JPH07175301A

JPH07175301A - 電子写真装置及び電子写真方法

Info

Publication number: JPH07175301A
Application number: JP6198001A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Oba; 忠志大庭; Norio Tomiya; 則夫冨家; Keiji Iwashima; 圭司厳島
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1993-10-29
Filing date: 1994-07-29
Publication date: 1995-07-14

Abstract

(57)【要約】【目的】ａ−Ｓｉドラムを用いた電子写真装置において
７００ｎｍ以上の長波長の露光手段を用いても残像の発
生のない画像を容易に形成し得る事、及びヒータを用い
ない場合でも表面電位の変化を抑制し得る電子写真装置
を提供する事。【構成】ａ−Ｓｉドラムの残像発生が単に波長のみに依
存することなく、ドラムの感光層の膜厚にも依存するこ
とを突止め、前記感光体層を２５μｍ以下の膜厚に設定
し、前記感光体層を支持する基体内にヒータを内蔵する
ことなく、機内環境温度下で画像形成を行うことを特徴
とする。この場合、感光体の表面電位は４５０Ｖ以下、
より具体的には３６０Ｖ以下に設定するのが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真装置及び電子写
真方法に係り、特にａ−Ｓｉドラムを用いたプリンタ、
複写機、ファクシミリ等の電子写真装置に適用される発
明に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より感光体ドラム外周面上に、露
光、現像、転写、クリーニング（残留トナー除去）、除
電、及び帯電の各プロセス手段を配置し、所定の電子写
真プロセスにより画像形成を行なう、いわゆるカールソ
ンプロセスに基づく電子写真装置は周知である。

【０００３】又近年円筒状の透光性支持体上に透光性導
電層と光導電体層を積層して感光体ドラムを形成すると
共に、該ドラム内に、画像情報に対応した光出力を生成
する露光手段（例えばＬＥＤヘッド）を内挿し、所定の
帯電手段を用いて帯電させた感光体ドラム上に前記露光
手段の光出力を集束レンズを通して露光すると同時若し
くはその直後に前記感光体ドラムと対面配置させた現像
スリーブを介して前記潜像をトナー像化（現像）した
後、該トナー像を転写ローラその他の転写手段を介して
記録紙に転写可能に構成した電子写真装置（特開昭５８
−１５３９５７号他）も公知である。

【０００４】この種の電子写真装置に用いる感光体ドラ
ムには近年耐久性の向上とフリーメインテナンス化を図
るために、ａ−Ｓｉドラムを用いているものがあるが、
ａ−Ｓｉドラムは光感度の波長依存性が強く、特に露光
波長に７００ｎｍ以上の長波長の光を使用すると、光キ
ャリアのトラップが避けられず、このようなトラップの
影響によりドラムのメモリ電位の増加による残像が発生
する。この為前記残像を極力防止するために、除電工程
時に必要以上のイレース光量を照射しているが、このよ
うなイレースを照射しても必ずしも残像の発生を完全に
除去できず、画質劣化の原因となっていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この為従来は前記露光
波長を７００ｎｍ以下に制限し、残像の発生を防止して
いるが、特に電子写真プリンタの場合、露光手段として
用いるＬＥＤの場合露光波長が６６０〜７１０ｎｍと７
００ｎｍ以下の露光波長が存在するが、半導体レーザの
場合露光波長が７６０〜８３０ｎｍと長波長であり、こ
の為ａ−Ｓｉドラムを用いたものでは残像の発生を完全
に阻止するのが困難であった。

【０００６】又ＬＥＤアレイにおいてもガリウムヒ素リ
ンＧａＡｓＰを用いたＬＥＤを用いているが、この種の
ＬＥＤにおいては波長を中心波長側に近づけ短波長化さ
せるには、特にウエーハ上にリンＰの混合比を多くしな
がら膜生成を行わなければならず、この事は膜生成時間
が１〜１．５日と多くなり製造コストが大になるのみな
らず、而も膜生成時間が長くなることはその分製造上の
バラツキも発生しやすく、特に中心波長が６６０ｎｍ前
後のＬＥＤチップにおいては輝度バラツキが２０％を越
えるものが多々有った。

