JPH01276185A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は電子写真装置４等において、静電潜像支持体と
して正帯電有機光導電体を用いる画像形成装置に関する
。

（従来の技術） 従来の複写機やレーザプリンタ等電子写真装置の感光体
材料としては、セレン（Ｓｅ）、セレン−テルル（Ｓｅ
−Ｔｅ〕合金、　ヒ素セレン（ＡＳ２Ｓｅ、　）　。

酸化亜鉛（ＺｎＯ）　、等の無機材料が主として多用さ
れている。しかしながらセレン（Ｓｅ）系やヒ素セレン
（Ａｓ、Ｓｅ、　）にあっては、人体に有害である事か
ら使用後には使用済みの感光体を回収しなければならな
い。又、セレン（Ｓｅ）系にあっては結晶化温度が５０
〜６０（’Ｃ）と低い特性を有するため、結晶化し易く
、複写を繰り返えし行なう間に結晶化された部分に残留
電荷を生じ画質が劣下されると共に、硬度が低い事から
長寿命化を図れないという問題がある一方、ヒ素セレン
（Ａｓ、ｓｅ、）にあっては光疲労により帯電能や感度
等の感光体特性が大きくかわると共に、温度特性も悪い
という問題がある。そして酸化亜鉛（ＺｎＯ）にあって
は。

表面がやわらかくけずれ易い事から長寿命化を図れない
という問題を有している。

このため近年上記問題点を解決するものとして、無公害
であり、回収処理が不要なアモルファスシリコン（以下
ａ−５Ｌと称す。）や有機光導電体（以下ＯＰＣと称す
。）等を感光体材料に適用する事が検討されている。そ
してａ−５ｉにあっては耐刷性あるいは耐衝撃性に優れ
、更に可視光全域から近赤外線領域までの拡い波長領域
で高い分光感度を有するという優位性を示す反面、帯電
能が低く画像流れを生じ易い欠点がある。更にａ　−３
ｉにあってはビッカース硬度が高いため耐刷性に優れ、
主として高速の装置に利用されるものの、製造コストが
高いので、低価格化が要求される中・低速の装置への適
用は不能とされている。一方ＯＰＣにあっては、　ａ　
　Ｓｌに比しコストが安く、中・低速の装置への適用が
可能であり、しかも材料の選択によっては、従来に比し
耐刷性及び感度特性が大幅に改善される上に、負帯電Ｏ
ＰＣに比し、トナーを得易い事から、特に導電性支持体
上に電荷輸送層（以下ＣＴＬと称す。）及び電荷発生層
（以下ＣＧＬと称す。）が順次積層される正帯電ＯＰＣ
の開発が進められている。しかしながらこのような正帯
電ＯＰＣにあっては、露光あるいは除電による光疲労に
より、コピーを繰り返えす間に蓄積電荷の上昇、帯電能
の低下あるいはピンホールの発生、露光感度の上昇を生
じ、このため、画像に、かぶりを生じたり、画像濃度が
低下され、更には画像中に白斑を生じたり、ハーフトー
ン部の濃度低下を生じ画質が劣下されるという問題を有
している。

更に正帯電ＯＰＣは第５図直線［Ａ）で示すように、表
面電位が１／２Ｅ　〔Ｖ）に達する半減露光感度は点線
ＣＢ）で示すセレン〔ＳＯ３とほぼ同等であるものの、
いわゆるすそ引き現象により、表面電位を　１／ＩＯＥ
　（Ｖ）に減衰する露光感度はセレン（Ｓｅ）に比し劣
るという光減衰特性により、このすそ引き分が、コピー
の初期時においても画像上にかぶりとなって現われ、画
質が劣下されるという問題を生じている。このため、帯
電時の表面電位を下げたりあるいは、現像時バイアス電
位を上げる等してかぶりの解消を図る事も考１屯されて
いるが、前者の方法にあっては、元来正帯電ＯＰＣはコ
ピーを繰り返えす間の光疲労により表面電位が除々に下
がり、これに伴い最大濃度の低下を来たすという特性を
有しているので、この上表面電位を下げるというのは良
好な画像を得る上で好ましくなく、一方接者の方法にあ
っては、トランスの容量を大きくしなければならず、装
置のコンパクト化が妨げられるという別の問題を生じて
しまう。

