DE1597840C - Verfahren zur Verbesserung der Photo leitfähigkeit im Vakuum auf einem Schicht trager abgelagerter Cadmiumsulfid Schichten - Google Patents

Description

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Silbers zu, es treten jedoch auch bei dieser Behänd- die Cadmiumsulfid-Schicht erhält man einen maxi-

lung in stärkerem Ausmaß kleine Hohlräume auf. malen H/D-Quotienten. Setzt man die Einwirkung

Andererseits kann auch eine dünne Schicht von über die optimale Einwirkungsdauer hinaus fort, so metallischem Kupfer oder Silber im Vakuum auf die nimmt der Quotient H/D gegenüber dem vorher er-Oberfläche der beschriebenen Cadmiumsulfid-Schichten 5 haltenen Maximum wieder ab. Diese Abnahme des aufgedampft werden, worauf man die benachbart Quotienten H/D läßt sich jedoch reversibel steuern, angeordneten, im Vakuum abgelagerten Schichten d. h. durch anschließendes Inkontaktbringen der des Cadmiumsulfids und des Elektronenakzeptors in Cadmiumsulfid-Schicht mit dampfförmigem metallieinem Inertgas, wie beispielsweise Argon, einbrennt. schem Cadmium unter entsprechenden erhöhten Ein solches Diffusionsverfahren ermöglicht niedri- io Temperatur- und verminderten Druckbedingungen, gere Behandlungstemperaturen und eine kürzere Be- wie sie für die Primärreaktion der Cadmiumsulfidhandlungszeit. Wird jedoch das metallische Kupfer Schicht mit dampfförmigem Kupfer(I)- und/oder oder Silber direkt eingebrannt, so muß zur Erzielung Silberhalogenid eingehalten wurden, läßt sich der einer Ladungsneutralität gleichzeitig ein Coaktivator durch die »Überreaktion« der Cadmiumsulfid-Schicht mit eingebrannt werden. Ein solcher Coaktivator muß 15 mit dem dampfförmigen Kupfer(I)- und/oder Silberin diesem Falle ein Gitterdefekt sein, der die Photo- halogenid erniedrigte Quotient H/D wieder erhöhen, leitfähigkeit nachteilig beeinflußt. Weiterhin diffun- Durch die Erfindung wird erreicht, daß im Vakuum diert der Elektronenakzeptor bei diesem Verfahren auf einem Schichtträger abgelagerte Cadmiumsulfidnicht mit gleichmäßiger Geschwindigkeit in die Cad- Schichten ausgezeichneter Photoleitfähigkeit zur Vermiumsulfid-Schicht, wodurch leitfähige Bezirke ent- 20 fügung stehen, ohne daß zu ihrer Herstellung die stehen, wo höhere Sulfidkonzentrationen des Elektro- Nachteile des bekannten, Cadmiumsulfidpulver mit nenakzeptors vorhanden sind. Auf diese Art und Dotierionen verwendenden Verfahrens in Kauf ge-Weise nimmt die Dunkelleitfähigkeit zu, wobei der nommen werden müssen.

Quotient H/D zwangläufig kleiner wird. Eine Ver- Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung wird als

kürzung der Behandlungszeit und eine Erniedrigung 25 Silberhalogenid Silberchlorid verwendet. Durch diese

der Behandlungstemperatur verhindern zwar die BiI- Ausgestaltung wird erreicht, daß Cadmiumsulfid-

dung überschüssigen Sulfids, der Quotient H/D der Schichten von besonders vorteilhafter Photoleitfähig-

im Vakuum abgelagerten Cadmiumsulfid-Schicht wird keit erhalten werden.

jedoch dabei nicht ausreichend genug erhöht (vgl. Andere, zur Durchführung des Verfahrens der Er-

H. H. W ο ο d b u r y, »Diffusion and Solubility of 30 findung geeignete Halogenide sind beispielsweise

Silver in Cadmium Sulfide«, Journal of Applied Kupfer(I)-chlorid, Kupfer(I)-bromid, Silberjodid und

