JPS60140254A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉ　ｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオ゛フィスで使用される電子写真装置内
に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の
使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電部材に
アモルファスシリコン（以１ｉ１２ａ　−８ｊと表記す
）があり、例えば、秒間公開第２７４６９６７号公報、
同第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材と
して、秒間公開第２９３３４１１号公報には光電変換読
取装置への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−Ｓｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性。

及び耐湿性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性
の点において、総合的な特性向上を図る必要があるとい
う更に改良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現像を発する様になる或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−３ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ポケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−３ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において。

支持体側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数用以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起こる等、経時的安定性の
点に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−３ｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−３ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを母体とし、水素原子又
はハロゲン原子のいずれか一方を少なくとも含有するア
モルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコンゲル
マニウム、ハロゲン化アモルファスシリコンゲルマニウ
ム、或いはハロゲン含有水素化アモルファスシリコンゲ
ルマニウム〔以後これ等の総称的表記としてｒ　ａ　−
５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光導
電性を示す光受容層を有する光導電部材の構成を以後に
説明される様な特定化の下に設計されて作成された光導
電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、
従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌
駕していること、殊に電子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していること及び長波長側に於ける
吸収スペクトル特性に優れていることを見出した点に本
発明は基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の他の目的は全可視光域に於いて光感度が高く、
殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答の
速い光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、支持体上に設けられる層と
支持体との間や積層される層の各層間に於ける密着性に
優れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い
光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、電子写真用の像形成部材と
して適用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に
適用され得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の
電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性
の低下が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有す
る光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、濃度が高く、ハーフトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明のさらに他の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性
及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体、ならび
にゲルマニウム原子を含む非晶質材料で構成され、支持
体上に設けられた第一の層望域（Ｇ）と、シリコン原子
を含む非晶質材料で構成され、第一の層領域（Ｇ）上に
設けられた光導電性を示す第二の層領域（Ｓ）とを有す
る第一の層および該第−の層上に設けられ、シリコン原
子と窒素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層
から成る光受容層を有し、第一の層は、炭素原子を含有
すると共に、その層厚方向における炭素原子の分布濃度
がそれぞれＣ（１）　、　Ｃ（３）およびＣ（２）なる
第１の領域、第３の領域および第２の領域を支持体側か
らこの順で有する事を特徴とする椿春壜遜琳（但し、分
布濃度Ｃ（３）は単独では最大になることはなく、且つ
分布濃度Ｃ（１）　、Ｃ（２）、（３）のいずれか１つ
が０になる場合は、他の２つは０ではなく且つ等しくは
ない）。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、本発明の光導電部材は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合には、画像形成への残留電位の影響
が全くなく、その電気的特性が安定しており高感度で高
ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰返し使用特
性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且
つ解像度の高い、高品質の画像を安定して繰返し得るこ
とができる。

又、本発明の光導電部材は、支持体上に形成される光受
容層が層自体強靭であって、且つ支持体との密着性に著
しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用する
ことができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

例崗■１ 以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就で詳細に
説明する。

ｗＩＪ１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材
の層構成を説明するための模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体ｌＯ１と、該支持体１０１上に設けられた第一
の層（Ｉ）１０２と、第一の層（Ｉ）１０２上に設けら
れた第二の層（ＩＩ）１０３とを有する。第一の層（Ｉ
）１０２と第２の層（ＩＩ）１０３とによって光受容層
１０４を構成する。

第一の層ＣＩ）１０２は、ゲルマニウム原子と、必要に
応じて、シリコン原子、水素原子、ハロゲン原子の中の
少なくとも１つとを含む非晶質材料（以後ｒａ−Ｇｅ　
（Ｓｉ、Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で構成され、支持体上に設
けられた第一の層領域（Ｇ）１０５と、シリコン原子と
、必要に応じて、水素原子およびハロゲン原子の少なく
とも１つを含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉ（Ｈ、Ｘ）
Ｊと記す）で構成され、第一の層領域（Ｇ）１０５上に
設けられた、光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）１０６
とを有する。

ゲルマニウム原子は、第一の層領域（Ｇ）１０５中に万
遍無く均一に分布する様に第一の層領域（Ｇ）１０５中
に含有されても良いし、或いは層厚方向には万遍なく含
有されてはいるが分布濃度は不均一であっても良い０面
乍ら、いずれの場合にも第一の層領域（Ｇ）１０５中に
おいては、支持体の表面と平行な面内方向に関して、ゲ
ルマニウム原子は、均一な分布で万遍無く含有されるの
がその面内方向に於ける特性の均一化を計る点から必要
である。

殊に、第一の層（Ｉ）１０２の層厚方向には万遍無く含
有されていて、且つ前記支持体１０１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１０４の自由表面１０７側）
の方に対して前記支持体１０１側（光受容層と支持体１
０１との界面側）の方に多く分布した状態となる様にす
るか、或いはこの逆の分布状態となる様に前記第一の層
領域（Ｇ）１０５中にゲルマニウム原子は含有される。

本発明の光導電部材においては、前記した様に第一の層
領域（Ｇ）１０５中に含有されるゲルマニウム原子の分
布状態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態を
取り、支持ｌＯ１の表面と平行な面内方向には、均一な
分布状態とされるのが望ましい。

本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）　１０５上に設
けられる第二の層領域（Ｓ）１０６中には、ゲルマニウ
ム原子は含有されておらず、この様な層構造に第一の層
（Ｉ）１０２を形成することによって、可視光領域を含
む、比較的短長波から比較的長波長連の全領域の波長の
尤に対して光感度が優れている光導電部材を得ることが
できる。

又、好ましい実施態様の１つに於いては、第一の層領域
（Ｇ）１０５中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は
その全層領域にゲルマニウム原子が連続的に万遍無く分
布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持
体１０１側から第二の層領域（Ｓ）１０６に向って減少
する変化が与えられているので、第一の層領域（Ｇ）１
０５と第二の層領域（Ｓ）１０６との間に於ける親和性
に優れ、且つ後述する様に支持体１０１側端部に於いて
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすること
により、半導体レーザー等を使用した場合の、第二の層
領域（Ｓ）１０６では殆んど吸収し切れない長波長側の
光を第一の層領域（Ｇ） １０５に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体１０１面からの反射による干渉を防止することが
出来る。

第２図乃至第１０図には第一の層領域（Ｇ）１０５中に
含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態が不
均一な場合の典型的例が示される。

第２図乃至第１θ図においては、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す第一の層領域
（Ｇ）１０５の層厚を示し１Ｂは支持体ｌＯ１側の第一
の層領域（Ｇ）　１０５の表面の位置を、１丁は支持体
側とは反対側の第一の層領域（Ｇ）１０５の表面の位置
を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第一の層
領域（Ｇ）１０５はｔ、側からｔｒ側に向って層形成が
なされる。

第２図には、第一の層領域（Ｇ）１０５中に第２図に示
される例では、ゲルマニウム原子の含有される第一の層
領域（Ｇ）１０５が形成される表面と支持体１０１の表
面とが接する界面位置ｔ８からｔ、の位置までは、ゲル
マニウム原子の分布濃度ＣがＣ３なる一定の値を取り乍
ら第１１に至るまで分布濃度は、　Ｃ２より徐々に連続
的に減少されている。界面位置ｔ７においてはゲルマニ
ウム原子の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ）１
０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置
ｔ、より位置１丁に至るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的
に減少して位置ｔアにおいて濃度Ｃ４となる様な分布状
態を形成している。

第４図の場合には、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、より位置
ｔ２までは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ、と位置を
丁との間において、徐々に連続的に減少され、位置１丁
において、分布濃度Ｃは実質的に零とされている（ここ
で実質的に零とは検出限界量未満の場合である）。

第５図の場合には、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、より位置
１．に至るまで、濃度ＣＩより連続的に徐々に減少され
、位置１丁において実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、第１の層領域・ｆ （Ｇ）１０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃは、位置ｔ８と位置１５間においては、濃度Ｃｑと一
定値であり、位置を丁においては濃度Ｃ冑れる０位置ｔ
１と位置を丁との間では、分布濃度Ｃは一鰺関数的に位
置ｔより位置ｔに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ）１
０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置
ｔ、より位置ｔ４までは濃度ｃ、１の一定値を取り、位
置ｔ、より位置ｔアまでは濃度Ｃ＋Ｚより濃度Ｃ１１ま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、第１の層領域（Ｇ）１０５
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、
より位置１Ｔに至るまで、濃度Ｃ縛より実質的に零に至
る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、位置ｔ、より位
置上５に至るまでは濃度ＣＩ。

より濃度ＣＩ６まで一次関数的に減少され、位置ｔｒと
位置ｔＴとの間においては、濃度ＣＩＧの一定値とされ
た例が示されている。

第１θ図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ）
１０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔにおいて濃度ＣＩ？であり、位置ｔ６に至るまでは
この濃度ＣＩ？より初めはゆっくりと減少され、ｔ６の
位置付近においては、急激に減少されて位置ｔ＆では濃
度Ｃ１１とされる。

位置ｔ＆と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ、で
濃度Ｃ埼となり、位置ｔ、と位置１．との間では、極め
てゆっくりと徐々に減少されて位置ｔｒにおいて、濃度
αに至る０位置ｔ、と位置１丁の間においては、濃度Ｃ
５より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に
従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第一の層領域（Ｇ）
１０５中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明におい
ては、支持体１０１側において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面を側において、前記分
布濃度Ｃが支持体１０１側に較べて可成り低くされた部
分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第一の層領域
（Ｇ）１０５に設けられている場合が、好適な例の１つ
として挙げられる。

