JP2867530B2 - 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 - Google Patents
正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体Info
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- JP2867530B2 JP2867530B2 JP2013006A JP1300690A JP2867530B2 JP 2867530 B2 JP2867530 B2 JP 2867530B2 JP 2013006 A JP2013006 A JP 2013006A JP 1300690 A JP1300690 A JP 1300690A JP 2867530 B2 JP2867530 B2 JP 2867530B2
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- JP
- Japan
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- charge
- undercoat layer
- ppm
- photoreceptor
- negative
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、正帯電・反転現像方式の電子写真装置に
用いられる電子写真感光体に関する。
用いられる電子写真感光体に関する。
電子写真を応用したレーザビームプリンタ，ファクシ
ミリ，発行ダイオードプリンタなどの正帯電方式の電子
写真装置は、大部分が光照射した電子写真感光体の表面
電位の低い部分に正の電荷を付与したトナーを付け、こ
れを紙に転写させるというネガーポジ反転現像方式であ
る。このような方式においては、トナーの紙への転写に
は負コロナ帯電が使われている。
ミリ，発行ダイオードプリンタなどの正帯電方式の電子
写真装置は、大部分が光照射した電子写真感光体の表面
電位の低い部分に正の電荷を付与したトナーを付け、こ
れを紙に転写させるというネガーポジ反転現像方式であ
る。このような方式においては、トナーの紙への転写に
は負コロナ帯電が使われている。
上記の負コロナ帯電で電式写真感光体表面に負電荷が
付与あるいは誘起されるが、この負電荷は、セレン系材
料を一般の蒸着法でアモルファス状態に成膜して作製し
た電子写真感光体（以下、単に感光体とも称する）で
は、電子の移動度が遅いために光除電を行っても光減衰
しにくい。このため、感光体表面に負電荷が残ってしま
い、続いて感光体表面に対して行われる正コロナ帯電に
よる正電荷をキャンセルする現象が発生する。残留する
負電荷にばらつきがあると、正電荷にばらつきが生じ、
続いて行われる露光により形成される静電潜像に悪影響
を与えることになる。
付与あるいは誘起されるが、この負電荷は、セレン系材
料を一般の蒸着法でアモルファス状態に成膜して作製し
た電子写真感光体（以下、単に感光体とも称する）で
は、電子の移動度が遅いために光除電を行っても光減衰
しにくい。このため、感光体表面に負電荷が残ってしま
い、続いて感光体表面に対して行われる正コロナ帯電に
よる正電荷をキャンセルする現象が発生する。残留する
負電荷にばらつきがあると、正電荷にばらつきが生じ、
続いて行われる露光により形成される静電潜像に悪影響
を与えることになる。
例えば、プリンタの用紙にカット紙を使用すると、紙
の有り無しで負コロナ帯電の効率が異なるので、感光体
表面に負電荷の多い部分と少ない部分が生じ、その結
果、得られる画像も紙の有った部分と無かった部分とで
濃度に差が生じ、いわゆる紙間濃度差が発生する。この
紙間濃度差は負コロナ帯電による負電荷帯電量が大きい
程はっきりと画像上に現れてくる。また、連続紙使用の
場合でも、転写時の負コロナ帯電が感光体表面に負電荷
を誘起し、この負電荷が多い程次の正コロナ帯電時の電
位に乗りが悪くなり、繰り返し使用時における正帯電の
低下量が大きくなり、疲労特性が悪化し、ネガ−ポジ反
転現像方式では画像上地かぶりが発生し、画像品質が低
下する。
の有り無しで負コロナ帯電の効率が異なるので、感光体
表面に負電荷の多い部分と少ない部分が生じ、その結