Physics, Bd. 36, 1965, S. 2287). Silberfluorid.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Die Ablagerung der Cadmiumsulfid-Schichten auf Verbesserung der Photoleitfähigkeit im Vakuum auf Schichtträgern kann nach bekannten Verfahren ereinen Schichtträger abgelagerter Cadmiumsulfid- 35 folgen, nach denen bindemittelfreie lichtempfindliche Schichten anzugeben, bei dessen Durchführung bei Stoffe, wie beispielsweise Silberhalogenide und Cadniedrigen Arbeitstemperaturen ein Elektronenakzep- miumsulfid, auf Schichtträgern durch Vakuumbedamptor rasch in die Cadmiumsulfid-Schicht eingeführt fung niedergeschlagen werden können. Hierzu gewerden kann, ohne daß hierzu die Verwendung eines eignete Vorrichtungen sind beispielsweise aus den dotierten Trägers erforderlich ist. Gleichzeitig sollte 40 USA.-Patentschriften 1 970 496 und 3 316 096 bedie Stöchiometrie der im Vakuum abgelagerten Cad- kannt,

miumsulfid-Schichten erhöht und die Bildung von Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung

Hohlräumen vermindert werden. Ferner sollte die geht man von Cadmiumsulfid-Schichten einer Dicke

bei der Durchführung des Verfahrens stattfindende von 1 bis 5 Mikrometer aus. Als besonders vorteilhaft

Umsetzung leicht umkehrbar sein. 45 haben sich dabei Schichten einer Dicke von 1,5 bis

Es wurde gefunden, daß sich die gestellte Aufgabe 3 Mikrometer erwiesen. Durch diese Ausgestaltung dadurch lösen läßt, daß man auf im Vakuum auf wird erreicht, daß-Cadmiumsulfid-Schichten geschaffen Schichtträgern abgelagerte dünne Cadmiumsulfid- werden, die sich in elektrophotographischen Auf-Schichten Cuprohalogenid- oder Silberhalogenid- Zeichnungsmaterialien besonders bewährt haben. Es dämpfe einwirken läßt und im Falle einer Überdosie- 5° hat sich gezeigt, daß bei Schichtdicken von beträchtrung des dampfförmigen Kupfer(II)- und/oder Silber- lieh weniger als 1 Mikrometer gelegentlich kleine halogenids auf die Cadmiumsulfid-Schichten bei er- Hohlräume entstehen können, während bei Schichthöhter Temperatur und vermindertem Druck dampf- dicken, welche beträchtlich über 5 Mikrometer liegen, förmiges Cadmium einwirken läßt. eine Lichtabsorption in der Cadmiumsulfid-Schicht

Der Gegenstand der Erfindung geht aus von einem 55 lediglich in den obersten 5 Mikrometern der Schicht

Verfahren zur Verbesserung der Photoleitfähigkeit stattfindet, wobei der Widerstand des unbelichteten

im Vakuum auf einem Schichtträger abgelagerter Schichtteils die Zunahme der Helleitfähigkeit auf

Cadmiumsulfid-Schichten und ist dadurch gekenn- einen günstigen Wert verhindert,

zeichnet, daß man die Cadmiumsulfid-Schichten bei Als Schichtträger für die Cadmiumsulfid-Schichten

erhöhter Temperatur und vermindertem Druck der ^6o können die verschiedensten, für elektrophotographi-

Einwirkung von dampfförmigem Kupfer(I)- oder sehe Verfahren allgemein üblichen Schichtträger ver-

Silberhalogenid aussetzt und daß man gegebenen- wendet werden. In vorteilhafter Weise verwendet man

falls bei Uberdosierung des dampfförmigen Kupfer(I)- nichtleitende Schichtträger, wie beispielsweise Quarz,

oder Silberhalogenids auf die Cadmiumsulfid-Schich- hartes oder weiches Glas, keramische Materialien

ten bei erhöhter Temperatur und vermindertem Druck 65 und mit keramischen Materialien beschichtete Me-

dampfförmiges Cadmium einwirken läßt. taue. Geeignete leitende Schichtträgermaterialien sind

