JPS59133558A - 電子写真用セレン感光体 - Google Patents
電子写真用セレン感光体Info
- Publication number
- JPS59133558A JPS59133558A JP759783A JP759783A JPS59133558A JP S59133558 A JPS59133558 A JP S59133558A JP 759783 A JP759783 A JP 759783A JP 759783 A JP759783 A JP 759783A JP S59133558 A JPS59133558 A JP S59133558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- charge
- photoreceptor
- charge transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はくり返し特性の改善された電子写真用セレン感
光体に関する。
光体に関する。
電子写真用感光体の光導電材料として、現在セレンおよ
びその合金系が巾広い分野でオＵ用てれている。この種
の感光体が適用される電子写真プロセスは、通當、帯血
、露光、除電の操作を含み、このザイクルがくり返し行
われる。従って、除電後は常に初期状態に回復（〜てい
ることが要求される。
びその合金系が巾広い分野でオＵ用てれている。この種
の感光体が適用される電子写真プロセスは、通當、帯血
、露光、除電の操作を含み、このザイクルがくり返し行
われる。従って、除電後は常に初期状態に回復（〜てい
ることが要求される。
除電方法としては、元とともに交流放電あるいは直流放
電を併用して除電効率を上けている。ＳｅのようなＰ形
の光導電体では負の直流放電が適用される。このような
除電方法を前提とすると、過度の除′ば効果により除電
後に負の電荷が感光体の表面に残り、次のザイクルの帯
電の際に帯電低重を引き起こす欠点がある。さらに負′
框荷が感光層内部に侵入し、正電荷のトラップ準位を形
成すると、次ザイクル以降正電荷の保持力を減少式せ、
より深いトラップ準位では残留電位の上昇を生せしめる
ような空間電荷を形成する。このような問題を感光体上
で解決するには、Ｓｅ に］Ａ応（〜だ不純物を冷加す
ることが有効である。このような効果は、不純物により
Ｓｅ の禁制帯電に工不ルキー準位を導入させ、Ｐ形の
電気伝導度を−Ｆ昇させ、除電時に負荷を帯びても速や
かに消失するためと考えられる。この目的にかなう不純
物としては。
電を併用して除電効率を上けている。ＳｅのようなＰ形
の光導電体では負の直流放電が適用される。このような
除電方法を前提とすると、過度の除′ば効果により除電
後に負の電荷が感光体の表面に残り、次のザイクルの帯
電の際に帯電低重を引き起こす欠点がある。さらに負′
框荷が感光層内部に侵入し、正電荷のトラップ準位を形
成すると、次ザイクル以降正電荷の保持力を減少式せ、
より深いトラップ準位では残留電位の上昇を生せしめる
ような空間電荷を形成する。このような問題を感光体上
で解決するには、Ｓｅ に］Ａ応（〜だ不純物を冷加す
ることが有効である。このような効果は、不純物により
Ｓｅ の禁制帯電に工不ルキー準位を導入させ、Ｐ形の
電気伝導度を−Ｆ昇させ、除電時に負荷を帯びても速や
かに消失するためと考えられる。この目的にかなう不純
物としては。
塩素等をはじめとするハロゲン族元素がある。しかしハ
ロゲン族元素を均一に再現性よ（Ｓｅ 中に添加するこ
とは困難であり、適切な不純物濃度の範囲が著しく狭い
という欠点がある。
ロゲン族元素を均一に再現性よ（Ｓｅ 中に添加するこ
とは困難であり、適切な不純物濃度の範囲が著しく狭い
という欠点がある。
本発明の目的は、この欠点を除去し、簡便で再現性よく
添加できて、正電荷のトラップ準位の形成を阻止する不
純物を含むセレン層を電荷移動層とし、さらにこの上に
より長波長光にも感度をもたせるように電荷発生層を積
層式せた５機能分離型電子写真用Ｓｅ 感光体を提供す
ることである。
添加できて、正電荷のトラップ準位の形成を阻止する不
純物を含むセレン層を電荷移動層とし、さらにこの上に
より長波長光にも感度をもたせるように電荷発生層を積
層式せた５機能分離型電子写真用Ｓｅ 感光体を提供す
ることである。
この目的は、Ｓｅ 電荷移動層に不純物として酸素を添
加し、電荷発生層にＴｅを添加することにより達成され
る。このような電荷移動層は、酸化されたＳｅ 原料を
蒸着することにより生成できる。
加し、電荷発生層にＴｅを添加することにより達成され
る。このような電荷移動層は、酸化されたＳｅ 原料を
蒸着することにより生成できる。
原料Ｓｅへの添加酸素濃度は１０１〜１０’重量ｐｐｍ
が有効であり、特に１０２〜１０３重量ｐｐｍが望まし
い。
が有効であり、特に１０２〜１０３重量ｐｐｍが望まし
い。
壕だ電荷発生層に添加するＴｅ 濃度は、所用感度に応
じて適宜選択される。たとえば、露光光源としてハロゲ
ンランプを使用する場合は、Ｔｅ 濃度１０〜２０重量
襲が望ましく、丑だ半導体レーザーを使用する場合には
、Ｔｅ 濃度３０〜４０重量％が望ましい。
じて適宜選択される。たとえば、露光光源としてハロゲ
