JPS5846018B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子写真感光体、特には高速で繰返し使用して
も、疲労が生じない電子写真感光体に関する。

電子写真感光体としては、適用される電子写真プロセス
に応じて種々の構成のものが用いられる。

その中で、表面に絶縁層を有する感光体においては、絶
縁層上に静電像を形成するもので、このために帯電によ
り絶縁層と光導電層との界面に電荷が注入されることが
必要である。

例えばこのような電子写真プロセスとして、１次帯電、
画像露光、画像露光と同時に若しくは画像露光後にＡＣ
Ｃ除電口くは１次帯電と逆極性の帯電および全面露光か
らなるプロセスが挙げられる。

光導電層がＳｅ。５ｅｔｅの如きＰ型半導体で構成され
ている場合には、１次帯電を負のコロナ放電によって行
い支持体より正の電荷を光導電層に注入させ、光導電層
に印加されている電界によりその電荷を絶縁層光導電層
界面に移動させている。

支持体より電荷の注入が困難な場合には、負のコロナ放
電の直前若しくは同時に光を一様に感光体に開側するこ
とにより絶縁層と光導電層との界面に適当量正電荷を存
在させるようにすることができる。

この光照剤を支持体側からするときは支持体がネサガラ
ス、光透過性の樹脂フィルムなどの光透過性のものであ
る必要がある。

光導電層がｎ型半導体で構成さねでいる場合には、帯電
極性は正であり、絶縁層と光導電層との界面に移動する
電荷は負となる。

初めの帯電に際して、絶縁層と光導電層との間に適当量
の電荷が注入されることは、高コントラストの静電像を
作るために不可欠なことである。

このために、例えは、導電性支持体が金属である場合に
は、特公昭４９−６２２３号公報および特公昭４９−１
０２５７号公報に開示されているように支持体と光導電
層との間に電荷注入層を設ける工夫がされている。

この電荷注入層は帯電時において光導電層中に十分な電
荷を供給し、絶縁層と光導電層との間に適当量の電荷を
存在せしめることに寄与する。

然し乍ら、電荷注入層の付加によってもなお改善される
可き点が指摘される。

即ち、感光体を繰返し使用する場合、殊にその繰返し周
期を速めるとき、絶縁層と光導電層との界面に存在せし
められる電荷量が次第に減ぜられ、その結果、多数回繰
返した後に形成される画像のコントストの低下がしはし
は観察される。

これは、所謂、感光体の疲労現象として説明される。

而して、本発明は、感光体の高速繰返し使用においても
、上記のような疲労現象を呈さない感光体を提供するこ
とを主たる目的とする。

本発明の電子写真感光体は、絶縁層、非晶質光導電層及
び電荷注入層を有し、該電荷注入層が不純物として又は
／及び化合物の形で酸素を含むものである。

本発明の所期の目的は、電荷注入層中に酸素を不純物と
して又は／及び化合物の形で含ませる事に依って達成さ
れる。

本発明に係わる電荷注入層は、その中に不純物として又
は／及び化合物の形で酸素を含むことで、従来のものに
較べ、非常に犬なる自由電荷密度を有する様になり、光
導電層中に充分なる電荷を注入し得るに効果的な電荷注
入源として作用する。

本発明の電子写真感光体の最も代表的な構成例は、第１
図および第２図に示される。

第１図の感光体は、支持体１、電荷注入層２、光導電層
３および絶縁層４から構成される。

絶縁層は光導電層が感する光（輻射線）に対して透過性
である。

支持体は導電性でも絶縁性であってもよい。

導電性支持体としては、例えば、Ａｔ、Ｎｉ、黄銅、Ｃ
ｕ。

Ａｇなどの金属、導電性ガラスなどであり、絶縁性支持
体としては、例えば、ポリエステル、ポリエチレン等の
樹脂、紙、ガラス、セラミックスなどである。

光導電層は、従来、電子写真用光導電性材料として用い
られる各種の非晶質半導体から形成される。

これらの非晶質半導体材料として最も代表的な例として
は、Ｓｅ＋５ｅＴｅｒＳｅＡｓ＋５ｅＳｂ、５ｅＢｉ、
５ｅＴｅＡｓなど、あるいはこれらの半導体に例えば、
Ｓ 、 Ｐ ＋ Ｇｅ等の他の元素を添加したものが挙
げられる。

絶縁層は、普通には、樹脂から構成される。

その様な樹脂として有効なのは例えば、ポリエステル、
ポリパラキシリレンポリウレタン、ポリカーボネイト、
ポリスチレンなとである。

本発明に於ける電荷注入層とは、電荷注入層に接合され
る層との間で電気的な障壁を形成しないか又は実質上無
視し得る程度でしか形成されてない層であり、その名称
の通り、帯電時において、光導電層と絶縁層との界面に
適正電荷量を存在せしめるために必要な電荷を供する層
である。

