JPS60140257A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等−を示す）の様な電磁波に
感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉ　ｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電部材に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓｉと表記す）があ
り１例えば、秒間公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
秒間公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−３ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性。

及び耐湿性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性
の点において、総合的な特性向上を図る必要があるとい
う更に改良される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現像を発する様になる或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−Ｓｔは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて。

通常使用されているハロゲンランプや　光灯な光源とす
る場合、長波長側の光を有効に使用し得ていないという
点に於いて、夫々改良される余地が残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には。

光導電層内に於いて多重反射による干渉が起って、画像
の「ポケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−３ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために　素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性に問題が生ずる場合がある°。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には１層厚が十数ｐ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起こる等、経時的安定性の
点に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−３ｔ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−５ｔに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを母体とし、水素原子又
はハロゲン原子のいずれか一方を少なくとも含有するア
モルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコンゲル
マニウム、ハロゲン化アモルファスシリコンゲルマニウ
ム、或いはハロゲン含有水素化アモルファスシリコンゲ
ルマニウム〔以後これ等の総称的表記としてｒ　ａ−５
ｉ（ｉｅ（Ｈ、Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光導
電性を示す光受容層を有する光導電部材の構成を以後に
説明される様な特定化の下に設計されて作成された光導
電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、
従来の晃導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌
駕していること、殊に電子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していること及び長波長側に於ける
吸収スペクトル特性に優れていることを見出した点に本
発明は基づいている・ 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の他の目的は全可視光域に於いて光感度が高く、
殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答の
速い光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、支持体上に設けられる層と
支持体との間や積層される層の各層間に於ける密着性に
優れ、構造配列的にち密で安定的であり、層品質の高い
光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、電子写真用の像形成部材と
して適用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に
適用され得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の
電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性
の低下が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有す
る光導電部材を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、濃度が高く。

ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る車が容易に出来る電子写真用の光導電部材を提
供することである。

本発明のさらに他の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性
及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、ゲル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成され前記支持体上
に設けられた第一の層領域（Ｇ）、およびシリコン原子
を含む非晶質材料で構成され前記第一の層領域（Ｇ）上
に設けられた光導電性を示す第二の層領域（Ｓ）を有す
る第一の層ならびに該第−の層上に設けられシリコン原
子と窒素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層
から成る光受容層とを有し、前記第一の層には、炭素原
子が含有され、当該炭素原子の層厚方向における濃度分
布は滑らかで、且つ炭素原子の最大分布濃度は、当該第
一の層の内部にある事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、本発明の光導電部材は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合には、画像形成への残留電位の影響
が全くなく、その電気的特性が安定しており高感度で高
ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰返し使用特
性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且
つ解像度の高い、高品質の画像を安定して繰返し得るこ
とができる。

又、本発明の光導電部材は、支持体上に形成される光受
容層が層自体強靭であって、且つ支持体との密着性に著
しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用する
ことができる。

更に１本発明の光導電部材は、全可視光波に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就で詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するための模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１と、該支持体１０１上に設けられた第一
の層（Ｉ）１０２と、第一の層（Ｉ）１０２上に設けら
れた第二の層（Ｉ［）１０３とを有する。第一の層（１
）１０２と第２の層（ｌ［）１０３とによって光受容層
１０４を構成する。

第一の層（１）１０２は、ゲルマニウム原子と、必要に
応じて、シリコン原子、水素原子、ハロゲン原子の中の
少なくとも１つとを含む非晶質材料（以後ｒａ−Ｇｅ　
（Ｓｉ、Ｈ，Ｘ）Ｊと記す）で構成され、支持体上に設
けられた第一の層領域（Ｇ）１０５と、シリコン原子と
、必要に応じて、水素、原子およびハロゲン原子の少な
くとも１つを含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉ（Ｈ、Ｘ
）Ｊと記す）で構成され、第一の層領域（Ｇ）１０５上
に設けられた、光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）１０
６とを有する。

ゲルマニウム原子は、第一の層領域（Ｇ）１０５中に万
遍無く均一に分布する様に第一の層領域（Ｇ）１０５中
に含有されても良いし、或いは層厚方向には万遍なく含
有されてはいるが分布濃度は不均一であっても良い。丙
午ら、いずれの場合にも第一の層領域（Ｇ）１０５中に
おいては、支持体の表面と平行な面内方向に関して、ゲ
ルマニウム原子は、均一な分布で万遍無く含有されるの
がその面内方向に於ける特性の均一化を計る点から必要
である。

殊に、第一の層（Ｉ）１０２の層厚方向には万遍無く含
有されていて、且つ前記支持体１０１の設けられである
側とは反対の側（光受容層１０４の自由表面１０７側）
の方に対して前記支持体ｌｏｔ側（光受容層と支持体１
０１との界面側）の方に多く分布した状態となる様にす
るか、或いはこの逆の分布状態となる様に前記第一の層
領域（Ｇ）１０５中にゲルマニウム原子は含有される。

本発明の光導電部材においては、前記した様に第一の層
領域（Ｇ）１０５中に含有されるゲルマニウム原子の分
布状態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態を
取り、支持１０１の表面と平行な面内方向には、均一な
分布状態とされるのが望ましい。

本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）　１０５上に設
けられる第二の層領域（Ｓ）１０６中には、ゲルマニウ
ム原子は含有されておらず、この様な層構造に第一の層
（１）１０２を形成することによって、可視光領域を含
む、比較的短長波から比較的短波長迄の全領域の波長の
光に対して光感度が優れている光導電部材を得ることが
できる。

又、好ましい実施態様の１つに於いては、第一の層領域
（Ｇ）１０５中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は
その全層領域にゲルマニウム原子が連続的に万遍無く分
布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持
体１０１側から第二の層領域（Ｓ）１０６に向って減少
する変化が与えられているので、第一の層領域（Ｇ）１
０５と第二の層領域（Ｓ）１０６との間に於ける親和性
に優れ、且つ後述する様に支持体１０１側端部に於いて
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくすること
により、半導体レーザー等を使用した場合の、第二の層
領域（Ｓ）１０６では殆んど吸収し切れない長波長側の
光を第一の層領域（Ｇ）１０５に於いて、実質的に完全
に吸収することか出来、支持体１０１面からの反則によ
る干渉を防１トすることが出来る９ 第２図乃至第１０図には第一の層領域（Ｇ）１０５中に
含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態が不
均一な場合の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図においては、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す第一の層領域
（Ｇ）１０５の層厚を示し、ｔｇは支持体１０１側の第
一の層領域（Ｇ）　１０５の表面の位置を、ｔＴは支持
体側とは反対側の第一の層領域（Ｇ）１０５の表面の位
置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される第一の
層領域（Ｇ）１０５はｔ、側から１Ｔ側に向って層形成
がなされる。

第２図には、第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有される
ゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型イ
列が示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層領域（Ｇ）１０５か形成される表面と支持体
ｌＯ１の表面とが接する界面位置らからｔｌの位置まで
は、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の値
を取り乍ら第一の層（Ｉ）に含有され、位置り、から界
面位置１丁に至るまで分布濃度は、Ｃ２より徐々に連続
的に減少されている。界面位置しＴにおいてはゲルマニ
ウム原子の分布濃度ＣはＣうとされる。

第３図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ）１
０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位Ｒ
ｔＢより位置叶に至るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的に
減少して位置上〇において濃度ＣＧとなる様な分布状態
□を形成している。

第４図の場合には、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置
ｔ２までは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ２と位置を
丁との間において、徐々に連続的に減少され、位置を丁
において、分布濃度Ｃは実質的に零とされている（ここ
で実質的に零とは検出限界量未満の場合である）。

第５図の場合には、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置妬より位置ｔ
τに至るまで、濃度Ｃδより連続的に徐々に減少され、
位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、第１の層領域（Ｇ）１０５
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、位置ｔ
βと位ｉｔう間においては、１農度Ｃ９と一定１１ハで
あり、位置を丁においてはＩ農度Ｃ５゜される。位置ｔ
、と位置ｔ１との間では、分ｉａ濃度Ｃは一理関数的に
位置ｔ５より位置を丁に至るまで減少されている。

ｉｐ；７図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ
）１０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔ、より位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り
、位置し４より位置１丁までは濃度Ｃｄより濃度ＣＩ５
まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、第１の層領域（Ｇ）１０５
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔＴに至るまで、濃度ＣＩ４より実質的に零に
至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、第１の層領域（Ｇ）１０５に含有さ
れるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、位Ｈｔｓより位
置話に至るまでは濃度Ｃａｔより濃度Ｃ１ｂまで一次関
数的に減少され、位Ｍｔチと位ｖｉｔ丁との間において
は、濃度Ｑ＆の一定値とされた例が示されている。

