DE1544190B2 - Verfahren zum Einführen von Störstellen in Diamant - Google Patents

Verfahren zum Einführen von Störstellen in Diamant

Info

Publication number
DE1544190B2
DE1544190B2 DE1544190A DE1544190A DE1544190B2 DE 1544190 B2 DE1544190 B2 DE 1544190B2 DE 1544190 A DE1544190 A DE 1544190A DE 1544190 A DE1544190 A DE 1544190A DE 1544190 B2 DE1544190 B2 DE 1544190B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diamond
cathode
gas
diamonds
bell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1544190A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1544190A1 (de
DE1544190C3 (de
Inventor
Kenneth Alonzo Sprakers Darrow
Robert Henry Schenectady Wentorf Jun.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US370798A priority Critical patent/US3317354A/en
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE1544190A1 publication Critical patent/DE1544190A1/de
Publication of DE1544190B2 publication Critical patent/DE1544190B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1544190C3 publication Critical patent/DE1544190C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • C01B32/28After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/36Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/20Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
    • C30B31/22Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation by ion-implantation

Description

3 4
wurden Elektronenstrahlbeugungsbilder der Ober- Verfahren zur synthetischen Herstellung von Diaflächen der beschossenen Diamantkristalle hergestellt. manten und anschließenden Ionenbeschuß nach dem Aus den Elektronenstrahlbeugungsbildern ist ersieht- beschriebenen Verfahren herzustellen,
lieh, daß die äußerste Schicht jedes Diamantkristalls . .
in einen quasi-amorphen Zustand umgewandelt ist, 5 p
der höchstens lediglich schwach kristallin ist. Aus Das im Beispiel 1 beschriebene Verfahren wurde dem elektrischen Verhalten so behandelter Diamant- wiederholt, jedoch wurde an Stelle von Stickstoff Arkristalle ergibt sich, daß die elektrische Leitfähigkeit gon verwendet, das in der Größenordnung von 0,1 % so behandelter Diamantkristalle nicht vom Vorhan- Stickstoff und 0,1% Sauerstoff enthielt. Nach Bedensein irgendeines Filmes aus Graphit oder Metall io schuß und Reinigung mit Königswasser und anschlieabhängen kann, sondern daß es sich um wahre Elek- ßend mit destilliertem Wasser ergab sich, daß die tronenleitung handeln muß. Diamantkristalle n-halbleitend waren und einen Widerstand in der Größenordnung der im Beispiel 1 an-Beispiel 1 gegebenen Werte aufwiesen.
Es wurde die beschriebene und gezeigte Apparatur 15 Beispiel5
verwendet und die Glocke mit einer Stickstoff atmo- „ .„..,, ,., „...,
Sphäre „von 50 Mikron Hg bei 30° C gefüllt. Auf die Das,im Bei|Piel l beschriebene Verfahren wurde Kathode wurden natürliche achtflächige Diamantkri- "nt?T Verwendung von Wasserstoff wiederholt Man stalle mit einer Größe von ungefähr 1 mm und einem erluelt p-halbleitende Diamantkristalle mit elektrielektrischen Widerstand von ungefähr 10« Ohm oder ao schen Eigenschaften der unwesentlichen im Beispiel 1 mehr bei 25° C (Vorbehandlung) gebracht und unge- angeführten Größenordnung,
fähr 2 Stunden lang einem Glimmentladungsionen- Beispiel 6
beschuß ausgesetzt. Die Widerstandsmessungen wur- .
den in der Weise durchgeführt, daß jeder Kristall Das Verfahren nach Beispiel 1 wurde unter Verzwischen massive Silberelektroden gebracht und zu 25 Wendung von Helium wiederholt. Es ergaben sich den Messungen ein empfindliches Elektrometer ver- halbierende Kristalle mit emem Widerstand bei Zimwendet wurde. Die nach der Glimmentladung aus der mertemperatur von ungefähr 10* bis 10<* Ohm. Die Apparatur entfernten Kristalle besaßen einen dünnen thermoelektrische Kraft der Kristalle war jedoch so metallischen Belag, der jedoch bei der Reinigung der gennS> daß sie mcht nachgewiesen werden konnte.
