JPS5863942A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS5863942A JPS5863942A JP16370181A JP16370181A JPS5863942A JP S5863942 A JPS5863942 A JP S5863942A JP 16370181 A JP16370181 A JP 16370181A JP 16370181 A JP16370181 A JP 16370181A JP S5863942 A JPS5863942 A JP S5863942A
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- JP
- Japan
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- substrate
- layer
- photoconductive layer
- photoreceptor
- oxygen content
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体に関するものである。
特には電子写真特性の改善されたぁ系域子写真感光体に
関する。
関する。
電子写真感光体としては適用される電子写真プロセスに
応じて種々の構成のものが用いられる。その中で表面に
絶縁層を有する感光体においては、絶縁層上に静電像を
形成するもので、このために帯電により絶縁層と光導電
層との界面に電荷が注入されることが必要である。例え
ばこの様な電子写真プロセスとして１次帯電９画偉露光
９画儂露光と同時若しくは画偉露光後ＫＡＯ除電若しく
は１次帯電と逆極性の帯電および全面霧光からなるプロ
セスが挙げられる。光導電層がＳｅ 、 ８ｅＴｅ
の如きｐ型半導体で構成されている場合には１次帯電を
負のコロナ放電によって行い、支持体より正の電荷を光
導電層に注入させ、光導電層に印加されている電界によ
りその電荷を絶縁層と光導電１の界面に移動させている
。支持体より電荷注入が困難な場合には員のコロナ放電
の直前若しくは同時に光を一様に感光体の支持体側から
照射する事により絶縁層と光導′成層との界面に適当量
正電荷を存在させるようにする事ができる。このように
光照射を支持体側からするときは、支持体がネサガラス
、光透過性の樹脂フィルムなどの光透過性のものである
必要がある。
応じて種々の構成のものが用いられる。その中で表面に
絶縁層を有する感光体においては、絶縁層上に静電像を
形成するもので、このために帯電により絶縁層と光導電
層との界面に電荷が注入されることが必要である。例え
ばこの様な電子写真プロセスとして１次帯電９画偉露光
９画儂露光と同時若しくは画偉露光後ＫＡＯ除電若しく
は１次帯電と逆極性の帯電および全面霧光からなるプロ
セスが挙げられる。光導電層がＳｅ 、 ８ｅＴｅ
の如きｐ型半導体で構成されている場合には１次帯電を
負のコロナ放電によって行い、支持体より正の電荷を光
導電層に注入させ、光導電層に印加されている電界によ
りその電荷を絶縁層と光導電１の界面に移動させている
。支持体より電荷注入が困難な場合には員のコロナ放電
の直前若しくは同時に光を一様に感光体の支持体側から
照射する事により絶縁層と光導′成層との界面に適当量
正電荷を存在させるようにする事ができる。このように
光照射を支持体側からするときは、支持体がネサガラス
、光透過性の樹脂フィルムなどの光透過性のものである
必要がある。
光導電層がｐ型半導体で構成されている場合には帯電極
性は負であや絶縁層と光導電層との界面に移動する電荷
は正となる。初めの帯電に際して絶縁層と光導電層との
界面に適当量の゛電荷が注入されることは高コントラス
