JPS58171054A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は特に近赤外波長領域に優れた光感度特性を示す
感光体に関する。

従来技術 ここ数年、グロー放電分解法やスパッタリング法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと
略す）、　アモルファスゲルマニウム（以下、ａ−Ｇｅ
と略す）　乃至はアモルファスシリコン−ゲルマニウム
（以下、ａ　−Ｓｉ　：ｃｅト略す）の電子写真感光体
への応用が注目されてきている。これはこれらａ　−Ｓ
ｉ　、　　ａ−Ｇｅ　１ａ　−８ｉ：Ｇｅが従来のセレ
ンやＣｄＳ感光体等と比して環境汚染性、耐熱性、摩耗
性等において一段と優れているためである。

そして特にａ　−Ｓｉ　：Ｇｅの場合、Ｇｅのバンドギ
ャップがａ−８ｉと比して小さいため、ａ−８ｉにＧｏ
を適量加えることにより光感度特性を長波長側に延ばす
という効果が期待でき近年その開発がめざましい半導体
レーザービームプリンターへの応用が考えられる。

例えばａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層の厚さを数１０ミクロン
として基板上に形成してなる所謂単層構造の感光体が提
案されているが、Ｇｅはａ−８ｉと比して光吸収により
発生するチャージャキャリアの移動度（ｍｏｂｉｌｉｔ
ｙ　）が小さいため、チャージキャリアの多くが光導電
層中にトラップされ、残留電位の上昇と光感度の低下を
招くという欠点があった。従ってＧｏの含有量が制限を
受は長波長領域で高感度な感光体を得ることが困難であ
った。

＃嚇毒命； 発明の目的 本発明は以上の事実に鑑みて成されたもので、その目的
とするところは、近赤外領域で高感度で且つ電荷保持に
優れ良好な画像を得ることのできる感光体を提供するこ
とにある。

発明の要旨 本発明の要旨は、導電性基板上に厚さ約５乃至１００ｔ
クロンで暗抵抗が高いアモルファスシリコン半導体層と
、その上に厚さが約０１乃至２ミクロンで少なくとも水
素と周期律表第■Ａ族不ベシ 純物を、更に好ましくは最大で約５　Ｘ　１０　”　ａ
ｔｏｍｉｃへの微量の酸素を含有し且つシリコンとゲル
マニウムのモル比が約１：１乃至１９：１のアモルファ
スシリコン−ゲルマニウム光導電層を積層してなる感光
体にある。

：Ｇｅ光導電層（８）を順次積層してなるものである。

基板（１）上に形成されるａ　−Ｓｉ半導体層（２）は
グロー放電分解法やスパッタリング法によって厚さ約５
乃至１００ミクロン、好ましくは約１０乃至６０ミクロ
ンに生成される。このａ　−Ｓ　ｉ半導体層（２）は後
述するａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（８）の厚さに依存する
が、その厚さが１ミクロン以下、特に０．５ミクロン以
下のときには可視光領域の光感度をある程度保証する光
導電層として機能する。それとともにａ　−Ｓ　ｉ半導
体層（２）は主たる電荷保持層・とじて機能する。ａ　
−Ｓ　ｉ半導体層が光導電層としての機能をも兼ね備え
るときには上述の厚さを有すること％ に加え、それ自体に約１０乃至４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃへ
の水素、約５×１０−２乃至１０　’　ａＬｏｍｉｃ％
の酸素並びに約ｌＯ乃至２００００　ＰＰｍの周期律表
第■Ａ族不純物（好ましくは硼素）を含有する。つまり
ａ　−Ｓｉ半導体層（２）は本願と同一発明者による特
開昭５６−１５６８８４号公報で詳述されている通り、
水素のみでは暗抵抗が１０１００・αに満たず電荷保持
層として必要な１０　Ω・備の暗抵抗は実現できない。