Bei einer optimalen Einwirkungsdauer des gas- beispielsweise Aluminium, Titan und Palladium. Mit

förmigen Kupfer(I)- und/oder Silberhalogenids auf einer dünnen Oxydschicht, Gold oder anderen leiten-

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den Materialien beschichtete Glasträger können eben- miumsulfid-Schicht auf einen Maximalwert zu er-

falls als leitende Schichtträger verwendet werden. höhen. Es darf hierbei jedoch nicht so lange erhitzt

Die verwendeten Schichtträger müssen lediglich die werden, daß der Leitfähigkeitsquotient infolge über-

beim Verfahren der Erfindung angewandten Reak- mäßiger Kupfer(I)- und/oder Silbersulfidbildung getionstemperaturen aushalten. 5 genüber dem vorher erhaltenen Maximalwert abfällt.

Das Verfahren der Erfindung wird zweckmäßig Während des Erhitzens nimmt die gelbe Cadmium-

in der Weise ausgeführt, daß man einen im Vakuum sulfid-Schicht eine dunkle Färbung an, da das ge-

mit einer dünnen Cadmiumsulfid-Schicht bedampften bildete Silber- und/oder Kupfersulfid eine dunklere

Schichtträger zusammen mit einem Silber- und/oder Farbe besitzen. Die vorherrschende Farbe bleibt Kupfer(I)-halogenid in ein verschließbares Gefäß ein- io jedoch die des Cadmiumsulfids. Nach Beendigung

bringt und dieses samt Inhalt in einen Ofen oder eine des Erhitzens wird das Gefäß samt Inhalt abgekühlt,

andere geeignete Heizvorrichtung stellt. Setzt man die Umsetzung des Kupfer®- und/oder

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung läßt Silberhalogenids mit der Cadmiumsulfid-Schicht bis

man das Kupfer(I)- oder Silberhalogenid bei Reak- zu einem Punkt fort, bei welchem ein etwas niedrigerer tionstemperaturen von 350 bis 500⁰C einwirken. 15 als der vorher erhaltene maximale Leitfähigkeits-

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung quotient erreicht ist [die Abnahme des Quotienten

verfährt man in der Weise, daß man den Druck bei gegenüber dem Maximalwert ist vornehmlich auf

Einwirkung des Kupfer(I)- oder Silberhalogenids so die Anwesenheit überschüssigen Silber- und/oder

weit erniedrigt, daß dieser nicht größer ist als der Kupfer(I)-sulfids in der im Vakuum abgelagerten

Dampfdruck des verwendeten Halogenide bei Reak- 20 Cadmiumsulfid-Schicht zurückzuführen], so läßt sich

tionstemperatur. die hierdurch bedingte Erniedrigung des Leitfähig-

Durch diese Ausgestaltungen wird erreicht, daß keitsquotienten leicht korrigieren, d. h. das Verhält- (

photoleitfähige Schichten mit besonders günstigen nis H/D wieder erhöhen, wenn man die überschüssiges

H/D-Quotienten erhalten werden. _ Silber- und/oder Kupfer(I)-sulfid enthaltende Cad-

■ Die Reaktionszeit des Cadmiumsulfids und des ²5 miumsulfid-Schicht mit dampfförmigem metallischem

Halogenide kann sehr verschieden sein. Sie hängt Cadmium in Kontakt bringt.

in starkem Maße von der gewählten Reaktionstem- Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung

peratur ab. . der Erfindung verfährt man in der Weise, daß man

Der beim Verfahren der Erfindung ablaufende bei Überdosierung von Kupfer(I)- oder Silberhalo-

Reaktionsmechanismus ist noch nicht ganz geklärt. 3° genid Cadmium bei Reaktionstemperaturen von 200

Möglicherweise verdrängen die Silber- und/oder bis 500° C auf die Schichten einwirken läßt. Dabei

Kupferionen des verwendeten Halogenide beim Er- verfährt man in vorteilhafter Weise derart, daß man

hitzen die Cadmiumionen des Cadmiumsulfids, wobei den Druck bei Einwirkung des Cadmiums so weit

in der im Vakuum abgelagerten Cadmiumsulfid- - erniedrigt, daß dieser nicht größer ist als der Dampf -

Schicht Silbersulfid· und/oder Kupfer(I)-sulfid ent- 35 druck des metallischen Cadmiums bei Reaktions-

steht, d. h., daß in der Schicht Silber und/oder Kupfer temperatur. Durch diese Ausgestaltung der Erfindung

an die Stelle des Cadmiums treten. Das gleichzeitig wird erreicht, daß sich Überdosierungen in einfach

gebildete Cadmiumhalogenid entweicht offensichtlich durchzuführender Weise schnell rückgängig machen

dampfförmig und beeinflußt die Cadmiumsulfid- lassen.