（発明が解決しようとする課題） 従来は正帯電ｏｐｃの露光感度特性上、そのすそひき分
が画像のかぶりとなり、コピー初期時より、画質の劣下
を来たし、更には、正帯電ｏｐｃの繰り返えし使用によ
る光疲労によっても画質の低下を来たすという問題を有
している。

そこで本発明は上記問題を除去するもので、正帯電ＯＰ
Ｃによっても初期よりかぶりの無い良好な画像を得る事
が出来、更には画像形成工程を繰り返えしても良好な画
像を得られる画像形成装置を提供する事を目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は上記課題を解決するために、正帯電ｏｐｃが最
大分光感度を有する波長光を主成分とする光源を有する
光照射装置を、正帯電ＯＰＣ周囲の帯電装置＾１１方に
設け、正帯′漱ＯＰＣを前露光する事により画質の向−
ヒを図るものである。

（作　用） 本発明は上記手段により、正帯ｙ　ｏｐｃの光減衰特性
の改善及び光疲労の防止を図り、かぶりの無い良好な画
像を得るものである。

（実施例） ここで先ず正帯電ｏｐｃの光減衰特性のすそ引き部分が
生じる原理、及び蓄積電荷が生じる原理を説明する。即
ち正帯電ＯＰＣは、一般に導電性支持体上にＣＴＬ及び
ＣＧＬを順次積層した層構造を有している。そして帯電
後、露光によりＣＧＩ、内で正孔／電子対が発生される
が、このうち電子はそのまま表面に達し表面上の正電荷
を中和するものの、正孔にあっては、その一部がＣＧＬ
及びＣＴＬの境界においてトラップされる。そしてこの
トラップされた正孔により、　光減衰特性はＯ［：Ｖ］
に達する事無くすそひきを生じてしまう事となる。しか
もこの様な露光を繰り返えす間にはこの光減衰特性のす
そ引きの」二に更にトラップされた正孔が順次増大され
、これが正帯電ＯＰＣの蓄積電荷となってしまう。

次に本発明の一実施例を第１図ないし第３図を参照しな
がら説明する。（１０）は正帯電ＯＰＣからなるドラム
状の感光体であり、導′社性基板であるアルミニウムＣ
ｕｔ）の支持体（１１）上には以下に述べる製法により
ＣＴＬ（１２ａ）及びＣＧＬ（１２ｂ）が順次積層され
ている。即ち、先ず式 ％式％ で示されるヒドラゾンに、結着樹脂であり、式で示され
るフェノキシを混合し、更にこれ等をシクロヘキサンの
溶剤で溶かした液体中に支持体（１１）を浸し、これを
乾燥しＣＴＬ（１２ａ）を形成する。

次いで式 ・・・（第２式） で示されるアゾ顔料と、（第１式）で示されるヒドラゾ
ンに、（第３式）で示されるフェノキシを混合し、これ
等を１・１・２−トリクロロエタンの溶剤中で溶かした
液体中に、ＣＴＬ（１２ａ）を有する支持体（１１）を
浸し、更にこれを乾燥し、ＣＧＬ（１２ｂ）を形成する
。尚この様にして得られた感光体（１０）の分光感度特
性は第３図に示すように５５０　（ｎｍ）の波長光にお
いて最大となる。一方、感光体（１０）の周囲には、感
光体（１０）を約７００　（Ｖ）に帯電する帯電チャー
ジャ（１３）、露光装置（１４）、現像装置（１６）　
、転写チャージャ（＋７）　、剥離チャージャ（１８）
。

クリーニング装置（２０）　、除電ランプ（２１）等の
画像形成装置が設けられている。又、除電ランプ（２１
）から帯電チャージャ（１３）に達する間には、感光体
（ｌＯ）が最大分光感度を示す５５０　［ｎｍ］の波長
光を主成分とする緑のＬＥＤ（２２）からなる光照射装
置（２３）が設けられている。