Kristalle mit Königswasser und anschließend mit de- 3° In Fig· 2 ist der Widerstand von verschiedenen stilliertem Wasser entfernt wurde. Die beschossenen nach dem Verfahren der Erfindung hergestellten halb- und gereinigten Kristalle besaßen eine leicht grau- leitenden Diamanten in Abhängigkeit von der Tembraun gefärbte Oberfläche und wiesen einen elektri- Peratur dargestellt. Die durch + unterbrochenen schen Widerstand von ungefähr 10* bis 10» Ohm bei Kurven weisen auf einen p-Halbleiter hin, die durch 25° C auf. Bei 60° C betrug der Widerstand der Kri- 35 x unterbrochenen Kurven auf einen n-Halblerter und stalle nur die Hälfte des bei 25° C gemessenen Wer- die durch ° unterbrochenen Kurven auf einen HaIbtes. Aus Thermospannungsmessungen an den Dia- leiter> dessen thermoelektrischen Kräfte unterhalb mantkristallen ergab sich, daß die Kristalle η-Halb- der Meßgrenze liegen, d. h., daß sowohl die positiven leiter sind und Thermospannungen in der Größen- als auch die negativen Ladungsträger in der gleichen Ordnung von 10 Mikrovolt pro Grad Celsius aufwei- 4° Weise zur Leitfähigkeit dieser Kristalle beitragen,
sen. Aus Elektronenstrahlbeugungsbildern der Ober- Es ist bekannt, daß durch das bloße Vorhandenfläche dieser Kristalle konnte festgestellt werden, daß sein von Wasserstoff- oder Stickstoffatomen in Diadie Oberflächen im Vergleich zum Kristallgitter des mantkristallen diese Kristalle noch mcht halbleitend ursprünglichen Diamanten bis zu einer Tiefe in der gemacht werden. Es wurden Diamanten durch UmGrößenordnung von ungefähr 100 Angström im be- 45 Wandlung von Graphit in Diamant m Gegenwart trächtlichen Ausmaß entkristallisiert sind. eines Katalysators hergestellt, die bis zu 10«* Wasserstoffatome oder Stickstoffatome pro Kubikzenti-Beispiel 2 meter enthielten. Trotz dieses Gehaltes an Stickstoff
,. , ^. . . , . oder Wasserstoff waren diese Diamanten elektrische
Kunstliche Diamantknstalle wurden im wesent- Isolatoren
liehen der im Beispiel 1 erläuterten Behandlung un- Man nimmt daß bdm Verfahren nach der Er_
terworfen. Es wurden vergleichbare Ergebnisse er- ^^ die Gasionen tatsächlich in die Oberfläche
z . . des Diamanten eingebracht werden und für den Bei-
Beispiel ό trag zm p-Halbleitung oder n-Halbleitung verant-
Das im Beispiel 1 beschriebene Verfahren wurde 55 wortlich sind. Der Grund für den Unterschied im unter Verwendung von Diamanten wiederholt, die elektrischen Verhalten zwischen einem Diamantkrip-Halbleiter waren. Solche Diamanten können bei- stall, der Atome, beispielsweise Wasserstoffatome, spielsweise nach einem anderen Verfahren hergestellt enthält, die während der Herstellung des Kristalls werden. Es stellte sich heraus, daß p-halbleitende eingeführt worden sind, und eines Diamantkristalls, Diamanten, die stark mit Bor dotiert waren, nach 60 in den Gasionen nach dem Verfahren der Erfindung dem Ionenbeschuß p-halbleitend blieben, daß jedoch eingeführt worden sind, ist nicht bekannt. Von gleimit Aluminium dotierte Kristalle durch den Beschuß eher oder größerer Wichtigkeit als eine Erklärung mit Stickstoffionen in den Oberflächenbereichen vom dieses außergewöhnlichen Verhaltens scheint dieTatp-Halbleitertyp in den N-Halbleitertyp umgewandelt sache zu sein, daß die Oberflächenbereiche des Diawurden. Daraus kann geschlossen werden, daß die 65 mantkristalls physikalisch gestört sind. Diese physi-Möglichkeit besteht, Halbleiterelemente beispiels- kaiische Störung deutet darauf hin, daß die Kohlenweise Dioden oder Transistoren durch Herstellung stoffatome unter Einfluß der durch die Gasionen aushalbleitender Diamantkristalle nach den bekannten geübten Stöße neu angeordnet werden und auf diese
Weise die Oberfläche weniger kristallin als im ursprünglichen Zustand verbleibt.
Ein nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellter n-halbleitender Diamantkristall wurde in spektroskopisch reinem Graphit in einer Reaktionskammer einer Hochdruckapparatur angeordnet und ungefähr 12 Minuten lang gleichzeitig einem Druck von ungefähr 63 Kilobar und einer Temperatur von ungefähr 1700° C unterworfen. Nach dieser Druck- und Temperaturbehandlung wurde der Kristall entfernt und dann in einem heißen Gemisch aus Schwefelsäure und Salpetersäure und anschließend in destilliertem Wasser gereinigt. Eine Prüfung ergab, daß der Kristall seine halbleitenden Eigenschaften verloren hatte.
