JPS5915940A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS5915940A JPS5915940A JP12605382A JP12605382A JPS5915940A JP S5915940 A JPS5915940 A JP S5915940A JP 12605382 A JP12605382 A JP 12605382A JP 12605382 A JP12605382 A JP 12605382A JP S5915940 A JPS5915940 A JP S5915940A
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- selenium
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体、光電素子等の感光体に関す
るものである。
るものである。
例えば電子写真感光体として、特開昭５７−２４９４６
号明細書にみられるようにセレン化砒素（ＡＳ２Ｓｅ３
）層を電荷輸送層として、セレン−テルル化砒素（ＡＳ
２５ｅ３−ｘＴｅｘ ）を光導電層として導電性支持体
上に順次積層したものが知られている。このセレン−テ
ルル化砒素層を用いれば、特に約９５０ｎｍまでの比較
的長波長の光に対し感度が向上するとしている。
号明細書にみられるようにセレン化砒素（ＡＳ２Ｓｅ３
）層を電荷輸送層として、セレン−テルル化砒素（ＡＳ
２５ｅ３−ｘＴｅｘ ）を光導電層として導電性支持体
上に順次積層したものが知られている。このセレン−テ
ルル化砒素層を用いれば、特に約９５０ｎｍまでの比較
的長波長の光に対し感度が向上するとしている。
本発明者は、こうしたセレン化砒素層とセレン−テルル
化砒素層との積層体を用いた公知の感光体について検討
を加えた結果、次のような欠陥があることが判明した。
化砒素層との積層体を用いた公知の感光体について検討
を加えた結果、次のような欠陥があることが判明した。
即ち、セレン−テルル化砒素層は比抵抗が低いことから
、実使用時に支持体側から注入されたキャリアが層表面
へ移動したシ或いは層中のフリーキャリアが作用して、
表面の帯電電荷が消失し易い。このだめに暗減衰が大き
くナリ、通常のプロセスでの使用が困難となる。
、実使用時に支持体側から注入されたキャリアが層表面
へ移動したシ或いは層中のフリーキャリアが作用して、
表面の帯電電荷が消失し易い。このだめに暗減衰が大き
くナリ、通常のプロセスでの使用が困難となる。
また、セレン−テルル化砒素層中で生成された光キャリ
アがＡｓ３ Ｓｅ３層へ注入されにくいため、光感度が
低くなる。しかも、セレン−テルル化砒素層の表面が露
呈されているために、そこへ空気中のイオンが直接的に
作用し、上記の欠点を更に助長している。これに加えて
、繰返し使用時に安定した動作を行ない得す、メモリ又
は残雪が大きくなり、また温度に対する初期電位の変化
が著しい。
アがＡｓ３ Ｓｅ３層へ注入されにくいため、光感度が
低くなる。しかも、セレン−テルル化砒素層の表面が露
呈されているために、そこへ空気中のイオンが直接的に
作用し、上記の欠点を更に助長している。これに加えて
、繰返し使用時に安定した動作を行ない得す、メモリ又
は残雪が大きくなり、また温度に対する初期電位の変化
が著しい。
本発明は、上記の如き問題点を解消すべくなされたもの
であって、基体（特に導電性支持基板）上にセレン化砒
素（％にＡＳ２５ｅ３）層とセレン−テルル化砒素（％
にＡｓ＋ ５ｅ３−）（Ｔｅｘ ）層とが頭次積層せし
められ、このセレン−テルル化砒素層上に電気抵抗が充
分に高い無機物質層（望ましくは光導電性物質層）が設
けられていることを特徴とする感光体に係るものである
。
であって、基体（特に導電性支持基板）上にセレン化砒
素（％にＡＳ２５ｅ３）層とセレン−テルル化砒素（％
にＡｓ＋ ５ｅ３−）（Ｔｅｘ ）層とが頭次積層せし
められ、このセレン−テルル化砒素層上に電気抵抗が充
分に高い無機物質層（望ましくは光導電性物質層）が設
けられていることを特徴とする感光体に係るものである
。
本発明による感光体はセレン−テルル化砒素層を有して
いるので、約９５０ｎｍまで（特に８５０〜９００ｎｍ
）の長波長光に対する光感度が良好であり、例えば半導
体レーザーを光源とする記録装置にとって非常に有用と
なる。そして注目すべきことは、このセレン−テルル化
砒素層上（即ち、感光体表面側）に高抵抗の無機物質層
を設けているために、この無機物質層として比抵抗が１
