JPH01274186A - 電子写真方法 - Google Patents
電子写真方法Info
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- JPH01274186A JPH01274186A JP10271888A JP10271888A JPH01274186A JP H01274186 A JPH01274186 A JP H01274186A JP 10271888 A JP10271888 A JP 10271888A JP 10271888 A JP10271888 A JP 10271888A JP H01274186 A JPH01274186 A JP H01274186A
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Landscapes
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は感光体表面に静電潜像を形成する方式の電子写
真装置における電子写真方法に関する。
真装置における電子写真方法に関する。
（従来の技術）
複写機、レーザープリンタ等の電子写真装置では、暗中
では絶縁性であり、光の照射により電子、正孔が発生し
て導電性となる性質をもった光導電層をアルミニウム等
の導電性巻支持体上に積層したものが感光体として用い
られている。通常の電子写真プロセスでは、まず、コロ
ナ放電等により、感光体表面を一様に帯電させ、次に露
光により原稿の像を感光体表面に投影する。感光体表面
の露光光未照射部はそのまま電荷が保持され、露光光照
射部は発生する電子または正孔により感光体表面の電荷
が中和され、感光体表面に静電潜像が形成される。この
静電潜像に、トナーを静電的に付着させることにより現
像を行い、現象された像を用紙等転写材に転写すること
により複写プロセスが完了する。なお感光体表面に残留
する電荷は除電ランプにより中和され、次の複写サイク
ルに入る。従って感光体中の先導電層に要求される特性
としては、光感度、電荷受容性、電荷保持性、サイクル
の安定性などがあげられる。
では絶縁性であり、光の照射により電子、正孔が発生し
て導電性となる性質をもった光導電層をアルミニウム等
の導電性巻支持体上に積層したものが感光体として用い
られている。通常の電子写真プロセスでは、まず、コロ
ナ放電等により、感光体表面を一様に帯電させ、次に露
光により原稿の像を感光体表面に投影する。感光体表面
の露光光未照射部はそのまま電荷が保持され、露光光照
射部は発生する電子または正孔により感光体表面の電荷
が中和され、感光体表面に静電潜像が形成される。この
静電潜像に、トナーを静電的に付着させることにより現
像を行い、現象された像を用紙等転写材に転写すること
により複写プロセスが完了する。なお感光体表面に残留
する電荷は除電ランプにより中和され、次の複写サイク
ルに入る。従って感光体中の先導電層に要求される特性
としては、光感度、電荷受容性、電荷保持性、サイクル
の安定性などがあげられる。
従来、光導電層の材料としては、Ｓｅ、５ｅ−Ｔｅ系、
ＡＳ Ｓｅ 、ＺｎＯなどが用いられできた。しか
し、Ｓｅ系は硬度が低いため寿命が短い、人体に有毒で
ある、軟化点が低い等の欠点があり、Ａｓ Ｓｅ３は光
疲労により帯電能や感度が大きく劣化する、人体に有毒
である。温度特性が悪い等の欠点があり、ＺｎＯでは、
耐剛性に問題があった。そこで最近では非晶質シリコン
（以下ａ−真ｉと略記する）や有機光導電体（以下ｏＰ
Ｃと略記する）等が用いられている。ａ−Ｓｉはビッカ
ース硬度が高く耐刷性や耐衝撃性に優れ、更に可視光全
域から近赤外領域まで広い波長領域に高い光感度を有す
る反面、帯電能が低い画像流れを生じやすい、製造コス
トが高い等の欠トが安く、人体にも無害であり材料の選
択によっては耐剛性や光感度も改善できる。特に光導電
層が電子、正孔を生じる荷電発生層（以下ＣＧＬと略す
）と電子、正孔が移動する電荷輸送層（以下ＣＴＬと略
す）とからなる多層構造を有するＯＰＣはすぐれた特性
を示すものとして注目されている。
ＡＳ Ｓｅ 、ＺｎＯなどが用いられできた。しか
し、Ｓｅ系は硬度が低いため寿命が短い、人体に有毒で
ある、軟化点が低い等の欠点があり、Ａｓ Ｓｅ３は光
疲労により帯電能や感度が大きく劣化する、人体に有毒
である。温度特性が悪い等の欠点があり、ＺｎＯでは、
耐剛性に問題があった。そこで最近では非晶質シリコン
（以下ａ−真ｉと略記する）や有機光導電体（以下ｏＰ
Ｃと略記する）等が用いられている。ａ−Ｓｉはビッカ
ース硬度が高く耐刷性や耐衝撃性に優れ、更に可視光全
域から近赤外領域まで広い波長領域に高い光感度を有す
る反面、帯電能が低い画像流れを生じやすい、製造コス
