JPS58171053A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は可視光波長領域にも近赤外波長領域にも優れた
光感度特性を示す感光体に関する。

従来技術 ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓ１ト
略ス）、アモ、ルファスゲルマニウム（以下、ａ−Ｇｅ
と略す）乃至はアモルファスシリコン−ゲルマニウム（
以下、ａ−８ｉ：Ｇｅと略ス）の電子写真感光体への応
用が注目されてきている。これはこれらａ−８ｉ、ａ−
Ｇｏ、　ａ−８ｉ　：　Ｇｅが従来のセレンやＯｄＳ感
光体等と比して環境汚染性、耐熱性、摩耗性等において
一段と優れているためである。

そして特にａ−８ｉ：Ｇｅの場合、Ｇｅのバンドギャッ
プがａ−８ｉと比して小さいため、ａ−３ｉにＧｅを適
量加えることにより光感度特性を長波長側に延ばすとい
う効果が期待でき近年その開発がめざましい半導体レー
ザービームプリンターへの応用が考えられる。これに関
連して導電性基板上に少なくとも水素１０ノ乃：亙’：
４Ｑａｔｏｍｉｃ％と酸素を０．１乃至３０ａｔｏｍｉ
ｃ　　％含有したａ−３ｉ：Ｇｅ光導電層を形成して成
る所謂単層構造の感光体が提案されている（特開昭５４
−１４５５３９号公報）。しかしながら、本願発明者が
上述の範囲内の水素、そして特にＱ、ｌａｔｏｍｉ。

％以上の酸素をａ−８ｉ：Ｇｅに含有させ電子写真特性
全般につい−（ｉｌｌべたところ、酸素の含有はその層
の暗抵抗を一般に必要とされる１ｏ１３Ω、ｃ１ｎ以上
に向上゛させるのに有効であるが、酸素含有量が大とな
ればなるほど光感度特性が著しく低下し、最動、１ａｔ
ａｎｉｃ％の酸素含有でも光感度は可視光領域はもとよ
り近赤外波長領域においても従来の感光体と比してかな
り劣ることが確認された。

また一方、ａ−３ｉ：Ｇｅ光導電層は上記のように単層
構造として用いた場合、ａ−３ｉに対するＧｅの含有量
を大とすればする程、長波長側に光感度は延びるが、可
視光領域を含む全体の光感度を低下させるという不都合
が生じる。つまりＧｅは長波長側感度向上には有効であ
るがそれに伴ってａ−Ｓｉが本来有する優れた可視光領
域の光感度を低下せしめるという矛盾を生じる。従って
Ｇｅの含有量はかなりの制限を受けてしまい、所望の光
感度特性を持つ感光体を得るこ七ができなく。更にＧｏ
はａ−３ｉと比して光吸収率が高いことに加えて、光吸
収により発生するチャージャキャリアの移動度（ｍ　ｏ
　ｂ　１１１ｔ　ｙ）が小さい。このことは単層構造の
場合、チャージキャリアの多くが光導電層中にトラップ
されることを意味し、残留電位の上昇と光感度の低下を
招くという欠点がある。

発明の目的 本発明は以上の事実に鑑みて成されたもので、その目的
とするところは、可視光領域はもとより遅遅赤外領域で
も高感度で良好な画像を得ることのできる感光体にある
。

発明の要旨 本発明の要旨は、導電性基板上に少なくとも長波長領域
（７０（）１５０　ｎｍ”）の光感度を保証する厚さ約
０．１７”＋至３ミクロンで水素を含むアモルファスシ
リコン−ゲルマニウム光導電層と、可視光領域での光感
度を保証し暗抵抗も高く厚さが約５乃至３０ミクロンの
アモルファスシリコン光導電層を順次積層してなる感光
体にある。