【０００７】さてａ−Ｓｉは、ＯＰＣその他の有機半導
体に比較して温度依存性が強く、この為従来技術におい
ては前記感光体ドラムの背面側にシートヒータその他の
ヒート体を配し、感光体ドラムを加熱する事により前記
ドラム表面温度を一定に維持して表面電位の変化から起
因するかぶり等の発生を防止している。しかしながらヒ
ータを内挿することは消費電力の増大のほかに、ヒー
タ、ドラム表面温度を検知するサーミスタ、該サーミス
タよりの検知温度に基づくヒータ制御回路等を必要と
し、部品点数の増大と回路構成が煩雑化する。又前記ヒ
ータを用いる構成では、ドラム表面が所定温度に加熱さ
れるまでウエイテーングをせねばならず、９０秒前後の
ウオーミングアップタイムが必要となる。

【０００８】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、ａ
−Ｓｉドラムを用いた電子写真装置において７００ｎｍ
以上の長波長の露光手段を用いても残像の発生のない画
像を容易に形成し得る電子写真装置を提供する事を目的
とする。本発明の他の目的は、ａ−Ｓｉドラムの感光体
層を薄膜化した場合においても、長期に亙って安定した
画像形成を可能とする電子写真装置を提供する事にあ
る。本発明の他の目的は、ａ−Ｓｉドラムを用いた電子
写真装置においてヒータを用いない場合でも表面電位の
変化を抑制し、これによりかぶりが発生することのない
鮮明画像が形成し得る電子写真装置を提供する事にあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は種々の実験の
結果前記ａ−Ｓｉドラムの残像発生が単に波長のみに依
存することなく、ドラムの感光層の膜厚にも依存するこ
とを突止め、かかる着目に基づいて下記記載の種々の本
発明の完成に至ったものである。即ち請求項１記載の第
１の発明は基体上に支持された感光体層に露光像を書込
みながら画像形成を行う電子写真装置において、前記感
光体層を２５μｍ以下の膜厚からなるａ−Ｓｉ層で形成
すると共に、前記露光像を形成する露光手段の中心露光
波長を７００ｎｍ以上に設定したことを特徴とする。又
請求項３記載の発明は必要な帯電および絶縁耐圧の確保
や、露光された光の吸収や残留電位の抑制の面を考慮し
た電子写真方法に関するもので、その特徴とするところ
は２５μｍ以下の膜厚からなるａ−Ｓｉ層で形成した感
光体層上に、表面電位が４５０Ｖ以下になるように均一
帯電を行った後、中心露光波長を７００ｎｍ以上に設定
した露光手段により前記露光像を形成する事を特徴とす
る。

【００１０】この場合前記基体は円筒状アルミニウム基
体で構成すると共に、該基体肉厚を３ｍｍ以下に設定す
るのがよい。又前記請求項４記載の第２の発明は、像担
持体を感光体層とその表面に表面層を形成すると共に、
該表面層にａ−ＳｉＣ層を用いる事により露光波長を７
００ｎｍ以上に設定した場合においても一層安定した画
像形成が可能となる。

【００１１】更に請求項５及び６記載の第３の発明は、
前記感光体層を２５μｍ以下の膜厚からなるａ−Ｓｉ
層、言換えれば温度特性が１．０（Ｖ／℃）以下になる
ように薄膜のａ−Ｓｉ層で形成すると共に、前記感光体
層を支持する基体内にヒータを内蔵することなく、機内
環境温度下で画像形成を行うことを特徴とする。この場
合、感光体の表面電位は４５０Ｖ以下、より具体的には
３６０Ｖ以下に設定するのが好ましい。

【００１２】

【作用】本発明の作用を図１乃至図４に基づいて説明す
る。尚、該グラフの説明は後記実施例にて詳細に説明す
る。図１（Ａ）は露光電位と膜厚との関係をグラフ化し
たもので、本図より明らかなように、６８５ｎｍの露光
波長の露光像を感光体ドラム上に結像させた場合は、膜
厚が４０〜２５μｍの間では、残像現実レベルの線上に
沿って露光電位が形成されるが、更に膜厚が薄くなるに
連れ比例的に露光電位が残像現実レベル以下に低下す
る。一方７４０ｎｍの露光波長の露光像を感光体ドラム
上に結像させた場合は、膜厚が４０μｍの時点では、露
光電位が６８５ｎｍの露光波長に比して露光電位が高
く、残像現実レベル以上であるが、該２５μｍの時点よ
り膜厚が薄くなるに連れ比例的に露光電位が低下し、約
１５μｍ前後で残像現実レベル以下に低下する。