果、得られる画像も紙の有った部分と無かった部分とで
濃度に差が生じ、いわゆる紙間濃度差が発生する。この
紙間濃度差は負コロナ帯電による負電荷帯電量が大きい
程はっきりと画像上に現れてくる。また、連続紙使用の
場合でも、転写時の負コロナ帯電が感光体表面に負電荷
を誘起し、この負電荷が多い程次の正コロナ帯電時の電
位に乗りが悪くなり、繰り返し使用時における正帯電の
低下量が大きくなり、疲労特性が悪化し、ネガ−ポジ反
転現像方式では画像上地かぶりが発生し、画像品質が低
下する。
このような現象を抑制する方法として、本出願人の出
願に係る特願昭61−314407号明細書に記載された、セレ
ン系材料からなる感光層の蒸着時の基体温度を高めて感
光層の感光体基体との界面を結晶させる方法、あるいは
同じく本出願人の出願に係る特願昭62−110131号明細書
に記載された、Se−Te合金の薄層を感光層と基体の間に
介在させる方法により基体側からの正孔の注入を促進す
る方法があるが、これらの方法では基体処理のばらつ
き，蒸着条件のばらつきによる負電荷帯電量のばらつき
防止、あるいは密着性の確保などに問題があった。
願に係る特願昭61−314407号明細書に記載された、セレ
ン系材料からなる感光層の蒸着時の基体温度を高めて感
光層の感光体基体との界面を結晶させる方法、あるいは
同じく本出願人の出願に係る特願昭62−110131号明細書
に記載された、Se−Te合金の薄層を感光層と基体の間に
介在させる方法により基体側からの正孔の注入を促進す
る方法があるが、これらの方法では基体処理のばらつ
き，蒸着条件のばらつきによる負電荷帯電量のばらつき
防止、あるいは密着性の確保などに問題があった。
この発明が解決しようとする課題は、正帯電・反転現
像方式での使用に際して、転写時の負コロナ帯電で感光
体表面への負電荷の帯電が少なく、ばらつきも少なく
て、正帯電が良好に乗り、暗減衰も少なく、繰り返し使
用時の正帯電低下も少なくて、画像上濃度低下や地かぶ
りの発生，紙間濃度差の発生を抑制できる感光体を提供
することにある。
像方式での使用に際して、転写時の負コロナ帯電で感光
体表面への負電荷の帯電が少なく、ばらつきも少なく
て、正帯電が良好に乗り、暗減衰も少なく、繰り返し使
用時の正帯電低下も少なくて、画像上濃度低下や地かぶ
りの発生，紙間濃度差の発生を抑制できる感光体を提供
することにある。
また、上記の課題は、導電性基体上にセレン系材料か
らなる感光層とClを含むセレン材料からなるアンダーコ
ート層を備えた電子写真感光体において、当該アンダー
コート層のCl含有量が10重量ppm以上300重量ppm以下、
膜厚が１μｍ以下５μｍ以下であり、かつ、各膜厚に対
する当該アンダーコート層のCl含有量が、膜厚１μｍに
おける100ppm、膜厚２μｍにおける25ppm、膜厚５μｍ
における10ppmを結ぶ曲線以上の含有量であると好適で
ある。セレン系材料としては高純度Se,Se−Te合金,Se−
As合金が好適に用いられる。
らなる感光層とClを含むセレン材料からなるアンダーコ
ート層を備えた電子写真感光体において、当該アンダー
コート層のCl含有量が10重量ppm以上300重量ppm以下、
膜厚が１μｍ以下５μｍ以下であり、かつ、各膜厚に対
する当該アンダーコート層のCl含有量が、膜厚１μｍに
おける100ppm、膜厚２μｍにおける25ppm、膜厚５μｍ
における10ppmを結ぶ曲線以上の含有量であると好適で
ある。セレン系材料としては高純度Se,Se−Te合金,Se−
As合金が好適に用いられる。
上記の構成により、帯電特性，暗減衰，繰り返し使用
時の帯電低下などを悪化させることなしに負電荷の暗減
衰を大きくして感光体表面の負電荷の帯電を少なくする
ことができ、感光体の疲労特性を改善し、画像上濃度低
下，地かぶり，紙間濃度差の発生を抑制することが可能
となる。
時の帯電低下などを悪化させることなしに負電荷の暗減
衰を大きくして感光体表面の負電荷の帯電を少なくする
ことができ、感光体の疲労特性を改善し、画像上濃度低
下，地かぶり，紙間濃度差の発生を抑制することが可能
となる。
第１図および第２図はこの発明の感光体のそれぞれ異
なる実施例を示す模式的断面図である。各図において、
１は導電性基体,2はセレン系材料からなる電荷輸送層2a