第１０図に示される例においては、第１の層領域（Ｇ）
１０５に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔ、において濃度ＣＩ、であり、位置ｔｂに至るまで
はこの濃度ｃ１７より初めはゆっくりと減少され、ｔ６
の位置付近においては、急激に減少されて位置ｔ６では
濃度（４とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ，ｑとなり、位置坪と位置ｔ８との間では、極め
てゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、濃度
Ｃ―こ至る。位置ｔδと位置１丁の間においては、濃度
ＣＪＯＪ：り実質的に零になる様に図に示す如き形状の
曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第一の層領域（Ｇ）
！０５中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明におい
ては、支持体１０１側において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面１Ｔ側において、前記
分布濃度Ｃが支持体１０１側に較べて可成り低くされた
部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第一の層領
域（Ｇ）１０５に設けられている場合が、好適な例の１
つとして拳げられる。

本発明に於ける光導電部材を構成する第一の層領域（Ｇ
）１０５は、好ましくは上記した様に支持体１０１側の
方か又はこれとは逆に自由表面１０５側の方にゲルマニ
ウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ
）を有するのが望ましい。

例えば、局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置ｔより層厚方向に５
ル以内に設けられるのが望ましい。

上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔより５１Ｌ厚までの
層領域（Ｌ）の全部とされる場合もあるし、又、層領域
（Ｌ　）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される第一の層領域（Ｇ）１０５に要
求される特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）は、その中の含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布
濃度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和に対して、
好ましくは！’０００原子ｐｐｍ以上、より好適には５
０００原子ｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ０原子ｐｐｍ以
上とされる様な分布状態となり得る様に層形成されるの
が望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層領域（Ｇ）１０５は、支持体１０１側からの
層厚で５延以内（ｔｅから５＃Ｌ厚の層領域）に分布濃
度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成されるのが好ま
しい。

本発明において、第一の層領域（Ｇ）１０５中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的
が効果的に達成される様に所望に従って適宜法められる
が、シリコン原子との和に対して、好ましくは１−ｔｏ
ｘｉｏ原子ｐｐｍより好ましくは１００〜９−５　Ｘ　
１０’原子ｐｐｍ　、最適には、５００〜８Ｘ１♂原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。

第一の層領域（Ｇ）１０５中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に
分布１７、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが
支持体１０１側から光受容層１０４の自由表面１０７側
に向って、減少する変化が与えられているか、又はこの
逆の変化が与えられている場合には、分布濃度Ｃの変化
率曲線を所望に従って任意に設計することによって、要
求される特性を持った第一の層領域（Ｇ）１０５を所望
通りに実現することが出来る。

例えば、第一の層領域（Ｇ）１０５中に於けるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを支持体１０１側に於いては、充
分高め、光受容層１０４の自由表面１０７側に於いては
、極力紙める様な、分布濃度Ｃの変化を、ゲルマニウム
原子の分布濃度曲線に与えることによって、可視光領域
を含む、比較的短波長から比較的短波長迄の全望域の波
長の光に対して高光感度化を図ることが出来ると共に、
レーザ光等の可干渉光に対しての干渉防止を効果的に計
ることが出来る。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚と第２
の層領域（Ｓ）’１０６の層厚とは、本発明の目的を効
果的に達成させる為の重要な因子の１つであるので形成
される光導電部材に所望の特性が充分与えられる様に、
光導電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必要が
ある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚Ｔ、
は、好ましくは３０Ａ〜５０ＩＬ、より好ましくは４０
人〜４０弘、最適には５０人〜３０−とされるのが望ま
しい。

又、第２の層領域（Ｓ）１０６の層厚Ｔは、好ましくは
、０．５〜９０ｇ、より好ましくは１〜８０用、最適に
は２〜５０ルとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）１０５の層厚Ｔｂと第２の層領域（
Ｓ）１０６の層厚Ｔの和（Ｔ、十Ｔ）は、両層領域に要
求される特性と光受容層全体に要求される特性との相互
間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に
所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（Ｔａ＋Ｔ）の
数値範囲は、好ましくは１〜１００＃Ｌ、より好適には
１〜８０＃Ｌ、最適には２〜５０ｇとされるのが望まし
い。

本発明のより好、ましい実施態様に於いては上記の層厚
ＴＢ及び層厚Ｔは、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１なる関係を
満足するように、夫々に対して適宜適切な数値が選択さ
れるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数（ｆ４の選
択に於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９、最適
にはＴ　Ｂ　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に
層厚Ｔｓ及び層厚Ｔの値が決定されるのか望ましいもの
である。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）１０５中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量がｌＸｌ０原子ｐｐｍ以
上の場合には、第１の層領域（Ｇ）ｉ、ｏ５の層厚Ｔｓ
は、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０Ｉ
Ｌ以下、より好ましくは２５に以下、最適には２０終以
下とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、第一の層（Ｉ）１０２中には、炭素原
子が含有される層領域（Ｃ）が設けられる。炭素原子は
、第一の層（Ｉ）１０２の全層領域に万遍なく含有され
ても良いし、或いは、第一の層（１）１０２の一部の層
領域のみに含有させて遍在させても良い。

本発明に於いて、層領域（Ｃ）に於ける炭素原子の分布
状態は分２Ｉ７　ｔｋ度Ｃ（Ｃ）が、支持体１０１の表
面と平行な面内方向に於いては均一であるが、層厚方向
に於いては不均一である。

第１１図に示される例では、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は、支持体側の第一層１０２の表面位置１Ｂより位置
ｔｑまでの層領域に於いては濃度Ｃ７１とされ、位Ｒｔ
ｑから位置ｔ１６までの層領域に於いては、位置ｔｑか
ら位ｖｔｏｏまで急激に増加し、位置ｊｕ）で分布濃度
のピーク値Ｃノ２となる。位置ｔｏｏから位置ＥＩ＋ま
での層領域に於いては炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は位
置ｔ１１へ近づくにつれて急激に減少し、支持体ｌｏｔ
とは反対側の第一層１０２の表面位置り丁で濃度Ｃ２１
となる。

第１２図の示される例では、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は、位置ｔＢから位置ｔ１２までの層領域では濃度Ｃ
Ｂとされ位置ｔ＋ｚから位置ｔＩ８までの層領域では位
置ｔ＋２より位Ｗｔ１５まで急激に増加し、位置ｔ、う
で分布濃度のピーク値Ｃ４とり位置ｂ５から位置を丁ま
での層領域では位置を丁へ近づくにつれてほぼ零になる
まで減少する。

第１３図に示される例では、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は、位置ｔＢから位置ｔ４までの層領域ではＣｚｂか
らＣｈｉでゆるやかに増加し、位置計４で分布濃度のピ
ーク値Ｃｍとなり、位置ｔｅ４から位置を丁までの層領
域では位置を丁へ近づくにつれて急激に減少し、位置を
丁では濃度Ｃｓとなる。

第１４図に示される例では、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ
）は、位置ｔ８で濃度Ｃｚヤ、位置ｔ８から位置ｔ１５
に近づくにつれて減少し位置ｔＩ９で濃度Ｃ２８となる
。位置ｔ１９から位置ｔｌｂまでの層領域では、炭素原
子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は濃度Ｃ２ぐ一定である。位置ｔ
ＩＬから位置ｔ１丁までの層領域に於いては炭素原子の
分布濃度は増加し匂い０、位置画布濃度Ｃ（Ｃ）はピー
ク値Ｃ〜をとる。

位置ｔ１７から位置時までの層領域に於いては炭素原子
の分布濃度Ｃ（Ｃ）は減少し位置を丁で濃度Ｃ埒となる
。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）’１０２に設けられる
炭素原子の含有されている層領域（Ｃ）は、光態度と暗
抵抗の向上を主たる目的とする場合には、第一の層（Ｉ
）１０２の全層領域を占める様に設けられ、光受容層の
自由表面からの電荷の注入を防止するためには、自由表
面側の界面近傍を占める様に設けられ、支持体と光受容
層との間の密着性の強化を図るのを主たる゛目的とする
場合には、第一の層（Ｉ’）１０２の支持体側端部層領
域（Ｅ）を占める様に設けられる。

上記の第１の目的の場合、層領域（Ｃ）中に含有される
炭素原子の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少
なくされ、上記第２の目的の場合光受容層の自由表面か
らの電荷の注入を防ぐために比較的多くされ、上記第３
の目的の場合には、支持体との密着性の強化を確実に図
る為に比較的多くされるのが９ましい。

又、上記王者を同時に達成する目的の為には、支持体側
に於いて比較的高濃度に分布させ、中央に於いて比較的
低濃度に分布させ、自由表面側の界面層領域には、炭素
原子をより多くした様な炭素原子の分布状態を層領域（
Ｃ）中に形成すれば良い。

自由表面からの電荷の注入を防止するためには、自由表
面側で炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ，）を多くした層領域
（Ｇ）を形成するのが望ましい。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）２０２に設けられる炭
素原子を含有する層領域（Ｃ）における炭素原子の含有
量は、層領域（Ｃ）自体に要求される特性、或いは該層
領域（Ｃ）が支持体１０１に直に接触して設けられる場
合には、該支持体１０１との接触界面に於ける特性との
関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが出
来る。

又、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域か設け
られる場合には、核化の層領域の特性や核化の層領域と
の接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭素原
子の含有量が適宜選択される。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜決められるが、シリコン原子とゲルマニウム原子と炭
素原子との和（以後ｒＴ（ＳｉＧｅＣ）と記す）に対し
て」好ましくは、０．００１〜５０原子％、より好まし
くは０．００２〜４０原子％、最適には、０．００３〜
３０原子％とされるのが望ましい。