【００１３】図１（Ｂ）は各膜厚毎に露光波長とメモリ
ー電位の関係を調べたもので、本図より理解されるよう
に露光波長を２５μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下、
更に好ましくは１５μｍ以下に設定することにより、露
光波長を７００ｎｍ以上にした場合でも、メモリー電位
を残像現実レベル以下若しくはその近傍に維持できる。
この場合前記感光体層を薄膜化した場合、該感光体層に
印加される帯電電位を余りに高くすると生成膜が電気的
に破壊される恐れが有り前記感光体層の表面電位を４５
０Ｖ以下、好ましくは３６０Ｖ以下になるように帯電さ
せるのが良い。そして画像解像度や線画先鋭度について
も露光波長が７４０ｎｍの場合、図２に示すように、膜
厚が２５μｍ以下の場合、膜厚が４０μｍの場合に比し
て大幅に向上していることが理解できる。従ってかかる
技術手段によれば、露光波長が７００ｎｍ以上である半
導体レーザを用いて露光を行っても残像が発生すること
がない。

【００１４】又露光手段にＬＥＤを用いた場合において
も該ＬＥＤの発光波長を７００ｎｍ以上に設定できるこ
とは、ＬＥＤ製造の面で極めて有利となる。即ち発光波
長が７００ｎｍでよいことは、ウエーハ上にＧａＡｓＰ
の膜生成を行う際にリンＰの混合比を少なくして膜生成
が可能であり、この事は例えば７４０ｎｍのＬＥＤを製
造する場合膜生成時間が７．５時間と６８０ｎｍの場合
に比して大幅に短縮でき、製造コストのみならず製造上
のバラツキも大幅に低減する。

【００１５】又図３に示すように、膜厚２５μｍ以下に
薄くすると共に、７００ｎｍ以上の長波長を用いて露光
を行うと、従来の膜厚が４０μｍのａ−Ｓｉドラムを用
いて７００ｎｍ以下の短波長を用いて露光を行った場合
に比較して半減感度が１／２〜１／３程度に大幅に低下
し、この結果露光解像度の向上と共に、画質面からみた
焦点深度を深くさせることが可能となる。

【００１６】図４は焦点深度とドラム感度の関係を示し
たもので、ドラム感度が低下すると結像誤差その他に起
因する光収差分の光量を拾うことなく中心光量のみを拾
い、この結果、画像コントラストや先鋭度の高い高品質
のドット画像の形成が可能である。又前記のように結像
収差が生じても中心波長のみを拾うことは結果として焦
点深度が深くなり、そして焦点深度が大になることは、
露光像を感光体ドラム上に結像させる為の光学系の加工
精度や組み立て精度をラフに設定できると共に、画像品
質のバラツキが大幅に低減する。

【００１７】次に前記第３発明について説明する。図５
は、ａ−Ｓｉドラムの膜厚を１５μｍ、２５μｍ、４０
μｍに夫々成膜した場合のドラム表面温度と表面電位の
関係を示す。本図より理解されるようにドラム膜厚を薄
膜化するにつれ、ａ−Ｓｉドラムの温度依存性が低下す
ることが知見された。

【００１８】通常複写機やプリンタが設置されている環
境は、職員が快適に仕事が出来るように、夏は冷房、冬
は暖房の空調がなされているオフィス内に配置されてお
り、この為、オフィス内は外気ほど温度の高低差はな
く、朝方の冷房や暖房が十分利いていないときであって
も、その温度差はせいぜい３０℃前後である。この為、
例えば感光体ドラムの表面電位を略３００Ｖに設定した
場合、かぶりの許容範囲が±２５Ｖなので膜厚２５μｍ
以下ならばドラムヒータなしで使用出来ることが理解で
きる。一方ａ−Ｓｉ感光体の場合は、耐膜厚が１２〜１
５ｖ／μｍである為、膜厚２５μｍ以下に設定した場合
には表面電位を４５０Ｖ、好ましくは３６０Ｖ以下に設
定することが必要である。