本発明に於ける光導電部材を構成する第一の層領域（Ｇ
）１０５は、好ましくは上記した様に支持体１０１側の
方か又はこれとは逆に自由表面１０５側の方にゲルマニ
ウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ
）を有するのが望ましい。

例えば、局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１θ図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置ｔより層厚方向に５
終以内に設けられるのが望ましい。

上記局在領域（Ａ）は、界面位置１Ｂより５終厚まで−
の層領域（ＬＴ　）の全部とされる場合もあるし、又、
層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の層領域（Ｇ）１０５に
要求される特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）は、その中の含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布
濃度の最大値Ｃ■ａ！がシリコン原子との和に対して、
好ましくは１０００原子ｐｐｍ以上、より好適には５０
００原子ｐｐｉｇ以上、最適には１×１０原子ｐｐｍ以
上とされる様な分布状態となり得る様に層形成されるの
が望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層領域（Ｇ）１０５は、支持体１０１側からの
層厚で５μ以内（ｔａから５ＩＬ厚の層領域）に分布濃
度の最大値Ｃｓａｗが存在する様に形成されるのが好ま
しい。

本発明において、第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的
が効果的に達成される様に所望に従って適宜法められる
が、シリコン原子との和に対して、好ましくは１〜１０
．Ｘ　１０’原子ｐｐｍより好ましくはｔｏｏ〜９　、
５　Ｘ　Ｉ　Ｏ’原子ｐｐｍ　、最適には、５００〜８
ＸＩＯ原子ｐｐ■とされるのが望ましい。

第一の層領域（Ｇ）１０５中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に
分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支
持体、１０１側から光受容層１０４の自由表面１０７偏
に向って、減少する変化が与えられているか、又はこの
逆の変化が与えられている場合には、分布濃度Ｃの変化
率曲線を所望に従って任意に設計することによって、要
求される特性を持った第一の層領域（Ｇ）１０５を所望
通りに実現することが出来る。

例えば、−第一の層領域（Ｇ）１０５中に於けるゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃを支持体ｌｏｔ側に於いては、
充分高め、光受容層１０４の自由表面１０７偏に於いて
は、極力紙める様な１分布濃度Ｃの変化を、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度曲線に与えることによって、可視光領
域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄の全領域の
波長の光に対して高光感度化を図ることが出来ると共に
、レーザ光等の可干渉光に対しての干渉防止を効果的に
計ることが出来る。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚と第２
の層領域（Ｓ）１０６の層厚とは、本発明の目的を効果
的に達成させる為の重要な因子の１つであるので形成さ
れる光導電部材に所望の特性が充分与えられる様に、光
導電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必要があ
る。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚Ｔは
、好ましくは３０Ａ〜５０ＩＬ、より好ましくは４ｏＸ
〜４０ｐ、最適には５０Ａ〜３０ＩＬとされるのが望ま
しい。

又、第２の層領域（Ｓ）１０６の層厚Ｔは、好ましくは
、０６．５〜９０ＩＬ、より好ましくは１〜８０ＩＬ、
最適には２〜５０ｐとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚Ｔと第２の層領域（Ｓ
）１０６の層厚Ｔの和（Ｔ９＋Ｔ）は、両層領域に要求
される特性と光受容層全体に要求される特性との相互間
の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設針の際に所
望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲は、好ましくは１〜１００ｇ、より好適には１
〜８０ＩＬ、最適には２〜５０１Ｌとされるのが望まし
い。

本発明のより好ましい実施態様に於いては上記の層厚Ｔ
Ｂ及び層厚Ｔは、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１なる関係を満
足するように、夫々に対して適宜適切な数値が選択され
るのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔｎ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９、最適には
Ｔ　ＩＩ　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層
厚ＴＢ及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）１０５中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量が１×ｌＯ原子ｐｐ■以
上の場合には、第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚ＴＢは
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ＪＬ
以下、より好ましくは２５ＩＬ以下、最適には２０ＩＬ
以下とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の層（Ｉ）１０２との間の密
着性の改良を図る目的の為に、第一の層（Ｉ）１０２中
には、炭素原子が含有される層領域（Ｃ）が設けられる
。

第一の層（１）１０２には、第１１図に示すように、炭
素原子が含有され、その層厚方向に置ける分布濃度が、
Ｃ（ｔ）なる値である第１の領域（１）１０８、Ｃ（２
）なる値である第２の領域（２）１０１ｔよびＣ（３）
なる値である第３の領域（３）１１０とを有する。

本発明においては、上記の第１．第２．および第３の各
領域１０８〜１１０中には、必ずしも炭素原子が含有さ
れている必要はない、しかし、いずれか１つの領域に炭
素原子が含有されていない場合には、他の２つの領域に
は炭素原子が必ず含有されており、且つそれ等の領域に
おける炭素原子の層厚方向の分布濃度は異っている必要
がある。詰り、炭素原子の分布濃度Ｃ（１）、Ｃ（２）
、Ｃ（３）のいずれか１つが０になる場合には、他の２
つは０でなく且つ等しくならないように各領域ｌＯ８〜
１１Ｏを形成する必要がある。このようにすることによ
って、帯電処理を受けた際に自由表面１０７側或は支持
体１０１側から光受容Ｎ１０４中に電荷が注入されるの
を効果的に阻止することが出来ると同時に、光受容層１
０４自体の暗抵抗の向上および支持体１０１と光受容層
１０４との間の密着性の向上を計ることができる。

への電荷の注入を充分阻止し得ると共に、第一の層（Ｉ
）１０２中において発生するフォトキャリアの輸送が効
果的に成されるようにするには、第３の領域（３）１１
０の炭素原子の分布濃度Ｃ（３）が、単独では最大とな
らないように第一の層（１）１０２を設計する必要があ
る。この場合、好ましくは、第３の領域（３）１１０の
厚層は、他の２つの領域１０８〜１１０の層厚よりも充
分厚くなるように第一の層（１）１０２を設計するのが
望ましく、より好ましくは第３の領域（３）１１０の層
厚は、第一の層（Ｉ）１０２の層厚の５分の１以上を占
めるように第一の層（ｉ）１０２を設計するのが望まし
い。

本発明において、第１の領域（１）１０８および第２の
領域（２）１０９の層厚としては、好ましくは０．００
３〜３０ＩＬ、より好適には０．００４〜２０終、最適
には０．００５〜ｌＯ川とされるのが望ましい。また、
第３の領域（３）１１０の層厚としては、好ましくは１
〜１００ル、より好適には１〜８０ＩＬ、最適には２〜
５０＃Ｌとされるのが望ましい。

第１の領域（１）ｉｏｓおよび第２の領域（２）　１０
９ニ第一（７）Ｆｉｔ　（１）　ｌ　０２中へ（ｙ）電
荷の注入を阻止する、所謂電荷注入阻止層としての機能
を主に持たせるように第一の層（１）１０２を設計する
場合には、第１の領域（１）１０８および第２の領域（
２）１０９の層厚は、それぞれ最大ｔｏｐとするのが望
ましい。

第３の領域（３）１１０に電荷発生層としての機能を主
に持たせるように光受容層を設計する場合には、第３の
領域（３）１１０の層厚は、使用される光源の光の吸収
係数に応じて適宜所望に従って決められる。この場合１
通常、電子写真分野において使用される光源を使用する
のであれば、第３の領域（３）１１０の層厚は、端々−
１０ＪＬ程度であれば良い、第３の領域（３）ｌｌｏに
主に電荷輸送層としての機能を主に持たせるには、その
層厚は少なくとも５ルあるのが望ましい。

本発明において、炭素原子の含有分布濃度Ｃ（１）、Ｃ
（２）、およびＣ（３）の最大値としては、シリコン原
子、ゲルマニウム原子および炭素原子の和に対して、好
ましくは６７原子％、より好ましくは５０原子％、最適
には４０原子％とされるのが望ましい。また、前記分布
濃度Ｃ（１）　、Ｃ（２）　、ｃ　（３）が０でない場
合の最小値としては、シリコン原子、ゲルマニウム原子
および炭素原子の和に対して、好ましくはｌ原子ｐｐｍ
　、より好ましくは５０原子ｐｐ層、最適には１００原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明において、炭素原子の分布状態は、第一の層（Ｉ
）１０２全体においては、前記したように厚層方向に不
均一であるが、第１．第２、第３の各領域の各々におい
ては、層厚方向に均一である。

第１２図乃至第１６図には、第一の！’　（Ｉ）１０２
全体としての炭素原子の分布状態の典型的例が示される
。なお、これ等の図の説明に当って断わることなく使用
される記号は、第２図乃至第１θ図において使用したの
と同様の意味を持つ。なお、図中の１うは支持体１０１
側の第一の層（１）１０２の表面位置を、１丁は支持体
１０１とは反対側の第一の層（Ｉ）１０２の表面位置を
示す。

第１２図に示される例では、位置ｔより位置ｔ９までは
炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ２１と一定値とされ、
位置ｔ、から位置を丁までは炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）はＣユ２と一定とされている。

第１３図に示される例では、位置１．より位置ｔ１゜ま
では炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣｘ３と一定値とさ
れ、位！ｉｔ、ｏより位置Ｌ＋までは炭素原子の分布濃
度Ｃ（Ｃ）はＣｊ４とされ、位置ｔ１．から位置ｔ、ま
では炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣユ、とされて、３
段階で炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を減少させている。

