体
側端部層領域１）を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、光受容層の
自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか、或い
は、光受容層の自由表面側の表層領域には、炭素原子を
積極的には含有させない様な炭素原子の分布状態を層領
域（Ｑ中に形成すれば良い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ロ）に
含有される炭素原子の含有量は、層領域（Ｑ自体に要求
される特性、或いは該層領域（Ｃ）が支持体に直に接触
して設けられる場合には、該支持体との接触界面に於け
る特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択す
ることが出来る。

又、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、・該他の層領域の特性や、該他の層領
域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭
素原子の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、好ましくは０．００１〜５０　ａｔｏ
ｍｌｅ　％　ｒよシ好ましくは、０．００２〜４０ａｔ
ｏｍｉｃ　％　、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（Ｑが光受容層の全域を占める
か、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層領域Ｃ
）の層厚Ｔ０の光受容層の層厚Ｔに占める割合が充分多
い場合には層領域働に含有される炭素原子の含有量の上
限は、前記の値よシ充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ｑの層厚Ｔ０が光受容層の
層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な場
合には、層領域（Ｑ中に含有される炭素原子の量の上限
としては、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃチ以下、よシ
好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適にはｌ　Ｑ
　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましいものである
。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域働中に含有される炭素原子の層厚方向の分布状態
の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は炭素原子の分布濃
度Ｃを、縦軸は、層領域（Ｑの層厚を示し、ｔＢは支持
体側の層領域（Ｑの端面の位置を、ｔＴは支桔仕個）−
汁反対側の層領鍵ｎの傭面の位置を示す。

即ち、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）はｔｓ側よυ
ｔＴ側に向りて層形成がなされる。

第２図には、層領域（Ｑ中に含有される炭素原子の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

とが接する界面位置ｔｎよシｔ１の位置までは、炭素原
子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値を取シな力鴨炭素原
子が形成される層領域（Ｑに含有され、位置ｔ１よシは
濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減
少されている。界面位置ｔＴにおいては炭素原子の分布
濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される炭素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔ３よ多位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５
となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔｍよ多位置ｔ２までは炭素原
子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ２と
位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され、位
置１．において、分布濃度Ｃは実質的に零とされている
くことで実質的に零とは検出限界量未満の場合である）
。

第５図の場合には、炭素原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢよ
多位置ｔＴに至るまで、濃度ｃ８よ多連続的に徐々に減
少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、炭素原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度ｃ９と一定値で
あシ、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１０される。

位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３よ多位置ｔＴに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
よ）位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取シ、位置ｔ
４よ多位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２よシ濃度Ｃ１３まで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよ多位置ｔＴに至
るまで、炭素原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４より実質的
に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢよ多位置ｔ５に至るまでは
炭素原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５よ）濃度Ｃ１６１
で一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴとの間に
おいては、濃度０１６の一定値とされた例が示されてい
る。

第１０図に示される例においては、炭素原子の分布濃度
Ｃは位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であシ、位置ｔ６に至
るまではとの濃度Ｃ１７よシ初めはゆりくシと減少され
、’ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて位置
ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となシ１位置ｔ７と位置ｔ８との間では、櫨
めてゆっくシと徐々に減少されて位置ｔ８において、濃
度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔＴＯ間においては、
濃度Ｃ２（ｌよシ実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、層領域Ｃ）中に含有
される炭素原子の層厚方向の分布状態の典屋例の幾つか
を説明した様に、本発明においては、支持体側において
、炭素原子の分布濃度Ｃの高込部分を有し、界面ｔＴ側
においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成）
低くされた部分を有する炭素原子の分布状態が層領域（
Ｑに設けられている。

本発明において、光受容層を構成する炭素原子の含有さ
れる層領域（Ｃ）は、上記した様に支持体側の方に炭素
原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を
有するものとして設けられるのが望ましく、この場合に
は、支持体と光受容層との間の密着性をよシ一層向上さ
せることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位１ｔ
ｘｔよシ５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合も
あるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域伸）はその中に含有される炭素原子の層厚方向
の分布状態として炭素原子の分布濃度の最大値Ｃｍａｘ
が好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ
好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には
工０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状
態となシ得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｎから５
μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する
様に形成されるのが望ましい。

