JPS60140255A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線ｔ　’ｏ
Ｔ視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

［従来技術］ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉ　ｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まりる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電部材に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓｉと表記す）があ
り、例えば、秒間公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
秒間公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−Ｓｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性。

及び耐温性等の使用環、境特性の点、更には経時的安定
性の点において、総合的な特性向上を図る必要があると
いう更に改良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時におし）て残留電位が残る場合が度
々観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所謂ゴースト現像を発する様になる或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−３ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ポケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−Ｓｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いぼ弗素゛原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電
気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如伺によっては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において。

支持体側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数ＩＬ以！−になると層形成用の真空
堆積室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と
共に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀
裂が生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は
、殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されて
いるドラム状支持体の場合に多く起こる等、経時的安定
性の点に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−Ｓｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、に記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

［目的］ 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−３ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを母体とし、水素原子又
はハロゲン原子のいずれか一方を少なくとも含有するア
モルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコンゲル
マニウム、ハロゲン化アモルファスシリコンゲルマニウ
ム、或いはハロゲン含有水素化アモルファスシリコンゲ
ルマニウム〔以後これ等の総称的表記としてｒ　ａ　−
５ｉＧｅ（Ｈ、’Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光
導電性を示す光受容層を有する光導電部材の構成を以後
に説明される様な特定化の下に設計されて作成された光
導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく
、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において
凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材として
著しく優れた特性を有していること及び長波長側に於け
る吸収スペクトル特性に優れていることを見出した点に
本発明は基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けな？ν全環境型であ
り、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残
留電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供
することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は全可視光域に於いて光感度が高く、
殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答の
速い光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、支持体上に設けられる層と
支持体との間や積層される層の各層間に於ける密着性に
優れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い
光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、電子写真用の像形成部材と
して適用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に
適用され得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の
電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性
の低下が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有す
る光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、濃度が高く、ハーフトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明のさらに他の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性
及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光導電
部材を提供することである。

［発明の構成］ 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体、ならび
にゲルマニウム原子を含む非晶質材料で構成され、前記
支持体上に設けられた第一の層領域（Ｇ）と、シリコン
原子を含む非晶質材料で構成され、前記第一の層領域（
Ｇ）上に設けられた光導電性を示す第二の層領域（Ｓ）
とを有する第一の層および該第−の層上に設けられ、シ
リコン原子と窒素原子とを含む非晶質材料で構成された
第二の層から成る光受容層を有し、前記第一の層は、炭
素原子を含有すると共にその層厚方向における炭素原子
の分布法１隻が夫々、Ｃ（１）、Ｃ（３）、Ｃ（２）な
る第１の領域（１）、第３の領域（３）、第２の領域（
２）を前記支持体側からこの順で有する１１を特徴とす
る・ ヒ記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特にトを示す
。

殊に、本発明の光導電部材は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合には、画像形成への残留電位の影響
が全くなく、その電気的４Ｎ性が安定しており高感度で
高ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰返し使用
特性に長也す、濃度が高く、／＼−フトーンが鮮明に出
て、１１．。

つ解像度の高い、高品質の画像を安定して繰返し得るこ
とができる。

又、本発明の光導電部材は、支持体上に形成される光受
容層が層自体強靭であって、且つ支持体との密着性に著
しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用する
ことができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

［実施例］ 以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するための模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体ｌＯ１と、該支持体１０１上に設けられた第一
の層（Ｉ）１０２と、第一の層（Ｉ）１０２上に設けら
れた第二の層（ＩＩ）１０３とを有する。第一の層（Ｉ
）１０２と第２の層（ＩＩ）１０３とによって光受容層
１０４を構成する。

第一の層（Ｉ）１０２は、ゲルマニウム原子と、必要に
応じて、シリコン原子、水素原子、ハロゲン原子の中の
少なくとも１つとを含む非晶質材料（以後ｒａ−Ｇｅ　
（Ｓｉ、Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で構成され、支持体上に設
けられた第一・の層領域（Ｇ）１０５と、シリコン原子
と、必要に応じて、水素原子およびハロゲン原子の少な
くとも１つを含む非晶質材料（以後ｒａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ
）Ｊと記す）で構成され、第一の層領域（Ｇ）１０５」
：：に設けられた、光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）
１０６とを有する。

ゲルマニウム原子は、第一の層領域（Ｇ）　１０５中に
万遍無く均一に分布する様に第一の層領域（Ｇ）１０５
中に含有されても良いし、或いは層厚方向には万遍なく
含有されてはいるが分布濃度は不均一であっても良い。

面乍ら、いずれの場合にも第一の層領域ＣＧ）１０５中
においては、支持体の表面と平行な面内方向に関して、
ゲルマニウム原子は、均一な分布で万遍無く含有される
のがその面内方向に於ける特性の均一化を計る点から必
要である。

殊に、第一の９（Ｉ）１０２の層厚方向には万遍無く含
有されていて、且つ前記支持体１０１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１０４の自由表面１０７側）
の方に対して前記支持体１０１側（光受容層と支持体１
０１との界面側）の方に多く分布した状態となる様にす
るか、或いはこの逆の分布状態となる様に前記第一の層
領域（Ｇ）１０５中にゲルマニウム原子は含有される。

本発明の光導電部材においては、前記した様に第一の層
領域（Ｇ）１０５中に含有されるゲルマニウム原子の分
布状態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態を
取り、支持１０１の表面と平行な面内方向には、均一な
分布状態とされるのが望ましい。

本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）　１０５上に設
けられる第二の層領域（Ｓ）１０６中には、ゲルマニウ
ム原子は含有されておらず、この様な層構造に第一の層
（Ｉ）１０２を形成することによって、可視光領域を含
む、比較的短長波から比較的長波長連の全領域の波長の
光に対して光感度が優れている光導電部材を得ることが
できる。

又、好ましい実施態様の１つに於いては、第一の層領域
（Ｇ）１０５中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は
その全層領域にゲルマニウム原子が連続的に万遍無く分
布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持
体１０１側から第二の層領域（Ｓ）１０６に向って減少
する変化が与えられているので、第一の層領域（Ｇ）１
０５と第二の層領域（Ｓ）１０６との間に於ける親和性
に優れ、且つ後述する様に支持体１０１側端部に於いて
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすること
により、半導体レーザー等を使用した場合の、第二の層
領域（ｓ）ｉｏｅでは殆んど吸収し切れない長波長側の
光を第一の層領域（Ｇ）１０５に於いて、実質的に完全
に吸収することが出来、支持体１０１面からの反射によ
る干渉を防止することが出来る。

第２図乃至第１０図には第一の層領域（Ｇ）１０５中に
含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態が不
均一な場合の典型的例が示される。

第２図乃至第１ｏ図においては、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す第一の層領域
（Ｇ）１０５の層厚を示し、ｔ８は支持体１０１側の第
一の層領域（Ｇ）１０５の表面の位置を、ｔ工は支持体
側とは反対側の第一の層領域（Ｇ）１０５の表面の位置
を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第一の層
領域（Ｇ）１０５はｔ、側からｔ□側に向って層形成が
なされる。

第２図には、第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有される
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型型
が示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層領域（Ｇ）１０５が形成される表面と支持体
１０１の表面とが接する界面位置ｔ８からｔ、の位置ま
では、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ４なる一定の
値を取り乍ら第一・の層（Ｉ）に含有され、位Ｍｔ、か
ら界面位置ｔ工に至るまで分布濃度は、Ｃ２より徐々に
連続的に減少されている。界面位ｇｌｔ□においてはゲ
ルマニウム原子の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ）１
０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置
ｔ、より位置ｔ□に至るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的
に減少して位置ｔ工において濃度Ｃ５となる様な分布状
態を形成している。

第４図の場合には、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、より位置
ｔ２までは濃度Ｃと一定植とされ、位置ｔ２と位置ｔ□
との間において、徐々に連続的に減少され、位＠　１Ｔ
において、分布濃度Ｃは実質的に零とされている（ここ
で実質的に零とは検出限界量未満の場合である）。

第５図の場合には、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、より位Ｈ
ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々に減少され
、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、第１の層領域（Ｇ）１０５
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、位置ｔ
＆、！：位置ｔ７間においては、濃度ｃｑと一定値であ
り、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１ｏされる０位置ｔ、と
位置１Ｔとの間では、分布濃度Ｃは一貨関数的に位置ｔ
３より位置ｔ工に至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ）１
０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位Ｗ
ｔ８より位置ｔ４までは濃度ＣＩ＋の一定値を取り、位
置ｔ４より位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２より濃度ＣＩ３ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、第１の層領域（Ｇ）１０５
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ６
より位置ｔ工に至るまで、濃度Ｃ３，より実質的に零に
至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、位置ｔ、より位
置ｔ５に至るまでは濃度ＣＩ５より濃度Ｃ１４まで一次
関数的に減少され、位置ｔ。

と位置１Ｔとの間においては、濃度ＣＩ、の一定値とさ
れた例が示されている。

第１θ図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ）
１０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔ、において濃度ＣＩ７であり、位置ｔ６に至るまで
はこの濃度Ｃ１□より初めはゆっくりと減少され、ｔ、
の位置付近においては、急激に減少されて位置ｔ、では
濃度０１にされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ、との間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位置１．において、濃
度Ｃ２ｏに至る。位置稲と位置ｔ□の間においては、濃
度Ｃ２，より実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１θ図により、第一の層領域（Ｇ）
１０５中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明におい
ては、支持体１０１側において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔ１側において、前記
分布濃度Ｃが支持体１０１側に較べて可成り低くされた
部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第一の層領
域（Ｇ）１０５に設けられている場合が、好適な例の１
つとして挙げられる。