トが高い等の欠トが安く、人体にも無害であり材料の選
択によっては耐剛性や光感度も改善できる。特に光導電
層が電子、正孔を生じる荷電発生層（以下ＣＧＬと略す
）と電子、正孔が移動する電荷輸送層（以下ＣＴＬと略
す）とからなる多層構造を有するＯＰＣはすぐれた特性
を示すものとして注目されている。
しかし、このような多層構造のＯＰＣにあっては、ＣＴ
Ｌに使用する樹脂などの極性基に電荷（電子又は正孔）
が蓄積されるため、露光時及び除電時における電磁波の
照射を繰り返すことにより蓄積電荷が増加するため、白
地電位が上昇し、かぶりを受けやすくなる。又、帯電能
も低下し、画像がうすくなる等の不具合が生じた。
Ｌに使用する樹脂などの極性基に電荷（電子又は正孔）
が蓄積されるため、露光時及び除電時における電磁波の
照射を繰り返すことにより蓄積電荷が増加するため、白
地電位が上昇し、かぶりを受けやすくなる。又、帯電能
も低下し、画像がうすくなる等の不具合が生じた。
（発明が解決しようとする課題）
以上詳述したようにＯＰＣにあっては、画像低下がおこ
り、その結果、画像がうずくなり、かぶりを生じるとい
う不具合が生じた。
り、その結果、画像がうずくなり、かぶりを生じるとい
う不具合が生じた。
本発明は上記課題を解決するため、電子写真プロセスに
おいて照射する電磁波の波長を調整することにより、Ｃ
ＴＬに蓄積される電荷を減少させ、繰り返し照射による
画像がうすれる、かぶりが生じるといった画像の劣化を
防ぐことを目的とする。
おいて照射する電磁波の波長を調整することにより、Ｃ
ＴＬに蓄積される電荷を減少させ、繰り返し照射による
画像がうすれる、かぶりが生じるといった画像の劣化を
防ぐことを目的とする。
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、電子写真プロセスにおいて照射する露光光、
転写前除電光、転写前除電光のうちいずれか１つの電磁
波の波長を６２０ｎｍ以下とすることにより繰り返し画
像形成により蓄積される電荷を減少させ繰り返し照射に
よる画像の劣化を防ぐことを目的とする。
転写前除電光、転写前除電光のうちいずれか１つの電磁
波の波長を６２０ｎｍ以下とすることにより繰り返し画
像形成により蓄積される電荷を減少させ繰り返し照射に
よる画像の劣化を防ぐことを目的とする。
を参照して説明する。
感光体１０は軸を中心に矢印χの方向に回転することが
できる。この感光体１０の周囲に帯電チャージャー１１
、露光ランプ１２、現像器１３、転写前除電ランプ１４
、転写チャージャー１５、剥離チャージャー１６、クリ
ーニング部１７、除電ランプ１８がこの順に配置されて
いる。更に感光体１０と転写チャージャー１５の間には
用紙の搬送路１９が設けられ、用紙搬送路１９の一端に
は、用紙挿し入れ部２０他端には用紙排出部２１が設け
られている。
できる。この感光体１０の周囲に帯電チャージャー１１
、露光ランプ１２、現像器１３、転写前除電ランプ１４
、転写チャージャー１５、剥離チャージャー１６、クリ
ーニング部１７、除電ランプ１８がこの順に配置されて
いる。更に感光体１０と転写チャージャー１５の間には
用紙の搬送路１９が設けられ、用紙搬送路１９の一端に
は、用紙挿し入れ部２０他端には用紙排出部２１が設け
られている。
次にこの複写機の動作について説明する。感光体１０は
まず帯電チャージャー１１のコロナ放電により表面が一
様に帯電される。（本実施では正帯電）次に露光ランプ
１２により、原稿の像が感光体１０表面に投影され、静
電潜像が形成される。この静電潜像に現像器１３中のト
ナーが静電的に付着され、静電潜像が可視像化される。
まず帯電チャージャー１１のコロナ放電により表面が一
様に帯電される。（本実施では正帯電）次に露光ランプ
１２により、原稿の像が感光体１０表面に投影され、静
電潜像が形成される。この静電潜像に現像器１３中のト
ナーが静電的に付着され、静電潜像が可視像化される。
次に転写前除電ランプにより、トナー未付着部の電位１
＋ が下げられ転写チャージャー１５により用紙挿し入れ部
２０より用紙搬送路１９に送られた用紙の背後から、正
帯電を行うと、トナーが感光体１゜から用紙に転写され
る。次に剥離チャージャー１６により、用紙が感光体１
０から剥離され用紙排出部１９より排出される。感光体
１０の表面に践−ニッグ部１４によって回収される。最
後に、除電うンプエ↓の照射により、感光体表面の電位
をテ 完全に中和し、−工程が終了し、次の複写工程に入る。
＋ が下げられ転写チャージャー１５により用紙挿し入れ部
２０より用紙搬送路１９に送られた用紙の背後から、正
帯電を行うと、トナーが感光体１゜から用紙に転写され
る。次に剥離チャージャー１６により、用紙が感光体１
０から剥離され用紙排出部１９より排出される。感光体
１０の表面に践−ニッグ部１４によって回収される。最