【００１９】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図６
は本発明が適用される電子写真装置を示し、図上時計回
りに回転するａ−Ｓｉ感光体ドラム１の周囲に、回転方
向に沿って露光用ＬＥＤヘッド２及びセルフォックレン
ズ３からなる光学系、二成分現像ユニット４、転写ロー
ラ５、クリーニングブレード６、除電ランプ７、及び帯
電ユニット８が配設されている。

【００２０】次に夫々の各構成要素について説明する。
感光体ドラム１は導電性支持体１ａ上に感光体層１ｂ、
及び表面層１ｃが積層されて形成されており、該支持体
１ａは、一般にはアルミ性の円筒体を用いるが、表面に
導電膜を被着させたガラス等無機材料や、エポキシ等の
透明な樹脂等で形成され、本実施例においては肉厚が２
ｍｍで外周径を３０ｍｍに設定すると共に、軸方向に３
００ｍｍの長さを有するアルミ製円筒体を用いている。

【００２１】又前記ａ−Ｓｉ系感光体層１ｂ、及び表面
層１ｃは、グロー放電分解法、スパッタリング法、ＥＣ
Ｒ法、蒸着法等により膜形成し、その形成にあたって、
ダングリングボンド終端用の元素、例えば（Ｈ）やハロ
ゲンを５〜４０ｗｔ．％含有させるのがよい。即ち、感
光体層１ｂはａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電体を用い、そ
して現像バイアスが正の場合には電子の移動度を高める
為、ノンドープ又はＶａ族元素を含有させ、又現像バイ
アスが負の場合には正孔の移動度を高めるため、IIIａ
族元素を含有させるのが好ましい。又必要に応じて暗導
電率や光導電率等の電気的特性、光学的バンドギャップ
等について所望の特性を得るために、Ｃ，Ｏ，Ｎ等の元
素を含有させても良い。

【００２２】そして、前記感光体層１ｂ全体の膜厚は、
必要な帯電および絶縁耐圧の確保や、露光された光の吸
収や前記した残留電位の抑制等から2〜25μｍ程度にす
るのがよい。

【００２３】又、表面層１ｃは、α−ＳｉＣ、α−Ｓｉ
Ｏ，α−ＳｉＮ、α−ＳｉＯＮ、α−ＳｉＣＯＮ等のａ
−Ｓｉ系の無機高抵抗若しくは絶縁材料、ポリエチレン
テレフタレート、パリレン、ポリ四フッ化エチレン、ポ
リイミド、ポリフッ化エチレンプロピレン等の有機絶縁
材料を用いるのがよく、特に高抵抗のａ−ＳｉＣ層を用
いると、絶縁耐圧や耐摩耗性、耐環境性等の特性が高め
られる。このａ−Ｓｉ_1-xＣ_xのｘ値は0.3≦ｘ＜1.0、好
適には0.5≦ｘ≦0.95に設定する事により１０¹² 〜１０
¹³Ω・ｃｍ範囲の抵抗値で高耐湿性を得る事が出来、こ
の場合層内でＣ量に勾配を持たせてもよい。またＣと同
時にＮ，Ｏ，Ｇｅを含有させる事により耐湿性を更に高
めることが出来る。

【００２４】表面層１ｃの厚みは0.05〜5μｍ、好適に
は0.1〜3μｍの範囲内が良く、又その厚みはこの際表面
層１ｃの抵抗は１０¹² 〜１０¹³Ω・ｃｍに設定した。

