JPS61205948A - レーザー光用の光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光受容部材に関する。

〔従来の技術〕

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光受容層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ　ｐ
／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無害であること、更には固体
撮像装置においては、残像を゛所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊に、事
務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている）ｌ？ｌｌｉ
材料にアモルファスシリコン（以後Ａ−Ｓｉと表記す）
があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材への
応用、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読
取装置への応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−Ｓｉで構成された光導電層を
有する光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環
境特性の点、更には経時的安定性の点において、結合的
な特性向上を計る必要があるという更に改良される可き
点が存するのが実情である。

例えば、Ａ−Ｓｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於て、また通常使用されているハロゲンランプ
や蛍光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用
し得ていないという点に於て、夫々改良される余地が残
っている。

ヌ、別には１照射される光が光導電層中に於て充分吸収
されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支持体
自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が高い
場合には、光導電層内に於て多重反射による干渉が起っ
て、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に照射スポットを小さく
する程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場合
には大きな問題となっている。

更には、層厚が十数ｐ以上になると、層形成用の真空堆
積室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共
に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂
が生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、
殊に支持体が、通常電子写真分野に於て使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於て解決される事き点がある。

従って、Ａ−５ｔ材料そのものの特性改良が計られる一
方で、光受容部材を設計する際に上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は、上記の諸点に鑑み為されたもので、Ａ−３ｉ
に就いて電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装
置等に使用される光受容部材としての適用性とその応用
性という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、
シリコン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン
原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモル
ファス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲ
ン化アモルファスシリコン、或イハハロゲン含有水素化
アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として
ｒＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成され。

光導電性を示す光受容層を有する光受容部材の層構成を
、以後に説明される様に特定化して設計されて作成され
た光導電部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかり
でな〈従来の光受容部材と較べてみてもあらゆる点にお
いて凌駕していること、殊に電子写真用の光受容部材と
して著しく優れた特性を有していること、及び長波長側
に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出し
た点に基いている。

〔目　的〕

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆ど使用環境に制限を受けない全環境型であり、
長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著しく
長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留電
位が全く又は殆ど観測されない光受容部材を提供するこ
とを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光受容部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける電性性に優れ、
構造配列的にｗ＆密で安定的であり、層品質の高い光受
容部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合１通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保持
能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が
殆ど観測されない優れた電子写真特性を有する光受容部
材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る車が容
易に出来る電子写真用の光受容部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

〔開示の概要〕

本発明の光受容部材は、光受容部材用の支持体と、シリ
コン原子と錫原子とを含む非晶質材料で構成された第１
の層領域およびシリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
れた光導電性を示す第２の層領域とが前記支持体側より
順に設けられた層構成の光受容層とを有する事を特徴と
する。

〔実施態様〕

以下、図面に従って１本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１図は１本発明の第１の実施態様例の光受容部材の層
構成を説明するための模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光受容部材１００は、光受容部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２を宥し、該光受
容層１０２は自由表面１０５を一方の端面に有している
。

光受容層１０２は支持体１０１側より錫原子とゲルマニ
ウム原子とを含有するＡ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）（以後ｒＡ−
ＳｉＳｎＧｅ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層領域（ＳｎＧ
）１０３とＡ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され光導電性を有
する第２の層領域（Ｓ）１０４とが順に積層された層構
造を有する。

第１の層領域（ＳｎＧ）１０３中に含有される錫原子及
び呑ゲルマニウム原子とは、該第１の層領域（ＳｎＧ）
１０３に均一に含有されても良く、又は、該第１の層領
域（Ｓ　ｎＧ）１０３の層厚方向には連続的ではあるが
不均一に含有されても良い。例えば前記支持体１０１の
設けられである側とは反対の側（光受容層１０２の表面
１０５側）に対し、前記支持体１０１側の方に多く分布
した状態となる様に前記第１の層領域（ＳｎＧ）１０３
中に含有される。

又、本発明の光受容部材１００の好ましい例に於いては
、少なくとも第１の層領域（ＳｎＧ）１０３に伝導特性
を支配する物質（Ｃ）が含有されても良く、該物質（Ｃ
）を含有させることで第１の層領域（ＳｎＧ）１０３に
所望の伝導特性が与えられる。

本発明に於いては、第１の層領域（ＳｎＧ）１０３に伝
導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には、第
１の層領域（ＳｎＧ）１０３の全層領域に万偏なく均一
に含有されても良く、また第１の層領域（ＳｎＧ）１０
３（７）・一部の層領域に偏在する様に含有されても良
い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層領域（ＳｎＧ）の一部の層領域に偏在する様に第１の
層領域（ＳｎＧ）中に含有させる場合には、前記物質（
Ｃ）の含有される層領域（Ｐ　Ｎ）は、第１の層領域（
ＳｎＧ）の端部層領域として設けられるのが望ましい。

殊に、第１の層領域（ＳｎＧ）の支持体側の端部層領域
と・して前記層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、該
層領域（ＰＮ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及
びその含有量を所望に応じ適宜選択することによって、
支持体から光受容層中への特定の極性の電荷の注入を効
果的に阻止することが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層領域（ＳｎＧ）中に、前記した様に該層領域（Ｓ
ｎＧ）の全域に万偏なく、或いは層厚方向に偏在する様
に含有させるものであるが、更には、第１の層領域（Ｓ
ｎＧ）上に設けられる第２の層領域（Ｓ）中にも前記物
質（Ｃ）を含有させても良い。

第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場
合には、第１の層領域（ＳｎＧ）中に含有される前記物
質（Ｃ）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じ
て、第２の層領域（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種
類やその含有量、及びその含有の仕方が適宜法められる
。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
層領域（ＳｎＧ）との接触界面を含む層領域中に前記物
質を含有させるのが望ましい。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層領域（Ｓ
）の全層領域に万偏なく含有させても良いし、或いは、
その一部の層領域に均一に含有させても良いものである
。

第１の層領域（ＳｎＧ）と第２の層領域（Ｓ）の両方に
伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１
の層領域（ＳｎＧ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有され
ている層領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質
（Ｃ）が含有されている層領域とが、互いに接触する様
に設けるのが望ましい、また、第１の層領域（ＳｎＧ）
と第２の層領域（Ｓ）とに含有される前記物質（Ｃ）は
、第１の層領域（ＳｎＧ）と第２の層領域（Ｓ）とに於
いて同種類でも異種類であても良く、又、その含有量は
各層領域に於いて、同じでも異っていても良い。

