JPH02256084A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
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- JPH02256084A JPH02256084A JP731889A JP731889A JPH02256084A JP H02256084 A JPH02256084 A JP H02256084A JP 731889 A JP731889 A JP 731889A JP 731889 A JP731889 A JP 731889A JP H02256084 A JPH02256084 A JP H02256084A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷発生層上に表面保護層を有する高感度高
耐刷性機能分離型感光体が用いられる光プリンタあるい
はデジタルプリンタ等の電子写真装置に関する。
耐刷性機能分離型感光体が用いられる光プリンタあるい
はデジタルプリンタ等の電子写真装置に関する。
光プリンタ及びデジタル複写機等に用いられている従来
の多層膜感光体は、表面保護層が数％のＡｓｆｉ度のＳ
ｅ−＾Ｓ合金であるため、耐刷枚数が１０万枚以下で少
ないという欠点を有していた。しかしながら最近、表面
保護層が＾Ｓ、−０Ｓｅ＝＋ｘ（０≦Ｘ≦０．５）なる
感光体ができ、その物性値、特に硬度により耐剛性が大
幅に向上した。
の多層膜感光体は、表面保護層が数％のＡｓｆｉ度のＳ
ｅ−＾Ｓ合金であるため、耐刷枚数が１０万枚以下で少
ないという欠点を有していた。しかしながら最近、表面
保護層が＾Ｓ、−０Ｓｅ＝＋ｘ（０≦Ｘ≦０．５）なる
感光体ができ、その物性値、特に硬度により耐剛性が大
幅に向上した。
しかしこのようなＡｓ２−ｘｓｅｓ＋ｘの組成をもつ表
面保護層を設けることは、表面電位が低下し、印字上か
ぶりが発生すると共に、コントラスト電位が低下し、階
調性が低下するという印字品質上の観点からの欠点を有
していた。
面保護層を設けることは、表面電位が低下し、印字上か
ぶりが発生すると共に、コントラスト電位が低下し、階
調性が低下するという印字品質上の観点からの欠点を有
していた。
本発明の目的は、上述の欠点を除去し、帯電電位の低下
が抑制され、印字品質の良好な高感度高耐刷性を有する
機能分離型感光体を提供することにある。
が抑制され、印字品質の良好な高感度高耐刷性を有する
機能分離型感光体を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、導電性基体上
に電荷輸送層、電荷発生層および表面保護層が順次形成
され、表面保護層がＡｓ２−ｘｓｅ３＋ｘなる分子式を
有しＸが０から０．５ の範囲にある感光体を用い、少
なくとも帯電、露光、現像、転写および除電の各工程が
行われる電子写真装置において、除電のために感光体に
照射される光の波長が６８０ｎｍ以下であるものとする
。特に５００〜６８０ｎｍの範囲にあることが望ましい
。また除電光照射後帯電までの時間を４００ｍ５ｅｃ以
上にすることが望ましい。
に電荷輸送層、電荷発生層および表面保護層が順次形成
され、表面保護層がＡｓ２−ｘｓｅ３＋ｘなる分子式を
有しＸが０から０．５ の範囲にある感光体を用い、少
なくとも帯電、露光、現像、転写および除電の各工程が
行われる電子写真装置において、除電のために感光体に
照射される光の波長が６８０ｎｍ以下であるものとする
。特に５００〜６８０ｎｍの範囲にあることが望ましい
。また除電光照射後帯電までの時間を４００ｍ５ｅｃ以
上にすることが望ましい。
高感度高耐刷性機能分離型感光体に正の電界を加え露光
すると、波長により感度が変化し表面保護層と電荷発生
層と両者の分光感度の交差点が生ずる。すなわち、６０
０ｒ＋＋ｎ以下の短波長側では表面保護層、６８０ｎｍ
以上の側では電荷発生層でキャリアが発生している事に
なる。電子写真プロセスを考えた場合、光が照射される
過程は露光と除電の両過程である。露光の場合は膜中に
電界が印加されているため、キャリアは非常に移動しや
すいが、除電の場合は露光部にはほとんど電界が印加さ
れていないため、長波長の光を照射すると電荷発生層で
キャリアが発生し、表面保護層と電荷発生層の界面ある
いは電荷発生層にキャリア、特に負の電荷が残りやすい
。このため、次のプロセスである帯電過程では、この残
留キャリアと正の帯電が打消し合い、表面電位が低下す
る。このようなメカニズムに基づき、除電光の波長を６
８Ｏｎ＋＋＋以下にして負の空間電荷をできるだけ少な
くすれば、帯電電位の低下が抑制される。
すると、波長により感度が変化し表面保護層と電荷発生
層と両者の分光感度の交差点が生ずる。すなわち、６０
０ｒ＋＋ｎ以下の短波長側では表面保護層、６８０ｎｍ
以上の側では電荷発生層でキャリアが発生している事に
なる。電子写真プロセスを考えた場合、光が照射される
過程は露光と除電の両過程である。露光の場合は膜中に
電界が印加されているため、キャリアは非常に移動しや
すいが、除電の場合は露光部にはほとんど電界が印加さ
れていないため、長波長の光を照射すると電荷発生層で
キャリアが発生し、表面保護層と電荷発生層の界面ある
いは電荷発生層にキャリア、特に負の電荷が残りやすい
。このため、次のプロセスである帯電過程では、この残
留キャリアと正の帯電が打消し合い、表面電位が低下す
る。このようなメカニズムに基づき、除電光の波長を６
８Ｏｎ＋＋＋以下にして負の空間電荷をできるだけ少な
くすれば、帯電電位の低下が抑制される。
