JPH01316751A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH01316751A JPH01316751A JP63148988A JP14898888A JPH01316751A JP H01316751 A JPH01316751 A JP H01316751A JP 63148988 A JP63148988 A JP 63148988A JP 14898888 A JP14898888 A JP 14898888A JP H01316751 A JPH01316751 A JP H01316751A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷輸送層としてＡｓ＊Ｓｅｓ合金層、電荷
発生層として３０〜５０重量％Ｔｅ−３ｅ合金層および
表面保護層としてのＡｓ１Ｓｅ３合金層を有する長波長
光用機能分離型の電子写真用感光体に関する。
発生層として３０〜５０重量％Ｔｅ−３ｅ合金層および
表面保護層としてのＡｓ１Ｓｅ３合金層を有する長波長
光用機能分離型の電子写真用感光体に関する。
電子写真方式のプリンタでは感光体表面に静電潜像を形
成する書込み光として６３０〜８００ｎ−と長波長領域
の光が用いられている。このようなプリンタは長波長光
に対しても優れた感度を持つ電荷発生１９．１ｉｉｔｉ
発生層でできたキャリアを輸送する電荷輸送層および外
部ストレスから電荷発生層を守る表面保ｔ！！層とから
なる８１能分離型感光体が一般に知られている。この種
の感光体は、通常電荷発生層には高濃度Ｔｅ−３ｅ合金
が、また１を荷輸送層には純Ｓｅが、また表面保護層に
は低濃度Ａｓ−３ｅ合金が用いられている。この中で表
面保ＷＩＮは、感光体の寿命を決定する非常に重要な層
となっているが、この表面保ＴＩＮの低濃度Ｓｅ −Ｔ
ｅ合金のような熱膨張率が高く、強度的に弱い材料が用
いられているのは、下地の電荷輸送層に非晶質Ｓｓ金合
金非常に熱膨張率の高い材料が用いられているからであ
り、亀裂の発生を防ぐためである。
成する書込み光として６３０〜８００ｎ−と長波長領域
の光が用いられている。このようなプリンタは長波長光
に対しても優れた感度を持つ電荷発生１９．１ｉｉｔｉ
発生層でできたキャリアを輸送する電荷輸送層および外
部ストレスから電荷発生層を守る表面保ｔ！！層とから
なる８１能分離型感光体が一般に知られている。この種
の感光体は、通常電荷発生層には高濃度Ｔｅ−３ｅ合金
が、また１を荷輸送層には純Ｓｅが、また表面保護層に
は低濃度Ａｓ−３ｅ合金が用いられている。この中で表
面保ＷＩＮは、感光体の寿命を決定する非常に重要な層
となっているが、この表面保ＴＩＮの低濃度Ｓｅ −Ｔ
ｅ合金のような熱膨張率が高く、強度的に弱い材料が用
いられているのは、下地の電荷輸送層に非晶質Ｓｓ金合
金非常に熱膨張率の高い材料が用いられているからであ
り、亀裂の発生を防ぐためである。
したがって、このような感光体は、耐久性すなわち耐刷
性が不十分であるという欠点を持っていた。そこで、最
近電荷輸送層を表面保護層と同じように熱膨張率を下げ
ることで表面保！１！層の機械的強度を向上できるとい
う考えの下に、電荷輸送層１表面保！ｉ層ともにＡｓｚ
Ｓｅ３合金を用いた高耐剛性のレーザプリンタ用の５ｅ
−Ｔｅ−Ａｓ系機能分離型感光体が開発された。
性が不十分であるという欠点を持っていた。そこで、最
近電荷輸送層を表面保護層と同じように熱膨張率を下げ
ることで表面保！１！層の機械的強度を向上できるとい
う考えの下に、電荷輸送層１表面保！ｉ層ともにＡｓｚ
Ｓｅ３合金を用いた高耐剛性のレーザプリンタ用の５ｅ
−Ｔｅ−Ａｓ系機能分離型感光体が開発された。
この５ｏ−Ｔｏ−＾３系機能分離型感光体は最表面層が
＾ｓ＠Ｓｅ、合金であるために従来のＡｓ＊Ｓｅｓ感光
体と同等レベルの高耐刷性を実現している。しかしなが
ら一方で、Ａ３ｍ５ｅｌ感光体の欠点も持っており、外
部からの機械的応力や化学的作用を受けると画像不良が
発生する等品質が悪化するという欠点を有していた。
＾ｓ＠Ｓｅ、合金であるために従来のＡｓ＊Ｓｅｓ感光
体と同等レベルの高耐刷性を実現している。しかしなが
ら一方で、Ａ３ｍ５ｅｌ感光体の欠点も持っており、外
部からの機械的応力や化学的作用を受けると画像不良が
発生する等品質が悪化するという欠点を有していた。
本発明の課題は、上記の欠点を除き、感光体表面に機械
的応力や化学的作用を加えられても画像障害が発生しに
くい、機械的強度および化学的安定性の優れた高耐刷性
の電子写真用感光体を提供することにある。
的応力や化学的作用を加えられても画像障害が発生しに
くい、機械的強度および化学的安定性の優れた高耐刷性
の電子写真用感光体を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明は、電荷輸送層およ