Schicht nicht nachteilig. Zusätzlich wird durch das 4<> Nachdem lange genug erhitzt worden ist, um den -Entweichen des Cadmiumhalogenids das nachteilige Quotienten H/D der Cadmiumsulfid-Schicht zu erEindringen eines Halogens, d. h. eines Elektronen- höhen, wird die Umsetzung durch Erniedrigen der donators, in die Cadmiumsulfid-Schicht verhindert. Temperatur unterbrochen. Metallisches Cadmium , Silber und Kupfer, die im Vergleich zu Cadmium verdampft unter den angegebenen Temperatur- und ^ Elektronenakzeptoren darstellen, ziehen bei der Aus- 45 Druckbedingungen rasch. Ist die Verdampfung bereits bildung von Bindungen' zusätzlich Elektronen an. vor Erniedrigen d.er Reaktionstemperatur beendet, so Somit nimmt die Gesamtzahl der freien Elektronen wird die im Vakuum abgelagerte Cadmiumsulfid- und folglich auch die Dunkelleitfähigkeit ab. Dadurch Schicht, deren H/D-Quotient infolge einer Überwiederum erhöht sich der Quotient H/D der Cad- dosierung von Silber- und/oder Kupfer(I)-halogenid miumsulfid-Schicht. 50 unter den Maximalwert abgesunken war, für. den

Bei den erhöhten Temperaturen kann es auch zu Rest der Erhitzungsdauer vermindertem Druck und

einer Umkristallisation der aufgedampften Cadmium- erhöhter Temperatur ausgesetzt.

sulfid-Schicht kommen, wobei infolge selektiven Beim Erhitzen in Gegenwart von Cadmiumdämpfen

Kristallwachstums auf Kosten umliegender Kristalle wird offensichtlich ein Teil des Silbersulfides oder

die Anzahl interkristalliner Sperrschichten vermindert 55 Kupfer(I)-sulfides in metallisches Silber und Cad-

und durch Steigerung der Helleitfähigkeit der Quotient miumsulfid bzw. Kupfer und Cadmiumsulfid über-

H/D erhöht werden. Diese beiden Reaktionen be- geführt. Das metallische Silber oder das metallische

wirken im Endeffekt eine Zunahme des Leitfähigkeits- Kupfer neigt dann dazu, aus der Cadmiumsulfid-

quotienten der Cadmiumsulfid-Schicht. Schicht zu verdampfen. In der Cadmiumsulfid-Schicht

Gelangt jedoch zu viel metallisches Silber und/oder ^6o zurückbleibendes metallisches Silber oder Kupfer

Kupfer in die Cadmiumsulfid-Schicht, so entstehen bleibt in Form einzelner diskreter Flecken (spots)

zu große Mengen an Silber- und Kupfersulfid. In zurück, welche keinen Kurzschluß in der Cadmium-

diesem Fall dominiert deren hohe Eigenleitfähigkeit sulfid-Schicht hervorrufen, wenn auf diese eine La-

über die vorteilhafte Verringerung der freien Elek- dung aufgebracht wird. Diese einzelnen Flecken aus

tronen, wodurch die Dunkelleitfähigkeit erhöht und ⁶5 metallischem Silber oder Kupfer beeinflussen anderer-

somit der Quotient H/D erniedrigt wird. seits aber auch die Photoleitereigenschaften der Cad-

Das Erhitzen wird hierauf lange genug fortgesetzt, miumsulfid-Schicht nicht ungünstig,

um das Verhältnis H/D der aufgedampften Cad- Die Messungen, aus denen die H/D-Leitfähigkeits-

quotienten hier berechnet werden, erfolgten zunächst in Widerstandseinheiten nach dem in der Zeitschrift »PHILLIPS RESEARCH REPORTS«, 13, S. 1 bis 9 (1958), beschriebenen Van-der-Pauw-Verfahren. Die Widerstandseinheiten wurden hierauf in die reziproken Leitfähigkeitswerte umgerechnet.