しかし水素に加え上述の範囲の酸素と不純物を含有すれ
ば約１００・１以上の暗抵抗が保証され電荷保持層とし
ての働きが可能となる。酸素を０．０５　ａｔｏｍｉｃ
％以下とするのは良好な光感度を保証するためで１０　
　ａｔｏｍｉｃ％以上とするのは１０　ｐｐｍ以上の第
１［［Ａ族不純物との併用で１０′３０・１オーダの暗
抵抗を保証するためである。尚、不純物を最大２０００
０ｐｐｍとするのはそれ以上の添加で暗抵抗が急激に低
下するためである。一方、光感度は酸素の含有量を増大
することに伴って低下するが、上述の通り酸素含有量は
最大でもＯ，Ｑ　５　ａｔｏｍｉｃ％と微量であるので
高感度が維持され、特に４００乃至７００ｎｍの波長で
はＳｅやＰＶＫ　−ＴＮＦ　（モル比１：１）等と比べ
て数倍以上高感度で光導電層としても優れている。

このようにａ　−Ｓｉの暗抵抗が酸素の添加により著し
く向上するのは不明な点も多いがダングリングボンドを
有効に解消するためと考えられる。即ち、ａ　−Ｓ　ｉ
はその出発原料としてＳ　ｉＨ４、Ｓ　ｉ　２　Ｈ６等
が用いられるとともにグロー放電分解法にあってはキャ
リアーガスとして水素が用いられることにより、更には
硼素を含有するときにはＢ２Ｈ６が使用される関係上本
妻、一般には１０乃至４Ｑａｔｏｍｉｃ％のオーダの水
素が含まれる。しかし水素のみではダングリングボンド
を不充分にしか解消できず暗抵抗は余り向上しない。と
ころが酸素は含有によってダングリングボンドをほとん
ど解消して暗抵抗を１０１８０・α以上に向上する。ま
たａ　−Ｓ　ｉはその固有の性質としてバンドギャップ
が広くチャージキャリアの移動度が大きいので電荷運搬
層として有効に作用する。尚、光感度特性を余り損うこ
となく所望の暗抵抗が達成されるのであればａ−８ｉ光
導電層（２）への含有物は上記に限らず任意である。

ａ　−Ｓ　ｉ半導体層（２）に光導電層として機能を持
たせず電荷保持保証層としてだけの機能を持たせるので
あれば、酸素を更に多量に入れてもよい。また酸素に代
って、窒素や炭素を入れてもよい。

ａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（８）はやはりグロー放電分解
法やスパッタリング法によってａ　−Ｓ　ｉ半導体層（
２）上に約０．１乃至２ミクロンの厚さに形成され、少
と なくとも水素を約１０乃至４０　ａｔｏｍｉｃ％舎適量
の硼素全適量する。水素の含有は出発原料としてＳｉＨ
４、Ｇｅ　Ｈ４等が用いられ、　また後述するがグも水
素のみを含有するａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（３）にあっ
ては暗抵抗が低く表面電荷の横方向の流れが生じ画像乱
れが起こる。つまりａ　−Ｓ　ｉ、半導体層（２）はそ
の暗抵抗が高いことからある程度の電荷保持を保証する
が、表面層であるａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（８）の抵抗
が低すぎると横方向への電荷の逃げまで防止できない。

このため、ａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層に適量の硼素を含有
する。硼素の含有は暗抵抗をある程度向上させる働きを
し上述の不都合を解消する上で有効である。

更に好ましくは１０−８乃至５　Ｘ　１０　”　ａｔｏ
ｍｉｃ％の酸素を水素、硼素に加えて含有することであ
る。

酸素はａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層の暗抵抗を著しく向上さ
せ、横方向への電荷流れを確実に防止するとともに帯電
電位を向上する。酸素の含有量を最大的”　”　　ａｔ
ｏｍｉｅ％とするのはそれ以上ではａ−８ｉ：Ｇｅ本来
の光感度が損われるためで、また１０−８は硼素の添加
効率も高め約２００００　ｐｐｍ　　までの硼素含有を
可能ならしめる。つまり５×１０−２　乃至１０−１０
−８ａＬｏ％の酸素の含有は光感度を差程低下させるこ
とな（ａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層のダングリングボンドを
殆んど解消して暗抵抗を向上せしめるとともに、ｍｏｂ
ｉｌｉｔｙ　ｇａｐ中の局在準位を極めて少ないものと
して硼素の添加効率を大幅に向上している。