本発明に於いて１層領域（Ｃ）が第一の層（Ｉ）１０２
の全域を占めるか、或いは、第一の層（Ｉ）１０２の全
域を占めなくとも、層領域（Ｃ）の層厚Ｔｏの第一の層
（Ｉ）１０２の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には
、層領域（Ｃ）に含有される炭素原子の含有量の上限は
、前記の値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明においては１層領域（Ｃ）の層厚ＴＯが第一の層
（Ｉ）１０２の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以
上となる様な場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭
素原子の量の上限としては、Ｔ（ＳｉＧｅＣ）に対して
好ましくは、３０原子％以下、より好ましくは、２０原
子％以下、最適には１０原子％以下とされるのが望まし
い。

本発明において、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）は
、−上記した様に支持体ｌｏｔ側又は／及び第二の層（
、［）１０３側の近傍に炭素原子が比較的高嬌度で含有
されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設けられ
るのが望ましく、この場合には、支持体１０１と第一の
層（Ｉ）１０２との間の密着性をより一層向上させるこ
と及び受容電位を向上させることが出来る」１記局在領
域（Ｂ）は、第一の層（Ｉ）１０２の支持体ｌｏｔ側お
よび第二の層（Ｉ［）１０３側の表面から５ｐ以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、第一の層（
Ｉ）１０２の、支持体１０１からまたは第二の層（Ｉ）
１０３側の表面から５ル厚までの層領域（ＬＴ）の全部
とされる場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とさ
れる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層１０４に要求される
特性に従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）は、その中に含有される炭素原子の層厚
方向の分布状態として炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の最
大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００原子ｐｐｍ以上、よ
り好ましくは８００原子ｐｐｍ以上、最適には１０００
原子ｐｐＩ１１以上とされる様な分布状態となり得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、第一の層（Ｉ）１０２中の、
炭素原子の含有される層領域（Ｃ）は、支持体１０１側
または第二の層（Ｎ　）１０３の表面からの層厚で５Ｉ
ｉ、以内に分布濃度の最大（ｉｃｍａｘが存在する様に
形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて第一の層（Ｉ）１０２に
含有されるハロゲン原子としては、具体的にはフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第一の層領坊（Ｇ）１０５又は／及びゲルマニ
ウム原子の含有されない第二の層領域（Ｓ）ｌＯ６には
、伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有させることによ
り、当該層領域（Ｇ）又は／及び層領域（Ｓ）の伝導特
性を所望に従って任意に制御することが出来る。本発明
においては、伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有され
る層領域（ＰＮ）は、第一の層（１）１０２の一部又は
全部に設けてもよい。又は、層領域（ＰＮ）は、層領域
（Ｇ）または（Ｓ）の一部又は全部に設けてもよい。

この様な伝導特性を支配する物質（Ｄ）としては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、本
発明に於いては、シリコン原子またはゲルマニウム原子
に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。具体
的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属する原
子（第■族原子）、例えば、石ｌｌＩ素（Ｂ）、アルミ
ニウム（ＡＭ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ
）、タリウム（Ｔｕ）等があり、殊に好適に用いてれる
のは、Ｂ、Ｇａである。また、ｎ型不純物としては、周
期律表第　族に属する原子（第　族原子）、例えば、燐
（Ｐ）、秋、素（Ａｓ）、アンチモン（ｓｂ）’、ビス
マス（Ｂｉ）等であり、殊に、好適に用いられるのは、
Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２中に含有される
伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量は、該第−の層
（Ｉ）１０２に要求される伝導特性、或いは該第−の層
（Ｉ）１０２が直に接触して設けられる支持体１０１と
の接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於
いて、適宜選択することが出来る。

又、前記の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を第一の層（
Ｉ）１０２中に含有させるのに、該第−の層（Ｉ）１０
２の所望される層領域に局在的に含有させる場合、殊に
、第一の層（Ｉ）１０２の支持体側端部層領域に含有さ
せる場合には、該層領域に直に接触して設けられる他の
層領域の特性や、核化の層領域との接触界面に於ける特
性との関係も考慮されて、伝導特性を支配する物質（Ｄ
）の含有量が適宜選択される。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２中に含有される
伝導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量としては、好ま
しくは、０．０１〜５×ｌ〇−子ｐｐｍ　、より好適に
は０．５〜１×ｌＯ４原子ｐｐｍ　、最適には１〜５Ｘ
ｌＯ原子ｐｐ＋ｎとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｄ）が含有
される層領域（ＦＮ）に於ける該物質（Ｄ）の含有量が
、好ましくは３０原子ｐｐｍ以上、より好適には５０原
子ｐｐａ＋以上、最適には、１００原子ＰＰＩ以上の場
合には、前記伝導特性を支配する物質（Ｄ）は、第一の
層（Ｉ）１０２の一部の層領域に局所的に含有させるの
が望ましく、殊に第一の層（Ｉ）１０２の支持体側端部
層領域（Ｅ）に偏在させるのが望ましい。

一上記の中、第一の層（Ｉ）１０２の支持体側端部層領
域（Ｅ）に前記の数値以上の含有量となる様に前記伝導
特性を支配する物質（Ｄ）を含有させることによって、
例えば当該物質（Ｄ）が前記のｐ型不純物の場合には、
光受容層１０４の自由表面１０７がｅ極性に帯電処理を
受けた際に支持体１０１側から光受容層１０４中へ注入
される電子の移動を効果的に阻止することが出来、又、
前記伝導特性を支配する物質が前記のｎ型不純物の場合
には、光受容層１０４の自由表面１０７がｅ極性に帯電
処理を受けた際に、支持体１０１側から光受容層１０４
中へ注入される正孔の移動を効果的に阻１１−すること
が出来る。

この様に、前記支持体側端部層領域（Ｅ）に一方の極性
の伝導特性を支配する物質（Ｄ）を含有させる場合には
、第一の層（Ｉ）１０２の残りの層領域、即ち、前記支
持体側端部層領域（Ｅ）を除いた部分の層領域（Ｚ）に
は、他の極性の伝導特性を支配する物質を含有させても
良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する物質を、
支持体側端部層領域（Ｅ）に含有される実際の量よりも
一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｄ）の含有量としては、支持体
側端部層領域（Ｅ）に含有される前記物質の極性や含有
量に応じて所ψに従って適宜決定されるものであるが、
好ましくは、０．００１〜１０００原子ｐｐｍ　、より
好適には０．０５〜５００原子ｐｐｍ最適に−は０．１
〜２００原子ｐｐ＋ｎとされるのが望ましい。

本発明に於いて、支持体側端部層領域（Ｅ）及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合
には、当該物質の層領域（Ｚ）に於ける含有量としては
、好ましくば、３０原子ｐｐｎ＋以下とするのが望まし
い。上記した場合の他に、本発明に於いては、第一の層
（Ｉ）１０２中に、一方の極性を有する伝導性を支配す
る物質を含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導
性を支配する物質を含有させた層領域とを直に接触する
様に設けて、該接触層領域に所謂空乏層を設けることも
出来る。詰り、例えば、第一の層（Ｉ）１０２中に、前
記のｐ型不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を
含有する層領域とを直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ
接合を形成して、空乏層を設けることが出来る。

本発明において、ａ−Ｇｅ　（Ｓ　ｉ　、　Ｈ、Ｘ）で
構成される第一の層領域（Ｇ）１０５は、例えば、グロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって形成
される。例えば、グロー放電法によッテ、ａ　−Ｇｅ（
Ｓｉ　、　Ｈ’　、　Ｘ）で構成される第一の層領域（
Ｇ）１０５を形成するには、基本的にはゲルマニウム原
子を供給し得るゲルマニウム原子供給用の原料ガスと必
要に応じて、シリコン原子を供給し得るシリコン原子供
給用の原料ガス、水素原子導入用の原料ガス又は／及び
ハロゲン原子導入用の原料ガスとを、内部を減圧し得る
堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設頻されである
、所定の支持体表面上にａ−Ｇｅ（Ｓ　ｉ　、　Ｈ、Ｘ
）からなる層を形成すれば良い。又、ゲルマニウム原子
を不均一な分布状態で第一の層領域（Ｇ）１０５中に含
有させるにはゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化
率曲線に従って制御し乍らａ−Ｑｅ　（Ｓｉ　、Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法においては、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコ
ン原子で構成されたターゲ−，）、或いは、該ターゲッ
トとゲルマニウム原子で構成されたターゲットの二枚を
使用して、又は、シリコン原子とゲルマニウム原子の混
合されたターゲットを使用して、必要に応じて、Ｈｅ、
Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたゲルマニウム原子供給用
の原料ガス又、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子導入用のガスをスノ＜　＋７タリング用の堆積室
に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によって第一の層領域（Ｇ）１０５を形成する。このス
パッタリング法において、ゲルマニウム原子の分布を不
均一にする場合には、前記ゲルマニウム原子供給用の原
料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御し乍
ら、前記のターゲットをスパッタリングしてやれば良い
。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々へ発源として蒸着ポートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（”ＥＢ法）等によって加熱九発させ、飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は
、スパッタリング法の場合と同様にすることによって第
一の層領域、（Ｇ）１０５を形成することができる。