本発明に於ける光導電部材を構成する第一の層領域（Ｇ
）１０５は、好ましくは上記した様に支持体１０１側の
方か又はこれとは逆に自由表面１０７側の方にゲルマニ
ウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ
）を有するのが望ましい。

例えば、局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ６より層厚方向に
５ＪＬ以内に設けられるのが望ましい。

上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔより５１Ｌ厚までの
層領域（ＬＴ）の全部とされる場合もあるし、又、層領
域（Ｌ丁）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ丁）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の層領域（Ｇ）１０５に
要求される特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）は、その中の含有されるゲルマニウム原
ｒ−の層厚方向の分４ｊ状態としてゲルマニウム原子の
分布濃度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和に対し
て、好ましくはｔｏｏ。

原子ｐｐｍ以」二、より好適には５０００原子ｐｐｍ以
上、最適には１ｘｔｏ原子ｐｐｍ以上とされる様な分布
状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層領域（Ｇ）１０５は、支持体１０１側からの
層厚で５ＩＬ以内（１６から５ル厚の層領域）に分布濃
度の最大値Ｃｗａｘが存在する様に形成されるのが好ま
しい。

本発明において、第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的
が効果的に達成される様に所望に従って適宜法められる
が、シリコン原子との和に対して、好ましくは１−１０
ＸＩＯ’原子ＰＰｆｆ１より好ましくは１００〜９　、
５　Ｘ　ｌ　Ｏ’原Ｔ−ｐｐｍ、最適には、５００〜８
×ｌＯｓ原子ｐ、ｐｍとされるのが望ましい。

第一の層領域（Ｇ）１０５中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に
分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支
持体１０１側から光受容層１０４の自由表面１０７側に
向って、減少する変化が与えられているか、又はこの逆
の変化が与えられている場合には、分布濃度Ｃの変化率
曲線を所望に従って任意に設計することによって、要求
される特性を持った第一の層領域（Ｇ）１０５を所望通
りに実現することが出来る。

例えば、第一の層領域（Ｇ）１０５中に於けるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを支持体１０１側に於いては、充
分高め、光受容層１０４の自由表面１０７偏に於いては
、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化を、ゲルマニウム
原子の分布濃度曲線に与えることによって、ｒｉ（視光
領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄の全領域
の波長の光に対して高光感度化を図ることが出来ると共
に、レーザ光等の可干渉光に対しての干渉防止を効果的
に計ることが出来る。

未発ＩＩに於いて第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚と第
２の層領域（Ｓ）１０６の層厚とは、本発明の目的を効
果的に達成させる為の重要な因子の１つであるので形成
される光導電部材に所望の特性が充分与えられる様に、
光導電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必要が
ある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚Ｔは
、好ましくは３０λ〜５０ｐ、より好ましくは４０λ〜
４０＝、最適には５０λ〜３０ＩＬとされるのが望まし
い。

又、第２の層領域（Ｓ）１０６の層厚Ｔは、好ましくは
、０．５〜９０ｇ、より好ましくは１〜８０ＩＬ、最適
には２〜５０ｇとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚Ｔと第２の層領域（Ｓ
）１０６の層厚Ｔの和（Ｔ＋Ｔ）は、両層領域に要求さ
れる特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の
有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望
に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲は、好ましくは１〜１００ｋ、より好適には１
〜８０ｇ、最適には２〜５０にとされるのが望ましい。

本発明のより好ましい実施態様に於いては上記の層厚Ｔ
ｉ＋及び層厚Ｔは、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１なる関係を
満足するように、夫々に対して適宜適切な数値が選択さ
れるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔｓ／Ｔ≦０，９、最適には
Ｔ　Ｂ　／　Ｔ≦０．８する関係が満足される様に層厚
ＴＢ及び層ＨＴの値が決定されるのが望ましいものであ
る。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）１０５中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量がｌＸ１０ＪｊＫ子ｐｐ
ｍ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚Ｔ
Ｂは、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
ＩＬ以下、よりＩｆｆましくは２５ル以下、最適には２
０ル以下とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の層（Ｉ）１０２との間の密
着性の改良を図る目的の為に、第一の層（Ｉ）１０２中
には、炭素原子が含有される層領域゛（Ｃ）が設けられ
る。

第一の層（Ｉ）１０２は、第１１図に示すように、炭素
原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）が、Ｃ（１）なる値
を有する第１の領域（１）１０８、Ｃ（２）なる値を有
する第２の領域（２）１０９　、Ｃ（３）ｔ６値を有ｔ
　ルｒｔＳ３　ｃ７）　領域（３）１１０とを有する。

本発明に於いては、−Ｉ−記の第１．第２．第３の各領
域は、これ等３つのいずれの領域に於いても必ずしも炭
素原子が含有されていることは要しないが１分布濃度Ｃ
（３）は、分布濃度Ｃ（１）、Ｃ（２）のいずれよりも
大きく、１１一つ、分り１ｊ濃度Ｃ（１）　、Ｃ（２）
の少なくともいずれか一方は０でないか又は分布濃度Ｃ
（１）、Ｃ（２）は等しくない必要がある。

分布濃度Ｃ（１）　’、　Ｃ（２）のいずれか一方が０
である場合には、第一の層（Ｉ）１０２は、炭素原子を
含有しない領域として、第１の領域（１）１０８か又は
第２の領域（２）１０９を有し、それよりも高い分布濃
度Ｃ（３）を有する第３の領域（３）を有する。

この場合、炭素原子を比較的高濃度に含有させて自由表
面１０７から第一の層（Ｉ）１０２中への電荷の注入防
止効果が得られる様にするのであれば第１の領域（ｉ）
ｉｏａを、炭素原子の含有しない領域として第一の層（
Ｉ）１０２を設計する必要があり、又、逆に支持体１０
１側から光受容層１０４中への電荷の注入防止及び支持
体ｉｏｔと光受容層１０４との間の密着性の改良を計る
のであれば、第２の領域（２）１０９を炭素原子の含有
しない領域として第一の層（Ｉ）１０２を設計する必要
がある。本発明に於いては、３者の中、最大の分布濃Ｃ
（３）を有する第３の領域（３）１１０は、良好な光感
度特性を堆持しつつ第一の（Ｉ）１０２の暗抵抗の向上
を計る場合には、分布濃度Ｃ（３）の値としては、比較
的低い数値に設定すると共に、その層厚としては必要な
範囲に於いて充分な厚さとするのが望ましい。

又、分布濃度Ｃ（３）の値を比較的高い数値に設定する
ことで第３の領域（３）１１０によって電荷注入防止効
果を期待するのであれば、第３の領域（３）１１０の層
厚は、電荷柱入阻止の効果が充分得られる範囲に於いて
、出来るだけ薄くすると共に、第２の層（ＩＩ）１０３
の自由表面１０７側、又は支持体１０１側に出来るだけ
接近した位置に第３の領域（３）１１０を設けるのが望
ましい。

この場合に於いて、第３の領域（３）１１０が支持体１
０１側の方により接近して設けられる場合には、第１の
領域（１）１０８は、その層厚を必要な範囲に於いて充
分薄くされ、支持体１０１と光受容層１０４との間の密
着性の向上を主に計る為に設けられる。

第３の領域（３）１１０が自由表面１０７側の方により
接近して設けられる場合には、第２の領域（２）１０９
は第３の領域（３）ｌｔ。

が多湿雰囲気に晒されるのを防ぐ目的の為に主に設けら
れる。

本発明に於いて、第１の領域（１）及び第２の領域（２
）の層厚としては、分布濃度ｃ（１）、Ｃ（２）との関
係に於いて適宜所望に応じて決定されるが、好ましくは
、０．００３〜１００終、より好ましくは９．００４〜
８０ＩＬ、最適には０．００５〜５０ＩＬが望ましい。

又、第３の領域（３）１１０の層厚は、分布濃度Ｃ（３
）との関係に於いて適宜決定されるが、好ましくは０．
００３〜８０ル、より好ましくは０．００４〜５０＃Ｌ
、最適には０．００５〜４０ルとされるのが望ましい。

第３の領域（３）１１０に電荷注入阻止層としての機能
を主に持たせる場合には、第一の層（Ｉ）１０２の支持
体１０１側又は自由表面１０７側に接近して設けると共
に、その層厚を好ましくは３０ル以下、より好適には２
０ＪＬ以下、最適にはｌＯ＃Ｌ以下とするのが望ましい
。

この際、第３の領域（３）１１０が接近して設けられる
支持体１０１側にある第１の領域（１）１０８又は自由
表面１０７偏にある第２の領域（２）１０９の層厚は、
第３の領域（３）１１０に含有される炭素原子の分布濃
度Ｃ（３）の値と生産的効率の点とからによって適宜状
められるが、好ましくは５ｐ以下１、より好ましくは３
ル以下、最適には１％以下とされるのが望ましい。

本発明に於いて、炭素原子の含有分布濃度Ｃ（３）の最
大値としては、シリコン原子とゲルマニウム原子と炭素
原子との和（以後［Ｔ（ＳｉＧｅＣ）Ｊと記す）に対し
て好ましくは６７原子％、より好ましくは５０原子％、
最適には４０原子％とされるのが望ましい。

又、分布濃度Ｃ（３）の最小値は、Ｔ（ＳｉＧｅＣ）に
対して好ましくはｌＯ原子ｐｐｍ　、より好ましくは１
５原子ｐｐｍ　、最適には２０原子ｐｐＩＩとされるの
が望ましい。分布濃度Ｃ（１）　、　Ｃ（２）が０でな
い場合は、その最小値としては、Ｔ（ＳｉＧｅＣ）に対
して、好ましくはｌ原子ｐｐｍ　、より好ましくは３原
子ｐｐ腸、最適には５原子ｐｐｍとされるのが望ましい
。