第１図は本発明に係る感光体の構成を示し、（０ａ−Ｅ
ｌｉ：Ｇｅ光導電層（２）はグロー放電分解法やスパッ
タリング法によって厚さ約０．１．乃至３ミクロンに生
成され、少なくとも約１０乃至４Ｑａｔｏｍｉｃ％の水
素゛を含有する。これは出発原料としてＳｉＨ４，Ｇｅ
Ｈａが用いられ、また後述するがグロー放電分解法にあ
っては水素をＳｉＨ，、ＧａＨ４ガスのキャリアーガス
として用いるのが好都合なためである。もっともこのよ
うに水素のみを含有するａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（２）
にあっては暗抵抗にして１０′。０口に満たないが、後
述するａ−３ｉ光導電層（３）が主として電荷保持層と
して機能するので何ら差し支えはない。しかし必要に応
じて暗抵抗向上のために適量の周期律表第１［Ａ族不純
物、好ましくは硼素、更には微量の酸素を含有してもよ
い。第１［［Ａ族不純物は最ｂ　ｏ　ｏ　ｏ。

ｐｐｍまで、酸素は約１ａｔｏｍｉｃ％まで含有するの
が好ましい。これは酸素は暗抵抗を著しく向上させるが
逆に光感度を低下させるためでｌａｔｏｍｉｃ％以上含
有すればａ−Ｓ　ｉ　：　Ｇθ本来の光感度特性が損わ
れ族 てしまうためである。尚、第ｍＡ！不純物だけでもある
程度の暗抵抗向上は可能である。

上記ａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（２）はＧｏのバンドギャ
ップがａ−８ｉと比して小さいことより近赤外領域、特
に７００（・乃至９００ｍｍの長波長側領域の優れた光
感度を保証する。即ち、Ｇｅはａ−８ｉのみでは低感度
である長波長領域の光感度を向上させ、８００ｎｍ前後
の波長を露光源とする半導体レーザビームプリンターへ
の応用を可能ならしめる。長波長側感度向上のためにａ
−３ｉに対しＧｅはモル比で′最大で１：１最低で１９
＝１の範囲で含有することができる。つまりａ−３ｉｘ
Ｇθ１１を光導電層としてＸは０５乃至０．９５である
。

ａ−８ｉ光導電層（３）はやはりグロー放電分解法やス
パッタリング法によって生成されるが、その厚さは約５
乃至３０ミクロン、好ましくは５乃至２０ミクロンであ
る。このａ−８ｉ光導電層（３）はそれ自体が持つ優れ
た環境汚染性、耐熱性、表面硬度等の利点からその表面
を作像層として用いることが好ましく、またそれ自体、
可視光領域での優れた光感度を保証する光導電層よして
機能するとともに電荷保持層としても機能する。この両
機能を兼ね備えるためにはａ−３ｉ光導電層（３）は上
述の厚さを有することに加え、それ自体に約１０乃至４
Ｑａｔｏｍｉｃの水素、約５　Ｘ　１０−４乃至ＩＱ−
ｓａｔｏｍｉｅ％の酸素並びに約１０乃至２００００ｐ
ｐｍ　の周期律表第■Ａ族不純物（好ま゛しくは硼素）
を含有する。っまりａ−Ｓｉ光導電層（９は本願と同一
発明者による特開昭５６−１５６８３４号公報で詳述さ
れている通り、水素のみでは暗抵抗が１０１０Ωαに満
たず電荷保持層として必要な１０＋ｓΩｍの暗抵抗は実
現できない。しかし水素に加え上述の範囲の酸素と不純
物を含有すれば約１０１３ｍ以上の暗抵抗が保証され電
荷保持層としての働きが可能となる。酸素を（ｌＱ５ａ
ｔ６ｍｉｃ％以下とするのは良好な光感度を保証するた
めでｌ　（ｊ’　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％組以上する
のは１０ｐｐｍ以上の第１１ｉＡ族不純物との併用で１
０１３Ωαオーダの暗抵抗を保証するためである。尚、
不純物を最大２００００ｐｐｔｌｌ　　とするのはそれ
以上の添加で暗抵抗が急激に低下するためである。一方
、光感度は酸素の含有量を増大することに伴って低下す
るが、上述の通ち酸素含有量は最大でもＱ、Ｑ５ａｔｏ
ｍｉｃ％と微量であるので高感度が維持され、特に４０
０乃至７００ｎｍの波長ではＳｅ＋ＰＶＫ−ＴＮＦ　（
モル比１：１）等と比べて数倍以上高感度で光導電層と
しても優れている。