本発明に於ける電荷注入層は、酸素を不純物として又は
／及び化合物の形で含む半導体層になっていて、その自
由電荷密度は光導電層のそれよりも遥かに大きいもので
ある。

電荷注入層の形成材料は、光導電層形成材料の種類、感
光体に要求される電子写真特性に応じて適宜選択される
が般的には、（１）電荷注入層に接合される層がＰ型半
導体で構成されるならば、接合される層に使用される材
料とその仕事関数が同じか若しくは大きいこと、ｎ型半
導体で構成される場合にはその仕事関数が同じか若しく
は小さいこと、（２）室温程度の熱エネルギーで充分な
自由電荷を生起させ得ること（暗抵抗が低いこと）の２
点を考慮して選択される。

本発明に於いては、電荷注入層は具体的には例えはＴｅ
、Ｓｅ、５ｅＴｅ、５ｅＡｓ、５ｅＢｉ、５ｅＳｂ等の
半導体と共に酸素を不純物として又は／及び化合物の形
で含んだ構成の半導体層とされるのが有効であって、例
えばＳｅ、５ｅＴｅ と云ったＰ型の半導体で非晶質
の光導電層を形成する場合には、電荷注入層は、Ｔｅの
様な仕事関数の大きい材料か又は非晶質の光導電層を構
成する材料と同一材料であるが結晶化させたものと、不
純物として又は／及び化合物の形で酸素を含んだ構成の
半導体層とされる。

電荷注入層中に不純物として又は／及び化合物の形で酸
素を含ませるには、（１）Ｓｅ０２．ＳｅＯ。

ＴｅＯ２，Ｔｔ２０３２ＭｏＯ３，ＧｅＯの如き酸化物
を前記の半導体と共に蒸着して電荷注入層を形成する、
（２）前記半導体を）（ＮＯ３，Ｎ２Ｏ４，Ｈ２Ｏ２等
の酸化剤で一部分又は全部を酸化したものを蒸着して、
電荷注入層を形成する、（３）前記半導体を蒸着する際
又は／及び蒸着し乍ら酸素又は／及びオゾン或いはこれ
等の少なくとも一種を含む気体を前記半導体又は／及び
その蒸気に接触させて前記半導体を蒸着して電荷注入層
を形成する、（４）＠記半導体にイオンインプランテー
ション等で酸素を導入したものを蒸着して電荷注入層を
形成する、（５）。

（１）〜（４）の方法を２つ以上組合せて併用する、等
の方法が好適である。

本発明に於いて電荷注入層中に酸素を不純物として含む
とは酸素が化合物の形以外の形で、例えば酸素が前記半
導体中にドーピングされた形で含まれている事等を意味
する。

本発明に於いて電荷注入層中に含まれる酸素の量は、下
限としては通常、ＩＩ）ｐｆｆ１以上、好適には５ｐｐ
Ｉｎ以上、最適には１０咽以上とされるのが望ましい。

又、電荷注入層に含まれる酸素の量の上限は、電荷注入
層に所望される特性に応じて適宜決められるが、電荷注
入層を構成する材料の総てが′酸化物となり得ない程度
以下とされるのが好適である。

電荷注入層の層厚は、所望される特性に応じて適宜決定
される。

即ち、本発明に於ける電荷注入層の本来の特性を損わな
い範囲に於いて下限は基板表面の平滑の度合の影響を受
けない程度に、又、上限は、感光体の可撓性を加味して
決めら、通常０．５〜１５μ、好適には１〜１０μとさ
れる。

光導電層の層厚としては、所望される電子写真特性及び
前記電荷注入層との関係により適宜決定されるが通常５
〜１００μ、好適には１０〜８０μ、最適には２５〜７
５μであるのが望ましい。

第２図に示される感光体は、支持体１と電荷注入層２と
の間に下部絶縁層５を付設した構成のものである。

下部絶縁層としては、ポリエステル、ポリパラキシリレ
ンなどの各種樹脂、金属酸化物、ガラスなど、適当な絶
縁材料をもって形成される。

本発明の電荷注入層の有効性については、次の参照例及
び第３図〜第７図により、さらに説明される。

参照例 １ 第３図に示す様に、５０Ｘ１００ｍｍのアルミニウムの
基板１が蒸着槽６内の所定位に設置される。

基板１は、これを加熱する為のヒーター１６より１０μ
程度離して固定部材７に固定される。

次に石英製の蒸着ボート８に純度５ｎｉｎｅのＳｅ粉末
を５５Ｐ充填し、又、これとは別に純度５ｎｉｎｅのＳ
ｅ粉末５．０２と純度５ｎｉｎｅのＳｅＯ２粉末０．０
５Ｐとを混合して石英製の蒸着ボート１２に充填する。

