DE2856494C2 - - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeich
nungsmaterial gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1.
Elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien sind in ver
schiedener Weise aufgebaut, damit sie festgelegte Eigenschaf
ten erhalten oder mit dem Elektrophotographieverfahren über
einstimmen, für das sie verwendet werden. Der wichtigste Teil
eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials ist eine
photoleitfähige Schicht, von der die Gebrauchsleistung des
elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials in hohem Maße
abhängig ist.
Repräsentative Beispiele für bekannte photoleitfähige Schich
ten werden durch Abscheidung anorganischer photoleitfähiger
Materialien wie z. B. S, Se oder PbO oder von Legierungen oder
intermetallischen Verbindungen, die z. B. S, Se, Te, As, Sb
oder Pb enthalten, mit Hilfe der Vakuumaufdampfung gebildet.
Die photoleitfähigen Schichten, die durch Vakuumaufdampfung
gebildet worden sind, haben zwar im allgemeinen eine hohe Emp
findlichkeit und eine ausgezeichnete mechanische Festigkeit,
jedoch ist bekannt, daß sie im Hinblick auf verschiedene Elek
trophotographieeigenschaften noch Nachteile haben. Das Haupt
problem ist die sogenannte Ermüdungseigenschaft, die auftritt,
wenn das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial wiederholt verwendet
wird. Die Ermüdungserscheinung zeigt sich in auffallen
dem Maße, wenn das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial wiederholt
mit hoher Geschwindigkeit verwendet wird. Man erkennt die
se Erscheinung an der allmählichen Verminderung des Bild
kontrastes in einem Ladungsbild, das während der wieder
holten Verwendung des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials erzeugt
wird, oder an einem "Geister- bzw. Phantombild", das we
gen der unvollständigen Entfernung des zuvor erzeugten
Ladungsbildes auf einem danach erzeugten Ladungsbild ver
bleibt.
Für die Vermeidung einer solchen Ermüdungserschei
nung bei elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien, die auf ihrer Ober
fläche eine auf der photoleitfähigen Schicht vorgesehene isolierende Schicht aufweisen, ist aus der
JP-OS 52-1 45 037 (korrespondierend
zur DE-OS 27 23 925) ein Verfahren zur Abscheidung
eines photoleitfähigen Materials auf einem Schichtträger unter
Bildung einer photoleitfähigen Schicht auf dem Schichtträger
bekannt, bei dem die Schichtträgertemperatur während der Ab
scheidung vorübergehend bzw. zeitweilig herabgesetzt wird.
Für die vorübergehende bzw. zeitweilige Herabsetzung der
Schichtträgertemperatur während der Abscheidung wird jedoch
eine kompliziert aufgebaute Abscheidungsvorrichtung be
nötigt, die mit einer Kühlvorrichtung versehen ist, was
dazu führt, daß auch die Arbeitsweise der Abscheidung
kompliziert wird.
Aus der US-PS 36 66 554 ist ein Verfahren zur Herstellung ei
nes plattenförmigen elektrophotographischen Aufzeichnungsma
terials bekannt, bei dem auf einem elektrisch leitfähigen
Schichtträger, der bei einer Temperatur zwischen 50 und 80°C
gehalten wird, eine photoleitfähige Schicht aus Se und S ab
geschieden wird. In der US-PS 36 66 554 wird erwähnt, daß der
spektrale Ansprechbereich erweitert werden kann, wenn das pho
toleitfähige Material aus Se und S statt bei einer Schichtträ
gertemperatur von 55°C bei einer Schichtträgertemperatur von
80°C hergestellt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektrophoto
graphisches Aufzeichnungsmaterial der im Oberbegriff von Pa
tentanspruch 1 angegebenen Art bereitzustellen, das bei häu
fig wiederholter Verwendung weder zu der vorstehend erwähnten
Ermüdungserscheinung noch zu einer Veränderung des Endpoten
tials führt, bei der Gesamtbelichtung eine hohe Änderungsge
schwindigkeit des Potentials zeigt und keine Geisterbilder
verursacht.
Diese Aufgabe wird durch ein elektrophotographisches Aufzeich
nungsmaterial mit den im kennzeichnenden Teil von Patentan
spruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.
Bei Elektrophotographieverfahren wird durch selekti
ve Entfernung (Abschwächung) von elektrischer Ladung in
Übereinstimmung mit dem zu erzeugenden Bild ein Ladungs
bild erzeugt. Das erfindungsgemäße elektrophotographische
Aufzeichnungsmaterial hat eine photoleitfähige Schicht mit einer hohen Ge
schwindigkeit der Ladungsentfernung, wodurch ein Ladungs
bild mit hohem Kontrast erzeugt werden kann. Eine solche
photoleitfähige Schicht mit hoher Geschwindigkeit der La
dungsentfernung kann durch Steuerung der Abscheidungs
bedingungen für die Bildung dieser Schicht hergestellt
werden. Mit anderen Worten, die Abscheidung des photoleit
fähigen Materials auf dem Schichtträger wird durchgeführt,
während man die Schichtträgertemperatur allmählich erhöht.