と電荷発生層2bとからなる感光量,3はセレン系材料から
なる表面保護層,4はClを含むセレン系材料からなるアン
ダーコート層である。
なる実施例を示す模式的断面図である。各図において、
１は導電性基体,2はセレン系材料からなる電荷輸送層2a
と電荷発生層2bとからなる感光量,3はセレン系材料から
なる表面保護層,4はClを含むセレン系材料からなるアン
ダーコート層である。
実施例 感光体の導電性基体１として、外径120mm,長さ480mm
のAl合金素管の外表面を研削またはバイトで加工し、表
面粗さを最大高さRmaxで0.8μｍとした後、トリクレン
脱脂し、温度250℃で36分間の加熱処理を行った。この
ように前処理した導電性基体１を真空蒸着装置の回転支
持軸に装着して温度62℃に加熱し、真空槽のベルジャ温
度を45℃に保ち、１〜５×10-5Torrの真空中で、まず、
Clを含有した高純度Seを蒸着してアンダーコート層４を
形成した。続いて、その上に高純度Seからなる膜厚約50
μｍの電荷輸送層2a,Teを45重量％含有するSe−Te合金
からなる膜厚約0.2μｍの電荷発生層2bを順次蒸着成膜
して感光層２を形成し、さらにその上にAsを1.5〜４重
量％を含有するSe−As合金を約３μｍの厚さに蒸着して
表面保護層３を形成して、第２図に示した構成の感光体
を作製した。
のAl合金素管の外表面を研削またはバイトで加工し、表
面粗さを最大高さRmaxで0.8μｍとした後、トリクレン
脱脂し、温度250℃で36分間の加熱処理を行った。この
ように前処理した導電性基体１を真空蒸着装置の回転支
持軸に装着して温度62℃に加熱し、真空槽のベルジャ温
度を45℃に保ち、１〜５×10-5Torrの真空中で、まず、
Clを含有した高純度Seを蒸着してアンダーコート層４を
形成した。続いて、その上に高純度Seからなる膜厚約50
μｍの電荷輸送層2a,Teを45重量％含有するSe−Te合金
からなる膜厚約0.2μｍの電荷発生層2bを順次蒸着成膜
して感光層２を形成し、さらにその上にAsを1.5〜４重
量％を含有するSe−As合金を約３μｍの厚さに蒸着して
表面保護層３を形成して、第２図に示した構成の感光体
を作製した。
上述の製造方法において、アンダーコート層に用いる
高純度SeへのCl含有量およびアンダーコート層の膜厚を
第２表に示すように変化させて、実施例II−１〜II−12
の各感光体を作製した。また、比較のために、アンダー
コート層を形成しない比較例II−１の感光体、アンダー
コート層を形成せず，そのかわりに電荷輸送層に用いる
高純度Seに25重量ppmのClを含有させ電荷輸送層全層にC
lをドープした比較例II−２の感光体をそれぞれ作製し
た。
高純度SeへのCl含有量およびアンダーコート層の膜厚を
第２表に示すように変化させて、実施例II−１〜II−12
の各感光体を作製した。また、比較のために、アンダー
コート層を形成しない比較例II−１の感光体、アンダー
コート層を形成せず，そのかわりに電荷輸送層に用いる
高純度Seに25重量ppmのClを含有させ電荷輸送層全層にC
lをドープした比較例II−２の感光体をそれぞれ作製し
た。
このようにして作製した感光体について、感光体を1
1.35rpmで回転させながら、放電長460mmのコロナチャー
ジャによりAl合金基体への流れ込み電流が−55μＡ一定
となる条件で感光体表面に負コロナ帯電を加え、1.5秒
後の表面電位を測定した。また、正帯電の１秒後の電位
保持率を測定して暗減衰特性を評価した。さらに、正帯
電・反転現像方式の画像出しプロセスを230サイクル繰
り返し、１サイクル目と230サイクル目の正帯電位の差
すなわち帯電低下量を調べて疲労特性を評価した。さら
にまた、正帯電・反転現像方式の画像出しで得られた画
像の良否を評価した。その結果を第３表に示す。
1.35rpmで回転させながら、放電長460mmのコロナチャー
ジャによりAl合金基体への流れ込み電流が−55μＡ一定
となる条件で感光体表面に負コロナ帯電を加え、1.5秒
後の表面電位を測定した。また、正帯電の１秒後の電位
保持率を測定して暗減衰特性を評価した。さらに、正帯
電・反転現像方式の画像出しプロセスを230サイクル繰
り返し、１サイクル目と230サイクル目の正帯電位の差
すなわち帯電低下量を調べて疲労特性を評価した。さら
