DE2850001A1

DE2850001A1 - Lichtempfindliches element fuer die elektrofotografie

Info

Publication number: DE2850001A1
Application number: DE19782850001
Authority: DE
Inventors: Tadaji Fukuda; Teruo Misumi
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1977-11-17
Filing date: 1978-11-17
Publication date: 1979-05-23
Also published as: US4315063A; JPS6335020B2; FR2409538B1; DE2850001C2; JPS5470838A; FR2409538A1

Description

Lichtempfindliches Element für die Elektrofotografie

Die Erfindung bezieht sich auf ein lichtempfindliches Element für die Elektrofotografie, insbesondere auf ein lichtempfindliches Element für die Elektrofotografie, das nach wiederholter Verwendung bei hoher Geschwindigkeit sehr wenig zur Ermüdung neigt.

Lichtempfindliche Elemente für die Elektrofotografie sind bisher je nach dem speziellen Elektrofotografieverfahren, das angewendet wird, in verschiedenen Ausführungen eingesetzt worden. Von diesen verschiedenen lichtempfindlichen Elementen für die Elektrofotografie erzeugt das lichtempfindliche Element, das an seiner Oberfläche eine isolierende Schicht aufweist, auf der isolierenden Schicht ein Ladungsbild, wozu es notwendig ist, durch elektrisches Aufladen eine elektrische Ladung in die Grenzfläche zwischen der isolierenden Schicht und der fotoleitfähigen Schicht zu injizieren. Als Beispiel für ein solches Elektrofotograf ieverfahren kann ein Verfahren genannt werden, das aus einer primären Aufladung, einer bildmäßigen Belichtung, einer gleichzeitig mit der bildmäßigen Belichtung oder daran anschließend durchgeführten Wechselstrom-Ladungsentfernung oder einer elektrischen Aufladung, die eine zu der primären Aufladung entgegengesetzte Polarität hat, und aus einer Belichtung der gesamten Oberfläche be-

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Deutsche BanR (Münchenr KtD. ST/61070

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Postscheck 'München) Kto. 670-43-804

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besteht. Wenn die fotoleitfähige Schicht aus einem Halbleiter vom p-Typ wie z. B. Se, SeTe usw. hergestellt worden ist, wird die primäre Aufladung mittels einer negativen Koronaentladung durchgeführt, um eine positive Ladung aus einem Träger oder Substrat in die fotoleitfähige Schicht zu injizieren, und die elektrische Ladung wird gemäß dem an die fotoleitfähige Schicht angelegten, elektrischen Feld zu der Grenzfläche zwischen der isolierenden Schicht und der fotoleitfähigen Schicht wandern gelassen.

Wenn die Injektion der Ladung aus dem Substrat schwierig ist, wird das lichtempfindliche Element gleichzeitig mit der negativen Koronaentladung oder unmittelbar davor gleichmäßig mit Licht bestrahlt, wodurch man erreichen kann, daß eine geeignete Menge der positiven Ladung in der Grenzfläehe zwischen der isolierenden Schicht und der fotoleitfähigen Schicht vorhanden ist. Wenn diese Lichtbestrahlung von der Seite des Substrats her durchgeführt wird, sollte das Substrat aus einem lichtdurchlässigen Material, z. B. aus Nesa-Glas, einem lichtdurchlässigen Harzfilm usw., hergestellt sein. Wenn die fotoleitfähige Schicht mit einem Halbleiter vom η-Typ gebildet wird, hat die Ladung bei der primären Aufladung eine positive Polarität, und die Ladung, die zu der Grenzfläche zwischen der isolierenden Schicht und der fotoleitfähigen Schicht wandert, ist negativ. Bei der anfänglichen Aufladung ist es für die Herstellung eines Ladungsbildes mit hohem Kontrast unbedingt notwendig, eine geeignete Menge der elektrischen Ladung zwischen die isolierende Schicht und die fotoleitfähige Schicht zu injizieren. Zu diesem Zweck

^ou geht man so vor, daß man, wenn das elektrisch leitende Substrat z. B. aus einem metallischen Material hergestellt worden ist, zwischen dem Substrat und der fotoleitfähigen Schicht eine Ladungsinjektionsschicht vorsieht, wie es aus der Japanischen Auslegeschrift 49-6223 (korrespondierend zur Britischen Patentschrift 1 335

so sett/see?

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] bekannt ist. Durch diese Ladungsinjektionsschicht wird zur Zeit der Aufladung eine ausreichende Menge an elektrischer Ladung in die fotoleitfähige Schicht geliefert, was dazu beiträgt, daß eine geeignete Menge der Ladung zwischen.der isolierenden Schicht und der fotoleitfähigen Schicht vorhanden ist. Selbst nach Hinzufügung der Ladungsinjektionsschicht verbleibt jedoch noch ein Punkt, der verbessert werden muß. Wenn das lichtempfindliche Element wiederholt verwendet wird, insbesondere wenn die wiederholte Verwendung in einem beschleunigten Zyklus erfolgt, vermindert sich nämlich die in der Grenzfläche zwischen der isolierenden Schicht und der fotoleitfähigen Schicht vorhandene Ladungsmenge allmählich, und als Ergebnis davon wird oft beobachtet, daß sich das elektrische Potential im dunklen Teil des zuerzeugenden Ladungsbildes nach einer Vielzahl von wiederholten Arbeitsgängen im Vergleich mit seinem anfänglichen Niveau an das Potential im hellen Teil des Ladungsbildes annähert, und daß der Bildkontrast herabgesetzt wird. Dies ist als die sogenannte "Ermüdungserscheinung" des lichtempfindlichen Elements gedeutet worden .

Aufgabe der Erfindung ist ein lichtempfindliches Element, das selbst nach wiederholter Verwendung mit hoher Geschwindigkeit keine Ermüdungserscheinung zeigt, das in der Lage ist, deutliche Bilder mit hohem Kontrast zu erzeugen und in effektiver Weise für ein Hochgeschwindigkeits-Elektrofotografieverfahren eingesetzt werden kann.

Gegenstand der Erfindung ist ein lichtempfindliches Element für die Elektrofotografie, bestehend aus einer Injektionsschicht für die elektrische Ladung (Ladungsinjektionsschicht) (2), einer amorphen, fotoleitfähigen Schicht (3) auf der Ladungsinjektionsschicht und einer isolierenden Schicht (4) auf der amorphen, fotoleitfähi-

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gen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsinjektionsschicht Halogen als Fremdstoff enthält.

