JPS6335020B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子写真感光体、特には高速で繰返し
使用しても、疲労が生じない電子写真感光体に関
する。

電子写真感光体としては、適用される電子写真
プロセスに応じて種々の構成のものが用いられ
る。その中で、表面に絶縁層を有する感光体にお
いては、絶縁層上に静電像を形成するもので、こ
のために帯電により絶縁層と光導電層との界面に
電荷が注入されることが必要である。例えばこの
ような電子写真プロセスとして、１次帯電、画像
露光、画像露光と同時に若しくは画像露光後に
AC除電若しくは１次帯電と逆極性の帯電および
全面露光からなるプロセスが挙げられる。光導電
層がSe，SeTeの如きＰ型半導体で構成されてい
る場合には、１次帯電を負のコロナ放電によつて
行い支持体より正の電荷を光導電層に注入させ、
光導電層に印加されている電界によりその電荷を
絶縁層、光導電層界面に移動させている。支持体
より電荷の注入が困難な場合には、負のコロナ放
電の直前若しくは同時に光を一様に感光体に照射
することにより絶縁層と光導電層との界面に適当
量正電荷を存在させるようにすることができる。
この光照射を支持体側からするときは支持体がネ
サガラス、光透過性の樹脂フイルムなどの光透過
性のものである必要がある。光導電層がｎ型半導
体で構成されている場合には、帯電極性は正であ
り、絶縁層と光導電層との界面に移動する電荷は
負となる。初めの帯電に際して、絶縁層と光導電
層との間に適当量の電荷が注入されることは、高
コントラストの静電像を作るために不可欠なこと
である。このために、例えば、導電性支持体が金
属である場合には、特公昭49−6223号公報および
特公昭49−10257号公報に開示されているように
支持体と光導電層との間に電荷注入層を設ける工
夫がされている。この電荷注入層は帯電時におい
て光導電層中に十分な電荷を供給し、絶縁層と光
導電層との間に適当量の電荷を存在せしめること
に寄与する。然し乍ら、電荷注入層の付加によつ
てもなお改善される可き点が指摘される。即ち、
感光体を繰返し使用する場合、殊にその繰返し周
期を速めるとき、絶縁層と光導電層との界面に存
在せしめられる電荷量が次第に減ぜられ、その結
果、多数回繰返した後に形成される静電像の暗部
電位が初期に較べて明部電位に近づきコントラス
トの低下がしばしば観察される。これは、所謂、
感光体の疲労現象として説明される。

而して、本発明は、感光体の高速繰返し使用に
おいても、上記のような疲労現象を呈さない感光
体を提供することを主たる目的とする。

本発明の電子写真感光体は、絶縁層、非晶質
Se系光導電層及び電荷注入層を有し、該電荷注
入層が不純物としてハロゲンを含む半導体層であ
る。

本発明の所期の目的は、電荷注入層中にハロゲ
ンを不純物として含ませる事に依つて達成され
る。本発明に係わる電荷注入層は、その中に不純
物としてハロゲンを含むことで、従来のものに較
べ、非常に大なる自由電荷密度を有する様にな
り、光導電層中に充分なる電荷を注入し得るに効
果的な電荷注入源として作用する。

本発明の電子写真感光体の最も代表的な構成例
は、第１図および第２図に示される。第１図の感
光体は、支持体１、電荷注入層２、光導電層３お
よび絶縁層４から構成される。絶縁層は光導電層
が感ずる光（輻射線）に対して透過性である。支
持体は導電性でも絶縁性であつてもよい。導電性
支持体としては、例えば、Al，Ni、黄銅、Cu，
Agなどの金属、導電性ガラスなどであり、絶縁
性支持体としては、例えば、ポリエステル、ポリ
エチレン等の樹脂、紙、ガラス、セラミツクスな
どである。光導電層は、従来、電子写真用光導電
性材料として用いられる各種の非晶質Se系半導
体から形成される。これらの非晶質Se系半導体
材料として最も代表的な例としては、Se，
SeTe，SeAs，SeSb，SeBi，SeTeAsなど、あ
るいはこれらの半導体に例えば、Ｓ，Ｐ，Ge等
の他の元素を添加したものが挙げられる。絶縁層
は、普通には、樹脂から構成される。その様な樹
脂として有効なのは例えば、ポリエステル、ポリ
パラキシリレン、ポリウレタン、ポリカーボネイ
ト、ポリスチレン、などである。