しかしながら、本発明に於いては、各層領域に含有され
る前記物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には
、第１の層領域（ＳｎＧ）中に含有量を充分多くするか
、又は、電気的特性の異なる種類の物質（Ｃ）を、所望
の各層領域に夫々含有させるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層領域（ＳｎＧ）中に伝導特性を支配する物質（Ｃ）
を含有させることにより。

該物質（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層領域（Ｓｎ
Ｇ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の伝導
特性を所望に従って任意に制御するこが出来るものであ
るが、この様な物質としては、所謂、半導体分野で云わ
れる不純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形
成される光受容層を構成するＡ−ＳｆＳｎＧｅ（Ｈ，Ｘ
）及びＡ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　ニ対して、ｐ型伝導特性
を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純
物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｉ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
　　、Ｔｌ　（タリウム）等があり、殊に好適に用いら
れるのは、Ｂ、Ｇａである。ｎ型不純物としては、周期
律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）、例えばＰ（燐
）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモン）　　、Ｂｉ　　
（ビスマス）等であり、殊に、好適に用いられるのはＰ
、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは該層領域（ＰＮ
）が支持体に直ちに接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直ちに接触して設けられる他
の層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の
含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有１としては、好ましくは
０．０１〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、より好
適には０．５〜ｌＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　　ｐｐｍ、最
適には１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍとされる
のが望ましい。

伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有される層領域（Ｐ
Ｎ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を好ましくは３０ａ
ｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以丑、より好適には５０ａｔｏｍ
ｉｃ　　ｐｐｍ以上、最適には１００１００ａｔＯｐ　
ｐｍ以上とすることによって、例えば該含有させる物質
（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、光受容層の自由
表面がΦ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側からの
光受容層中への電子の注入を効果的に阻止するｑとが出
来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物
の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を
受けた際に、支持体側から受容層中への正孔の注入を効
果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導特性の
極性とは別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させても良いし、或いは同極性の伝導型を有
する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ）
に含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有
させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好ま
しくは０．００１　Ｎ１０００　　ａｔｏｍｉｃ　　ｐ
ｐｍ。

より好適には０．０５〜５００　　ａ　ｔ　　ｏ　ｍ　
ｉ　ｃｐｐｍ、最適には０．１〜２００　　ａｔｏｍｉ
ｃ’ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域ＣＺ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
１層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃｐｐｍ以下とするのが望ま
しい。

本発明に於いては、光受容層中に一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とは、直ちに接触する様に設けて該接触領
域に所謂空乏層を設けることも出来る。つまり、例えば
光受容層中に前記のｐ型不純物を含有する層領域と前記
のｎ型不純物を含有する層領域とを直ちに接触する様に
設けて、所謂ｐ−ｎ接合を形成して空乏層を設けること
が出来る。

本発明の光受容部材においては、第１の層領域（ＳｎＧ
）中に含有される錫原子の分布状態は、層厚方向におい
ては均一でも不均一でも良いが支持体の表面と平行な面
内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい。

本発明に於いては、第１の層領域（ＳｎＧ）上に設けら
れる第２の層領域（Ｓ）中には。

錫原子及びゲルマニウム原子は含有されておらず、この
様な層構造に光受容層を形成することによって、可視光
領域を含む比較的短波長から比較的短波長迄の全領域の
波長の光に対して光感度が優れている光受容部材とし得
るものである。

第１の層領域（ＳｎＧ）中に於ける錫原子及びゲルマニ
ウム原子の分布状態を層厚方向に不均一にする場合は、
例えば全層領域に錫原子及びゲルマニウム原子が連続的
に分布し、錫原子及びゲルマニウム原子の層厚方向の分
布濃度Ｃが支持体側より第２の層領域（Ｓ）に向って減
少する変化が与えられる様にすることで、第１の層領域
（ＳｎＧ）と第２の層領域（Ｓ）との間に於ける親和性
に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於いて錫原
子又は／及びゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大
きくすることにより、半導体レーザ等を使用した場合の
第２の層領域（Ｓ）では殆ど吸収し切れない長波長側の
光を、第１の層領域（ＳｎＧ）に於いて実質的に完全に
吸収することが出来、支持体面からの反射による干渉を
防止することが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層領域（Ｓ
　ｎＧ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料
の夫々がシリコン原子という大通の構成要素を有してい
るので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分
成されている。

第２図乃至第１０図には、本発明における光受容部材の
第１の層領域（ＳｎＧ）中に含有される錫原子及びゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態が不均一な場合の典
型的例が示される。

但し、以後の第２図乃至第１０図の説明に於ては、錫原
子とゲルマニウム原子は同等に扱われているので、錫原
子を代表として説明されるが、ゲルマニウム原子は錫原
子とゲルマニウム原子の両者の場合も同様に説明される
。

第２図乃至第１０図において、横軸は錫原子の分布濃度
Ｃを、縦軸は第１の層領域（ＳｎＧ）の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の第１の層領域（ＳｎＧ）の端面の位置を
、ｔＴは支持体側とは反対側の第１の層領域（ＳｎＧ）
の端面の位置を示す。即ち、錫原子の含有される第１の
層領域（ＳｎＧ）はｔ８側よりｔＴ側に向って層形成が
なされる。

第２図には、第１の層禦域（ＳｎＧ）中に含有される錫
原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では錫原子の含有される第１の層領
域（ＳｎＧ）が形成される支持体の表面と、該第１の層
領域（ＳｎＧ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌ
の位置までは、錫原子の分布濃度ＣがＣ１なる一定の値
を取り乍ら錫原子が形成される第１の層領域（ＳｎＧ）
に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔ７
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔ
Ｔにおいては錫原子の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される錫原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５
となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは錫原子
の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６の一定値とされ、位置ｔ２と位
置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少され、位置
ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされている（
ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である）。