本発明に於いて、炭素原子の分布状態は、第一の層（Ｉ
）１０２全体に於いては、前記した様に層厚方向に不均
一であるが、第１．第２゜第３の各領域に於いては、層
厚方向に均一である。

第１２図乃至第１５図には、第一の層（Ｉ）１０２全体
としての炭素原子の分布状態の典型的例が示される。

これ等の図の説明に当って断わることなく使用される記
号は、第２図乃至第１θ図に於いて使用したものと同様
に意味を持つ。

第１２図に示される例では、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は位置ｔＦ３より位置ｔ９まではＣ２１とし、位置ｔ
９から位置ｔ１１まではＣ２，とし、位置ｔＩＩがら位
置ｔ□までは’２１としている。

第１３図に示される例では、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は位置ｔ３から位置ｔ１□までは”ＩＪとし、位置ｔ
、２から位置ｔＩＢまでは５．と階段状に増加させ、位
置ｔ１３から位置ｔ工までは亀と減少させている。

第１４図の例では、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は位置
ｔ、から位置ｔ１゜まで９＆とし、位置ｔ１４から位置
ｔ＋ｓまではＣ７７と階段状に増加させ、位置ｔ５．か
ら位置ｔ□まで初期の濃度よりも少ない濃度Ｃ，，，：
　している。

第１５図に示される例では、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は位置ｔ、から位置ｔ１６まではＣ２，とし位置ｔ＋
ｇから位置ｔ１７まではＣ３ｏに減少させ、位置ｔ１７
から位置ｔ１ｆまではＣ３，と階段状に増加させ、位置
ｔｌ＆から位置１ＢまではＣ３Ｉ、まで減少させている
。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２に設けられる炭
素原子の含有されている層領域（Ｃ）（前述した第１．
第２．第３の領域の少なくとも２つの領域で構成される
）は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合に
は。

第一の層（Ｉ）１０２の全層領域を占める様に設けられ
、第一の（１）１０２の自由表面から１０７からの電荷
の注入を防止するためには、自由表面側近傍に設けられ
、支持体１０１と光受容層１０４との間の密着性の強化
を計るのを主たる目的とする場合には、光受容層１０４
の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

第一番目の場合、層領域（、Ｃ）中に含有される炭素原
子の含有量は、高光感度を維持する為の比較的少なくさ
れ、２番目の場合第一の層（Ｉ）１０２の自由表面１０
７からの電荷の注入を防ぐために炭素原子の含有量は比
較的多くされ、第３番目の場合には、支持体ｌＯ１との
密着性の強化を確実に図る為に炭素原子の含有量は比較
的多くされるのが望ましい。

又、前三者を同時に達成する目的の為には、支持体１０
１側に於いて比較的高濃度に窒素原子を分布させ、第一
の層（Ｉ）１０２の中央に於いて比較的低濃度に分布さ
せ、第一の層（Ｉ）１０２の自由表面１０７側の表面層
領域には、炭素原子を多くした様な、炭素原子の分布状
態を層領域（Ｃ）中に形成すれば良い。

自由表面１０７からの電荷の注入を防止するためには、
自由表面１０７側で炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を多く
した層領域（Ｃ）を形成するのが望ましい。

本発明に於いて、第一・の層（Ｉ）１０２に設けられる
炭素原子を含有する層領域（Ｃ）における炭素原子の含
有量は、層領域（Ｃ）自体に要求される特性、或いは該
層領域（Ｃ）が支持体１０１に直に接触して設けられる
場合には。

該支持体１０１との接触界面に於ける特性との関係等、
有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、核化の層領域の特性や核化の層領域と
の接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭素原
子の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、シリコン原子とゲルマニウム原子と炭
素原子との和（以後ｒＴ　（Ｓ　１ＧｅＣ）Ｊと記す）
に対して好ましくは、ｏ、ｏｏｉ〜５０原子％、より好
ましくは０．００２〜４０原子％、最適には。

０．００３〜３０原子％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｃ）が第一の層（Ｉ）１０２
の全域を占めるか、或いは、第一の層（Ｉ）１０２の全
域を占めなくとも、層領域（Ｃ）の層厚ＴＯの第一の層
（Ｉ）１０２の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には
、層領域（Ｎ）に含有される炭素原子の含有量の上限は
、前記の値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明においては、層領域（Ｃ）の層厚Ｔ。

が第一の層（Ｉ）１０２の層厚Ｔに対して占める割合が
５分の２以上となる様な場合には、層領域（Ｃ）中に含
有される窒素原子の量の上限としては、Ｔ（ＳｉＧｅＣ
）に対して好ましくは、３０原子％以下、より好ましく
は、２０原子％以下、最適には１０原子％以下とされる
のが望ましい。

本発明において、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）は
、上記した様に支持体１０１側又は／及び第二の層（Ｉ
Ｉ）１０３側の近傍に炭素原子が比較的高濃度で含有さ
れている局在領域（Ｂ）を有するものとして設けられる
のが望ましく、この場合には、支持体１０１と第一の層
（Ｉ）１０２との間の密着性をより一層向にさせること
及び受容電位を向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第一の層（Ｉ）１０２の支持体
１０１側および第二の層（ＩＩ　）１０３側の表面から
５ｗ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域ＣＢ）は、第一の層（
Ｉ）１０２の、支持体１０１からまたは第二の層（ＩＩ
）１０３側の表面から５ル厚までの層領域（Ｌ丁）の全
部とされる場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部と
される場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌ丁）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層１０４に要求される
特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）は、その中に含有される炭素原子の層厚
方向の分布状態として炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の最
大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００原子ｐｐｍ以上、よ
り好ましくは８００原子ｐｐｍ以上、最適には１０００
原子ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、第一の層（Ｉ）１０２中の、
炭素原子の含有される層領域（Ｃ）は、支持体１０１側
または第二の層（ＩＩ　）１０３の表面からの層厚で５
ｐ以内に分布濃度の最大値Ｃｗａｘが存在する様に形成
されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第一の層（Ｉ）１０２に
含有されるハロゲン原子としては、具体的にはフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第一の層領域（Ｇ）１０５又は／及びゲルマニ
ウム原子の含有されない第二の層領域（Ｓ）１０６には
、伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有させることによ
り、当該層領域（Ｇ）又は／及び層領域（Ｓ）の伝導特
性を所望に従って任意に制御することが出来る。本発明
においては、伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有され
る層領域（ＰＮ）は、第一の層（■）ｌＯ２の一部又は
全部に設けてもよい。又は、層領域（ＰＮ）は、層領域
（Ｇ、）または（Ｓ）の一部又は全部に設けてもよい。

この様な伝導特性を支配する物質（Ｄ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、シリコン原子またはゲルマニウム原子
に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。具体
的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■族に属する原
子（第ｍ族原子）、例えば、硼素（Ｂ）、アルミニウム
（ＡＭ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タ
リウム（Ｔ１等があり、殊に好適に用いてれるのは、Ｂ
、Ｇａである。また、ｎ型不純物としては、周期律表第
Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）、例えば、燐（Ｐ）、
砒素（Ａｓ）、アンチモン（ｓ　ｂ）　、ビスマス（Ｂ
ｉ）等でアリ、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓ
である。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２中に含有される
伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量は、該第−の層
（１）１０２に要求される伝導特性、或いは該第−の層
（Ｉ）１０２が直に接触して設けられる支持体１０１と
の接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於
いて、適宜選択することが出来る。

又、前記の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を第一の層（
Ｉ）１０２中に含有させるのに、該第−の層（Ｉ）１０
２の所望される層領域に局在的に含有させる場合、殊に
、第一の層（Ｉ）１０２の支持体側端部層領域に含有さ
せる場合には、該層領域に直に接触して設けられる他の
層領域の特性や、核化の層領域との接触界面に於ける特
性との関係も考慮されて、伝導特性を支配する物質（Ｄ
）の含有量が適宜選択される。

本発＝明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２中に含有され
る伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量としては、好
ましくは、ｏ、ｏｉ〜５Ｘ１０原子ＰＰｎ＋、ヨ’Ｊ好
適には０．５〜１×ｌｏ４原子ｐｐｍ　、　ａｉａ４：
ハ１〜５　Ｘ　１０ａｊ７．子ｐｐｍ　トサれるのが望
ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｄ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｄ）の含有量が
、好ましくは３ｏ原子ＰＰｆｆ１以上、より好適には５
ｏ原子ｐｐｍ以」二、最適には、ｌＯＯ原子ｐｐｍ以上
の場合には、前記伝導特性を支配する物質（Ｄ）は、第
一の層（Ｉ）１０２の一部の層領域に局所的に含有させ
るのが望ましく、殊に第一の層（Ｉ）１０２の支持体側
端部層領域（Ｅ）に偏在させるのが望ましい。

上記の中、第一の層（Ｉ）１０２の支持体側端部層領域
（Ｅ）に前記の数値以上の含有量となる様に前記伝導特
性を支配する物質（Ｄ）を含有させることによって、例
えば当該物質（Ｄ）が前記のｐ型不純物の場合には、光
受容層１０４の自由表面１０了ノが中極性に帯電処理を
受けた際に支持体ｌＯ１側から光受容層１０４中へ注入
される電子の移動を効果的に阻止することが出来、又、
前記伝導特性を支配する物質が前記のｎ型不純物の場合
には、光受容層１０４の自由表面１０７．が−極性に帯
電処理を受けた際に、支持体１０１側から光受容層１０
４中へ注入される正孔の移動を効果的に阻止することが
出来る。