トの静電イ象を作るためには不可欠なことである。この
ためＫは帯電時においては光導電層に十分な電荷を供給
し光導電層は供給された電荷が光導１１層中をドリフト
する際、光導電層中でトラップされる事なく光導電層と
絶縁層との界面に到達する事が必要である。しかしなが
ら電子写真感光体としてはまだ改善されるべき点が指摘
される。
性は負であや絶縁層と光導電層との界面に移動する電荷
は正となる。初めの帯電に際して絶縁層と光導電層との
界面に適当量の゛電荷が注入されることは高コントラス
トの静電イ象を作るためには不可欠なことである。この
ためＫは帯電時においては光導電層に十分な電荷を供給
し光導電層は供給された電荷が光導１１層中をドリフト
する際、光導電層中でトラップされる事なく光導電層と
絶縁層との界面に到達する事が必要である。しかしなが
ら電子写真感光体としてはまだ改善されるべき点が指摘
される。
即ち感光体を繰返し使用する場合、殊にその繰返し周期
を速めたときなどは絶縁層と光導電層との界面に存在せ
しめられる電荷酸が次第に減ぜられ、その結果多数回繰
返した後に形成される静電、儂の暗゛部並びに明部の電
位が初期に較べて近ずきコントラストの低下がしばしば
観察される。これはいわゆる感光体の疲労現象として説
明され光導電１の電気的な欠陥が繰返し周期性を速めた
ときなどは特に強調されるためである。
を速めたときなどは絶縁層と光導電層との界面に存在せ
しめられる電荷酸が次第に減ぜられ、その結果多数回繰
返した後に形成される静電、儂の暗゛部並びに明部の電
位が初期に較べて近ずきコントラストの低下がしばしば
観察される。これはいわゆる感光体の疲労現象として説
明され光導電１の電気的な欠陥が繰返し周期性を速めた
ときなどは特に強調されるためである。
而して本発明は感光体の高速繰返し使用においても上記
のような疲労現象を呈さない感光体を提供する事を主た
る目的とする。
のような疲労現象を呈さない感光体を提供する事を主た
る目的とする。
本発明は支持体上にハロゲンを含有する＆系電荷注入１
層および酸素を含有する＆系光導電層を有する電子写真
感光体において、光導電層の支持体とは平行な面におけ
る酸素含有量は均一であるが、支持体側において酸素含
有量が大きく、表面側に向って連続的に減少しているも
のであり、支持体側の酸素含有量は１００１）Ｉ）ｍ以
上、表面側の酸素含有量は２０ ｐｐｍ以下であること
を特徴とするものである。
層および酸素を含有する＆系光導電層を有する電子写真
感光体において、光導電層の支持体とは平行な面におけ
る酸素含有量は均一であるが、支持体側において酸素含
有量が大きく、表面側に向って連続的に減少しているも
のであり、支持体側の酸素含有量は１００１）Ｉ）ｍ以
上、表面側の酸素含有量は２０ ｐｐｍ以下であること
を特徴とするものである。
本発明に係る電荷注入層はその中に不純物としてハロゲ
ンから選、ばれる成分を含む事で光導電層に光分な′電
荷を注入し得る事ができ、またエレクトロンの注入を防
止するためにエレクトロンが注入される事によるコント
ラスト電位の低下を防止する事ができる。
ンから選、ばれる成分を含む事で光導電層に光分な′電
荷を注入し得る事ができ、またエレクトロンの注入を防
止するためにエレクトロンが注入される事によるコント
ラスト電位の低下を防止する事ができる。
ま九本発明による光導電層は不純物として酸素原子を含
む事で該光導電層における繊素原子の分布が支持体表面
に略々平行な面内では均一であり、厚さ方向には不均一
な分布を有し光導電層に存在するホールトラップの様な
電気的欠陥を補償し、高コントラスＦ電位、＜抄返し疲
労の無いすぐれた電子写真特性を達成する事ができる。
む事で該光導電層における繊素原子の分布が支持体表面