Die Aufgabe der Erfindung wird dadurch gelöst, daß man in die Ladungsinjektionsschicht Halogen als Fremdstoff einschließt. Die erfindungsgemäße Ladungsinjektionsschicht hat dadurch, daß in ihr Halogen als Fremdstoff enthalten ist, eine viel höhere Dichte der freien Ladung als die bekannte Ladungsinjektionsschicht, wodurch sie die Aufgabe einer effektiven Quelle für die Ladungsinjektion erfüllen kann, die in der Lage ist, eine ausreichende Menge elektrischer Ladung in die fotoleitfähige Schicht hinein zu injizieren.

Die Fig. 1 und 2 zeigen bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen, lichtempfindlichen Elements für die Elektrofotografie (nachstehend als "lichtempfindliches Element" bezeichnet);

Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform einer Aufdampfkammer für die Verwendung bei der Herstellung des erfindungsgemäßen, lichtempfindlichen Elements;

Die Fig. 4 und 6 sind grafische Darstellungen von bevorzugten Beispielen der Abscheidungsbedingungen für die Herstellung des erfindungsgemäßen, lichtempfindlichen Elements;

Fig. 5 ist ein schaubildartiger Querschnitt, der eine

Struktur des erfindungsgemäßen, lichtempfindlichen EIeon
^ou ments zeigt, und

Fig. 7 ist die grafische Darstellung einer Beziehung zwischen der Dichte der freien Ladung und der Filmdicke bei einem bekannten und bei dem erfindungsgemäßen, licht- ^ou empfindlichen Element.

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Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend näher erläutert. Die am meisten repräsentative Struktur des erfindungsgemäßen, lichtempfindlichen Elements wird durch die Fig. 1 und 2 erläutert. Das in Fig. T gezeigte, lichtempfindliche Element besteht aus einem Substrat T, einer Ladungsinjektionsschicht 2, einer fotoleitfähigen Schicht 3 und einer isolierenden Schicht 4. Die isolierende Schicht ist durchlässig für Licht (Leuchtstrahlen) , durch das die fotöleitfähige Schicht sensibilisiert wird.

Das Substrat kann entweder elektrisch leitend oder isolierend sein. Als Beispiele für ein elektrisch leitendes Substrat können verschiedene metallische Materialien wie Aluminium (Al), Nickel (Ni), Messing, Kupfer (Cu), Silber (Ag) usw. und elektrisch leitendes Glas genannt werden.

Als Beispiele für ein isolierendes Substrat können Harze wie Polyester, Polyäthylen usw., Papier, Glas, keramische Materialien und andere Materialien genannt werden. Die fotoleitfähige Schicht wird aus verschiedenen amorphen Halbleitern hergestellt, deren Verwendung als fotoleitfähige Materialien für die Elektrofotografie bekannt ist. Als Beispiele für solche amorphen, halbleitenden Materialien können Halbleiter der Se-Reihe wie Se, SeTe, SeAs, SeSb, SeBi, SeTeAs usw. und solche Halbleiter, zu denen andere Elemente wie Schwefel (S), Phosphor (P), Germanium (Ge) usw. hinzugefügt worden sind, genannt werden. Die isolierende Schicht wird im allgemeinen aus einem Harzmaterial hergestellt. Die für die isolierende Schicht eingesetzten Harzmaterialien können z. B. Polyester, PoIy-

para.xyIylen,Polyurethan, Polycarbonat, Polystyrol usw. sein. 30

Unter der erfindungsgemäß eingesetzten Ladungsinjektionsschicht ist eine solche Schicht zu verstehen, die zwischen der Ladungsinjektionsschicht und einer mit dieser zu verbindenden Schicht entweder keine oder eine im wesentlichen ^ zu vernachlässigende, elektrische Sperre bildet. Wie der

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Name andeutet, dient diese Schicht dazu, elektrische Ladung zur Verfügung zu stellen, die notwendig ist, um zu bewirken, daß zur Zeit der Aufladung eine ausreichende Menge elektrischer Ladung in der Grenzfläche zwischen der fotoleitfähigen Schicht und der isolierenden Schicht vorhanden ist.

Die erfindungsgemäße Ladungsinjektionsschicht besteht aus einer halbleitenden Schicht, in der Halogen als. Fremd stoff enthalten ist und die eine Dichte der freien Ladung hat, die viel größer ist als die Dichte der freien Ladung in der fotoleitfähigen Schicht. Das Material für die Bildung der Ladungsinjektionsschicht kann je nach der Art des Materials, aus dem die fotoleitfähige Schicht gebildet ist, und nach den Elektrofotografieeigenschaften, die bei dem lichtempfindlichen Element benötigt werden, in geeigneter Weise ausgewählt werden, jedoch erfolgt seine Auswahl im allgemeinen unter Berücksichtigung der folgenden zwei Gesichtspunkte: (1) Wenn die Schicht, die mit der Ladungsinjektionsschicht verbunden werden soll, mit einem Halbleiter vom p-Typ gebildet wird, sollte die Austrittsarbeit der Ladungsinjektionsschicht so groß wie oder größer als die Austrittsarbeit des Materials sein, das für die zu verbindende Schicht eingesetzt wird, und

^ίυ wenn die zu verbindende Schicht mit einem Halbleiter vom η-Typ gebildet wird, sollte die Austrittsarbeit der Ladungsinjektionsschicht so groß wie oder kleiner als die Austrittsarbeit der zu verbindenden Schicht sein und (2) mit Wärmeenergie, die etwa der Raumtemperatur entspricht,

sollte genügend freie Ladung erregt werden können (der Dunkelwiderstand soll niedrig seinj.

Repräsentative Materialien für die Bildung der Eadungs-

injektionsschicht sind: Ein Chalkogenelement (Se, Te und

S oder ein Gemisch dieser Elemente}: oder Halbleiter mit

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] den Chalkogenelementen als Hauptbestandteil, ζ. Β. SeAs, SeBi, SeSb usw. _f und Halogen. Wenn die amorphe, fotoleitfähige Schicht mit einem Halbleiter vom p-Typ der Se-Reihe wie z. B. Se, SeTe, SeAs usw. gebildet werden soll, sollte die Ladungsinjektionsschicht aus einem Material ähnlich wie Te, das eine große Austrittsarbeit hat, oder aus dem gleichen Material hergestellt werden, aus dem die amorphe, fotoleitfähige Schicht besteht, wobei darin ein Halogen als Fremdstoff enthalten ist.