【００２５】尚、本実施例においては容量結合型グロー
放電分解装置を用いて、前記ａ−Ｓ感光体層１ｂとａ−
ＳｉＣ表面層１ｃとを順次積層し、後記するように、感
光体の層厚が夫々７、１０、１５、２０、２５、４０μ
ｍ厚みの膜層を有する感光体ドラム１を作製した。この
場合表面層１ｃの膜厚は最大３μｍ以下で且つ全体層厚
の略５％以下に設定する。尚、この際４０μｍの膜厚の
ものについては、肉厚が２ｍｍのアルミ製円筒体では真
円度が出ず、この為再度成膜を行ったが、その結果は芳
しくなかった。そこで本実施例においては肉厚を４ミリ
のアルミ素管を用いて再度成膜を行ったところ真円度を
得ることが出来た。従って膜厚を薄くすることは基体、
即ちアルミ製円筒体を薄くすることも可能となり、これ
により軽量化が達成される。

【００２６】又露光用ＬＥＤヘッド２には露光波長が６
８５ｎｍと７４０ｎｍのヘッドアレイを用い、これをダ
イナミック駆動にて一走査ライン毎に６４ビット×４０
回分割露光される。

【００２７】現像ユニット４は、キャリアとトナーから
なる複数成分現像剤が収納された現像容器４１と固定磁
石集成体４３が収納された現像ローラ４２からなり、該
ローラ４２に例えば５０〜４５０Ｖの間で任意に設定で
きる直流現像バイアス電源４４を接続して、現像を行う
ように構成する。

【００２８】そして前記キャリアには平均粒径７０μｍ
のフェライトキャリアを用いたが、キャリアはこれに限
らず、必ずしもフェライトキャリアに限定される事なく
鉄粉、マグネタイト等のキャリアや磁性樹脂キャリアを
用いてもよい。

【００２９】又トナーは通常の高抵抗若しくは絶縁性ト
ナーが用いられ、例えば、バインダー樹脂、着色剤、電
荷制御剤、オフセット防止剤などに、磁性体を添加して
その平均中心粒度は５〜１５μｍ前後の磁性トナーとし
て構成し上記のキャリアとトナーと適正混合比を例えば
８５〜９０：１５〜１０重量％に設定する。転写ローラ
５は転写効率を上げるために導電性ローラを用い、前記
トナーの帯電電位と逆極性の転写バイアスを印加させる
とともに、前記感光体ドラム１周面に均一に圧接し、該
ドラム１と同期して回転可能に構成する。

【００３０】帯電ユニット８にはすでに公知であるコロ
トロン方式の帯電器にて感光体上に均一に帯電させた。
図中８１はコロナ放電線、８２は制御グリッド、８３は
放電バイアス、８４は帯電制御バイアスである。

【００３１】かかる実施例では、帯電制御バイアスを１
５０Ｖから４５０Ｖ前後の間で適宜バイアスに設定した
状態で高電圧の放電バイアスを印加させる事により、感
光体ドラム１表面を下記の設定値に帯電させた後、露光
ヘッド２により所定の潜像を露光させた後、現像ユニッ
ト４により該潜像にトナー像を付着させた後、転写ロー
ラ５に転写させる。次にかかる装置を用い膜厚の異なる
感光体ドラム１を用いて次のような実験を行った。

【００３２】前記感光体ドラム１の表面電位が２００Ｖ
になるように帯電制御バイアス等を調整した後、感光体
ドラム１上に結像させるエネルギーレベルが１．０μＪ
／ｃｍ²になるように、露光ヘッド２の出力を調整した
後、夫々膜厚を異ならせた感光体ドラム１上に前記エネ
ルギーレベルの露光像を書込んだ際の露光電位と膜厚と
の関係を求め、それを図１（Ａ）にまとめる。本図より
明らかなように、６８５ｎｍの露光波長の露光像を感光
体ドラム１上に結像させた場合は、感光体膜厚が４０〜
２５μｍの間では、残像現実レベルの線上に沿って露光
電位が形成されるが、更に膜厚が薄くなるに連れ比例的
に露光電位が残像現実レベル以下に低下する。

【００３３】一方７４０ｎｍの露光波長の露光像を感光
体ドラム１上に結像させた場合は、膜厚が４０μｍの時
点では、露光電位が６８５ｎｍの露光波長に比して露光
電位が高く、残像現実レベル以上であるが、該４０μｍ
の膜厚の時点より膜厚が薄くなるに連れ比例的に露光電
位が低下し、約２５μｍ前後で残像現実レベル以下に低
下する。