上記ａ　−８ｉ　：Ｇｅ光導電層（８）はＧｅのバンド
ギャップがａ−８ｉと比して小さいことより近赤外領域
、特に７００乃至９００　ｎｍの長波長側領域の優れた
光感度を保証する。ｌち、Ｇｅはａ　−Ｓ　ｉのみでは
低感度である長波長領域の光感度を向上させ、８００ｎ
ｍ前後の波長を露光源とする半導体レーザビームプリン
ターへの応用を可能ならしめる。長波長側感度向上のた
めにａ−８ｉに対しＧｅはモル比で最大で１：１、最低
で１９：１の範囲で含有することができる。つまりａ−
８ｉ′ｒ：、Ｇｓ　ｌ−Ｋを光導電層として工は０．５
乃至０゜９５である。モル比で最低でも１９：１とする
のはそれ以下のＧｅ含有では長波長領域での感度向上が
期待できないこと、逆に１：１以上とすれば感度が逆に
低下するためである。これはＧｅのバンドギャップがａ
　−Ｓ　ｉと比してかなり狭いため、多量のＧｅを入れ
た場合にはａ−３ｉ：Ｇｅ光導電層（８）で発生するチ
ャージキャリアがａ−８ｉ半導体層（２）との界面でト
ラップされるためと考えられる。更に加えて、ａ−８ｉ
：Ｇｅ光導電層のみが可視光から近赤外領域に至る感度
を保証する場合にはＧｏを含有すればする程、全体の感
度が低下するので、この意味でもＳｉとＧｅのモル比は
１：１が限度である。

ａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（８）は前述の通り約０．１乃
至２ミクロンの厚さにするのが好ましいが、ａ　−Ｓｉ
半導体層（２）に可視光領域の感度をある程度保証する
機能を持たせるときは厚さを約０．１乃至０．５Ｅクロ
ンとする。この点につき第２図を参照して詳述すると、
同図はａ−８ｉＯ，７５Ｇｅ０２５光導電層（水素約２
５　ａＬｏｍｉｃ％、酸素約０．０１　ａむｏｍｉｃ％
、硼素約４０ｐｐｍ含有）の４００から１０００　ｎｍ
に至る波長における膜厚１ミクロン当りの光透過率（％
／μ）を示し、これから明らかな様に同層は膜厚１ミク
ロンにつき約６００　ｎｍまでの短波長で完全に光吸収
する。このことはａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（８）の膜厚
が少なくとも１ミクロン以上であるときには６００ｎｍ
以下の短波光はａ−８ｉ半導体層（２）に届かないこと
を意味し６００　ｎｍ以下の波長の感度保証はａ−８ｉ
：Ｇｅ光導電層に依存することとなる。光透過率は６０
０　ｎｍで立ち上がり７００　ｎｍで約４０％、８００
ｎｍで約６０％、９００　ｎｍで約７０％となる。従っ
てａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（８）は短波長での光吸収が
高く長波長で低い。しかしそれでも長波長光を吸収する
ので短波、長波に渡って感度保証できる。上記は１ミク
ロン当りの光吸収率なので膜厚を１ミクロンより薄くす
ればａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層は６００ｎｍ以下のｉ波光
でも少なからずとも光透過−−Ｓｉ半導体層（２）に可
視光領域の感度保証の役割を持たせる意味がある。その
効果は０５ミクロン以下で特に顕著となり、この場合に
はａ　−Ｓ　ｉ半導体層に前述の通りの光導電層機能を
持たせるのが望ましい。

ａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層（８）の厚さを約０．１ミクロ
ン以上とするのは特に長波長領域の光感度を保証するた
めでそれ以下では充分な光吸収ができない。