本発明に於ける電荷注入層とは、電荷注入層に
接合される層との間で電気的な障壁を形成しない
か又は実質上無視し得る程度でしか形成されてな
い層であり、その名称の通り、帯電時において、
光導電層と絶縁層との界面に適正電荷量を存在せ
しめるために必要な電荷を供する層である。

本発明に於ける電荷注入層は、ハロゲンを不純
物として含む半導体層になつていて、その自由電
荷密度は光導電層のそれよりも遥かに大きいもの
である。電荷注入層の形成材料は、光導電層形成
材料の種類、感光体に要求される電子写真特性に
応じて適宜選択されるが、一般的には、(1)電荷注
入層に接合される層がＰ型半導体で構成されるな
らば、接合される層に使用される材料とその仕事
関数が同じか若しくは大きいこと、ｎ型半導体で
構成される場合にはその仕事関数が同じか若しく
は小さいこと、(2)室温程度の熱エネルギーで充分
な自由電荷を生起させ得ること（暗抵抗が低いこ
と）の２点を考慮して選択される。

電荷注入層の代表的な形成材料は、カルコゲン
元素（Se，TeおよびＳ又はこれらの混合物）又
はSeAs，SeBi，SeSbなどのカルコゲン元素を主
体とする半導体とハロゲンである。例えばSe，
SeTeと云つたＰ型の半導体で非晶質の光導電層
を形成する場合には、電荷注入層は、Teの様な
仕事関数の大きい材料か又は非晶質の光導電層を
構成する材料と同一材料で不純物としてハロゲン
を含んだ半導体層とされる。

電荷注入層は種々の方法によつて形成される。
例えばハロゲンを含む半導体材料を蒸着させても
よいし、また半導体材料とハロゲンとを同時に蒸
着（共蒸着）させてもよい。あるいはまた、ハロ
ゲンを含む半導体材料を融解塗布させる方法によ
つてもよい。ハロゲンを含む半導体材料は半導体
材料と単体ハロゲンとを直接混ぜる外、半導体材
料に各種のハロゲン化物（例えば、SeX₂，
SeX₄：Ｘ＝Ｆ，Cl，Br又はＩ）を混合させて製
造されてもよい。例えばその１例を挙げると、半
導体材料と単体ハロゲン（特にBr又はＩの場合）
またはハロゲン化物（例えばSeCl₄）をハロゲン
が所望の濃度に含有されるように混合し、その混
合物をパイレツクスガラスアンプルに入れ真空封
入する。このアンプルを500℃、４時間程度熱処
理する。熱処理中は時々もしくは連続してアンプ
ルを振動させて、溶融材料をよく撹拌しハロゲン
の偏析を防ぐ。熱処理後アンプルを冷却水中に放
り込んで急冷しハロゲンを不純物して含む材料を
製造できる。

本発明に於いて電荷注入層中にハロゲンを不純
物として含むとは、ハロゲンが化合物の形以外の
形で即ち、半導体中にドーピングされた形で含ま
れている。

本発明に於いて電荷注入層中に含まれるハロゲ
ンの量は下限としては通常約10ppm以上、好適に
は100ppm以上、最適には500ppm以上とされるの
が望ましい。又電荷注入層に含まれるハロゲンの
量の上限は、電荷注入層に所望される特性に応じ
て適宜決められるが、余りその量が多いと蒸着す
る際蒸着室内の真空度の低下が招くので通常は
10000ppm以下が好ましい。

電荷注入層の膜厚は、所望される特性に応じて
適宜決定される。

即ち、本発明に於ける電荷注入層の本来の特性
を損わない範囲に於いて下限は基板表面の平滑の
度合の影響を受けない程度に、又、上限は、感光
体の可撓性を加味して決められ、通常0.5〜15μ、
好適には１〜10μとされる。