後に、除電うンプエ↓の照射により、感光体表面の電位
をテ 完全に中和し、−工程が終了し、次の複写工程に入る。
次に本実施例で用いる感光体の構造および製造方法につ
いて述べる。感光体の断面構造は第２とＣＧＬ２４とが
順次積層されている。このようり な構造の感光体を製造するためにはアルミニウムからな
る支持体を第１式 ％式％ で示されるヒドラゾンと第２式 で示されるフェノキシを混合し、これらをシクロヘキサ
ンに溶かした溶液中に浸し、これを乾燥しＣＴＬ２４を
形成する。次いで第３式 −・−（１１３式） で示されるナフールＡＳ系アゾ顔料と（第１式）でむさ
れるヒドラゾンと（第２式）で示されるフ斤・ エノキシとを混合し、これ等を１．１．２． トリフ
ロロエタンの溶剤中で溶かした溶液中にＣＴＬ２４を有
する支持体を浸し煤乾してＣＧＬ２キを積層する。
いて述べる。感光体の断面構造は第２とＣＧＬ２４とが
順次積層されている。このようり な構造の感光体を製造するためにはアルミニウムからな
る支持体を第１式 ％式％ で示されるヒドラゾンと第２式 で示されるフェノキシを混合し、これらをシクロヘキサ
ンに溶かした溶液中に浸し、これを乾燥しＣＴＬ２４を
形成する。次いで第３式 −・−（１１３式） で示されるナフールＡＳ系アゾ顔料と（第１式）でむさ
れるヒドラゾンと（第２式）で示されるフ斤・ エノキシとを混合し、これ等を１．１．２． トリフ
ロロエタンの溶剤中で溶かした溶液中にＣＴＬ２４を有
する支持体を浸し煤乾してＣＧＬ２キを積層する。
こうして製造された感光体を前述の複写機に実装して複
写を繰り返し複写による蓄積電荷の増加の様子を測定し
た。第３図では横軸に複写回数、縦軸に蓄積電荷をとり
露光光の波長の違いによる蓄積電荷の増加の様子を示し
た。第３図から明らかなように波長が長くなるほど繰り
返し複写による蓄ｆＡ電荷の増加が著しくなり、特に波
長が６２０ｎｍを越えると蓄積電荷の増加量が急激に大
きくなることがわかる。又、複写された画像を比較する
と、複写回数が６０００回を超えると波長が６２０ｎｍ
以上の場合には、画像がうすくなる。
写を繰り返し複写による蓄積電荷の増加の様子を測定し
た。第３図では横軸に複写回数、縦軸に蓄積電荷をとり
露光光の波長の違いによる蓄積電荷の増加の様子を示し
た。第３図から明らかなように波長が長くなるほど繰り
返し複写による蓄ｆＡ電荷の増加が著しくなり、特に波
長が６２０ｎｍを越えると蓄積電荷の増加量が急激に大
きくなることがわかる。又、複写された画像を比較する
と、複写回数が６０００回を超えると波長が６２０ｎｍ
以上の場合には、画像がうすくなる。
かぶりが生じるなどの画像の劣化が生じるが、波長が６
２０ｎｍ以下の場合には、初期と変わらない良好な画像
が得られた。以上より、露光工程において照射する光の
波長を６２０ｎｍ以下に調整すると繰り返し画像形成を
行っても、初期と■らぬ良好な画像が得られることがわ
かる。又、はんこ等の赤色原稿の再現性も良好である。
２０ｎｍ以下の場合には、初期と変わらない良好な画像
が得られた。以上より、露光工程において照射する光の
波長を６２０ｎｍ以下に調整すると繰り返し画像形成を
行っても、初期と■らぬ良好な画像が得られることがわ
かる。又、はんこ等の赤色原稿の再現性も良好である。
なお本実施例では露光工程において照射する光の波長を
６２０ｎｍ以下に調整したが、転写前除電工程、転写前
除電工程のいずれかで波長を６２０ｎｍ以下に調整をし
た場合にも、又、すべての工程においても波長を６２０
ｎｍ以下に調整した場合にも同様の効果が得られた。
６２０ｎｍ以下に調整したが、転写前除電工程、転写前
除電工程のいずれかで波長を６２０ｎｍ以下に調整をし
た場合にも、又、すべての工程においても波長を６２０
ｎｍ以下に調整した場合にも同様の効果が得られた。
以上詳述したように本発明の電子写真プロセるといった
画像の劣化を防ぐことができる。
画像の劣化を防ぐことができる。
関するものであり、
第１図は実施例で使用した複写機の構造を示す模式図、
第２図は、実施例で■耳桟に実装した有機光導電体の断
面を示す構造図、 第３図は、露光工程において照射する波長の違いによる
蓄積電荷の増加の違いを示したグラフである。
面を示す構造図、 第３図は、露光工程において照射する波長の違いによる
蓄積電荷の増加の違いを示したグラフである。
１２・・・・・・露光ランプ
１４・・・・・・転写前除電ランプ
同 山 下 −
第１図
Claims (1)
- 有機光半導体からなる感光体上に静電潜像を形成し、こ
の静電潜像を現像後、転写材に転写する電子写真方法に
おいて、静電潜像形成時、転写前の除電時、転写後の除
電時に照射する電磁波のうちいずれか１つが波長６２０