Die Ladungsinjektionsschicht kann nach verschiedenen Verfahren gebildet werden. Sie kann z. B. durch Aufdampfung eines halbleitenden Materials, in dem Halogen enthalten ist, oder durch gleichzeitige Abscheidung des halbleitenden Materials und des Halogens (gleichzeitige Aufdampfung) gebildet werden. Die Ladungsinjektionsschicht kann auch durch Schmelzen und Auftragen eines halbleitenden Materials, in dem Halogen enthalten ist, gebildet werden. Das halogenhe.ltige, halbleitende Material kann hergestellt werden, indem man entweder das halbleitende Material und eine einfache Halogensubstanz direkt vermischt Oder indem man verschiedene halogenierte Verbindungen (z. B. SeX-, SeX., worin XF, Cl, Br oder J ist) mit dem halbleitenden Material vermischt. Als ein Beispiel sei genannt, daß das halbleitende Material und eine einfache Halogensubstanz (insbesondere in Fall von Br oder J) oder eine halogenierte Verbindung (z. B. SeCl,) so vermischt werden, daß Halogen mit einer gewünschten Konzentration in dem halbleitenden Material enthalten

^v ist, und daß die Mischung dann unter Vakuumverschluß in eine Ampulle aus Pyrexglas gebracht wird. Die Ampulle wird etwa 4 h lang bei 500⁰C hitzebehandelt. Während der Hitzebehandlung wird die Ampulle entweder gelegentlich oder kontinuierlich Schwingungen ausgesetzt, um das ge-

^ schmolzene Material gleichmäßig und ausreichend zu rühren

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] und um zu verhindern, daß sich Halogen abtrennt bzw. absondert. Nach der. Hitzebehandlung wird die Ampulle in Kühlwasser abgeschreckt, wodurch man das halbleitende Material erhält, in dem Halogen als Fremdstoff enthalten ^ist-

Erfindungsgemäß liegt Halogen in der Ladungsinjektionsschicht als Fremdstoff vor, und zwar nicht in Form seiner Verbindung, sondern in der Form, in der es in das halbleitende Material hineindotiert worden ist.

Die untere Grenze für den Halogengehalt in der erfindungsgemäßen Ladungsinjektionsschicht liegt im allgemeinen bei etwa 10 ppm oder darüber, vorzugsweise bei 100 ppm oder darüber, insbesondere bei 500 ppm oder darüber (jeweils auf das Gewicht bezogen). Andererseits kann die obere Grenze für den Halogengehalt je nach den Eigenschaften, die gewünscht werden, in geeigneter Weise bestimmt werden. Wenn die Halogenmenge jedoch zu groß ist, läßt sich während der Aufdampfung eine Verschlechterung des Vakuums in der Aufdampfkammer nicht vermeiden, weshalb der Halogenhalt wünschenswerterweise bei 10 000 ppm oder darunter liegen sollte.

Die Filmdicke der Ladungsinjektionsschicht kann je nach den gewünschten Eigenschaften der Schicht in geeigneter Weise bestimmt werden. Im einzelnen ist die untere Grenze für die Filmdicke im Rahmen eines Bereichs, in dem die primären Eigenschaften der Ladungsinjektionsschicht in bezug auf den erfindungsgemäßen Zweck nicht beeinträchtigt werden, dadurch festgelegt, daß der Film trotz ggf. vorhandener Unebenheiten der Oberfläche des Substrats vollständig auf eine solche Oberfläche aufgebracht werden kann, während die obere Grenze der FiImdicke unter Berücksichtigung der Biegsamkeit des licht-

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■j empfindlichen Elements festgelegt werden kann. Im allgemeinen wird für die Filmdicke der Ladungsinjektionsschicht ein Bereich von 0_r5 um bis 15 μηι, vorzugsweise von 1 lim bis 10 p, empfohlen.

Falls erwünscht, kann die Dicke der fotoleitfähigen

Schicht in geeigneter Weise anhand einer Beziehung zwischen den Elektrofotografieeigenschaften und der vorstehend erwähnten Ladungsinjektionsschicht bestimmt werden. Die fotoleitfähige Schicht hat im allgemeinen eine Dicke von 5 μΐη bis 100 um, vorzugsweise von 10 um bis 80 um, insbesondere von 25 um bis 75 um. Als fotoleitf ähige Schicht wird eine Schicht vom Se-Typ, d. h. eine aus Se oder aus einem Material, das Se als Hauptbestandteil enthält, hergestellte Schicht, besonders bevorzugt.

Das in Fig. 2 gezeigte lichtempfindliche Element hat den gleichen Aufbau wie das in Fig. 1 gezeigte,jedoch ist zwischen das Substrat 1 und die Ladungsinjektionsschicht 2 eine zusätzliche isolierende Schicht 5 dazwischengebracht worden. Für die zusätzliche isolierende Schicht 5 kann irgendein geeignetes, isolierendes Material verwendet werden, z. B. Polyester, Polyparaxylylen und verschiedene andere Harze, Metalloxide, Glas usw.

Ein repräsentatives Beispiel für ein Elektrofotografieverfahren, bei dem das erfindungsgemäße, lichtempfindliche Element in effektiver Weise angewendet werden kann, ist ein Verfahren., bei dem zur Zeit der Aufladung elektrische Ladung von der Seite des Substrats her injiziert wird und bei dem diese Ladung zur Grenzfläche zwischen der isolierenden Schicht und der fotoleitfahigen Schicht wandern gelassen wird. Konkrete Beispiele für ein solches Elektrofotografieverfahren sind aus den Japanischen

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T Auslegeschriften 42-23910, 43-24 748, 42-19748, 44-13437, 49-44902 und anderen bekannt'.Dabei wird durch eine primäre Aufladung, eine sekundäre Aufladung mit zu der primären Aufladung- entgegengesetzter Polarität oder eine Wechselstrom-Ladungsentfernung und gleichzeitige bildmäßige Belichtung und Belichtung der ganzen Oberfläche ein Ladungsbild erzeugt· Bei dem vorstehend beschriebenen Elektrofotografiesystem kann die bildmäßige Belichtung entweder vor oder nach der sekundären Aufladung oder der Wechselstrom-Ladungsentfernung durchgeführt werden. Auf die Belichtung der ganzen Oberfläche kann verzichtet werden.

Die Effektivität der erfindungsgemäßen Ladungsinjektionsschicht wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 3 bis 7 und auf verschiedene Beispiele näher erläutert.

Vergleichsbeispiel 1

wie in Fig. 3 gezeigt wird, wurde eine Aluminiumträgerplatte 1 (50 mm χ 100 mm) in einer Aufdampfkammer 6 in eine vorbestimmte Position gebracht. Die Trägerplatte (oder das Substrat) 1 wurde an einem Festhalteelement 7 befestigt, so daß sie etwa 10 mm von einer zur Erhitzung des Substrats dienenden Heizvorrichtung 16 entfernt war.