光導電層の層厚としては、所望される電子写真
特性及び前記電荷注入層との関係により適宜決定
されるが通常５〜100μ、好適には10〜80μ、最適
には25〜75μであるのが望ましい。また、光導電
層は、Se系光導電層、即ち、Se又はSeを主体と
する光導電層である。

第２図に示される感光体は、支持体１と電荷注
入層２との間に下部絶縁層５を付設した構成のも
のである。下部絶縁層としては、ポリエステル、
ポリパラキシリレンなどの各種樹脂、金属酸化
物、ガラスなど、適当な絶縁材料をもつて形成さ
れる。

本発明の電荷注入層の有効性については、次の
参照例及び第３図〜第７図により、さらに説明さ
れる。

参照例 １ 第３図に示す様に、50×100mmのアルミニウム
の基板１が蒸着槽６内の所定位に設定される。基
板１は、これを加熱する為のヒーター１６より10
mm程度離して固定部材７に固定される。

次に石英製の蒸着ポート８に純度5nineのSe粉
末を55ｇ充填し、又、これとは別に純度5nineの
Seに2000ppmの塩素（Cl）が予めドーピングさ
れたSe粉末５ｇを石英製の蒸着ボート１２に充
填する。蒸着ボート８，１２の上にはタングステ
ンのスパイラルヒーター９，１３を各々設け、矢
印１８で示す様に蒸着槽６内の空気を排気し真空
度を約５×10^-5torr程度にする。次にヒーター１
６を点火して基板１の温度を60℃迄に上昇させ、
この温度に保つ。

以下蒸着中の基板温度と蒸着速度の時間変化を
第４図を参照し乍ら説明する。

蒸着ボート１２上のスパイラルヒーター１３を
点火し蒸着ボート１２の温度を300℃に上昇させ
蒸着ボート１２内の（Clを含むSe）を熔融する。

第４図に示す様に（Clを含むSe）が一様に熔
融した点t_1-1でシヤツター１５並びにシヤツター
１７の右半分だけを開き、基板１の図に於いて右
半分に蒸着を開始し、（Clを含むSe）が蒸着ボー
ト１２中になるなる迄蒸着を行う（電荷注入層の
形成）（層１９）。（Clを含むSe）が蒸着ボート１
２中になくなつた点t_1-1でシヤツター１５を閉
じ、次に蒸着ボート８上のスパイラルヒーター９
を点火して、前述と同様に蒸着ボート８の温度を
300℃に上昇させ、Seを熔融する。蒸着ボート８
内のSeが一様に熔融した点t_1-3でシヤツター１１
を開くと同時にシヤツター１７も全開し、基板１
全面にSeの蒸着を開始する。又、それと同時に
ヒーター１６に流す電流を調節して、第４図に示
す如く基板温度をなだらかに上昇させ、蒸着終了
時が75℃程度になる様に制御する。蒸着ボート８
中のSeが殆どなくなる点t_1-4でスパイラルヒータ
ー９の電流を切り、シヤツター１１を閉じてSe
の蒸着を終了する（層２０）。

蒸着膜の膜厚は右半分Ａが60μ、左半分Ｂが
55μであつた（第５図参照）。又、基板１への蒸
着速度は凡そ1.5μ／min程度であつた。蒸着膜を
形成した基板１を蒸着槽６より外部に取出してそ
の蒸着膜表面にポリカーボネイト樹脂を25μの厚
さに塗布して絶縁層４を形成し感光板とした。こ
の様に作成した感光板の断面図を第５図に示す。

この感光板に一次帯電として6000Vのコロナ
放電を0.2sec間行つてその表面を2000Vに帯電
し、次に二次帯電として電源電圧6000Vの正コ
ロナ放電を0.2sec間行つて絶縁層表面を除電し、
次に感光板表面を一様に全面照射するとＡ側は
900V、Ｂ側は800Vの表面電位を示した。この
プロセスを2sec周期で繰返し行うと、全面照射後
の表面電位は、Ｂ側では次第に小さくなり100回
後では640Vであつた。一方Ａ側では、100回後
でもその表面電位は初回と同じ900Vで変化が
全く観察されなかつた。