ａ−８ｉ光導電層（３）の厚さを約５乃至３０、好まし
くは−５乃至２０ミクロンとするのは電荷保持層として
の機能を達成する上で重要なことは勿論であるが特に３
０ミクロン以下、好ましくは２０ミクロンとするのは下
層のａ−Ｓｉ：Ｇｅ光導電層による充分な光吸収を可能
ならしめるためである。つまり、第２図はａ−３ｉ光導
電層（水素約２５ａｔＯｍｉｃ％、酸素約０．０１ａｔ
ｏｍｉｃ％、硼素４０ｐ〆ｍ含有）とａ−３１０，７５
Ｇｌｌ！０．２５　　光導電層（水素約２５ａｔｏｍｉ
ｃ％、酸素約Ｑ、Ｑｌａｔｏｍｉｃ％、硼素４０ｐｐｍ
含有）の４００から１１０００ｎに至る波長における各
層の膜厚１ミクロン当りの光透過率（％／ミクロン）を
示すが、これから明らかなようにａ−３ｉｌ導電層はカ
ーブ（Ａ）で示すように７ＱＱｎｍ以下、特に６００ｎ
ｍ前後の波長では光透過率は低いが７００ｎｍ以上の長
波長の光に対しては透過率が９０％以−Ｌと非常に高い
。換言すればａ−８ｉ光導電層（３）はそれ自体では高
感度である可視光領域の光はよく吸収するが低感度な長
波長領域の光は多く透過する。従って７００ｎｍ以上の
光はそれ以上の波長で高感度な１層のａ−８ｉ：Ｇｅ層
（２）へ多く到達する。そしてａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層
はカーブ（Ｂ）に示す通りａ−８ｉと比べて長波長側で
の光透過率が低く、つまり光吸収が高いのでその領域で
の光感度を高感度保証する。この様に本発明ではａ−３
ｉとａ−９ｉ：Ｇｏ　　各光導電層の１可視光領域及び
近赤外領域での光透過率を有効に利用して両頭域に渡っ
て優れた光感度特性を有する感光体を実現可能ならしめ
ている。そして光透過率から見てａ−３ｉ光導電層（３
）の厚さを３０ミクロン以上とすればａ−８ｉ：Ｇｅ　
光導電層（２１への長波光の到達が不充分となり感度保
証ができなくなり、その意味で本発明では３０ミクロン
以下、高感度保証のため好適には２０ミクロン以下とす
る。

以上の構成の感光体にあっては必要に応じてａ−３ｉ光
導電層（３）上に厚さ０１乃至３ミクロンの薄層の酸素
を５Ｑａｔｏｒｎｉｃ％程度まで含有するａ−３ｉ保護
層、あるいは同様の厚さで炭素を含むａ−３ｉｘｃ！　
＋　−ｘ　（ｘ　＝０．５−０．９）保護層を形成して
もよい。これらの層はより高い初期表面電位を保証する
上で有効である。

また基板（１）とａ−３ｉ：Ｇｅ光導電層（２）間に整
流層を設けてもよい。

次に本発明に係る感光体を製造するための誘導結合型゛
グロー放電分解装置について説明する。

第３図において、第１、第２、第３、第４タンク（４）
　、　（５）　、　（６）　、（７）には夫々ＳｉＨ４
、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４，０２ガスが密封されている。Ｓ
ｉＨ４，Ｂ２Ｈ６，ＧｅＨａガスのキャリアーガスは何
れも水素であるが、Ａｒ、Ｈθであっても差し支えはな
い。これらガスは対応する第１、第２、第３、第４調整
弁（ｓ）　、　（９）　、　（１０）　、　（１１）　
　を開放することにより放出され、その流量はマスフロ
ーコントローラー（１２）　、　（１３）　、　（１４
）　、　（１５）により規制され、第１及び第２タンク
（４）　、　（５）のガスは第１主管（１６）へと、第
３タンク（６）からのＧｅＨ４ガスは第２主管（１７）
へと、更に第４タンク（７）からの０２ガスは第３主管
（１８）へと送らレル。尚、（１９）　、　＜２０’）
　。