第５図の場合には、錫原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢよ
り位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ８より連続的に徐々に減少
され、位置ｔ７において実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、錫原子の分布濃度Ｃは、位
置ｔＢと位置ｔＢ間においては濃度Ｃ９と一定値であり
、位置ｔＴにおいては濃度ＣｔＯされる。位置ｔ３と位
置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一時間数的に位置し３
より位置ｔ７に至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位Ｗｔｓ
より位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置ｔ
４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３まで一
時間数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置を日より位置ｔＴに至
るまで、錫原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４より実質的に
零に至る様に一時間数的に減少している。

第９図においては１位置ｔＢより位置ｔ５に至るまでは
錫原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１５より濃度Ｃ１６まで一
時間数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴとの間におい
ては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示されている。

第１０図に示される例においては、錫原子の分布濃度Ｃ
は位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であり、位置ｔ６に至る
まではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっくりと減少され、
ｔ６の位置付近においては急激に減少されて位置ｔ６で
は濃度ＣＩ８とされる。

位置し６と位置Ｌ　７どの間においては、初め急激に減
少されて、その後は緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では極め
てゆっくりと徐々に減少されて、位置ｔ８において濃度
Ｃ２０に至る。

位置Ｌ８と位置ｔＴの間においては濃度Ｃ２０により実
質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減
少されている。

以」二、第２図乃至第１０図により、第１の層領域（Ｇ
）に含有される錫原子の層厚方向の分布状態の不均一な
場合の典型例の幾つかを説明した様に１本発明において
は、支持体側において錫原子の分布濃度Ｃの高い部分を
有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体
側に較べて可成り低くされた部分を有する錫原子の分布
状態が第１の層領域（ＳｎＧ）に設けられるのが望まし
い。

本発明に於ける光受容部材を構成する光受容層を構成す
る第１の層領域（ＳｎＧ）は、好ましくは上記した様に
支持体側の方に錫原子又は／及びゲルマニウム原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有するの
が望ましい。

本発明に於いては、局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１
Ｏ図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより
５牌以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は。

界面位置Ｅ日より５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされ
る場合もあるし、又１層領域（ＬＴ）の一部とされる場
合もある。

局在領域（Ａ）の層領域（Ｌ　Ｔ）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）は、その中に含有される錫原子及びゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態として、錫原子及び
ゲルマニウム原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ　ｘがシリ
コン原子に体して、ｆｒＺ　　士ｌ　　　／　　Ｉ−）
　　１　　　ｎ　　ｎ　　Ｏａ　　）　　　／１　　ｍ
　　ｊ　　　ｒ＋　　　　　ｎ　　　Ｆｌ　　ｍ　　卜
Ｉ　１より好適には５０００ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以
上、最適にはＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ　　ｐｐｍ以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち１本発明においては、錫原子及びゲルマニウム原子
の含有される光受容層は、支持体側からの層厚で５延以
内（ｔＳから５ｐＬ厚の層領域）に各分布濃度の和の最
大値Ｃｍａｘが存在する様に形成されるのが好ましいも
のである。

本発明において、第１の層領域（ＳｎＧ）中に含有され
る錫原子及びゲルマニウム原子の含有量としては、本発
明の目的が効果的に達成される様に所望に従って適宜法
められるが、好ましくは１〜９．５Ｘ１０５　　ａ　ｔ
　ｏ　ｍ　ｉ　ｃｐｐｍ、より好ましくは１００〜８×
１０５１０５ａｔｏ　　ｐｐｍ、最適には５００〜７Ｘ
１０５ａｔｏｍｆｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましい。

又、第１の層領域（ＳｎＧ）に於ける錫原子とゲルマニ
ウム原子の含有量の割合は、所望に従って適宜法められ
るが、Ｓ　ｎ　／　Ｇ　ｅの値が好ましくは１／１００
０〜１ｏｏｏ、より好ましくは１１５００〜５００、最
適には１／１００〜１００とされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層領域（Ｓ　ｎ　Ｇ）と第２の層
領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成さ
せる為の重要な因子の１つであるので、形成される光受
容部材に所望の特性が充分与えられる様に、光受容部材
の設計の際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（ＳｎＧ）の層厚ＴＢは
、好ましくは３０人〜５０用、より好ましくは４０人〜
４０ル、最適には５０人〜３０ｇとされるのが望ましい
。

また、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．
５〜９０．、より好ましくは１〜８０・用、最適には２
〜５０ｇとされるのが望ましい。

第１の層領域（ＳｎＧ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ
）の層厚Ｔの和（Ｔ日子Ｔ）とじては１両層領域に要求
される特性と光受容層全体に夛求される特性との相互間
の有機的関連性に基いて、光受容部材の層設計の際に所
望に従って適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては好ましくは１〜１ＯＯＩＬ、より好適
には１〜８０ル、最適には２〜５０ｗとされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ日／Ｔ≦１な
る関係を満足するように、夫々に対して適宜適切な数値
が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚１日及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくはＴ１３／Ｔ≦０．９．最適には
Ｔｓ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚１日及
び層厚Ｔの値が決定されるのがψましい。

本発明に於いて、第１の層領域（ＳｎＧ）中に含有され
る錫原子及びゲルマニウム原子の含有量の和がＩＸ１ｌ
Ｘ１０５ａｔｏ　　ｐｐｍ以との場合には、第１の層領
域（ＳｎＧ）の層厚１日としては成可く薄くされるのが
望ましく。

好ましくは３０ル以下、より好ましくは２５ル以下、最
適には２０ル以下とされるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層領域（ＳｎＧ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有さ
れるハロゲン原子（Ｘ）としては１具体的にはフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来る。

本発明においテＡ−ｓ　ｆ　Ｓ　ｎＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で
構成される第１の層領域（ＳｎＧ）を形成するには、例
：えばグロー放電法、スパッタリング法、或いはイオン
ブレーティング法等の放電現象を利用する真空堆積法に
よって成される。