参照例 ２ 第３図に示す蒸着槽６内の蒸着ボート８を徹去
した後、蒸着ボート１２に純度5nineのSeに
2000ppmのclが予めドーピングされたSe粉末60ｇ
を充填し、参照例１と同様の操作手順でアルミニ
ウム基板上に蒸着を行い、60μ厚の蒸着膜を形成
した。

第６図にその時の基板温度と蒸着速度の時間変
化の関係を示す。t_2-1はシヤツター１５が開かれ
た点でt_2-2は閉じられた点である。

尚、シヤツター１７は蒸着中は開いたままにし
て置いた。

蒸着膜の形成された基板を蒸着槽６内より外部
に取り出し、暗中で電源電圧5500Vの正のコロ
ナ放電を0.3sec間、その蒸着膜表面に行つた後、
直ちに表面電位を測定したところ150Vであつ
た。一方、別に参照例１の感光板のポリカーボネ
ート樹脂の絶縁層を塩化メチレンで溶解して取り
去り、上記と同一条件でその表面を帯電し、直ち
に表面電位を測定したところ、Ａ側、Ｂ側何れの
部位も1200Vであつた。

以上のことから（Clを含むSe）を蒸着した感
光板（参照例２）の暗抵抗はSeを蒸着した感光
板（参照例１）のそれに比して非常に小さいと云
うことが判明した。換言すると（Clを含むSe）
を蒸着した感光板はSeを蒸着した感光板に比し
て、自由電荷密度が非常に大きく、感光板の電気
容量が、非常に大きいことになる。

参照例１に於いて、感光板のＡとＢの部位で繰
返し疲労に対して差が生ずる理由は明確でない
が、参照例２での現象から次の様に考えられる。

参照例１の感光板のＡ側の（Clを含むSe）を
蒸着した層（電荷注入層）は、参照例２から判明
した様に非常に大きな自由電荷密度を有してい
る。これに対してSe蒸着層は自由電荷密度が小
さい。即ち、（Clを含むSe）を蒸着した層とSe蒸
着層の界面では自由電荷密度の急激な変化が生じ
ているものと考えられる。

一方、感光板のＢ側では、基板の汚れや、表面
への分子吸着等により、基板表面には、Se蒸着
膜が結晶化する原因となる核が多数存在するもの
と考えられ、この為に基板との界面付近に於ける
Se蒸着膜は結晶化し易い傾向にあるが、この傾
向は、蒸着が進むにつれて（膜厚が増すにつれ
て）減少する。これに比例して、自由電荷密度も
小さくなるものと考えられる。

詰り、Ａ，Ｂの自由電荷密度の基板からの膜厚
方向に対する変化は第７図の如き状態であると考
えられる。

感光板のＢ側に於けるが如く、自由電荷密度が
ゆるやかに変化しているとSe光導電層の基板近
傍に正の空間電荷が形成され易くなり、繰返し使
用の回数増加に伴い、一次帯電時に光導電層に注
入される電荷が減少し、繰返し使用による疲労を
生ずるものと考えられる。