高感度高耐刷性機能分離型感光体の作成は、次の工程で
行った。基体として加工および洗浄した直径８（ｌｓの
アルミニウム管を蒸着装置の支持軸に装着し、基体の温
度を約１９０℃に保った後ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒまで真
空引きし、その後Ａｓ、Ｓｅ、合金が入った蒸発源を約
９００℃に加熱して約６０μｍの膜厚を有する電荷輸送
層を蒸着した。次に電荷発生層として４２重量％のＴｅ
を含む５ｅ−Ｔｅ合金、電子注入抑制層として４重量％
のＡｓを含むＳｅ−Ａｓ合金および表面保護層として３
６重量％のＡｓを含む５ｅ−Ａｓ合金を順次フラッシュ
蒸着により、それぞれ約０．２μｍ、２μｍ、 ３μ
ｍの膜厚で積層した。この際のフラッシュ蒸着の条件は
、支持軸温度６０℃、圧力Ｉ ＸＩＯ’Ｔｏｒｒ 、蒸
発源温度４００℃であった。
行った。基体として加工および洗浄した直径８（ｌｓの
アルミニウム管を蒸着装置の支持軸に装着し、基体の温
度を約１９０℃に保った後ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒまで真
空引きし、その後Ａｓ、Ｓｅ、合金が入った蒸発源を約
９００℃に加熱して約６０μｍの膜厚を有する電荷輸送
層を蒸着した。次に電荷発生層として４２重量％のＴｅ
を含む５ｅ−Ｔｅ合金、電子注入抑制層として４重量％
のＡｓを含むＳｅ−Ａｓ合金および表面保護層として３
６重量％のＡｓを含む５ｅ−Ａｓ合金を順次フラッシュ
蒸着により、それぞれ約０．２μｍ、２μｍ、 ３μ
ｍの膜厚で積層した。この際のフラッシュ蒸着の条件は
、支持軸温度６０℃、圧力Ｉ ＸＩＯ’Ｔｏｒｒ 、蒸
発源温度４００℃であった。
このようにして作成された感光体を、周速１２０ｗ／秒
で回転させ、波長７８０ｎｍ 、光量１．５μＪ／ｃｊ
の光による露光、 ８００Ｖの電圧による帯電および帯
電より０．６秒前に波長４５０〜７００ｎｍの範囲、光
量１５μＪ／ｃｉの光による除電を行って疲労特性を評
価した。第１図にその場合の帯電低下を線１１．．．メ
モリ電位を線１２．残留電位を線１３で示す。メモリ電
位とは、露光した部分の電位と露光しない暗部電位との
差である。図より除電光の波長が６８Ｏｎ＋ｎを超える
と帯電低下が約４倍にも増加しまたメモリ電位も増加す
ることが分かる。実際の電子写真装置で印字出しを行っ
ても、７００ｎｍの除電光では白紙が黒くかぶっている
のに対し、６８０ｎｍ以下ではトナーが付着することな
く、良好な印字が得られた。
で回転させ、波長７８０ｎｍ 、光量１．５μＪ／ｃｊ
の光による露光、 ８００Ｖの電圧による帯電および帯
電より０．６秒前に波長４５０〜７００ｎｍの範囲、光
量１５μＪ／ｃｉの光による除電を行って疲労特性を評
価した。第１図にその場合の帯電低下を線１１．．．メ
モリ電位を線１２．残留電位を線１３で示す。メモリ電
位とは、露光した部分の電位と露光しない暗部電位との
差である。図より除電光の波長が６８Ｏｎ＋ｎを超える
と帯電低下が約４倍にも増加しまたメモリ電位も増加す
ることが分かる。実際の電子写真装置で印字出しを行っ
ても、７００ｎｍの除電光では白紙が黒くかぶっている
のに対し、６８０ｎｍ以下ではトナーが付着することな
く、良好な印字が得られた。
次に、除電光の波長を５５０ｎｍと一定にし、また除電
光量を１．５μＪ／ｃｒｌとし、他は第１図の場合と同
一条件で除電から帯電までの時間を変化させて疲労特性
を評価した結果を第２図に示し、線２１は帯電低下、線
２２はメモリ電位、線２３は残留電位である。帯電低下
は、除電、帯電量時間が短い程大きくなり、３００ｍ５
ｅｃ以下となると急激に大きくなることがわかる。
光量を１．５μＪ／ｃｒｌとし、他は第１図の場合と同
一条件で除電から帯電までの時間を変化させて疲労特性
を評価した結果を第２図に示し、線２１は帯電低下、線
２２はメモリ電位、線２３は残留電位である。帯電低下
は、除電、帯電量時間が短い程大きくなり、３００ｍ５
ｅｃ以下となると急激に大きくなることがわかる。
除電光の波長を４５Ｑｎｍより短波長にしても常温では
帯電低下は著しく増加することはないが、可視域より短
い波長の光、すなわち３８０ｎｍ以下の光の光源は高価
となる。また温度が５℃では５００〜６８００ωの範囲
の波長の除電光を用いないと帯電低下が大きくなる。
帯電低下は著しく増加することはないが、可視域より短
い波長の光、すなわち３８０ｎｍ以下の光の光源は高価
となる。また温度が５℃では５００〜６８００ωの範囲
の波長の除電光を用いないと帯電低下が大きくなる。
本発明によれば、除電光の波長を６８０ｎｍ以下にし、
さらには除電、帯電量時間を４ＱＱｍｓｅｃ以上にする
ことにより、感光体の表面電位低下が極力抑制され、印
字品質上かぶりのない良好な画像を生ずる電子写真装置
が得られる。
さらには除電、帯電量時間を４ＱＱｍｓｅｃ以上にする
ことにより、感光体の表面電位低下が極力抑制され、印
字品質上かぶりのない良好な画像を生ずる電子写真装置
が得られる。
第１図は感光体の疲労特性と除電光波長との関係線図、
第２図は感光体の疲労特性と除電、帯電量時間との関係
線図である。 １１゜ ２１−帯電低下、１２゜ ２２ メモリ電位、 １３゜ ２３・ 残留電位。 除電光波長（ｎｍ） 第 区
第２図は感光体の疲労特性と除電、帯電量時間との関係
線図である。 １１゜ ２１−帯電低下、１２゜ ２２ メモリ電位、 １３゜ ２３・ 残留電位。 除電光波長（ｎｍ） 第 区
Claims (1)
- （１）導電性基体上に電荷輸送層、電荷発生層および表