Zum Vergleich wurden ähnliche nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellte halbleitende Diamantkristalle einige Minuten lang in einem heißen Gemisch aus Schwefelsäure und Kaliumnitrat behandelt, um Graphit, amorphen Kohlenstoff oder andere Verunreinigungen von den Diamantflächen zu entfernen. Nach einer abschließenden Reinigung in destilliertem Wasser wurde der elektrische Widerstand der so behandelten Diamantkristalle gemessen. Es stellte sich heraus, daß zwar der Widerstand um einen in der Größenordnung von 10 bis 1000 liegenden Faktor zugenommen hatte, daß die Kristalle jedoch weiterhin η-Halbleiter waren. An Hand von Elektronenstrahlbeugungsbildern wurde festgestellt, daß die Oberfläche der Kristalle nach dieser Behandlung einen an gewöhnlichen Diamant angenäherten verbesserten Kristallcharakter aufwies.
Es hat sich auch herausgestellt, daß nach dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellte n-halbleitende Diamantkristalle altern, wenn sie in Luft 1 Stunde oder langer einer Temperatur im Bereich von 300 bis 400° C ausgesetzt werden. Dabei verliert die graubraune Oberflächenfärbung der Kristalle an Intensitat, und der elektrische Widerstand der Kristalle nimmt um den Faktor 10 bis 1000 zu. Wahrscheinlich wird durch diese Temperaturbehandlung der Kristallcharakter der Oberflächen verbessert, und es können einige der eingeschlossenen Störatome den
ίο Kristall verlassen.
Wie die eben beschriebenen Effekte (Verlust der Halbleitereigenschaften durch Anwendung hoher Temperaturen in Luft, hohen Temperatur- und Druck-Bedingungen im diamantstabilen Bereich und durch Behandlung mit einem Gemisch aus Schwefelsäure und Kaliumnitrat) zeigen, ist die verbesserte elektrische Leitfähigkeit von mit Gasionen beschossenen Diamantkristallen hauptsächlich und möglicherweise vollkommen auf die äußersten Oberflä-
ao chenschichten der Diamantkristalle beschränkt. Bei Verwendung der beim Verfahren nach der Erfindung verwendeten Beschleunigungsspannungen würde man auch nicht erwarten, daß die Gasionen weiter als ungefähr einige tausend Angström in die Diamantkristalle eindringen können. Die Beschränkung des Halbleitfähigkeitsbereiches des Diamanten auf eine dünne äußere Schicht ist besonders vorteilhaft zur Erzielung eines verbesserten Hochfrequenzverhaltens in bestimmten Halbleitungseinrichtungen.
Mit Hilfe des Verfahrens nach der Erfindung kann man also normale elektrisch isolierende Diamanten wahlweise und voraussagbar in Halbleiter vorbestimmter Leitfähigkeitsart umwandeln.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1 2
nigungen auch später noch entfernt werden können,
Patentanspruch: während sich die Diamanten in der Apparatur 10 befinden und einer Evakuierung, Aufheizung und einem
Verfahren zum Einführen von Störstellen in Ionenbeschuß unterworfen werden. Eine auf einer Diamant, dadurch gekennzeichnet, daß 5 Unterlage 14 abdichtend aufliegende Glocke 13 wird
der Diamant in an sich bekannter Weise als Ka- über eine Leitung 15 mit Hilfe einer Vakuumpumpe
thode geschaltet einer Glimmentladung minde- 16 auf einen Druck von mindestens 10~5 mm Hg
stens 172 Stunden lang ausgesetzt wird, die unter evakuiert. Die zur Aufnahme der Diamanten die-
Verwendung einer Spannung von mindestens nende Kathode 12 besteht gewöhnlich aus Nickel oder
1,5 kV in einer Stickstoff- oder Argonatmosphäre io Molybdän. Oberhalb der Kathode 12 ist eine aus
zur Erzielung von Überschußleitung oder in einer dem gleichen Metall wie die Kathode 12 bestehende
Wasserstoffatmosphäre zur Erzielung von Man- Anode 17 angeordnet. Der Abstand zwischen Ka-
gelleitung aufrechterhalten wird. thode und Anode beträgt ungefähr 25 mm.
Bei unter Verwendung verschiedener Gase und
' 15 verschiedener Elektrodenwerkstoffe durchgeführten
Versuchen, bei denen sowohl natürliche als auch künstliche Diamanten mit Gasionen beschossen wur-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einfüh- den, hat sich herausgestellt, daß das innerhalb der
ren von Störstellen in Diamant, der normalerweise Glocke 13 verwendete Gas eine weitaus größere Rolle ein sehr guter Isolator ist und durch die Einführung 20 spielt als die Zusammensetzung der Elektroden,
von Störstellen in einen Halbleiter umgewandelt wer- Nach Evakuierung der Glocke 13 wird ein zur Auf-
den soll. rechterhaltung einer Glimmentladung geeignetes Gas
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 150 655 ist be- über eine Leitung 18 in die Glocke 13 eingeführt, bis
reits ein Verfahren zum Dotieren eines festen Halb- ein Druck von ungefähr 10 bis 200 μπϊ^ in der
leiterkristalls bekannt, bei dem vor dem eigentlichen 25 Glocke 13 herrscht. Bei diesem Druck wird dann
Dotierungsverfahren der Halbleiterkristall einer Ar- zwischen Anode 17 und Kathode 12 unter Verwen-
