JPS5819B2 - ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ - Google Patents
ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイInfo
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- JPS5819B2 JPS5819B2 JP50125864A JP12586475A JPS5819B2 JP S5819 B2 JPS5819 B2 JP S5819B2 JP 50125864 A JP50125864 A JP 50125864A JP 12586475 A JP12586475 A JP 12586475A JP S5819 B2 JPS5819 B2 JP S5819B2
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体特に非晶質セレン・テルル感光
体の熱的安定性の向上に関するものである。
体の熱的安定性の向上に関するものである。
非晶質セレン・テルル感光体は導電性支持体例えばアル
ミニウム基板上に直接セレン・テルル合金を蒸着するか
、セレン蒸発源とこれと独立のテルル蒸発源とを用いて
蒸着するか、或いはセレンを最初に蒸着ししかるのちそ
の表面にセレン・テルルの薄い蒸着層を形成して作られ
る。
ミニウム基板上に直接セレン・テルル合金を蒸着するか
、セレン蒸発源とこれと独立のテルル蒸発源とを用いて
蒸着するか、或いはセレンを最初に蒸着ししかるのちそ
の表面にセレン・テルルの薄い蒸着層を形成して作られ
る。
このような構成をもつ非晶質セレン・テルル感光体はす
ぐれた光感度をもつ長所を有するが、その反面高温雰囲
気中に放置されると結晶化が進行し、遂には抵抗が激減
して(実験によれば50℃の雰囲気に放置された場合、
250時間で抵抗の変化が現われ始め、それ以後非常に
顕著な抵抗変化が見られる。
ぐれた光感度をもつ長所を有するが、その反面高温雰囲
気中に放置されると結晶化が進行し、遂には抵抗が激減
して(実験によれば50℃の雰囲気に放置された場合、
250時間で抵抗の変化が現われ始め、それ以後非常に
顕著な抵抗変化が見られる。
)電荷の保持力を失い使用に耐えなくなると云う熱的な
不安定性をもつ。
不安定性をもつ。
これがため寿命が短かいと云う大きな難点を有する。
また電子写真感光体の場合には上記の如き温度の要素の
他に、感光体表面への帯電のために行われるコロナ放電
にもとづくイオンも熱的安定性の悪化を更に促進する。
他に、感光体表面への帯電のために行われるコロナ放電
にもとづくイオンも熱的安定性の悪化を更に促進する。
本発明は非晶質セレン・テルル感光体のもつ光感度上の
長所を損うことなく、熱的安定性を向上した電子写真感
光体の提供を目的とするもので、次にその詳細を説明す
る。
長所を損うことなく、熱的安定性を向上した電子写真感
光体の提供を目的とするもので、次にその詳細を説明す
る。
非晶質セレン・テルル感光体における結晶化の進行状態
を観察すると、結晶化は感光層の表面および感光層と導
電性支持体の境界面とから進行し、感光層内部における
進行は非常に微量であって寿命を決定づける大きな要因
とはならない。
を観察すると、結晶化は感光層の表面および感光層と導
電性支持体の境界面とから進行し、感光層内部における
進行は非常に微量であって寿命を決定づける大きな要因
とはならない。
このことは感光層の表面と境界面とからの結晶化の進行
を妨げることが可能であれば前記の如き熱的不安定を改
善して寿命を長くできることを示唆するものである。
を妨げることが可能であれば前記の如き熱的不安定を改
善して寿命を長くできることを示唆するものである。
本発明は非晶質セレン・テルルに微量のアンチモンが添
加された場合に、光感度を損うことなく熱的安定性を著
しも向上できることを見出し、これらの層を表面など結
晶化の激しい部分に設けることにより、光感度高くしか
も熱的に非常に安定な電子写真感光体が得られることを
着想したものである。
加された場合に、光感度を損うことなく熱的安定性を著
しも向上できることを見出し、これらの層を表面など結
晶化の激しい部分に設けることにより、光感度高くしか
も熱的に非常に安定な電子写真感光体が得られることを
着想したものである。
第1図は導電性支持体上に形成したセレン層上に、薄い
セレン・テルル層を形成して作られた電子写真感光体に
おける本発明の実施態様例の断面図である。
セレン・テルル層を形成して作られた電子写真感光体に
おける本発明の実施態様例の断面図である。
図において1は導電性支持体であるアルミニウム基板、
2は非晶質セレン層、3は境界面に設けたセレン・アン
チモン層、4は非晶質セレン層の表面セレン・テルル・
アンチモン層であって、以上の構成をもつ感光体は例え
ば次のようにして作られる。
2は非晶質セレン層、3は境界面に設けたセレン・アン
チモン層、4は非晶質セレン層の表面セレン・テルル・
アンチモン層であって、以上の構成をもつ感光体は例え
ば次のようにして作られる。
感光体を形成するに十分な重量のセレン・テルルおよび
アンチモンを入れた3箇の独立の蒸発源をもつ真空槽内
に、十分洗浄されたアルミニウム基板1を温度調節でき
るように設置して排気し、真空度が1×1O−5Tor
rまたアルミニウム基板1の温度が60℃となるように
調節する。
アンチモンを入れた3箇の独立の蒸発源をもつ真空槽内
に、十分洗浄されたアルミニウム基板1を温度調節でき
るように設置して排気し、真空度が1×1O−5Tor
rまたアルミニウム基板1の温度が60℃となるように
調節する。
そこで最初にセレンとアンチモンの蒸発源の温度を上昇
しそれぞれの蒸発速度が一定になったところで、セレン
中のアンチモン濃度が1.0重量%になるように蒸発源
に設けたシャッタを開放し調節して、アルミニウム基板