例えば、グロー放電法によって、Ａ−３ｉＳｎＧｅ（Ｈ
，Ｘ）で構成される第１の層領域（ＳｎＧ）を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスと、錫原子（Ｓｎ　）及びゲルマニ
ウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＳｎ及びＧｅ供給用の各
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料
ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを
、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置されである所定の支持体表面上に、含有され
る錫原子又は／及びゲルマニウム原子の分布濃度を所望
の変化率曲線に従って制御し乍らＡ−３ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い、又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
で、Ｓｉで構成されたターゲットとＳｎとＧｅで構成さ
れたターゲットの二枚、又はＳｉとＳｎとＧｅの混合さ
れたターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等
の希釈ガスで希釈されたＳｎ又は／及びＧｅ供給用の各
原料ガスを、必要に応じて水素原子（Ｈ）ヌは／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）導入のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成すると
共に、前記Ｓｎ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変
化率曲線に従って制御し乍らのターゲットをスパッタリ
ングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと錫とゲルマニウムとを、夫々
蒸発源として蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によっ
て加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガラスプラズマ雰
囲気中を通過させる以外は、スパッタリング法の場合と
同様にする事で行うことが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の叙料ガスと成り
得る物質としては、Ｓ　ｉ　Ｈ４。

Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の
又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用
されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱
い易ざ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２
Ｈ６が好まは、ＳｎＨ４，５ｎＣｕ４．Ｓｎ、Ｂｒ４等
のガス状態の又はガス化し得る水素化錫又はハロゲン化
錫が有効に使用されるものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　。

Ｇｅ　５Ｈ１２、Ｇｅ　６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈｔｅ　、Ｇ
ｅ　９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲ
ルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給光路つの良さ等
の点でＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６゜Ｇｅ３ＨＢが好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ。

ＣｕＦ２．ＢｒＦ５　、ＢｒＦ３．ＩＦ３　。

ｒＦ７．ＩＣ文、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げる
ことが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂ハロゲン原子で；
置換されたシラン誘導体としては。

具体的には１例えばＳｉＦ４，５２ｉＦｅ、’５ｉＣＪ
１４．Ｂ１Ｂｒ４等のハロゲン化硅素が好ましくいのと
して挙げることが出来る。

この様なハロゲンガスを含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｎ又は／及びＧｅ供給用の原料ガスと共
にＳｉを供給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを
使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン原子を含む
Ａ−５ｉＳｎＧｅから成る第１の層領域（ＳｎＧ）を形
成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（ＳｎＧ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ
供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＳｎ及びＧｅ
供給用の顔料ガスとなる水素化錫及び水素化ゲルマニウ
ムとＡｒ。

Ｈ２，８６等のガス等を、所定の混合比とガス流量にな
る様にして第１の層領域（ＳｎＧ）を形成する堆積室に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ
雰囲気を形成することによって、所望の支持体上に第１
の層領域（ＳｎＧ）を形成し得るものであるが、水素原
子の導入割合の制御を一層容易になる様に計る為に、こ
れ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合
物のガスも所望量混合して層形成しても良い。

叉　各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを、堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の顔
料ガス、例えばＦ２、或いは前記したシラン類又は／及
び水素化錫、水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

ＨＣ（１，ＨＢｒ、ＨＩ等（７）　ハロゲン化水素、Ｓ
ｉＨ２Ｆ２，５ｉＨ２Ｉ２，５ｉＨ２Ｃ交２゜５ｉＨＣ
Ｊ１３，５ｉＨ２Ｂｒ２，５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置
換水素化硅素及びＧｅＨＦ３　。

ＧｅＦ２Ｆ２　、ＧｅＨ３Ｆ　、ＧｅＨＣ交３゜ＧｅＨ
２Ｃ１２、ＧｅＨＢｒ３．ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＨ２Ｂ　ｒ２　、ＧｅＨＢｒ３ ＧｅＦ２１２　、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦ４．ＧｅＣｌ４　。

ＧｅＢｒ４．ＧｅＩ４３．ＧｅＦ２．ＧｅＣｕ２　、Ｇ
ｅＢｅ２　、ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等
々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の
層領域（ＳｎＧ）形成用の出発物質として挙げる事が出
来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第１
の層領域（ＳｎＧ）形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては好適な
ハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（ＳｎＧ）中に構造的に導入す
るには、上記の他にＦ２或いは５ｔＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，
５ｉ３ＨＢ、Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素を、Ｓｎを供
給する為の錫又は錫化合物と、或いは、ＳｎＨ４等の水
素化錫と。

Ｇ、ｅを供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化
合物と、或いは、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈｓ。

Ｇｅ３ＨＢ　、Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ
１４，Ｇｅ７Ｈｔｓ、ＧｅｅＨｔｅ、Ｇｅ９Ｈ２ｏ等の
水素化ゲルマニウムと、Ｓｔを供給する為のシリコン又
はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生
起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容部材の
第１の層領域（ＳｎＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）
の量、またはハロゲン原子（Ｘ）の量、または水素原子
とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは０．０
１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０
ａｔｏｍｊｃ％、最適には０．１〜２５ａｔ　ｏｍｉ　
ｃ％とされるのが望ましい。

第１の層領域（ＳｎＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれ
ば良い。

本発明に於いて、Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域
（ＳｎＧ）形成用の出発物質ＣＩ）の中より、Ｓｎ及び
Ｇｅを供給用の各原料ガスとなる出発物質を除いた出発
物質〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ））
を使用して、第１の層領域（Ｓ　ｎＧ）を形成する場合
と同様の方法と条件に従って行うことが出　　　　　　
”来る。

即ち、本発明において、Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには１例えばグロー放
電法、スパッタリング法。

或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用する
真空堆積法によって成される０例えば、グロー放電法に
よって、　Ａ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される第２の層
領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記したシリコ
ン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共
に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持表面上に
Ａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又
、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ。

Ｈｅ等の不活性又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中で、Ｓｉで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の縫、又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量。

又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ、）は、
好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より好適には
５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

光受容層を構成する層領域中に、伝導特性を制御する物
質（Ｃ）、例えば第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で
、堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共
に導入してやれば良い。この様な第■族原子導入用の出
発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の、
又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。その様な第ｍ族原子導入用
の出発物質として具体的には、［素原子導入用としては
、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４ＨＬＯ，Ｂ５Ｈ９。

Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の
水素化硼素、ＢＦ３　、ＢＣＪ１３　、ＢＢｒ３等のハ
ロゲン化硼素等が挙げられる。この他。

ＡｌＣｌ３　、Ｇａ（、Ｇ３．Ｇａ　（ＣＨ３）３　。

Ｉ　ｎｃ１３　、ＴｌＣｌ３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として本発明において有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、Ｐ
２Ｈ４などの水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ３　、ＰＦ５
　、ＰＣｌ３　。