Die photoleitfähige Schicht des erfindungsgemäßen elektropho
tographischen Aufzeichnungsmaterials, die durch Abscheidung unter allmählicher
Erhöhung der Schichtträgertemperatur gebildet worden ist, hat im
Vergleich mit der bekannten photoleitfähigen Schicht, die
durch Abscheidung gebildet worden ist, während man den
Schichtträger auf einer konstanten Temperatur gehalten hat,
eine hohe Ansprechgeschwindigkeit für Licht. Es wird
angenommen, daß eine solche hohe Ansprechgeschwindigkeit
für Licht darauf beruht, daß sich die Atome oder Mole
küle in Richtung der Dicke der photoleitfähigen Schicht
in einem gleichmäßigeren Zustand der freien Energie be
finden. Wenn die Schichtträgertemperatur konstant gehalten
wird, kommt es hinsichtlich der Zeitdauer, über die der
am Beginn der Abscheidung und der in der Nähe der Be
endigung der Abscheidung abgeschiedene Anteil der photoleitfähigen Schicht
durch die Schichtträgertemperatur beeinflußt werden, zu sehr
großen Unterschieden. Zum Beispiel ist eine Abscheidungsdauer
von 25 min notwendig, wenn eine photoleitfähige Schicht
mit einer Dicke von 50 µm mit einer Abscheidungsgeschwin
digkeit von 2 µm/min gebildet wird, wodurch es hinsicht
lich der Zeitdauer, über die der bei Beginn der Abschei
dung und der in der Nähe der Beendigung der Abscheidung
abgeschiedene Anteil durch die Schichtträgertemperatur in der
Abscheidungskammer beeinflußt werden, zu einem Unter
schied von mehr als 20 min kommt. Dieser Unterschied
in der Zeitdauer der Einwirkung der Schichtträgertemperatur
führt dazu, daß sich die Atome oder Moleküle, aus denen
die photoleitfähige Schicht aufgebaut ist, im Hinblick auf die Dicken
richtung dieser Schicht in einem ungleichmäßigen Zustand
der freien Energie befinden. Wie angenommen wird, hat
dies zur Folge, daß sich die Ladungsträger in der photo
leitfähigen Schicht während der Belichtung des elektro
photographischen Aufzeichnungsmaterials mit ungleichmäßiger Geschwindig
keit bewegen.
Im Gegensatz dazu ist das erfindungsgemäße elektro
photographische Aufzeichnungsmaterial dazu befähigt, einen solchen nach
teiligen Effekt, der von einem Unterschied in der Zeit
dauer herrührt, über die der bei Beginn der Abscheidung
und der in der Nähe der Beendigung der Abscheidung abge
schiedene Anteil der photoleitfähigen Schicht durch die
Schichtträgertemperatur beeinflußt werden, in einem wesent
lichen Ausmaß zu beseitigen. Wenn das photoleitfähige Ma
terial abgeschieden wird, verwandelt sich der Dampf des
Materials, der mit dem Schichtträger in Berührung kommt, so
fort in den flüssigen und dann in den festen Zustand.
In diesem Fall werden Unregelmäßigkeiten in der räumli
chen Anordnung der Atome und Moleküle des photoleitfähigen
Materials eingefroren, wodurch eine photoleitfähige Schicht
abgeschieden wird, die sich im Zustand einer hohen freien
Energie befindet. Wenn die Schichtträgertemperatur bei Be
ginn der Abscheidung niedrig ist, wird die photoleitfähige
Schicht mit einem Zustand höherer freier Energie abgeschie
den, der sich bis zur Beendigung der Abscheidung allmäh
lich in Richtung auf einen stabileren Zustand der freien
Energie verschiebt. Andererseits wird die photoleitfähige
Schicht, wenn die Schichtträgertemperatur in der
Nähe der Beendigung der Abscheidung hoch ist, in einem
Zustand mit niedrigerer freier Energie als im Fall einer
niedrigen Schichtträgertemperatur abgeschieden. Es wird angenommen, daß die
auf diese Weise gebildete photoleitfähige Schicht einen im allgemeinen
gleichmäßigeren Zustand der freien Energie hat, was dazu
führt, daß sich die Ladungsträger gleichmäßig und schnell
in der photoleitfähigen Schicht bewegen und daß die Schicht
als photoleitfähige Schicht mit einer hohen Ansprechge
schwindigkeit für Licht wirkt, wodurch eine photoleit
fähige Schicht mit einer sehr kleinen Restladung gebil
det wird, die frei von der Lichtermüdungs-Erscheinung
ist und kein Geisterbild zeigt.
Die Zeichnungen werden nachstehend kurz
erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform einer für die
Verwendung zur Herstellung des erfindungsgemäßen elektro
photographischen Aufzeichnungsmaterials geeigneten Abscheidungsvorrichtung.