Darauf wurden 55 g Se-Pulver (Reinheit: 99,999 %) in ein aus Quarz hergestelltes Verdampfungsschiffchen bzw.

Verdampfungsgefäß 8 gefüllt. Davon getrennt wurden 5 g on
^JU Se-Pulver (Reinheit: 99,999 %), die zuvor mit 200Q ppm Chlor (Cl) dotiert worden waren, in ein aus Quarz hergestelltes Verdampfungssehiffchen 12 gefüllt. Ober den Verdampfungsschiffchen 8 bzw. 12 wurden Wolfram-Heizspiralen 9 bzw. 13 vorgesehen. Dann wurde die in der

Aufdampfkammer 6 befindliche Luft in Richtung des Pfeils 18 entleert, um die Kammer 6 zu evakuieren,- bis ein

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Vakuum von annähernd 67 nbar erreicht war. Nach Abschluß dieser Vorbereitungen wurde die Heizvorrichtung 16 gezündet, um die Temperatur des Substrats 1 auf 60⁰C zu erhöhen. Das Substrat wurde auf diesem Temperaturniveau gehalten.

Unter Bezugnahme auf Fig. 4 werden nachstehend die zeitlichen Veränderungen der Substrattemperatur und der Abscheidungsgesehwindigkeit während der Aufdampfung näher erläutert.

Die Heizspirale 13 über dem Verdampfungsschiffchen 12 wurde in Betrieb gesetzt, um die Temperatur des Schiffchens auf 300⁰C zu erhöhen und dadurch das chlorhaltige Se in dem Verdampfungsschiffchen 12 zu schmelzen.

Wie in Fig. 4 im Zusammenhang mit Fig. 3 gezeigt wird, wurden zu einem Zeitpunkt t.,.. , als das chlorhaltige Se gleichmäßig geschmolzen war, eine Verschlußvorrichtung 15 und die rechte Hälfte einer Verschlußvorrichtung 17 geöffnet, se daß mit der Aufdampfung auf die rechte Hälfte des Substrats 1 in Fig. 3 begonnen werden konnte, die fortgesetzt wurde, bis das chlorhaltige Se in dem Verdampfungsschiffchen 12 verbraucht war (BiI dung der Eadungsinjektionsschicht, Schicht 19 in Fig.-5). Dann wurde zu einem Zeitpunkt t.,», als das chlorhaltige Se'in dem Verdampfungsschiffchen 12 vollständig verbraucht war, die Verschlußvorrichtung 15 geschlossen. Im Anschluß daran wurde die Heizspirale 9 über dem Verdampfungsschiffchen 8 gezündet, um die Temperatur des VerdampfungsSchiffchens 8 in der gleichen Weise wie vorstehend beschrieben auf-"300.⁰C. zu erhöhen und dadurch das Se zu schmelzen. Zu einem Zeitpunkt t.,.,, als das Se in dem Verdampf ungsschiffchen 8 gleichmäßig geschmolzen war, wurden eine Verschlußvorrichtung 11 geöffnet und die Verschlußvor-

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] richtung 17 vollständig geöffnet, um mit der Aufdampfung von Se auf die gesamte Oberfläche des Substrats zu beginnen. Zur gleichen Zeit wurde der durch die Heizvorrichtung 16 fließende Strom reguliert, um die Substrattemperatur allmählich zu erhöhen, wie in Fig. 4 gezeigt wird, so daß die Substrattemperatur bei Beendigung der Aufdanpfung etwa 75°C beträgt. Zu einem Zeitpunkt t..., als das Se in dem Verdampfungsschiffchen 8 fast verbraucht war, wurde der durch die Heizspirale 9 fließende Strom unterbrochen, und die Verschlußvorrichtung 11 wurde geschlossen, um die Aufdampfung von Se zu beenden (Schicht 20 in Fig. 5).

Man fand, daß der abgeschiedene Film in der rechten Hälfte (A) eine Dicke von 60 um und in der linken Hälfte (B) eine Dicke von 55 μΐη hatte (siehe Fig. 5). Die Abscheidungsgeschwindigkeit von Se auf das Substrat 1 betrug annähernd 1,5 μΐη/min. Das Substrat 1 mit der darauf durch Abscheidung aus der Gasphase gebildeten Schicht wurde aus der Aufdampfkammer 6 herausgenommen, und auf die abgeschiedene Oberfläche wurde ein Polycarbonatharz zur Bildung der isolierenden Schicht 4 in einer Dicke von 25 μπι aufgebracht. Auf diese Weise wurde die lichtempfindliche Platte hergestellt. Der Querschnitt der auf diese Weise hergestellten, lichtempfindlichen Platte wird in Fig. 5 gezeigt.

Die auf diese Weise hergestellte, lichtempfindliche Platte wurde als Arbeitsgang der primären Aufladung 0,2s lang einer Koronaentladung mit -6000 V unterzogen, wodurch ihre Oberfläche auf -2000 V aufgeladen wurde. Anschließend wurde 0,2 s lang eine positive Koronaentladung mit der Quellenspannung +6000 V als Arbeitsgang der sekundären Aufladung durchgeführt, um von der

·" Oberfläche der isolierenden Schicht elektrische Ladung

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zu entfernen, worauf dann eine gleichmäßige Gesamtbestrahlung der Oberfläche der lichtempfindlichen Platte durchgeführt wurde. Als Ergebnis zeigte die rechte Seite (A) ein Oberflächenpotential von -900 V, während die linke Seite (B) -800 V zeigte. Als dieser Prozeß mit einem Zyklus von 2 s wiederholt wurde, verminderte sich nach der Gesamtbestrahlung das Oberflächenpotential auf der linken Seite (B) allmählich, und man fand nach 100-maliger Wiederholung "eines solchen Prozesses, daß das Oberflächenpotential der linken Seite (B) -640 V betrug. Andererseits blieb das Oberflächenpotential auf der rechten Seite (A) unverändert, d.h. es betrug selbst nach 100-maliger Wiederholung des Arbeitsganges -900 V.

