DE3020940C2 - Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial - Google Patents
Elektrophotographisches AufzeichnungsmaterialInfo
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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Description
30
Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem aus einer Selenverbindung
bestehenden Photoleiter, der auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgebracht ist.
Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial wird für elektrophotographische Kopierverfahren verwendet,
die in der Vervielfältigungstechnik weite Verbreitung gefunden haben. Sie beruhen auf der
Eigenschaft des photoleitfähigen Materials, bei Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung den elektrischen
Widerstand zu ändern.
Nach elektrischer Aufladung und Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung läßt sich auf einer photoleitfähigen
Schicht ein latentes elektrisches Ladungsbild erzeugen, das dem optischen Bild entspricht. An den
belichteten Stellen findet nämlich eine solche Erhöhung der Leitfähigkeit der photoleitfähigen Schicht statt, daß
die elektrische Ladung über den leitenden Träger zumindest teilweise, jedenfalls aber stärker als an den
unbelichteten Stellen — abfließen kann, während an den unbelichteten Stellen die elektrische Ladung im
wesentlichen erhalten bleibt; sie kann mit einem Bildpulver, einem sogenannten Toner, sichtbar gemacht
und das entstandene Tonerbild, falls es erforderlich sein sollte, schließlich auf Papier oder ein anderes Bildempfangsmaterial
übertragen werden.
Als elektrophotographisch wirksame Stoffe werden sowohl organische als auch anorganische Photoleiter
verwendet. Unter ihnen haben Selen, Selenlegierungen und Verbindungen mit Selen besondere Bedeutung
erlangt. Sie spielen zumal im amorphe.n Zustand eine wichtige Rolle und haben vielfältige praktische Verwendung
gefunden.
Die Änderung der elektrischen Leitfähigkeit eines Photoleiters hängt von der Intensität und der Wellenlänge
der benutzten Strahlung ab. Im Bereich des sichtbaren Lichtes, das für die praktische Anwendung in
der Elektrophotographie — etwa bei Bürokopien. — bevorzugt wird, zeigt das amorphe Selen auf der blauen
Seite, dem kurzwelligen Gebiet, eine hohe Empfindlichkeit, auf der roten Seife, dem langwelligen Gebiet,
dagegen nur eine geringe Empfindlichkeit
Dies hat zur Folge, daß auf einer Elektrophotographie ein rotes Zeichen genauso wie ein schwarzes
Zeichen dargestellt wird, was sich unter Umständen zumal bei farbigen Vorlagen als nachteilig für die
praktische Verwendung erweist; denn ein schwarzes Zeichen auf einem roten Untergrund — oder umgekehrt
— wird beispielsweise nicht vom Untergrund unterschieden und kann daher nicht kenntlich gemacht
werden. Für Wellenlängenbereiche im Infrarot ist das amorphe Selen gar nicht geeignet
Es ist bekannt, daß das kristallisierte Selen im Gegensatz zum amorphen Selen rotempfindlich ist
Daher kann bei seiner Verwendung auch dieser Teil des sichtbaren Spektrums nutzbar gemacht werden. Gegen
eine Verwendung des kristallisierten Selens für elektrophotographische Zwecke spricht aber seine hohe
Dunkelleitfähigkeit, das heißt seine Eigenschaft, den elektrischen Strom bereits in unbelichtetem Zustand so
gut zu leiten, daß eine auf seine Oberfläche aufgebrachte Ladung nicht so lange gehalten werden kann, wie es für
elektrophotographische Zwecke erforderlich ist
Es ist weiterhin, zum Beispiel durch die DE-AS 22 48 054, bekannt, daß durch Zusätze zum Selen, wie
etwa Arsen und/oder Tellur, die spektrale Empfindlichkeit in dem längerwelligen Spektralbereich erweitert
werden kann. Bei Systemen aus Selen und Tellur muß allerdings als nachteilig angesehen werden, daß sie als
Legierung schlechter homogen zu verdampfen sind. Sie zeigen bei höherer Tellurkonzentration außerdem eine
unerwünschte Neigung zur Kristallisation und besitzen dadurch eine nur geringe Lebensdauer. Es sind jedoch
Photoleiter auf der Grundlage von Selen bekannt, deren merkliche und praktisch nutzbare Empfindlichkeit in
einen Wellenlängenbereich von über 800 nm hineinreicht.
Ein solches Verfahren ist aber wünschenswert, wenn die Elektrophotographie auch für andere Zwecke mit
Vorteil genutzt werden soll. So werden in Datenausgabegeräten IR-Festkörperlaser als Strahlungsquelle in
einem Wellenlängenbereich von 800 ... 850 nm betrieben, deren Erfassung durch einen Photoleiter eine
Empfindlichkeit dieses Photoleiters auch in diesem Wellenbereich erforderlich macht.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein möglichst panchromatisches elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
zur Verfügung zu stellen, dessen Photoleiter sowohl im Bereich des sichtbaren Lichtes als auch
im IR-Bereich hochempfindlich ist, so daß er in üblichen Bürokopiergeräten ebenso wie etwa in mit Festkörperlaserstrahlung
betriebenen Datenausgabegeräten verwendet werden kann. Der Photoleiter soll darüber
hinaus ein mechanisch hartes und thermisch stabiles System darstellen, so daß eine hohe Lebensdauer
gewährleistet ist.