gon- bzw. Wasserstoff-Glimmentladung ausgesetzt dung einer Gleichstromquelle 19 eine Spannung von
wird, wobei die auf den Halbleiterkristall auf treffen- ungefähr 1500V angelegt. Bei dieser Spannung ent-
den Ionen eine Abtragung und damit eine Reinigung stehen Gasentladungsströme von mindestens 20 mA,
der Halbleiteroberfläche bewirken. Beim anschlie- 30 wobei auf die Kathode 12 Ionen des innerhalb der
ßenden Dotierungsverfahren werden Störstellen in Glocke 13 vorhandenen Gases treffen, die eine sehr
der bereits aus der deutschen Patentschrift 840 418 hohe kinetische Energie aufweisen, d. h. in der Grö-
beschriebenen Weise in den Halbleiterkristall einge- ßenordnung von mehreren hundert Volt,
bracht. Zu diesem Zweck wird der Halbleiterkristall Die hohe Geschwindigkeit aufweisenden Ionen
bei erhöhter Temperatur mit einem gasförmigen Do- 35 treffen auf die Diamanten, die sich in dem auf der
tierungsstoff in Berührung gebracht und die Gasent- Kathode 12 ruhenden Behälter 11 befinden, wenn sie
ladung dann derart eingestellt, daß aus dem gasför- in Richtung auf die Oberfläche der von Diamanten
migen Dotierungsstoff gebildete Ionen auf den Halb- bedeckten Kathode 12 liegen. Auf Grund der Anord-
leiterkristall auftreffen und unter Bildung von Stör- nung der Elektroden 12 und 17 können die Gasionen
stellen aufgefangen werden. 40 auf die Oberfläche der Diamanten gerichtet werden,
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe, ein obwohl diese ursprünglich ausgezeichnete elektrische
Verfahren zum Einführen von Störstellen in Diamant Isolatoren sind. Dies tritt später im verstärkten Maße
zu schaffen, wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, auf Grund der durch den Ionenbeschuß auftretenden
daß Diamant in an sich bekannter Weise als Kathode Änderungen auf.
geschaltet einer Glimmentladung mindestens 1 Va Stun- 45 Während des bei der Glimmentladung auftretenden den lang ausgesetzt wird, die unter Verwendung Ionenbeschusses kann eine Bewegung der Kathode einer Spannung von mindestens 1,5 kV in einer Stick- 12 vorteilhaft sein, um die im Behälter 11 befindstoff- oder Argonatmosphäre zur Erzielung von Über- liehen Diamanten in eine andere Lage zu bringen schußleitung oder in einer Wasserstoffatmosphäre zur und auf diese Weise die gesamte Oberfläche der Dia-Erzielung von Mangelleitung aufrechterhalten wird. 50 manten eine zur Erzielung der gewünschten Ober-Nach dem Verfahren der Erfindung behandelte flächenveränderung ausreichende Zeit dem Ionenbe-Diamantkristalle können als Halbleiter eingesetzt schuß auszusetzen. Im allgemeinen bevorzugt man werden. eine zwischen ungefähr IVs und 2 Stunden dauernde In den Zeichnungen zeigt Glimmentladung. Längere Glimmentladungen sind Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Gas- 55 nicht erforderlich, da dadurch lediglich die Kosten entladungsapparatur zur Durchführung des Verfah- des Verfahrens erhöht werden. Falls Strom und rens nach der Erfindung und Spannung erhöht werden, kann eine kürzere Glimm-F i g. 2 eine graphische Darstellung des Widerstan- entladung ausreichen. Falls nur ein bestimmter Teil des von nach dem Verfahren der Erfindung behan- eines Diamantkristalls in einen Halbleiter umgewandelten Diamanten in Abhängigkeit von der Tempe- 60 delt werden soll, darf natürlich der Diamant nicht ratur. bewegt werden. Dies wird später noch näher erläu-
Bei der Durchführung des Verfahrens nach der Er- tert werden.
findung werden ein oder mehrere Diamanten in die Nach einem entsprechend langen Ionenbeschuß in F i g. 1 dargestellte Gasentladungsapparatur 10 ge- stellte man gewöhnlich fest, daß das Diamantmaterial bracht und innerhalb eines Behälters 11 auf einer Ka- 65 mit einem dünnen Film des während des Beschüsses thode 12 angeordnet. Vor dem Einbringen von Dia- aus der Kathode 12 herausgeschlagenen Metalls übermanten in die Apparatur 10 werden diese Vorzugs- zogen ist. Nach Reinigung mit Königswasser und deweise gereinigt, obwohl geringe Oberflächenverunrei- stilliertem Wasser zur Entfernung von Fremdstoffen
DE1544190A 1964-05-28 1965-05-26 Verfahren zum Einführen von Störstellen in Diamant Expired DE1544190C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US370798A US3317354A (en) 1964-05-28 1964-05-28 Process for doping a diamond in a gaseous electrical discharge