本発明において使用されるシリコン原子供給用の原料ガ
スと成り得る物質としては、Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｓ　ｉ、２
Ｈ６、Ｓ　１５ＨＢ、Ｓ　１４ＨＩｏ等のガス状態の又
はガス化し得る水素化榛素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い
易さ、シリコン原子供給効率の良さ等の点でＳ　ｉ　Ｈ
４，５ｉ２Ｈｂ、が好ましいものとして挙げられる。

ゲルマニウム原子供給用の原料ガスと成り得る物質とし
ては、、　Ｇ　ｅ　Ｈ４、Ｇ　ｅ２Ｈ＆、Ｇ　ｅ５Ｈ６
、Ｇｅ４ＨＩｏ、Ｇｅ５ＨＩｚ、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇ　ｅ
７Ｈ，ｈ、　Ｇ　ｅｔ５ＨＩｅ。

Ｇ　ｅ４Ｈ済のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲル
マニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業時の取扱い易さ、ゲルマニウム原子供給効
率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇ　ｅｚＨ６、ＧｅヲＨ
ｐが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子を
含む水素化　素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣｕＦ、ＣＩ　Ｆ、、Ｂ　ｒ　Ｆ、、
Ｂ　ｒ　Ｆ５、Ｉ　Ｆ、、ＩＦ７、ＩＣｕ、ＩＢｒ等の
ハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む線素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば５
ｉ７Ｆ４、Ｓｉ２Ｆ６、Ｓｉ０文。、Ｓ　ｉ　Ｂ　ｒ４
等のハロゲン化石！Ｌ素が好ましいものとして挙げるこ
とが出来る。

この様なハロゲン原子を含む狐素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、ゲルマニウム原子供給用の原料ガスと共に
シリコン原子を供給し得る原料ガスとしての水素化Ｅ１
素ガスを使用しなくとも、所望の支持体１０１上にハロ
ゲン原子を含むａ−３ｉＧｅから成る第一の層領域（Ｇ
）１０５を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一の層領
域（Ｇ）１０５を製造する場合、基本的には、例えばシ
リコン原子供給用の原料ガスとなるハロゲン化社素とゲ
ルマニウム原子供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニ
ウムとＡｒ、Ｈ，Ｈｅ等のガス等とを所定の混合比およ
びガス流量になる様にして第一の層領域（Ｇ）１０５を
形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等
のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、所望
の支持体ｌＯ１上に第一の層領域（Ｇ）１０５を形成し
得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容
易になる様に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形
成しても良い。

ヌ、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複敬種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される第一の層領域（Ｇ）１０５中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記
のハロゲン、原子を含む　素化合物のガスを堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良い
ものである。

又、第一の層領域（Ｇ）１０５中に水素原子を導入する
場合には、水素原子導入用の原料ガス、例えは、Ｈ１或
いは前記したシラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等
のガス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原ネ４ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む砒
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他にＨＦ、Ｈｅ文、ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水
素、Ｓ　１ＨＪ２、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｉ２、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｃ
文２．５ｉＨＣ幻、Ｓ　ｒ　Ｈ２Ｂ　ｒ２、Ｓ　ｉ　Ｈ
Ｂ　ｒ５等ノハロゲン置換水素化破素、及びＧ　ｅ　Ｈ
Ｆ３、Ｇ　ｅ　Ｈ２Ｐ２．　Ｇ　ｅ　Ｈ３Ｐ、Ｇ　ｅ　
ＨＣＪｌｊ３、Ｇ　ｅ　Ｈ２Ｃ１４、Ｇ　ｅ　Ｈ５Ｃｆ
Ｌ、Ｇ　ｅ　ＨＢ　ｒｙ、Ｇ　ｅ　ＨＵＢ　ｒｘ、Ｇ　
ｅ　ＨＵＢ　ｒ、Ｇ　ｅ　ＨＩ３、Ｇ　ｅ　Ｈ２Ｉ２、
Ｇ　ｅ　Ｈ５Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の
水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、Ｇ　ｅ
　Ｆ４、Ｇ　ｅ　Ｃ１４、Ｇ　ｅ　Ｂ　ｒ４、Ｇ　ｅ　
Ｉ４、Ｇ　ｅ　Ｆ４、Ｇ　ｅ　Ｃ１２、Ｇ　ｅ　Ｂ　ｒ
２、ＧｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス
状態の或いはガス化し得る物質も有効な第一の層領域（
Ｇ）１０５形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
一の層領域（Ｇ）１０５形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて
有効な水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の層領域（Ｇ）１０５中に構造的に導入
するには、上記の他にＨＡ、或いはＳ　ｉ　Ｈ４，Ｓ　
１ｘｋｂ、　Ｓ　１５ＨＪ、　Ｓ　１４Ｈ１涜の水素化
硅素をゲルマニウム原子を供給する為のゲルマニウム又
はゲルマニウム化合物と、或いは、ＧｅＨ４、Ｇ　ｅ２
Ｈ１、Ｇ　ｅ３ＨＢ、　Ｇ　ｅ４Ｈ１６、Ｇ　Ｏ９）（
１５、Ｇ　ｅ４Ｈ４Ｇ　ｅ７Ｈ１ｂ、Ｇｅ５ＨＩａ、Ｇ
ｅ４Ｈ２ｐｆｉの水素化ゲルマニウムとシリコン原子を
供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室
中に共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る
。

本発明の好ましい例において、形成される第一の層領域
（Ｇ）１０５中に含有される水素原子の量、又はハロゲ
ン原子の量、又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は、好ましくは、０．０１〜４０原子％、より好
適には０．０５〜３０原子％、最適にはｏ、ｉ〜２５原
子％とされるのが望ましい。

第一の層領域（Ｇ）、　ｉ　０５中に含有される水素原
子又は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子、或いはハロゲン原子を
含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導
入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）１０６は、前記した第１の層領域（Ｇ）
１０５形成用の出発物質（Ｉ）の中より、ゲルマニウム
原子供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層領域（Ｓ）１０６形成用の出発物質（１）〕
を使用して、第１の層領域（ｓ）ｉ。

６形成する場合と、同様の方法と条件に従って形成する
車が出来る。

即ち、本発明において、ａ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第２の層領域（Ｓ）１０５は例えばグロー放゛屯法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって形成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の層領域（Ｓ）１０６を形成するには、
基本的には前記したシリコン原子を供給し得るシリコン
原子供給用の原料ガスと共に、必、要に応じて水素原子
導入用の又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、
内部を敏圧し得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合
には、例えばＡｒ　、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコン原子
で構成されたターゲットをスパッタリングする際、水素
原子ヌは／及びハロゲン原子導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入しておけば良い。本発明に於いて
、形成される第２の層領域（Ｓ）１０６中に含有される
水素原子の量、又はハロゲン原子の都、又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４
０原子％、より好適には５〜３０原子％、最適には５〜
２５原子％とされるのか望ましい。

本発明において、第一の層（Ｉ）１０．２に炭素原子の
含有された層領域（Ｃ）を設けるには、第一の層１０．
２の形成の際に炭素原子導入用の出発物質を前記した第
一の層（１）ｌＯ２形成用の出発物質と共に使用して、
形成される層中にその量を制御しながら含有してやれば
良い。

層領域（Ｃ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の層（Ｉ）１０２形成用の出発物質
の中から所望に従って選択されたものに炭素原子導入用
の出発物質が加えられる。

そのような炭素原子導入用の出発物質としては、少なく
とも炭素原子を構成原子とするガス状の物質またはガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用
され得る。

例えばシリコン原子を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原
子またはおよびハロゲン原子を構成原子とする原料ガス
とを所望の混合比で混合して使用するか、または、シリ
コン原子を構成原子とする原料ガスと、炭素原子および
水素原子を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所
ψの混合比で混合するか、あるいはシリコン原子を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子、炭素原子および
水素原子の３つを構成原子とする原料ガスとな混合して
使用することができる。

また、別には、シリコン原子と水素原子とを構成原子と
する原料ガスに、炭素原子を構成原子とする原料ガスを
混合して使用しても良い。

炭素原子導入用の原料ガスとして有効なものとしては、
炭素原子と水素原子とを構成原子とする、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭素
数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ，）
、エタンＣＣｘル）、プロパン（Ｃ５Ｈδ）。

ｎ−ブタｙ　（ｎ　−Ｃ４Ｈ１１１）　＋ペンタン（Ｃ
ｓＨ＋ｄ　、　ｘチレン系炭化水素としては、エチレン
（Ｃ２＆）　。

プロピレン（Ｃ９Ｈθ）、ブテン−１（Ｃ４Ｈω　、ブ
テン−２（Ｃ４Ｈ，３）インブチレン（Ｃ４Ｈ６）　、
ペンテン（Ｃ，Ｈ，、）　、アセチレン系炭化水素とし
ては、アセチレン（ｃ２ａｇ）　、メチルアセチレン（
Ｃ５Ｈ４）　、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