厚さを約２ミクロン以下とするのはＧｏはノくンドギャ
ンプが狭くチャージキャリア、の移動度が小さいためで
ある。つまり同層で発生するチャージキャリアはａ　−
Ｓ　ｉ半導体層（２）を介して基板（１）側へ運搬され
なければならないが、その膜厚が２ミクロン以上だとａ
　−Ｓ　ｉ半導体層（２）との界面でトラップされ感度
低下を生じるためである。

次に本発明に係る感光体を製造するための誘導結合型グ
ロー放電分解法について説明する。

第８図において、第１、第２、第３、第４タンク（４）
、（５）、（６）、（７）には夫々ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６
、Ｇｅ　Ｈ４，０２ガスが密封されている。ＳｉＨ４、
Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４ガスのキャリアーガスは何れも水素
であるが、Ａｒ１Ｈｅであっても差し支えはない。これ
らガスは対応する第１、第２、第８、第４調整弁（８）
、（９）、（１０）、（１１）を開放することにより放
出され、その流量はマスフローコントローラー（１２）
、（１８）、（１４）、（１５）により規制され、第１
及び第２タンク（４）、（５）のガスは第１主管（１６
）へと、第３タンク（６）からのＧｅ　Ｈ４ガスは第２
主管（１７）へと、更に第４タンク（７）からの０２ガ
スは第８主管（１８）へと送られる。尚、（１９）、（
２０）、（２１）、（２２）は流量計、（２８）、（２
４）、（２５）、はチェック弁である。第１、第２、第
８主管（１６）、（１７）、（１８）を通じて流れるガ
スは反応管（２６）へと送り込まれるが、この反応管の
周囲には共振振動コイル（２７）が巻回されておりそれ
自体の高周波電力は約０．１乃至３　ｋｉｌｏｗａｔｌ
ｓであることが好ましく、また周波数は１乃至５０ＭＨ
ｚが適当である。

反応管（２６）内部にはその上にａ−８ｉ：Ｇｅ光導電
層（２）が形成されるアルミニウム、ステンレス、　Ｎ
ＥＳＡガラス等のような基板（２８）がモータ（２９）
　ｉこより回転可能であるターンテーブル（８０）上に
載置されており、該基板（２９）自体は適当な加熱手段
により約１００乃至４００６Ｃ１好ましくは約１５０乃
至３００℃の温度に均一加熱されている。また反応管（
２６）の内部は層形成時に高度の真空状態（放電圧：０
．５乃至２　Ｔｏｒｒ　）を必要とすることにより回転
ポンプ（８１）と拡散ポンプ（８２）に連結されている
。

以上のグロー放電分解装置において、まず水素を含有す
るａ　−Ｓ　ｉ半導体層（２）を基板上に形成するには
第１調整弁（８）を開放して第１タンク（４）よりＳｉ
Ｈ４ガスを、硼素を含有するときは第２調整弁（９）を
も開放して第２タンク（５）よりＢ２Ｈ６ガスを、更に
酸素を含有するときには第４調整弁（１１）をも開放し
て０２ガスを放出する。各ガスの放出量はマスフローコ
ントロラー（１２）、（１３）、（１５）により規制さ
れ、ＳｉＨ４ガスあるいはそれにＢ２　Ｈｓガスが混合
されたガスが第１主管（１６）を介して、ＳｉＨ４に対
し一定のモル比にある酸素ガスが第８主管（１８）を介
して反応管（２６）へと送り込まれる。そして反応管（
２６）内部が０．５乃至２．　ＯＴｏｒｒ程度の真空状
態、基板温度が１００乃至４００°Ｃ１共振振動コイル
（２７）の高周波電力が０．１乃至３　ｋｉｌｏｗａｔ
ｔｓ　、　　また周波数が１乃至５０ＭＨｚに設定され
ていることに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解
して基板上に水素、硼素、酸素を含有するａ　−Ｓ　ｉ
半導体層（２）が約０５乃至６ミクロン／６０分の早さ
で形成される。