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1544190A1 DE1544190A1 (de) 1972-02-24
DE1544190B2 true DE1544190B2 (de) 1974-01-17
DE1544190C3 DE1544190C3 (de) 1974-08-15

Family

ID=23461234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1544190A Expired DE1544190C3 (de) 1964-05-28 1965-05-26 Verfahren zum Einführen von Störstellen in Diamant

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3317354A (de)
DE (1) DE1544190C3 (de)
FR (1) FR1508064A (de)
GB (1) GB1101563A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2822723A1 (de) * 1977-05-26 1978-12-07 Nat Res Dev Verfahren zum haerten eines diamanten und das dabei erhaltene produkt
DE3625743A1 (de) * 1986-07-30 1988-02-11 Winter & Sohn Ernst Verfahren zum bearbeiten von diamantkoernern
GB2260340A (en) * 1991-10-11 1993-04-14 Kobe Steel Ltd Forming electrodes on diamond by plasma treating the diamond with inert gases

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3383567A (en) * 1965-09-15 1968-05-14 Ion Physics Corp Solid state translating device comprising irradiation implanted conductivity ions
US3483443A (en) * 1967-09-28 1969-12-09 Hughes Aircraft Co Diode having large capacitance change related to minimal applied voltage
IE45102B1 (en) * 1976-07-21 1982-06-16 Gen Electric Process for converting type ib nitrogen in a diamond crystal into type ia nitrogen
FR2393605B1 (de) * 1977-06-09 1983-12-16 Nat Res Dev
US4343628A (en) * 1981-01-27 1982-08-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Fluorinated diamond bonded in fluorocarbon resin
CA1235087A (en) * 1983-11-28 1988-04-12 Akio Hiraki Diamond-like thin film and method for making the same
US4844785A (en) * 1984-03-27 1989-07-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for deposition of hard carbon film
IL79107A (en) * 1985-06-17 1989-03-31 De Beers Ind Diamond Ion implantation in crystalline substrate
US5182093A (en) * 1990-01-08 1993-01-26 Celestech, Inc. Diamond deposition cell
EP0470531B1 (de) * 1990-08-07 1994-04-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Verfahren zur Diamantenherstellung
US7494638B1 (en) 1990-08-30 2009-02-24 Mitsubishi Corporation Form of carbon
US5145712A (en) * 1991-02-08 1992-09-08 Center For Innovative Technology Chemical deposition of diamond
US5227038A (en) * 1991-10-04 1993-07-13 William Marsh Rice University Electric arc process for making fullerenes
US5674572A (en) * 1993-05-21 1997-10-07 Trustees Of Boston University Enhanced adherence of diamond coatings employing pretreatment process