Vergleichsbeispiel 2

Aus der in Fig. 3 gezeigten Aufdampfkammer 6 wurde das Verdampfungsschiffchen 8 herausgenommen. Danach wurden 60 g Se-Pulver (Reinheit: 99,999 %) , die zuvor mit 2000 ppm Chlor dotiert worden waren, in das Verdampfungsschiffchen 12 gefüllt. Dann wurde nach den gleichen Verfahren wie bei dem vorstehend beschriebenen Vergleichsbeispiel 1 Se unter Bildung einer abgeschiedenen Schicht mit einer Dicke von 60 μΐη auf das Aluminiumsubstrat aufgedampft. Die Beziehung zwischen der Substrattemperatur und der Abscheidungsgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Zeit während dieses Aufdampfungsarbeitsganges wird in Fig. gezeigt. In der grafischen Darstellung bezeichnet der Zeitpunkt t_o _Λ die Öffnung der Verschlußvorrichtung T5 und der Zeitpunkt t_{9 9} das Schließen dieser Verschluß-

^JU vorrichtung. Übrigens wurde die Verschlußvorrichtung während des Arbeitsgangs der Aufdampfung offengelassen.

Das Substrat, auf dem der Film abgeschieden worden war,

wurde aus der Aufdampfkammer 6 herausgenommen, und auf

die Oberfläche des abgeschiedenen Films wurde 0,3~s lang

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im Dunkeln eine positive Koronaentladung mit einer Quellenspannung von +5500 V durchgeführt. Unmittelbar nach dieser Koronaentladung wurde das Oberflächenpotential gemessen; es betrug +150 V. Andererseits wurde die isolierende Schicht aus Polycarbonatharz auf der lichtempfindlichen Platte von Vergleichsbeispiel 1 durch Auflösen mit Methylenchlorid entfernt, dann wurde die Oberfläche dieser Platte unter den gleichen Bedingungen wie vorstehend beschrieben aufgeladen, und unmittelbar darauf wurde das Oberflächenpotential der Platte gemessen. Es zeigte sich, daß das Oberflächenpotential sowohl auf Seite (A) als auch auf Seite (B) bei +1200 V lag.

Durch die vorstehend beschriebenen Versuche wurde gefunden, daß der Dunkelwiderstand der mit dem chlorhaltigen Se beschichteten, lichtempfindlichen Platte (Vergleichsbeispiel 2) viel kleiner ist als der Dunkelwiderstand der mit Se beschichteten, lichtempfindlichen Platte (Vergleichsbeispiel 1). Mit anderen Worten, die

mit chlorhaltigem Se beschichtete, lichtempfindliche

Platte hat im Vergleich zu der mit Se beschichteten, lichtempfindlichen Platte eine sehr hohe Dichte der freien Ladung, und dies bedeutet, daß die lichtempfindliche Platte eine sehr große elektrische Kapazität hat. 25

Die Ursache für den Unterschied, der sich hinsichtlich der Ermüdung bei wiederholter Verwendung in beiden Teilen, (A) und (B), der lichtempfindlichen Platte .in Vergleichsbeispiel 1 ergibt, ist noch nicht geklärt. Aus der Er-

scheinung im Vergleichsbeispiel 2 kann jedoch für die Ursache folgendes angenommen werden:

Wie sich aus dem Vergleichsbeispiel 2 ergab, hat die

durch Aufdampfung von chlorhaltigem Se erhaltene Schicht

auf der Seite (A) der lichtempfindlichen Platte im Ver-

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gleichsbeispiel 1 (die Ladungsinjektionsschicht) eine sehr hohe Dichte der.freien Ladung. Im Gegensatz dazu hat die abgeschiedene Se-Schicht eine niedrige Dichte der freien Ladung. Daher wird angenommen, daß sich die Dichte der freien Ladung an der Grenzfläche zwischen der durch Aufdampfung des chlorhaltigen Se erhaltenen Schicht und der durch Beschichtung mit Se erhaltenen Schicht abrupt verändert.

Andererseits wird angenommen, daß auf der Seite (B) der lichtempfindlichen Platte wegen der Verunreinigung des Substrats, der Adsorption von Molekülen auf der Oberfläche und aus anderen Gründen eine große Zahl von Keimen auf der Oberfläche des Substrats existiert, die eine Kristallisation des abgeschiedenen Se-Films verursachen. Aus diesem Grund neigt der abgeschiedene Se-FiIm in der Nähe der Grenzfläche zwischen dem Film und dem Substrat leicht zur Kristallisation, obwohl sich diese Neigung vermindert, wenn die Aufdampfung fortschreitet,

d. h., wenn sich die Filmdicke erhöht. Die Dichte der freien Ladung vermindert sich proportional dazu.

In Kürze, es wird angenommen, daß das in Fig. 7 gezeigte Diagramm die Veränderungen in der Dichte der freien Ladung auf den Seiten (A) und (B) in Abhängigkeit von der vom Substrat^aus gemessenen Filmdicke wiedergibt.

Wie auf der Seite (B) der lichtempfindlichen Platte

^ou besteht die Neigung, daß sich in der Nähe des Substrats in der fotoleitfähigen Se-Schicht eine positive Raumladung ausbildet, wenn die Dichte der freien Ladung allmählich variiert wird. Daher wird angenommen, daß sich die Ladung, die in die fotoleitfähige Schicht injiziert

werden soll,, mit Zunahme der Anzahl der wiederholten

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Verwendung während der primären Aufladung vermindert, und daß auf diese Weise wegen der wiederholten Verwendung eine Ermüdung verursacht wird.

Beispiel 1

Ein Aluminiumsubstrat (50 mm χ 100 nun) wurde innerhalb der in Fig. 3 gezeigten Aufdampfkammer 6 befestigt, wobei es in einem Abstand von etwa 10 mm von der Heizvorrichtung 16 gehalten wurde. Anschließend wurden 55 g Se-PuI-ver (Reinheit:99,999 %) in das aus Quarz hergestellte Verdampfungschiffchen 8 gefüllt. Davon getrennt wurden

5 g Se-Pulver (Reinheit: 99,999 %) , die zuvor mit 4000 ppm Chlor dotiert worden waren, in das aus Quarz bestehende

■5 Verdampfungsschiffchen 12 gefüllt. Über den Verdampfungsschiffchen 8 bzw. 12 wurden Wolfram-Heizspiralen 9 bzw. 13 vorgesehen. Dann wurde das Innere der Aufdampfkammer

6 evakuiert, bis ein Vakuum von 67 nbar erreicht war. Die Heizvorrichtung 16 wurde gezündet, um die Temperatur

der Aluminium-Trägerplatte auf 60⁰C zu erhöhen, und das Substrat wurde auf dieser Temperatur gehalten. Andererseits wurde die Heizspirale 13 über dem Verdampfungsschiffchen 12 gezündet, um die Temperatur des Verdampfungsschiffchens 12 zum Schmelzen des chlorhaltigen Se auf

300⁰C zu erhöhen. Als das chlorhaltige Se gleichmäßig geschmolzen war, wurden die Verschlußvorrichtungen 15 und 17 voll geöffnet, und die Aufdampfung von Se wurde durchgeführt, bis das chlorhaltige Se in dem Verdampfungsschiffchen 12 verbraucht war. Sobald das chlorhaltige