厚さ５乃至１００ミクロンのａ　−Ｓ　ｉ半導体層が形
成されると、一旦、グロー放電を中断する。その後、第
１、第２、第３、更に必要に応じて第４タンク（４）、
（５）、（６）、（７）よりＳｉＨ＋、Ｂ２Ｈ６、Ｇｅ
　Ｈ４，０２ガスを放出させ上記と同様の条件の下でａ
　−Ｓ　ｉ半導体層（２）上に厚さ０．１乃至２ミクロ
ンの少なくとも水素及び硼素を含有するａ−８ｉ：Ｇｅ
光導電層（８）を形成する。

本発明の感光体は第４図に示す容量結合型グロー放電分
解装置によっても作成することができる。

尚、第８図と同一部分については同一符番を付してその
説明に替える。第４図において、（８８）、（８４）は
夫々ＳｉＨ４、Ｇｅ　Ｈ４ガスのキャリアーガスである
水素が密封された第５、第６タンク、（８５）、（８６
）は第５、第６調整弁、（８７）、（８８）はマスフロ
ーコントロラー、（８９）、（４０）は流量計である。

反応室（４１）内部には基板（２８）に近接して高周波
電源（４２）に接続された第１、第２電極板（４８）、
（４４）が平行゛配設されており、夫々は第４及び第５
主管（４５）、（４６）に接続されている。尚、第１、
第２電極板間は導線（４７）で電気接続されている。

上記第１電極板（４３）は直方体形状の第１、第２導体
（４８）、（４９）を２個重ね合わせた構成で、基板（
２８）に対面する表面壁には多数のガス放出孔が、重ね
合わせ部の中間壁には少数のガス放出孔が、そして裏面
壁には第４主管（４５）と接続されるガス導入孔が形成
されており、まず第４主管（４５）からのガスを一旦第
１導体（４８）内で貯め、中間壁の孔から徐々に放出し
第２導体（４９）の放出孔から均一に放出されるように
なっている。そしてガスの放出と同時に高周波電源（４
２）より約０．０５乃至１．５ｋｉｌｏｗａｔｔｓ　（
周波数１乃至５０　ＭＨｚ　）の電力を第１、第２電極
板（４８）、（４４）に印加してグロー放電を起こし基
板（２８）上に光導電層を形成する。この際、基板（２
８）は電気的に接地に保たれるかそれ自体に直流バイア
ス電圧が印加される。この装置にあっては電極板の放電
が均一、層の形成分布が均一、ガス分解効率に優れ成膜
速度が早いこと、更にガス導入が容易で構成も簡単であ
るという利点を有する。

以下、実験例について説明する。

実験例１ 第３図に示すグロー放電分解装置、但し反応管（２６）
として直径１００ｍｍ１高さ６００ｍｍのパイレックス
管を用いるとともにその周囲に直径１８０ｍｍ。

高さ９０ｍｇ１１０ターンの共振振動コイルを巻回させ
て構成されるもので本発明に係る感光体を作成した。

直径８０期のアルミニウムドラムを基板（２８）として
ターンテーブル上に載置し約２００℃に昇温する。

反応管（２６）内を１０−６Ｔｏｒｒまで回転ポンプ（
８１）と拡散ポンプ（８２）で排気しその後は回転ポン
プのみに切り換える。続いて第１タンク（４）より水素
をキャリアーガスとするＳｉＨ４ガス（水素に対し５ｉ
Ｈ４１０％）を７０　ｓｅｃｍの流量の下で、第２タン
ク（５）をＢ２Ｈ６ガス（水素中８０　ｐｐｍ　）をｌ
　８ａｃｅｍ　、　　第４タエ ンク（７）より０２ガスを０．８　ｓｃｃｍを放電し反
応管（２６）内：こ導入してコイル（２７）に１６　Ｑ
　ｗａＬｋｇ　（周波数４ＭＨｚ　）の高周波電力を印
加して１ミクロン／６０分の早さで厚さ２０ミクロンで
水素的２５　ａｔｏｍｉｃ％に加え酸素０．０１　ａも
ｏｍｉｃ％と硼素４０　ｐｐｍを含有するａ　−Ｓ　ｉ
半導体層（２）を形成した。尚、このときの放電圧はｌ
　’ｉ’ｏｒｒとした。