実施例 １ 50×100mmのアルミニウム基板を、第３図に示
す蒸着槽６内に、ヒーター１６より10mm程度離し
て固定した。次に石英製の蒸着ボート８に純度
5nineのSe粉末を55ｇ充填すると共に、別の石英
製の蒸着ボート１２に純度5nineのSeに4000ppm
のClが予めドープされた粉末５ｇとを混合充填し
た。蒸着ボート８，１２の各々の上方にタングス
テンのスパイラルヒーター９，１０を各々設け、
蒸着槽６内を排気して真空度を５×10^-5torrにし
た。次にヒーター１６を点火してアルミニウム基
板の温度を60℃に迄上昇させ、この温度に保つ
た。蒸着ボート12上のスパイラルヒーター１３を
点火して蒸着ボート１２の温度を300℃に上昇さ
せてClを含むSeを熔融した。Clを含むSeが一様
に熔融した時に、シヤツター１５，１７を全開
し、蒸着ボート１２内のClを含むSeがなくなる
迄アルミニウム基板に蒸着を行つた。Clを含む
Seが蒸着ボート１２中になくなつた点でシヤツ
ター１５を閉じ、スパイラルヒーター１３の電流
を切つた（電荷注入層の形成）。その後で蒸着ボ
ート８上のスパイラルヒーター９を点火して、前
述と同様に蒸着ボート８の温度を300℃に上昇さ
せ、中のSe粉末を溶融した。Seの粉末が一様に
溶融した時、シヤツター１１を開き、蒸着を開始
した。それと同時に基板温度をヒーター１６の電
流を調節することにより、なだらかに上昇させ、
蒸着終了時が75℃程度になる様に制御した。蒸着
ボート８中のSeが殆どなくなつた処でスパイラ
ルヒーター９の電流を切り、シヤツター１１を閉
じて蒸着を終了した（光導電層の形成）。その後、
真空を破つて蒸着槽６内より蒸着された基板を取
り出し、蒸着膜表面にポリカーボネイト樹脂を
25μの厚さに塗布して絶縁層を形成し、感光体を
作成した。尚、蒸着膜の膜厚は60μであつた。
又、基板への蒸着膜の蒸着速度は1.5μ／min程度
であつた。

この様にして作成した感光体を一次帯電として
6000Vのコロナ放電を0.2sec間行つてその表面
を2000Vに帯電し、次に、二次帯電として電源
電圧6000Vの正のコロナ放電を0.2sec間行つて
絶縁層表面を一様に除電し、次いで一様に全面照
射すると900Vの表面電位を示した。

この様なプロセスを2sec周期で繰返し行つて
100回目の全面照射後の表面電位を測定すると
900Vと初回からの変化がなく一定で疲労現象が
全く認められなかつた。

実施例 ２ 50×100mmのアルミニウム金属基板の片側の表
面を陽極酸化により10μの厚さのアルマイト処理
を施し、第３図に示す蒸着槽６内にヒータ１６よ
り10mm程度離し、アルマイト処理面を蒸着ボート
側に向けて固定した。他の蒸着条件は、実施例１
と全く同様にして蒸着を行い、又同様にポリカー
ボネート樹脂で絶縁層を塗布形成して感光体を作
成した。

この様にして作成した感光体を、一次帯電とし
て6000Vの負のコロナ放電を0.2sec間行つて、
その表面を2000Vに帯電し、二次帯電として
6000Vの正のコロナ放電を0.2sec間行つて、絶縁
層表面を除電し、次に感光体表面を一様に全面照
射すると800Vの表面電位を示した。

このプロセスを2sec周期で繰返し行つて、100
回目の全面照射後の表面電位の値を測定すると
800Vと一定で初回からの変化がなく疲労現象が
全く認められなかつた。