蒸着ボート８，１２の上にはタングステンのスパイラル
ヒーター９．１３を各々設け、矢印１８で示す様に蒸着
槽６内の空気を排気し真空度を約５ Ｘｉ Ｏ” ｔｏ
ｒｒ程度にする。

次にヒーター１６を点火して基板１の温度を６０上迄に
上昇させ、この温度に保つ。

以下蒸着中の基板濡髪と蒸着速度の時間変化を第４図を
参照し乍ら説明する。

蒸着ボート１２上のスパイラルヒーター１３を点火し蒸
着ボート１２の温度を３００℃に上昇させ蒸着ボート１
２内の（Ｓｅ＋５ｅＯ２）を熔融する。

第４図に示す様に（Ｓｅ＋５ｅ０２）が一様に熔融した
点ｊｌ−］ でシャッター１５並びにシャッター１７
の右半分だけを開き、基板１の図に於いて右半分に蒸着
を開始し、（Ｓｅ＋５ｅ０２）が蒸着ボート１２中にな
くなる迄蒸着を行う（電荷注入層の形成）（層２１）。

（Ｓ ｅ＋ｓ ｅ ０２ ） ｈ’、蒸着ボート１２中
になくなった点ｔ １−２でシャッター１５を閉じ、次
に蒸着ボート８上のスパイラルヒーター９を点火して、
前述と同様に蒸着ボート８の温度を３００℃に上昇させ
、Ｓｅを熔融する。

蒸着ボート８内のＳｅが一様に熔融した点ｔｌ−３でシ
ャッター１１を開くと同時にシャッター１７も全開し、
基板１全面にＳｅの蒸着を開始する。

又、それと同時にヒーター１６に流す電流を調節して、
第４図に示す如く基板温度をなだらかに上昇させ、蒸着
終了時が７５°Ｃ程度になる様に制御する。

蒸着ボート８中のＳｅが殆どなくなる点ｔ１−４でスパ
イラルヒーター９の電流を切り、シャッター１１を閉じ
てＳｅの蒸着を終了する（層２２）。

蒸着膜の膜厚は右半分Ａが６０μ、左半分Ｂか５５μで
あった（第５図参照）。

又、基板１への蒸着速度は凡そ１．５μ／ｍ＜度であっ
た。

蒸着膜を形成した基板１を蒸着槽６より外部に取出して
その蒸着膜表面にポリカーボネイト樹脂を２５μの厚さ
に塗布して絶縁層４を形成し感光板とした。

この様に作成した感光板の断面図を第５図１こ示す。

この感光板に一次帯電としてｅ２０００Ｖに帯電し、次
に二次帯電として電源電圧の５５００Ｖの正コロナ放電
を０．２ ｓｅｃ間行って絶縁層表面を除電し、次に感
光板表面を一様に全面照射するとＡ側は０８３０Ｖ、Ｂ
側は○５ｏｏｖの表面電位を示した。

このプロセスを２ｓｅｃ周期で繰返し行うと、全面照射
後の表面電位は、Ｂ側では次第に小さくなり１００回後
でばｅ６４０Ｖであった。

一方Ａ側では、１００回後でもその表面電位は初回と同
じｅ８３０Ｖで変化が全く観察されなかった。

参照例 ２ 第３図に示す蒸着槽６内の蒸着ボート８を撤去した後、
蒸着ボート１２に純１ｉ５ｎｉｎｅのＳｅ粉末６０Ｐと
純度５ｎｉｎｅのＳｅＯ２粉末０．６Ｓ’とを混合して
充填し、参照例１と同様の操作手順でアルミニウム基板
上に蒸着を行い ６０μ厚の蒸着膜を形成した。

第６図にその時の基板温度と蒸着速度の時間変化の関係
を示す。

ｔ２−１はシャッター１５が開かれた点でｔ２−２は閉
じられた点である。

尚、シャッター１７は蒸着中は開いたままにして置いた
。

蒸着膜の形成された基板を蒸着槽６内より外部に取り出
し、暗中で電源電圧の５５００Ｖの正のコロナ放電を０
．３ ｓｅｃ間、その蒸着膜表面に行った後、直ちに表
面電位を測定したところ■２００Ｖであった。

一方、別に参照例１の感光板のポリカーボネート樹脂の
絶縁層を塩化メチレンで溶解して取り去り、上記と同一
条件でその表面を帯電し、直ちに表面電位を測定したと
ころ、Ａ側、Ｂ側伺れの部位もの１２００Ｖであった。