に略々平行な面内では均一であり、厚さ方向には不均一
な分布を有し光導電層に存在するホールトラップの様な
電気的欠陥を補償し、高コントラスＦ電位、＜抄返し疲
労の無いすぐれた電子写真特性を達成する事ができる。
上記した様な層構成をとる様に設計された光導電部材は
く抄返し疲労の原因となる総ての原因を解決したすぐれ
良電子写真特性を示す。なお上述し九本発明の説明では
くり返し疲労の境われやすい絶縁層を有する感光体につ
いて記述したが、本発明の電子写真感光体は絶縁層を設
けない感光体を用いる電子写真プロセスにもすぐれた電
子写真特性を示す。
く抄返し疲労の原因となる総ての原因を解決したすぐれ
良電子写真特性を示す。なお上述し九本発明の説明では
くり返し疲労の境われやすい絶縁層を有する感光体につ
いて記述したが、本発明の電子写真感光体は絶縁層を設
けない感光体を用いる電子写真プロセスにもすぐれた電
子写真特性を示す。
本発明の電子写真感光体の蝋も代表的な構成例は嬉１図
、第２図及びｇ３図に示される。
、第２図及びｇ３図に示される。
第１図の感光体は支持体ｌ、−４荷注入１−２゜光導ｖ
ＩＬ１１１３．絶縁層４から構成される。絶ｆｔＰＩＩ
４は光導電層３が感じる光に対して透過性である。第２
図の感光体は絶縁層４を有しない構成の感光体である。
ＩＬ１１１３．絶縁層４から構成される。絶ｆｔＰＩＩ
４は光導電層３が感じる光に対して透過性である。第２
図の感光体は絶縁層４を有しない構成の感光体である。
第３図の感光体は絶縁層４と光導電層３との間に光導電
層３よりも高感度な光導電層３′を設けたものである。
層３よりも高感度な光導電層３′を設けたものである。
支持体ｌは導電性でも絶縁性でも良く、導電性支持体と
しては、例えばＭ、アルマイト処理されたＡ／ 、 Ｎ
ｉ 、黄銅、 Ｏｕ 、 Ａｇ などの金属、支持体
上に積層される層との密着性を増すために表面が荒され
九金属、または導電性ガラスなどであり、絶縁性支持体
としては例えばポリエステル、ポリエチレン等の樹脂１
紙、ガラス、セラミックス愈とである。
しては、例えばＭ、アルマイト処理されたＡ／ 、 Ｎ
ｉ 、黄銅、 Ｏｕ 、 Ａｇ などの金属、支持体
上に積層される層との密着性を増すために表面が荒され
九金属、または導電性ガラスなどであり、絶縁性支持体
としては例えばポリエステル、ポリエチレン等の樹脂１
紙、ガラス、セラミックス愈とである。
電荷注入層に含まれるハロゲンの含有量は電荷移動層に
電荷を供給するに十分な自由電荷を有していれば良く、
選ばれる原子によって含有量は必ずしも同一ではないが
、通常は２００〜５０００ ｐｐｍ好適には５００〜４
０００ｐｐｍ最適には１０００〜３０００ｐｐｍである
。
電荷を供給するに十分な自由電荷を有していれば良く、
選ばれる原子によって含有量は必ずしも同一ではないが
、通常は２００〜５０００ ｐｐｍ好適には５００〜４
０００ｐｐｍ最適には１０００〜３０００ｐｐｍである
。
電荷注入層の膜厚は通常０．５〜２０μ、好適には２〜
１５μ、最適には３〜１０Ｊ１である。
１５μ、最適には３〜１０Ｊ１である。
又電荷注入噛にはＴｅ Ａｓ 、 ８ｂ 、 Ｂｉ等の
元素を含有させ友ものも使用する事ができる。
元素を含有させ友ものも使用する事ができる。
光導電層形成材料には８ｅ 、 ８ｅを主成分とする材
料を選び、光導電層中の酸素原子の分布が支持体表面に
略々平行な面内では均一でありＩＩＩの厚み方向には不
均一でありかつ該光導電層に含有されている酸素原子が
層中央よ抄も電荷注入層側に多く分布し、該層全体にお
ける酸素原子の含有量がＩ Ｘ １０’ ｐｐｍ以下、
時には８０００ｐｐｍ以下が好適であり、注入層側にお
ける酸素原子の含有量が２００ ｐｐｍ以上が好適であ
る。
料を選び、光導電層中の酸素原子の分布が支持体表面に