この様に、前記支持体側端部層領域（Ｅ）に一方の極性
の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有させる場合には
、第一の層（Ｉ）１０２の残りの層領域、即ち、前記支
持体側端部層領域（Ｅ）を除いた部分の層領域（Ｚ）に
は、他の極性の伝導特性を支配する物質を含有させても
良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する物質を、
支持体側端部層領域（Ｅ）に含有される実際の量よりも
一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量としては、支持体
側端部層領域（Ｅ）に含有される前記物質の極性や含有
量に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、
好ましくは、０．００１〜１０００原子ｐｐｍ　、より
好適には０．０５〜５００原子ｐｐｍ　、最適には０．
１〜２００原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、支持体側端部層領域（Ｅ）及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合
には、当該物質の層領域（Ｚ）に於ける含有量としては
、好ましくは、３０原子ｐｐｍ以下とするのが望ましい
。上記した場合の他に、本発明に於いては、第一の層（
Ｉ）１０２中に、一方の極性を有する伝導性を支配する
物質を含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性
を支配する物質を含有させた層領域とを直に接触する様
に設けて、該接触層領域に所謂空乏層を設けることも出
来る。詰り、例えば、第一の層（Ｉ）１０２中に、前記
のｐ型不純物を含有する層領域と前記のｈ型不純物を含
有する層領域とを直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接
合を形成して、空乏層を設けることが出来る。

本発明ニオイテ、ａ−Ｇｅ　（Ｓ　ｉ　、　Ｈ、Ｘ）で
構成される第一の層領域（Ｇ）１０５は、例えば、グロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって形成
される。例えば、グロー放電法によッテ、ａ　−Ｇｅ（
Ｓｉ　、　Ｈ、Ｘ）で構成される第一の層領域（Ｇ）１
０５を形成するには、基本的にはゲルマニウム原子を供
給し得るゲルマニウム原子供給用の原料ガスと必要に応
じて、シリコン原子を供給し得るシリコン原子供給用の
原料ガス、水素原子導入用の原料ガス又は／及びハロゲ
ン原子導入用の原料ガスとを、内部を減圧し得る堆積室
内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである、所定
の支持体表面上にａ−Ｇｅ（Ｓ　ｉ　、　Ｈ、Ｘ）から
なる層を形成すれば良い。又、ゲルマニウム原子を不均
一な分布状ＩＥで第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有さ
せるにはゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ−Ｇｅ　（Ｓ　ｉ　、　Ｈ、Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法においては、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコ
ン原子で構成されたターゲット、或いは、該ターゲット
とゲルマニウム原子で構成されたターゲットの二枚を使
用して、又は。

シリコン原子とゲルマニウム原子の混合されたターゲッ
トを使用して、必要に応じて、Ｈｅ、Ａｒ等の稀釈ガス
で稀釈されたゲルマニウム原子供給用の原料ガス又、必
要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子導入用のガ
スをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスの
プラズマ雰囲気を形成することによって第一の層領域（
Ｇ）１０５を形成する。このスパッタリング法において
、ゲルマニウム原子の分布を不均二にする場合には、前
記ゲルマニウム原子供給用の原料ガスのガス流量を所望
の変化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターゲットを
スパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ポートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にすることによって第一
の層領域（Ｇ）１０５を形成することができる。

本発明において使用されるシリコン原子供給用の原料ガ
スと成り得る物質としては、Ｓｉ馬、Ｓ　ｉ、ｔＨ，、
Ｓ　ｉ、Ｈ，、Ｓ　ｉ４Ｈ，、＄のガス状態の又はガス
化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
シリコン原子供給効率の良さ等の点でＳ　ｉ　Ｈ，、Ｓ
ｉ、Ｈ，、が好ましいものとして挙げられる。

ゲルマニウム原子供給用の原料ガスと成り得る物質とし
ては、Ｇ　ｅ　Ｈ，、Ｇ　ｅ、ＬＨ６、Ｇ　ｅＪＨ，、
Ｇ　ｅ４Ｈ，、、Ｇ　ｅ、Ｈ，２、Ｇ　ｅ、Ｈ，、、Ｇ
　ｅ、Ｈ，４、Ｇ　ｅ、Ｈ，、、Ｇ　ｅ９Ｈ，芹のガス
状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取
扱い易さ、ゲルマニウム原子供給効率の良さ等の点で、
Ｇｅ膓、Ｇ　ｅ２Ｈ，、Ｇ　ｅ、Ｈ，）ｙ＜好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのＩ＼ロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、／蔦ロゲン化物、ハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状
態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明に
おいては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＭＦ、ＣｆＬＦ、、ＢｒＦＢｒＦ、
、ＩＦｌ、Ｉ　Ｆ、、ＩＣＪＩ、ＩＢｒ等のハロゲン間
化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉ、Ｆ４、Ｓ　ｉ、Ｆｔ、　Ｓ　ｉ　０文。、５ｉＢｒ
や等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、ゲルマニウム原子供給用の原料ガスと共に
シリコン原子を供給し得る原料ガスとしての水素化硅素
ガスを使用しなくとも、所望の支持体１０１上にハロゲ
ン原子を含むａ−ＳｉＧｅから成る第一の層領域（Ｇ）
１０５を形成する本が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一の層領
域（Ｇ）１０５を製造する場合、基本的には１例えばシ
リコン原子供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とゲ
ルマニウム原子供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニ
ウムとＡｒ、Ｈ，Ｈｅ等のガス等とを所定の混合比およ
びガス流量になる様にして第一の層領域（Ｇ）１０５を
形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等
のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、所望
の支持体１０１上に第一の層領域（Ｇ）１０５を形成し
得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容
易にな葛様に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形
成しても良い。

又、各カスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される第一の層領域（Ｇ）１０５中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導
入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いも
のである。

又、第一の層領域（Ｇ）１０５中に水素原子を導入する
場合には、水素原子導入用の原料ガス、例えば、Ｆ２、
或いは前記したシラン類又は／及び水素化ゲルマニウム
等のガス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該
ガス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他にＨＦ。

Ｈｅ見、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉ　Ｈ
，Ｆ２、Ｓ　ｉ　Ｈ，Ｉ、、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｃｌ、、Ｓ　
ｉ　ＨＣｕ３、Ｓ　ｉ　Ｈ，Ｂ　ｒ、、５ｉＨＢｒ、等
ノハロゲン置換水素化硅素、及びＧ　ｅ　ＨＦ、、　Ｇ
　ｅ　Ｈ，Ｆ２、ＧｅＨ，Ｆ、Ｇ　ｅ　ＨＣｌ、、Ｇ　
ｅＨＣ文、Ｇ　ｅ　Ｈ，Ｃｌ、Ｇ　ｅ　ＨＢ　ｒ、、Ｇ
　ｅ　Ｈ，Ｂ　ｒ、、Ｇ　ｅ　Ｈ，Ｂ　ｒ、Ｇ　ｅ　Ｈ
Ｉ、、Ｇ　ｅ　Ｈ，Ｉ２、Ｇ　ｅ　Ｈ，Ｉ等の水素化ハ
ロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、ＧｅＦｌ、ＧｅＣ交４、ＧｅＢｒ、
Ｇｅ１．　ＧｅＦ、ＧｅＣ１、Ｇ　ｅ　Ｂ　ｒ、、Ｇ　
ｅ　Ｉ、等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第一の層領域（Ｇ）
１０５形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
一の層領域（Ｇ）１０５形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて
有効な水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の層領域（Ｇ）１０５中に構造的に導入
するには、上記の他にＨ２、或１．％はＳ　ｉ　Ｈ４、
ＳｉユＨ１、Ｓ　ｉ、Ｈ，、Ｓ　ｉ、Ｈ，μの水素化硅
素をゲルマニウム原子を供給する為のゲルマニウム又は
ゲルマニウム化合物と、或いは、Ｇ　ｅ　Ｈ，、Ｇ　ｅ
、Ｈ，、Ｇ　ｅ、Ｈ，、Ｇ　ｅ４Ｈ，、、Ｇｅ、Ｈ，、
、Ｇ　ｅ（Ｈ，４゜Ｇ　ｅ、Ｈ，、、Ｇ　ｅ、Ｈ，、、
Ｇ　ｅ、Ｈユ等の水素化ゲルマニウムとシリコン原子を
供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室
中に共存させて放電を生起させる事でも行う車が出来る
。

本発明の好ましい例において、形成される第一）層領域
（Ｇ）１０５中に含有される水素原子の量、又はハロゲ
ン原子の量、又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は、好ましくは、０．０１〜４０原子％、より好
適には０．０５〜３０原子％、最適には０．１〜２５原
子％とされるのが望ましい。

第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有される水素原子又は
／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体
温度又は／及び水素原子、或いはハロゲン原子を含有さ
せる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）１０６は、前記した第１の層領域（Ｇ）
１０５形成用の出発物質（Ｉ）の中より、ゲルマニウム
原子供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層領域（Ｓ）１０６形成用の出発物質（ＩＩ）
）を使用して、第１の層領域（Ｇ）１０５を形成する場
合と、同様の方法と条件に従って形成する事が出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（５，）１０５は例えばグロー放電法、
スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって形成される。例
えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域（ｓ）ｉｏｅを形成するには、基
本的には前記したシリコン原子を供給し得るシリコン原
子供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子導入
用の又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、内部
を減圧し得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には
、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスを
ベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコン原子で構成
されたターゲットをスパッタリングする際、水素原子又
は／及びハロゲン原子導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される第２の層領域（Ｓ）１０６
中に含有される水素原子の量、又はハロゲン原子の量、
又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好
ましくは１〜４０原子％、より好適には５〜３０原子％
、最適には５〜２５原子％とされるのが望ましい。