1上にセレン・アンチモン層3の蒸着を開始する。
しそれぞれの蒸発速度が一定になったところで、セレン
中のアンチモン濃度が1.0重量%になるように蒸発源
に設けたシャッタを開放し調節して、アルミニウム基板
1上にセレン・アンチモン層3の蒸着を開始する。
そして層3の厚みが1.0ミクロンになったとき、アン
チモン蒸発源のシャッタを閉じると同時に温度を下げて
、セレン蒸発源による非晶質セレン層2の蒸着を開始し
、これが55ミクロン厚になったとき再びアンチモン蒸
発源の温度を上げ、これに加えてテルル蒸発源の温度を
上げてそれぞれのシャッタを開放し、セレン中のテルル
が10重量%、アンチモンが1.0重量%になるように
調節しながらセレン・テルル・アンチモンによる蒸着を
行う。
チモン蒸発源のシャッタを閉じると同時に温度を下げて
、セレン蒸発源による非晶質セレン層2の蒸着を開始し
、これが55ミクロン厚になったとき再びアンチモン蒸
発源の温度を上げ、これに加えてテルル蒸発源の温度を
上げてそれぞれのシャッタを開放し、セレン中のテルル
が10重量%、アンチモンが1.0重量%になるように
調節しながらセレン・テルル・アンチモンによる蒸着を
行う。
そしてこのセレン・テルル・アンチモン層4の厚みが1
.0ミクロンになったとき、各蒸発源のシャッタを閉じ
ると同時に温度を下げて製作を終了するもので、実験に
よればこの非晶質セレン・テルル感光体はすぐれた特性
を有することが判った。
.0ミクロンになったとき、各蒸発源のシャッタを閉じ
ると同時に温度を下げて製作を終了するもので、実験に
よればこの非晶質セレン・テルル感光体はすぐれた特性
を有することが判った。
次にこれについて説明する。
暗中において6KV(正極性)のコロナ電圧により感光
体に帯電して電子写真特性を測定したところ、表面電位
V0=1000V、暗減衰(V0−V2′)/V0=0
.5(V2´はコロナ放電による帯電後2分の表面電位
)、タングステンランプ白色光による半減衰露光量1.
51X、Sであった。
体に帯電して電子写真特性を測定したところ、表面電位
V0=1000V、暗減衰(V0−V2′)/V0=0
.5(V2´はコロナ放電による帯電後2分の表面電位
)、タングステンランプ白色光による半減衰露光量1.
51X、Sであった。
また比較のためこの感光体とアンチモンを添加しない同
一構造の感光体とを同時に50℃の雰囲気中に放置して
帯電露光を繰返したところ、第2図の如き結果を得た。
一構造の感光体とを同時に50℃の雰囲気中に放置して
帯電露光を繰返したところ、第2図の如き結果を得た。
この結果が示すように、本発明による感光体は帯電露光
の繰返し回数が多くなっても、第2図a、b図中の曲線
Aのように表面電位V0および暗減衰(V0−V2′)
/V0ははゝ一定である。
の繰返し回数が多くなっても、第2図a、b図中の曲線
Aのように表面電位V0および暗減衰(V0−V2′)
/V0ははゝ一定である。
これに対しアンチモンが添加されない感光体では図中の
8曲線の如く帯電露光の繰返し回数100の附近から変
化が現われ始め、それ以後著しい変化を示すことから、
本発明のように導電性支持体と感光層の境界面、および
感光層の表面にアンチモンの添加層を設けることにより
、高温雰囲気中における感光体の結晶化の進行を阻止し
て、電荷の保持力の低下を防止するすぐれた効果を有す
ることが判る。
8曲線の如く帯電露光の繰返し回数100の附近から変
化が現われ始め、それ以後著しい変化を示すことから、
本発明のように導電性支持体と感光層の境界面、および
感光層の表面にアンチモンの添加層を設けることにより
、高温雰囲気中における感光体の結晶化の進行を阻止し
て、電荷の保持力の低下を防止するすぐれた効果を有す
ることが判る。
なお実験によればアルミニウム基板側からの結晶化を防
止するためには、アルミニウム基板と直接接触する非晶
質セレンアンチモン層におけるセレン中のアンチモン濃
度が約1〜10重量%、厚さ約1〜7ミクロンの範囲が
最も好しく、アンチモン濃度が15重量%程度以上にな
った場合には暗減衰を大きくし、厚みが10ミクロン程
度以上の場合には蓄積残留電位が大となって、電子写真
感光体として好しくない結果を生ずる。
止するためには、アルミニウム基板と直接接触する非晶
質セレンアンチモン層におけるセレン中のアンチモン濃
度が約1〜10重量%、厚さ約1〜7ミクロンの範囲が
最も好しく、アンチモン濃度が15重量%程度以上にな
った場合には暗減衰を大きくし、厚みが10ミクロン程
度以上の場合には蓄積残留電位が大となって、電子写真
感光体として好しくない結果を生ずる。
またアンチモン濃度が0.5重量%程度以下、厚みが0
.5ミクロン程度以下になると結晶化の阻止力は大きく
低下する。
.5ミクロン程度以下になると結晶化の阻止力は大きく
低下する。
また表面からの結晶化を防止する非晶質セレン・テルル
・アンチモン層としては、光感度を損うことなく目的を
達成する上から、セレン中のテルル濃度約3〜10重量
%に対しアンチモン濃度約1〜10重量%、厚さ約1〜
8ミクロンが好しく、テルル濃度が10重量%を越える
と暗減衰が大きくなり、アンチモン濃度が15重量%越
えても暗減衰は大きくなる。
・アンチモン層としては、光感度を損うことなく目的を
達成する上から、セレン中のテルル濃度約3〜10重量
%に対しアンチモン濃度約1〜10重量%、厚さ約1〜
8ミクロンが好しく、テルル濃度が10重量%を越える
と暗減衰が大きくなり、アンチモン濃度が15重量%越
えても暗減衰は大きくなる。
加えて厚さが10ミクロン以上になると蓄積残留電位を
増加させる。
増加させる。
なお導電性支持体としては前記アルミニウムの他網、鉄
などの金属、または金属酸化物を被覆したガラス、プラ
スチックフィルム、導電性をもたせた紙などを使用でき
ることは云うまでもない。
などの金属、または金属酸化物を被覆したガラス、プラ