略々平行な面内では均一でありＩＩＩの厚み方向には不
均一でありかつ該光導電層に含有されている酸素原子が
層中央よ抄も電荷注入層側に多く分布し、該層全体にお
ける酸素原子の含有量がＩ Ｘ １０’ ｐｐｍ以下、
時には８０００ｐｐｍ以下が好適であり、注入層側にお
ける酸素原子の含有量が２００ ｐｐｍ以上が好適であ
る。
光導電層の膜厚としては、適用される電子写真特性と゛
の関係により適宜設定されるが通常５〜１００声、好適
には１０〜８０μである。
の関係により適宜設定されるが通常５〜１００声、好適
には１０〜８０μである。
又、光導電層にはＴｅ、λｓ、Ｓｂ、Ｂｉ 等の元素
を１種若しくは２種含有させたものも使用する事ができ
る。又、別には該□′光光導導電層表面に増感された光
導電層を設は電荷移動噛として使用する事もできる。
を１種若しくは２種含有させたものも使用する事ができ
る。又、別には該□′光光導導電層表面に増感された光
導電層を設は電荷移動噛として使用する事もできる。
絶縁層は、普通には、樹脂から構成される。
その様な樹脂として有効なのは例えば、ポリエステル、
ポリパラキシレン、ポリウレタン、ポリカーボネート、
ポリスチレンなどである。
ポリパラキシレン、ポリウレタン、ポリカーボネート、
ポリスチレンなどである。
第３図に示される高感度な光導電層は適用される電子写
真プロセスに応じて適宜選択され例、ｊ ｉｊ 、Ｚｎ
Ｏ、Ｏｄ８ 、ポリビニルカルバゾールナトの各種材料
が適用され、特ＶＣ８ｅ系材料についていえば例えば、
８ｅ−Ｔｅ 、 ８ｅ −８ｂ 、 ８ｅ −Ｂｉ 、
８ｅ −Ａｓなど各ｎｌＳｅ合金材料で形成される。
真プロセスに応じて適宜選択され例、ｊ ｉｊ 、Ｚｎ
Ｏ、Ｏｄ８ 、ポリビニルカルバゾールナトの各種材料
が適用され、特ＶＣ８ｅ系材料についていえば例えば、
８ｅ−Ｔｅ 、 ８ｅ −８ｂ 、 ８ｅ −Ｂｉ 、
８ｅ −Ａｓなど各ｎｌＳｅ合金材料で形成される。
また、この高感度な光導電層の厚さは、ｌ〜１５μ、特
には１〜５声の範囲が好適である。
には１〜５声の範囲が好適である。
実施例１
１１Ｆ４図に示す様に１００Ｘ１００■のＭ製の支持体
ｌが蒸着槽５内の所定位に設置される。支持体ｌはこれ
を加熱するためのヒータ１６よりｌＯ■程度離して固定
部材６に固定される。
ｌが蒸着槽５内の所定位に設置される。支持体ｌはこれ
を加熱するためのヒータ１６よりｌＯ■程度離して固定
部材６に固定される。
次に石英製の蒸着”ボート７に純度５ ｎ１ｎｅ Ｏ８
ｅＫ予め１０００ ｐｌ）ｍの塩素がドーピングされた
８ｅ粉末９を５ｆ充項し、純度５ ｎ１ｎｅの＆粉末１
２を７Ｏｆ石英製の蒸着ボート１０内に充填する。
ｅＫ予め１０００ ｐｌ）ｍの塩素がドーピングされた
８ｅ粉末９を５ｆ充項し、純度５ ｎ１ｎｅの＆粉末１
２を７Ｏｆ石英製の蒸着ボート１０内に充填する。
蒸着ボート７とｌＯの上にはタングステンのスパイラル
ヒータ８，１１．を各々設ける。蒸着ボートｌＯには酸
素を導入するためのステンレス製のパイプ１３を設は蒸
着槽外に設け・九酸素ボンベ１４に接続する。
ヒータ８，１１．を各々設ける。蒸着ボートｌＯには酸
素を導入するためのステンレス製のパイプ１３を設は蒸
着槽外に設け・九酸素ボンベ１４に接続する。
次に矢印１７に示す様に蒸着槽内の空気を排気し真空度
を５ Ｘ １Ｏ−ｓｔｏｒｒにする。次にヒータ１６を
点火して支持体ｌの温度を６０℃迄に上昇させこの温度
に保つ。
を５ Ｘ １Ｏ−ｓｔｏｒｒにする。次にヒータ１６を
点火して支持体ｌの温度を６０℃迄に上昇させこの温度
に保つ。
以下蒸着中の支持体温度、蒸着速度および真空度の時間
変化を第５図を参照し乍ら説明する。
変化を第５図を参照し乍ら説明する。