（２１）　、　（２２）　ｕ流量計、（２３）　、　（
２４）　、　（２５Ｎｔ　＋　ニック弁である。第１、
第２、第３主管（１６）　、　（１７）　、　（１８）
を通じて流れるガスは反応管（２６）へと送り込まれる
が、この反応管の周囲には共振振動コイル（２７）が巻
回されておりそれ自体の高周波電力は約０１乃至３ｋｉ
ｌｏｗａｔｔｓ　であることが好ましく、また周波数は
１乃至５０ＭＨｚが適当である。反応管（２６”ｌ内部
にはその上にａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（２）が形成され
るアルミニウム、ステンレス、ＮＥｓＡ＃ラス等のよう
な基板ｃ２８）がモータ（２９）により回転可能である
ターンテーブル（３０）上に載置されており、該基板（
２９）自体は適当な加熱手段により約１００乃至４００
℃、好ましくは約１５０乃至３００℃の温度に均一加熱
されている。また反応管（２６）の内部は層形成時に高
度の真空状態（放電圧＝０５乃至２ＴＯｒｒ）を必要と
することにより回転ポンプ（３１）と拡散ポンプ（３２
）に連結されている。

以上のグロー放電分解装置において、まず水素を含有す
るａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（２）を基板上に形成するに
は第１．第３調整弁（８）　、　（１ｏ）を開放して第
１タンク（４）よりｓ：ｔＨａガスを、第３タンク（６
）よりＧｅＨ４ガスを、硼素を含有するときは第２調整
弁（９）をも開放して第２タンク（５）よりｆ３ｔＨａ
ガスを、更に酸素を含有するときＫは第４調整弁（１１
）をも開放して０２ガスを放出する。各ガスの放出量は
マスフローコントロラー（１２）、（１も）１．”：　
（１４）　、’（１鵠により規制され、ＳｉＨ４ガスあ
るいはそれにＢ２Ｈ４ガスが混合されたガスが第１主管
（１６）を介して、Ｇｅ珍ガスが第２主管（１７）を介
して、また必要に応じてＳ　ｉＨ＊＋ＧｅＨ４に対し一
定のモル比にある酸素ガスが第３主管（１８）を介して
反応管（２６）へと送り込まれる。そして反応管（２６
）内部が０５乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板
湿度が１００乃至４ｏｏ℃、共振振動コイル（２７）の
高周波電力が０１乃至３ｋｉｌｏｗａｔｔｓ。

また周波数が１乃至５ＱＭＨｚに設定されていることに
相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解して基板上に
少なくとも水素を含有するａ−８ｉ　：　Ｇｅ光導電層
が約０５乃至　５ミクロン／　６’Ｏ分の早さで形成さ
れる。

厚さ０１乃至３ミクロンのａ−３ｉ：Ｇｅ光導電層が形
成キれると、一旦、グロー放電を中断する。その後、第
１、第２、第４タンク（４）　、　（５）　、　（７）
よりＳｉＨ４゜Ｂ２Ｈ４，０２ガスを放出させ上記と同
様の条件下でａ−８１：Ｇｅ光導電層（２）上に厚さ５
乃至３０ミクロンの水素、酸素及び硼素を含有するａ−
３ｉ光導電層（３）を形成する。