にまた、正帯電・反転現像方式の画像出しで得られた画
像の良否を評価した。その結果を第３表に示す。
また、第３図は、アンダーコート層の膜厚をパラメー
タとして、アンダーコート層のCl含有量と負帯電位との
関係を示す線図であって、実線は膜厚１μｍの場合，点
線は膜厚２μｍの場合，一点鎖線は膜厚５μｍの場合を
示す。
タとして、アンダーコート層のCl含有量と負帯電位との
関係を示す線図であって、実線は膜厚１μｍの場合，点
線は膜厚２μｍの場合，一点鎖線は膜厚５μｍの場合を
示す。
第２表および第３表より、アンダーコート層を設けな
い比較例II−１では、負帯電位が高く、得られる出力画
像の画質が悪く、アンダーコート層を設けずに電荷輸送
層全層にClを含有させた比較例II−２では、負帯電位は
減少するが電位保持率が低く、帯電低下量が大きいとい
う問題が生じ画像が良くない。これに対して、実施例で
は実施例II−１を除けば負帯電位が低く、電位保持率，
帯電低下量も良好で、良質の画像が得られ、アンダーコ
ート層を設けることによる効果は明らかである。
い比較例II−１では、負帯電位が高く、得られる出力画
像の画質が悪く、アンダーコート層を設けずに電荷輸送
層全層にClを含有させた比較例II−２では、負帯電位は
減少するが電位保持率が低く、帯電低下量が大きいとい
う問題が生じ画像が良くない。これに対して、実施例で
は実施例II−１を除けば負帯電位が低く、電位保持率，
帯電低下量も良好で、良質の画像が得られ、アンダーコ
ート層を設けることによる効果は明らかである。
また、第３表より負帯電位が−200V以下となれば良質
の画像が得られることが判る。そのためには、第３図よ
り、アンダーコート層の膜厚が１μｍの場合Clを100重
量ppm以上含有させれば良く、膜厚５μｍの場合にはCl
を10重量ppm以上含有させれば良いことが判る。ところ
が、第２表および第３表より、アンダーコート層のCl含
有量が増え、かつ、膜厚が厚くなるにつれて帯電低下量
が増大する傾向が見られる。アンダーコート層として
は、膜厚は１μｍ以上５μｍ以下の範囲内とし、Cl含有
量は10重量ppm以上300重量ppm以下の範囲とすることが
好適であることが判る。
の画像が得られることが判る。そのためには、第３図よ
り、アンダーコート層の膜厚が１μｍの場合Clを100重
量ppm以上含有させれば良く、膜厚５μｍの場合にはCl
を10重量ppm以上含有させれば良いことが判る。ところ
が、第２表および第３表より、アンダーコート層のCl含
有量が増え、かつ、膜厚が厚くなるにつれて帯電低下量
が増大する傾向が見られる。アンダーコート層として
は、膜厚は１μｍ以上５μｍ以下の範囲内とし、Cl含有
量は10重量ppm以上300重量ppm以下の範囲とすることが
好適であることが判る。
以上の実施においては、アンダーコート層の構成材料
として高純度Seを用いたが、これに限られるものではな
く、Se−Te合金,Se−AS合金など他のセレン系材料を用
いても同様の効果が得られる。
として高純度Seを用いたが、これに限られるものではな
く、Se−Te合金,Se−AS合金など他のセレン系材料を用
いても同様の効果が得られる。
この発明によれば、上記構成により、正帯電・反転現
像方式の使用に際して、転写時の負コロナ帯電で感光体
表面への負電荷の帯電が少なくばらつきも少なくて、正
帯電が良好に乗り、暗減衰も少なく、繰り返し使用時の
帯電低下も少なくて、画像上濃度低下や地かぶりの発
生，紙間濃度差の発生を抑制でき、良質な出力画像の得
られる電子写真感光体を得ることができる。
像方式の使用に際して、転写時の負コロナ帯電で感光体
表面への負電荷の帯電が少なくばらつきも少なくて、正
帯電が良好に乗り、暗減衰も少なく、繰り返し使用時の
帯電低下も少なくて、画像上濃度低下や地かぶりの発
生，紙間濃度差の発生を抑制でき、良質な出力画像の得
られる電子写真感光体を得ることができる。
第１図および第２図はこの発明の感光体のそれぞれ異な
る実施例を示す模式的断面図、第３図はアンダーコート
層の膜厚をパラメータとしてアンダーコート層のCl含有
量と負帯電位との関係を示す線図である。 １……導電性基体、２……感光層、2a……電荷輸送層、
2b……電荷発生層、３……表面保護層、４……アンダー
コート層。
る実施例を示す模式的断面図、第３図はアンダーコート