Die folgenden Beispiele sollen das Verfahren der Erfindung näher veranschaulichen.

ti e ι s ρ ι e 1 1

Ein Stück weiches Glas, auf welches in einer Vakuumbedampfungsvorrichtung bei einer Temperatur von 175°C und einem Druck von 10~⁷ Torr eine 2 Mikron dicke Cadmiumsulfid-Schicht mit einem H/D-Leitfähigkeitsquotienten von 1,5 aufgedampft worden war, wurde in der Weise in ein Glasrohr gelegt, daß die Schichtseite in einer Entfernung von 2 cm festen Silberchloridkristallen gegenüberlag. Das Glasrohr wurde zugeschmolzen, auf 400⁰C erhitzt und auf einen Druck von 10~⁵ Torr evakuiert. Der Prüfling und das Silberchlorid wurden 2 Stunden und 50 Minuten bei dieser Temperatur aufbewahrt, wobei die gelbe Cadmiumsulfid-Schicht dunkler wurde. Nach dem Abkühlen des Prüflings wurde der Leitfähigkeitsquotient gemessen. Das Verhältnis H/D betrug nun 10⁵. Das Auftreten von Hohlräumen konnte nicht beobachtet werden. Entsprechende Ergebnisse wurden erhalten, wenn an Stelle von Silberchlorid Kupfer(I)-chlorid verwendet wurde.

^{B e} » ^s P^{J e} * ²

Nach dem im Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurde ein entsprechender Prüfling 2 Stunden und 50 Minuten lang bei einer Temperatur von 400⁰C und einem Druck von 10~⁵Torr mit Silberchlorid umgesetzt. Nach dem Abkühlen besaß der Prüfling einen Leitfähigkeitsquotienten H/D von 10⁴.

. .
Beispiel 3

Nach dem im Beispiel 1 beschriebenen Verfahren wurde ein entsprechender Prüfling 3 Stunden und 10 Minuten lang bei 400° C und einem Druck von 10~⁵Torr mit Silberchlorid umgesetzt. Nach dem Abkühlen betrug der Leitfähigkeitsquotient H/D des Prüflings 10⁴.

B e i s ρ i e 1 4

Ein Stück weiches Glas, auf welchem durch Vakuumbedampfung bei einer Temperatur von 175⁰C und einem Druck von 10~⁷ Torr eine 2 Mikron dicke Cadmiumsulfid-Schicht mit einem H/D-Leitfähigkeitsquotienten von 1,5 aufgetragen worden war, wurde in der Weise in ein Glasrohr gelegt, daß die Schichtseite in einer Entfernung von 2 cm festen Silberchloridkristallen gegenüberlag. Das Glasrohr wurde zugeschmolzen, auf 425⁰C erhitzt und auf einen Druck von 1O^-5 Torr evakuiert. Der Prüfling und das Silberchlorid wurden 1 Stunde und 37 Minuten lang bei dieser Temperatur aufbewahrt, wobei die gelbe Cadmiumsulfid-Schicht dunkler wurde. Nach dem Abkühlen betrug der Quotient H/D des Prüflings 7 · 10^a. Der Prüfling wurde hierauf zusammen mit etwas metallischem Cadmium in ein anderes Glasrohr gebracht, welches nach dem Zuschmelzen auf eine Temperatur von 400⁰C erhitzt und auf einen Druck von 10~⁵ Torr evakuiert wurde. Es wurde 50 Minuten lang erhitzt und anschließend auf Raumtemperatur abgekühlt. Der abgekühlte Prüfling war wieder gelber geworden. Ein Auftreten von Hohlräumen konnte nicht beobachtet werden. Der H/D-Leitfähigkeitsquotient des Prüflings betrug nach der Behandlung mit dampfförmigem metallischem Cadmium 1,3 · 10⁶. Entsprechende Ergebnisse wurden mit Kupfer(I)-chlorid erhalten.