続いて第１タンク（４）よりＳｉＨ４ガスを７９　ｓｅ
ｃｍ　。

第２タンク（５）よりＢ２Ｈ６ガスを１８ｓｃｃｍ、第
８タンク（６）よりＧｅＨ４ガス（水素中１０％）を１
４　ｓｅｃｍ放出し、上記と同一条件の下でａ　−Ｓ　
ｉ半導体層（２）上に厚さ０．１ミクロンで約２５　ａ
ｔｏｍｉｃ％の水素及び４０　ｐｐｍの硼素を含有する
ａ−８ｉｏ７５Ｇｅｏ、２ｓ光導電層（８）を形成した
。こうして得られた感光体を試料Ａとする。

同様の条件の下に同一構成の感光体、但し試料Ｂとして
ａ−８ｉ０．７５　Ｇｅ０．２５光導電層（８）に更に
酸素を約０．０１　ａｔｏｍｉｃ％゛含有した感光体、
試料Ｃとして試験Ｂと同じでａ−８ｉ０．７５　Ｇｅ０
．２５光導電層（８）の膜厚を２ミクロンとした感光体
を作成した。

これら各感光体を４００ｖに帯電し、光照射はモノクロ
メータを使用して波長域５００乃至８５０　ｎｍ間を順
次５　Ｑ　ｎｍ毎に可変していき表面電位が半減するに
必要な光エネルギーとの関係を測定して分　。

光感度を調べた。

その結果は第５図に示す通りで、カーブ（Ａ）、０３）
、Ｃ）は夫々試料Ａ、Ｂ、Ｃに対応する。尚、カーブの
）は基板上にａ　−Ｓ　ｉ半導体層のみを有する感光体
の分光感度である。同図から明らかなように本発明の感
光体は特に波長７００１ｍ以上の長波長領域で光感度が
著しく改善している。特にカーブ（ロ）で示されるａ　
−Ｓ　ｉ半導体層のみを有する感光体と比べ水素及び硼
素を含有する感光体（試料Ａ、カーブＡ）は長波長領域
では高感度で、前者が波長７００　ｎｍでは０．２２　
ｃＪ／ｅｒｇであるのに対し後者は０、４２ａｆｌ／ｅ
ｒｇ　、　７５０　ｎｍでは０．１２に対しｏ、２９、
ｓ　ｏ　ｏ　ｎｍでは０．０７に対し０．２８．８５０
ｎｍでは０．０６に対し０．２と約２倍から８倍程度光
感度が向上し示されるように幾分感度が低くなっている
がそれでもかなり高感度である。逆にａ　−ｓｉα７６
　Ｇｅｏ２５光導電層の膜厚を２ミクロンと大きくした
試料Ｃではカーブ（Ｃ）で示されるように長波長感度が
試料Ａより高くなっており高速半導体レーザービームプ
リンターへの応用を可能ならしめている。

一方、可視光領域の光感度はカーブ（Ｄ）と比べて低く
なっているが、それでも６００　ｎｍでは何れもｏ１ｃ
Ｊ／ｅｒｇ以上あり充分高感度である。試料Ａ１Ｂの場
合は、ａ　−Ｓｉ半導体層が光導電層として機能してい
る関係もあって試料Ｃよりは高感度である。これに対し
ａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層の膜厚が大さい試料Ｃは最も低
く、このことからしても２ミクロン位が限度である。