本発明において、゛必要に応じて光受容層中に含有され
るハロゲン原子■とじては、具体的にはフッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−５ＩＧｅ（Ｈ、Ｘ　）で構成さ
れる光受容層を形成するには例えばグロー放電法、スパ
ッタリング法、或いはイオンシレーティング法等の放電
現象を利用する真空堆積法によって成される。例えば、
グロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ（ＨｔＸ）で構成
される光受容層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガスとゲルマ
ニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガス
と、必要に応じて水素原子頓導入用の原料ガス又は／及
びハロゲン原子（３）導入用の原料ガスを、内部が減圧
べし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆
積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置さ
れである所定の支持体表面上にａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性
ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気
中でＳｔで構成されたターゲット、或いは、該ターゲッ
トとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して、又
は、ＳｔとＧｅの混合されたターゲットを使用して、必
要に応じて、Ｈｅ　、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈された
Ｇｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（ロ
）又は／及びハロゲン原子に）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲
気を形成すると共に、前記Ｇｅ供給用の原料ガスのガス
流量を所望の変化率曲線に従って制御しながら、前記の
ターゲットをスパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は略結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は曝結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着？−トに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成ル
得る物質としては、８１Ｈ４＋　Ｓ　ｉ　２ＨＡ　ｒ　
Ｓ　’ＳＨＢ　ｒＳ　ｉ　４ｕＩ　Ｑ等のガス状態の又
杜ガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い
易さ、ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ
６が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨ
ａ　＋　Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ　、Ｇｅ４Ｂ１’ｏ　
、Ｇ６５Ｈ１２、ＧｅｂＨ１４ｊＧｅ　７Ｈ１６ｒ　Ｇ
ｅ８Ｈ１８＋　Ｇｅ’９Ｈ２０等のガス状態の又はガス
化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものと
して挙げられ１．殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇ
ｏ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４。

Ｇｅ２Ｈ６ｒ　Ｇｅ３Ｈ６が好ましいものとして挙げら
れる〇本発明において使用されるハロゲン原子導入用の
原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙
げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲ
ン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又社ガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る０本発明において好適に使用し得
るハロゲン化合物としては、具体的には、７．素、塩素
、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　
、　ＣｌＦ５　。

ＢｒＦ５　、　ＢｒＦｙ、　、　ＩＦ３　、　ＩＦ７　
、　ＩＣｔ、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ・ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４　、５ｉｚＦ６　、５ｉＣｔ４　、　ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的々光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にａｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にノ・ログン原子を含むａ二５ｉＧｅ
から成る光受容層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む光受容層を
作製する場合、基本的には、例えばＳｔ供給用の原料ガ
スとなるノーログン化硅素とＧｅ供給用の原料ガスとな
る水素化ゲルマニウムとＡｒ。

Ｈ２、Ｉ（ｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量にカ
る様にして光受容層を形成する堆積室に導入し、グロー
放電を生起してとれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成す
ることによって、所望の支持体上に光受寄層を形成し得
るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易
になる様に計る為にこれらのガスに更に水素ガス又は水
素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成
しても良い。

又、各ガスは革独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、）Ｆ２、或いは前記したシラン類又は
／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロダンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣＩ　、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉＨ２Ｆ２１Ｓｉ）Ｉ２Ｉ
２゜５ｉＨ２Ｃ１２，５ｉＨＣｔ３．５ｉｎ２Ｂｒ２．
５ｉＨＢｒ３等のハＯグン置換水素化硅素、及びＧｅＨ
Ｆ３．　ＧｅＨ２Ｆ２゜ＧｅＨｓＦ　、ＧｅＨＣｌ−３
，ＧｅＨ２Ｃｔ２　、ＧｅＨｓＣＬ　ｌＧｅＨＢｒ５　
。

ＧｅＨ２Ｂｒ２．、　ＧｅＨ３Ｂｒ　、　ＧｅＨＩ、　
、　ＧｅＨ２Ｉ、　、　ＧｅＨ５Ｉ等の水素化ハロダン
化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物、ＧｅＦ４゜ＧａＣｌ２．　ＧｅＢｒ４＋
　ＧｅＩ４　、　ＧｅＦ２　、　ＧａＣｌ２．　ＧｅＢ
ｒ２゜ＧｅＩ。等のハロダン化ゲルマニウム、等々のガ
ス状態の或いはガス化し得る物質も有効な光受容層形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、光
受容層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電
気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入するので、本発明においては好適なハロゲン導入用
の原料として使用される。

水素原子を光受容層中に構造的に導入するには、上記の
他にＨ２、或いは５ｔＨ４＋　５１２Ｈ６，５ｉ３ａ８
１Ｓｔ４Ｈ４゜等の水素化硅素と、Ｇｅを供給する為の
ダルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、Ｇｅ
Ｈ４１Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ＨＢ　ｌＧｅ４Ｈ１ｏ　１Ｇ
ｅ５Ｈ１２。

Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ＋６１　Ｇｅ８Ｈ１８、Ｇｅ、
Ｈ２ｇ等の水素化ゲルマニウムとＳｔを供給する為のシ
リコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される、光導電部材
の光受容層中に含有される水素原子（Ｈ）の量、又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量、又は水素原子とハロダン原子の
盆の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは０、０１〜４０　ａ
ｔｏｍｉ　ｃ　％、よシ好適には０．０５〜３゜ａｔｏ
ｚｉｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％と
さレルのが望ましい。

光受容層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子（Ｉ（）、或いはハロダン原子（Ｘ
）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

光受容層に伝導特性を制御する物質１例えば、第■族原
子或いは第■族原子を構造的に導入するには、層形成の
際に第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この様
な第■族原子導入用の出発物質と成シ得るものとしては
、常温常圧でガス状のもの、又は少なくとも層形成条件
下で容品にガス化し得るものが採用されるのが望ましい
。その様な第１族原子導入用の出発物質として具体的に
は硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６゜Ｂ４Ｈ１ｏ、Ｂ
５Ｈ２，Ｂ５Ｈ１，１Ｂ６Ｈ１ｏ、Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ
１４醇の水素化硼素、ＢＦ、　、　ＨＣｌ３．　ＥＢｒ
３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｔＣ
１３１ＧａＣｔ３．　Ｇａ（ＣＨ３）、　、　ＩｎＣ２
ｘ　、　ＴｔＣｌ、　＠−も羊けることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３１
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣Ｉ　ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ、　。

ＰＦ５ｒ　ＰＣｌ５　、　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ３．　Ｐ
Ｂｒ３．　ＰＩ５等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、Ａｇ１Ｆｉ　＊　ＡｇＦ２゜ＡｓＣｌ３．　ＡｓＢ
ｒ３．　ＡｓＦ５　、　ＳｂＨ３，ＳｂＦ３　、　Ｓｂ
Ｆ５　。

５ｂＣ１３，５ｂＣ１５，ＢＩＨ５、Ｂ１Ｃ２３、Ｂ１
Ｂｒ、等も第■族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於ける光受容層の層厚は、光受容
層中で発生されるフォトキャリアが効率良く輸送される
様に所望に従って適宜法められ、好ましくは１〜１００
μ、よυ好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層を構成し、伝導特性を支配す
る物質を含有して支持体側（偏在して設けられる層領域
の層厚は、該層領域と該層領域上に形成される光受容層
を構成する他の層領域とに要求される特性に応じて所望
に従って適宜決定されるものであるが、その下限は、好
ましくは３０Ｘ以上、よシ好適には４０Ｘ以上、最適に
は、５０１以上とされるのが望ましいものである。

又、上記層領域中に含有される伝導特性を制御する物質
の含有量が３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる場
合には、該層領域の層厚の上限としては、好ましくは１
０μ以下、よシ好適には８μ以下、最適には５μ以下と
されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に炭素原子の含有された層領
域（Ｃ）を設けるには、光受容層の形成の際に炭素原子
導入用の出発物質を前記した光受容層形成用の出発物質
と共に使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら
含有してやれば良い。

層領域（Ｃ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに炭素原子導入用の出発物質が
加えられる。その様な炭素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。

例えばシリコン原子（ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロダン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するが、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とす
る原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｉ（）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）　、炭素原子
（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（Ｈ）と
全構成原子とする原料ガスに炭素原子（Ｃ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＨとを構成原子とするものとしては、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２１（６）　、ゾロノクン（Ｃ３Ｈ８）　
、　ｎ　−ブタ：ｙ　（ｎ−Ｃ４Ｈ，。）　＋　−１？
　メタン（Ｃ５Ｈ１２）　’　エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）　＊　プロピレン（Ｃ，Ｈ
６）　、ブテン−１（０４Ｈ８）　、ブテン−２（０４
Ｈ８）　、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（ｃ５
ＨＩＧ）　’アセチレン系炭化水素としては、アセチレ
ン（０２Ｈ２）。

メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）　ｒブチン（Ｃ４Ｈ６）
等が挙げられる。

これ等の他にｓｉとＣとＨとを構成原子とする原料ｙス
として、５ｔ（ＣＨ３）４．５１（Ｃ２）Ｉ５）４　等
のケイ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｃ）中には窒素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に炭素原子に加えて、更に
酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る。