以上のことから（Ｓｅ＋５ｅ０２）を混合して蒸着した
感光板（参照例２）の暗抵抗はＳｅを蒸着した感光板（
参照例１）のそれに比して非常に小さいと云うことが判
明した。

換言すると（Ｓｅ＋５ｅＯ２）を混合して蒸着した感光
板はＳｅを蒸着した感光板に比して、自由電荷密度か非
常に大きいことになる。

参照例１に於いて、感光板のＡとＢの部位で繰返し疲労
に対して差が生ずる理由は現任の処明確にされてないが
、参照例２での現象から次の様に考えられる。

参照例１の感光板のＡ側の（Ｓｅ＋５ｅ０２）を混合し
て蒸着形成した層（電荷注入層）は、参照例２から判明
した様に非常に大きな自由電荷密度を有している。

これに対して電荷注入層のＳｅ蒸着層は自由電荷密度が
小さい。

即ち、（Ｓ ｅ＋Ｓ ｅ０２）を混合して蒸着形成した
層とＳｅ蒸着層の界面では自由電荷密度の急激な変化か
生じているものと考えられる。

一方、感光板のＢ側では、基板の汚れや、表面への分子
吸着等により、基板表面には、Ｓｅ蒸着膜が結晶化する
原因となる核が多数存在するものと考えられ、この為に
基板との界面付近に於けるＳｅ蒸着膜は結晶化し易い傾
向にあるか、この傾向は、蒸着が進むにつれて（膜厚が
増すにつれて）減少する。

これに比例して、自由電荷密度も小さくなるものと考え
られる。

詰り、Ａ、Ｂの自由電荷密度の基板からの膜厚方向に対
する変化は第７図の如き状態であると考えられる。

感光板のＢ側に於けるが如く、自由電荷密度がゆるやか
に変化しているとＳｅ光導電層の基板近傍に正の空間電
荷が形成され易くなり、繰返し使用の回数増加に伴い、
一次帯電時に光導電層に注入される電荷が減少し、繰返
し使用による疲労を生ずるものと考えられる。

以上説明した如く、電荷注入層を形成する際、何等かの
形で酸素を介在させて蒸着形成すると、その自由電荷密
度が何故非常に増大し、極めて有効な感光板が得られる
かは現在の処明確ではない。

面乍ら、酸素を介在させて蒸着形成した電荷注入層には
、自由電荷が層全体に均一に多く存在していることは確
からしく、この為に先の浸れた効果が得られるものと推
定される。

実施例 １ ５０Ｘ１００ｍｍのアルミニウム基板を、第３図に示す
蒸着槽６内に、ヒーター１６より１０關程度離して固定
した。

次に石英製の蒸着ボート８に純度５ ｎ１ｎｅのＳｅ粉
末を５５１充填すると共に別の石英製の蒸着ボート１２
に純度５ｎｉｎｅのＳｅ粉末５ｚと純度５ｎｉｎｅのＳ
ｅ０２粉末１ｖとを混合充填した。

蒸着ボー１−８、１２の各々の上方にタングステンのス
パイラルヒーター９．１０を各々設け、蒸着槽６内を排
気して真空度を５ ＸＩ ０−５ｔｏｒｒにした。

次にヒーター１６を点火してアルミニウム基板の温度を
６０℃に迄上昇させ、この温度に保った。

蒸着ボート１２上のスパイラルヒーター１３を点火して
蒸着ボート１２の温度を３００℃に上昇させて（Ｓｅ＋
５ｅ０２）を熔融した。

（Ｓ ｅ＋ｓ ｅ０２ ）が一様に熔融した時に、シャ
ッター１５．１７を全開し、蒸着ボート１２内の（Ｓｅ
＋Ｓ ｅＯ’２ ）がなくなる迄アルミニウム基板に蒸
着を行った。