第１４図の例では、位置ｔ、より位置Ｌｘまでは炭素原
子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣｆｌ　とし、位置’ｔｒ２か
ら位置１丁までは炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ，と
されている。

第１５図の例では１位置ｔ、より位置ｔ５．までは炭素
原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ１とし、位置ｔ１３から位
置ｔ−今までは炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ苅　と
し、位置ｔ１．から位置１Ｔまでは炭素原子の分布濃度
Ｃ（Ｃ）はＣ１ｏとしている。

このように３段階で炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を増加
している。

第１６図の例では、位置ｔ、より位置ｔＩｆまでは、炭
素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ１ｌ　とし、位置ｔｌｌ
から位置ｔ９．までは、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は
Ｃ３工とし、位置ｔｒｉから位置１Ｔまでは、炭素原子
の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ３３としている。このように、
支持体１０１側および自由表面１０７側で炭素原子の分
布濃度Ｃ（Ｃ）が高くなるようにしである。

本発明において、第一の層（Ｉ）１０２に設けられる炭
素原子の含有されて−いる層領域（Ｃ）（前記した第１
．第２．第３の領域１０８〜１１０の少なくとも２つの
層領域で構成される）は、光感度と暗抵抗の向上を主た
る目的とする場合には、第一の層（１）１０２の全層領
域を占めるように設けられ、第一の層ＣＩ）１０２の自
由表面１０７からの電荷の注入を防止するためには、自
由表面１０７側の界面近傍に設けられ、支持体１０１と
第一の層（１）１０２どの間の密着性の強化を図るのを
主たる目的とする場合には、第一の層（Ｊ）１０．２の
支持体ｌＯ１側端部層領域（Ｅ）を占めるように設けら
れる。

そして、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の含有量
は、上述のように高光感度を維持することを主たる目的
とするためには比較的少なくされ、第一の層（丁）１０
２の自由表面からの電荷の注入を防ぐためには比較的多
くされ、さらに、支持体１０１と第一の層（■）１０２
との密着性の強化を確実に図ることを主たる目的とする
ためには比較的多くされるのが望ましい。

また、これら王者を同時に達成するためには、支持体１
０１偏において比較的高濃度に分布させ、中央において
比較的低濃度に分布させ、自由表面１０７側の界面層領
域には、炭素原子をより多くしたような炭素原子の分布
状態を層領域（Ｃ）中に形成すれば良い。

本発明において、第一の層（Ｉ）１０２に設けられる炭
素原子を含有する層領域（Ｃ）における炭素原子の含有
量は、層領域（Ｃ）自体に要求される特性、或いは該層
領域（Ｃ）が支持体１０１に直に接触して設けられる場
合には、該支持体１０１との接触界面における特性との
関係等、有機的関連性において、適宜選択することがで
きる。

また、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域が設
けられる場合には、能能の層領域の特性や、能能の層領
域との接触界面における特性との関係も考慮されて、炭
素原子の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、シリコン原子とゲルマニウム原子と炭
素原子との和に対して好ましくは、０．００１〜５０原
子％。

より好ましくは、０．００２〜ｈｏＩＫ子％、最適には
０．００３〜３０原子％とされるのが望ましいものであ
る。

本発明において、層領域（Ｃ）が第一の層（Ｉ）１０２
の全域を占めるか、或いは、第一の層（Ｊ）１０２の全
域を占めなくとも、層領域（Ｃ）の層厚Ｔ　の第一の層
（Ｉ）１０２の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には
、層領域（Ｃ）に含有される炭素原子の含有量の上限は
、前記の値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明においては、層領域（Ｃ）の層厚Ｔが第一の層（
ｒ）１０２の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上
となるような場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭
素原子の量の上限トしては、シリコン原子、ゲルマニウ
ム原子および炭素原子の３者の和に対して、好ましくは
、３０原子％以下、より好ましくは、２０原子％以下、
最適には１０原子％以下とされるのが望ましい。

本発明において、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）゛
は、上記したように支持体１０１側および第２の暦（］
１）１０３側の近傍に炭素原子が比較的高濃度で含有さ
れている局在領域ＣＢ）を有するものとして設けられる
のが望ましく、この場合には、支持体１０１と第１の層
（Ｉ）１０２との間の密着性をより一層向上させること
および受容電位を向上させることができる。

上記局在領域（Ｂ）は、第１２図乃至第１６図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位ａｔｅまたはｔＴから層
厚方向に５ｐ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置１
．または１．から５ＩＬ厚までの層領域（Ｌ、）の全部
とされる場合もあるし、また。

層領域（Ｌ□）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするかまたは
全部とするかは、形成される第一の層（Ｊ）１０２に要
求される特性に従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される炭素原子の層厚方
向の分布状態として炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）　＋７
）最大値Ｃｍａｘが好まし５００原子ｐｐｍ以上、より
好ましくは８００原子ｐｐｓ＋以上、最適にはｔ　ｏｏ
ｏ原子ｐｐ■以上とされるような分布状態となり得るよ
うに層形成されるのが望ましい。

すなわち、本発明においては、第一の層（丁）１０２中
の炭素原子の含有される層領域（Ｃ）は、支持体１０１
側または第二の層（［）１０３の表面側からの層厚で５
ＩＬ以内（位置ｔまたはｔから５１Ｌ厚の層領域）に分
布濃度Ｃ（Ｃ）の最大値Ｃｍａｘが存在するように形成
されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第一の層（Ｉ）１０２に
含有されるハロゲン原子としては、具体的にはフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第一の層領域（Ｇ）１０５又は／及びゲルマニ
ウム原子の含有されない第二の層領域（Ｓ）１０６には
、伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有させることによ
り、当該層領域（Ｇ）又は／及び層領域（Ｓ）の伝導特
性を所望に従って任意に制御することが出来る０本発明
においては、伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有され
る層領域（ＰＮ）は、第一の層（Ｉ）１０２の一部又は
全部に設けてもよい。又は、層領域（ＰＮ）は、層領域
（Ｇ）または（Ｓ）の一部又は全部に設けてもよい。

この様な伝導特性を支配する物質（Ｄ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、シリコン原子またはゲルマニウム原子
に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。具体
的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属する原
子（第■族原子）、例えば、硼素（Ｂ）、アルミニウム
ＣＡＮ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タ
リウム（Ｔｕ）等があり、殊に好適に用いてれるのは、
Ｂ、Ｇａである。また、ｎ型不純物としては、周期律表
第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）、例えば、燐（Ｐ）
、砒素（Ａｓ）、アンチモン（ｓ　ｂ）　、ビスマス（
Ｂｉ）等であり、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Ａ
ｓである。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２中に含有される
伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量は、該第−の層
（Ｉ）１０２に要求される伝導特性、或いは該第−の層
（Ｉ）１０２が直に接触して設けられる支持体ｌＯ１ど
の接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於
いて、適宜選択することが出来る。

又、前記の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を第一の層（
Ｉ）１０２中に含有させるのに、該第−の層（Ｉ）１０
２の所望される層領域に局在的に含有させる場合、殊に
、第一の層（Ｉ）１０２の支持体側端部層領域に含有さ
せる場合には、該層領域に直に接触して設けられる他の
層領域の特性や、能能の層領域との接触界面に於ける特
性との関係も考慮されて、伝導特性を支配する物質（Ｄ
）の含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２中に含有される
伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量としては、好ま
しくは、０．Ｏ１〜５×１０４原子ｐｐｍ　、　ヨリ好
Ｍニハ０　、５〜Ｉ　Ｘ　、１０４原子ｐｐｍ　、最適
には１〜５　Ｘ　１０”原子ｐｐ層とされるのが望まし
い。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｄ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質ＣＤ）の含有量が
、好ましくは３０原子ｐｐｍ以上、より好適には５０原
子ｐｐｍ以上、最適には、１００原子ｐｐｍ以上の場合
には、前記伝導特性を支配する物質（Ｄ）は、第一の層
（Ｉ）１０２の一部の層領域に局所的に含有させるのが
望ましく、殊に第一の層（Ｉ）１０２の支持体側端部層
領域（Ｅ）に偏在させるのが望ましい。

上記の中、第一の層（Ｉ）１０２の支持体側端部層領域
（Ｅ）に前記の数値以上の含有量となる様に前記伝導特
性を支配する物質（Ｄ）を含有させることによって、例
えば当該物質（Ｄ）が前記のＰ型不純物の場合には、光
受容層１０４の自由表面１０５が中極性に帯電処理を受
けた際に支持体１０１側から光受容層１０４中へ注入さ
れる電子の移動を効果的に阻止することが出来、又、前
記伝導特性を支配する物質が前記のｎ型不純物の場合に
は、光受容層１０４の自由表面１０５が一極性に帯電処
理を受けた際に、支持体１０′ｌ側から光受容層１０４
中へ注入される正孔の移動を効果的に阻止することが出
来る。