Fig. 2 zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens
zur Einstellung der Schichtträgertemperatur für die Herstellung
der photoleitfähigen Schicht des erfindungsgemäßen elektro
photographischen Aufzeichnungsmaterials durch Abscheidung.
Fig. 3 ist eine graphische Darstellung, in der die
Elektrophotographieeigenschaften des erfindungsgemäßen
elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gezeigt werden.
Nachstehend werden die bevorzugten Ausführungsformen
der Erfindung näher erläutert.
Je nach den gewünschten Eigenschaften des elektro
photographischen Aufzeichnungsmaterials und der Art des zu verwendenden photo
leitfähigen Materials kann das Ausmaß, in dem während der
Abscheidung des photoleitfähigen Materials die Schichtträger
temperatur erhöht wird, in geeigneter Weise festgelegt
werden. Die Schichtträgertemperatur wird im allgemeinen um
5°C bis 40°C, vorzugsweise um 10°C bis 30°C, erhöht. Auch
die Ober- und die Untergrenze der Schichtträgertemperatur
können innerhalb eines Bereichs, in dem die amorphe
photoleitfähige Schicht gebildet wird, in geeigneter Weise
festgelegt werden. Im allgemeinen wird es am meisten
bevorzugt, die Schichtträgertemperatur so einzustellen, daß
sie innerhalb eines Bereichs über der Glasumwandlungs
temperatur des photoleitfähigen Materials und unter des
sen Kristallisationsumwandlungspunkt liegt. Zum Beispiel liegt
im Fall eines photoleitfähigen Materials vom Se-Typ die
Glasumwandlungstemperatur zwischen 40°C und 55°C und
der Kristallisationsumwandlungspunkt zwischen 90°C und
100°C. Daher wird die Schichtträgertemperatur vorzugsweise
innerhalb eines Bereichs von 40°C bis 85°C
kontinuierlich erhöht. Die Geschwindigkeit, mit der die Schichtträgertempera
tur während der Abscheidung erhöht wird, ist durch die
Abscheidungsgeschwindigkeit der Schicht sowie durch die
gewünschte Schichtdicke festgelegt. Im allgemeinen wird es
bevorzugt, die Schichtträgertemperatur kontinuierlich zu er
höhen, obwohl sie nötigenfalls auch stufenwei
se erhöht werden kann.
Die Ausführungsform, die für das erfindungsgemäße
elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial am kennzeichnendsten ist, be
steht aus einem Schichtträger und einer
photoleitfähigen Schicht.
Die photoleitfähige Schicht wird durch Vakuumauf
dampfung verschiedener photoleitfähiger Materialien wie
z. B. S, Se, PbO oder von Legierungen oder intermetalli
schen Verbindungen, wobei die Legierungen bzw. interme
tallischen Verbindungen z. B. S, Se, Te, As, Sb oder Pb ent
halten, abgeschieden. Besonders bevorzugte Materialien für
die photoleitfähige Schicht sind photoleitfähige Materialien
vom Se-Typ wie Se oder Materialien, die Se als Hauptbe
standteil enthalten wie z. B. SeTe, SeSb, SeBi, SeAS und
SeTeAs usw. Die Dicke der photoleitfähigen Schicht hängt
von der Art des zu verwendenden photoleitfähigen Materials
und von den Eigenschaften der gebildeten Schicht ab. Die
Dicke beträgt im allgemeinen 5 µm bis 100 µm, vorzugswei
se etwa 10 µm bis 70 µm.
Der Schichtträger kann aus einer Metallplatte wie z. B.
aus nichtrostendem Stahl, Kupfer, Aluminium oder Zinn her
gestellt oder aus irgendwelchen anderen geeigneten Mate
rialien wie z. B. Papier, Materialien in Bogen- bzw. Plat
ten- oder Folienform oder aus Harzfolien
gebildet werden.
Als Beispiel für eine andere Form des erfindungsge
mäßen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials kann ein
Aufzeichnungsmaterial erwähnt werden, auf dessen photoleitfähiger
Schicht eine isolierende Schicht vorgesehen ist. Diese isolie
rende Schicht wird vorgesehen, um die photoleitfähige
Schicht zu schützen, um die mechanische Festigkeit des
elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials zu verbessern, um die Dunkel
abschwächungseigenschaften zu verbessern oder um das elek
trophotographische Aufzeichnungsmaterial für die Anwendung bei einem besonde
ren Elektrophotographieverfahren geeignet zu machen oder
eine Umweltverschmutzung zu vermeiden usw. Ein repräsen
tatives Beispiel für ein solches besonderes Elektrophoto
graphieverfahren ist ein Verfahren, bei dem zur Zeit der
Aufladung durch Injektion elektrischer Ladung von der Sei
te des Schichtträgers her sogar zwischen der isolierenden
Schicht und der photoleitfähigen Schicht eine Bewegung elek
trischer Ladung hervorgerufen wird. Ein solches Verfahren
ist z. B. aus den US-PS 36 66 363 und 37 34 609
bekannt. Bei diesem bekannten Verfahren wird durch eine
Primärladung, durch eine Sekundärladung die ei
ne zu der Primärladung entgegengesetzte Polarität
hat, oder durch Wechselstrom-Ladungsentfernung und gleich
zeitige bildmäßige Belichtung und durch eine Gesamtbelich
tung ein Ladungsbild erzeugt. Bei diesem System kann die
bildmäßige Belichtung vor oder nach der Sekundär
ladung oder der Wechselstrom-Ladungsentfernung durchgeführt
werden. Auf die Gesamtbelichtung kann verzichtet werden.