実施例 ３ 50×100mmのアルミニウム基板を、第３図に示
す蒸着槽６内に、ヒーター１６より10mm程度離し
て固定した。次に石英製の蒸着ボート８に純度
5nineのSeTe合金（Te含有量10wt％）粉末を55
ｇ充填すると共に、別の石英製の蒸着ボート１２
に純度5nineのSeTe合金（Te含有量10wt％）に
1000ppmのClが予めドーピングされたSeTe合金
粉末を充填した。蒸着ボート８，１２の各々の上
方にタングステンのスパイラルヒーター９，１０
を各々設け、蒸着槽６内を排気して、真空度を５
×10^-5torrにした。次にヒーター１６を点火して
アルミニウム基板の温度を60℃に迄上昇させ、こ
の温度に保つた。蒸着ボート１２上のスパイラル
ヒーター１３を点火して蒸着ボート１２の温度を
320℃に上昇させてClを含むSeTeを熔融した。Cl
を含むSeTeが一様に熔融した時に、シヤツター
１５，１７を全開し、蒸着ボート１２内のClを含
むSeTeがなくなる迄アルミニウム基板に蒸着を
行つた。Clを含むSeTeが蒸着ボート１２中にな
くなつた点でシヤツター１５を閉じ、スパイラル
ヒーター１３の電流を切つた（電荷注入層の形
成）。その後で蒸着ボート８上のスパイラルヒー
ター９を点火して、前述と同様に蒸着ボート８の
温度を320℃に上昇させ、中のSeTe合金粉末を熔
融した。SeTe合金粉末が一様に熔融した時、シ
ヤツター１１を開き、蒸着を開始した。それと同
時に基板温度をヒーター１６の電流を調節するこ
とにより、なだらかに上昇させ、蒸着終了時が75
℃程度になる様に制御した。蒸着ボート８中の
SeTe合金が殆んどなくなつた処でスパイラルヒ
ーター９の電流を切り、シヤツター１１を閉じて
蒸着を終了した（光導電層の形成）。その後、真
空を破つて蒸着槽６内より蒸着された基板を取り
出し、蒸着膜表面にポリカーボネイト樹脂を25μ
の厚さに塗布して絶縁層を形成し、感光板を作成
した。尚、蒸着膜の膜厚は60μであつた。又、基
板への蒸着膜の蒸着速度は1.5μ／min程度であつ
た。

この様にして作成した感光板を実施例１と同様
の帯電条件、帯電時間、繰返し周期で使用したと
ころ一回目の全面照射後の表面電位は800V、
100回目後のその値は800Vで変化なく、全く疲
労現象が認められなかつた。

実施例 ４ 50×100mmのアルミニウム基板を、第３図に示
す蒸着槽６内に、ヒーター１６より10mm程度離し
て固定した。次に石英製の蒸着ボート８に純度
5nineのSe粉末を55ｇ充填すると共に、別の石英
製の蒸着ボート１２に純度5nineのSeIが1000ppm
ドーピングされたSe粉末５ｇとを充填した。蒸
着ボート８，１２の各々の上方にタングステンの
スパイラルヒーター９，１０を各々設け、蒸着槽
６内を排気して、真空度５×10^-5torrにした。次
にヒーター１６を点火してアルミニウム基板の温
度を60℃迄上昇させ、この温度に保つた。蒸着ボ
ート１２上のスパイラルヒーター１３を点火して
蒸着ボート１２の温度を300℃に上昇させてＩを
含むSeを熔融した。Ｉを含むSeが一様に熔融し
た時に、シヤツター１５，１７を全開し、蒸着ボ
ート１２内のＩを含むSeがなくなる迄アルミニ
ウム基板に蒸着を行つた。Ｉを含むSeが蒸着ボ
ート１２中になくなつた点でシヤツター１５を閉
じ、スパイラルヒーター１３の電流を切つた（電
荷注入層の形成）。

その後で蒸着ボート８上のスパイラルヒーター
９を点火して、前述と同様に蒸着ボート８の温度
を300℃に上昇させ、中のSe粉末を熔融した。Se
の粉末が一様に熔融した時、シヤツター１１を開
き、蒸着を開始した。それと同時に基板温度をヒ
ーター１６の電流を調節することにより、なだら
かに上昇させ、蒸着終了時が75℃程度になる様に
制御した。蒸着ボート８中のSeが殆どなくなつ
た処でスパイラルヒーター９の電流を切り、シヤ
ツター１１を閉じて蒸着を終了した（光導電層の
形成）。その後、真空を破つて蒸着槽６内より蒸
着された基板を取り出し、蒸着膜表面にポリカー
ボネイト樹脂を25μの厚さに塗布して絶縁層を形
成し、感光板を作成した。尚、蒸着膜の膜厚は
60μであつた。又、基板への蒸着膜の蒸着速度は
1.5μ／min程度であつた。