この様に、前記支持体側端部層領域（Ｅ）に一方の極性
の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有させる場合には
、第一の層（Ｉ）１０２の残りの層領域、即ち、前記支
持体側端部層領域（Ｅ）を除いた部分の層領域（Ｚ）に
は、他の極性の伝導特性を支配する物質を含有させても
良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する物質を、
支持体側端部層領域（Ｅ）に含有される実際の量よりも
一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量としては、支持体
側端部層領域（Ｅ）に含有される前記物質の極性や含有
量に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、
好ましくは、０．００１−１０００原子ｐｐｍ　、より
好適には０．０５〜５００５００原子ｐｐにはｏ−ｉ〜
２００原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、支持体側端部層領域（Ｅ）及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合
には、当該物質の層領域（Ｚ）に於ける含有量としては
、好ましくは、３０原子ｐｐ履以下とするのが望ましい
、上記した場合の他に、本発明に於いては、第一の層（
Ｉ）１０２中に、一方の極性を有する伝導性を支配する
物質を含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性
を支配する物質を含有させた層領域とを直に接触する様
に設けて、該接触層領域に所謂空乏層を設けることも出
来る。詰り、例えば、第一の層（Ｉ）１０２中に、前記
のｐ型不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含
有する層領域とを直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接
合を形成して、空乏層を設けることが出来る。

本発明において、ａ−Ｇｅ　（Ｓ　ｉ　、　Ｈ、Ｘ）で
構成される第一の層領域（Ｇ）１０５は、例えば、グロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって形成
される０例えば、グロー放電法によって、ａ　Ｇ　ｅ（
Ｓｉ＋　Ｈ＋　Ｘ　）で構成される第一の層領域（Ｇ）
１０５を形成するには、基本的にはゲルマニウム原子を
供給し得るゲルマニウム原子供給用の原料ガスと必要に
応じて、シリコン原子を供給し得るシリコン原子供給用
の原料ガス、水素原子導入用の原料ガス又は／及びハロ
ゲン原子導入用の原料ガスとを、内部を減圧し得る堆積
室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである、所
定の支持体表面上にａ−Ｇｅ（Ｓ　ｉ　、　Ｈ、Ｘ）か
らなる層を形成すれば良い。又、ゲルマニウム原子を不
均一な分布状態で第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有さ
せるにはゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ−Ｇｅ　（Ｓｔ　、Ｈ，Ｘ）か
らなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング法に
おいては、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等
のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコン原
子で構成されたターゲット、或いは、該ターゲットとゲ
ルマニウム原子で構成されたターゲットの二枚を使用し
て、又は、シリコン原子とゲルマニウム原子の、混合さ
れたターゲットを使用して、必要に応じて、Ｈｅ、Ａｒ
等の稀釈ガスで稀釈されたゲルマニウム原子供給用の原
料ガス又、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子゛導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
第一の層領域（Ｇ）１０５を形成する。このスパッタリ
ング法において、ゲルマニウム原子の分布を不均一にす
る場合には、前記ゲルマニウム原子供給用の原料ガスの
ガス流量を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら、前記
のターゲットをスパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ポートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発
物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、
スパッタリング法の場合と同様にすることによって第一
の層領域（Ｇ）１０５を形成することができる。

本発明において使用されるシリコン原子供給用の原料ガ
スと成り得る物質としては、Ｓｉ、Ｈｌ、Ｓ　ｉ、Ｈ，
、Ｓ　ｉ、Ｈ，、Ｓ　ｉ、Ｈ，、等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用される
ものとして挙げられ、殊に。

層作成作業時の取扱い易さ、シリコン原子供給効率の良
さ等の点でＳ　ｉ　Ｈ４、ＳｔユＨ４、が好ましいもの
として挙げられる。

ゲルマニウム原子供給用の原料ガスと成り得る物質とし
ては、Ｇ　ｅ　Ｈ４、Ｇｅ！Ｈ６、Ｇｅ５Ｈｒ、Ｇ　ｅ
４　ＨＨ（）＊　Ｇ　ｅ　５　Ｈｎ、Ｇｅ、Ｈ，、、Ｇ
　ｅ、Ｈ，＆、　Ｇ　ｅ、Ｈ，、、Ｇ　ｅ、Ｈ，、％’
のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業
時の取扱い易さ、ゲルマニウム原子供給効率の良さ等の
点で、Ｇ　ｅ　Ｈ，、Ｇ　ｅ、Ｈ，、Ｇ　ｅ、Ｈ，が好
ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＪＩＦ、ＣＩ　Ｆ、、Ｂ　ｒ　Ｆ、
、Ｂ　ｒ　Ｆ、、Ｉ　Ｆ３、Ｉ　Ｆ、、ＩＣＵ、ＩＢｒ
等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉ、Ｆ４、Ｓｉ、Ｆ、、５ｉＣｕ。、Ｓ　ｉ　Ｂ　ｒ、
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、ゲルマニウム原子供給用の原料ガスと共に
シリコン原子を供給し得る原料ガスとしての水素化硅素
ガスを使用しなくとも、所望の支持体１０１上にハロゲ
ン原子を含むａ−３ｉＧｅから成る第一の層領域（Ｇ）
１０５を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一の層領
域（Ｇ）１０５を製造する場合、基本的には、例えばシ
リコン原子供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とゲ
ルマニウム原子供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニ
ウムとＡｒ、Ｈ２、Ｈｅ等のガス等とを所定の混合比お
よびガス流量になる様にして第一の層領域（Ｇ）１０５
を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、所
望の支持体１０１上に第一の層領域（Ｇ）１０５を形成
し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層
容易になる様に図る為にこれ等のガスは更に水素ガス又
は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層
形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される第一の層領域（Ｇ）１０５中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導
入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いも
のである。

又、第一の層領域（Ｇ）１０５中に水素原子を導入する
場合には、水素原子導入用の原料ガス、例えば、Ｈ７、
或いは前記したシラン類又は／及び水素化ゲルマニウム
等のガス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該
ガス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他にＨＦ、Ｈｅ見、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素
、’Ｓ　ｒ　ＨｉＦｉ、Ｓ　ｉ　Ｈ，１，、Ｓ　ｉ　Ｈ
，ＣＬ、５ｉｌ（ＣＪＩ、、Ｓ　ｉ　Ｈ，Ｂ　ｒ、、５
ｉＨＢｒ、等ノハロゲン置換水素化硅素、及びＧ　ｅ　
ＨＦ、、Ｇ　ｅ　Ｈ，Ｆ、、ＧｅＨＩＦ、Ｇ　ｅ　ＨＣ
１３、Ｇ　ｅ　Ｈ，ＣＭ、、ＧｅＨ３ＣＭ、ＧｅＨＢｒ
、、ＧｅＨ，Ｂｒ、、ＧｅＨ，Ｂｒ、Ｇ　ｅ　ＨＩ３、
Ｇ　ｅ　Ｈ，Ｉ、、ＧｅＨ，Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲ
ルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物、Ｇ　ｅ　Ｆ、、ＧｅＣ島、ＧｅＢｒ、、ＧｅＩ
、、ＧｅＦ４．ＧｅＣｌ、、Ｇ　ｅ　Ｂ　ｒ、、ＧｅＩ
、等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或い
はガス化し得る物質も有効な第一の層領域（Ｇ）１０５
形成用の出売物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
一の層領域（Ｇ）１０５形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて
有効な水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の層領域（Ｇ）１０５中に構造的に導入
するには、上記の他にＨ２、或いはＳ　ｉ　Ｈ４，Ｓ　
ｉユＨ，、Ｓ　１ｘＨｙ、　Ｓ　ｉ、Ｈ，、等の水素化
硅素をゲルマニウム原子を供給する為のゲルマニウム又
はゲルマニウム化合物と、或いは、　Ｇ　ｅ　Ｈ＋。

Ｇｅ、Ｈ，、Ｇｅ、Ｈ，、Ｇｅ４Ｈ１，、Ｇ　ｅ、Ｈ，
、、Ｇ　ｅ　ｂ　ＨＩ９゜Ｇ　ｅｔｔＨ５，、Ｇ　ｅ、
Ｈ，、、Ｇ　ｅ、Ｈ，、等の水素化ゲルマニウムとシリ
コン原子を供給する為のシリコン又はシリコン化合物と
、を堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う
事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される第一の層領域
（Ｇ）１０５中に含有される水素原子の量、又はハロゲ
ン原子の量、又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は、好ましくは、０．Ｏ１〜４ＯＮ子％、より好
適には０．０５〜３０原子％、最適には０．１〜２５原
子％とされるのが望ましい。

第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有される水素原子又は
／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体
温度又は／及び水素原子、或いはハロゲン原子を含有さ
せる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）１０６は、前記した第１の層領域（Ｇ）
１０５形成用の出発物質（Ｉ）の中より、ゲルマニウム
原子供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層領域（Ｓ）１０６形成用の出発物質（Ｈ））
を使用して、第１の層領域（Ｓ）１０６形成する場合と
、同様の方法と条件に従って形成する車が出来る。

即ち、本発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｇ）１０５は例えばグロー放電法、ス
パッタリング法、或いはイオンブレーティング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によって形成される０例え
ば、グロー放電法によって、ａ　−Ｓ’ｉ　（Ｈ、Ｘ）
で構成される第２の層領域（Ｓ）１０６を形成するには
、基本的には前記したシリコン原子を供給し得るシリコ
ン原子供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子
導入用の又は／及びｌ＼ロゲン原子導入用の原料ガスを
、内部を減圧し得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場
合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコン原子
で構成されたターゲットをスパッタリングする際、水素
原子又は／及びハロゲン原子導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される第２の層領域（Ｓ）１０６
中に含有される水素原子の量、又はハロゲン原子の量、
又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好
ましくは１〜４０原子％、より好適には５〜３０原子％
、最適には５〜２５原子％とされるのが望ましい。