層の膜厚をパラメータとしてアンダーコート層のCl含有
量と負帯電位との関係を示す線図である。 １……導電性基体、２……感光層、2a……電荷輸送層、
2b……電荷発生層、３……表面保護層、４……アンダー
コート層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−172854（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−158845（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03G 5/08 101
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基体上にセレン系材料からなる感光
層とClを含むセレン材料からなるアンダーコート層を備
えた電子写真感光体において、 当該アンダーコート層のCl含有量が10重量ppm以上300重
量ppm以下、膜厚が１μｍ以上５μｍ以下であり、 かつ、各膜厚に対する当該アンダーコート層のCl含有量
が、膜厚１μｍにおける100ppm、膜厚２μｍにおける25
ppm、膜厚５μｍにおける10ppmを結ぶ曲線以上の含有量
であることを特徴とする正帯電・反転現像方式電子写真
装置用電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013006A JP2867530B2 (ja) | 1989-09-01 | 1990-01-23 | 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22682389 | 1989-09-01 | ||
| JP1-226823 | 1989-09-01 | ||
| JP2013006A JP2867530B2 (ja) | 1989-09-01 | 1990-01-23 | 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03174161A JPH03174161A (ja) | 1991-07-29 |
| JP2867530B2 true JP2867530B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=26348720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013006A Expired - Lifetime JP2867530B2 (ja) | 1989-09-01 | 1990-01-23 | 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2867530B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126539A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
| JPS59133557A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS59133558A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS60102644A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
| JPS63276258A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH03172854A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用機能分離型セレン感光体 |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP2013006A patent/JP2867530B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03174161A (ja) | 1991-07-29 |
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