蒸着ボート７上のスパイラルヒータ８を点火し蒸着ボー
トを３００℃に加熱し蒸着ボート内の塩素をドープした
＆を熔融する。
トを３００℃に加熱し蒸着ボート内の塩素をドープした
＆を熔融する。
第５図に示す様に塩素をドープしたあが一様に熔融した
点１．でシャッター１５を開き支持体１に蒸着を開始し
、塩素をドープした８ｅが蒸着ボート中に無くなるまで
蒸着を行う。
点１．でシャッター１５を開き支持体１に蒸着を開始し
、塩素をドープした８ｅが蒸着ボート中に無くなるまで
蒸着を行う。
塩素をドープした８ｅが蒸着ボート７中に無くなつ九点
ｔ、でシャッター１５を閉じスパイラルヒータ８の電流
を切る。
ｔ、でシャッター１５を閉じスパイラルヒータ８の電流
を切る。
次に蒸着ボー）１０上のスパイラルヒータ１１を点火し
て前述と同様に蒸着ボー）１０の温度を３００ＣＫ上昇
させ、蒸着ボートｌＯ内のＳｅｔ熔融する。蒸着ボー）
１０内の８ｅが一様に熔融した点ｔ、で酸素ポンベ１４
のパルプ１８を開き蒸着槽内の真空度が１．５ Ｘ １
０−’ｔｏｒｒになる様に酸素を導入し−でシャッター
１５を開く、第５図に示す如く酸素の導入量を徐々に減
らして８ｅの蒸着終了時の真空度が５ Ｘ １０−’ｔ
ｏｒｒ ｉｃなる機制御する。
て前述と同様に蒸着ボー）１０の温度を３００ＣＫ上昇
させ、蒸着ボートｌＯ内のＳｅｔ熔融する。蒸着ボー）
１０内の８ｅが一様に熔融した点ｔ、で酸素ポンベ１４
のパルプ１８を開き蒸着槽内の真空度が１．５ Ｘ １
０−’ｔｏｒｒになる様に酸素を導入し−でシャッター
１５を開く、第５図に示す如く酸素の導入量を徐々に減
らして８ｅの蒸着終了時の真空度が５ Ｘ １０−’ｔ
ｏｒｒ ｉｃなる機制御する。
更に別にはシャッター１５を開くと同時にヒータ１６１
Ｃ流す電流を調節して第５図に示す如く支持体温度をな
だらかに上昇させ８ｅの蒸着終了時が７５℃になる様く
制御する。蒸着ボート内の８ｅが殆んど無くなる点１．
でスパイラルヒータ１１の電流を切りシャッター１４を
閉じて蒸着を終了する。
Ｃ流す電流を調節して第５図に示す如く支持体温度をな
だらかに上昇させ８ｅの蒸着終了時が７５℃になる様く
制御する。蒸着ボート内の８ｅが殆んど無くなる点１．
でスパイラルヒータ１１の電流を切りシャッター１４を
閉じて蒸着を終了する。
蒸着膜の膜厚は０／をドープしたＳｅ層が５μ、酸素を
ドープしたＳｅ層が６０μであった。
ドープしたＳｅ層が６０μであった。
この蒸着膜の一部を特性にさしつかえない様に剥離し、
二次イオン質量分析法で膜厚方向の酸素含有量を調べた
。その結果、表面側から１μの位置では検出されず、５
μの位置では５０ｐｐｍであり電荷注入層側から１μの
位置では１０００ ｐｐｍであった。
二次イオン質量分析法で膜厚方向の酸素含有量を調べた
。その結果、表面側から１μの位置では検出されず、５
μの位置では５０ｐｐｍであり電荷注入層側から１μの
位置では１０００ ｐｐｍであった。
このようＫして製造された感光体について、以下の様な
方法にてくり返し特性の好個を行った。
方法にてくり返し特性の好個を行った。
感光体く電源電圧■６ｍ１Ｎの正コロナ放電を０、２
ｓｅｃ行ってその表面電位が７００ｖになるように帯電
し、直ちに感光体を一様に全面照射し、更に人０コロナ
放電にて０．２ ｓｅｃ ｌ＆！ｊ除戒を行った。
ｓｅｃ行ってその表面電位が７００ｖになるように帯電
し、直ちに感光体を一様に全面照射し、更に人０コロナ
放電にて０．２ ｓｅｃ ｌ＆！ｊ除戒を行った。
このプロセスを２ ｓｅｃ周期で１００回繰り返し行っ
た結果、第６図直＃ＩＡに示す如く１回目から１００回
目までの全・面照射後の表面電位の変化はＩＯＶ程度で
くり返し疲労は非常に少なかった。
た結果、第６図直＃ＩＡに示す如く１回目から１００回