本発明において、第一の層（Ｉ）１０２に炭素原子の含
有された層領域（Ｃ）を設けるには、第一の層１０２の
形成の際に炭素原子導入用の出発物質を前記した第一の
層（Ｉ）１０２形成用の出発物質と共に使用して、形成
される層中にその量を制御しながら含有してやれば良い
。

層領域（Ｃ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の層（Ｉ）１０２形成用の出発物質
の中から所望に従って選択されたものに炭素原子導入用
の出発物質が加えられる。そのような炭素原子導入用の
出発物質としては、少なくとも炭素原子を構成原子とす
るガス状の物質またはガス化し得る物質をガス化したも
のの中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原
子またはおよびハロゲン原子を構成原子とする原料ガス
とを所望の混合比で混合して使用するか、または、シリ
コン原子を構成原子とする原料ガスと、炭素原子および
水素原子を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所
望の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子、炭素原子および
水素原子の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して
使用することができる。

また、別には、シリコン原子と水素原子とを構成原子と
する原料ガスに、炭素原子を構成原子とする原料ガスを
混合して使用しても良い。

炭素原子導入用の原料ガスとして有効なものとしては、
炭素原子と水素原子とを構成原子とする、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭素
数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ，Ｈ，）　、プロパン（Ｃ，Ｈ，）、ｎ−
ブタン（ｎ　Ｃ４Ｈ１ｏ）　＋ペンタン（Ｃ，Ｈ，ｐ、
エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）　
、プロピレン（Ｃ，Ｈ，）　、　ｊ　７　ｙ　−Ｈ（ｃ
＜Ｈｒ）　、ブ７　ｙ　−２（Ｃ４Ｈ，）　イ’）ブチ
レン（Ｃ＋Ｈｔ）　、ペンテン（ｃ、Ｈ，６１）＋　ア
セチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ，ＨＪ）
　、メチルアセチレン（Ｃ，Ｈイ）、ブチン（Ｃ４Ｈ，
）等が挙げられる。

これ等の他にシリコン原子と炭素原子と水素原子とを構
成原子とする原料ガスとして、５ｔ（ＣＨ，入、　Ｓ　
ｉ　（Ｃ２Ｈ，入等のケイ化アルキルを挙げることがで
きる。

本発明においては、層領域（Ｃ）中には炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、炭素原子に加えて、更
に酸素原子または／ｉよび窒素原子を含有することがで
きる。

酸素原子を層領域（Ｃ）に導入するための酸素原子導入
用の原料ガスとしては、例えば素（Ｎ工０３）、四二酸
化窒素（Ｎ、Ｏ，）　、π：酸化窒素（Ｎ、Ｏ，）　、
　三酸化窒素（Ｎｏ、）　、　シ！Ｊ　：Ｉ７原子と酸
素原子と水素原子とを構成原子とする、例えば、ジシロ
キサン（ＨａＳ　ｉ　ＯＳ　ｉ　Ｈ，）、トリシロキサ
ン（ＨｌＳ　ｉ　ＯＳ　ｉ　Ｈ，ＯＳ　ｉ　Ｈ３）等の
低級シロキサン等を挙げることができる。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子導入用
の原料ガスに成り得るものとして有効に使用される出発
物質は、窒素原子を構成原子とするあるいは窒素原子と
水素原子とを構成原子とする例えば窒素（Ｎλ）、アン
モニア（ＮＦ２）、ヒドラジン（Ｈ，Ｎ　Ｎ　Ｈよ）、
アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニウム（ＮＨヤＮ
Ω等のガス状のまたはガス化し得る窒素、窒化物および
アジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他
に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行
えるという点から、三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四弗化窒素
（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが
できる。

スパッタリング法によって、炭素原子を含有する第一の
層（Ｉ）１０２を形成するには、単結晶または多結晶の
シリコンウェハーまたはグラファイトウェハー、または
シリコン原子と炭素原子が混合されて含有されているウ
ェハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパッタリングすることによって行えば良い。

例えば、シリコンウェーハーをターゲットとして使用す
れば、炭素原子と必要に応じて水素原子または／および
ハロゲン原子を導入するための原料ガスを、必要に応じ
て稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これ等のカスのカスプラズマを形成して前記シリコ
ンウェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別には、シリコン原子と炭素原子とは別々のター
ゲットとして、またはシリコン原子と炭素原子の混合し
た一枚のターゲ・ントを使用することによって、スパッ
ター用のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少な
くとも水素原子または／およびハロゲン原子を構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって成される。炭素原子導入用の原料ガスとしては
、先述したグロー放電の例で示した原料ガスの中の炭素
原子導入用の原料ガスがスパッタリングの場合にも有効
なガスとして使用され得る。

本発明において、第一の層（Ｉ）１０２の形成の際に、
炭素原子の含有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層
領域（Ｃ）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を
層厚方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｃ）を形成
するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｃ）を
変化させるべき炭素原子導入用の出発物質のガスを、そ
のガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させな
がら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる伺らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を漸時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線を得ることもできる。

層領域（Ｃ）をスパッタリング法によって形成する場合
、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向で
変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には
、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導入用の
出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入
する際のガス流量を所望に従って適宜変化させることに
よって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばシ
リコン原子と炭素原子との混合されたターゲットを使用
するのであれば、シリコン原子と炭素原子との混合比を
、ターゲットの　一層厚方向において、予め変化させて
おくことによって成される。

第一の層（Ｉ）１０２中に、伝導特性を支配する物質、
例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に導入す
るには、層形成の際に、第■族原子４入用の出発物質或
いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、第二の領域（Ｓ）１０６を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第■族原子導入
用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。その様な第■族原子
導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用とし
てはＢ、Ｈ□、Ｂ４Ｈ，、、Ｂ　、Ｈ，、ＢよＨｌｌ、
ｎ、ｎ、、、　ｎ、ｎ、２、Ｂ。

Ｂ１４等の水素化硼素、ＢＦＪ、　ＢＣＩ、、ＢＢｒｊ
等（７）　／＼０ゲン化硼素等が挙げられる。この他、
Ａ　ｉ　Ｃｌ、、ｃｅｃ文２、Ｇｅ　（ＣＨ，）　、　
Ｉ　ｎｃｕ、、Ｔ文ｃ　ｉ、、等も挙げることが出来る
。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、
ＰよＨ４、等の水素化燐、ＰＨやＩ、ＰＦｊ、　ＰＦｊ
、　ＰＣＩ、、Ｐ　Ｃ１，、ＰＢｒ、、ＰＢｒ、、Ｐ　
Ｉ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ　ｓ　
Ｂ３、Ａ　ｓ　Ｆ、、Ａ　ｓ　Ｃ５１，、ＡｓＢｒ、、
ＡｓＦ、、Ｓ　ｂＨＪ、Ｓ　ｂＦＪ、Ｓ　ｂＦ、、Ｓｂ
Ｃ！１３、ｓｂｃ魁、ＢｉＨＪ、Ｂ１Ｃｕ、、Ｂ　ｉ　
Ｂ　ｒ、、等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２を構成し、伝導
特性を支配する物質を含有銅して支持体１０１側に偏在
して設けられる層領域（ＰＮ）の層厚としては、該層領
域（Ｐ　Ｎ）と該層領域（ＰＮ）上に形成される第一の
層（Ｉ）１０２を構成する他の層領域とに要求される特
性に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、
その下限としては、好ましくは３０λ以上、より好適に
は４０λ以上、最適には５０λ以上とされるのが望まし
い。また、前記層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特性
を支配する物質の含有量が３０原子ｐｐｍ以上とされる
場合第１図に示される光導電部材１００においては、第
一の層（Ｉ）１０２上に形成される第二の層（ＩＬ）１
０３は自由表面１０７を有し、主に耐湿性、連続繰返し
使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性におい
て本発明の目的を達成する為に設けられる。

また、本発明においては、第一の層（Ｉ）の１０２と第
二の層（Ｉｎ）　１０３とを構成する非晶質材料の各々
がシリコン原子という共通の構成要素を有している＋７
）−ｔ’、両層（Ｉ）１０２および（ｎ）　１０３　ノ
積層界面において化学的な安定性の確保が充分酸されて
いる。

本発明における第二の層（且）１０３は、シリコン原子
と窒素原子と、必要に応じて水素原子または／およびハ
ロゲン原子とを含む非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（ｓ；
ｘＮ＋−）ｙ（Ｈ，ｘ）＋、」と記す。但し、ｏ　＜ｘ
　、　ｙ＜１）で構成される。

ａ−（ｓｉｘＮＩ−ｙ）、　（ＨＩＸ）、、で構成され
る第二の層（ＩＬ）１０３の形成は、グロー放電法、ス
パッタリング法、エレクトロンビーム法等によって成さ
れる。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造するための作成条件の制
御が比較的容易であり、かつシリコン原子と共に窒素原
子およびハロゲン原子を１作製する第二の層（Ｌ）１０
３中に導入するのが容易に行える等の利点を有するグロ
ー放電法あるいはスパッタリング法が好適に採用される
。

更に、本発明においては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の層（］Ｉ）　１
０３を形成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（２）１０３を形成する
には、ａ−（Ｓ＋ｘＮ＋−ｙ）７　（ＨＩＸ）ｌ−７形
成用の原料ガスを必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体１０１の設置しである真空堆積室
に導入し、この導入されたガスを、グロー放電を生起さ
せることによってガスプラズマ化して、前記支持体１０
１上に既に形成されである第一の層（Ｉ）１０２上に、
ａ−（ＳｉｙＮ＋−ｙ）ｙ　（ＨＩＸ）ｌ−１を堆積さ
せればよい。