これ等の他にシリコン原子と炭素原子と水素原子とを構
成原子とする原料ガスとして、５ｉ（ＣＨ５）４　、Ｓ
ｉ　（ＣｚＨｓ）４等のケイ化アルキルを挙げることが
できる。

本発明においては、層領域（Ｃ）中には炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、炭素原子に加えて、更
に酸素原子または／および窒素原子を含有することがで
きる。

酸素原子を層領域（Ｃ）に導入するための酸素二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０う）。

四と酸化窒素（ｈｈｏ今）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ２）
、三酸化窒素（ＮＯ５）’、シリコン原子と酸素原子と
水素原子とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（
Ｈ，Ｓ　ｉ　Ｏ３１Ｈ５）　、　トリシロキサン（Ｈ５
Ｓ　ｉ　ＯＳ　ｉ　Ｈ２０Ｓ　ｉ　Ｈ５）等の低級シロ
キサン等を挙げることができる。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子導入用
の原料ガスに成り得るものとして有効に使用される出発
物質は、窒素原子を構成原子とするあるいは窒素原子と
水素原子とを構成原子とする例えば窒素（’Ｎ、）　、
アンモニア（Ｎｌ２）、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ　Ｎ　Ｈ２
）　、アジ化水素（ＨＮす、アジ化アンモニウム（Ｎ　
Ｈ４Ｎ５）等のガス状のまたはガス化し得る窒素、窒化
物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる
。この他に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の
導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）、四
弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げ
ることができる。

スパッタリング法によって、炭素原子を含有する第一の
層（Ｉ）１０２を形成するには、単結晶または多結晶の
シリコンウェハーまたはグラファイトウェハー、または
シリコン原子と炭素原子が混合されて含有されているウ
ェハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパッタリングすることによって行えば良い。

例えば、シリコンウェーハーをターゲットとして使用す
れば、炭素原子と必要に応じて水素原子または／および
ハロゲン原子を導入するための原料ガスを、必要に応じ
て桃釈ガスで樋状して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記シリコ
ンウェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別には、シリコン原子と炭素原子とは別々のター
ゲットとして、またはシリコン原子と炭素原子の混合し
た一枚のターゲットを使用することによって、スパッタ
ー用のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なく
とも水素原子または／およびハロゲン原子を構成原子と
ルて含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって成される。炭素原子導入用の原料ガスとしては、
先述したグロー放電の例で示した原料ガスの中の炭素原
子導入用の原料ガスがスパッタリングの場合にも有効な
ガスとして使用され得る。

本発明において、第一の層ＣＩ）１０２の形成の際に、
炭素原子の含有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層
領域（Ｃ）に含有される炭素原子の分布褒度Ｃ（Ｃ）を
層厚方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域（Ｃ）を形
成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｃ）
を変化させるべき炭素原子導入用の出発物質のガスを、
そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ
ながら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を漸時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流昔の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線を得ることもできる。

層領域（Ｃ）をスパッタリング法によって形成する場合
、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向で
変化させて、炭素原子′め層厚方向の所望の分布状態（
ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一に
は、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導入用
の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導
入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させること
によって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲラＩ・を、例えば
シリコン原子と炭素原子との混合されたターゲットを使
用するのであれば、シリコシ原子と炭素原子との混合比
を、ターゲットの層厚方向において、予め変化させてお
くことによって成される。

第一の層（Ｉ）１０２中に、伝導特性を支配する物質、
例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に導入す
るには、層形成の際に、第１族原子導入用の出発物質或
いは第１族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、第二の領域（Ｓ）１０６を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い、この様な第１族原子導入
用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい、その様な第１族原子
導入用の出発物質として具体的には玲素原子導入用とし
てはＢｘ　Ｈ６、Ｂ４Ｈ，、、Ｂ、Ｈｑ、Ｂ５ＨＩｌ、
ＢＡＨ１６、Ｂ６Ｈ１２，ＢｂＨ４等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ、、　ＢＣｌ３、ＢＢ　ｒ５等ツハロゲン化石明素等
が挙げられる。この他、ＡＩＣ文う１、ＧｅＣｌ３、Ｇ
　ｅ　（ＣＨ５）”　、Ｉ　ｎ　Ｃ１５、Ｔｉｃ文５等
も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として１本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨり、
Ｐ２Ｈ４，等の水素北隣、ＰＨ４Ｉ。

Ｐ　Ｆ、、Ｐ　Ｆ、、Ｐ　Ｃｕ、、Ｐ　ＣｆＬ、、ＰＢ
ｒ３、ＰＢｒ！−。

ＰＩう等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ　ｓ
　Ｈ３、Ａ　Ｓ　Ｆ５、Ａ　Ｓ　Ｃｎ５．　Ａ　Ｓ　Ｂ
　ｒｙ、、、Ａ　ｓ　Ｆ５゜５ｂＨｉ、ＳｂＦう、Ｓｂ
Ｆダ、ｓｂｃ　文３．ＳｂＣ，Ω、５、Ｂ　ｉ　Ｈ３、
Ｂ　ｉ　Ｃ１５、Ｂ　ｉ　Ｂ　ｒ９、等も第Ｖ族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る
。

本発明に於いて、第一の層（Ｉ）１０２’を構成し、伝
導特性を支配する物質を含有鋼して支持体１０１側に偏
在して設けられる層領域（ＰＮ）の層厚としては、該層
領域（ＰＮ）と該層領域（ＰＮ）上に形成される第一の
層（Ｉ）１０２を構成する他の層領域とに要求される特
性に応じて所ψに従って適宜決定されるものであるが、
その下限としては、好ましくは３０λ以上、より好適に
は４０λ以上、最適には、５０λ以上とされるのが望ま
しい。又、前記層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特性
を支配する物質の含有量が３０原子ｐｐｍ以上とされる
場合には、該層領域（ＰＮ）の層厚の上限としては、好
ましくは１０ｐ以下、好適には８ＪＬ以下、最適には５
ＩＬ以下とされるのが望ましい。

第１図に示される光導電部材１００においては、第一の
層（Ｉ）１０２上に形成される第二の層（１）１０３は
自由表面１０？を有し、主に耐湿性、連＃０１繰返し使
用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において
本発明の目的を達成する為に設けられる。

また、本発明においては、第一の層（Ｉ）の１０２と第
二の層（Ｉ）　１０３とを構成する非晶質材料の各々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
両層（Ｉ）１０２および（Ｉ）　１０３の積層界面にお
いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明における第二の層（Ｉ）　１０３は、シリコン原
子と窒素原子と、必要に応じて水素原子または／および
ハロゲン原子とを含む非晶質材料（以後、ｒａ−（Ｓｉ
ｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）ｓｙＪ　ト記す。イｊ４　Ｌ
、０　＜ｘ　、　ｙ＜１）で構成される。

ａ　−（Ｓ　ｉｇ　Ｎｈｘ）ｙ　（Ｈ、Ｘ　）＋−，ｒ
ｃ構成される第二の層（′Ｌ）１０３の形成は、グロー
放電法、スパッタリング法、エレクトロンビーム法等に
よって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模１作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造するための作成条件の制
御が比較的容易であり、かつシリコン原子と共に窒素原
子およびハロゲン原子を、作製する第二の層（１）１０
３中に導入するのが容易に行える等の利点を有するグロ
ー放電法あるいはスパッタリング法が好適に採用される
。

更に、本発明においては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の層（Ｘ’）　１
．０３を形成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（１）１０３を形成すル
ニは、ａ　−（Ｓ　ｉｘ　Ｎ１−１Ｑｌ　ｙ　（、Ｈ＋
　Ｘ　）＋−ｙ形成用の原料ガスを必要に応じて稀釈ガ
スと所定量の混合比で混合して、支持体１０１の設置し
である真空堆積室に導入し、この導入されたガスを、グ
ロー放電を生起させることによってガスプラズマ化して
、前記支持体１０１上に既に形成されである第一の層（
Ｉ’）１０２上に、ａ　−（Ｓ　’ｇ　Ｎ＋−ｘ）ｙ　
（Ｈ＊　Ｘ　）＋−７を堆積させればよい。

本発明において、ａ−（ＳｉｘＮ＋−２）　（Ｈ，Ｘ）
ｈｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子、窒素原
子、水素原子、ハロゲン原子の中の少なくとも一つを構
成原子とするガス状の物質またはガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用され得る。

シリコン原子、窒素原子、水素原子、ハロゲン原子の中
の一つとしてシリコン原子を構成原子とする原料ガスを
使用する場合は、例えばシリコン原子を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素ＪＬＣ子を構成原子とする原料ガスまた
は／およびハロゲン原子を構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、またはシリコン原
子を構成原子とする原料ガスと、窒素原子および水素原
子を構成原子とする原料ガスまたは／および窒素原子お
よびハロゲン原子を構成原子とする原料ガスとを、これ
もまた、所望の混合比で混合する′か、あるいはシリコ
ン原子を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子、窒
素原子および水素原子の３つを構成原子とする原料ガス
または、シリコン原子、窒素原子およびハロゲン原子の
３つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用するこ
とができる。