ンランプを使用する場合は、Ｔｅ 濃度１０〜２０重量
襲が望ましく、丑だ半導体レーザーを使用する場合には
、Ｔｅ 濃度３０〜４０重量％が望ましい。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。
セレン材料中への酸素の添加方法は、次のようにする。
密閉容気中に酸化させたい高純度Ｓｅ とともに、厳密
にガス分圧の制御された強酸系のガスを導入する。酸は
硝酸、硫酸等を用いる。さらに、この密閉容器自体は適
切に制御された温度と明るさの下に置かれる。こうして
、放置した時間に対応してＳｅ の表面が酸化される。
にガス分圧の制御された強酸系のガスを導入する。酸は
硝酸、硫酸等を用いる。さらに、この密閉容器自体は適
切に制御された温度と明るさの下に置かれる。こうして
、放置した時間に対応してＳｅ の表面が酸化される。
まず、電荷移動層を次のように形成した。蒸着原料とし
て酸化処理をしたＳｅ および比較のため熱方式を用
い、膜厚は６０〜７０μｍ′″Ｃある。次に、これら２
種の感光体の蒸着膜の上に、屯荷発第１図は、本発明の
積層感光体の断面構造を示す。図中１１はＡｔ基板、１
２は酸化処理Ｓｅ を蒸着することにより形成した電荷
移動層、１３はＳｅにＴｅを高濃度に添加した電荷発生
層である。
て酸化処理をしたＳｅ および比較のため熱方式を用
い、膜厚は６０〜７０μｍ′″Ｃある。次に、これら２
種の感光体の蒸着膜の上に、屯荷発第１図は、本発明の
積層感光体の断面構造を示す。図中１１はＡｔ基板、１
２は酸化処理Ｓｅ を蒸着することにより形成した電荷
移動層、１３はＳｅにＴｅを高濃度に添加した電荷発生
層である。
第２ 図は、＜シ返しによる電位変化の測定結果を示す
。図中曲線２１．２２が帯電位、曲線２３゜２４が残留
電位を示し、実線２１．２３が酸素含有Ｓｅ膜の上に高
Ｔｅ濃度Ｓｅ膜を積層した感光体、破線２２．２４が純
Ｓｅ膜の上に高Ｔｅ濃度Ｓｅ膜を積層した感光体である
。この図から、酸素含有Ｓｅ膜を有する感光体は帯電低
下、残電上昇を共に抑えることができたことが明らかで
おる。
。図中曲線２１．２２が帯電位、曲線２３゜２４が残留
電位を示し、実線２１．２３が酸素含有Ｓｅ膜の上に高
Ｔｅ濃度Ｓｅ膜を積層した感光体、破線２２．２４が純
Ｓｅ膜の上に高Ｔｅ濃度Ｓｅ膜を積層した感光体である
。この図から、酸素含有Ｓｅ膜を有する感光体は帯電低
下、残電上昇を共に抑えることができたことが明らかで
おる。
酸素含有Ｓｅ原料の酸素濃度は１０１〜１０４重量ｐｐ
ｍが適切で、１０’ｐｐｍ以下では効果がなく。
ｍが適切で、１０’ｐｐｍ以下では効果がなく。
１０４以上であると帯電低下が生ずる。中でも１０２〜
１０’重量ｐｐｍが最も適切である。
１０’重量ｐｐｍが最も適切である。
以上述べたように、本発明は電荷移動層として適当な濃
度の酸素を含むＳｅを用いることによ汎 ５− 従来のＳｅで達成された特性以上に電子写真プロセスく
り返しの一ヒでの問題点、すなわち帯電低下と残留電位
の上昇を抑えることができる。
度の酸素を含むＳｅを用いることによ汎 ５− 従来のＳｅで達成された特性以上に電子写真プロセスく
り返しの一ヒでの問題点、すなわち帯電低下と残留電位
の上昇を抑えることができる。
第１図は本発明による積層感光体の断面図、第２図は本
発明による感光体と従来の感光体の特性を示す線図であ
る。 １１・・・Ａ４基板、１２・・・電荷移動層、１３・・
・電荷発生層。 ６−
発明による感光体と従来の感光体の特性を示す線図であ
る。 １１・・・Ａ４基板、１２・・・電荷移動層、１３・・
・電荷発生層。 ６−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）機能分離型積層セレン系感光層において、電荷移動
層に不純物として酸素が添加されたことを特徴とする電
子写真用セレン感光体。 ２）特許請求範囲第１項記載の感光体において、セレン
電荷移動層が酸化されたセレンの蒸着により生成された
ことを特徴とする電子写真用セレン感光体。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の感光体に
おいて、電荷移動層用の蒸着セレン原料の酸素濃度が１
０１〜１０′重量ｐｐｍ、中でも１０２〜１０３重量ｐ
ｐｍの範囲にあることを特徴とする電子写真用セレン感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP759783A JPS59133558A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 電子写真用セレン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP759783A JPS59133558A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 電子写真用セレン感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59133558A true JPS59133558A (ja) | 1984-07-31 |
Family