〜２桁以上高いものを用いれば、感光体表面での電位保
持能を向上させ、暗減衰を大幅に減少させることかでき
、かつこれに伴なってセレン−テルル化砒素層中での電
荷発生効率を向上させてセレン化砒素層への電荷注入効
率を高め、光感度を更に高めることができることである
。また、この無機物質層を感光体の表面側に設けている
ので、繰返し使用においても安定した動作が得られ、光
メモリ現象も減少し、更にまた、この無機物質層の存在
によって、感光体の機械的強度、耐久性が増大し、温度
に対する初期電位の変化も小さくなる。
いるので、約９５０ｎｍまで（特に８５０〜９００ｎｍ
）の長波長光に対する光感度が良好であり、例えば半導
体レーザーを光源とする記録装置にとって非常に有用と
なる。そして注目すべきことは、このセレン−テルル化
砒素層上（即ち、感光体表面側）に高抵抗の無機物質層
を設けているために、この無機物質層として比抵抗が１
〜２桁以上高いものを用いれば、感光体表面での電位保
持能を向上させ、暗減衰を大幅に減少させることかでき
、かつこれに伴なってセレン−テルル化砒素層中での電
荷発生効率を向上させてセレン化砒素層への電荷注入効
率を高め、光感度を更に高めることができることである
。また、この無機物質層を感光体の表面側に設けている
ので、繰返し使用においても安定した動作が得られ、光
メモリ現象も減少し、更にまた、この無機物質層の存在
によって、感光体の機械的強度、耐久性が増大し、温度
に対する初期電位の変化も小さくなる。
また、セレン−テルル化砒素層下のセレン化砒素層は長
波長光に対する感度がないが、電荷輸送層として機能し
、セレン−テルル化砒素層からの光キャリアを基体側へ
効率良く輸送する働きを有している。
波長光に対する感度がないが、電荷輸送層として機能し
、セレン−テルル化砒素層からの光キャリアを基体側へ
効率良く輸送する働きを有している。
以下、本発明を図面について更に詳細に説明する。
第１図に示す感光体によれば、アルミニウム等の導電性
支持基板１上にセレン化砒素層２（電荷輸送層）、セレ
ン−テルル化砒素層３（感光層）が設けられ、更にこの
層３の表面に無機物質層４（特に光導電性物質層）が設
けられている。セレン−テルル化砒素層３は主として感
光層（光導電層）として機能するが、その光学的ノζン
ドギャップが比較的小さいだめに、露光に用いる長波長
（特に８５０〜９００ ｎｍ ）の光に対して良好な感
度を有している。このセレン−テルル化砒素ハＡＳ２Ｓ
ｅ３−ＸＴｅｘと表わした場合、第２図の如きエネルギ
ーＥ（導電性を示すのに要する活性化エネルギーであっ
て、実際のエネルギーギャップの１／２に対応する値。
支持基板１上にセレン化砒素層２（電荷輸送層）、セレ
ン−テルル化砒素層３（感光層）が設けられ、更にこの
層３の表面に無機物質層４（特に光導電性物質層）が設
けられている。セレン−テルル化砒素層３は主として感
光層（光導電層）として機能するが、その光学的ノζン
ドギャップが比較的小さいだめに、露光に用いる長波長
（特に８５０〜９００ ｎｍ ）の光に対して良好な感
度を有している。このセレン−テルル化砒素ハＡＳ２Ｓ
ｅ３−ＸＴｅｘと表わした場合、第２図の如きエネルギ
ーＥ（導電性を示すのに要する活性化エネルギーであっ
て、実際のエネルギーギャップの１／２に対応する値。
）と導電率（室温）とを示す。テルルの割合を増やすに
従って、エネルギーギャップが減少して長波長光に対す
る感度が向上するが、導電性が増す（即ち電気抵抗が減
少する）ことが分る。このため、既述した如く、感光体
として用いる場合には電気抵抗が不充分となる傾向があ
り、これが暗減衰の増大、ひいては光キヤリア発生効率
の劣化による感度低下、黒紙電位の低下を招くことにな
る。
従って、エネルギーギャップが減少して長波長光に対す
る感度が向上するが、導電性が増す（即ち電気抵抗が減
少する）ことが分る。このため、既述した如く、感光体
として用いる場合には電気抵抗が不充分となる傾向があ
り、これが暗減衰の増大、ひいては光キヤリア発生効率
の劣化による感度低下、黒紙電位の低下を招くことにな
る。
従って、本例によれば、上記ＡＳ２５ｅ３−ｚ Ｔｅｘ
において、Ｔｅの割合（Ｘ）を０．０５≦Ｘ≦２．５に
するのが望ましく、特に０．１≦Ｘ≦１．０とするのが
よい。
において、Ｔｅの割合（Ｘ）を０．０５≦Ｘ≦２．５に
するのが望ましく、特に０．１≦Ｘ≦１．０とするのが
よい。
即ち、Ｘが０．０５未満であると長波長光に対して充分
な感度が得られず、またＸが２．５を越えると抵抗が低