この様にして作成した感光板を実施例１と同様
の条件で繰返し使用したところ、一回目の全面照
射後の表面電位の値は900V、100回目後のその
値は900Vと変化が無く、全く疲労現象が認め
られなかつた。

実施例 ５ 50×100mmのアルミニウム基板を、第３図に示
す蒸着槽６内に、ヒーター１６より10mm程度離し
て固定した。次に石英製の蒸着ボート８に純度
5nineのSe粉末を55ｇ充填すると共に、別の石英
製の蒸着ボート１２に純度5nineのSeTe合金
（Te含有量15wt％）に予め2000ppmのClがドー
ピングされた粉末を充填した。蒸着ボート８，１
２の各々の上方にタングステンのスパイラルヒー
ター９，１０を各々設け、蒸着槽６内を排気し
て、真空度を５×10^-5torrにした。次にヒーター
１６を点火してアルミニウム基板の温度を60℃に
迄上昇させ、この温度に保つた。蒸着ボート１２
上のスパイラルヒーター１３を点火して蒸着ボー
ト１２の温度を340℃に上昇させてClを含むSeTe
を熔融した。Clを含むSeTeが一様に熔融した時
に、シヤツター１５，１７を全開し、蒸着ボート
１２内のClを含むSeTeがなくなる迄アルミニウ
ム基板に蒸着を行つた。Clを含むSeTeが蒸着ボ
ート１２中になくなつた点でシヤツター１５を閉
じ、スパイラルヒーター１３の電流を切つた（電
荷注入層の形成）。その後で蒸着ボート８上のス
パイラルヒーター９を点火して、前述と同様に蒸
着ボート８の温度を300℃に上昇させ、中のSe粉
末を熔融した。Seの粉末が一様に熔融した時、
シヤツター１１を開き、蒸着を開始した。それと
同時に基板温度をヒーター１６の電流を調節する
ことにより、なだらかに上昇させ、蒸着終了時が
75℃程度になる様に制御した。蒸着ボート８中の
Seが殆どなくなつた処でスパイラルヒーター９
の電流を切り、シヤツター１１を閉じて蒸着を終
了した（光導電層の形成）。その後、真空を破つ
て蒸着槽６内より蒸着された基板を取り出し、蒸
着膜表面にポリカーボネイト樹脂を25μの厚さに
途布して絶縁層を形成し、感光板を作成した。
尚、蒸着膜の膜厚は60μあつた。又、基板への蒸
着膜の蒸着速度は1.5μ／min程度であつた。

この様にして作成した感光板を実施例１と同様
の条件で繰返し使用したところ、一回目の全面照
射後の表面電位の値は830V、100回目後のその
値も830Vと変化無く、全く疲労現象が認めら
れなかつた。

実施例 ６ 実施例１〜５で作成した感光体の各々に、一次
帯電、一次とは逆極性の二次DC放電同時露光、
全面照射のプロセスを繰返し適用して、画像出し
を行つた原画に忠実な良好な画像が形成された。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明による電子写真感
光体の各々１態様を示す。第３図は、本発明によ
る電子写真感光体の製造に用いる蒸着装置の１態
様を示す。第４図及び第６図は、本発明の電子写
真感光体の製造の蒸着条件の一例を示す曲線図で
ある。第５図は従来の電子写真感光体と本発明の
電子写真感光体の模式的構成断面図である。第７
図は、従来の電子写真感光体と本発明の電子写真
感光体の自由電荷密度と膜厚の関係を示すグラフ
である。 １……支持体、２……電荷注入層、３……光導
電層、４……絶縁層、５……下部絶縁層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基本構成として絶縁層、非晶質Se系光導電
   層及び電荷注入層を有する電子写真感光体に於い
   て、電荷注入層が不純物としてハロゲンを含む半
   導体層であることを特徴とする電子写真感光体。 ２ 基本構成として絶縁層、非晶質Se系光導電
   層、電荷注入層及び下部絶縁層を有する電子写真
   感光体に於いて、電荷注入層が不純物としてハロ
   ゲンを含む半導体層であることを特徴とする電子
   写真感光体。