本発明において、　ａ−（Ｓ　ｉｗ　ＩＬ−ｙ）ｙ　（
Ｈ＋ｘ）＋−７形成用の原料ガスとしては、シリコン原
子、窒素原子、水素原子、ハロゲン原子の中の少なくと
も一つを構成原子とするガス状の物質またはガス化し得
る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。

シリコン原子、窒素原子、水素原子、ハロゲン原子の中
の一つとしてシリコン原子を構成原子とする原料ガスを
使用する場合は、例えばシリコン原子を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子を構成原子とする原料ガスまたは／
およびハロゲン原子を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、またはシリコン原子を
構成原子とする原料ガスと、窒素原子および水素原子を
構成原子とする原料ガスまたは／および窒素原子および
ハロゲン原子を構成原子とする原料ガスとを、これもま
た、所望の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子、窒素原子
および水素原子の３つを構成原子とする原料ガスまたは
、シリコン原子、窒素原子およびハロゲン原子の３つを
構成原子とする原料ガスとを混合して使用することがで
きる。

また、別には、シリコン原子と水素原子とを構成原子と
する原料ガスに窒素原子を構成原子とする原料ガスを混
合して使用しても良いし、シリコン原子とハロゲン原子
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明において第二の層（１）　１０３中に含有される
ハロゲン原子として好適なのはフッ素、塩素。

臭素、ヨウ素であり、殊にフ・ン素、塩素が望ましいも
のである。

本発明において、第二の層（且）１０３を形成するのに
有効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常
温常圧においてガス状態のものまたは容易にガス化し得
る物質を挙げることができる。

第二の層（ｕ）　１０３を上記の非晶質材料で構成する
場合の層形成法としては、グロー放電法、スパッタリン
グ法、イオンインプランテーション法、イオンプレーテ
ィンク法、エレクトロンヒーム法等が挙げられる。これ
等の製造法は、製造条件、設＠資本投下の負荷程度、製
造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の要
因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特性
を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比
較的容易であり、かつシリコン原子と共に窒素原子、必
要に応じて水素原子やハロゲン原子を作製する第二の層
（ｎ）　１０３中に導入するのが容易に行える等の利点
を有するグロー放電法あるいはスパッタリング法が好適
に採用される。

更に、本発明においては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の層（１）　１０
３を形成しても良い。

グロー放電法によって、ａ−９ｉＮ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される第二の層（Ｉｔ）　１０３を形成するには、基本
的にはシリコン原子を供給し得るシリコン原子供給用の
原料ガスと窒素原子導入用の原料ガスと、必要に応じて
水素原子導入用のまたは／およびハロゲン原子導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の第一の層（Ｉ）１０２上にａ−３ｉ
Ｎ　（）ｌ、Ｘ）からなる第二の層（１１０３を形成さ
せれば良い。

また、スパッタリング法で第二の層＜１）　１０３を形
成する場合には、例えば次のようになされる。

第一には、例えばＡｔ、Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコン
原子で構成されたターゲットをスパッタリングする際、
窒素原子導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子導
入用のまたは／および／＼ロゲン原子導入用の原料ガス
と共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導入してや
れば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳｉ＾
で構成されたターゲットか、あるいはシリコン原子で構
成されたターゲ−／　トとＳｉ、Ｎ、で構成されたター
ゲットの二枚か、またははシリコン原子とＳｉ古とで構
成されたターゲットを使用することで形成される第二の
層（厘）１０３中へ窒素原子を導入することができる。

この際、前記の窒素原子導入用の原料ガスを併せて使用
すれば、その流量を制御することで第二の層（１１）　
１０３中に導入される窒素原子の量を任意に制御するこ
とが容易である。

第二の層（ＩＩ）　１０３中へ導入される窒素原子の含
有量は、窒素原子導入用の原料ガスが堆積室中へ導入さ
れる際の流量を制御するか、または窒素原子導入用のタ
ーゲット中に含有される窒素原子の割合を、該ターゲッ
トを作成する際に調整するか、あるいは、この両者を行
うことによって、所望に従って任意に制御することがで
きる。

本発明において使用されるシリコン原子供給用の原料ガ
スとなる出発物質としては、５ＩＨ４１Ｓｉ、Ｈ，、Ｓ
ｉ、Ｈ，、Ｓｔ、Ｈ，、等のガス状態のまたはガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、シリコン原子供
給効率の良さ等の点で５ｉｎ４．５ｉ２Ｈｔが好ましい
ものとして挙げられる。これ等の出発物質を使用すれば
、層作成条件を適切に選択することによって形成される
第二の層（ｕ）　１０３中にシリコン原子と共に水素原
子も導入し得る。゛シリコン原子供給用の原料ガスとな
る有効な出発物質としては、上記の水素化硅素の他に、
ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体、具体的には例えば５ｉＦｌ、
Ｓｉ人、　５ｉＣＵ４．ＳｉＢｒ４等ノハロゲン化硅素
が好ましいものとして挙げることができる。

更には、ＳｉＨ，Ｆ２，５ｉＨ２１，、ＳｉＨ，Ｃ見、
　、５ｉＨＣ見、。

ＳｉＨ，Ｂｒ２．５ｉＨＢｔ、等（７）ハロゲン置換水
素化硅素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る、水
素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な第
二の層（１１）　１０３の形成の為のシリコン原子供給
用の出発物質として挙げる事ができる。

これ等のハロゲン原子を含む硅素化合物を使用する場合
にも、前述したように層形成条件の適切な選択によって
、形成される第二の層（ｕ）　１０３中にシリコン原子
と共に、ハロゲン原子を導入することができる。

上記した出発物質の中で水素原子を含む／＼ロゲン化硅
素化合物は、第二の層（Ｘ）　１０３の形成の際に、層
中にハロゲン原子の導入と同時に電気的あるいは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、
本発明においては好適なハロゲン原子導入用の出発物質
として使用される。

本発明において第二の層（ＪＩ）　１０３を形成する際
に使用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとなる有効
な出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　
Ｃ１Ｆ　、ＣＪＩ　Ｆ、　、ＢｒＦ、、　ＢｒＦｊ。

ＩＦ、、　ＩＦ７．１０文、ＩＢｒ等＋７）／”ロゲン
間化合物、ＨＦ。

ＨＣＩ　、　ＨＢｒ　、ＨＩ等のハロゲン化水素を挙げ
ることができる。

第二の層（ｉ）　１０３を形成する際に使用される窒素
原子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使用
される出発物質は、窒素原子を構成原子とするかあるい
は窒素原子と水素原子とを構成原子とする例えば窒素（
す、アンモニア（ＮＨ，）　、　ヒドラジン（）１２Ｎ
ＮＨ２）　、アジ化水素（ｕＮＪ　、アジ化アンモニウ
ム（ＮＨ，Ｎ、）等のガス状のまたはガス化し得る窒素
、窒化物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げることが
できる。この他に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン
原子の導入も行えるという点から、出発物質としては、
三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）　。

四弗化窒素（Ｆ　４Ｎ　２）等のハロゲン化窒素化合物
を挙げることができる。

本発明において、第二の層（Ｉ）　１０３をグロー放電
法またはスパッタリング法で形成する際に使用される稀
釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えばＨｅ　、Ｎｅ　
、Ａｒ等が好適なものとして挙げることができる。

本発明における第二の層（１）１０３は、その要求され
る特性が所望通りに与えられるように注意深く形成され
る。

すなわち、シリコン原子、窒素原子、必要番と応じて水
素原子または／およびハロゲン原子を構成原子とする物
質は、その作成条件によって構造的には結晶からアモル
ファスまでの形態を取り、電気物性的には、導電性から
半導体性、さらにｔ±、絶縁性までの間の性質を示し、
また、光導電的性質から非光導電的性質を示す。そこで
、本発明においては、目的に応じた所望の特性を有する
ａ−（ＳｉｘＮ、−杓（Ｉ（、Ｘ）、□が形成されるよ
うに、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る。

例えば、第二の層（ｚ）　１０３を電気的耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（ＳｉイＮ１−夷（
Ｈ，Ｘ）ｌ−７は使用環境において電気絶縁性的挙動の
顕著な非晶質材料として作成される。

また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第二の層（且）１０３が設けられる場合に
は、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射
される光に対しである程度の感度を有する非晶質材料と
してａ−（ＳｉＸＮｌ−ｒ）ｙ（ＨＩＸ）ｌつが作成さ
れる。

第一の層（１）１０２（７）表面に、ａ−（ＳｌｙＮｌ
−Ｊｙ　（ｏ、ｘ）１−７から成る第二の層（Ｉ）　１
０３を形成する際における、層形成中の支持体温度は、
形成される層の構造および特性を左右する重要な因子で
ある。本発明においては、目的とする特性を有するａ−
（Ｓ＋　ｘＮｌ−ｙ）７　（Ｈ２Ｘ）１−ｙが所望通り
に作成され得るように層作成時の支持体温度が厳密に制
御されるのが望ましい。本発明における、所望の目的が
効果的に達成されるための第二の層（ｇ　ｔｏ３の形成
法に併せて適宜最適範囲の支持体温度が選択されて、第
二の層（ＩＬ）　１０３の形成が実行されるが、層作成
時の支持体温度は好ましくは、２０〜４００℃、より好
適には５０〜３５０℃、最適には１００〜３００℃とさ
れるのが望ましいものである。

第二の層（ｘ）　ｔｏ３の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比べて
比較的容易である事等のために、グロー放電法やスパッ
タリング法の採用が看利であるが、これ等の層形成法で
第二の層（１）１０３を形成する場合には、前記の支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワーが、作成される
ａ−（ＳｉｙＮＩ−ｘ）７　（ｏ、ｘ）、、ノ特性を左
右する重要な因子の一つである。