Die isolierende Schicht wird in Übereinstimmung mit den
gewünschten Eigenschaften in einer geeigneten Dicke vor
gesehen.
Im allgemeinen hat die isolierende Schicht, wenn
sie hauptsächlich zum Schutz des elektrophotographischen
Aufzeichnungsmaterials zur Verbesserung seiner Haltbarkeit und seiner
Dunkelabschwächungseigenschaften usw. vorgesehen ist, eine
relativ geringe Dicke. Andererseits hat die isolieren
de Schicht eine relativ große Dicke, wenn das elektropho
tographische Aufzeichnungsmaterial für ein besonderes Elektrophotographie
verfahren eingesetzt wird. Für die isolierende Schicht
wird im allgemeinen eine Dicke zwischen 0,1 µm und 100 µm,
vorzugsweise zwischen 0,1 µm und 50 µm, gewählt.
Andere Harzarten, die zur Bildung der isolierenden
Schicht eingesetzt werden können, sind die Harze, die
üblicherweise verwendet werden, z. B. Polyethylen, Poly
ester, Polypropylen, Polystyrol, Polyvinylchlorid, Poly
vinylacetat, Acrylharz, Polycarbonat, Siliconharz, fluo
riertes Harz und Epoxidharz. Die Erfindung wird durch
die nachstehenden Beispiele näher erläutert.
Ein elektrisch leitender, durchsichtiger Schicht
träger 1 aus Glas mit einer Größe von 100 mm × 100 mm und einer
Dicke von 15 mm, auf dessen Oberfläche auf einer Seite eine elektrisch leitende Schicht aus
In2O3 abgeschieden worden war, wurde innerhalb einer
Abscheidungskammer 2, wie sie in Fig. 1 erläutert wird,
in einer festgelegten Lage so angeordnet, daß die Sei
te des Schichtträgers mit der elektrisch leitenden Schicht
einem Verdampfungsschiffchen 5 gegenüberlag. Der
Schichtträger 1 wurde so an einer Festhalteeinrichtung 4 befestigt,
daß es etwa 10 mm von einer zur Erhitzung des Schichtträgers
dienenden Heizeinrichtung 3 entfernt war.
In das aus Quarz hergestellte Verdampfungsschiff
chen wurden 55 g Se-Pulver mit einer Reinheit von 99,999%
gefüllt. Über dem Schiffchen 5 wurde eine Wolfram-Heiz
spirale 6 angeordnet. Die Luft im Innern der Abschei
dungskammer 2 wurde dann in Richtung des Pfeils 7 eva
kuiert, um in der Abscheidungskammer ein Vakuum in ei
ner Höhe von ungefähr 67 nbar aufrechtzuerhalten.
Anschließend wurde die Heizeinrichtung 3 gezündet,
um die Temperatur des Schichtträgers 1 bis auf 60°C zu erhöhen,
worauf der Schichtträger bei dieser Temperatur gehalten
wurde.
Nachstehend werden die zeitlichen Veränderungen
der Schichtträgertemperatur und der Abscheidungsgeschwindig
keit während der Abscheidung unter Bezugnahme auf Fig. 2
näher erläutert. Die über dem Schiffchen 5 vorgesehene
Wolfram-Heizspirale 6 wurde gezündet, um die Temperatur
des Schiffchens auf etwa 300°C zu erhöhen und dadurch
das Se in dem Schiffchen zu schmelzen.