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2787564A (en) * 1954-10-28 1957-04-02 Bell Telephone Labor Inc Forming semiconductive devices by ionic bombardment
US3207582A (en) * 1960-03-12 1965-09-21 Inoue Kiyoshi Method of synthesizing diamond particles by utilizing electric discharge
US3233137A (en) * 1961-08-28 1966-02-01 Litton Systems Inc Method and apparatus for cleansing by ionic bombardment
US3256696A (en) * 1962-01-29 1966-06-21 Monsanto Co Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2822723A1 (de) * 1977-05-26 1978-12-07 Nat Res Dev Verfahren zum haerten eines diamanten und das dabei erhaltene produkt
DE3625743A1 (de) * 1986-07-30 1988-02-11 Winter & Sohn Ernst Verfahren zum bearbeiten von diamantkoernern
GB2260340A (en) * 1991-10-11 1993-04-14 Kobe Steel Ltd Forming electrodes on diamond by plasma treating the diamond with inert gases
GB2260340B (en) * 1991-10-11 1994-11-30 Kobe Steel Ltd Method for forming electrode on diamond for electronic devices

Also Published As

Publication number Publication date
US3317354A (en) 1967-05-02
DE1544190C3 (de) 1974-08-15
GB1101563A (en) 1968-01-31
DE1544190A1 (de) 1972-02-24
FR1508064A (fr) 1968-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1544190C3 (de) Verfahren zum Einführen von Störstellen in Diamant
DE2824564C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen wie Photodioden
DE2736514A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum auftragen kohlenstoffhaltiger materialien auf oberflaechen
DE3048857A1 (de) Verfahren zum herstellen von amorphem silicium und nach diesem verfahren hergestellte vorrichtung
DE1032404B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten
DE2601656A1 (de) Hochohmige metallkeramikschicht und verfahren zu deren herstellung
DE1521465C3 (de) Verfahren zur Herstellung von texturlosem polykristallinen Silicium
DE2711365A1 (de) Halbleiteranordnung mit schottky- grenzschicht
DE1913718C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE2904171A1 (de) Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung
DE2756861A1 (de) Verfahren zum dotieren eines amorphen halbleitermaterials durch ionenimplantation
DE1565344A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Widerstandsheizelementen
DE2644208A1 (de) Verfahren zur herstellung einer einkristallinen schicht auf einer unterlage
DE1515298A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und UEberziehen von kristallinem Material
DE1275221B (de) Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes
DE3441044C2 (de)
DE2428205A1 (de) Glaskoerper mit transparenter halbleiter-oxidschicht
DE1195135B (de) Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Leitfaehigkeit von auf Unterlagen, wie Glas und Kunststoffen, insbesondere durch Vakuum-bedampfen aufgebrachten duennen, licht-durchlaessigen oxydischen Schichten
Krusemeyer The influence of light, oxygen and nitrogen on the field effect mobility of zinc oxide crystals
DE683330C (de) Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen
DE935975C (de) Verfahren zur Herstellung von Kohlegriessmikrofonen
DE915961C (de) Verfahren zum Herstellen steuerbarer elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme
DE966387C (de) Elektrische Gleichrichteranordnung mit Germanium als Halbleiter und Verfahren zur Herstellung von Germanium fuer eine solche Gleichrichteranordnung
DE494822C (de) Verfahren zur Herstellung von als Sicherungsvorrichtung fuer elektrische Netze zum Schutze gegen UEberspannung dienenden gasgefuellten Elektrodenroehren
DE891300C (de) Elektrisch unsymmetrisch leitendes System

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977