Se in dem Schiffchen 12 verbraucht war, wurde die Verschlußvorrichtung 15 geschlossen, und der durch die Heizspirale 13 fließende Strom wurde unterbrochen (Bildung der Ladungsinjektionsschicht). Danach wurde die Heizspirale 9 über dem Verdampfungsschiffchen 8 gezündet, und in der gleichen Weise wie vorstehend erwähnt

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* wurde die Temperatur des Verdampfungsschiffchens 8 auf 300⁰C erhöht, um das Se-Pulver in dem Schiffchen zu schmelzen. Sobald das Se-Pulver gleichmäßig geschmolzen war, wurde die Verschlußvorrichtung 11 geöffnet, und das Aufdampfen wurde begonnen. Gleichzeitig wurde die Substrattemperatur durch Regulierung des durch die Heizvorrichtung 16 fließenden Stroms allmählich erhöht, so daß sie am Ende des Aufdampfens 75⁰C betrug. Als das Se in dem Verdampfungsschiffchen 8 fast verbraucht war, wurde der durch die Heizspirale 9 fließende Strom unterbrochen, und die Verschlußvorrichtung 11 wurde geschlossen, um die Aufdampfung zu beenden (Bildung der fotoleitfähigen Schicht) Danach wurde das Vakuum aufgehoben, und das durch Aufdampfen beschichtete Substrat wurde aus der Aufdampfkammer 6 herausgenommen. Dann wurde auf die Oberfläche des aufgedampften Films Polycarbonatharz in einer Dicke von 25 μΐη aufgetragen, um eine isolierende Schicht zu bilden, wodurch man das lichtempfindliche Element erhielt. Die aufgedampfte Schicht hatte eine Dicke von 60 μπι. Die Abscheidungsgeschwindigkeit des Films auf das Substrat betrug etwa 1 ,5 μπι/ΐηϊη.

Das auf diese Weise hergestellte, lichtempfindliche Element wurde einer primären, elektrischen Aufladung unterzogen, indem 0,2 s lang eine Koronaentladung mit -6000 V durchgeführt wurde, wobei seine Oberfläche auf -2000 V aufgeladen wurde. Dann wurde das lichtempfindliche Element einer sekundären Aufladung unterzogen, indem

__n 0,2 s lang eine positive Koronaentladung mit einer Stromquellenspannung von +6000 V durchgeführt wurde, wodurch die Ladung gleichmäßig von der Oberfläche der isolierenden Schicht entfernt wurde. Anschließend, als die gesamte Oberfläche gleichmäßig bestrahlt worden war, be-

oc trug das Oberflächenpotential -900 V.

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] Das vorstehend beschriebene Verfahren wurde in einem Zyklus von 2 s wiederholt durchgeführt, und das Oberflächenpotential wurde nach der lOOsten Bestrahlung der gesamten Oberfläche gemessen. Man fand das gleiche 5 Oberflächenpotential wie am Anfang, -900 V, und keinerlei Ermüdungserscheinung konnte festgestellt werden.

Beispiel 2

Die Oberfläche'eines Aluminiumsubstrats (50 mm χ 100 mm) wurde auf einer Seite durch anodische Oxidation einer Alumitbehandlung (Dicke 10 μΐη) unterzogen. Dann wurde das Aluminiumsubstrat so in der in Fig. 3 gezeigten Aufdampfkammer 6 befestigt, daß die der Alumitbehandlung unterzogene Oberfläche zu dem Verdampfungboot zeigte, wobei das Substrat in einer Entfernung von etwa 10 mm von der Heizvorrichtung 16 gehalten wurde. Das Aufdampfen wurde unter genau den gleichen Bedingungen wie vorstehend in Beispiel 1 beschrieben durchgeführt. Nach der Abscheidung wurde mit Polycarbonatharz eine isolierende Schicht gebildet, um das lichtempfindliche Element zu erhalten.

Das auf diese Weise hergestellte, lichtempfindliche Element wurde als primärer Aufladung einer 0,2 s lang dauernden, negativen Koronaentladung mit -6000 V unterzogen, um die Oberfläche auf -2000 V aufzuladen, dann wurde das lichtempfindliche Element als sekundärer Auf ladung einer 0,2 s lang dauernden, positiven Koronaentladung mit +6000 V unterzogen, um die Ladung auf der Oberfläche der isolierenden Schicht zu entfernen. Anschließend, als die gesamte Oberfläche des lichtempfindlichen Körpers gleichmäßig bestrahlt worden war, zeigte er ein Oberflächenpotential von -800 V.

Das vorstehend beschriebene Verfahren wurde mit einem Zylklus von 2 s wiederholt durchgeführt, und nach der

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lOOsten Bestrahlung der gesamten Oberfläche wurde der Wert des Oberflächenpotentials gemessen. Der Wert war der gleiche geblieben wie der anfängliche Wert von -800 V, und es konnte keine Ermüdungserscheinung festig gestellt werden.

Beispiel 3

In der in Fig. 3 gezeigten Aufdampfkammer 6 wurde ein - Aluminiumsubstrat (50 mm χ 100 mm) so befestigt, daß es etwa 10 mm von der Heizvorrichtung 16 entfernt gehalten wurde. Dann wurden 55 g einer pulverförmigen SeTe-Legierung (Te-Gehalt: 10 Gew.-%; Reinheit: 99,999 %) in das aus Quarz bestehende Verdampfungsschiffchen oder -gefäß gefüllt, und gleichzeitig wurde eine pulverförmige SeTe-Legierung (Te-Gehalt: 10 Gew.-%; Reinheit: 99,999 %) , die zuvor mit 1000 ppm Chlor dotiert worden war, in ein separates Verdampfungsschiffchen 12 aus Quarz gefüllt, über den Verdampfungsschiffchen 8 bzw. 12 wurden Wolfram-Heizspiralen 9 bzw. 13 vorgesehen. Dann wurde die Aufdampfkammer 6 evakuiert, bis ein Vakuum von 67 nbar erreicht war. Anschließend wurde die Heizvorrichtung 16 gezündet, um die Temperatur des Aluminiumsubstrats auf 6 0⁰C zu erhöhen, und das Substrat wurde auf dieser Temperatur gehalten. Dann wurde die Heizspirale 13 über dem Verdampfungsschiffchen 12 gezündet, um die Temperatur des Verdampfungsschiffchens 12 auf 32O⁰C zu erhöhen und dadurch das chlorhaltige SeTe zu schmelzen. Als das chlorhaltige SeTe gleichmäßig geschmolzen war, wurden die Verschlußvorrichtungen 15 und 17 vollständig geöffnet, und das Aufdampfen auf das Aluminiumsubstrat wurde fortgesetzt, bis das chlorhaltige SeTe in dem Verdampfungsschiffchen 12 fast verbraucht war. Zu dem Zeitpunkt, als das chlorhaltige SeTe in dem Verdampfungsschiff-, chen 12 verbraucht war, wurde die Verschlußvorrichtung geschlossen, und der durch die Heizspirale 13 fließende