Diese Aufgabe wird bei einem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial mit einem aus einer Selenverbindung
bestehenden Photoleiter, der auf einen elektrisch leitenden Schichtträger aufgebracht ist
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Photoleiter aus einer Verbindung aus Arsen, Selen und Tellur der
allgemeinen Formel As2Se3 -*Te* besteht, in der die
x-Werte der Verbindung zwischen 0,5 < χ < 2,5 liegen.
Es ist zweckmäßig, wenn die x-Werte insbesondere im
Bereich 0,1 < χ < 0,5 liegen. Die Schichtdicke des Photoleiters soll 20 ... ΙΟΟμπη, vorzugsweise 50 ...
70 μπι betragen.
Mit der Erfindung wird erreicht daß das Aufzeichnungsmaterial neben den bekannten Ve.-wendungsarten
auch mit Vorteil in Wellenlängerbereichen bis etwa 950 nm betrieben werden kann und damit der
Elektrophotographie neue Anwendungsbereiche eröffnet werden.
Ein Photoleiter gemäß der Erfindung, der beispielsweise der Zusammensetzung As2Se2.e5Teo.t5 entspricht,
ist bei einer Wellenlänge von λ = 800 nm doppelt so empfindlich wie As2Se3. Bei einer Aufladehöhe
V0=+800 V ergab der Photoleiter der genannten Zusammensetzung bei einer Laserdiodenstrahlung mit
λ = 800 nm bei 1,5 μ]/οπι2 ein Kontrastpotential von
400 V und ein Restpotential von 0 V.
Die Figur zeigt in einem weiteren Spektralbereich die Empfindlichkeit — dargestellt durch das Kontrastpotential
— einer Photoleiterschicht aus As2Se3 gemäß
dem Stand der Technik (Kurve 1) im Vergleich zu einer Photoleiterschicht aus AsjSe^aTeo.is gemäß der Erfindung
(Kurve 2), und zwar bei einem Aufladepotential von etwa + 600 V und einer Beleuchtungsstärke von
etwa 3,5 μ]Λ:πι2. Wie dem Kurvenverlauf entnommen
werden kann, ist die Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich oberhalb von 750 nm bereits merklich und im
Wellenlängenbereich oberhalb von 800 nm erheblich verbessert.
Die Herstellung des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials
nach der Erfindung entspricht üblichen Verfahren. Im Hochvakuum wird die Verbindung
gemäß der Erfindung — beispielsweise As2Se185TeWs — verdampft und auf eine als leitender
Schichtträger dienende, durch eine Glimmentladung gereinigte Aluminiumoberfläche in einer Schichtdicke
von etwa 60 μιπ aufgebracht Die Temperatur des
thermischen Verdampfers soll dabei etwa 380'C betragen, die Schichtträgertemperatur wird auf 210 ...
220° C gehalten. Nach dem Abkühlen erhält man so eine hochempfindliche panchromatische photoleitfähige
Schicht Gegebenenfalls können die Schichten auch nach anderen bekannten Verfahren hergestellt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. EIektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
mit einem aus einer Selenverbindung bestehenden Photoleiter, der auf einen elektrisch leitenden
Schichtträger aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Photoleiter aus einer
Verbindung aus Arsen, Selen und Tellur der allgemeinen Formel As2Se3 - xTex besteht, in der die
A--Werte der Verbindung zwischen 0,05
< χ < 2,5 ίο liegen.
2. EIektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die x-Werte der Verbindung zwischen 0,1 < χ <
0,5 liegen.
3. EIektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
da!? die Schichtdicke des Photoleiters 20 bis 100 μπι beträgt.
4. EIektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichtdicke des Photoleilers 50 bis 70 μπι
beträgt.
5. Verwendung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials nach Anspruch 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß es für die Aufzeichnung mit Festkörperlaserdiodenstrahlung in einem
Spektralbereich bis etwa 950 nm verwendet wird.
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| DE3020940A DE3020940C2 (de) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| JP8389881A JPS5724947A (en) | 1980-06-03 | 1981-06-02 | Electrophotographic recording material |
| US06/269,943 US4439508A (en) | 1980-06-03 | 1981-06-03 | Electrophotographic recording material comprises arsenic, selenium and tellurium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3020940A DE3020940C2 (de) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3020940A1 DE3020940A1 (de) | 1981-12-10 |
| DE3020940C2 true DE3020940C2 (de) | 1982-12-23 |
Family
ID=6103804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3020940A Expired DE3020940C2 (de) | 1980-06-03 | 1980-06-03 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Country Status (3)
| Country | Link |
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1980
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Also Published As
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|---|---|
| US4439508A (en) | 1984-03-27 |
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