【００３４】図１（Ｂ）はかかる各膜厚毎に露光波長と
露光電位の関係を調べたもので、本図より理解されるよ
うにドラム膜厚を２５μｍ以下に設定することにより、
露光波長を７００ｎｍ以上にした場合でも、露光電位を
残像現実レベル以下若しくはその近傍に維持できる。

【００３５】従ってかかる実施例によれば、感光体ドラ
ム１表面電位を４５０Ｖ以下に帯電させて露光波長を７
００ｎｍ以上で露光を行った場合、感光体層１ｂ厚を２
５μｍ以下に設定することにより残像のない且つ先鋭度
の高い高解像度の画像を形成し得る。

【００３６】図２は表面電位２００Ｖで、７４０ｎｍで
露光した場合のドラム膜厚と線幅との関係を示し、本図
より理解されるように、水平線及び垂直線のいずれの場
合も感光体膜厚が４０μｍ以下の場合の線幅は、２５μ
ｍ以下の場合の線幅に比較して太く、その分先鋭度と解
像度が低下している事が理解される。又２５μｍ以下の
場合は、先鋭度も解像度もほぼ一致しており、有意差は
ない。

【００３７】又図３より明らかなように、膜厚２５μｍ
以下の感光体ドラムと、従来の膜厚が４０μｍの膜厚の
感光体ドラムを用いて半減感度（表面電位の１／２まで
露光電位が低下するに必要な露光エネルギー密度）を調
べてみると、膜厚に比例して半減感度が低くなり、波長
６８５ｎｍに比して７４０ｎｍの方が感度が低下し、そ
の分結像誤差その他に起因する光収差分の光量を拾うこ
となく中心光量のみを拾い、画像コントラストや先鋭度
の高い高品質のドット画像の形成が可能である。

【００３８】更に図４は表面電位が４５０Ｖで帯電させ
た後、露光波長が７４０ｎｍで且つエネルギー密度が
０．２μＪ／ｃｍ²で露光した場合の焦点深度とドラム
感度の関係を示したもので、膜厚４０μｍの場合に比較
して、７μｍ、１５μｍのものは焦点深度が３７０μｍ
と、焦点深度が２倍弱向上する事になり、そして焦点深
度が大になることは、露光像を感光体ドラム上に結像さ
せる為の光学系の加工精度や組み立て精度をラフに設定
できると共に、画像品質のバラツキが大幅に低減する。

【００３９】図５は、ａ−Ｓｉドラムの膜厚が４０μｍ
の感光体ドラムを用いて温度３０℃において表面電位３
２０Ｖになるように、帯電制御バイアス等を調整した
後、該帯電制御バイアスを一定に維持した状態で、機内
温度を１０℃、２０℃、３０℃４３℃に変化させた場合
の、１５μｍ、２５μｍ、４０μｍに成膜したａ−Ｓｉ
感光体ドラムと表面電位の関係を示す。本図より理解さ
れるように４０μｍのドラム膜厚を有する感光体ドラム
においては、温度依存性が高く１０〜４０℃の電位変化
量８０Ｖ（２．７Ｖ／℃）であった。２５μｍ、１５μ
ｍの感光体ドラムにおいては、温度依存性が大幅に低下
し１０〜４０℃の電位変化量は前者が３０Ｖ（１．０Ｖ
／℃）、後者が１５Ｖ（０．５Ｖ／℃）であった。

【００４０】次に、感光体ドラムの表面電位を３００Ｖ
に設定し、現像バイアスを２１０Ｖに設定した状態で、
感光体ドラムにヒータを装着することなく、２５μｍ、
１５μｍの感光体ドラムについて機内温度を１０℃から
４０℃若しくは４０℃〜１０℃の間で１０℃／時間の勾
配で上下に変化させながら、１８万枚（略３００時間）
印刷したところ、いずれの感光体ドラムにおいてもかぶ
りが生じることなく鮮明画像を得ることが出来た。