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] Strom wurde unterbrochen (Bildung der Ladungsinjektionsschicht). Danach wurde die Heizspirale 9 über dem Verdampfungsschiffchen 8 gezündet, um in gleicher Weise wie vorstehend beschrieben die Temperatur des Verdampfungs-Schiffchens 8 auf 320⁰C zu erhöhen und dadurch die pulverförmige SeTe-Legierung zu schmelzen. Als die pulverförmige SeTe-Legierung gleichmäßig geschmolzen war, wurde die Verschlußvorrichtung 11 geöffnet, und das Aufdampfen wurde begonnen. Zur gleichen Zeit wurde die Substrattemperatur durch Regulierung des durch die Heizvorrichtung 16 fließenden Stroms allmählich erhöht, so daß die Substrattemperatur am Ende des Aufdampfens etwa 75⁰C betrug. Als die SeTe-Legierung in dem Verdampfungsschiffchen 8 im wesentlichen verbraucht war, wurde der durch die Heizspirale 9 fließende Strom unterbrochen, und die Verschlußvorrichtung 11 wurde geschlossen, um die Aufdampfung zu beenden (Bildung der fotoleitfähigen Schicht). Danach wurde das Vakuum aufgehoben, und das durch Aufdampfen beschichtete Substrat wurde aus der Aufdampfkammer 6 herausgenommen. Anschließend wurde zur Bildung einer isolierenden Schicht auf die Oberfläche des aufgedampften Films Polycarbonatharz in einer Dicke von 25 μπι aufgetragen. Auf diese Weise wurde ein lichtempfindliches Element hergestellt. Die Dicke der aufgedampften Schicht betrug 60 μΐη. Die Abscheidungsgeschwindigkeit des aufgedampften Films betrug etwa 1,5 um/min.

Das auf diese Weise hergestellte, lichtempfindliche Element wurde unter den gleichen Aufladebedingungen, mit der gleichen Aufladezeit und mit dem gleichen, wiederholten Zyklus wie vorstehend in Beispiel 1 beschrieben verwendet. Das Oberflächenpotential nach>der lOOsten Bestrahlung der gesamten Oberfläche betrug -800 V; dieser Wert unterschied sich nicht von dem Wert, der bei der ersten Bestrahlung der gesamten Oberfläche gemessen wurde,

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und keinerlei Ermüdungserscheinung konnte festgestellt werden.

Beispiel 4

in der in Fig. 3 gezeigten Aufdampfkammer 6 wurde ein Aluminiumsubstrat (50 mm χ 100 mm) so befestigt, daß es in einer Entfernung von etwa 10 mm von der Heizvorrichtung 16 gehalten wurde. Dann wurden 55 g Se-Pulver (Reinheit: 99,999 %) in das aus Quarz bestehende Verdampfungsschiffchen 8 gefüllt. Getrennt davon wurden 5 g Se-Pulver (Reinheit: 99,999 %) , die zuvor mit 1000 ppm SeJ dotiert worden waren, in das Verdampfungsschiffchen 12 gefüllt, über den Verdampfungsschiffchen 8 bzw. 12 wurden Wolfram-Heizspiralen 9 bzw. 13 vorgesehen, und die Aufdampfkammer 6

'5 wurde evakuiert, bis ein Vakuum von 67 nbar erreicht war. Dann wurde die Heizvorrichtung 16 gezündet, um die Temperatur des Aluminiumsubstrat auf 6O⁰C zu erhöhen, und das Substrat wurde auf dieser Temperatur gehalten. Dann wurde die Heizspirale 13 über dem Verdampfungsschiffchen 12

gezündet, und die Temperatur des Schiffchens 12 wurde auf 300⁰C erhöht, um das jodhaltige Se zu schmelzen. Als das jodhaltige Se gleichmäßig geschmolzen war, wurden die Verschlußvorrichtungen 15 und 17 vollständig geöffnet, und das Aufdampfen auf das Aluminiumsubstrat wurde

fortgesetzt, bis das jodhaltige Se in dem Verdampfungsschiffchen 12 verbraucht war. Als das jodhaltige Se in dem Verdampfungsschiffchen 12 verbraucht war, wurde die Verschlußvorrichtung 15 geschlossen, und der durch die Heizspirale 13 fließende Strom wurde unterbrochen (BiI-

dung der Ladungsinjektionsschicht).

Danach wurde die Heizspirale 9 über dem Verdampfungsschiffchen 8 gezündet, und die Temperatur des Schiffchens 8 wurde auf 300⁰C erhöht, um in der gleichen Wei-

se wie vorstehend beschrieben das Se-Pulver in dem Schiff-

T chen zu schmelzen. Als das Se-Pulver gleichmäßig geschmolzen war, wurde die Verschlußvorrichtung 11 geöffnet, um das Aufdampfen zu Beginnen. Zur gleichen Zeit
wurde die Substrattemperatur durch Regulierung des durch die Heizvorrichtung 16 fließenden Stroms allmählich erhöht, so daß die Substrattemperatur am Ende des Aufdampfens etwa 75⁰C betrug. Als das Se in dem Verdampfungsschiffchen 8 im wesentlichen verbraucht war, wurde der durch
die Heizspirale 9 fließende Strom unterbrochen, und die

TO Verschlußvorrichtung 11 wurde geschlossen, um das Aufdampfen zu beenden ( Bildung der fotoleitfähigen Schicht). Danach wurde das Vakuum aufgehoben, und das durch Aufdampfung beschichtete Substrat wurde aus der Aufdampfkammer 6 herausgenommen. Dann wurde zur Bildung der iso-

'5 lierenden Schicht Polycarbonatharz in einer Dicke von
25 pm auf die Oberfläche des aufgedampften Films aufgebracht. Auf diese Weise wurde eine lichtempfindliche
Platte hergestellt. Die Dicke der aufgedampften Schicht betrug 60 μΐη. Die Abscheidungsgeschwindigkeit der aufge-

^ dampften Schicht auf das Substrat betrug 1,5 um/min.