スチックフィルム、導電性をもたせた紙などを使用でき
ることは云うまでもない。
以上本発明を導体性支持体上にセレン層を形成しその上
にセレン・テルルの薄層を形成した感光体に適用した場
合について説明したが、導体性支持体上にセレン・テル
ル層を設けた感光体の場合にも、導体性支持体との境界
面および表面にセレン・テルル・アンチモン層を設ける
ことにより、光感度を損うことなく熱的安定性の向上を
図ることができる。
にセレン・テルルの薄層を形成した感光体に適用した場
合について説明したが、導体性支持体上にセレン・テル
ル層を設けた感光体の場合にも、導体性支持体との境界
面および表面にセレン・テルル・アンチモン層を設ける
ことにより、光感度を損うことなく熱的安定性の向上を
図ることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば光感度
高く熱的安定性の良好な非晶質セレン・テルル電子写真
感光体が得られる利点があるもので、実用上の効果は極
めて著しい。
高く熱的安定性の良好な非晶質セレン・テルル電子写真
感光体が得られる利点があるもので、実用上の効果は極
めて著しい。
第1図は本発明の一実施態様例の断面図、第2図は実験
結果を示す図である。
結果を示す図である。
Claims (1)
- 1 非晶質セレン・テルル電子写真感光体において導電
性支持体と感光層との境界面に1〜10重量係重量上チ
モンを有するセレンアンチモン層もしくはセレン・テル
ルアンチモン層を設けると共に、感光層表面には1〜1
0重量%のアンチモンを有するセレン・テルル・アンチ
モン層を設けたことを特徴とする非晶質セレン・テルル
電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50125864A JPS5819B2 (ja) | 1975-10-21 | 1975-10-21 | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50125864A JPS5819B2 (ja) | 1975-10-21 | 1975-10-21 | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5250238A JPS5250238A (en) | 1977-04-22 |
| JPS5819B2 true JPS5819B2 (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14920813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50125864A Expired JPS5819B2 (ja) | 1975-10-21 | 1975-10-21 | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605926U (ja) * | 1983-06-25 | 1985-01-17 | 株式会社クボタ | 原動部の吸気構造 |
| JPS60195959U (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-27 | 株式会社クボタ | エンジンの吸気管接続構造 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113050A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Stanley Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS55156952A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Hitachi Ltd | Electrophotographic photoconductor |
| JPS55161248A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-15 | Hitachi Ltd | Electrophotographic photoconductor |
| JPS56151941A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Selenium photoreceptor for photoprinter |
| JPS58205159A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-11-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5953851A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-28 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1975
- 1975-10-21 JP JP50125864A patent/JPS5819B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605926U (ja) * | 1983-06-25 | 1985-01-17 | 株式会社クボタ | 原動部の吸気構造 |
| JPS60195959U (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-27 | 株式会社クボタ | エンジンの吸気管接続構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5250238A (en) | 1977-04-22 |
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