しかしてコピーが開始されると、感光体（１０）は矢印
工方向に回転され、これに従い、先ず光照射装置（２３
）によりその全面が前露光される。これにより、感光体
（１０）は前励起され、露光時における正孔／電子対の
発生効率が向上されると共に、正孔がＣＧＬ（１２ｂ）
及びＣＴＬ（１２ａ）の境界でトラップされにくい状態
とされる。そしてこの様な状態で感光体（１０）は、帯
電チャージャ（１３）により一様に正帯電された後画像
露光されるが、露光部分において感光体（１０）内でト
ラップされる正孔が、従来に比し減少され、感光体（１
０）はその光減衰特性の改善と共に蓄積電荷の増大が防
止され、露光部分の表面電位はほぼＯ（Ｖ）迄減衰され
る。　この後感光体（１０）は、現像、転写、剥離の各
工程を経て図示しないシート紙−トにコピー像を形成す
る一方、感光体（１０）は更にクリーニング装置（２０
）　、除電ランプ（２１）を経て次のコピー可能とされ
る。

尚この様にしてコピーを行なったところ、従来感光体（
１０）の光減衰特性のすそ引きにより、その初期から生
じていた画像のかぶりが解消され、更には繰り返えしコ
ピーによっても、コピー画像にかぶりを生じる事が無か
った。

このように構成すれば、光照射袋［（２３）による感光
体（１０）の前露光により、正孔のトラップが従来に比
し減少される事から、画像露光時の光減衰特性のすそ引
き部分が改善されると共に、繰り返えしコピーによる蓄
積電荷の上昇も防止出来、初期時においても、又、繰り
返えしコピー後もかぶりの無い良好な画像を得る事が出
来る。

尚、本発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可能
であり、例えば正帯電ＯＰＣの分光感度特性は限定され
ず、アゾ顔料の種類あるいは含有比率が変われば、その
最大分光感度の波長光は変わるし、その分光感度特性の
カーブも第４図に示す他の変形例のようなものであって
も良い。又、光照射装置に用いる光源も冷陰極管、ハロ
ゲンランプ、ネオン管等でも良し、更にフィルターを用
いる等して必要な波長光を得るようにしても良い。

尚光照射装置の光源の波長も限定されないが、実施例に
示したように感光体が最大分光感度を示す波長光を主成
分とすれば、感光体の前励起をより効率的に行なう事が
出来、感光体内での正孔のトラップをより効率的に防止
出来、ひいてはコピー画像におけるかぶりを解消出来る
。更に露光装置における光源の種類も任意であるが、〔
赤〕の波長光近傍の長波長光を含まない光源を用いるよ
うにすれば、正帯電ＯＰＣが長波長領域にも分光感度を
有するにもかかわらず、ハンコ等の赤色部分の画像の再
現性も向上される。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、画像露光時正帯電
ＯＰＣ内にトラップされる正孔を、従来に比し減少出来
、光減衰特性のすそ引き部分の改善及び蓄積電荷の上昇
を防止出来、画像濃度の低下を来たしたり、装置のコン
パクト化をそこなうことなく、初期においても、又繰り
返えしコピーの後においても、かぶりの無い良好なコピ
ー画像を得る事が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示し第１図は
その概略断面図、第２図はその感光体を示す一部断面図
、第３図はその感光体の分光感度特性を示すグラフ、第
４図は本発明の他の変形例における感光体の分光感度特
性を示すグラフ、第５図は従来の装置におけるセレン（
Ｓｅ）及び正帯電ＯＰＣの光減衰特性を示すグラフであ
る。 １０・・・感光体、　　　　　１１・・・支持体、１２
ａ　−ＣＴＬ、　　　　　　　１２ｂ　・ＣＧＬ、１３
・・・帯電チャージャ、２１・・・除電ランプ、２２・
・・ＬＥＤ、　　　　　　　２３・光照射装置。 代理人　弁理士　　大　胡　典　夫 第１図 Ｏ 窮　２　図 第　　３　　図 第　　４　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　正帯電有機光導電体周囲に画像形成手段を具備し、前
   記正帯電有機光導電体上に静電潜像を形成して画像を得
   るものにおいて、帯電装置前方に設けられ、 前記正帯電有機光導電体が最大分光感度を有する波長光
   を主成分とし、前記正帯電有機光導電体の前露光を行な
   う光照射装置を具備する事を特徴とする画像形成装置。