また、別には、シリコン原子と水素原子とを構成原子と
干る原料ガスに窒素原子を構成原子とする原料ガスを混
合して使用しても良いし、シリコン原子とハロゲン原子
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明において第二の層（ｌｒ−）　１０３中に含有さ
れるハロゲン原子として好適なのはフッ素、塩素。

臭素、ヨウ素であり、殊にフッ素、塩素が望ましいもの
である。

本発明において、第二の層（Ｘ）　１０３を形成するの
に有効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、
常温常圧においてガス状態のものまたは容易にガス化し
得る物質を挙げることができる。

第二の層（１１−）　１０３を上記の非晶質材料で構成
す亀 る場合の層形成法としては、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンインプランテーション法、イオンブレー
ティング法、エレクトロンビーム法等が挙げられる。こ
れ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が
比較的容易であり、かつシリコン原子と共に窒素原子、
必要に応じて水素原子やハロゲン原子を作製する第二の
！（１）　１０’３中に導入するのが容易に行える等の
利点を有するグロー放電法あるいはスパッタリング法が
好適に採用される。

更に１本発明においては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同−製鎖系内で併用して第二の層（１）　１０
３を形成しても良い。

グロー放電法によって、ａ−ＳｉＮ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される第二の層（ＩＩ−）　１０３を形成するには、基
本的にはシリコン原子を供給し得るシリコン原子供給用
の原料ガスと窒素原子導入用の原料ガスと、必要に応じ
て水素原子導入用のまたは／およびハロゲン原子導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の第一の層（Ｉ　）　１０２上にａ
−３ｉＮ　（Ｈ，Ｘ）からなる第二の層（１）　１０３
を形成させれば良い。

また、スパッタリング法で第二の層（１）１０３を形成
する場合には１例えば次のようになされる。

第一には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でシリコン
原子で構成されたターゲットをスバ・ツタリングする際
、窒素原子導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
導入用のまたは／およびハロゲン原子導入用の原料ガス
と共にスパッタリングを行う真空堆積室内に導入してや
れば良い。

第二には、スパッタリング□用のターゲットとしてＳ　
ｉ５Ｎ＋で構成されたターゲットか、あるいはシリコン
原子で構成されたターゲットとＳ　ｉ５Ｎ十で構成され
たターゲットの二枚か、またははシリコン原子とＳ　ｒ
ｙＮ４とで構成されたターゲットを使用することで形成
される第二の層（１）　１０３中へ窒素原子を導入する
ことができる。この際、前記の窒素原子導入用の原料ガ
スを併せて使用すれば、その１≦６借を制御することで
第二のＭ（且）１０３中に導入される窒素原子の量を任
意に制御することが容易である。

第二の層（ＪＬ）　１０３中へ導入される窒素原子の含
有量は、窒素原子導入用、の原料ガスが堆積室中へ導入
される際の流量を制御するか、または窒素原子導入用の
ターゲット中に含有される窒素原子の割合を、該ターゲ
ットを作成する際に調整するか、あるいは、この両者を
行うことによって、所望に従って任意に制御することが
できる。

本発明において使用されるシリコン原子供給用の原料ガ
スとなる出発物質としては、５ｉ）Ｉａ。

Ｓ　１２Ｈ６、Ｓ　１５ＨＢ　＋　Ｓ　ｉ４Ｈ１ｏ等の
ガス状態のまたはガス化し得る水素化硅素（シラン類）
が使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業の
扱い易さ、シリコン原子供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
４，Ｓｉ、Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。これ
等の出発物質を使用すれば、層作成条件を適切に選択す
ることによって形成される第二の層（１）　１０３中に
シリコン原子と共に水素原子も導入し得る。

シリコン原子供給用の原料ガスとなる有効な出発物質と
しては、上記の水素化尿素の他に、ハロゲン原子を含む
線素化合物、所謂、ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｉＦ４．Ｓｉ、Ｆ６．５ｉＣ
ｆｌＡ、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化遊素が好ましいもの
として挙げることができる。

更には、５ｉ）ｌＪｚ、Ｓｉ％１２．５ＩＨ２ＣＪＬ２
　、Ｓ！ＨＣＪ１２＋５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉ）ｌＢｒ２
等（７）ハロゲン置換水素化砒素、等々のガス状態のあ
るいはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な第二の層（１）、　１０３の形成
の為のシリコン原子供給用の出発物質として挙げる事が
できる。

これ等のハロゲン原子を含む避素化合物を使用する場合
にも、前述したように層形成条件の適切な選択によって
、形成される第二の層（Ｉｔ−）　１０３中にシリコン
原子と共に、ハロゲン原子を導入することができる。

上記した出発物質の中で水素原子を含むハロゲン化破素
化合物は、第二の層（π）１０３の形成の際に、層中に
ハロゲン原子の導入と同時に電気的あるいは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発
明においては好適なハロゲン原子導入用の出発物質とし
て使用される。

本発明において第二の層（Ｌ）　１０３を形成する際に
使用されるハロゲン原子導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　Ｃ
ｆＬ　Ｆ　、ＣＩ　Ｆ５．ＢｒＦ３　ＢｒＦ５゜ＩＦ、
、　Ｉｔ７．１０文、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、Ｈ
Ｆ。

ＨＣＭ　、　ＨＢｒ　、旧等のハロゲン化水素を挙げる
ことができる。

第二の層（Ｉｎ）　１０３を形成する際に使用される窒
素原子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使
用される出発物質は、窒素原子を構成原子とするかある
いは窒素原子と水素原子とを構成原子とする例えば窒素
（ＮＪ、アンモニア（ＮＨ３）　、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ
ＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ５）、　、アジ化アンモニ
ウム（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状のまたはガス化し得る窒
素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げること
ができる。この他に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲ
ン原子の導入も行えるという点から、出発物質としては
、三弗化窒素（ＦＡＮ）　。

四弗化窒素（Ｆ４　Ｎ　２　）等のハロゲン化窒素化合
物を挙げることができる。

本発明において、第二の層（Ｘ）　１（１３をグロー放
電法またはスパッタリング法で形成する際に使用される
稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ、
Ａｒ等が好適なものとして挙げることができる。

本発明における第二の層（正）１０３は、その要求され
る特性が所望通りに与えられるように注意深く形成され
る。

すなわち、シリコン原子、窒素原子、必要に応じて水素
原子または／およびハロゲン原子を構成原子とする物質
は、その作成条件によって構造的には結晶からアモルフ
ァスまでの形態を取り、電気物性的には、導電性から半
導体性、さらには、絶縁性までの間の性質を示し、また
、光導電的性質から非光導電的性質を示す。そこで、本
発明においては、目的に応じた所望の特性を有するａ　
−（Ｓ　ＩＸ　Ｎ１−Ｘ）ｙ（Ｈ＋　Ｘ　）＋−２７＞
’形成さレルヨウニ、所望に従ってその作成条件の選択
が＠密に成される。

例えば、第二の層（１）、　１０３を電気的耐圧性の向
上を主な目的として設けるには、ａ　−（Ｓ　ＩＸ　Ｎ
＋−ｙ）７　（Ｈ、Ｘ　）ｓ４使用環境において電気絶
縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第二の層（１）　１０３が設けられる場合
には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照
射される光に対しである程度の感度を有する非晶質材料
としてａ−（Ｓ　ｉ）＋　Ｎ＋−ωｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ
が作成される。

第一の層（Ｉ）１０２ノ表面に、ａ＝（ＳｉＸＮ＋−ｙ
）ｙ（Ｈ，Ｘ）ｓｙから成る第二の層（Ｉｎ）　１０３
を形成する際における、層形成中の支持体慕度は、形成
される層の構造および特性を左右する重要な因子である
。本発明においては、目的とする特性を有するａ−（Ｓ
ｉ）（Ｎ＋＝ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが所望通りに作
成され得るように層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。本発明における、所望の目的が効果
的に達成されるための第二の層（互）１０３の形成法に
併せて適宜最適範囲の支持体温度が選択されて、第二の
層（１）１０３の形成が実行されるが、層作成時の支持
体温度は好ましくは、２０〜４００°Ｃ１より好適には
５０〜３５０℃、最適には１００〜３００℃とされるの
が望ましいものである。

第二の層（１）１０３の形成には、層を構成する原子の
組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比べて比
較的容易である事等のために、グロー放電法やスパッタ
リング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第
二の層（Ｉ）１０３を形成する場合には、前記の支持体
温度と同様に層形成の際の放電パワーが、作成されるａ
−（ＳｉｙＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙの特性を左右
する重要な因子の一つである。

本発明における目的が達成されるための特性を有するａ
−（Ｓｉｙ　ＮＩ−ｙ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−斧（生産性良
く効果的に作成されるための放電パワー条件としては、
好ましく　ハ１．０〜３００Ｗ　、　Ｊ：り好適には２
．０〜２５０Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとされるの
が望ましいものである。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ
、より好適には、０．１〜Ｑ、５　Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明において、第二の層（’Ｉ）　１０３を作成する
ための支持体温度および放電パワーの望ましい数値範囲
としては前記した範囲の値が挙げられる。