目までの全・面照射後の表面電位の変化はＩＯＶ程度で
くり返し疲労は非常に少なかった。
−にこの感光体の表面にポリウレタン樹脂を２５μの厚
さに塗布して更に次の測定を行った。
さに塗布して更に次の測定を行った。
０６ｆｆの負コロナ放電を行ってその表面を０２０００
ＶＫ？！）電ｕ、次に二？Ｌ’Ｊｔとしテロ９６訝の正
コロナ放電を行って絶縁層表面を除電し次いで一様に全
面照射するとｅ９００Ｖの表面電位を示した。この様な
プロセスを２ ｓｅｃ周期で繰り返し行った結果、第６
図直線Ｂに示す如く１回目から１００回目までの全面照
射後の表面電位に変化はなく、＜り返【７疲労現象は認
められなかった。
ＶＫ？！）電ｕ、次に二？Ｌ’Ｊｔとしテロ９６訝の正
コロナ放電を行って絶縁層表面を除電し次いで一様に全
面照射するとｅ９００Ｖの表面電位を示した。この様な
プロセスを２ ｓｅｃ周期で繰り返し行った結果、第６
図直線Ｂに示す如く１回目から１００回目までの全面照
射後の表面電位に変化はなく、＜り返【７疲労現象は認
められなかった。
参照例１
実施例１での（１＜〜ｔｓ ）間の酸素を導入する事を
行なわない以外は実施例１と同一の工程で感光体を作成
した。この感光体に実施例１と同様に先ず■６１［Ｖの
正コロナ放電を行って■７００ＶＫ帝電し直ちに感光体
を全面照射し、更ＫＡＣコロナ放電にて０．２ ｓｅｅ
間除電を行った。このプロセスを２ ｓｅｃ周期で１０
０回くり返し行った結果第６図の曲線ＯＫ示す如くくり
返し回加し１００回目では１５０Ｖにまで増加し、くり
返し疲労現象を生じた。更にこの感光体の表面にポリウ
レタン樹脂を２５μの厚さに塗布して更に次の測定を行
った。θ６に’Ｖの負コロナ放電を行って、その表面を
０２０００Ｖに帯シし次に二次帯電として■６ＫＶの正
コロナ放電を行って絶縁層表面を除電し次いで一様に全
面照射するとθ８５０Ｖの表面電位を示した。この様な
プロセスを２ ｓｅｃ周期でくり返し行った結果、第６
図の曲線ＤＫ示す如く、くり返し回数と共に全面照射後
の表面電位が徐々に低下し１００回目のそれはｅ７００
Ｖでありくり返し疲労現象を生じた。
行なわない以外は実施例１と同一の工程で感光体を作成
した。この感光体に実施例１と同様に先ず■６１［Ｖの
正コロナ放電を行って■７００ＶＫ帝電し直ちに感光体
を全面照射し、更ＫＡＣコロナ放電にて０．２ ｓｅｅ
間除電を行った。このプロセスを２ ｓｅｃ周期で１０
０回くり返し行った結果第６図の曲線ＯＫ示す如くくり
返し回加し１００回目では１５０Ｖにまで増加し、くり
返し疲労現象を生じた。更にこの感光体の表面にポリウ
レタン樹脂を２５μの厚さに塗布して更に次の測定を行
った。θ６に’Ｖの負コロナ放電を行って、その表面を
０２０００Ｖに帯シし次に二次帯電として■６ＫＶの正
コロナ放電を行って絶縁層表面を除電し次いで一様に全
面照射するとθ８５０Ｖの表面電位を示した。この様な
プロセスを２ ｓｅｃ周期でくり返し行った結果、第６
図の曲線ＤＫ示す如く、くり返し回数と共に全面照射後
の表面電位が徐々に低下し１００回目のそれはｅ７００
Ｖでありくり返し疲労現象を生じた。
このように、本発明の電子写真感光体は絶縁層を設けな
い感光体に適用するプロセスあるいは絶縁Ｉ−を設けた
感光体に適用するプロセスにも適用でき極めてすぐれた
くり返し特性を示すことが認められた。
い感光体に適用するプロセスあるいは絶縁Ｉ−を設けた
感光体に適用するプロセスにも適用でき極めてすぐれた
くり返し特性を示すことが認められた。
第１図、！２図および第３図は、それぞれ本発明による
感光体の１態様を示す断面図である。 第４図は感光体の製造に用いる蒸着装置の構成図である
。 第５図は光導電層および電荷注入層を形成する場合の蒸
着操作のグラフである。 第６図は感光体のくり返し使用による表面電位の変化を