本発明において、第一の層（Ｉ）１０２に炭素原子の含
有された層領域（Ｃ）を設けるには、第一の層１０２の
形成の際に炭素原子導入用の出発物質を前記した第一の
層（Ｉ）１０２形成用の出発物質と共に使用して、形成
される層中にその暇を制御しながら含有してやれば良い
。

層領域（Ｃ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の層（Ｉ）１０２形成用の出発物質
の中から所望に従って選択されたものに炭素原子導入用
の出発物質が加えられる。そのような炭素原子導入用の
出発物質としては、少なくとも炭素原子を構成原子とす
るガス状の物質またはガス化し得る物質をガス化したも
のの中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原
子またはおよびハロゲン原子を構成原子とする原料ガス
とを所望の混合比で混合して使用するか、または、シリ
コン原子を構成原子とする原料ガスと、炭素原子および
水素原子を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所
望の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子、炭素原子および
水素原子の３つを構成原子とする原料ガスとを混合して
使用することができる。

また、別には、シリコン原子と水素原子とを構成原子と
する原料ガスに、炭素原子を構成原子とする原料ガスを
混合して使用しても良い。

炭素原子導入用の原料ガスとして有効なものとしては、
炭素原子と水素原子とを構成原子とする、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭素
数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（ＣｚＨａ）　＋プロパン（Ｃ）Ｈρ　、ｎ−
ブタン（ｎ　−Ｃ，Ｈ，ρ　、ペンタン（Ｃｊ−Ｈ，）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４Ｉ
）、プロピレン（Ｃ，Ｈ，）　、ブテン−１（Ｃ，）Ｉ
、）　ｌブテン−２（Ｃ，Ｈ８）イソブチレン（ＣｚＨ
ａ）　、ペンテン（ＣｋＨｒｏ）　、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ４）、メチルアセチ
レン（Ｃ３Ｈρ、ブチン（Ｃ４ＨＡ）等が挙げられる。

これ等の他にシリコン原子と炭素原子と水素原子とを構
成原子とする原料ガスとして、Ｓｉ（ＣＨｊ）４　＋　
Ｓ　ｉ　（Ｃ７Ｈ？入等のケイ化アルキルを挙げること
ができる。

本発明においては、層領域（Ｃ）中には炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、炭素原子に加えて、更
に酸素原子または／および窒素原子を含有することがで
きる。

酸素原子を層領域（Ｃ）に導入するための酸素原子導入
用の原料ガスとしては、例えば酸素（０ユ）、オゾン（
０３）、−酸化窒素（ＮＯ）。

−二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ２０、）、
四三酸化窒素（Ｎ３０４）　Ｉ三二酸化窒素（Ｎ、Ｏ，
）　、三酸化窒素（Ｎ０１）、シリコン原子と酸素原子
と水素原子とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン
（Ｈ３Ｓ　ｉ　Ｏ５ｉ　８３）　、　）リシロキサン（
Ｈａｓ　ｉ　Ｏ３ｉ　Ｈ，Ｏ３ｉ　Ｈ，）等の低級シロ
キサン等を挙げることができる。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子導入用
の原料ガスに成り得るものとして有効に使用される出発
物質は、窒素原子を構成原子とするあるいは窒素原子と
水素原子とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アン
モニア（ＮＨｌ）、ヒドラジン（Ｈ，Ｎ　’Ｎ　８２）
　、アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニウム（Ｎ　
ＨｐＮａ）等のガス状のまたはガス化し得る窒素、窒化
物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる
。この他に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の
導入も行えるという点から、三弗化窒素（ＦＪＮ）、四
弗化窒素（Ｆ４Ｎユ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げ
ることができる。

スパッタリング法によって、炭素原子を含有する第一の
層（Ｉ）１０２を形成するには、単結晶または多結晶の
シリコンウェハーまたはグラファイトウェハー、または
シリコン原子と炭素原子が混合されて含有されているウ
ェハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパッタリングすることによって行えば良い。

例えば、シリコンウェーハーをターゲラＩ・とじて使用
すれば、炭素原子と必要に応じて水素原子または／およ
びハロゲン原子を導入するための原料ガスを、必要に応
じて稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導
入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記シリ
コンウエーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別には、シリコン原子と炭素原子とは別々のター
ゲットとして、またはシリコン原子と炭素原子の混合し
た一枚のターゲットを使用することによって、スパッタ
ー用のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なく
とも水素原子または／およびハロゲン原子を構成原子と
して含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって成される。炭素原子導入用の原料ガスとしては、
先述したグロー放電の例で示した原料ガスの中の炭素原
子導入用の原料ガスがスパッタリングの場合にも有効な
ガスとして使用され得る。

本発明において、第一の層（Ｉ）１０２の形成の際に、
炭素原子の含有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層
領域（Ｃ）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を
層厚方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状’ＦＡ
　（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｃ
）を形成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ
（Ｃ）を変化させるべき炭素原子導入用の出発物質のガ
スを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変
化させながら、堆積室内に導入することによって成され
る。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を漸時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線を得ることもできる。

層領域（Ｃ）をスパッタリング法によって形成する場合
、炭素原子の層厚方向の分布濃瓜Ｃ（Ｃ）を層厚方向で
変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には
、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導入用の
出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入
する際のガス流量を所望に従って適宜変化させることに
よって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばシ
リコン原子と炭素原子との混合されたターゲットを使用
するのであれば、シリコン原子と炭素原子との混合比を
、ターゲットの層厚方向において、予め変化させておく
ことによって成される。

第一の層（Ｉ）１０２中に、伝導特性を支配する物質、
例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に導入す
るには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発物質或
いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、第二の領域（Ｓ）１０６を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第■族原子導入
用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。その様な第■族原子
導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用とし
てはｎ、ｎ、、　Ｂ４Ｈ１ｏ、Ｂ、Ｈ，、Ｂ、ＨＩｌ、
Ｂ６Ｈ１゜、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ。

Ｈ４等の水素化硼素、ＢＦＪ、　ＢＣＩ、、ＢＢｒ、等
のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ　Ｉ　Ｃ
ｌ、。

Ｇ　ｅ　Ｃｌ、、Ｇｅ　（ＣＨｓ）　、　Ｉ　ｎｃｌｓ
、Ｔ　ｕ　Ｃｕ、、等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、
Ｐ、Ｉ（４、等の水素化燐、ＰＨ，Ｉ、Ｐ　Ｆ、、Ｐ　
Ｆ、、Ｐ　Ｃｕ、、Ｐ　Ｃｕ、、ＰＢｒ、、ＰＢｒ、、
Ｐ　Ｉ、等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ　
ｓ　Ｈｌ、Ａ　ｓ　Ｆ、、Ａ　ｓ　Ｃｌ、、ＡｓＢｒ、
、ＡｓＦ３、ＳｂＨ，、ＳｂＦ、、Ｓ　ｂ　Ｆ、、ｓｂ
ｃ見１、ｓｂｃ垢、Ｂ　ｉ　Ｈ，、ＢｉＣＪｌ、、Ｂ　
ｉ　Ｂ　ｒ、、等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効
なものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、第一の層（１）１０２を構成し、伝導
特性を支配する物質を含有鎖して支＋＋　ｔ　ｏ　ｉ側
に偏在して設けられる層領域（ＰＮ）の層厚としては、
該層領域（Ｐ　Ｎ）と該層領域（ＰＮ）上に形成される
第一の層（Ｉ）１０２を構成する他の層領域とに要求さ
れる特性に応じて所望に従って適宜決定されるものであ
るが、その下限としては、好ましくは３０Ａ以上、より
好適には４ＯＡ以上、最適には、５０Ａ以上とされるの
が望ましい。又、前記層領域（ＰＮ）中に含有される伝
導特性を支配する物質の含有量が３０原子ｐｐ醜以上と
される場合には、該層領域（ＰＮ）の層厚の上限として
は、好ましくは１０＃Ｌ以下、好適には８ＩＬ以下、最
適には５匹以下とされるのが望ましい。

第１図に示される先導ｉｌｌ材１００においては、第一
の層（Ｉ）ｌｏ２上に形成される第二の層（１）１０３
は自由表面１０７を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用
特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本
発明の目的を達成する為に設けられる。

また、本発明においては、第一の層（Ｉ）の１０２と第
二の層（ｆＤ　１０３とをＪＩＲ成する非晶質材料の各
々がシリコン原子という共通の構成要素を有しティる（
７）−ｔ’、両層（Ｉ）１０２および（ＩＩ）　１０３
　（７）積層界面において化学的な安定性の確保が充分
酸されている。

本発明における第二の層（ＩＩ）　１０３は、シリコン
原子と窒素原子と、必要に応じて水素原子または／およ
びハロゲン原子とを含む非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（
Ｓｉｘ　Ｎ１−ｘ）、　（Ｈ，Ｘ）ｌ−７４と記す。但
し、０　＜ｘ　、　ｙ＜１）で構成される。

ａ　−（Ｓ　ｌｘ　Ｎ＋−４（Ｈ、Ｘ　）１−７で構成
される第二の層（ＩＩ）１０３の形成は、グロー放電法
、スパッタリング法、エレクトロンビーム法等によって
成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造するための作成条件の制
御が比較的容易であり、−かつシリコン原子と共に窒素
原子およびハロゲン原子を、作製する第二の層（ＩＩ）
　１０３中に導入するのが容易に行える等の利点を有す
るグロー放電法あるいはスパッタリング法が好適に採用
される。