下しすぎて充分な受容電位が得られない。
な感度が得られず、またＸが２．５を越えると抵抗が低
下しすぎて充分な受容電位が得られない。
０．１≦Ｘ≦１．０ の範囲にすれば、感度及び受容電
位共に満足すべきものとなる。まだ、このセレン−テル
ル化砒素層３の厚みは０．１〜１０μｍ、望ましくは０
，１〜３μｒｎとするのが、長波長光を充分に吸収でき
るのでよい１、これがあまり厚いと暗減衰が増加してし
まう。
位共に満足すべきものとなる。まだ、このセレン−テル
ル化砒素層３の厚みは０．１〜１０μｍ、望ましくは０
，１〜３μｒｎとするのが、長波長光を充分に吸収でき
るのでよい１、これがあまり厚いと暗減衰が増加してし
まう。
更に、本例では、上記無機物質層４の存在によって感光
体の電気抵抗を高めることができ、セレン化砒素層２と
セレン−テルル化砒素層３との二層構造のみでは回避し
得ない暗減衰の増大及び表面へのキャリア又はイオンの
作用を効果的に防止し、受容電位や感度を充分なものと
することができる。無機物質層４は一般にセレン−テル
ル化砒素層より１〜２桁以上電気抵抗の高いものからな
っているが、これには８ｉ（）＋、Ｓ ｉ Ｃ、Ａ＃０
３、及び非晶質炭化シリコン又は非晶質窒化シリコン等
の光導電性物質とがある。前者は電気抵抗は十分である
が、繰返し使用によって残留電位が上昇し易く、また後
者、特にＡＳ２５ｅ３（第２図参照）、非晶質炭化又は
窒化シリコンは暗抵抗率が１０１２〜１０′３Ω−儂程
度と良好である上に安定した繰返し特性を示すので望ま
しい材料である。しかもこれらの高抵抗無機物質は、表
面硬度が高いこと、炭素又は窒素量により光学的エネル
ギーギャップが１．６〜２．８ ｅＶの範囲に亘って変
化すること、耐熱性、耐刷性に優れていること等の性質
を示す。従って、第１図の如くに感光体の表面に設けれ
ば、電子写真感光体として特に電位保持能、機械的強度
、耐久性の点で満足すべきものとなり、また波長選択性
があるために長波長光を感光層３へ充分に透過させ得る
。なお、無機物質層４の厚みは０．０１〜５μｍがよく
、０．０５〜２μｍが更に望ましい。これがあまり厚い
と残留電位が増加してしまう。
体の電気抵抗を高めることができ、セレン化砒素層２と
セレン−テルル化砒素層３との二層構造のみでは回避し
得ない暗減衰の増大及び表面へのキャリア又はイオンの
作用を効果的に防止し、受容電位や感度を充分なものと
することができる。無機物質層４は一般にセレン−テル
ル化砒素層より１〜２桁以上電気抵抗の高いものからな
っているが、これには８ｉ（）＋、Ｓ ｉ Ｃ、Ａ＃０
３、及び非晶質炭化シリコン又は非晶質窒化シリコン等
の光導電性物質とがある。前者は電気抵抗は十分である
が、繰返し使用によって残留電位が上昇し易く、また後
者、特にＡＳ２５ｅ３（第２図参照）、非晶質炭化又は
窒化シリコンは暗抵抗率が１０１２〜１０′３Ω−儂程
度と良好である上に安定した繰返し特性を示すので望ま
しい材料である。しかもこれらの高抵抗無機物質は、表
面硬度が高いこと、炭素又は窒素量により光学的エネル
ギーギャップが１．６〜２．８ ｅＶの範囲に亘って変
化すること、耐熱性、耐刷性に優れていること等の性質
を示す。従って、第１図の如くに感光体の表面に設けれ
ば、電子写真感光体として特に電位保持能、機械的強度
、耐久性の点で満足すべきものとなり、また波長選択性
があるために長波長光を感光層３へ充分に透過させ得る
。なお、無機物質層４の厚みは０．０１〜５μｍがよく
、０．０５〜２μｍが更に望ましい。これがあまり厚い
と残留電位が増加してしまう。
電荷輸送層としてのＡＳ２ Ｂｅ３層２の厚さは使用プ
ロセスによって異なるが、２０〜１００μｍ、望ましく
は４０〜８０μｍとする。
ロセスによって異なるが、２０〜１００μｍ、望ましく
は４０〜８０μｍとする。
上記した如く、第１図に示す感光体は、長波長の半導体
レーザー光にも充分な感度を有する電子写真感光体とし
て極めて有用であると共に、要求される各静電特性、強
度、耐久性等も満足すべきものとなる。
レーザー光にも充分な感度を有する電子写真感光体とし
て極めて有用であると共に、要求される各静電特性、強
度、耐久性等も満足すべきものとなる。
上記の無機物質層４、特に非晶質炭化又は窒化シリコン
層は第３図に例示しだグロー放電装置を用いて形成する
ことができる。
層は第３図に例示しだグロー放電装置を用いて形成する
ことができる。
このグロー放電装置１１の真空槽１２内では、基板１が
基板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を