ＰＣｌ５．ＰＢｒ３．ＰＩｒ５．ＰＩ３等（７）ハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３゜ＡｓＣｆＬ３
　、ＡｓＢｒ３　、ＡｓＦ５　、ＳｂＨ３。

ＳｂＦ３．ＳｂＦ５，５ｂＣ１３，Ｓｂ０文５゜Ｂ１Ｇ
３　、ＢｉＣＭ３　、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
計る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、窒素原子
及び炭素原子から選択される少なくとも一種の原子（Ｍ
）が含有される。光受容層中に含有される原子（Ｍ）は
、光受容層の全層領域に万偏なく含有されても良いし、
或いは、光受容層の一部の層領域のみに含有させて偏在
させても良い。

又、原子（Ｍ）の分布状態は、分Ｉｒ５ａ度Ｃ（Ｍ）が
光受容層の層厚方向に於いては、均一であっても、また
第２図乃至第１０図を用いて説明した錫原子の分布状態
と同様に不均一であっても良い。

つまり、原子（Ｍ）の分布状態Ｃ（Ｍ）が層厚方向に不
均一である場合の原子（Ｍ）の分布状態は、第２図乃至
第１０図を用いて錫原子の場合と同様に説明され得る。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（Ｍ）の含
有されている層領域（Ｍ）は、光感度と暗抵抗の向上を
主たる目的とする場合には、光受容層の全層領域を占め
る様に設けられ、支持体と光受容層との間の密着性の強
化を５］るのを主たる目的とする場合には、光受容層の
支持体側端部領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（Ｍ）中に含有される原子（Ｍ）の
含有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、
後者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る
為に比較的多くされるのが望ましい。

又、６８者と後者の両方を同時に達成する目的の為には
、支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、光受容層
の自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか、或
いは、光受容層の自由表面側の表面領域には、原子（Ｍ
）を積極的には含有させない様な原子（Ｍ）の分布状態
を層領域（Ｍ）中に形成すれば良い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（Ｍ）に
含有される原子（Ｍ）の含有量は。

層領域（Ｃ）自体に要求される特性、或いは該層領域（
Ｃ）が支持体に直ちに接触して設けられる場合には　該
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｍ）に直ちに接触して他の層領域が設
けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領
域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、原
子（Ｍ）の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｍ）中に含有される原子ＣＭ）の量は４形成さ
れる光受容部材に要求される特性に応じて所望に従って
適宜法められるが、好ましくは、０．００１〜５０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好ましくは０．００２〜４０ａｔ　ｏ
ｍｉ　ｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましい。

本発明に於いて１層領域（Ｍ）が光受容層の全域を占め
るか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層領域
（Ｍ）の層厚Ｔｃの光受容層の層厚Ｔに占める割合が充
分多い場合には、層領域（Ｍ）に含有される原子（Ｍ）
の含有量の上限は前記の値より充分少なくされるのが望
ましい。

本発明の場合には、層領域（Ｍ）の層厚Ｔｃが光受容層
の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な
場合には、層領域（Ｃ）中に含有される原子（Ｍ）の量
の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ％以下、
より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、最適には１０
ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する原子（Ｍ）の含有
される層領域（Ｍ）は、上記した様に支持体側の方に原
子（Ｍ）が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ
）を有するものとして設けられるのが望ましく、この場
合には、支持体と光受容層との間の密着性をより一層向
上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１Ｏ図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５牌以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は界面位Ｉｔｓ
より５ｗ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又１層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子ＣＭ）の層厚
方向の分布状態として原子（Ｍ）の分布濃度Ｃ（Ｍ）の
最大値Ｃ（Ｍ）ｍａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉ
ｃ　　ｐｐｍ以−ｈ　、より好適には８００ａｔｏｍｉ
ｃ　　ｐｐｍ以上、最適には１００１０００ａｔｏ　　
ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成
されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、原子（Ｍ）の含有される層領
域（Ｍ）は、支持体側からの層厚で５ル以内（ｔＳから
５ル厚の層領域）に分布濃度Ｃ（Ｍ）の最大値Ｃｍａｘ
が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（Ｍ）の含有された層
領域（Ｍ）を設けるには、光受容層の形成の際に原子（
Ｍ）導入量の出発物質を前記した光受容層形成用の出発
物質と共に使用して、形成される層中にその量を制御し
乍ら含有してやれば良い。

層領域（Ｍ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに原子（Ｍ）導入用の出発物質
が加えられる。その様な原子（Ｍ）導入用の出発物質と
しては、少なくとも原子（Ｍ）を構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガス
と、原子（Ｍ）を構成原子とする原料カスと、必要に応
じて水素原子（Ｈ）又は及゛びハロゲン原子（Ｘ、　）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、原子（Ｍ）及び水素原子（Ｈ）を構成
ｈｘ子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）ｍ、炭素原子
（Ｍ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに原子（Ｍ）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、原子（Ｍ）として炭素原子を選択する
のであればＣとＨとを構成原子とするものとしては、例
えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素！２〜５のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）、
エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタ
ン（ｎ−Ｃ４Ｈｔｏ）。

ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては
エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈｅ）　　、
ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４）（８）、
インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ５ＨｔＯ）、
アセチレン系炭化水素としてはアセチレン（Ｃ２）（２
）。

メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等
が挙げられる。

これ等の他にＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、Ｓｉ　（ＣＨ３）　４．Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等
のケイ化アルキルを挙げることが出来る。

酸素原子を層領域（Ｍ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては２例えば酸素（０２）、オゾン（０
３）、−酸・化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）。

三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）
、三二酸化窒素（８２０５）。

二酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原
子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば
ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ３）、）ジシロキサン
（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン
、等々を挙げることが出来る。

窒素原子を層領域（Ｍ）に導入する為の窒素原子（Ｎ）
導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３
）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３
）。

アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）　等のガス状の又は
ガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物
を挙げることが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導
入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるという
点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２
）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来る。