更に、本発明においては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の層（ＩＩ）　１
０３を形成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（ＩＩ）　１０３を形成
するには、ａ　−（Ｓ　ｌｘ　Ｎ＋−ｘ）ｙ　（Ｈ、Ｘ
　）１−２形成用の原料ガスを必要に応じて稀釈ガスと
所定量の混合比で混合して、支持体１０１の設置しであ
る真空堆積室に導入し、この導入されたガスを、グロー
放電を生起させることによってガスプラズマ化して、前
記支持体１０１上に既に形成されである第一の層ＣＩ）
１Ｇ２上に、ａ　−（Ｓ　ｌｘ　ＩＬ−ｘ）７　（’　
＋　Ｘ　）＋−７を堆積させればよい。

本発明において、ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ＋−ｘ）７　（ｎ、
ｘル、形成用の原料ガスとしては、シリコン原子、窒素
原子、水素原子、ハロゲン原子の中の少なくとも一つを
構成原子とするガス状の物質またはガス化し得る物質を
ガス化したものの中の大概のものが使用され得る。

シリコン原子、窒素原子、水素原子、ハロゲン原子の中
の一つとしてシリコン原子を構成原子とする原料ガスを
使用する場合は、例えばシリコン原子を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子を構成原子とする原料ガスまたは／
およびハロゲン原子を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、またはシリコン原子を
構成原子とする原料ガスと、窒素原子および水素原子を
構成原子とする原料ガスまたは／および窒素原子および
ハロゲン原子を構成原子とする原料ガスとを、これもま
た、所望の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子、窒素原子
および水素原子の３つを構成原子とする原料ガスまたは
、シリコン原子、窒素原子およびハロゲン原子の３つを
構成原子とする原料ガスとを混合して使用することがで
きる。

また、別には、シリコン原子と水素原子とを構成原子と
する原料ガスに窒素原子を構成原子とする原料ガスを混
合して使用しても良いし、シリコン原子とハロゲン原子
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明において第二の層（１［）１０３中に含有される
ハロゲン原子として好適なのはフッ素、塩素。

臭素、ヨウ素であり、殊にフッ素、塩素が望ましいもの
である。

本発明において、第二の層（ＩＩ）　１０３を形成する
のに有効に使用される原料ガスと成り得るものとしては
、常温常圧においてガス状態のものまたは容易にガス化
し得る物質を挙げることができる。

第二の層（ＩＩ）　１０３を上記の非晶質材料で構成す
る場合の層形成法としては、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンインプランテーション法、イオンブレー
ティング法、エレクトロンビーム法等が挙げられる。こ
れ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模、作製される光導電部材に所望されるｉ性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が
比較的容易であり、かつシリコン原子と共に窒素原子、
必要に応じて水素原子やハロゲン原子を作製する第二の
層（ＩＤ　１０３中に導入するのが容易に行える等の利
点を有するグロー放電法あるいはスパッタリング法が好
適に採用される。

更に、本発明においては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の層（ＩＩ）　１
０３を形成しても良い。

グロー放電法によって、　ａ−８ｉＮ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される第二の層（１１）　１０３を形成するには、基
本的にはシリコン原子を供給し得るシリコン原子供給用
の原料ガスと窒素原子導入用の原料ガスと、必要に応じ
て水素原子導入用のまたは／およびハロゲン原子導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の第一の層（Ｉ）１０２上にａ−５
ｉＮ　（Ｈ，Ｘ）からなる第二の層（１１）　１０３を
形成させれば良い。

また、スパッタリング法で第二の層（１１）　１０３を
形成する場合には、例えば次のようになされる。

第一には、例えばＡｔ　、Ｈｅ等の不活性ガスまたはこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコ
ン原子で構成されたターゲットをスパッタリングする際
、窒素原子導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
導入用のまたは／およびハロゲン原子導入用の原料ガス
と共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導入してや
れば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳ　ｉ
、Ｎ、で構成されたターゲットか、あるいはシリコン原
子で構成されたターゲットとＳｉ＾で構成されたターゲ
ットの二枚か、またははシリコン原子とＳ　ｉ３Ｎ４と
で構成されたターゲットを使用することで形成される第
二の層（ＩＩ）　１０３中へ窒素原子を導入することが
できる。この際、前記の窒素原子導入用の原料ガスを併
せて使用すれば、その流量を制御することで第二の層（
ＩＩ）　１０３中に導入される窒素原子の量を任意に制
御することが容易である。

第二の層（ＩＩ）　ｌｏａ中へ導入される窒素原子の含
有量は、窒素原子導入用の原料ガスが堆積室中へ導入さ
れる際の流量を制御するか、または窒素原子導入用のタ
ーゲット中に含有される窒素原子の割合を、該ターゲッ
トを作成する際に調整するか、あるいは、この両者を行
うことによって、所望に従って任意にｉ制御することが
できる。

本発明において使用されるシリコン原子供給用の原料ガ
スとなる出発物質としては、ＳｉＨ４゜Ｓｉ２Ｈ６，Ｓ
ｉ、Ｈ，、Ｓｉ、Ｈ，。等のガス状態のまたはガス化し
得る水素イシ硅素（シラン類）が着用されるものとして
挙げ′られ、殊に、層作成作業の扱い易さ、シリコン原
子供給効率の良さ等の点でＳｉＨ，、ＳｉよＨ６が好ま
しいものとして挙げられる。これ等の出発物質を使用す
れば、層作成条件を適切に選択することによって形成さ
れる第二の層（ＩＩ）　１０３中にシリコン原子と共に
水素原子も導入し得る。

シリコン原子供給用の原料ガスとなる有効な出発物質と
しては、上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子を含む
　素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳ　＋　Ｆ４　＋　Ｓ　＋占、
　Ｓ　ｒ　Ｃ〜、ＳｉＢｒ４等（７）ハロゲン化材素が
好ましいものとして挙げることができる。

更には、ＳｉＨえＦ、、ＳｉＨ，Ｉ、、　ＳｉＨえＣ魁
、５ｉＨＣ魁。

ＳｉＨ，Ｂｒ、、　５ｉＨＢｒ１等のハロゲン置換水素
化石１素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る、水
素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も有効な第
二の層（ＩＩ）　１０３の形成の為のシリコン原子供給
用の出発物質として挙げる事ができる。

これ等のハロゲン原子を含む瑳素化合物を使用する場合
にも、前述したように層形成条件の適切な選択によって
、形成される第二の層（ＩＩ）　１０３中にシリコン原
子と共に、ハロゲン原子を導入することができる。

上記した出発物質の中で水素原子を含むハロゲン花盛素
化合物は、第二の層（ＩＩ）　１０３の形成の際に、層
中にハロゲン原子の導入と同時に電気的あるいは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、
本発明においては好適なハロゲン原子導入用の出発物質
として使用される。

本発明において第二の層（ＩＩ）　１０３を形成する際
に使用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとなる有効
な出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　
ＣＩＦ　、Ｃ見ＦＪ　、ＢｒＦ、（、ＢｒＦＪ。

Ｉ凱ＩＦ７．　ＩＣＵ　、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物
、肝。

ＨＣＩ　、　ＨＢｒ　、Ｈｌ等のハロゲン化水素を挙げ
ることができる。

第二の層（ＩＩ）　１０３を形成する際に使用される窒
素原子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使
用される出発物質は、窒素原子を構成原子とするかある
いは窒素原子と水素原子とを構成原子とする例えば窒素
（ｌ、アンモニア（Ｎｕｔ）　、ヒドラジン（）Ｉ、Ｎ
ＮＨ，）　、アジ化水素（ＩＮ、）　、アシ化アンモニ
ウム（ＮＨ＋Ｎ、）等のガス状のまたはガス化し得る窒
素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げること
ができる。この他に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲ
ン原子の導入も行えるという点から、出発物質としては
、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）　。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎよ）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

本発明において、第二の層（［１）　１０３をグロー放
電法またはスパッタリング法で形成する際に使用される
稀釈ガスとしては、所謂、冷ガス、例えばＨｅ、Ｍｅ、
Ａｒ等が好適なものとして挙げることができる。

本発明における第二の層（ＩＩ）　１０３は、その要求
される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成
される。

すなわち、シリコン原子、窒素原子、必要に応じて水素
原子または／およびハロゲン原子を構成原子とする物質
は、その作成条件によって構造的には結晶からアモルフ
ァスまでの形態を取り、電気物性的には、導電性から半
導体性、さらには、絶縁性までの間の性質を示し、また
、光導電的性質から非光導電的性質を示す。そこで、本
発明においては、目的に応じた所望の特性を有するａ−
（Ｓ　ｉ＊　Ｎ１−Ｘ）７　（Ｈ、Ｘ）＋２が形成され
るように、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成
される。

例えば、第二の層（Ｉｆ）　１０３を電気的耐圧性の向
上を主な目的として設けるには、ａ　−（Ｓ　１％　Ｎ
１−Ｘ）／　（Ｈ、Ｘ　）ｌ−７は使用環境において電
気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第二の層（Ｉｔ）　１０３が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、
照射される光に対しである程度の感度を有する非晶質材
料としてａ−（Ｓｌ、ｆＮ、ｘ）ｙ　（ＨＩＸ）ｌ−７
が作成される。