本発明の感光体は第４図に示す容量結合型グロー放電分
解装置によっても作成することができム尚、第３図と同
一部分については同一符番を付してその説明に替える。

第４図において、（３３）　、　（３４）は夫々ＳｉＨ
４、ＧＩｌｌＨ４ガスのキャリアーガスである水素が密
封された第５．第６タンク、（３５）　、　（３６）は
第５、第６調整弁、（３７）　、　（３８’）はマスフ
ローコントロラー、（３９）　、　（４０）は流量計で
ある。反応室（４１）内部には基板（２８）に近接して
高周波電源（４２）に接続された第１．第２電極板（４
３）、　（４４）が平行配設されており、夫々は第４及
び第５主管（４５）　、　（４６）　　に接続されてい
る。尚、第１．第２電極板間は導線（４７）で電気接続
されている。

Ｃ２８）に対面する表面壁には多数のガス放出孔が、重
ね合わせ部の中間壁には少数のガス放出孔が、そして裏
面壁には第４主管（４５）と接続されるガス導入孔が形
成されており、まず第４主管（４５）からのガスを一旦
第１導体（４８）内で貯め、中間壁の孔から徐々に放出
し第２導体（４９）の放出孔から均一に放出されるよう
になっている。そしてガスの放出と同時に高周波電源（
４２）より約０．０５乃至１５ｋｉｌｏｗａｔｔｓ　（
周波数１乃至５０ＭＨｚ）の電力を第１゜第２電極板（
４３）、（４４）に印加してグロー放電を起こし基板（
２８）上に光導電層を形成する。この際、基板（２８）
は電気的に接地に保たれるかそれ自体に直流バイアス電
圧が印加される。この装置にあっては電極板の放電が均
一、層の形成分布が均一、ガス分解効率に優れ成膜速度
が早いこと、更にガス導入が容易で構成も簡単であると
いう利点を有する。

以下、実験例について説明する。

実験例１ 第３図に示すグロー放電分解装置、但し反応管（２６）
として直径１００ｍｍ　、高さ６００叫　のパイレック
ス管を用いるとともにその周囲に直径１３０ｍ、高さ９
０＋ｍｌＯターンの共振振動コイルを巻回させて構成さ
れるもので本発明に係る感光体を作成した。

直径８０ｗｎのアルミニウムドラムを基板（２８）　ト
Ｌてターンテーブル上に載置し約２ｏｏ℃に昇温する。

反応管（２６）内を１０’Ｔｏｒｒｔで回転ポンプ（３
１）と拡散ポンプ（３２）で排気しその後は回転ポンプ
のみに切り換える。続いて第１タンク（１）より水素を
キャリアーガスとするＳｉＨ４ガス（水素に対し５ＩＨ
ｎｌｏ％）を７０ｇにａｍの流量の下で、第３タンクよ
りＧθＨ４ガス（水素に対しＧｅＨｎｌＱ％）を１４８
ｃｃｍ放出しコイル（２７）に１６０ｗａｔｔｓ　（周
波数４ＭＨｚ）の高周波電力を印加して１ミクロン／６
０分の♀さで＆−３ｉ０．７５ＧｅＯ，ｌｊ、光導電層
を形成した。尚、このときの放電圧は１Ｔｏｒｒとした
。

厚さにして約０５ミクロンの水素ヲ約２５ａｔｏｍｉｃ
％含むａ−９ｉＯ，７５ＧｅＯ，２５光導電層が形成さ
れると、グロー放電を一旦中断し、その後、第１タンク
（１）よりＳｉＨ４ガスを７０ＳＱｘ、第２タンク（′
３よりＢ２）１４ガス（水素中８０ｐｐｍ　）を１８Ｓ
噛通４タンク（４）より０２ガスを０．３　Ｓ　０ｃｍ
放出し」二記と同一条件の下で厚さ１５ミクロンで水素
約２５ａｔｏｍｉＯ％に加えて４０ｐｐｍの硼素０．０
１　ａｔｏｍｉｃ％７）酸素を含有するＩＬ−３ｉ光導
電層を形成した。こうして得られた感光体を試料Ａとす
る。