示すグラフである。 １・・・支持体、２・・・光導電層、３・・・絶縁層。 出 願 人 キャノン株式会社
感光体の１態様を示す断面図である。 第４図は感光体の製造に用いる蒸着装置の構成図である
。 第５図は光導電層および電荷注入層を形成する場合の蒸
着操作のグラフである。 第６図は感光体のくり返し使用による表面電位の変化を
示すグラフである。 １・・・支持体、２・・・光導電層、３・・・絶縁層。 出 願 人 キャノン株式会社
Claims (1)
- （１） 支持体上にノ・ロゲンを含有する＆系電荷注
入層および酸素を含有する＆系光導電層を有する電子写
真感光体において、光導電層の支持体とは平行な面にお
ける酸素含有量は均一であるが、支持体側において酸素
含有量が大きく、表面側に向って連続的に減少している
ものでちゃ、支持体側の酸素含有量は１１００ｐｐ以上
、表面側の酸素含有量は２０ ｐｐｍ以下であることを
特値とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370181A JPS5863942A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370181A JPS5863942A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863942A true JPS5863942A (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=15778968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16370181A Pending JPS5863942A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863942A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126539A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
| JPS60102644A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
| JPS60102643A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
| JPS60202445A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 電子写真装置の感光体用Ｓｅ材 |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP16370181A patent/JPS5863942A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126539A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
| JPS60102644A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
| JPS60102643A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |
| JPS60202445A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 電子写真装置の感光体用Ｓｅ材 |
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