本発明における目的が達成されるための特性を有するａ
−（ＳｉｘＮ１−ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）１−７が生産性良
く効果曲に作成されるための放電パワー条件としては、
好ましくはｉ、ｏ〜３００Ｗ　、より好適には２．０〜
２５０Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとされるのが望ま
しいものである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜ｌ　Ｔｏｒｒ
、より好適には、０．１〜Ｑ、５　Ｔａｒｔ程度とされ
るのが望ましい。

本発明において、第二の層（１）　１０３を作成するた
めの支持体温度および放電パワーの望ましい数値範囲と
しては前記した範囲の値が挙げられる。

しかし、これ等の層作成ファクターは、独立的に別々に
決められるものではなく、所望特性のａ−（Ｓ＋Ｊｌ−
ｙ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）１−１から成る第二の層（ＩＩ）　
１０３が形成されるように相互的有機的関連性に基づい
て最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材における第二の層１０３に含有され
る窒素原子の量は、第二の層１０３の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の層
（、Ｉ［）　１０３が形成される重要な因子である、そ
こで、この第二の層（ＩＩ）　１０３に含有される窒素
原子の量は、第二の層（几）１０３を構成する非晶質材
料の種類およびその特性に応じて適宜所望に応じて決め
られるものである。

すなわち、前記一般式ａ−（ＳｉｙＮ、ｘ）ｙ　（Ｈ、
ｘ）１−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリ
コン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（以後、
ｒａ−３ｉ、Ｎ、−一と記す、但し、０　＜ａ＜１　）
４　シリコン原子と窒素原子と水素原子とで構成される
非晶質材料（以後、ｒａ−（Ｓｉｂｌｌ−−ｅ　’ＩＪ
と記す。但し、Ｑ　＜ｂ　、　Ｃ＜１　）　、シリコン
原子と窒素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とで構成さレル非晶質材料（以後、”−（Ｓ’ｂ’＋−
ｊ）ｅ（Ｈ９Ｘ）＋−ｅＪト記ス。但しＯ＜ｄ　、　ｅ
　＜１　）にそれぞれ分類される。

本発明において、第二の層（］［）　１０３がａ　−Ｓ
　Ｉａｍ、−ａで構成される場合、第二の層（且）１０
３に含有される窒素原子の量は、好ましくは１×１０〜
６０原子％、より好適には１〜５０原子％、最適にはｌ
Ｏ〜４５原子％とされるのが望ましいものである。すな
わち、先のａ　−Ｓ　ｉ　ｊＣａの表示で行えば、ａが
好ましくは０゜４〜ｏ、ａ９９ｆ３９　、より好適には
０．５〜で構成される場合、第二の層（１）　１０３に
含有される窒素原子の量は、好ましくは１×ｌθ〜５５
原子％とされ、より好ましくは１〜５５原子％、最適に
は１０〜５！５原子％とされるのが望ましいものである
。。

さらに、水素原子の含有量としては、好ましくは１〜４
０原子％、より好ましくは２〜３５原子％、最適には５
〜３０原子％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水
素原子含有量がある場合に形成される光導電部材は、実
際面におい■優れたものとして充分適用され得る。

すなわち、先のａ−（Ｓｊｂ”ｌ−レ）ｃ　Ｈ＋−ｄ７
）　ｂおよびＣ表示で行えば、ｂが望ましくは０．４５
〜０．９９１１１１１１　、より好適には０．４５〜０
．８９、最適には０．４５〜０．８であり、Ｃが好まし
くは０．８〜０．８８、より好適には０．６５〜０．８
８、最適には０．７〜０．８５であるのが望ましい。

第二の層（ＩＬ）　１０３がａ−（Ｓｉａ？Ｌ−Ｊｙ（
Ｈ＋Ｘ）＋−ｅで構成される場合には、第二の層（１）
　１０３中に含有される窒素原子の含有量としては、好
ましくは、１ｘ１０〜θＯ原子％、より好適には１〜ｂ
Ｏ原子％、最適には１０〜５５原子％とされるのが望ま
しいものである。さらに、ハロゲン原子の含有量として
は、好ましくは１〜２０原子％、より好適には１〜１８
原子％、最適には２〜１５原子％とされるのが望ましく
、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成
される光導電部材は、実際面において充分適用され得る
ものである。さらにまた、必要に応じて含有される水素
原子の含有量としては、好ましくは１９原子％以下、よ
り好適には１３原子％以下とされるのが望ましいもので
ある。

すなわち、先のａ−（ＳｉａＮ＋−ｊ）ｅ（Ｈ９Ｘ）＋
−ｅのｄおよびｅの表示で行えばｄが好ましくは０．４
〜Ｑ、９９９９９　。

より好適には０．４〜０．９８、最適には０．４５〜０
．８であり、ｅが好ましくは０．ａ〜０．９９９９９　
、より好適には０．８２５〜０．９９、最適には０．８
１〜０．８８であることが望ましい。

本発明における第二の層（且）１０３の層厚の範囲は、
本発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一
つである。この層厚は、本発明の目的を効果的に達成す
るように所期の目的に応じて適宜所望に従って決められ
る。さらに、この層厚は、該層（ＩＩ）ｌｏｓ中に含有
される窒素原子の量や第一の層（Ｉ）１０２の層厚との
関係においても、各々の層領域に要求される特性に応じ
た有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、この層厚は生産性や量産性
を加味した経済性の点においても考慮されるのが望まし
い。

本発明における第二の層（ＩＬ）　１０３の層厚として
は、好ましくは０．００３〜３０ｇ、より好適には０．
００４〜２０ＩＬ、最適には０．００５〜ｌＯ終とされ
るのが望ましい。

本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。

導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス
、Ａｌｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、■、Ｔｉ、
ＰＬ、Ｐｄ等の金属又はコレ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、。

ガラス、セラミックス、紙等が通常使用される。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の層
が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ１．Ａ
Ｊｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、■、Ｔｉ
、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉ　ｎ２０．、ＳｎＯ２、Ｉ　Ｔ　Ｏ（
Ｉ　ｎ、Ｏ，＋　Ｓ　ｎ　Ｏ，）等から成る薄膜を設け
ることによって導電性が付与され、或いはポリエステル
フィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａ
Ｍ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設
け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して、そ
の表面に導電性が付与される。

支持体１０１の形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等任意の形状として得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写
真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体１０１の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら
、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、支持体１０１の厚さは、好ましくは、１
０ル以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１６図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中、１１０２〜１１０６で示すガスボンベには、本発
明の光導電部材を形成するための原料ガスが密封されて
おり、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈
されたＳｉＨ４ガス”（純度９９．９９９％、以下Ｓ　
ｉ　Ｈ４／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで
稀釈されたＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ
　ｅ　Ｈ４／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０４はＣ７
Ｈ４稀釈ガス（純度９９．９９％）ボンベ、１１０５は
Ｈｅガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ
２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室ｔｔｏｔに流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０Ｔｏｒｒになった
時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バルブ１１
７１〜１１２１を閉じる。

次に支持体としてのシリンダー状基体 １１３７上に光受容層を形成する場合の１例をあげると
、ガスボンベ１１０２からのＳ　ｉ　Ｈ＋／Ｈｅガス、
ガスボンベ１１０３から（７）　Ｇ　ｅ　Ｈ４／Ｈｅガ
ス、ガスボンベ１１０４からのＣ２Ｈ４ガスを、バルブ
１１２２，１１２３．１１２４を開いて出口圧ゲージ１
１２７，１１２８゜１１２９の圧力を１ｋｇ／ｃｒｎ’
に調整し、流入バルブ１１１２，１１１３．１１１４を
徐々に開けることによって、マスフロコントローラ１１
０７１１０８．１１１０内に夫々流入させる。引き続い
て流出バルブ１１１７，１１１８゜１１１９、補助バル
ブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１
内に流入させる。

このとき（７）　Ｓ　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガス流量とＧ　
ｅ　Ｈ４／　Ｈｅガス流量とＣ２Ｈ，ガス流量との比が
所望の値になるように流出バルブ１１１７，１１１８゜
１１１９を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望
の値になるように真空計１１３６（７）読みを見ながら
メインバルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１
１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４０
０℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後、
電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内
にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された
変化率曲線に従ってＧ　ｅ　Ｈヰ／Ｈｅガスおよび手動
あるいは外部駆動モータ等の方法を適用してバルブ１１
１８〜１１２０の開口を適宜変化させる操作を行ってＣ
ｚＨ，＋ガスの流量を調整し、もって形成される層中に
含有されるゲルマニウム原子および炭素原子の分布濃度
Ｃ（Ｃ）を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）１０５を
形成する。所望層厚に第一の層領域（Ｇ）１０５が形成
された段階に於いて、流出バルブ１１１６を完全に閉じ
ると、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様
な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持するこ
とで第一の層領域（Ｇ）１０５上にゲルマニウム原子の
実質的に含有されない第二の層領域（Ｓ）１０６を形成
することが出来る。

第一の層領域（Ｇ）１０５および第二の層領域（Ｓ）１
０６中に、伝導性を支配する物質（Ｄ）を含有させるに
は、第一の層領域（Ｇ）１０５および第二の層領域（Ｓ
）１０６の形成の際に例えばＢ、Ｈ６，Ｐ　ＨＪ等のガ
スを堆積室１１０１中に導入するガスに加えてやれば良
い。

かくして、基体１１３７上に第一の層（Ｉ）１０２が形
成される。

」二記の様にして所望層厚に形成された第一の層（Ｉ）
１０２上に第二の層（ＩＩ）１０３を形成するには、第
一の層１０２（Ｉ）の形成の際と同様なバルブ操作によ
って、例えばＳ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｎ　Ｈ，ガスの夫々を
必要に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して反応室１１０
１内に供給し。