同様の条件の下に同一構成の感光体、但しａ−３ｉ０．
７５ＧＱ光導電層に４０ｐｐｍの硼素を水素に加えて含
有したもの、更に４ｏｐｐｍの硼素に加え０．０１ａ　
ｔ　ｏｍ’ｉ’ｃ％の酸素を含有した以外は同じ感光体
を更に２種類作成した。これらを夫々試料Ｂ、Ｏとする
。これら各感光体を＋３００■に帯電し、光照射はモノ
クロメータを使用して波長域５００乃至８５０ｎｍ間を
順次５０ｎ４に可変していき表面電位が半減するに必要
な光エネルギーとの関係を測定して分光感度を調べた。

その結果は第５図に示す通りで、カーブ（０）　、　Ｃ
Ｄ）■）は夫々試料Ａ、　Ｂ　’ｔ　Ｏに対応する。尚
、カーブＣＰ）はａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層がなく基板上
に直接ａ−３ｉ光導電層を形成してなる感光体の分光感
度である。

同図から明らかなようにａ−３ｉ：Ｇｅ光導電層を設け
ることにより長波長側の感度は著しく改善している。特
にａ−８ｉ　光導電層のみを有する感光体と比べ水素の
みを含有するａ−３ｉ０．７５Ｇ８０．２５　　光導電
層を有する感光体は長波長領域で最も高感度で、前者が
波長７ＱＱｎｍでは０２々ｉｅｒｇ　　であるのに対し
後者は０．３２ｔｆＬ／ｅｒｇ　　　　　　　　　　　
　　、　　　　　、７５０ｎｆｆｉでは０．１２に対し
０．２３　、　ｓｏｏｎｍでは０．０７に対し０．１４
゜８５Ｑｎｍでは００６に対し０１１と約１５倍から２
倍程度感度が向上している。ａ−８１０４ａＧｅ０．２
５光導電層に硼素を含有（カーブＤ）、更には酸素を含
有（カーブｚ）した感光体は幾分感度が低いが、それで
もカーブＤと比べてかなり高感度である。そして可視光
領域では、例えば６００ｎｌｌｌではｇす０１ｇ　＋　
６５０ｎｍ０．８１ で稠噺ｒＬ／ｅ　ｒ　ｇ　　というａ−Ｓｉ　光導電層
が本来持つ高感度特性が保証されている。

次にａ−３ｉ：Ｇｅ光導電層に水素に加え硼素を夫々２
００ｐｐｍ＋２０００ｐｐｍｔ２０’０６０ｐｐｍ含有
させた以外は試料Ｂと同じ感光体を作成し、夫々の分光
感度を測定したところ、長波長領域で第５図に示したカ
ーブ中）より幾分低い感度が測定された。特に硼素を２
００００１）ｐｍ　含有するものはカーブ（縛と略同じ
γうな感度特性を示した。しかし何れの場合もカーブ（
Ｆ）より高感度であった。

更に試料Ｃと同じ感光体、但しａ−３ｉＯ，７ｓＧθ０
．２５光導電層に酸素を夫々旧、ｌａｔｏｍｉｃ％含有
させた感光体を作成し、その分光感度を測定したところ
、何れもカーブ（縛よりは低い感度が測定された。しか
し、酸素をｌ　ａｔｏｍｉｃ％　含有する感光体でもカ
ーブ伊）より長波長側で高感度であることが確認された
。もっともそれ以上のｌｖチτを含有すればカーブ（支
））と大差がなくなると予想され、この意味で酸素含有
量は最大でも１ａｔｏｒｎｉｃ％程度とするのが望まし
い。