次に試料Ｂと同じ感光体、但しａ　−Ｓ　ｉ　Ｏ，７５
ＧｅＯ，２５光導電層に酸素を０．０５　ａｔｏｍｉｃ
％含有させた感光体を作成し、その分光感度を測定した
ところ、カーブ（Ｂ）よりは可視光、長波長とも低い感
度が測定された。しかしカーブ（Ｄ）より高感度である
ことが確認された。もつともそれ以上の酸素を含有すれ
ばカーブの）と大差がなくなると予想され、この意味で
酸素含有量は最大でもＯＯ５ａｔｏｍｉｃ％程度とする
のが望ましい。

更にａ−８ｉｏ、７ｓ　Ｇ１１０．２５光導電層に水素
、酸素に加え硼素を夫々２００．２０００．２００００
　ｐｐｍ含有させた以外は試料Ｂと同じ感光体を作成し
、夫々の分光感度を測定したところ、特に長波長領域で
カーブ（Ｂ）より硼素含有量の増大に応じて順次わずか
ながらも低い感度が測定された。しかし何れもカーブ（
ロ）よりはかなり高感度であった。

最後に試料Ｂと同じ感光体、但しａ　−Ｓ　ｉ　：Ｇｅ
光導電層のＳｉとＧｅのモル比を夫々１９：１．１ｏ：
１．２：１．１：１とした感光体を作成してやはり分光
感度を測定したところ、１９：ｌの微量のＧｅでも長波
長側感度は向上し、Ｇｏの増大により高感度となってい
く。現にＧｅの量が２：ｌのものではカーブ中）と比し
て約１．４〜１．９倍程高感度である。しかしＳｉとＧ
ｅのモル比がｌ：１のものでは逆に２：１のものより低
感度となっている。この原因は不明なところもあるが、
Ｇｅのバンドギャップがａ　−Ｓ　ｉと比してかなり狭
いため、多量のＧｅを入れた場合にはａ−８ｉ：Ｇｅ光
導電層で発生するキャリアーがａ　−Ｓｉ半導体層との
界面でトラップされ移動できないためと考えられる。こ
の意味でＳｉとＧｅのモル比は最大でも１：ｌが限度で
ある。

作像実験では試料Ｂの感光体をレーザービームプリンタ
ーにセットした。そしてコロナチャージャで正極性に帯
電し、発振波長７８０　ｎｍ　１２ｍＷの転磁気ブラシ
現像、転写、クリーニング、除電を１０ドツト／順の非
常に鮮明な文字を再現するプリントが得られた。プリン
ト画質はｌＯ万枚プリント後も鮮明であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る感光体の積層構成図、第２図はア
モルファスシリコン−ゲルマニウム光導電層の光透過率
を示す図、第８図及び第４図は本発明に係る感光体を製
造するためのグロー放電分解装置、第５図は本発明に係
る感光体分光感度を示す図である。 （１）・・・導電性基板、（２）・・・ａ−８ｉ半導体
層、（３）・・・ａ−８ｉ：Ｇｅ光導電層、（４）　・
・・第１タンク（ＳｉＨ４ガス）、１５）・・・第２タ
ンク（Ｂ２Ｈ６ガス）、（６）・・・第８タンク（Ｇｅ
Ｈ４ガス）、（７）　＝−第４タンク（０２ガス）、（
２７）・・・共振振動コイル。 第１図 第２図 液＋（久町 第３図 第４図 ７ 第５図 襄＋（ｍ町

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性基板上に、厚さ約５乃至１００ミクロンのア
   モルファスシリコン半導体層と、その上に厚さ約０．１
   乃至２ミクロンで近赤外領域の光感度を保証しシリコン
   とゲルマニウムのモル比が１：１乃至１９：１であるア
   モルファスシリコン−ゲルマニウム光導電層を形成した
   ことを特徴とする感光体。 ２、前記アモルファスシリコン−ゲルマニウム光導電層
   は少なくとも水素と周期律表第■Ａ族不純物を含有する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の感光体。 ＆前記アモルファスシリコンーゲルマニウム光導電層は
   更に最大的５　Ｘ　１０−１０−２ａＬｏ％の酸素を含
   有することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の感
   光体。