スパッタリング法によって、原子（Ｍ）を含有する層領
域（Ｍ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー、又は原子（Ｍ）を含むウェーハー、又はＳｔと
原子（Ｍ）が混合されて含有されているウェーハーをタ
ーゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッ
タリングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、原子（Ｍ）と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて希釈ガ
スで希釈して、ス、　　バッター用の堆積室中に導入し
、これ等のガスのガラスプラズマを形成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、Ｓｔと原子（Ｍ）とは別々のターゲットと
して、又はＳｔと原子（Ｍ）の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパヅター用のガスとして
の希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成さ
れる。原子（Ｍ）導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の原子（Ｍ）導入
用の顔料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガス
として使用され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（Ｍ）の
含有される層領域（Ｍ）をＪジける場合、該層領域（Ｍ
）に含有される原子（Ｍ５の分布濃度Ｃ（Ｍ）を層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ
ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｍ）を形成するには
、グロー放電の場合には１分布源度Ｃ（Ｍ）を変化させ
るべき原子（Ｍ）導入用の出発物質のガスを、そのガス
流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆
積室内に導入することによって成される０例えば手動あ
るいは外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの
方法により、ガス流路系の途中に設けられた所定のニー
ドルバルブの開口を漸次変化させる操作を行えば良い、
このとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例え
ばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲
線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ること
もできる。

層領域（Ｍ）をスパッターリング法によって形成する場
合、原子（Ｍ）の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｍ）を層厚方
向で変化させて原子（Ｍ）の層厚方向の所望の分布状態
（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一に
は、グロー放電法による場合と同様に、原子（Ｍ）導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。

第二には、スパッターリング−用のターゲットを、例え
ばＳｔと原子（Ｍ）との混合されたターゲットを使用す
るのであれば、Ｓｉと原子（Ｍ）とメ混合比を、ターゲ
ットの層厚方向に於いて予め変化させておくことによっ
て成される。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量、又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量、又は水素原子とハロゲン原子
の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔ　ｏｍ
ｉ　ｃ％、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適
には５〜２５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましい
。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えばＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、
Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、ＰＬ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面を導電処理され、該導電処理された表
面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面にＮｉＣｒ。

ＡＲ，Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜ＩＴＯ
（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が付与され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムチあれば、Ｎ　ｔ　Ｃｒ　＊
　Ａ　ｌ　＋　Ａ　ｇ　Ｔ　Ｐｂ。

Ｚｎ、Ｎｉ　、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、等の金属の薄膜を真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け
、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によっ
てその形状は決定されるが、例えば第１図の光受容部材
１００を電子写真用像形成部材として使用するのであれ
ば、連続高速複写の場合には無端ベルト状又は円筒状と
するのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容
部材が形成される様に適宜決定されるが、光受容部材と
して可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる
。しかしながらこの様な場合、支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、好ましくはｔｏｐ以上と
される。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスポンベには、本発明の
光受容部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで希釈され
た５ｔＨ４ガス（純度９９Ｌ　９９９％、以下ＳｉＨ４
／Ｈｅと略す、）ボンベ、１１０３はＨｅで希釈された
ＳｎＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＳｎＨ４／　
Ｈｅと略す、）ボンベ、１１ｏ４はＨｅで希釈されたＢ
２Ｈ６ガス（純度９９．９９％、以下Ｂ　２　Ｈ６／　
Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５はＧ　ｅ　Ｈ４／　Ｈ
ｅガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＮＯ
ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスポ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して、先づメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１．及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０−６ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バルブ
１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシ１）ンダー状基体１１３７上に光受容層を形成す
る場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳｉ
Ｈ４／Ｈｅガス、ガスポンベ１１０３よりＳｎＨ４／Ｈ
ｅガス、ガスポンベ１１０４よりＢ２Ｈ６／Ｈｅガス、
ガスポンベ１１０５よりＧ　ｅ　Ｈ４／　Ｈｅガスをバ
ルブ１１２２〜１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７
〜１１３０の圧をｌ　Ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ２に調整し、
流入バルブ１１１２〜１１１５を徐々に開けてマスフロ
コントローラ１１０７〜１１１０内に夫々流入させる。

引き続いて流出バルブ１１１７〜１１２０、補助バルブ
１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に
流入させる。

このとき必要ならばＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＳ　ｎ　
Ｈ４／　Ｈｅガス流量とＢ　２　Ｈ６／　Ｈｅガス流量
とＧ　ｅ　Ｈ４／　Ｈｅガス流量とが適宜制御されて所
望の値になるように流出バルブ１１１７〜１１２０を調
整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１
３４の開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加
熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の絡囲内の温
度に設定されていることを確認された後、電源１１４０
を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電
を生起させる。必要ならば同時にあらかじめ設計された
変化率曲線に従−）　テＳ　ｎ　Ｈ４／　Ｈｅガス又は
／及びＧｅＨ４／　Ｈｅガスの流暢を手動、あるいは外
部駆動モータ等の方法によってバルブ１１１８の開口を
漸次変化させる操作を行ない、形成される層中に含有さ
れる錫原子又は／及びゲルマニウム原子の分布濃度を制
御することが出来る。

この様にして、基体１１３７上に硼素原子（Ｂ）と錫原
子（Ｓ　ｎ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とが含有され
、必要に応じて前記の変化率曲線に従った錫原子又は／
及びゲルマニウム原子の分布状態が形成されている。Ａ
−５ｉＳｎＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成された層領域（Ｂ。

Ｓｎ、Ｇｅ）が所望の層厚に形成される０層領域（Ｂ　
、　Ｓ　ｎ）が所望層厚に形成された段階に於いて流出
バルブ１１１８，１１１９．１１２０の夫々を完全に閉
じることに及び必要に応じて放電条件を変えること以外
は、同様な条件と手動に従って所望時間グロー放電を維
持することで前記層領域（Ｂ、Ｓｎ、Ｇｅ）上に硼素原
子（Ｂ）、錫原子（Ｓ　ｎ）及びゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ−）が含有されていない、Ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
された層領域（Ｓ）が形成されて光受容層の形成が終了
される。

光受容層の形成の際に１例えば該層形成開始後所望の時
間が経過した段階で、堆積室へのＢ　２　Ｈ６／　Ｈｅ
ガス或いはＮＯガスの流入を止めることによって、硼素
原子の含有された層領域（Ｂ）及び酸素原子の含有され
た層領域（０）の各層厚を任意に制御することが出来る
。