しかし、これ等の層作成ファクターは、独立的に別々に
決められるものではなく、所望特性のａ−（Ｓｔｙ、　
Ｎｐ１）ｙ（Ｈ＋Ｘ）＋−ｙから成る第二の層ＣＩ）　
１０３が形成されるように相互的有機的関連性に基づい
て最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材における第二の層１０３に含有され
る窒素原子の量は、第二の層１０３の作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の層
（１）　１０３が形成される重要な因子である。そこで
、この第二の層（１）　１０３に含有される窒素原子の
量は、第二の層（］［）　１０３を構成する非晶質材料
の種類およびその特性に応じて適宜所望に応じて決めら
れるものである。

すなわち、前記一般式ａ−（Ｓｉｘ　Ｎ１−７））／　
（Ｈ，Ｘ）＋−７ｒ示される非晶質材料は、大別すると
、シリコン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（
以後、ｒ　ａ−Ｓ、ｉ？ＬＮ　＋−？ＬＪと記す。但し
、Ｏ＜ａ＜１　）　、シリコン原子と窒素原子と水素原
子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓｉｉ
＋Ｎ１−ｂｌ＜　Ｈ＋＜Ｊと記す。但し、Ｑ　＜ｂ　、
　ｃ　＜１．）　、シリコン原子と窒素原子とハロゲン
原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質材料
（以後、ｒａ−（ＳｉＪＮＪｅ（Ｈ９Ｘ）＋−ｅＪと記
す、但しＯ＜ｄ　、　ｅ　＜１　）にそれぞれ分類され
る。

本発明において、第二の層（Ｘ）　１０３がａ−ＳｆＬ
Ｎ＋−Ａで構成される場合、第二の層（１）　１０３に
含有される窒素原子の量は、好ましくはｌＸ１０〜８０
原子％、より好適には１〜５０原子％、最適には１０〜
４５原子％とされるのが望ましいものである。すなわち
、先のａ−５ｉ（Ｌ？ｊｌａの表示で行えば、ａが好ま
しくは０．４〜０．１３１３９９９　、より好適には０
．５〜０．８９、最適には０．５５〜０．８である。

本発明において、第二の層１０３がａ−（Ｓ　ｉｂ　Ｎ
、ｂ）、　Ｈ＋＜で構成される場合、第二の層（１［）
　１０３に含有される窒素原子の量は、好ましくはｌＸ
ｌ０〜５５原子％とされ、より好ましくは１〜５５原子
％、最適には１０〜５５原子％とされるのが望ましいも
のである。

さらに、水素原子の含有量としては、好ましくは１〜４
０原子％、より好ましくは２〜３５原子％、最適には５
〜３０原子％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水
素原子含有量がある場合に形成され□る光導電部材は、
実際面において優れたものとして充分適用され得る。

すなわち、先の６−　（Ｓ　ｉｂＮ＋−レ）ｅ　Ｉｈこ
のｂおよびＣ表示で行えば、ｂが望ましくは０．４５〜
０．９Ｈ９９、より好適には０．４５〜ｏ、ｓｓ、最適
には０．４５〜０．８であり、Ｃが好ましくは０．６〜
０．８８、より好適には０．６５〜０．８８、最適には
０．７〜０．８５であるのが望ましい。

第二の層（［）　１０３がａ−（Ｓｉｄｌｌｌ＋Ｊｅ（
Ｈ，Ｘ）＋−コ構成される場合には、第二の層（：［）
　１０３中に含有される窒素原子の含有量としては、好
ましくは、ｌＸｌ０〜ｅＯ原子％、より好適には１〜８
０原子％、最適には１０〜５５原子％とされるのが望ま
しいものである。さらに、ハロゲン原子の含有量として
は、好ましくは１〜２０原子％、より好適には１〜１８
原子％、最適には２〜１５原子％とされるのが望ましく
、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成
される光導電部材は、実際面において充分適用され得る
ものである。さらにまた、必要に応じて含有される水素
原子の含有量としては、好ましくは１８原子％以下、よ
り好適には１３原子％以下とされるのが望ましいもので
ある。

すなわち、先のａ−（ＳｉｄＮ＋−ＪＬ（Ｈ，Ｘ）＋、
ｅのｄおよびｅの表示で行えばｄが好ましくは０，４〜
０．ＨＩｌ１９θ、より好適には０．４〜０．８８、最
適には０．４５〜Ｏ，ａであり、ｅが好ましくはｏ、ｂ
　〜０．ｓ９ｎ’ｉｔ’ｔ、より好適には０．８２１〜
０．８９、最適には０．８５〜０．８８であることが望
ましい。

本発明における第二の層（１−）　１０３の層厚の範囲
は、本発明の目的を効果的に達成するための重要な因子
の一つである。この層厚は、本発明の目的を効果的に達
成するように所期の目的に応じて適宜所望に従って決め
られる。さらに、この層厚は、該層（１）１０３中に含
有される窒素原子の量や第一の層（Ｉ）１０２の層厚と
の関係においても、各々の層領域に要求される特性に応
じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定される
必要がある。更に加え得るに、この層厚は生産性や量産
性を加味した経済性の点においても考慮されるのが望ま
しい。

本発明における第二の層（Ｌ）　１０３の層厚としては
、好ましくはＯ，，００３〜３０ＩＬ、より好適にはｏ
、ｏｏａ〜２０ＡＬ、最適には０．００５〜１０用とさ
れるのが望ましい。

本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。

導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス
、ＡＭ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミックス、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが９ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ１．Ａ
Ｍ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎ　ｂ、　Ｔａ、　Ｖ、
　Ｔｉ、　Ｐｔ、Ｐｄ、　Ｉ　ｎ、０２．５ｎ０２、Ｉ
　Ｔ　Ｏ（Ｉ　ｎ２０５＋　Ｓ　ｎ　０２）等から成る
薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポ
リエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ
ｉＣｒ、Ａ、ｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ
、Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金
属の薄１１９を真空蒸着、電子ビーム赤青、スパッタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネーｉ・処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体１０１の形状としては、円筒状、ベルト状、板状
等任意の形状として得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１１多の光導電部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい。支持体１０１の厚さは、所望通りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的
強度等の点から、支持体１０１の厚さは、好ましくは、
ｌＯ終以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１５図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中、１１０２〜１１０６で示すガスボンベには、本発
明の光導電部材を形成するための原料ガスが密封されて
おり、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈
された５ｉＨ−ｃガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ　
ｉＨ４／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀
釈されたＧｅＨ４−ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ
　ｅ　Ｈ／　Ｈｅと略す、）ボンベ、１１０４は０２Ｈ
４ガス（純度９９．９９％）ボンベ、１１０５はＨｅガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ２ガス
（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６．
　リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１
１７〜１１２１、補助バルブ１１３２．１１３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ１１３４を
開いて反応室１ｔｏｉ、及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０Ｔｏｒｒになっ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バルブ１
１７１〜１１２１を閉じる。

次に支持体としてのシリンダー状基体 １１３７　、Ｊ：に光受容層を形成する場合の１例をあ
げると、ガスボンベ１１０２からのＳ　ｉ　Ｈ４／Ｈｅ
ガス、ガスボンベ１１０３から（７）　Ｇ　ｅ　Ｈ４／
Ｈｅガス、ガスボンベ１１０４から（７）Ｃ２Ｈ４ガス
を、バルブ１１２２，１１２３．１１２４を開いて出口
圧ゲージ１ｉ２７，１１２８．１１２９の圧力をｌ　ｋ
　ｇ　／　ｃ　ｍ’に調整し、流入バルブ１１１２，１
１１３．１１１４を徐々に開けることによって、マスフ
ロコントローラ１１０７１１０８．１１１０内に夫ｈｌ
Ｑ入させる。

引き続いて流出バルブ１１１７．２２１８．１１１９、
補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室
１１０１内に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ４／　
Ｈｅガス済量とＧ　ｅ　Ｈ４／　Ｈｅガス流量とＣ２Ｈ
４ガス流量との比が所望の値になるように流出バルブ１
１１７，１１１８．１１１９を調整し、又、反応室１１
ｏ１内の圧力が所望の値になるように真空計１１３８の
読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する
。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８に
より５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていること
を確認した後、電源１１４０を所望の電力に設定して反
応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあらか
じめ設計された変化率曲線に従ってＧ　ｅ　Ｈ４／Ｈｅ
ガスおよび手動あるいは外部駆動モータ等の方法を適用
してバルブ１１１８〜１１２゜の開口を適宜変化させる
操作を行ってＣｚＨ４ガスの着量を調整し、もって形成
される層中に含有されるゲルマニウム原子および炭素原
子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上にｆＢｌの層領域（Ｇ）１０５
を形成する。所望層厚に第一の層領域（Ｇ）１０５が形
成された段階に於いて、流出バルブ１１１６を完全に閉
じると、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同
様な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持する
ことで第一の層領域（Ｇ）１０５上にゲルマニウム原子
の実質的に含有されない第二の層領域（Ｓ）１０６を形
成することが出来る。