Wie in Fig. 2 gezeigt wird, wurde zu einem Zeit
punkt t 1, in dem das Se gleichmäßig geschmolzen war, die
Verschlußeinrichtung 9 des Schiffchens 5 geöffnet, um
dadurch mit der Abscheidung von Se auf einen Kristall
vibrator 11 zur Einführung eines Eingangssignals in eine
Steuereinrichtung 10 für die Abscheidungsgeschwindig
keit zu beginnen und die der Wolfram-Heizspirale 6 zuge
führte Leistung mittels der Steuereinrichtung 10 für
die Abscheidungsgeschwindigkeit so einzustellen, daß die
Abscheidungsgeschwindigkeit 2 µm/min betrug. Zu einem
Zeitpunkt t 2, in dem die Abscheidungsgeschwindigkeit in
konstanter Weise auf 2 µm/min eingestellt worden war,
wurde eine Verschlußeinrichtung 8 geöffnet, um mit der
Abscheidung auf den Schichtträger zu beginnen. Gleichzeitig
wurde der durch die Heizeinrichtung 3 fließende, elektri
sche Strom so eingestellt, daß die Schichtträgertemperatur
von 60°C ausgehend allmählich und kontinuierlich erhöht
wurde, wobei die Schichtträgertemperatur so eingestellt wurde,
daß sie bei Beendigung der Abscheidung 75°C betrug. Die
Schichtträgertemperatur wurde mittels eines an der Oberfläche
des Schichtträgers befestigten Thermistors 12 gemessen. Zu
einem Zeitpunkt t 5 (25 min nach t 2), in dem die photoleit
fähige Schicht eine Dicke von 50 µm erreicht hatte, wurden
beide Verschlußeinrichtungen, 8 und 9, geschlossen, und
der durch die Wolfram-Heizspirale 6 fließende Strom wur
de unterbrochen, wodurch die Abscheidung von Se beendet
wurde. Dann wurde das Vakuum der Abscheidungskammer auf
gehoben, und der Schichtträger 1 mit der darauf gebildeten photoleitfähigen
Schicht wurde herausgenommen und anschließend auf seiner
Oberfläche mit einer isolierenden Schicht aus Polycarbonatharz
in einer Dicke von 25 µm beschichtet, wodurch das
elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial fertiggestellt wurde.
Die Oberfläche dieses elektrophotographischen Aufzeich
nungsmaterials wurde auf -2000 V aufgeladen, indem 0,2 s lang eine ne
gative Koronaentladung von -5500 V als Primärladung un
ter gleichzeitiger, gleichmäßiger Belichtung von der Sei
te des Schichtträgers her durchgeführt wurde. Anschließend
wurde die Ladung von der Oberfläche der isolierenden
Schicht entfernt, indem 0,2 s lang eine positive Korona
entladung von +6000 V als Sekundärladung durchgeführt
wurde. Danach wurde die Oberfläche des elektrophotographi
schen Aufzeichnungsmaterials einer gleichmäßigen Gesamtbelichtung un
terzogen. Die Potentialveränderungen zu dieser Zeit wer
den in Fig. 3 durch eine Kurve B gezeigt. Die Geschwin
digkeit der Veränderung des Potentials während des Prozes
ses der Gesamtbelichtung ist im Fall der Kurve B im Ver
gleich mit der nachstehend näher erläuterten Kurve A auf
fallend hoch. Es konnte keine Veränderung der Geschwin
digkeit der Veränderung des Potentials bei dem Prozeß
der Gesamtbelichtung, keine Veränderung des Endpotentials,
kein unerwünschtes Geisterbild und keine Ermüdung infol
ge der wiederholten Verwendung beobachtet werden,
selbst als das vorstehend erwähnte Verfahren 3000mal
mit einem Zyklus von 6 s wiederholt worden war.
Das gleiche Verfahren der elektrischen Aufladung,
der Ladungsentfernung und der Gesamtbelichtung wie in
Beispiel 1 wurde unter Verwendung eines elektrophotogra
phischen Aufzeichnungsmaterials durchgeführt, das in der gleichen Weise
wie in Beispiel 1, jedoch unter Durchführung der Abschei
dung mit einer konstant auf 60°C gehaltenen Schichtträgertem
peratur, hergestellt worden war. Die Ergebnisse zeigten,
daß die Geschwindigkeit der Veränderung des dem dunklen
Bereich des Bildes entsprechenden Potentials auf der Ober
fläche des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials während des Pro
zesses der Gesamtbelichtung im Vergleich mit Kurve B
deutlich herabgesetzt war, was in Fig. 3 durch Kurve A
gezeigt wird.
Weiterhin wurde beobachtet, daß sich die Geschwin
digkeit der Veränderung des Dunkelpotentials während des
Prozesses der Gesamtbelichtung weiter allmählich vermin
derte, wobei sich gleichzeitig die Ermüdung infolge der
wiederholten Verwendung und die Geisterbilder in dem
elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials weiter verstärkten, als die
ses elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial wiederholt mit einem kur
zen Zyklus von etwa 6 s verwendet wurde.
Ein Schichtträger 1 aus Aluminium mit einer Größe von 100 mm
× 100 mm und einer Dicke von 2 mm wurde in einer Abschei
dungskammer 2, wie sie in Fig. 1 gezeigt wird, in einer
festgelegten Lage angeordnet.
Der Schichtträger 1 wurde so an der Festhalteeinrichtung 4
befestigt, daß es etwa 10 mm von der zur Erhitzung des
Schichtträgers dienenden Heizeinrichtung 3 entfernt war. An
schließend wurden 55 g Se-Pulver mit einer Reinheit von
99,999% in das Quarz-Verdampfungsschiffchen 5 gefüllt.