所定温度に加熱し得るようになっている。
基板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を
所定温度に加熱し得るようになっている。
基板１に対向して高周波電極１７が配され基板１との間
にグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の加、２１
．２２．２４．２７．四、四、３５．３６、羽は各パル
プ、３１はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、３２はＣ２Ｈ４又はガス状炭素化合物、又はＮＨ３又
はガス状窒素化合物の供給源、３３はＡｒ又は）］２等
のキャリアガス供給源である。このグロー放電装置にお
いて、まず支持体である例えばＭ基板１の表面を清浄化
した後に真空槽１２内に配置し、真空槽１２内のガス圧
が１０＝ Ｔｏｒｒとなるようにバルブ謁を調節して排
気し、かつ基板１を所定温度、例えば２００℃に加熱保
持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスと
して、ＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物、及びＣ２Ｈ
４又はガス状炭素化合物、又はＮＨ３又はガス状窒素化
合物を適当量希釈した混合ガスを真空槽１２内に導入し
、０．０１〜１０ Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１
６によシ高周波電力を印加する。これによって、上記各
反応ガスをグロー放電分解し、非晶質炭化又は窒化シリ
コンを上記の層３又は３′として基板１上に堆積させる
。この際、シリコン化合物と炭素化合物の流量比及び基
板温度を適宜調整することによって、所望の組成比及び
光学的エネルギーギャップを有する例えばａ−８ｉｘ−
ｘＣｘ ： Ｈ（例えばＸが０．９程度のものまで）を
析出させることができ、また析出するａ−８ｉＣ：Ｈの
電気的特性にさほどの影響を与えることなく、１００Ｏ
Ａ／ｍｉｎ以上の速度でａ−８ｉＣ：Ｈを堆積させるこ
とが可能である。
にグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の加、２１
．２２．２４．２７．四、四、３５．３６、羽は各パル
プ、３１はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、３２はＣ２Ｈ４又はガス状炭素化合物、又はＮＨ３又
はガス状窒素化合物の供給源、３３はＡｒ又は）］２等
のキャリアガス供給源である。このグロー放電装置にお
いて、まず支持体である例えばＭ基板１の表面を清浄化
した後に真空槽１２内に配置し、真空槽１２内のガス圧
が１０＝ Ｔｏｒｒとなるようにバルブ謁を調節して排
気し、かつ基板１を所定温度、例えば２００℃に加熱保
持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスと
して、ＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物、及びＣ２Ｈ
４又はガス状炭素化合物、又はＮＨ３又はガス状窒素化
合物を適当量希釈した混合ガスを真空槽１２内に導入し
、０．０１〜１０ Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１
６によシ高周波電力を印加する。これによって、上記各
反応ガスをグロー放電分解し、非晶質炭化又は窒化シリ
コンを上記の層３又は３′として基板１上に堆積させる
。この際、シリコン化合物と炭素化合物の流量比及び基
板温度を適宜調整することによって、所望の組成比及び
光学的エネルギーギャップを有する例えばａ−８ｉｘ−
ｘＣｘ ： Ｈ（例えばＸが０．９程度のものまで）を
析出させることができ、また析出するａ−８ｉＣ：Ｈの
電気的特性にさほどの影響を与えることなく、１００Ｏ
Ａ／ｍｉｎ以上の速度でａ−８ｉＣ：Ｈを堆積させるこ
とが可能である。
また、上記の感光層３、ＡＳ２ Ｓｅ３層２を形成する
には第４図に示す真空蒸着装置を用いることができる。
には第４図に示す真空蒸着装置を用いることができる。
この蒸着装置のペルジャー４１は、バタフライバルブ４
２を有する排気管４３を介して真空ポンプ（図示せず）
に接続し、これにより当該ペルジャー４１内を例えば１
０−３〜１０” Ｔｏｒｒの高真空状態とする。当該ペ