また試料Ａと同じ感光体、但しａ−Ｓｉ　光導電層の厚
さを夫々５　、２０，３０．３５　　ミクロンとした感
光体４種類を作成して分光感度を測定したところ、長波
長側の感度はａ−３ｉ光導電・層・の、・膜・厚亦大と
刀るにし急が−って低下七逆に小にφるに。したがゆて
高：く１なる之いう肪を示し、第２図との陽連で述べ先
光透過率に依存するａｓａ−３ｉ光導電層の厚さが５ミ
クロンの感光体は７５０ｎｍで０．２５，８００ｎｍで
０．１９ａ／Ｌ’ｅ　ｒｇ　　とカーブ（０）と比べて
がなり高感度となる。逆に厚さ２０，３０．３５　　ミ
クロンのａ−３ｉ　光導電層を有する感光体は何れもカ
ーブ（Ｑより感度が低く、特に３５ミクロンのものはカ
ーブ（Ｐ）より低感度となりａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層を
設けた意味がない。このことからしても、ａ−８ｉ光導
電層の厚さは３０ミクロン以下、好ましくは２０ミクロ
ン以下とするのが望ましい。

最後に試料Ａと同じ感光体、但しａ−３ｉ：Ｇｅ光導電
層のＳｊとＧｅのモル比を夫々１９：１，１０：ｌ　、
２：１　。

１：１とした感光体を作成してやはり分光感度を測定し
たところ、１９：１　　の微量のＧｅでも長波長側感度
は向上し、Ｇｅの増大により高感度、となっていく。

現にＧｅの量が２：１のものではカーブ（０）と比して
約１．３−１．７倍程高感度である。しかしＳｉとＧｅ
　のモル比が１＝１のものでは逆に２＝１のものより低
感度となっている。この原因は不明なところもあるが、
Ｇｅのバンドギャップがａ−８ｉ　　と比してかなり狭
いため、多量のＧｅを入れた場合にはａ−８ｉ：Ｇｅ光
導電層で発生するキャリアーがａ−３ｉ　光導電層との
界面でトラップされａ−８ｉ　光導電層を移動できない
ためと考えられる。こめ意味で８１とＧｅのモル比は最
大でも１：１が限度である。

作像実験では試料Ａの感光体をレーザービームプリンタ
ーにセットした。そしてコロナチャージャで正極性に帯
電し、発振波長７８ｏｎｍ　、３ｍＷの半導体レーザー
光を直接変調して回転多面鏡で走査し、感光体上へネガ
露光し、正極性トナーで反転磁気ブラシ現像、転写、ク
リーニング、除電を行った。

感光体移動速度はｌ　３Ｑｍｍ／ＳθＣとしてＡ４サイ
ズペ０ 一パを毎分益枚プリントさせたところ１．１０ドツト／
謔の非常に鮮明な文字を再現するプリントが得られた。

プリント画質は１０万枚プリント後も鮮明であった０

【図面の簡単な説明】

・第１図は本発明に係る感光体の積層構成図、第２図は
アモルファスシリコンとアモルファスシリコンゲルマニ
ウム光導電層の光透過率を示す図、第３図及び第４図は
本発明に係る感光体を製造するためのグロー放電分解装
置、第５図は本発明に係る分光感度を示す図である。 （１）・・・・・・導電性基板、（２）・・・・・・ａ
−３ｉ：Ｇｅ光導電層、（３）・・・・・・ａ−８ｉ光
導電層、（４）・・・・・・第１タンク（ｓｔＨ４ガス
）（５）・・・・・・第２タンク　（Ｂ２Ｈ６ガス）（
６）・・・・・・第３タンク　（ＧｅＨ４ガス）（７）
・・・・・・第４タンク（Ｏｆガス）、（２６）・・・
・・・反応管、（２７）・・・・・・共振振動′コイル
、（４３）　、　（４４）・・・・・・第１．第２電極
板。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 河　　村　　孝　　夫 京都セラミック株式会社 第１図 ３ 第２図 疲−＆（劉 １Ｊ３図 第４図 ７ 第５図 波表（大町

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性基板上に厚さ約ｏ、１乃至３ミクロンのア
   モルファスシリコン−ゲルマニウム光導電層と、その上
   に厚さ約５乃至３０ミクロンのアモルファスシリコン光
   導電層を形成したことを特徴とする感光体。 ■）前記アモルファスシリコン−ゲルマニウム光導電層
   は少なくとも水素を含有し、ＳｉとＧｅのモル比は１：
   １乃至１９：１であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の感光体。