（Ｓｅ＋５ｅ０２）が蒸着ホード１２中になくなった点
でシャッター１５を閉じ、スパイラルヒーター１３の電
流を切った（電荷注入層の形成）。

その後で蒸着ボート８上のスパイラルヒーター９を点火
して、前述と同様に蒸着ボート８の温度を３００℃に上
昇させ、中のＳｅ粉末を溶融した。

Ｓｅの粉末が一様に溶融した時、シャッター１１を開き
、蒸着を開始した。

それと同時に基板温度をヒーター１６の電流を調節する
ことにより、なだらかに上昇させ、蒸着終了時が７５０
℃程度になる様に制御した。

蒸着ボート８中のＳｅが殆どなくなった処でスパイラル
ヒーター９の電流を切り、シャッター１１を閉じて蒸着
を終了した（光導電層の形成）。

その後、真空を破って蒸着槽６内より蒸着された基板を
取り出し、蒸着膜表面にポリカーボネイト樹脂を２５μ
の厚さに塗布して絶縁層を形威し、感光体を作成した。

尚、蒸着膜の膜厚は６０μであった。

又、基板への蒸着膜の蒸着速度は１５μ／ｒｎｖＬ８度
であった。

この様にして作成した感光体を一次帯電として０６００
０Ｖのコロナ放電を０．２ ｓｅｃ間行ってその表面を
９２０００Ｖに帯電し、次に、二次帯電として電源電圧
■６０００Ｖの正のコロナ放電を０．２ｓｅｃ間行って
絶縁層表面を一様に除電し、次いで一様に全面照射する
と０８３０Ｖの表面電位を示した。

この様なプロセスを２ ｓｅｃ周期で繰返し行って１０
０回目の全面照射後の表面電位を測定すると０８３０Ｖ
と初回からの変化がなく一定で疲労現象が全く認められ
なかった。

実施例 ２ ５０Ｘ１００ｍｍのアルミニウム金属基板の片側の表面
を陽極酸化により１０μの厚さのアルマイト処理を施し
、第３図に示す蒸着槽６内にヒータ１６より１０ｍｍ程
度離し、アルマイト処理面を蒸着ボート側に向けて固定
した。

他の蒸着条件は、実施例１と全く同様にして蒸着を行い
、又同様にポリカーボネート樹脂で絶縁層を途布形成し
て感光体を作成した。

この様にして作成した感光体を、一次帯電として０６０
００Ｖの負のコロナ放電を０．２ ｓｅｃ間行って そ
の表面を０２０００Ｖに帯電し、二次帯電として■５５
００Ｖの正のコロナ放電を０．２ ｓｅｃ間行って、絶
縁層表面を除電し、次に感光体表面を様に全面照射する
とｅ７３０ Ｖの表面電位を示した。

このプロセスを２ ｓｅｃ周期で繰返し行って、１００
回目の全面開側後の表面電位の値を測定すると０７３０
Ｖと一定で初回からの変化がなく疲労現象が全く認めら
れなかった。

実施例 ３ 内径３００ｍ７′／Ｌ高さ８０順のガラス製シャーレの
中央に内径１００ｍ＜ 高さ２０ｍｍのガラス製シャー
レを置き、中央のシャーレに比重１３８濃度６０係の特
級濃ＨＮＯ３を半分程度溝たし、外側のシャーレに純／
１５ｎｉｎｅの粒状性Ｓｅを５１’充填し、ガラス板で
蓋をした。

これを暗中に５ｈｒ程度放置し粒状Ｓｅ表面を酸化した
。

このように処理されたＳｅ粒を５０１、第３図に示す蒸
着槽６内の石英製の蒸着ボート１２に充填した。

方石英製の蒸着ボート８に純度５ｎｉｎｅのＳｅ粉末を
５５１充填した。

他の蒸着条件は実施例１と同様にして５０Ｘ１００ｍｍ
のアルミニウム金属基板に蒸着を行い又同様に絶縁層を
塗布形成して感光体を作成した。

この感光体を実施例１と同様の帯電条件、帯電時間、周
期で繰返し使用したところ、１回目の全面照射後の表面
電位の値は０８３０Ｖ １００回目の全面照射後の値
は０８３０Ｖと変化がなく疲労現象が全く認められなか
った。

実施例 ４ 実施例３で使用した中央のガラス製小型シャーレに濃度
３０％の特級Ｈ２Ｏ２を半分程度溝たし、その外側に純
度５ｎｉｎｅの粒状性Ｓｅを５０′ｆｔ充填し、ガラス
板で蓋をした。

これを暗中で１５ｈｒ程度放置し粒状Ｓｅ表面を酸化し
た。

このように処理されたＳｅを５１、第３図に示す蒸着槽
６内の石英製の蒸着ボート１２に充填した。

一方石英製の蒸着ボート８に純度５ｎｉｎｅの５ｅ５５
７を充填した。

他の蒸着条件は実施例１と全く同様にして５０Ｘ１００
ｍｍアルミニウム金属基板に蒸着を行い、又同様に絶縁
層を塗布形成して感光体を作成した。

この感光体を実施例３と同様に繰り返し使用した所疲労
現象は全く認められなかった。

実施例 ５ ５０Ｘ１００ｍｍのアルミニウム基板をヒータより１０
間程度離して第３図に示す蒸着槽６内に固定した。

次に石英製の蒸着ボート１２にのみ蒸着材料として純度
５ｎｉｎｅのＳｅを６０グ充填し、第３図に示す如くス
パイラルヒータ１３とＳｅ蒸着材料の中間に石英細管１
９を設置した。