ルジャー４１内には基板１を配置してこれをヒ−ター４
５により温度１５０〜５００℃、例えば３７０〜３９０
℃に加熱すると共に、ＡＳ２５ｅ３−ＸＴｅｘ蒸発源４
９をヒーダー（８で例えば３９０℃に加熱し、Ａｓ２
Ｓｅ３蒸発源刃をヒーター５１で例えば３７０℃に加熱
し、蒸発源上のシャッターＳ１、Ｓ２を選択的に開いて
蒸着操作をＡ、Ｓ２５ｅ３−＋ ＡＳ２５ｅ３−ｘ Ｔ
ｅｘの順に連続して行なう。
２を有する排気管４３を介して真空ポンプ（図示せず）
に接続し、これにより当該ペルジャー４１内を例えば１
０−３〜１０” Ｔｏｒｒの高真空状態とする。当該ペ
ルジャー４１内には基板１を配置してこれをヒ−ター４
５により温度１５０〜５００℃、例えば３７０〜３９０
℃に加熱すると共に、ＡＳ２５ｅ３−ＸＴｅｘ蒸発源４
９をヒーダー（８で例えば３９０℃に加熱し、Ａｓ２
Ｓｅ３蒸発源刃をヒーター５１で例えば３７０℃に加熱
し、蒸発源上のシャッターＳ１、Ｓ２を選択的に開いて
蒸着操作をＡ、Ｓ２５ｅ３−＋ ＡＳ２５ｅ３−ｘ Ｔ
ｅｘの順に連続して行なう。
次に本実施例の具体的な実験例を説明する。
例１
まず、上記の蒸着装置において、アルミニウム基板の温
度を約２１０℃、真空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、 ＡＳ２
Ｓｅ３蒸発源温度を３７０℃として、上記基板上に厚さ
６０、／ｊｍのＡｇ２ＳＯ４を真空蒸着した。更に、Ａ
Ｓ２５ｅ３−ＸＴｅｘ蒸発源温度を３９０℃として蒸着
を行ない、厚さ２容ｔｍのＡＳ２８ｅ２．ｓ Ｔｅｏ、
ｓ層をＡＳ２ Ｓｅ３層上に形成した。そして、このＡ
Ｓ２ Ｓｅｚ、ｓ Ｔｅｏ、ｓ層上に、ＡＳ２ Ｓｅ３
蒸発源を３７０℃に加熱して蒸着することにより厚さ０
．２μｍのＡＳ２ Ｓｅ３層を最上層として形成した。
度を約２１０℃、真空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、 ＡＳ２
Ｓｅ３蒸発源温度を３７０℃として、上記基板上に厚さ
６０、／ｊｍのＡｇ２ＳＯ４を真空蒸着した。更に、Ａ
Ｓ２５ｅ３−ＸＴｅｘ蒸発源温度を３９０℃として蒸着
を行ない、厚さ２容ｔｍのＡＳ２８ｅ２．ｓ Ｔｅｏ、
ｓ層をＡＳ２ Ｓｅ３層上に形成した。そして、このＡ
Ｓ２ Ｓｅｚ、ｓ Ｔｅｏ、ｓ層上に、ＡＳ２ Ｓｅ３
蒸発源を３７０℃に加熱して蒸着することにより厚さ０
．２μｍのＡＳ２ Ｓｅ３層を最上層として形成した。
こうして得られた感光体を試料１とする。
例２
例１におけるＡＳ２ Ｓｅ３最上層に代えて、グロー放
電によって非晶質炭化シリコン層を最上層として形成し
た。この非晶質炭化シリコン層を形成するＫは、上記の
グロー放電装置において、アルミニウム基板を２５０℃
に加熱し、１３．５６Ｍ１ｌｚの高周波電圧をかけなが
ら、真空槽内に１５容ｔ％のＣ２Ｈ４と５容量係のＳｉ
Ｈ４とを含むＡｒガスを導入し、０．５Ｔｏｒｒの圧力
下でグロー放電分解を行なった。これによって、基板上
に厚さ０．２μｍの非晶質炭化シリコン膜を形成した。
電によって非晶質炭化シリコン層を最上層として形成し
た。この非晶質炭化シリコン層を形成するＫは、上記の
グロー放電装置において、アルミニウム基板を２５０℃
に加熱し、１３．５６Ｍ１ｌｚの高周波電圧をかけなが
ら、真空槽内に１５容ｔ％のＣ２Ｈ４と５容量係のＳｉ
Ｈ４とを含むＡｒガスを導入し、０．５Ｔｏｒｒの圧力
下でグロー放電分解を行なった。これによって、基板上
に厚さ０．２μｍの非晶質炭化シリコン膜を形成した。
この感光体を試料２とする。
比較例
次に、上記の蒸着装置を用いて、基板温度２１０°Ｃ，
Ｘ突変Ｉ Ｘｌ０−５Ｔｏｒｒ 、 ＡＳ２ Ｓｅｑ蒸
発源温度３７０°Ｃ，Ａ、Ｓ２５ｅ３−ｘ Ｔｅｘ蒸発
源温度を３９０℃として、アルミニウム基板上に厚さ６
０μｍのＡｇ２ＳＯ４、厚さ２μｍのＡＳ２ Ｓｅ２．
ｓ Ｔｅｏ５を真空蒸着し、感光体（これを比較試料と
する。）を作成した。
Ｘ突変Ｉ Ｘｌ０−５Ｔｏｒｒ 、 ＡＳ２ Ｓｅｑ蒸
発源温度３７０°Ｃ，Ａ、Ｓ２５ｅ３−ｘ Ｔｅｘ蒸発
源温度を３９０℃として、アルミニウム基板上に厚さ６
０μｍのＡｇ２ＳＯ４、厚さ２μｍのＡＳ２ Ｓｅ２．
ｓ Ｔｅｏ５を真空蒸着し、感光体（これを比較試料と
する。）を作成した。
以上のようにして作成した試料１及び２、比較試料を静
電複写試験装置「エレクトロメータ５Ｐ−４２８型」
（川口電機製作新製）に夫々装着し、帯電操作直後にお
ける感光体表面の帯電電位Ｖｏ、帯電後５秒間放置した
後の感光体表面の帯電電位■Ｉ、帯電電位をｖ２に減衰