酸素原子を層領域（Ｃ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（ｏ２）　、　、ｔシ
ン（ｏ３）、　ｒ−酸化窒素（Ｎｏ）　、三酸化窒素（
ＮＯ２）　、−二酸化窒素（Ｎ２ｏ）ｌ三二酸化窒素（
Ｎ２０３）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）　、三二酸化窒
素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（ＮＯ３）　ｌ　シリコン
原子（Ｓｔ）とｅ禦原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構
成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ，５ｉ０８１
Ｈ，）　；　）ジシロキサン（Ｈ５Ｓ　ＩＯ８ＩＩ（２
０Ｓ　１Ｈ３）等の低級シロキサン等を挙げることが出
来る。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子（転）
導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎ２）　、アンモニア（ＮＨ
３）　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ化水Ｘ　
（ＨＮ、）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、）　等
（７）　カス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びア
ジ化物等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他に
、窒素原子（６）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）
の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）　
。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のノ・ロダン他室素化合物を
挙げることが出来る。

スｉ４　ツタリング法によって、炭素原子を含有する光
受容層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｔウェー
ハー又はＣウェーハー、又は８１とＣが混合されて含有
されているウェーッ・−をターゲットとして、これ等を
種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスグラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーをス
パッタリングすれば良い。

又、別には、ＳｌとＣとは別々のターゲットとして、又
は８１とＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、スパッタ用のガスとしての稀釈ガスの雰囲気
中で又は少なくとも水素原子（６）又は／及びハロゲン
原子（２）を構成原子として含有するガス雰囲気中でス
パッタリングすることによって成される。炭素原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガスが、スパッ
タリングの場合にも有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、炭素原子の含
有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層領域Ｃ）に含
有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向に変化
させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏ
ｆｉｔｅ）を有する層領域（Ｃ）を形成するには、グロ
ー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｃ）を変化させるべき
炭素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所
望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室内に
導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域０をスパッタリング法によって形成する場合、炭
素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向で変化
させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅｐ
ｔｈ　ｐｒｏｆｉｔｅ）を形成するには、第一には、グ
ロー放電法による場合と同様に、炭素原子導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入する
際のガス流量を所望に従って適宜変化させることによっ
て成される。第二にはスパッタリング用のターゲットを
、例えばＳｌとＣとの混合されたターゲットを使用する
のであれば、ＳｉとＣとの混合比をターゲットの層厚方
向に於いて、予め変化させておくことによって成される
。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｌＣｒ　、ステンレス、　Ａｔ　。

Ｃｒ　ｒ　Ｍｏ　ｒ　Ａｕ　＋　Ｎｂ　＋　Ｔａ　ｓ　
Ｖ　、Ｔｉ　＋　Ｐｔ　＋　Ｐｄ等の金属又はこれ等の
合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーゴネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガ゛ラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　ｒＡ
ｔ　＋　Ｃｒ　＋　Ｍｏ　＋　Ａｕ　＋　Ｉｒ　＋　Ｎ
ｂ　ｒ　Ｔａ　、Ｖ　＋　Ｔｉ　ｒＰｔ　、　Ｐｄ　ｌ
　Ｉｎ２０３１５ｎ０２　、　ＩＴＯ（ＩｎｚＯｓ　＋
　５ｎＯ２）等から成る薄膜を設けることによって導電
性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹
脂フィルムであれば、ＮｌＣｒ　ｌ　ＡＬ　ｍ　Ａｇ　
＊　Ｐｂ　ｒＺｎ　、　Ｎｉ　、　Ａｕ　、　Ｃｒ　ｒ
　Ｍｏ　ｒ　Ｉｒ　ｒ　Ｎｂ　＃　Ｔａ　ｒ　Ｖ　＊Ｔ
！　、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状
、板状等任意の形状とし得、所望によってその形状は決
定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成さ
れる様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限シ薄くされる。両袖ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常は１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには一本発明の
光導電部材を形成するだめの原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１ｏ２は、Ｈｅで稀釈され
た５ｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ｓ　ｉＨ４
／’Ｈｅと略す）キンへ、１１０３はＨ１’ｌｆｔ＋ｌ
ｌれたＧｅ　Ｈａガス（純度９９．９９９％、以下Ｇｅ
Ｈ４／Ｈ６と略す）がンペ、１１ｏ４はＨｅで稀釈され
た５ｉｒ４ｆス（純度９９．９９％、以下ＳｉＦ４／Ｈ
ｇと略ｆ）　ボンベ、１１０５はＣ２Ｈ４ガス（純度９
９．９９９チ）ボンベ、１１０６　＃″ｉＨ２，ｆス（
純度９９．９９９チ）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるには、ガス
カンへ１１０２〜１１０６ノハルプ１１２２〜１１２６
、リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ１１
１７〜１１２１．補助パルイ１１３２　、１１３３が開
カレテいることを確認して先づメインパルプ１１３４を
開いて反応室１１０１　、及び各ガス配管内を排気する
。次に真空計１１３６の読みが約５×ＩＱ　ｔｏｒｒに
なった時点で補助パルプ１１３２，１１３３、流出パル
プ１１１７〜ｔ１２１閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よｊｌ）　
５ｔＨ４Ａｅガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨａ／
Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５より　Ｃ２Ｉ（４ガスヲ
ハルブ１１２２．１１２３．１１２Ｅ　を開イテ出口圧
ゲージ１１２７．１１２８．１１３０の圧を１　ｋｇ／
ｃｍ”に調整し、流入パルプ１１１２，１１１３．１１
１５を徐々に開けて、マスフローコントローラ１１０７
，１１０８゜１１１１０内に夫々流入させる。引き続い
て流出パル７′１１１７，１１１８，１１２Ｃ）％　補
助パルプ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１
１０ムに流入させる◎このときのＳ　Ｉ　Ｈａ／Ｈｅガ
ス流量とＧｅ　Ｈ４／’１（ｅガス流量とＣ２Ｈ４ガス
訛量との比が所望の値になるように流出パルプ１１１７
，１１１８．１１２０を調整し、又、反応室１１０１内
の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読みを
見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する。そし
て基体１１３７の温度が加熱ヒータ１１３８によシ５０
〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認さ
れた後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１
１０１内にグロー放電を生起させ、同時に予め設計され
た変化率曲線に従って、Ｃ２Ｈ４ガスの流量を手動或い
は外部駆動モータ等の方法によってパルプ１１λＯの開
口を漸次変化させる操作を行なって形成される層中に含
有される炭素原子の分布濃度を制御する。