第一の層領域（Ｇ）１０５および第二の層領域（Ｓ）１
０６中に、伝導性を支配する物質（Ｄ）を含有させるに
は、第一の層領域（Ｇ）１０５および第二の層領域（Ｓ
）１０６の形成の際に例えばＢ、Ｈ，、ＰＨ５等のガス
を堆積室１１０１中に導入するガスに加えてやれば良い
。

かくして、基体１１３７Ｊ：に第一の層（Ｉ）１０２が
形成される６ 上記の様にして所望層厚に形成された第一の層（Ｉ）１
０２上に第二のＲ（１）１０３を形成するには、第一の
層１０２（Ｉ）の形成の際と同様なバルブ操作によって
、例えばＳｉＨガス、ＨＨ５Ｈ５ガス々を必要に応じて
Ｈｅ等の樋釈ガスで稀ｚ＜　して反応室１１０１内に供
給し、所望の条件に従って、グロー放電を生起させれば
よい。

第二の層（Ｉ）１０３中にハロゲン原子を含有させるに
は、例えばＳ　ｊＦ４ガスとＮＨ−３ガス、或いはこれ
にＳ　ｉ　Ｈ，Ｚガスを加えて−１−記と同様にして第
二の層（Ｉｎ）１０３を形成すればよい夫々の層を形成
する際に必要なガスの流出バルブ以外の流出／ヘルプは
全て閉じることは言うまでもなく、又夫々の層を形成す
る際、前層の形成に使用したガスが反応室１１０１内、
流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室ｔ　ｉｏｉ内
に至るガス配管内に残留することを避けるために、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１３２
．１１３３を開いてメインバルブ１１３４を全開して系
内を一月高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

第二の層（１）１０３中に含有される窒素原子の量は例
えば、グロー放電による場合はＳｉＨ４ガスおよびＮＨ
５ガスの反応室１１０１内に導入される流量比を所望に
従って変えるか、或いは、スパッタリングで層形成する
場合には、ターゲットを形成する際シリコンウェハと窒
化シリコンウェハのスパッタ面積比率を変えるか、又は
シリコン粉末と窒化シリコン粉末の１昆合比率を変えて
ターゲットを成型することによって所望に応じて制御す
ることが出来る。第二の層（Ｌ）１０３中に含有される
ハロゲン原子の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、
例えばＳ　ｉ　Ｆ４ガスが反応室１１０１内に導入され
る際の流量を調整することによて成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１５図に示した製造装置により、支持体としてのシリ
ンダー状のＡ　９．基体上に第１表に示す条件で電子写
真用像形成部材としての試料（試料Ｍａｉｌ−１〜１７
−４）を夫々作成した（第２表）。

各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
６図に、又、炭素原子の含有分布一度は第１７図に示さ
れる。

こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置し
■５　、ＯＫＶで０．３秒（ｓ　ｅ　ｃ）間コロナ帯電
を行い、直ちに光像を照射した。

光像はタングステンランプ光源を用い、２ＪＬｕｘ・ｓ
ｅｃの光量を透過型０テストチヤートを通して照射させ
た。

その後直ちに、Ｏ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）によって試料（像形成部材）表面をカスケード
することによって、当該試料（像形成部材）表面上に良
好なトナー画像を得た。試料上のトナー画像を、＠５．
ＯＫＶのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、いずれの
試料に於いても解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な
高濃度の画像が得られた。

上記に於いて、光源としてタングステンランプの代りに
８１０ｎｍのＧａＡＳ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、同様のトナー画像
形成峰件にして、各試料に就いてトナー転写画像の画質
評価を行ったところ、いずれの試料の場合も、解像力に
優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた
。

実施例２ 第１５図に示した製造装置によりシリンダー状のＡ文具
体上に第３表に示す条件で電子写真用像形成部材として
の試料（試料Ｎｏ、　２１−１〜２７−０をそれぞれ作
成した（第４表）。

各試料におけるゲルマニウム原子の含有分布濃度は第１
６図に、また、然素原子の含有分布濃度は第１７図に示
される。

これ等の試料のそれぞれに就て、実施例１と同様の画像
評価テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のト
ナー転写画像を与えた。また、各試料に就て３８℃、８
０％ＲＨの環境において２０万回の瞳り返し使用テスト
を行ったところ、いずれの試料も画像品質の低下は見ら
れなかった。

実施例３ 第二の層（Ｉ［）　１０３の作成条件を第５表に示す各
条件にした以外は、実施例１の試料＋、１ｔ−ｔ。

１２−１．１３−１　と同様の条件と手順に従って電子
写真用像形成部材のそれぞれ（Ｎｏ、１１−１−１〜１
１−１−８．１２−１−１−１２−１−８　、１３−１
−１〜１３−１−８の２４個の試料）を作成した。こう
して得られた各電子写真用撮像形成部材のそれぞれを個
別に複写装置に設置し、各実施例に記載したのと同様の
条件によって、各実施例に対応した電子写真用像形成部
材のそれぞれについて、転写画像の総合画質評価と繰り
返し連続使用による耐久性の評価を行った。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰り返１゜連続使
用による耐久性の評価の結果を第８表に示す。

実施例４ 第二のｒ＃（１）１０３の形成時、シリコンウェハと空
化シリコンのターゲツト面積比を変えて、層（１−）に
おけるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変化させる
以外は、実施例１の試料Ｎｏ、１１−１　と全く同様な
方法によって像形成部材のそれぞれを作成した。こうし
て得られた像形成部材のそれぞれにつき、実施例１に述
べた如き、作像、クリーニングの工程を約５万回繰り返
した後１画像評価を行ったとこ′ろ第７衷の如き結果を
得た。

実施例５ 第二の層（Ｉｎ）１０３の層の形成時、５ｉＨ−＋ガス
とＮＨ５ガスの滴量比を変えて、層（ＩＩ−）における
シリコン原子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は
実施例１試料Ｎｏ、　１２−１と全く同様な方法によっ
て像形成部材のそれぞれを作成した。

こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した後、
画像評価を行ったところ、第８表の如き結果を得た。

実施例６ 第二の層（Ｉｎ）、１０３の層の形成時、ＳｉＨ＋ガス
、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガス、ＮＨ３ガスの流量比を変えて、層
（［）におけるシリコン原子と窒素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１の試料１ｔ、　１３−１と全
く同様な方法によって像形成部材のそれぞれを作成した
。こうして得られた像形成部材のそれぞれにつき、実施
例１に述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ第８表の
如き結果を得た。

実施例？ 第二の層（１）１０３の層厚を変える以外は、実施例１
の試料Ｎｏ、１１−１と全く同様な方法によって像形成
部材のそれぞれを作成した。実施例１に述べた如き、作
像、現像、クリーニングの工程を繰り返し第１θ表の結
果を得た。

第　２　表 第４表 第１Ｏ表 以上の本発明の実施例に於ける層作成条件を以下に示す
。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・約２
００℃ ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層 ・・・約２５０℃ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導部材の層構成を説明する為の模
式的層構成図、第２図乃至第１Ｏ図は、夫々、第一の層
（Ｉ）中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の
説明図、第１１図乃至第１４図は、夫々、第一の層（Ｉ
）中の炭素原紙の分布状態を説明するための説明図、第
１５図は、本発明で使用された装置の模式的説明図、第
１６図、第１７図は夫々本発明の実施例に置ける各原子
の含有分布濃度状態を示す分布状態図である。 １００・・光導電部材、 １０１・・・支持体、 １０２・・・第一の層（Ｉ）、 １０３・・・第二の層（１）、 １０４・・・光受容層。 第１図 第２図 第４図 Ｃ Ｃ Ｃ 第１１図 第１２図 Ｃ（Ｃ） （＋６０１）　（＋６０２）　（＋６０３）　（＋６０
４）ゲルマニウムの含胃力″Φ濠炭 （左手　％）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）　光導電部材用の支持体と、 ゲルマニウム原子を含む非晶質材料で構成され前記支持
   体上に設けられた第一の層領域（Ｇ）、およびシリコン
   原子を含む非晶質材料で構成され前記第一の層領域（Ｇ
   ）上に設けられた光導電性を示す第二の層領域（Ｓ）を
   有する第一の層ならびに該第−の層上に設けられシリコ
   ン原子と窒素原子とを含む非晶質材料で構成された第二
   の層から成る光受容層とを有し、 前記第一の層には、炭素原子が含有され、炭素原子の層
   厚方向における濃度分布は滑らかで、且つ炭素原子の最
   大分布濃度は、肖該第−の層の内部にある事を特徴とす
   る光導電部材。
2. （２）第一の層領域（Ｇ）及び第二の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第一の層領域（Ｇ）及び第二の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有されている
   特許請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光導電部材
   。
4. （４）第一の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が、不均一である特許請求の範囲第１項に記
   載の光導電部材。
5. （５）第一の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が、均一である特許請求の範囲第１項に記載
   の光導電部材。
6. （６）第一の層中に伝導性を支配する物質が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
7. （７）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材。
8. （８）伝導性を支配する物質が周期律表第ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第６項に記載の光導電部材。