Beispiel 5

Nach dem im Beispiel 4 beschriebenen Verfahren wurde ein entsprechender Prüfling unter entsprechenden Bedingungen mit Silberchlorid umgesetzt. Nach der Umsetzung betrug der Leitfähigkeitsquotient H/D des Prüflings 1,4 · 10². Wie im Beispiel 4 beschrieben, wurde der Prüfling hierauf mit dampfförmigem metallischem Cadmium umgesetzt. Nach dem Abkühlen des Prüflings betrug sein Leitfähigkeitsquotient H/D 2,6 · 10⁵. Ein Auftreten von Hohlräumen konnte nicht festgestellt werden.

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Claims (8)

1 2 an Cadmium reiche, nicht stöchiometrische Schicht Patentansprüche: entsteht, in welcher die Dunkelleitfähigkeit infolge eines Überschusses an nicht gebundenen Elektronen

1. Verfahren zur Verbesserung der Photoieitfähig- erhöht wird. Weiterhin bilden die vielen, beim Aufkeit im Vakuum auf einem Schichtträger abgelager- 5 dampfen des Cadmiumsulfids entstandenen, kleinen ter Cadmiumsulfid-Schichten, dadurch ge- Kristalle interkristalline Sperrschichten, welche die k e η η ζ e i c h η e t, daß man die Cadmiumsulfid- Elektronenbeweglichkeit und damit die mögliche Schichten bei erhöhter Temperatur und vermin- Helleitfähigkeit erniedrigen. Diese beiden Faktoren dertem Druck der Einwirkung von dampfförmigem sind somit für einen kleinen Quotienten H/D und Kupfer(I)- oder Silberhalogenid aussetzt und daß ίο folglich für die beschränkte Brauchbarkeit solcher man gegebenenfalls bei Überdosierung des dampf- Cadmiumsulfid-Schichten als Photoleiter verantwortförmigen Kupfer(I)- oder Silberhalogenids auf lieh.

die Cadmiumsulfid-Schichten bei erhöhter Tem- Es ist weiterhin bekannt (vgl. die angegebene Litera-

peratur und vermindertem Druck dampfförmiges turstelle), daß durch Tempern der aufgedampften Cadmium einwirken läßt. 15 Cadmiumsulfid-Schichten bei erhöhten Temperaturen,

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- z.B. bei 600°C und darüber, sowie in Gegenwart kennzeichnet, daß man als Silberhalogenid Silber- eines mit Kupfer oder Silber dotierten Cadmiumchlorid verwendet. sulfidpulvers eine beträchtliche Diffusion des Silbers

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- oder einwertigen Kupfers in die Cadmiumsulfidkennzeichnet, . daß man von Cadmiumsulfid- 20 Schichten stattfindet. Diese Diffusion findet so lange Schichten einer Dicke von 1 bis 5 Mikrometer statt, bis Cadmiumsulfid-Schicht und Cadmiumsulndausgeht. pulver miteinander im Gleichgewicht stehen. f~

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Das Silber oder Kupfer wirkt gegenüber dem Cadkennzeichnet, daß man das Kupfer(I)- oder Silber- mium als Elektronenakzeptor, da zur Ausbildung halogenid bei Reaktionstemperaturen von 350 25 einer Bindung mit dem Schwefel ein zusätzliches bis 500° C einwirken läßt. Elektron erförderlich ist. Da hierdurch die Anzahl

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- der freien oder nicht gebundenen Elektronen verminkennzeichnet, daß man den Druck bei Einwirkung dert wird, nimmt auch die Dunkelleitfähigkeit ab, des Kupfer(I)- oder Silberhalogenids so weit wobei das Verhältnis H/D, d.h. der Leitfähigkeitserniedrigt, daß dieser nicht größer ist als der 30 quotient, erhöht wird. Darüber hinaus können die Dampfdruck des verwendeten Halogenide bei Cadmiumsulfid-Schichten bei hohen Temperaturen Reaktionstemperatur. umkristallisiert werden, wobei das Kristallwachstum