第一の層（Ｉ　）１ｏ２ノ表面に、ａ−（ＳｉｇＮｌ−
８）、　（Ｈ、Ｘ）ｌ−。

から成る第二の層（ＩＩ）　１０３を形成する際におけ
る、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造およ
び特性を左右する重要な因子である。本発明においては
、目的とする特性を有するａ−（Ｓ　Ｌ　Ｎ＋−ｙ）、
　（Ｈ＋Ｘ）１−７が所望通りに作成され得るように層
作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明における、所望の目的が効果的に達成されるため
の第二の層（ＩＩ）　ｔｏａの形成法に併せて適宜最適
範囲の支持体温度が選択されて、第二の層（Ｉｆ）　１
０３の形成が実行されるが、層作成時の支持体温度は好
ましくは、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０
℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましいも
のである。

第二の層（且）１０３の形成には、層を構成する原子の
組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比べて比
較的容易である事等のために、グロー放電法やスパッタ
リング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第
二の層（１１）１０３を形成する場合には、前記の支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワーが、作成される
ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ＋−％）／　（Ｈ，Ｘ）、−、ノ特性
を左右する重要な因子の一つである。

本発明における目的が達成されるための特性を有するａ
−（Ｓｉ）＋　Ｎ＋−ｘ）ｙ（ｕ、ｘ）ｈ、ｙが生産性
良く効果的に作成されるための放電パワー条件としては
、好ましくは１．０〜３００Ｗ　、より好適には２．０
〜２５０Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１−Ｉ　Ｔｏｒｒ
、より好適には、０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明において、第二の層（ＩＩ）　１０３を作成する
ための支持体温度および放電パワーの望ましい数値範囲
としては前記した範囲の値が挙げられる。

しかし、これ等の層作成ファクターは、独立的に別々に
決められるものではなく、所望特性のａ−（Ｓｉｘ　ｎ
＋−＊）ｙ　（Ｈ，Ｘ）ｌ−７から成る第二の層（ＩＩ
）　１０３が形成されるように相互的有機的関連性に基
づいて最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材における第二の層１０３に含有され
る窒素原子の量は、第二の層１０３の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の層
（１■）　１０３が形成される重要な因子である、そこ
で、この第二の層（ＩＩ）　１０３に含有される窒素原
子の量は、第二の層（ＩＩ）　１０３を構成する非晶質
材料の種類およびその特性に応じて適宜所望に応じて決
められるものである。

スナワチ、前記一般式ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ＋−ｘ）、−（
Ｈ、Ｘ）＋７テ示される非晶質材料は、大別すると、シ
リコン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（以後
、ｒａ−ＳｉｃＬＮｌ−（ＩＪと記す。但し、０＜ａ＜
１）、シリコン原子と窒素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、ｒ　６−（ＳｉｂｌＬ−ｂ）。Ｈ
＋−ｄと記す。但し、Ｏ＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子
と窒素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで
構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ　−（Ｓ　ｉＪ　
Ｎ＋−ｊ）ｔ　（Ｈ、Ｘ　）＋−ｅＪと記す。但しＯ＜
ｄ、ｅ＜１）にそれぞれ分類される。

本発明において、第二の層（ＩＩ）　１０３がａ−Ｓ　
ｉ店Ｎ１−化で構成される場合、第二の層（Ｈ）　１０
３に含有される窒素原子の量は、好ましくは１ｘ１０〜
Ｂ０原子％、より好適には１〜５０原子％、最適には１
０〜４５原子％とされるのが望ましいものである。すな
わち、先のａ−９ｉ　Ｎの８の表示で行えば、ａが好ま
しくは０．４〜０．９９９９１１１　、より好適には０
．５〜０．８８、最適には０．５５〜０．８である。

本発明において、第二の層＋０３がａ−（Ｓ　＋ｂＮｌ
−ｂ）（ｎ’ｌ−６で構成される場合、第二の層ＣＩＤ
　１０３に含有される窒素原子の量は、好ましくはｌ×
１０〜５５原子％とされ、より好ましくは１〜５５原子
％、最適にはｌＯ〜５０原子％とされるのが望ましいも
のである。

さらに、水素原子の含有量としては、好ましくは１〜４
０原子％、より好ましくは２〜３５原子％、最適には５
〜３０原子％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水
素原子含有量がある場合に形成される光導電部材は、実
際面において優れたものとして充分適用され得る。

すなわち、先のａ　−（Ｓ　ｌ　ｂ　Ｎ＋−ｉ＋）（Ｈ
＋−ｃのｂおよびＣ表示で行えば、ｂが望ましくは０．
４５〜０．９９９９１＋　、より好適には０．４５〜０
．８８、最適には０．４５〜０．９であり、Ｃが好まし
くは０．８〜０．９８、より好適には０．８５〜０．８
８、最適には０．７〜０．９５であるのが望ましい。

第二ノ層（ＩＩ）　１０３がａ−（ＳｉＪＮｌ−ａ）ｇ
　（Ｈ，Ｘ）＋−ｅで構成される場合には、第二の層（
ＩＩ）　１０３中に含有されるは１０〜５５原子％とさ
れるのが望ましいものである。さらに、ハロゲン原子の
含有量としては、好ましくは１〜２０原子％、より好適
には１〜１８原子％、最適には２〜１５原子％とされる
のが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有量があ
る場合に作成される光導電部材は、実際面において充分
適用され得るものである。さらにまた、必要に応じて含
有される水素原子の含有量としては、好ましくは１８原
子％以下、より好適には１３原子％以下とされるのが望
ましいものである。

すなわち、先のａ−（Ｓｉｃｌ　Ｌ−Ｊ）２　（Ｈ，Ｘ
）１−、、ノｄおよびｅ９９ の表示で行えばｄが好ましくは０．４〜０．９９＠Ｑ、
より好適にはｏ、４〜０．９９、最適には０．４５〜０
．９であり、ｅが好ましくは０．８〜Ｑ、１１９Ｈ＝ｅ
、より好適が望ましい。

本発明における第二の層（Ｉｆ）　１０３の層厚の範囲
は、本発明の目的を効果的に達成するための重要な因子
の一つである。この層厚は、本発明の目的を効果的に達
成するように所期の目的に応じて適宜所望に従って決め
られる。さらに、この層厚は、該層（ＴＩ）ｌｏａ中に
含有される窒素原子の量や第一の層（Ｉ　）　１０２の
層厚との関係においても、各々の層領域に要求される特
性に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定
される必要がある。更に加え得るに、この層厚は生産性
や量産性を加味した経済性の点においても考慮されるの
が望ましい。

本発明における第二の層（Ｊｌ）　１０３の層厚として
は、好ましくは０．００３〜３０ＩＬ、より好適には０
．００４〜２０ＩＬ、最適には０．００５〜ｌＯ終とさ
れるのが望ましい。

本発明において使用される支持体ｌＯ１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。

導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステアＬ／
ス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、
Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミックス、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、、Ａ
ｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、　Ｐｄ、　Ｉ　ｎ、０３、Ｓ　ｎ　０２、Ｉ
　Ｔ　Ｏ（Ｉ　ｎ、０．＋　Ｓ　ｎ　Ｏ，）等から成る
薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポ
リエステルフィルム等の合成樹脂フイＪＬ／　ムチあれ
ば、ＮｉＣｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、
Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性が伺与される。

支持体ｌＯ１の形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等任意の形状として得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写
真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体ｌＯ１の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可４
４性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上１機械的
強度等の点から、支持体１０１の厚さは、好ましくは、
１０ル以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１７図に光導電部材の製造装置の一例を示す・ 図中、１１０２〜１１０６で示すガスボンへには、本発
明の光導電部材を形成するための原料ガスが密封されて
おり、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈
されたＳ　ｉ　Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ
　ｉＨ４／　Ｈｅと略す、）ボンベ、１１０３はＨｅで
稀釈されたＧ　ｅ　Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、以
下ＧｅＨ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０４ｔ１Ｃ，
８手ガス（純度ｇｇ、９９％）ボンベ、１１０５はＨｅ
ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ２ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスポ
ンベ１１０２〜１１０６の７＜ルブ１１２２〜１１２６
、リークＩ（ルブ１１３５力呪閉じられていることを確
認し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ
１１１７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が
開かれていることを確認して、先ずメインバルブ１１３
４を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気す
る。次に真空計１１３６の読みが約５ＸＩＯＴｏｒｒに
なった時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バル
ブ１１７１〜１１２１を閉じる。

次に支持体としてのシリンダー状基体 １１３７上に光受容層を形成する場合の１例をあげると
、ガスボンベ１１０２からのＳ　ｉ　Ｈ４／Ｈｅガス、
ガスポンベ１１０３から）ＧｅＨ４／Ｈｅガス、ガスポ
ンベ１１０４からのＣ２Ｈ４ガスを、バルブ１１２２．
１１２３．１１２４を開いて出口圧ゲージ１１２７，１
１２８゜１１２９の圧力を１ｋｇ／ｃｒｎ”に調整し、
流入バルブ１１１２，１１１３．１１１４を徐々に開け
ることによって、マスフロコントローラ１１０７１１０
８．１１１０内に夫々流入させる。引き続いて流出バル
ブ１１１７，１１１８゜１１１９、補助バルブ１１３２
を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１内に流入さ
せる。