Über dem Verdampfungsschiffchen 5 wurde eine Wolfram-
Heizspirale 6 angeordnet. Nachdem diese Anordnung in
der Abscheidungskammer fertig war, wurde die Kammer in
der durch den Pfeil 7 bezeichneten Richtung evakuiert,
um das Vakuum in der Kammer auf einer Höhe von etwa 67 nbar
zu halten. Dann wurde die Heizeinrichtung 3 gezündet,
um die Schichtträgertemperatur auf 60°C zu erhöhen, und der
Schichtträger wurde bei dieser Temperatur gehalten.
Die zeitlichen Veränderungen der Schichtträgertempera
tur und der Abscheidungsgeschwindigkeit während der Ab
scheidung werden nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 2
näher erläutert.
Die Wolfram-Heizspirale 6 über dem Verdampfungs
schiffchen 5 wurde gezündet, um die Temperatur des Schiff
chens auf etwa 300°C zu erhöhen und dadurch das Se in
dem Schiffchen zu schmelzen.
Wie in Fig. 2 gezeigt wird, wurde zu einem Zeit
punkt t 1, in dem das Se gleichmäßig geschmolzen war, die
Verschlußeinrichtung 9 geöffnet, um mit der Abscheidung
von Se auf den Kristallvibrator 11 zur Einführung eines
Eingangssignals in die Steuereinrichtung 10 für die Ab
scheidungsgeschwindigkeit zu beginnen und dadurch die
der Wolfram-Heizspriale 6 zugeführte Leistung mittels
der Steuereinrichtung 10 für die Abscheidungsgeschwin
digkeit so einzustellen, daß die Abscheidungsgeschwin
digkeit 2 µm/min betrug. Zu einem Zeitpunkt t 2, in dem
die Abscheidungsgeschwindigkeit auf 2 µm/min
eingestellt worden war, wurde die Verschlußeinrichtung 8 ge
öffnet, um mit der Abscheidung auf den Schichtträger zu be
ginnen. Gleichzeitig wurde der durch die Heizeinrichtung 3
fließende, elektrische Strom so eingestellt, daß die
Schichtträgertemperatur von ihrer Höhe von 60°C ausgehend
kontinuierlich und allmählich erhöht wurde, wobei die
Schichtträgertemperatur so eingestellt wurde, daß sie nach Be
endigung der Abscheidung 75°C betrug. Die Schichtträgertem
peratur wurde mittels des an der Oberfläche des Schichtträgers
befestigten Thermistors 12 gemessen. Zu einem Zeitpunkt
t 3 (25 min nach t 2), in dem die photoleitfähige Schicht eine
Schichtdicke von 50 µm erreicht hatte, wurden beide Ver
schlußeinrichtungen, 8 und 9, geschlossen, und der durch
die Wolfram-Heizspirale 6 fließende Strom wurde unter
brochen, wodurch die Abscheidung von Se beendet wurde.
Das Vakuum der Abscheidungskammer wurde aufgehoben, und
der Schichtträger 1 mit der darauf gebildeten photoleitfähigen
Schicht wurde herausgenommen. Dieses elektrophotographische
Aufzeichnungsmaterial wurde dem nachstehend beschriebenen Verfahren un
terzogen.
Die Oberfläche des elektrophotographischen Auf
zeichnungsmaterials wurde auf +1000 V aufgeladen, indem 0,2 s lang eine po
sitive Koronaentladung von +6000 V durchgeführt wurde.
Anschließend wurde eine Hälfte der Oberfläche
unter Anwendung einer Belichtung von 40 lx · s mit Licht bestrahlt.
Unmittelbar nach dieser Lichtbestrahlung wurde das elek
trische Potential der Oberfläche des elektrophotographischen
Aufzeichnungsmaterials gemessen. Man fand, daß das Oberflächenpoten
tial V D des Bereichs, der keiner Lichtbestrahlung ausgesetzt
worden war, 900 V betrug, während das Oberflächenpoten
tial V L des Bereichs, der durch das Licht bestrahlt worden
war, einen Wert von 0 V hatte. Demnach wurde ein elektro
statischer Kontrast von 900 V gemessen. Auch als das
vorstehend erwähnte Verfahren der positiven Aufladung,
der Bestrahlung der halben Oberfläche mit Licht und der
Messung des Oberflächenpotentials 3000mal mit einem
Zyklus von 6 s wiederholt worden war, zeigte sich keine
Veränderung in der Menge der positiven ladung und in den
Oberflächenpotentialen V D und V L gegenüber den ursprüng
lichen Oberflächenpotentialen.
Das gleiche Verfahren der positiven Aufladung, der
Bestrahlung der halben Oberfläche mit Licht und der Mes
sung des Oberflächenpotentials wie in Beispiel 2 wurde
wiederholt mit einem Zyklus von 6 s durchgeführt, wobei
ein plattenförmiges elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial ver
wendet wurde, das in der gleichen Weise wie in Beispiel 2, jedoch unter Durch
führung der Abscheidung mit einer konstant auf 60°C ge
haltenen Schichtträgertemperatur, hergestellt worden war. Die
Oberflächenpotentiale V D und V L betrugen beim anfängli
cen Verfahren 950 V bzw. 50 V, während sie 970 V bzw.