石英細管１９は微調整が可能なバーニアバルブ２０に接
続され、このバーニアバルブ２０には流量計付酸素ボン
ベが接続されている。

蒸着槽６内を排気しその中の真空度を５Ｘ１０−５ｔｏ
ｒｒにした。

次にヒーター１６を点火して、基板の温度を６０’Ｃに
迄上昇させて、この温度に保った。

蒸着ボート１２上のスパイラルヒーター１３を点火して
、蒸着ボート１２の温度を３００℃に上昇させＳｅか一
様に熔融した後に酸素ボンベのパルプを開き、バーニア
バルブ２０を徐々に開いて酸素ガスを石英細管を通して
Ｓｅの蒸気中に導入し７た。

その流量が１０ｍ１／ｍＴＡになったところでバーニア
バルブ２０を固定した。

この時の蒸着槽６内の真空度は３×１０″ｔｏｒｒであ
った。

この状態でシャッター１５．１７を全開し、アルミニウ
ム基板に蒸着を開始した。

蒸着膜の膜厚が５μになった所でバーニアバルブ２０を
閉じた。

これと同時に基板温度をヒーター１６の電流調節により
、なだらかに上昇させ、蒸着終了時７５℃程度になるよ
うに制御した。

蒸着ボート１２中のＳｅが殆んどなくなったところでス
パイ、ラルヒーター１３の電流を切り、シャッター１５
を閉じて蒸着を終了した。

この様に蒸着処理した基板を外部にとり出して蒸着膜表
面にポリカーボネイト樹脂を２５μの厚さに塗布して絶
縁層を形成し感光体を作成した。

尚、蒸着膜の膜厚は５５μであった。

又基板へノ蒸着膜の蒸着速度は酸素導入時は０．６μ／
ｍｖｔその他の時は１．５μ／ ｍ１ｙｒ程度であっ
た。

この感光体を実施例１と同様の条件で繰返し使用したと
ころ、１回目の全面照射後の表面電位の値は０８００Ｖ
、１００回目後のその値は○５ｏｏｖで変化がなく、疲
労現象が全く認められなかった。

実施例 ６ ５０Ｘ１００ｉｍのアルミニウム基板を、第３図に示す
蒸着槽６内に、ヒーター１６より１０間程度離して固定
した。

次に石英製の蒸着ボート８に純度５ｎｉｎｅの５ｅＴｅ
合金（Ｔｅ含有量１０ｗｔ％）粉末を５５２充填すると
共に、別の石英製の蒸着ボート１２に純度５ｎｉｎｅの
Ｓ ｅＴｅ合金（Ｔｅ含有量１０ ｗｔ％）粉末５ｒと
純度５ｎｉｎｅの５ｅ０２粉末０．０５ ？とを置台充
填した。

蒸着ボート８゜１２の各々の上方にタングステンのスパ
イラルヒーター９，１０を各々設け、蒸着槽６内を排気
して、真空度を５Ｘ１０−５ｔｏｒｒにした。

次にヒーター１６を点火してアルミニウム基板の温度を
６０℃に迄上昇させ、この温度に保った。

蒸着ホード１２上のスパイラルヒーター１３を点火して
蒸着ボート１２の温度を３２０℃に上昇させて（５ｅＴ
ｅ＋５ｅｏ２）を熔融した。

（５ｅＴｅ＋５ｅ０２）が一様に熔融した時に、シャッ
ター１５゜１７を全開し、蒸着ボート１２内の（ＳｅＴ
ｅ＋５ｅＯ２）がなくなる迄アルミニウム基板に蒸着を
行った。

（５ｅＴｅ＋５ｅ０２）が蒸着ボート１２中になくなっ
た点でシャッター１５を閉じ、スパイラルヒーター１３
の電流を切った（電荷注入層の形成）。

その後で蒸着ボート８上のスパイラルヒーター９を点火
して、前述と同様に蒸着ボート８の温度を３２０℃に上
昇させ、中の５ｅＴｅ合金粉末を熔融した。

５ｅＴｅ合金粉末が一様に熔融した時、シャッター１１
を開き、蒸着を開始した。

それと同時に基板温度をヒーター１６の電流を調節する
ことにより、なだらかに上昇させ、蒸着終了時が７５℃
程度になる様に制御した。

蒸着ボート８中の５ｅＴｅ合金が殆んどなくなった処で
スパイラルヒーター９の電流を切り、シャッター１１を
閉じて蒸着を終了した（光導電層の形成）。

その後、真空を破って蒸着槽６内より蒸着された基板を
取り出し、蒸着膜表面にポリカーボネイト樹脂を２５μ
の厚さに塗布して絶縁層を形成し、感光板を作成した。

尚、蒸着膜の膜厚ば６０μであった。

又、基板への蒸着膜の蒸着速寒は１．５μ７ｍ１ｎ程度
であった。

この様にして作成した感光板を実施例１と同様の帯電条
件、帯電時間、繰返し周期で使用したところ一回臼の全
面照射後の表面電位は０７３０Ｖ、１００回目後のその
値は０７３０Ｖで変化なく、全く疲労現象が認められな
かった。