また、所望の変化率曲線に従って、堆積室１１０１への
ＮＯガスのガス流量を制御することによって、層領域（
０）中に含有される酸素原子の分布状態を所望通りに形
成することが出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第１表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ５．ＯｋＶＶＯ２３ｓ　ｅ　ｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ
光源を用い、２ｆＬｕｘ。

ＳｅＣの光量を透過型のテストチャートを通して照射さ
せた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を■５．ＯｋＶのコロナ帯電で転写
紙上に転写した処、解像力に優れ１階調再現性のよい鮮
明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ１
基体上に、第２表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従ってＳ　ｎ　Ｈ４＋　Ｇ　ｅ　Ｈ４
ガスとＳｉＨ４ガス（７）ガス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例１と同様に画像評価を行ったところ実施
例１と同様の評価を得ることが出来た。

実施例３ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ文
基体上に、第３表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例１と同様に画像評価を行ったところ、実
施例１と同様の評価を得ることが出来た。

上流側４ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第４表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従ってＳ　ｎＨ４＋ＧｅＨ４ガスとＳ
ｉＨ４ガスのガス流量比を層作成経過時間と共に変化さ
せて層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例１と同様に画像評価を行ったところ、実
施例１と同様の評価を得ることが出来た。

実施例５ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ
基体上に、第５表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置ニ設
置シｅ６．ＯｋＶＶＯ２３ｓ　ｅ　ｃ間コｅｒす帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光源を用い、２Ｊ１ｕｘ。

Ｓｅｃの光量を透過型のテストチャートを通して照射さ
せた。

その後直ちに、■荷電性を現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を（９６，０ｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写した処、解像力に優れ１階調再現性のよい
鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＡ
、基体上に、第６表に示す条件で第１２図に示すガス流
量比の変化率曲線に従ってＳ　ｎＨ４＋ＧｅＨ４ガスと
ＳｉＨ４ガスのガス流量比を暦作成経過時間と共に変化
させて層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例５と同様に画像評価を行ったところ、実
施例５と同様の評価を得ることが出来た。

実施例７ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｆ
Ｌ基体上に、第７表に示す条件で層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しＣ５，ＯｋＶで０．３５ｅＣ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、２Ｊｌｕｘ。

ｓｅｃの光量を透過型のテストチャートを通して照射さ
せた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像をＣ５，ＯｋＶのコロナ帯電で転写
紙上に転写した処、解像力に優れ、階調再現性のよい鮮
明な高濃度の画像が得られた。又、上記の画像形成プロ
セスを連続して繰返し行って、連続使用の耐久テストを
行ったところ、使用回数に応じた転写画像２の画質の低
下は何等見受けることが出来なかった。

実施例８ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ
基体上に、第８表に示す条件で第１３図に示すガス流量
比の変化率曲線に従ってＣ２Ｈ４ガスと（Ｓ　ｎＨ４＋
ＧｅＨ４＋Ｓ　１Ｈ４）ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成
部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例９ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ
基体上に、第９表に示す条件で第１３図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って（Ｃ２Ｈ４＋Ｓ　ｎＨ４＋Ｇｅ
Ｈ４）ガストＳｉＨ４ガスのガス流量比を層作成経過時
間と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１０ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第１０表に示す条件で層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第１１表に示す条件で第１３図に示すガス流
量比の変化率曲線に従って０２ガスと（Ｓ　ｎＨ４＋Ｇ
ｅＨ４＋ｓ　１Ｈ４）ガスのガス流量比を層作成経過時
間と共に変化させて層二形成を行って電子写真用像形成
部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第１２表に示す条件で第１３図に示すガス流
量比の変化率曲線に従って（０２＋ＳｎＨ４＋ＧｅＨ４
）ガスとＳｉＨ４ガスのガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１３ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第１３表に示す条件で層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１４ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第１４表に示す条件で第１３図に示すガス流
量比の変化率曲線に従ってＮＨ３ガスと（Ｓ　ｎＨ４＋
ＧｅＨ４＋ｓ　１Ｈ４）ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成
部材を得た。こうして得られた像形成部材を、帯電露光
実験装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行っ
たところ、実施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１５ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第１５表に示す条件で第１３図辷示すガス流
量比の変化率曲線に従って（ＮＨ３＋Ｓ　ｎＨ４＋Ｇｅ
Ｈ４）ガスとＳｉＨ４ガスのガス流量比を層作成経過時
間と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。こうして得られた像形成部材を、帯電露光実
験装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行った
ところ、実施例７と同様の評価を得るこ、とが出来た。

実施例１６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｆ
Ｌ基体とに、第１６表に示す条件で層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１７ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第１７表に示す条件で層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１８ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ見
幕体上に、第１８表に示す条件で層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例７と同様に画像評価を行ったところ、実
施例７と同様の評価を得ることが出来た。

実施例１９ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ見
幕体上に、第１９表に示す条件で層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ５．ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、２ｆＬｕｘ。

ＳｅＣの光量を透過型のテストチャートを通して照射さ
せた。

その後直ちに、■荷電性を現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を０５．ＯｋＶのコロナ帯電で転写
紙上に転写した処、解像力に優れ１階調再現性のよい鮮
明な高濃度の画像が得られた。又、上記の画像形成プロ
セスを連続して緑返し行って連続使用の耐久テストを行
ったところ、使用回数に応じた転写画像の画質の低下は
何等見受けることが出来なかった。

実施例２０ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第２０表に示す条件で層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例１９と同様に画像評価を行ったところ、
実施例１９と同様の評価を得ることが出来た。

実施例２１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第２１表に示す条件で層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例１９と同様に画像評価を行ったところ、
実施例１９と同様の評価を得ることが出来た。

実施例２２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＭ
基体上に、第２２表に示す条件で第１４図に示すガス流
量比の変化率曲線に従っｆＢ２Ｈ４ガスとＣ３ｎＨａ＋
ＧｅＨ４＋Ｓ　１Ｈ４）ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成形成を行って電子写真用像
形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置して、実施例１と同様に画像評価したところ、解像力
に優れ階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が繰返し得
られた。