所望の条件に従って、グロー放電を生起させればよい。

第二の層（ＩＩ）１０３中にハロゲン原子を含有させる
には、例えばＳ　ｉ　Ｆ、ガスとＮＨ，ガス、或いはこ
れにＳ　ｉ　Ｈ，ガスを加えて上記と同様にして第二の
層（ＩＩ）１０３を形成すればよい。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バル
ブ１１３２．１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

！ 第二の層（ＩＩ）１０３中に含有されるｌ素原子の量−
は例えば、グロー放電による場合はＳ　ｉ　Ｈ４ガスお
よびＮ　Ｈ，ガスの反応室１１０１内に導入される流量
比を所望に従って変えるか、或いは、スパッタリングで
層形成する場合には、ターゲットを形成する際シリコン
ウェハと！イとシリコンウェハのスパッタ面積比率を変
えるか、又はシリコン粉末とｒイ色シリ・コン粉末の混
合比率を変えてターゲットを成型することによって所望
に応じて制御することが出来る。第二の層（ＩＩ）１０
３中に含有されるハロゲン原子の量は、ハロゲン原子導
入用の原料ガス、例えばＳ　ｉ　Ｆ４ガスが反応室１１
０１内に導入される際の流量を調整することによて成さ
れる。

又、′層形成を行っている間は層形成の均一化を計るた
め基体１１３７はモーター１３９により一定速度で回転
させてやるのが望ましし１゜以下実施例について説明す
る。

実施例１ 第１６図に示した製造装置により、支持体としてのシリ
ンダー状のＡｎ基体上に第１表に示す条件で電子写真用
像形成部材としての試料（試料Ｎｏ１ｌ−１−１７−６
）を夫々作成した（第２表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
７図に、又、炭素原子の含有方墳ｊ濃度は第１８図に示
される。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置し
■５　、ＯＫＶで０．３秒（ｓｅｃ）間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。

光像はタングステンランプ光源を用１．Ｘ、２　文ｕ、
ｘ・ｓｅｃの光量を透過型のテストチャートを通して照
射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）によって試料（像形成部材）表面をカスケード
することによって一当該試料（像形成部材）表面上に良
好なトナー画像を得た。試料上のトナー画像を、■５　
、　ＯＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、いず
れの試料に於いても解像力に優れ、階調再現性のよい鮮
明な高濃度の画像が得られた。

上記に於いて、光源としてタングステンランプの代りに
８１０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、同様のトナー画像
形成条件にして、各試料に就いてトナー転写画像の画質
評価を行ったところ、いずれの試料の場合も、解像力に
優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた
。

実施例２ 第１６図に示した製造装置によりシリンダー状のＡ文基
体上に第３表比示す条件で電子写真用像形成部材として
の試料（試料ｓ、　２１−１〜２７−８）をそれぞれ作
成した（第４表）。

各試料におけるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
７図に、また、戻素原子の含有分布濃度は第１８図に示
される。

これ等の試料のそれぞれに就て、実施例１と同様の画像
評価テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のト
ナー転写画像を与えた。また、各試料に就て３８℃、８
０％ＲＨの環境において２０万回の繰り返し使用テスト
を行ったところ、いずれの試料も画像品質の低下は見ら
れなかった。

実施例３ 第１６図に示した製造装置によりシリンダー状のＡＭ基
体上に第５表に示す条件で電子写真用像形成部材として
の試料（試料Ｎｏ、　３１−１〜３７−８）をそれぞれ
作成した（第６表）。

各試料における、ゲルマニウム原子の含有分布濃度は第
１７図に、また、戻素原子の含有分布濃度は第１８図に
示される。

これ等の試料のそれぞれに就て、実施例１と同様の画像
評価テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のト
ナー転写画像を与えた。また、各試料に就て３８℃、８
０％ＲＨの環境において２０万回の繰り返し使用テスト
を行ったところ、いずれの試料も画像品質の低下は見ら
れなかった。

実施例４ 第１６図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｉ
基体上に第７表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料Ｎｏ、　４ｌ−１−４７−８）をそれぞ
れ作成した（第８表）。

各試料における、ゲルマニウム原子の含有分冷戻 濃度は第１７図に、また、冑素原子の含有分布濃度は第
１８図に示される。

これ等の試料のそれぞれに就で、実施例１と同様の画像
評価テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のト
ナー転写画像を与えた。また、各試料に就て３８℃、８
０％ＲＨの環境において２０万回の繰り返し使用テスト
を行ったところ、いずれの試料も画像品質の低下は見ら
れなかった。

実施例５ 層（ＩＩ）１０３の作成条件を第８表に示す各条件にし
た以外は実施例１の試料崩、１１−１．１２−１．１３
−１と同様の条件と手順に従って電子写真用像形成部材
のそれぞれ（試料勤、１１−１−１〜１１−１−８．１
２−１−１〜１２−１−８．１３−１−１−１３−１−
８の２４個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材のそれぞれを
個別に複写装置に設置し、各実施例に記載したのと同様
の条件によって、各実施例に対応した電子写真用像形成
部材のそれぞれについて、転写画像の総合画質評価と繰
り返し連続使用による耐久性の評価を行った。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰り返し連続使用
にとる耐久性の評価の結果を第１０表に示す。

実施例８ 層（ＩＩ）１０３の形成時、シリコンウェハおよび窒化
シリコンウェハのターゲツト面積比を変えて、層（ＩＩ
）１０３におけるシリコン原子と窒素原子の含有量比を
変化させる以外は実施例１の試料勤。

１１−１と全く同様な方法によって像形成部材のそれぞ
れを作成した。こうして得られた像形成部材のそれぞれ
につき、実施例１に述べた如き１作像。

現像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後、画
像評価を行ったところ、第１１表の如き結果を得た。

実施例７ 層（ＩＩ）１０３（７）形成時、Ｓ　ｔ　Ｈ４カＸ　ト
Ｎ　Ｈｓｉ　ス（’）流量比を変えて、層（ＩＩ）１０
３におけるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１の試料Ｎｏ、１２−１と全く同様
な方法によって像形成部材のそれぞれを作成した。

こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、
画像評価を行ったところ、第１２表の如き結果を得た。

実施例８ 層（ＩＩ）１０３の層の形成時、９４Ｈ，ガス、ＳｉＦ
４ガス、Ｎ　Ｈ，ガスの流量比を変えて、層（Ｉり１０
３におけるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１の試料Ｎｏ、１３−１と全く同様
な方法によって像形成部材のそれぞれを作成した。こう
して得られた各像形成部材につき実施例１に述べた如き
作像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した
後、画像評価を行ったところ第１３表の如き結果を得た
。

実施例８ 層（ＩＩ）１０３の層厚を変える以外は、実施例１の試
料Ｎｏ、１１−１　と全く同様な方法によって像形成部
材のそれぞれを作成した。実施例１に述べた如き、作像
、現像、クリーニングの工程を繰り返し第１４表の結果
を得た。

第１４表 以上の本発明の実施例に於ける層作成条件を以下に示す
。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・約２
００℃ ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層 ・・・約２５０℃ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導部材の層構成を説明する為の模
式的層構成図、第２図乃至第１０図は、夫々、第一の層
（Ｉ）中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の
説明図、第１１図は炭素原子が含有される層領域の構成
図、第１２図乃至第１５図は、夫々、第一の層（Ｉ）中
の炭素原子の分布状態を説明するための説明図、第１６
図は、本発明で使用された装置の模式的説明図、第１７
図、第１８図は夫々本発明の実施例における各原子の含
有分布濃度状態を示す分布状態図である。 １００・・・光導電部材 １０１・・・支持体 １０２・・・第一の層（Ｉ） １０３・・・第二の層（ｎ） １０４・・・光受容層 第１図 ＋０７　１００ −Ｃ 第８図 Ｃ −一一一一一−Ｃ 第１２図 第１３図 ＯＣ２３Ｃ２５Ｃ２４ Ｃ（Ｃ） 第１４図 第１５図 Ｃ（０）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体、ならびにゲルマニウム原
   子を含む非晶質材料で構成され、前記支持体上に設けら
   れた第一の層領域（Ｇ）と、シリコン原子を含む非晶質
   材料で構成され、前記第一の層領域（Ｇ）上に設けられ
   た光導電性を示す第二の層領域（Ｓ）とを有する第一の
   層および該第−の層上に設けられ、シリコン原子と窒素
   原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層から成る
   光受容層を有し、前記第一の層は、炭素原子を含有する
   と共にその層厚方向における炭素原子の分布濃度が夫々
   、Ｃ（１）、Ｃ（３）、Ｃ（２）なる第１の領域（１）
   、第３の領域（３）、第２の領域（２）を前記支持体側
   からこの順で有する事を特徴とする光導電部材（但し、
   Ｃ（３）　＞Ｃ（２）　、　Ｃ（１）で、且つＣ（１）
   、Ｃ（２）の少なくともいずれか一方は０でないか又は
   Ｃ（１）、Ｃ（２）は等しくはない）。
2. （２）第一の層領域（Ｇつ及び第二の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第一の層領域（Ｇ）及び第二の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有されている
   特許請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光導電部材
   。
4. （４）第一の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が、不均一である特許請求の範囲第１項に記
   載の光導電部材。
5. （５）第一の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が、均一である特許請求の範囲第１項に記載
   の光導電部材。
6. （６）第一の層領域（Ｇ）中に伝導性を支配する物質が
   含有されている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。
7. （７）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材。
8. （８）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材。