実施例 ７ ５０Ｘ１００ｍｍのアルミニウム基板を、第３図に示す
蒸着槽６内に、ヒーター１６より１０間程度離して固定
した。

次に石英製の蒸着ボート８に純度５ｎｉｎｅのＳｅ粉末
を５５１充填すると共に、別の石英製の蒸着ボート１２
に純度５ｎｉｎｅのＳｅ粉末５１と純度５ｎｉｎｅのＴ
ｅＯ２粉末０．０５′？とを置台充填した。

蒸着ボー）８，１２の各々の上方にタングステンのスパ
イラルヒーター９、１０を各々設け、蒸着槽６内を排気
して、真空度を５ Ｘ １０’−５ｔｏｒｒにした。

次にヒーター１６を点火してアルミニウム基板の温度を
６０°Ｃに迄上昇させ、この温度に保った。

蒸着ボート１２上のスパイラルヒーター１３を点火して
蒸着ボート１２の温度を３００℃に上昇させて（Ｓｅ＋
Ｔｅ０２）を熔融した。

（Ｓｅ＋Ｔｅ０２）が一様に熔融した時に、シャッター
１５．１７を全開し、蒸着ボート１２内の（Ｓｅ＋Ｔｅ
０２）がなくなる迄アルミニウム基板に蒸着を行った。

（Ｓｅ＋Ｔｅ０２）が蒸着ホード１２中になくなった点
でシャッター１５を閉じ、スパイラルヒーター１３の電
流を切つた（電荷注入層の形成）。

その後で蒸着ボート８上のスパイラルヒーター９を点火
して、前述と同様に蒸着ボート８の温度を３００℃に上
昇させ、中のＳｅ粉末を熔融した。

Ｓｅの粉末が一様に熔融した時、シャッター１１を開き
、蒸着を開始した。

それと同時に基板温度をヒーター１６の電流を調節する
ことにより、なだらかに上昇させ、蒸着終了時が７５°
Ｃ８度になる様に制御した。

蒸着ボート８中のＳｅが殆どなくなった処でスパイラル
ヒーター９の電流を切り、シャッター１１を閉じて蒸着
を終了した（光導電層の形成）。

その後、真空を破って蒸着槽６内より蒸着された基板を
取り出し、蒸着膜表面にポリカーボネイト樹脂を２５μ
の厚さに塗布して絶縁層を形成し、感光板を作成した。

尚、蒸着膜の膜厚は６０μであった。

又、基板への蒸着膜の蒸着速度は１．５μ／１ｎｖｔ程
度であった。

この様にして作成した感光板を実施例１と同様の条件で
繰返し使用したところ、−回目の全面開側後の表面電位
の値は９８３０Ｖ、１００回目後のその値は０８３０Ｖ
と変化が無く、全く疲労現象が認められなかった。

実施例 ８ ５０Ｘ１００７ｎ７１Ｌのアルミニウム基板を、第３図
に示す蒸着槽６内に、ヒーター１６より１０關程度離し
て固定した。

次に石英製の蒸着ボート８に純度５ｎｉｎｅのＳｅ粉末
を５５１充填すると共に、別の石英製の蒸着ボート１２
に純度５ｎｉｎｅの５ｅＴｅ合金（Ｔｅ含有量１５ｗｔ
％）粉末５ｚと純度５ｎｉｎｅのＳｅＯ２粉末０．０５
Ｐとを混合充填した。

蒸着ボート８，１２の各々の上方にタングステンのスパ
イラルヒーター９，１０を各々設’ｄ、蒸着槽６内を排
気して、真空度を５×１Ｏ−５ｔｏｒｒにした。

次にヒーター１６を点火してアルミニウム基板の温度を
６０’Ｃに迄上昇させ、この温度に保った。

蒸着ボート１２上のスパイラルヒーター１３を点火して
蒸着ボート１２の温度を３４０’Ｃに上昇させて（Ｓｅ
Ｔｅ＋５ｅ０２）を熔融した。

（５ｅＴｅ＋５ｅ０２）が一様に熔融した時にシャッタ
ー１５．１７を全開し、蒸着ボート１２内の（ＳｅＴｅ
＋５ｅ０２）がなくなる迄アルミニウム基板に蒸着を行
った。