せしめるのに必要な半減露光量Ｅ ｌ／２を測定した。
電複写試験装置「エレクトロメータ５Ｐ−４２８型」
（川口電機製作新製）に夫々装着し、帯電操作直後にお
ける感光体表面の帯電電位Ｖｏ、帯電後５秒間放置した
後の感光体表面の帯電電位■Ｉ、帯電電位をｖ２に減衰
せしめるのに必要な半減露光量Ｅ ｌ／２を測定した。
結果を下記表−１に示したが、本例（試料１．２）はい
ずれも、表面帯電電荷の暗減衰が少なく、光感度も良好
であり、電子写真等に好適であることが分る。これに反
し、セレン−テルル化砒素層の単層のみの場合（比較試
料）は各静電特性が非常に悪くなっている。
ずれも、表面帯電電荷の暗減衰が少なく、光感度も良好
であり、電子写真等に好適であることが分る。これに反
し、セレン−テルル化砒素層の単層のみの場合（比較試
料）は各静電特性が非常に悪くなっている。
表−１
例３
例１において、キャリア発生層であるＡＳ２５ｅ３−ｚ
’１’ｅｘのＸの値を０．０１．０．５及び２．７とし
た場合の８００ ｎｍの波長光に対する静電特性を下記
表−２に示す。
’１’ｅｘのＸの値を０．０１．０．５及び２．７とし
た場合の８００ ｎｍの波長光に対する静電特性を下記
表−２に示す。
表−２
但、■０、ＶＩ、Ｅｌ／２は前記衣−１におけるものと
同じ。
同じ。
この結果から、Ｘが０．０５〜２．５の範囲内では特に
光感度が良好となるが、その範囲を外れると特性が劣化
することが分る。
光感度が良好となるが、その範囲を外れると特性が劣化
することが分る。
図面は本発明を例示するものであって、第１図は感光体
の断面図、 第２図はセレン−テルル化砒素の導電性を示すのに要す
る活性化エネルギー（エネルギーギャップのＶ２に対応
する値）及び導電性をその組成比に応じて示すグラフ、 第３図はグロー放電装置の概略断面図、第４図は真空蒸
着装置の概略断面図 である。 なお、図面に用いられている符号において、１・・・・
・・・・・導電性支持基板 ２・・・・・・・・・セレン化砒素層 ３・・・・・・・・・セレン−テルル化ｉ素ｉ４・・・
・・・・・・無機物質層 １１・・・・・・・・・グロー放電装置１７・・・・・
・・・・高周波電極 ３１・・・・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源３
２・・・・・・・・・ガス状炭素又は窒素化合物供給源
お・・・・・・・・・キャリアガス供給源４１・・・・
・・・・・蒸着槽 ４５．４８．５１・・山・ヒーター ４９・・・・・・・・・セレンーテσルル化砒素蒸発源
印・・・・・・・・・セレン化砒素蒸発源である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第１図 第２図 第３１岡 ￥４１］
の断面図、 第２図はセレン−テルル化砒素の導電性を示すのに要す
る活性化エネルギー（エネルギーギャップのＶ２に対応
する値）及び導電性をその組成比に応じて示すグラフ、 第３図はグロー放電装置の概略断面図、第４図は真空蒸
着装置の概略断面図 である。 なお、図面に用いられている符号において、１・・・・
・・・・・導電性支持基板 ２・・・・・・・・・セレン化砒素層 ３・・・・・・・・・セレン−テルル化ｉ素ｉ４・・・
・・・・・・無機物質層 １１・・・・・・・・・グロー放電装置１７・・・・・
・・・・高周波電極 ３１・・・・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源３
２・・・・・・・・・ガス状炭素又は窒素化合物供給源
お・・・・・・・・・キャリアガス供給源４１・・・・
・・・・・蒸着槽 ４５．４８．５１・・山・ヒーター ４９・・・・・・・・・セレンーテσルル化砒素蒸発源
印・・・・・・・・・セレン化砒素蒸発源である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第１図 第２図 第３１岡 ￥４１］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体上にセレン化砒素層とセレン−テルル化砒素層
とが順次積層せしめられ、このセレン−テルル化砒素層
上に無機物質層が設けられていることを特徴とする感光
体。 ２、無機物質層が光導電性物質からなっている、特許請
求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、 光導電性物質が非晶質カルコゲナイド、非晶質炭
化シリコン又は非晶質窒化シリコンである、特許請求の