【００４１】

【発明の効果】以上記載したごとく本第１発明によれ
ば、ａ−Ｓｉドラムを用いた電子写真装置においても７
００ｎｍ以上の長波長の露光手段を用いても残像が発生
する事なく、而も高画質で先鋭度が高い画像を容易に形
成し得る共に、露光手段の組み立て及び加工誤差が生じ
ても高画質の画像を容易に形成できる。又第２発明によ
れば、ａ−Ｓｉドラムの感光体層を薄膜化した場合にお
いても、長期に亙って安定した画像形成を可能とする。
更に第３発明によれば、ａ−Ｓｉドラムを用いた電子写
真装置においてヒータを用いない場合でも表面電位の変
化を抑制し、これによりかぶりが発生することのない鮮
明画像が形成し得る。特に本発明はヒータを用いない為
に、消費電力の大幅低減のほかに、ヒータ、ドラム表面
温度を検知するサーミスタ、該サーミスタよりの検知温
度に基づくヒータ制御回路等の電装部品の低減と回路構
成が簡単化する。又前記ヒータを用いない為にウオーミ
ングアップタイムが不用となり、装置立上げ時間を大幅
に低減させることが出来る。等の種々の著効を有す。

【図面の簡単な説明】

【図１】７４０ｎｍ若しくは６８５ｎｍの露光波長と残
像レベルの関係を示し、（Ａ）は膜厚を横軸に採った露
光波長の比較、（Ｂ）は露光波長を横軸に採った膜厚の
比較を示すグラフ図である。

【図２】ドラム膜厚と線幅との関係を示し、（Ａ）は水
平線、（Ｂ）は垂直線を示す。

【図３】ドラム膜厚と半減感度の関係を示すグラフ図で
ある。

【図４】各ドラム膜厚におけるドラム感度と焦点深度の
関係を示すグラフ図である。

【図５】帯電制御バイアスを一定に維持した状態で、機
内温度を変化させた場合のａ−Ｓｉ感光体ドラムの膜厚
と表面電位の関係を示す

【図６】本発明が適用される電子写真装置を示す概略図
である。

【符号の説明】

１感光体ドラム２露光用ヘッド３光学系４二成分現像ユニット８帯電装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０３Ｇ 15/01 １１２Ａ１１３Ａ 15/02 １０２

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に支持された感光体層に露光像を
書込みながら画像形成を行う電子写真装置において、前記感光体層を２５μｍ以下の膜厚からなるａ−Ｓｉ層
で形成すると共に、前記露光像を形成する露光手段の中
心露光波長を７００ｎｍ以上に設定したことを特徴とす
る電子写真装置。
【請求項２】前記基体を円筒状アルミニウム基体で構
成すると共に、該基体肉厚を３ｍｍ以下に設定した事を
特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
【請求項３】基体上に支持された感光体層に露光像を
書込みながら画像形成を行う電子写真方法において、２５μｍ以下の膜厚からなるａ−Ｓｉ層で形成した感光
体層上に、表面電位が４５０Ｖ以下になるように均一帯
電を行った後、中心露光波長を７００ｎｍ以上に設定し
た露光手段により前記露光像を形成することを特徴とす
る電子写真方法。
【請求項４】基体上に支持された感光体層に露光像を
書込みながら画像形成を行う電子写真装置において、前記感光体層を２５μｍ以下の膜厚からなるａ−Ｓｉ層
で形成すると共に、前記感光体層の表面に表面層を形成
し、該表面層にａ−ＳｉＣ層を用いた事を特徴とする電
子写真装置。
【請求項５】基体上に支持された感光体層に露光像を
書込みながら画像形成を行う電子写真装置において、前記感光体層を２５μｍ以下の膜厚からなるａ−Ｓｉ層
で形成すると共に、感光体の表面電位を４５０Ｖ以下に
設定し、前記感光体層を支持する基体内にヒータを内蔵
することなく、機内環境温度下で画像形成を行うことを
特徴とする電子写真装置。
【請求項６】基体上に支持された感光体層に露光像を
書込みながら画像形成を行う電子写真装置において、前記感光体層を温度特性が１．０（Ｖ／℃）以下になる
ように薄膜のａ−Ｓｉ層で形成すると共に、感光体の表
面電位を４５０Ｖ以下に設定し、前記感光体層を支持す
る基体内にヒータを内蔵することなく、機内環境温度下
で画像形成を行うことを特徴とする電子写真装置。