（ＳｅＴｅ＋５ｅｏ２）が蒸着ボート１２中になくなっ
た点でシャッター１５を閉じ、スパイラルヒーター１３
の電流を切った（電荷注入層の形成）。

その後で蒸着ボート８上のスパイラルヒーター９を点火
して、前述と同様に蒸着ボート８の温度を３００℃に上
昇させ、中のＳｅ粉末を熔融した。

Ｓｅの粉末が一様に熔融した時、シャッター１１を開き
、蒸着を開始した。

それと同時に基板温度をヒーター１６の電流を調節する
ことにより、なだらかに上昇させ、蒸着終了時が７５℃
程度になる様に制御した。

蒸着ボート８中のＳｅが殆どなくなった処でスパイラル
ヒーター９の電流を切り、シャッター１１を閉じて蒸着
を終了した（光導電層の形成）。

その後、真空を破って蒸着槽６内より蒸着された基板を
取り出し、蒸着膜表面にポリカーボネイト樹脂を２５μ
の厚さに塗布して絶縁層を形成し、感光板を作成した。

尚、蒸着膜の膜厚は６０μであった。又、基板への蒸着
膜の蒸着速度は１．５μ／ ｍ１ｔｔ程度であった。

この様にして作成した感光板を実施例１と同様の条件で
繰返し使用したところ、−回目の全面照射後の表面電位
の値は０８３０Ｖ、１００回目後のその値も０８３０Ｖ
と変化無く、全く疲労現象が認められなかった。

実施例 ９ 実施例１〜８で作成した感光体の各々に、一次帯電、一
次とは逆極性の二次ＤＣ放電同時像露光、全面開側のプ
ロセスを繰返し適用して、画像出しを行った所、得られ
た転写紙上の画像は下表の如くであった。

実施例 １０ 実施例１に於いて、電荷注入層の膜厚を変える以外は、
全く同様にして感光体を作成し、実施例※※９と同様に
画像出しをした処、 得た。

下表の様な結果を 実施例 １１ 実施例２に於いて、電荷注入層の膜厚を変えた以外は、
全く同様にして感光体を作成し、実施例☆☆９と同様に
画像出しを行ったところ下表の様な結果を得た。

実施例 １２ 実施例３に於いて、電荷注入層の膜厚を変えた以外は、
全く同様にして感光体を作成し、実施例９と同様に画像
出しを行ったところ下表の様な結果を得た。

実施例 １３ 実施例４に於いて、電荷注入層の膜厚を変えた以外は、
全く同様にして感光体を作成し、実施例※※９と同様に
画像出しを行ったところ下表の様な結果を得た。

実施例 １４ 実施例５に於いて、電荷注入層の膜厚を変えた以外は、
全く同様にして感光体を作成し、実施例☆☆９と同様に
画像出しを行ったところ下表の様な結果を得た。

実施例 １５ 実施例６に於いて、電荷注入層の膜厚を変えた以外は、
全く同様にして感光体を作成し、実施例９と同様に画像
出しを行ったところ下表の様な結果を得た。

実施例 １６ 実施例７に於いて、電荷注入層の膜厚を変えた以外は、
全く同様にして感光体を作成し、実施例※※９と同様に
画像出しを行ったところ下表の様な結果を得た。

実施例 １７ 実施例８に於いて、電荷注入層の膜厚を変えた以外は、
全く同様にして感光体を作成し、実施例☆☆９と同様に
画像出しを行ったところ下表の様な結果を得た。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明による電子写真感光体の各
々１態様を示す。 第３図は、本発明による電子写真感光体の製造に用いる
蒸着装置の１態様を示す。 第４図及び第６図は、本発明の電子写真感光体の製造の
蒸着条件の一例を示す曲線図である。 第５図は従来の電子写真感光体と本発明の電子写真感光
体の模式的構成断面図である。 第７図は、従来の電子写真感光体と本発明の電子写真感
光体の自由電荷密度と膜厚の関係を示すグラフである。 １・・・・・・支持体、２・・・・・・電荷注入層、３
・・・・・・光導電層、４・・・・・・絶縁層、５・・
・・・・下部絶縁層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基本構成層として絶縁層、非晶質光導電層及び不純
   物として又は／及び化合物の形で酸素を含む半導体層を
   有する事を特徴とする電子写真感光体。 ２ 該半導体層の下側に下部絶縁層を有する特許請求の
   範囲第１項記載の電子写真感光体。