実施例２３ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＭ
基体上に、第２３表に示す条件で第１５．１６．１７図
に夫々示すガス流量比の変化率曲線に従って、ＳｎＨ４
＋ＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６ガスと（Ｓｎ
Ｈ４＋ＧｅＨ４＋Ｓ　１Ｈ４）ガス、Ｎｏガスと（Ｓｎ
Ｈ４＋ＧｅＨ４＋Ｓ　１Ｈ４）ガスのガス流量比を夫々
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し＄５．ＯｋＶテ０．３　ｓ　ｅ　ｃ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光源を用い、１．８ＪＬｕｘ。

ｓｅｃの光量を透過型のテストチャートを通して照射さ
せた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像をΦ５．　Ｏｋ　Ｖのコロナ帯電で
転写紙上に転写した処、解像力に優れ１階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２４ 第１１図に示した製造装置により、第２４表に示す条件
で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＳ　
ｎＨ４＋ＧｅＨ４ガヌと５ｔＨ４ガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させて、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例２５ 第１１図に示した製造装置により、第２５表に示す条件
で第１９図に示すガス流量比の変化率曲線に従：ってＳ
　ｎＨ４＋ＧｅＨ４Ｈ４上ＳｉＨ４ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例２６ 第１１図に示した製造装置により、第２６表に示す条件
で第２０図に示すガス流量比の変化率曲線に従ッテＳ　
ｎ　Ｈ４＋　Ｇ　ｅ　Ｈ４ガスと５ｔＨ４ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成を行っ
て電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例２７ 第１１図に示した製造装置により、第２７表に示す条件
で第２１図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＳ　
ｎＨ４＋ＧｅＨ４Ｈ４上ＳｉＨ４ガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させて、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例２８ 第１１図に示した製造装置により、第２８表に示す条件
で％２２図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＳ　
ｎＨ４＋ＧｅＨ４Ｈ４上ＳｉＨ４ガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させて、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例２９ 第１１図に示した製造装置により、第２９表に示す条件
で第２３図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＳｎ
Ｈ４ガスとＳｉＨ４ガスのガス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて１層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例３０ 実施例２に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代りに５ｉ２
Ｈｓ／Ｈｅガスを使用し第３０表に示す条件にした以外
は、実施例２と同様の条件にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例２と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例３１ 実施例２に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代りにＳｉＦ
４／Ｈｅガスを使用し第３１表に示す条件にした以外は
、実施例２と同様の条件にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画像が得られた。

実施例３２ 実施例２に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代りに（Ｓｉ
Ｈ４／Ｈｅ＋ＳｉＦ４／Ｈｅ）ガスを使用し第３２表に
示す条件にした以外は、実施例２と同様の条件にして、
層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例３３ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｎ
基体上に、第３３表に示す条件で第１２図に示すガス流
量比の変化率曲線に従って、ＳｎＨ４＋ＧｅＨａガスと
ＳｉＨ４ガスのガス流聞比を層作成経過時間と共に変化
させて１層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しΦ５．ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、１．８ｕｕｘ。

ＳｅＣの光量を透過型のテストチャートを通して照射さ
せた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を■５．ＯｋＶのコロナ帯電で転写
紙上に転写した処、解像力に優れ、階調再現性のよい鮮
明な高濃度の画像が得られた。

実施例３４ 実施例３３に於いて、Ｂ２Ｈ６ガスのＳｉＨ４ガスに対
する流量を第３４表に示す様に変えた以外は、実施例３
３と同様の条件で電子写真用像形成部材の夫々（試料Ｎ
ｏ、３４０１〜３４０　Ｂ）を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例３３と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
３４表に示す結果が得られた。

実施例３５ 実施例１〜３２に於いて、第２層の作成条件を第３５表
及び第３７表に示す条件にした以外は、各実施例に示す
条件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々（試料Ｎ
ｏ、３６０１〜３６１０．３８０１〜３８１０）を作成
した。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、各対応す
る実施例と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第３６表。

第３７表に夫々示す結果が得られた。

実施例３６ 実施例１〜３５に於いて、光源をタングステンランプの
代りに８１０ｎｍのＱａＡｓ系半導体レーザ（１，０ｍ
Ｗ）を用いて、静電像の形成を行い、トナー現像法とし
て殊に現像を採用した以外は、各対応する実施例と同様
の条件で作成した電子写真用像形成部材に就いてトナ、
−転写画像の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、
階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

又、各試料に就いて、使用したレーザ光に対する光感度
を測定したところ、極めて高光感度であることが示され
、半導体レーザとの整合性が優れていることが判った。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：錫原子（Ｓ　ｎ）含有層 −一一一約２５０℃ 錫原子（Ｓｎ）非含有層 一一一一約２７０℃ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧＋０．３Ｔｏｒｒ 〔効果〕 以上説明した様な層構成を取る様にして設計された本発
明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、
極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐
圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体とに形成される光受容
層が１層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に１本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々光受容層中
の錫原子の分布状態を説明する為の説明図、第１１図は
、本発明で使用された装置の模式的説明図で、第１２図
乃至第２３図は夫々木発明の実施例に於けるガス流量比
の変化率曲線を示す説明図である。 １００　　・・・　光受容部材 １０１　　・・・　支持体 １０２　　・・・　光受容層 １０３　　・・・　第１の層領域（Ｓ　ｎ）１０４　・
・・　第２の層領域（ｓ）

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）光受容部材用の支持体と、該支持体上に配置され
   、錫原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
   された第１の層領域、およびシリコン原子を含む非晶質
   材料で構成され、光導電性を示す第２の層領域とが前記
   支持体側より順に設けられた層構成の光受容層とを有す
   る事を特徴とする光受容部材。
2. （２）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第
   １項に記載の光受容部 材。
3. （３）第１の層領域及び第２の層領域の少なくともいず
   れか一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範
   囲第１項又は同第２項に記載の光受容部材。
4. （４）前記第１の層領域中に於ける錫原子の分布状態が
   層厚方向に不均一である特許請求の範囲第１項に記載の
   光受容部材。
5. （５）前記第１の層領域中に於ける錫原子の分布状態が
   前記支持体側の方に多く分布する分布状態である特許請
   求の範囲第４項に記載の光受容部材。
6. （６）前記光受容層には伝導性を支配する物質が含有さ
   れている特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属す
   る原子である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部材
   。
8. （８）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光受容部材。
9. （９）前記第１の層領域にはシリコン原子が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。