200 V betrugen, als das Verfahren 3000mal wiederholt
worden war, woraus hervorgeht, daß eine beträchtliche
Ermüdungserscheinung beobachtet werden konnte.
Das gleiche Verfahren der elektrischen Aufladung,
der Ladungsentfernung und der Gesamtbelichtung wie in
Beispiel 1 wurde unter Verwendung eines elektrophotographi
schen Aufzeichnungsmaterials durchgeführt, das in der gleichen Weise
wie in Beispiel 1, jedoch unter Durchführung der Abschei
dung mit einer Se-Te-Legierung mit einem Te-Gehalt von
10 Gew.-% als Füllmaterial für das Quarz-Abscheidungs
schiffchen 5, hergestellt worden war. Als Ergebnis des
Verfahrens wurde beobachtet, daß sich das Potential wäh
rend des Prozesses der Gesamtbelichtung mit sehr hoher
Geschwindigkeit veränderte. Selbst als das vorstehend
erwähnte Verfahren 3000mal mit einem Zyklus von 6 s
wiederholt worden war, veränderten sich die Geschwindig
keit der Veränderung des elektrischen Potentials und
der Endwert des Potentials nicht, und es wurde keine
Ermüdung infolge der wiederholten Verwendung beobachtet.
Anstelle des in Beispiel 2 als photoleitfähiges
Material eingesetzten Se-Pulvers wurde Se-Te-Pulver
mit einem Te-Gehalt von 20 Gew.-% verwendet. Die Tem
peratur des Schiffchens wurde auf 350°C gehalten, und
die Schichtträgertemperatur wurde allmählich und kontinuier
lich von 45°C ausgehend erhöht, so daß sie bei Beendi
gung der Abscheidung 70°C betrug. Im übrigen wurde un
ter Bildung einer 50 µm dicken photoleitfähigen Schicht auf
einem Schichtträger aus Aluminium genau das gleiche Verfahren wie
in Beispiel 2 befolgt. Anschließend wurde die Oberfläche
der photoleitfähigen Schicht zur Bildung einer isolierenden
Schicht mit Polycarbonatharz in einer Dicke von 25 µm
beschichtet, wodurch man das elektrophotographische Aufzeich
nungsmaterial erhielt.
Das auf diese Weise erhaltene elektrophotographische
Aufzeichnungsmaterial wurde 0,2 s lang einer negativen Koronaentla
dung von -5500 V als Primärladung unterzogen, wobei
gleichzeitig von der Seite des Schichtträgers her eine gleich
mäßige Bestrahlung mit Licht durchgeführt wurde, um die
Oberfläche des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials auf -2000 V
aufzuladen. Anschließend wurde das elektrophotographische
Aufzeichnungsmaterial zur Entfernung von elektrischer Ladung auf der
Oberfläche der isolierenden Schicht 0,2 s lang einer
positiven Koronaentladung von +6000 V als Sekundärla
dung unterzogen, worauf die Oberfläche des elektrophoto
graphischen Aufzeichnungsmaterials einer gleichmäßigen Gesamtbelichtung
ausgesetzt wurde.
Bei wiederholter Durchführung dieses Verfahrens
konnte kein wesentlicher Unterschied zwischen dem Ober
flächenpotential des elektrophotographischen Aufzeichnungs
materials, das nach dem anfänglichen Verfahren beobachtet wurde, und
dem Oberflächenpotential des elektrophotographischen Auf
zeichnungsmaterials, das beobachtet wurde, nachdem das Verfahren mit einem
Zyklus von 6 s 3000mal wiederholt wurde, gefunden wer
en. Demnach konnte keine Ermüdungserscheinung festge
stellt werden.
In der gleichen Weise wie in Beispiel 2 wurde auf
einem Schichtträger aus Aluminium eine photoleitfähige Schicht mit einer
Dicke von 50 µm gebildet, jedoch wurde anstelle des in
Beispiel 2 als photoleitfähiges Material eingesetzten Se-
Pulvers eine Se-As-Legierung mit einem As-Gehalt von
2 Gew.-% verwendet, wurde die Temperatur des Schiffchens
auf 320°C gehalten und wurde die Schichtträgertemperatur all
mählich und kontinuierlich von 65°C ausgehend erhöht, so
daß sie bei Beendigung der Abscheidung 85°C betrug. An
schließend wurde die Oberfläche der photoleitfähigen Schicht
zur Bildung einer isolierenden Schicht mit Polycarbonatharz
in einer Dicke von 25 µm beschichtet.
Das auf diese Weise erhaltene elektrophotographische
Aufzeichnungsmaterial wurde 0,2 s lang einer negativen Koronaentladung
von -5500 V als Primärladung unterzogen, wobei gleichzei
tig von der Seite des Schichtträgers her eine gleichmäßige Be
strahlung mit Licht durchgeführt wurde, um die Oberfläche
des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials auf -2000 V aufzuladen.