範囲の第２項に記載した感光体。 ４、セレン化砒素層がＡＳ２ Ｓｅ３からなり、かつセ
Ｌ／７−テルル化砒素層がＡＳ２５ｅ３−ｘ Ｔｅｘ
（但、ｘｏｏ、０５〜２．５）からなっている、特許請
求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載した感
光体。 ５、セレン化砒素層の厚みが２０〜１００μｍであり、
セレン−テルル化砒素層の厚みが０．１〜１０μｍｆあ
る、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に
記載した感光体。 ６、無機物質層の厚みが０．０１〜５μｍである、特許
請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項に記載した
感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12605382A JPS5915940A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12605382A JPS5915940A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5915940A true JPS5915940A (ja) | 1984-01-27 |
Family
ID=14925469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12605382A Pending JPS5915940A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915940A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61200543A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61273550A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-03 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真用記録材料 |
| JPS6250837A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| EP0296716A2 (en) | 1987-06-22 | 1988-12-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite and method of direct overwrite |
| JPH02256084A (ja) * | 1988-01-21 | 1990-10-16 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真装置 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12605382A patent/JPS5915940A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61200543A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61273550A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-03 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真用記録材料 |
| JPS6250837A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| EP0296716A2 (en) | 1987-06-22 | 1988-12-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite and method of direct overwrite |
| JPH02256084A (ja) * | 1988-01-21 | 1990-10-16 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真装置 |
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