Als die auf diese Weise hergestellte, lichtempfindliche Platte unter den gleichen Bedingungen wie vorstehend in Beispiel 1 beschrieben wiederholt verwendet wurde, be-

trug das Oberflächenpotential nach der ersten Bestrahlung der gesamten Oberfläche -90Q V, und dieser Wert
war unverändert, nachdem die gesamte Oberfläche 100 mal bestrahlt worden war, so daß keine Ermüdungserscheinung

festgestellt werden konnte.
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Beispiel 5

In der in Fig. 3 gezeigten Aufdampfkammer 6 wurde ein Aluminiumsubstrat (50 mm χ 100 mm) so befestigt, daß es etwa 10 mm von der Heizvorrichtung 16 entfernt gehalten wurde. In das Verdampfungs-schiffchen 8 aus Quarz wurden

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T 55 g Se-Pulver (Reinheit: 99,999 %) gefüllt. Getrennt davon wurde eine pulverförmige SeTe-Legierung (Reinheit: 99,999 %; Te-Gehalt: 15 Gew.-%), die zuvor mit 2000 ppm Chlor dotiert worden war, in das aus Quarz bestehende Ver-5". dampfungsschiffchen 12 gefüllt, über den Verdampfungsschiffchen 8 bzw. 12 wurden Wolfram-Heizspiralen 9 bzw. 13 vorgesehen, und das Innere der Aufdampfkammer 6 wurde evakuiert, bis ein Vakuum von 67 nbar erreicht war. Anschließend wurde die Heizvorrichtung 16 gezündet, um die Temperatur des Aluminiumsubstrats auf 60⁰C zu erhöhen, und das Substrat wurde auf dieser Temperatur gehalten. Die Heizspirale 13 über dem Verdampfungsschiffchen 12 wurde gezündet, und die Temperatur des Verdampfungschiffchens 12 wurde auf 340^C erhöht, um das chlorhaltige SeTe zu schmelzen. Als das chlorhaltige SeTe gleichmäßig geschmolzen war, wurden die Verschlußvorrichtungen 15 und vollständig geöffnet, und das Aufdampfen auf das Aluminiumsubstrat wurde fortgesetzt, bis das chlorhaltige SeTe in dem Verdampfungsschiffchen 12 verbraucht war. Als das chlorhaltige SeTe in dem Verdampfungsschiffchen 12 verbraucht war, wurde die Verschlußvorrichtung 15 geschlossen, und der durch die Heizspirale 13 fließende Strom wurde unterbrochen (Bildung der Ladungsinjektionsschicht). Danach wurde die Heizspirale 9 über dem Verdampfungschiff-

chen 8 gezündet, und die Temperatur des Schiffchens 8 wurde in der gleichen Weise wie vorstehend erwähnt auf 300⁰C erhöht, um dadurch das Se-Pulver in dem Schiffchen zu schmelzen. Als das Se-Pulver gleichmäßig geschmolzen war, wurde die Verschlußvorrichtung 11 geöffnet, und das Aufdampfen wurde begonnen. Zur gleichen Zeit wurde die Substrattemperatur durch Regulierung des durch die Heizvorrichtung 16 fließenden Stroms allmählich erhöht, so daß die Substrattemperatur am Ende des Aufdampfens 75⁰C betrug. Als das Se in dem Verdampfungsschiffchen 8 im

wesentlichen verbraucht war, wurde der durch die Heiz-

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spirale 9 fließende Strom unterbrochen, und die Verschlußvorrichtung 11 wurde geschlossen, ura das Aufdampfen zu beenden (Bildung der fotoleitfähigen Schicht). Danach wurde das Vakuum aufgehoben, und das durch Aufdampfen beschichtete Substrat wurde aus der Aufdampfkammer 6 herausgenommen, wonach zur Bildung der isolierenden Schicht Polycarbonatharz in einer Dicke von 25 um auf die Oberfläche des aufgedampften Films aufgetragen wurde. Auf diese Weise wurde eine lichtempfindliche Platte hergestellt. Die Filmdicke der aufgedampften Schicht betrug 60 μια, und die Abscheidungsgeschwindigkeit des aufgedampften Films auf das Substrat betrug 1,5 um/min.

Die auf diese Weise hergestellte, lichtempfindliche Platte wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 beschrieben wiederholt verwendet. Nach der ersten Bestrahlung der gesamten Oberfläche betrug das Oberflächenpotential -830 V, und dieser Wert blieb unverändert, nachdem die gesamte Oberfläche 100 mal bestrahlt worden war, daher konnte keinerlei Ermüdungserscheinung festgestellt werden.

Beispiel 6

Die in den Beispielen 1 bis 5 hergestellten, lichtempfindlichen Elemente wurden wiederholt dem Verfahren der primären Aufladung, der sekundären Gleichstrom-Entladung mit entgegengesetzter Polarität zu der primären Aufladung unter gleichzeitiger bildmäßiger Belichtung und der Bestrahlung der gesamten Oberfläche unterzogen, um ein Bild zu erzeugen. Es konnten Bilder erzeugt werden, die hervorragend und originalgetreu waren.

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-η-

Leerseife

Claims

Patentansprüche

M Λ Lichtempfindliches Element für die Elektrofotografie, bestehend aus einer Injektionsschicht für die elektrische Ladung (Ladungsinjektionsschicht) (2), einer amorphen, fotoleitfähigen Schicht (3) auf der Ladungsinjektionsschicht und einer isolierenden Schicht (4) auf der amorphen, fotoleitfähigen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsinjektionsschicht Halogen als Fremdstoff enthält.
2. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halogengehalt in der Ladungsinjektionsschicht (2) zwischen 10 ppm und 10 000 ppm liegt.
3. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsinjektionsschicht (2) eine Dicke von 0,5 um bis 15 um hat.
4. Lichtempfindliches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsinjektionsschicht (2) aus einem Chalkogenelement und einem Halogen oder aus einem Halbleiter mit einem Chalkogenelement als Hauptbestandteil und einem Halogen besteht.
5. Lichtempfindliches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem eine zusätzliche isolierende Schicht (5) enthält, auf der die Ladungsinjektionsschicht (2) gebildet vzorden ist.

XI/17

9 0 9821/0607

Deutsche Bank (München) KIo. 51/61070

Dresdner Bank (München) KIo. 3039 844

Posischeck (München) KIo- 670-43 804
6. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe, fotoleitfähige Schicht (3) zur Selenreihe gehört.
7. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsinjektionsschicht (2) aus einem Halbleiter der Selenreihe und einem Halogen besteht, das als Fremdstoff in dem Halbleiter der Selenreihe enthalten ist. 10

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