ｎｍ以下の電磁波であることを特徴とする電子写真方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10271888A JPH01274186A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 電子写真方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10271888A JPH01274186A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 電子写真方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01274186A true JPH01274186A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14335046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10271888A Pending JPH01274186A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 電子写真方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01274186A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5604524A (en) * | 1992-09-09 | 1997-02-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrostatic image forming apparatus |
| US5655869A (en) * | 1994-07-16 | 1997-08-12 | Jenoptik Technologie Gmbh | Device for coupling loading and unloading devices with semiconductor processing machines |
| US6058003A (en) * | 1996-02-08 | 2000-05-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electrostatic charger and discharger |
| US7764906B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-07-27 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| US7785762B2 (en) | 2005-12-15 | 2010-08-31 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP10271888A patent/JPH01274186A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5604524A (en) * | 1992-09-09 | 1997-02-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrostatic image forming apparatus |
| US5655869A (en) * | 1994-07-16 | 1997-08-12 | Jenoptik Technologie Gmbh | Device for coupling loading and unloading devices with semiconductor processing machines |
| US6058003A (en) * | 1996-02-08 | 2000-05-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electrostatic charger and discharger |
| US7764906B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-07-27 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
| US7785762B2 (en) | 2005-12-15 | 2010-08-31 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming method |
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