このとき＋７）　Ｓ　Ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガス流量とＧ　
ｅ　Ｈ４／Ｈｅガス流量とＣ２Ｈ◆ガス流量との比が所
望の値になるように流出バルブ１１１７，１１１８゜１
１１９を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の
値になるように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
バルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３７
の温度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の
範囲の温度に設定されていることを確認した後、電源１
１４０を所望の電力に設定して反応室 １１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ
設計された変化率曲線に従ってＧ　ｅ　Ｈ４／　Ｈｅガ
スおよび手動あるいは外部駆動モータ等の方法を適用し
てバルブ１１１８〜１１２０の開口を適宜変化させる操
作を行ってＣ，Ｈ，ガスの流量を調整し、もって形成さ
れる層中に含有されるゲルマニウム原子および炭素原子
の分布濃度Ｃ（Ｃ）を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）１０５を
形成する。所望層厚に第一の層領域（Ｇ）１０５が形成
された段階に於いて、流出バルブ１１１６を完全に閉じ
ると、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様
な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持するこ
とで第一の層領域（Ｇ）１０５Ｊ二にゲルマニウム原子
の実質的に含有されない第二の層領域（Ｓ）１０６を形
成することが出来る。

第一の層領域（Ｇ）１０５および第二の層領域（Ｓ）１
０６中に、伝導性を支配する物質（Ｄ）を含有させるに
は、第一の層領域（Ｇ）１０５および第二の層領域（Ｓ
）１０６の形成の際に例えばＢユＨ，、ＰＨ，等のガス
を堆積室ｉ　ｉｏｔ中に導入するガスに加えてやれば良
い。

かくして、基体１１３７上に第一の層（Ｉ）１０２が形
成される。

上記の様にして所望層厚に形成された第一の層（Ｉ）１
０２上に第二の層（ＩＩ）１０３を形成するには、第一
の層１０２’（Ｉ）の形成の際と同様なバルブ操作によ
って、例えばＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガスの夫々を必要に
応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して反応室１１０１内に
供給し、所望の条件に従って、グロー放電を生起させれ
ばよい。

第二の層（ＩＩ）１０３中にハロゲン原子を含有させる
には、例えばＳ　ｉＦ４ガスとＮＨ３ガス、或いはこれ
にＳ　ｉ　Ｈ；ガスを加えて上記と同様にして第二の層
（ＩＩ）１０３を形成すればよい。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出／＜ルブ以外
の流出バルブは全て閉じることは、言うまでもなく、又
夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反
応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から反
応室１ｉｏｔ内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助
バルブ１１３２．１１３３を開いてメインバルブ１１３
４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。

第二の層（ＩＩ）１０３中に含有される窒素原子の量は
例えば、グロー放電による場合はＳ　ｉ　Ｈ？ガガスよ
びＮＨ，ガスの反応室１ｔｏｉ内に導入される流量比を
所望に従って変えるか、或いは、スパッタリングで層形
成する場合には、ターゲットを形成する際シリコンウェ
ハと窒化シリコンウェハのスパッタ面積比率を変えるか
、又はシリコン粉末と窒化シリコン粉末の混合比率を変
えてターゲットを成型することによって所望に応じて制
御することが出来る。第二の層（１１）１０３中に含有
されるハロゲン原子の量は、ハロゲン原子導入用の原料
ガス、例えばＳ　ｉＦ４ガスが反応室１１０１内に導入
される際の流量を調整することによて成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましし）。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１７図に示した製造装置により、支持体としてのシリ
ンダー状のＡｎ基体上に第１表に示す条件で電子写真用
像形成部材としての試料（試料Ｎｏｔ　１−１−１７−
６　）を夫々作成した（第２表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
８図に、又、炭素原子の含有分布濃度は第１９図に示さ
れる。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置し
■５．ＯＫＶで０．３秒（ｓ　ｅ　ｃ）間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した。

光像はタングステンランプ光源を用い、２文ｕｘ＠ｓｅ
ｃの光量を透過型のテストチャートを通して照射させた
。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）によって試料（像形成部材）表面をカスケード
することによって、当該試料（像形成部材）表面上に良
好なトナー画像を得た。試料上のトナー画像を、■５．
ＯＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、いずれの
試料に於いても解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な
高濃度の画像が得られた。

上記に於いて、光源としてタングステンランプの代りに
８１０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（ｌｏｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、同様のトナー画像
形成条件にして、各試料に就いてトナー転写画像の画質
評価を行ったところ、いずれの試料の場合も、解像力に
優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた
。

実施例２ 第１７図に示した製造装置によりシリンダー状のＡｎ基
体、ｈに第３表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料Ｎｏ、　２１−１〜２７−８）をそれぞ
れ作成した（第４表）。

各試料におけるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
８図に、また、炭素原子の含有分布濃度は第１９図に示
される。

これ等の試料のそれぞれに就て、実施例１と同様の画像
評価テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のト
ナー転写画像を与えた。また、各試料に就で３８℃、８
０％ＲＨの環境において２０万回の繰り返し使用テスト
を行ったところ、いずれの試料も画像品質の低下は見ら
れなかった。

実施例３ 層（ＩＩ）１０３の作成条件を第５表に示す各条件にし
た以外は実施例１の試料陽、１１−１．１２−１．１３
−１と同様の条件と手順に従って電子写真用像形成部材
のそれぞれ（試料陽、１１−１．１〜１１−１−８．１
２−１−１〜１２−１−８．１３−１−１〜１３−１−
８の２４個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材のそれぞれを
個別に複写装置に設置し、各実施例に記載したのと同様
の条件によって、各実施例に対応した電子写真用像形成
部材のそれぞれについて、転写画像の総合画質評価と繰
り返し連続使用による耐久性の評価を行った。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰り返し連続使用
による耐久性の評価の結果を第６表に示す。

実施例４ 舜盲（ＩＩ　）１０３の形成ｐシリコンウェハおよびの
含有量比を変化させる以外は実施例１の試料Ｎｏ、　１
１−１と全く同様な方法によって像形成部材のそれぞれ
を作成した。こうして得られた像形成部材のそれぞれに
つき、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニン
グの工程を約５万回繰り返した後１画像評価を行ったと
ころ、第７表の如き結果を得た。

実施例５ 層（ＩＩ）１０３の形成時、Ｓｉ町ガスとＮＨ，ガスの
流が比を変えて、層（ＩＩ）１０３におけるシリコン原
子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１
の試料Ｎｏ、１２−１と全く同様な方法によって像形成
部材のそれぞれを作成した。

こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述５
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、
画像評価を行ったところ、第８表の如き結果を得た。

実施例６ 層（ＩＩ）１０３の層の形成時、５ＩＨ４ガス、Ｓ　ｉ
Ｆ４ガス、Ｎ　Ｈ，ガスの流量比を変えて、層（ＩＩ）
１０３におけるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１の試料１ｔ１．１３−１と全
く同様な方法によって像形成部材のそれぞれを作成した
。こうして得られた各像形成部材につき実施例１に述べ
た如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰り
返した後、画像評価を行ったところ第９表の如き結果を
得た。

実施例７ 層（ＩＩ）１０３の層厚を変える以外は、実施例１の試
料Ｎｂ、１１−１　と全く同様な方法によって像形成部
材のそれぞれを作成した。実施例１に述べた如き、作像
、現像、クリーニングの工程を繰り返し第１０表の結果
を得た。

第２表 第４表 第　１０表 以上の本発明の実施例に於ける層作成条件を以下に示す
。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・約２
００℃ ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層 ・・・約２５０℃ 放電周波数：１３．５６ＭＨ２ 反応時反応室内圧：０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導部材の層構成を説明する為の模
式的層構成図、第２図乃至第１０図は、夫々、第一のＷ
　（Ｉ）中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は炭素原子が含有される層領域の構
成図、第１２図乃至第１６図は、夫々、第一の層（Ｉ）
中の炭素原子の分布状態を説明するための説明図、第１
７図は、本発明で使用された装置の模式的説明図、第１
８図、第１９図は夫々未発［ＪＪの実施例における各原
子の含有分布濃度状態を示す分布状態図である。 １００・・・光導電部材、 １０１・・・支持体。 １０２・・・第一の層（１）、 １０３・・・第二の層（ＩＩ）、 １０４・・・光受容層。 第１図 Ｃ 第４図 Ｃ Ｃ Ｃ Ｃ（Ｃ） 第１５図 第１６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体、ならびにゲルマニウム原
   子を含む非晶質材料で構成され、前記支持体上に設けら
   れた第一の層領域（Ｇ）と、シリコン原子を含む非晶質
   材料で構成され、前記第一の層領域ＣＧ）上に設けられ
   た光導電性を示す第二の層領域（Ｓ）とを有する第一の
   層および該第−の層上に設けられ、シリコン原子と窒素
   原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層から成る
   光受容層を有し、前記第一の層は、炭素原子を含有する
   と共に、その層厚方向における炭素原子の分布濃度がそ
   れぞれＣ（１）　、Ｃ（３）およびＣ（２）なる第１の
   領域、第３の領域および第２の領域を前記支持体側から
   この順で有する事を特徴とする光導電部材（但し、前記
   分布濃度Ｃ（３）は単独では最大になることはなく、且
   つ前記分布濃度Ｃ（１）　、Ｃ（２）　、（３）のいず
   れか１つがＯになる場合は、他の２つは０ではなく且つ
   等しくはない）。 （２）第一の層領域（Ｇ）及び第二の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （３）第一の層領域（Ｇ）及び第二の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有されている
   特許請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光導電部材
   。 （４）第一の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が、不均一である特許請求の範囲第１項に記
   載の光導電部材。 （５）第一の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が、均一である特許請求のされている特許請
   求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （７）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材。 （８）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材。