ID=11670209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP759783A Pending JPS59133558A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 電子写真用セレン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03174161A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-07-29 | Fuji Electric Co Ltd | 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-01-20 JP JP759783A patent/JPS59133558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03174161A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-07-29 | Fuji Electric Co Ltd | 正帯電・反転現像方式電子写真装置用電子写真感光体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3530007A (en) | Solar cell including aceanthraquinoxaline photosensitive material | |
| JPS61100759A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS59133558A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| US3170790A (en) | Red sensitive xerographic plate and process therefor | |
| US3077386A (en) | Process for treating selenium | |
| US4601965A (en) | Photosensitive material for use in electrophotography | |
| Mikla et al. | The effect of Sb alloying on the electrophotographic properties of amorphous selenium | |
| US3532496A (en) | Xerographic plates and processes employing homogeneous dispersions of vitreous selenium and sensitizing dyes as the photoconductive layer | |
| JPS59133557A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JPS5819B2 (ja) | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ | |
| US4960662A (en) | Positively and negatively chargeable electrophotographic photoreceptor | |
| JPS6194054A (ja) | 光導電部材 | |
| SU966656A1 (ru) | Электрофотографический материал | |
| JPS5812322A (ja) | 半導体膜の形成方法 | |
| US4615964A (en) | Vapor-deposited film of selenium as photoreceptor for electrophotography and process for producing the same | |
| JPS62222259A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP3113453B2 (ja) | 電子写真感光体の製法 | |
| JPS59166960A (ja) | 電子写真用感光材料 | |
| JPS62283804A (ja) | 高純度セレンの改質方法 | |
| JPS62111256A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0760272B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS59111152A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6090341A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JPS5944056A (ja) | 感光体 | |
| JPS6028662A (ja) | 電子写真用アモルフアスシリコン感光体 |