この様にして、基体１１３７上に炭素原子が不均一に分
布されているａ−８ＩＧｅ　（１１、Ｘ　）から成る光
受容層を形成する。

尚、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１工３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ ＠１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表乃至第４表に示す各条件で第１２図乃至
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＣ２Ｈ
４と（５ＬＨ４＋　Ｇ１１Ｈ４）とのガス流量比を層作
成経過時間と共に変化させて層形成を行って電子写真用
像形、成部材の夫々（試料Ａ１０１〜１０４）を得だ。

こうして得られた各像形成部材を、帯電露光実験装置に
設置し■５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ
光源を用い、２　Ｌｕｘ−ｓｅａの光量を透過型のテス
トチャートを通して゛照射させた。

その後直ちに、Ｏ荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによりて
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、いずれの試料に就ても解像力に優
れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第５表に示す条件で第１２図に示すガス流量比
の変化率曲線に従って、Ｃ２Ｈ４と（ＳｉＨ４＋ＧｅＨ
４）とのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させて
層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し０５．ｏｋｖで０．３ｓｅＣ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源を
用い、２　Ｌｕｘ−Ｂｅｅの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、いずれの試料に就でも解像力に優
れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例３ 実施例１の第２表の層作成条件に於いて、第１層の層厚
を第６表に示す如く変えた以外は、第２表の条件と同様
にして電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａ　３０１〜
３０５）を得た。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形部１奇Ｊ−とＡ
笛６拓ｊ云千１１１」七今−実施例４ 実施例１の第２表の層作成東件に於いて、Ｂ２Ｈ６／Ｈ
ｅガスの流量比を第７表に示す如く変えた以外は第２表
のや件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々（試料
Ａ４０１〜４０５）を得る。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
７表に示す結果が得られた。

実施例５ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代りに８
’　１０　ｎｍの゛ＧａＡｓ系半導体レーザ（１，０ｍ
ｗ　）を用いて、静電像の形ｍ−＋行った以外は、実施
例１と同様のトナー画像形成条件にして、実施例１と同
様の条件で作成した電子写真用像形成部材に就いてトナ
ー転写画像の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、
階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ｒルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・約
２００℃放電周波数：１３゜５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（ｃ
）の炭素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１１
図は、本発明で使用された装置の模式的説明図で、第１
２図乃至第１５図は夫々本発明の実施例に於けるガス流
量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・光受容層 −一一一→−Ｃ 消１２図 力゛ス筬量よヒ か′ズｊ是量比

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマ
   ニウム原子とを含む非晶質材料で構成された光導電性を
   示す光受容層とを有し、該光受容層は、層厚方向に不均
   一な分布状態で炭素原子が含有されている層領域を有す
   る事を特徴とする光導電部材。
2. （２）光受容層中に水素原子が含有されている特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）光受容層中にハロゲン原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項又は同第２項に記載の光導電部材。
4. （４）炭素原子の分布状態が前記支持体側の方に多く分
   布する分布状態である特許請求の範囲第１項に記載の光
   導電部材。