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- von Einzelkristallen erfahrungsgemäß auf Kosten kennzeichnet, daß man bei Überdosierung von der umliegenden Kristalle erfolgt. Bei einem derartigen Kupfer(I)- oder Silberhalogenid Cadmium bei 35 Kristallwachstum erniedrigt sich die Gesamtzahl der Reaktionstemperaturen von 200 bis 500° C auf Kristalle in den Schichten, wodurch wiederum die die Schichten einwirken läßt. Anzahl der interkristallinen Sperrschichten vermin-

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch ge- dert und durch Erhöhen der maximalen Helleitfähigkennzeichnet, daß man den Druck bei Einwirkung keit der Quotient H/D zunimmt.

des Cadmiums so weit erniedrigt, daß dieser nicht 40 Nachteilig an dem bekannten Diffusionsverfahren größer ist als der Dampfdruck des metallischen ist jedoch, daß man einen Dotierionen aufweisenden Cadmiums bei Reaktionstemperatur. Stoff, beispielsweise ein mit Silber dotiertes Cadmium-

sulfidpulver, benötigt. Weiterhin diffundieren Silber f oder Kupfer nur sehr langsam in aufgedampfte Cad-

; 45 miumsulfid-Schichten, da das Verhältnis von Silber

oder Kupfer zu eadmiumsulfidpulver extrem niedrig ist. Zur Steigerung der Diffusionsgeschwindigkeit kann

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbesse- man zwar die Behandlungstemperaturen erhöhen, rung der Photoleitfähigkeit im Vakuum auf einem doch verringert sich hierbei die Zahl der zur Her-Schichtträger abgelagerter Cadmiumsulfid-Schichten. 50 stellung photoleitfähiger Elemente geeigneten Schicht-Es ist bekannt, z. B. aus dem »Journal of Applied trägermaterialien (z. B. Quarz), da nur wenige Schicht-Physics«, Bd. 34, Nr.

8, S. 2390 bis 2395, Cadmium- trägermaterialien in der Lage sind, derart hohe Besulfid im Vakuum oder bei vermindertem Druck auf handlungstemperaturen, ohne zu schmelzen, aus-Schichtträgern unter Erzeugung lichtempfindlicher zuhalten.

photoleitfähiger Aufzeichnungsmaterialien abzuschei- 55 Bei höheren Behandlungstemperaturen entstehen den. Nachteilig an den Aufzeichnungsmaterialien ist ferner in gesteigertem Maße kleine Hohlräume, d.h. jedoch, daß das Verhältnis von Hell- zu Dunkelleit- Stellen, an denen die im Vakuum abgelagerte Cadfähigkeit der aufgedampften Cadmiumsulfid-Schich- miumsulfid-Schicht »durchgebrannt« ist, wodurch leitten, im folgenden als »H/D« bezeichnet, welches ein fähige Bahnen gebildet werden und beim Aufladen allgemein übliches Maß für die Verwendbarkeit eines 60 der Cadmiumsulfid-Schicht ein Kurzschluß auftritt, photoleitfähigen Materials darstellt, extrem niedrig Außerdem verdampft eine Cadmiumsulfid-Schicht ist, so daß Cadmiumsulfid-Schichten nicht ohne einer Dicke von 5 Mikron oder weniger vollständig weiteres überall erfolgreich als Photoleiterschichten vom Träger, wenn die Diffusion 2¹I₂ Stunden lang eingesetzt werden können. Es hat sich gezeigt, daß im Vakuum bei einer Temperatur von etwa 55O°C beim Vakuumaufdampfen von Cadmiumsulfid, bei 65 durchgeführt wird. Verlängert man demgegenüber üblichen Substrattemperaturen, die keine geeignete die Behandlungszeit, ohne die Temperatur zu erhöhen, Wachstumsgeschwindigkeit, der abgelagerten Schicht so nimmt zwar die Menge des in die abgelagerte und der darin enthaltenen Kristalle zulassen, eine Cadmiumsulfid-Schicht diffundierten Kupfers oder