Anschließend wurde zur Entfernung von elektrischer Ladung
auf der Oberfläche der isolierenden Schicht 0,2 s lang
eine positive Koronaentladung von +6000 V als Sekundärla
dung durchgeführt. Die Oberfläche des elektrophotographischen
Aufzeichnungsmaterials wurde anschließend einer gleichmäßigen Gesamtbe
lichtung unterzogen. Wie gefunden wurde, zeigte sich bei
der Durchführung dieses Verfahrens kein wesentlicher Un
terschied zwischen dem Oberflächenpotential des elektropho
tographischen Aufzeichnungsmaterials, das nach dem anfänglichen Verfahren
beobachtet wurde, und dem Oberflächenpotential des elek
trophotographischen Aufzeichnungsmaterials, das beobachtet wurde, nachdem das
Verfahren mit einem Zyklus von 6 s 3000mal wiederholt
wurde. Bei dem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial konnte keine
Ermüdungserscheinung festgestellt werden.
Übrigens wurde selbst bei der Verwendung von SeSb oder
SeTeAs usw. als photoleitfähigem Material auch eine Ver
besserung der Ansprechgeschwindigkeit für Licht beobach
tet, als die Schichtträgertemperatur wie vorstehend beschrie
ben, während der Abscheidung des photoleitfähigen Materials
allmählich erhöht wurde.
Claims (8)
1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, das auf
einem Schichtträger eine photoleitfähige Schicht aus amor
phem, photoleitfähigem Material enthält, dadurch gekenn
zeichnet, daß die photoleitfähige Schicht unter allmähli
cher Erhöhung der Schichtträgertemperatur während der
Abscheidung des photoleitfähigen Materials gebildet worden
ist.
2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Schichtträgertemperatur innerhalb eines
Bereiches über der Glasumwandlungstemperatur des photo
leitfähigen Materials und unter dessen Kristallisations
umwandlungspunkt liegt.
3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schichtträgertemperatur um 5°C bis
40°C erhöht worden ist.
4. Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der photoleit
fähigen Schicht eine isolierende Schicht vorgesehen ist.
5. Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige
Schicht eine Dicke von 5 µm bis 100 µm hat.
6. Aufzeichnungsmaterial nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das photoleitfähige
Material ein Material vom Se-Typ ist.
7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Schichtträgertemperatur innerhalb des
Temperaturbereichs von 40°C bis 85°C kontinuierlich erhöht
worden ist.
8. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 6 oder 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das photoleitfähige Material vom Se-
Typ Se oder eine Legierung ist, die als einen Hauptbe
standteil Se sowie mindestens ein aus Te, Sb, Bi und As
ausgewähltes Element enthält.
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DE3020940C2 (de) * | 1980-06-03 | 1982-12-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
JPS57191649A (en) * | 1981-05-21 | 1982-11-25 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
US5589000A (en) * | 1995-09-06 | 1996-12-31 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Fixture for deposition |
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CN108220879B (zh) * | 2018-01-08 | 2020-01-21 | 天津科技大学 | 采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法 |
Family Cites Families (12)
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---|---|---|---|---|
US2753278A (en) * | 1951-04-14 | 1956-07-03 | Haloid Co | Method for the production of a xerographic plate |
US3598644A (en) * | 1964-10-12 | 1971-08-10 | Xerox Corp | Imaging member fabrication |
US3617265A (en) * | 1966-08-29 | 1971-11-02 | Xerox Corp | Method for preparing a resin overcoated electrophotographic plate |
JPS5522783B1 (de) * | 1967-08-29 | 1980-06-19 | ||
GB1216976A (en) * | 1968-02-29 | 1970-12-23 | Katsuragawa Denki Kk | Method of improving sensitivity of photoconductive elements |
GB1208239A (en) * | 1968-05-01 | 1970-10-07 | Ricoh Kk | Improvements in and relating to photoconductive arrangements |
JPS4838425B1 (de) * | 1969-05-22 | 1973-11-17 | ||
US3666554A (en) * | 1970-12-10 | 1972-05-30 | Ibm | Manufacture of electrophotographic plate |
US4008082A (en) * | 1973-02-19 | 1977-02-15 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Method for producing an electrophotographic recording material |
US4126457A (en) * | 1973-05-30 | 1978-11-21 | Xerox Corporation | Evaporation technique for producing high temperature photoreceptor alloys |
US4094675A (en) * | 1973-07-23 | 1978-06-13 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Vapor deposition of photoconductive selenium onto a metallic substrate having a molten metal coating as bonding layer |
DE2339115C2 (de) * | 1973-08-02 | 1980-04-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
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- 1977-12-28 JP JP16062277A patent/JPS5492241A/ja active Granted
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- 1978-12-28 DE DE19782856494 patent/DE2856494A1/de active Granted
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
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D2 | Grant after examination | ||
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