面保護層が順次形成され、該表面保護層がＡｓ＿２＿−
＿ｘＳｅ＿３＿＋＿ｘなる分子式を有しｘが０から０．
５の範囲にある感光体を用い、少なくとも帯電、露光、
現像、転写および除電の各過程が行われるものにおいて
、除電のために感光体に照射される光の波長が６８０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP731889A JPH02256084A (ja) | 1988-01-21 | 1989-01-13 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-11192 | 1988-01-21 | ||
| JP1119288 | 1988-01-21 | ||
| JP63-289232 | 1988-11-16 | ||
| JP731889A JPH02256084A (ja) | 1988-01-21 | 1989-01-13 | 電子写真装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02256084A true JPH02256084A (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=26341593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP731889A Pending JPH02256084A (ja) | 1988-01-21 | 1989-01-13 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02256084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6058003A (en) * | 1996-02-08 | 2000-05-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electrostatic charger and discharger |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5624383A (en) * | 1979-08-02 | 1981-03-07 | Minolta Camera Co Ltd | Light erasing device in transfer type copying machine |
| JPS57176087A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-29 | Hitachi Ltd | Electrophotographic recoder |
| JPS58137873A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Ricoh Co Ltd | 感光体除電方法 |
| JPS599686A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の除電方法 |
| JPS5915940A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS6093475A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Minolta Camera Co Ltd | 複写方法 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP731889A patent/JPH02256084A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5624383A (en) * | 1979-08-02 | 1981-03-07 | Minolta Camera Co Ltd | Light erasing device in transfer type copying machine |
| JPS57176087A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-29 | Hitachi Ltd | Electrophotographic recoder |
| JPS58137873A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Ricoh Co Ltd | 感光体除電方法 |
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| JPS5915940A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS6093475A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Minolta Camera Co Ltd | 複写方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6058003A (en) * | 1996-02-08 | 2000-05-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electrostatic charger and discharger |
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