び表面保護層としてＡｓｇＳｅ１合金層を、電荷発生層
としてＴｏ濃度の高いＳｓ−１０合金層を有する電子写
真用感光体において、表面保！１７１が透明箱＆＆層で
覆われたものとする。
び表面保護層としてＡｓｇＳｅ１合金層を、電荷発生層
としてＴｏ濃度の高いＳｓ−１０合金層を有する電子写
真用感光体において、表面保！１７１が透明箱＆＆層で
覆われたものとする。
表面保護層が機械的強度および化学的安定性が優れてい
るので、機械的応力および化学的作用が加えられた場合
にも画像不良が発生しない。
るので、機械的応力および化学的作用が加えられた場合
にも画像不良が発生しない。
第１図は本発明の実施例の電子写真用感光体の代表的な
構造を示し、導電性基体１の上に電荷輸送層２．電荷発
生層３が積層され、その上に表面に帯電された正電荷の
保持率を高めるために電荷発生層３に（らベバンドギャ
ップの広い材料からなる電子注入抑制層４を介して表面
保護層５が設けられ、さらにその上を本発明による透明
絶縁層６が覆っている。電荷輸送層２は、ＡｓｌＳｅｌ
合金層が５０〜８０＃ｌＩの膜厚で用いられるのが一般
的である。
構造を示し、導電性基体１の上に電荷輸送層２．電荷発
生層３が積層され、その上に表面に帯電された正電荷の
保持率を高めるために電荷発生層３に（らベバンドギャ
ップの広い材料からなる電子注入抑制層４を介して表面
保護層５が設けられ、さらにその上を本発明による透明
絶縁層６が覆っている。電荷輸送層２は、ＡｓｌＳｅｌ
合金層が５０〜８０＃ｌＩの膜厚で用いられるのが一般
的である。
電荷発生層３は、画像露光に用いられる光の波長によっ
てＴｏ濃度および膜厚が決められるが、−ａにはＴｏ濃
度が３０〜５０重量％、膜厚が０．１−１μの範囲で用
いられることが多い、電子注入抑制Ｎ４は３０〜５０重
量％Ｔｏ−３ｅ合金に比ベバンドギャップの広い約１０
重量％＾５−Ｓｓ合金層が０．１〜２＃ｓの膜厚で使わ
れるのが一般的である。また、表面保護層５はＡｓｌｓ
ｅｓ合金層が２〜５ＩＩｍの膜厚で用いられる。その上
の透明１！に＆ｉＦｌ ６には、優れた耐久性と１０１
３Ω・１程度の高い抵抗値を持つ透明絶縁材料が用いら
れろ、この材料には’ｍｏｓ＋５１０ｇ、丁ａ’、０１
等の金属酸化物あるいはナイロン、ウレタンおよびけい
素化合物等からなる合成樹脂が適している。
てＴｏ濃度および膜厚が決められるが、−ａにはＴｏ濃
度が３０〜５０重量％、膜厚が０．１−１μの範囲で用
いられることが多い、電子注入抑制Ｎ４は３０〜５０重
量％Ｔｏ−３ｅ合金に比ベバンドギャップの広い約１０
重量％＾５−Ｓｓ合金層が０．１〜２＃ｓの膜厚で使わ
れるのが一般的である。また、表面保護層５はＡｓｌｓ
ｅｓ合金層が２〜５ＩＩｍの膜厚で用いられる。その上
の透明１！に＆ｉＦｌ ６には、優れた耐久性と１０１
３Ω・１程度の高い抵抗値を持つ透明絶縁材料が用いら
れろ、この材料には’ｍｏｓ＋５１０ｇ、丁ａ’、０１
等の金属酸化物あるいはナイロン、ウレタンおよびけい
素化合物等からなる合成樹脂が適している。
膜厚は、画像にじみ、プリンタにおける濃度低下および
耐剛性との兼ね合いから金属酸化物の場合０．５〜１ｎ
、合成樹脂の場合は１〜３ＪＩＩＩが好適である。
耐剛性との兼ね合いから金属酸化物の場合０．５〜１ｎ
、合成樹脂の場合は１〜３ＪＩＩＩが好適である。
このような構造をもつ本発明の実施例の感光体および比
較例の感光体を３種類製作した。
較例の感光体を３種類製作した。
感光体Ｎｏ、ｉ：
この感光体は透明絶縁層６がＭ ｔｏ、からなるもので
ある、この感光体の製作には、加工および洗浄した直径
８０鶴のアルミニウム円筒を蒸着装置内の軸に取り付け
、軸部１９Ｇ℃、真空度ｌＸｌ０−’７０ｒｒ＋蒸発源
温度４００℃の条件にてアルミニウム円筒上に＾５ｇ５
ｔ３合金を約６０７１１１の厚さに蒸着し、電荷輸送層
２とした０次に電荷発生Ｍ３．電子注入抑制層４および
表面保護層５をフラッシュ蒸着法にて蒸着した。こうし
て得られた感光体を高真空アーク式イオンブレーティン
グ’ＪＷ内に入れ、基板温度６０℃、イオン化電圧５０
ｖ、基板電圧２０Ｖ。
ある、この感光体の製作には、加工および洗浄した直径
８０鶴のアルミニウム円筒を蒸着装置内の軸に取り付け
、軸部１９Ｇ℃、真空度ｌＸｌ０−’７０ｒｒ＋蒸発源
温度４００℃の条件にてアルミニウム円筒上に＾５ｇ５
ｔ３合金を約６０７１１１の厚さに蒸着し、電荷輸送層
２とした０次に電荷発生Ｍ３．電子注入抑制層４および
表面保護層５をフラッシュ蒸着法にて蒸着した。こうし
て得られた感光体を高真空アーク式イオンブレーティン
グ’ＪＷ内に入れ、基板温度６０℃、イオン化電圧５０
ｖ、基板電圧２０Ｖ。
真空度２ Ｘ １Ｇ−’Ｔｏｒｒの条件でイオンブレー
ティング法にてＭ２Ｏ３層を約０．８μの厚さに蒸着し
、表面保護層５をさらに覆う透明ｍ縁層６とした。
ティング法にてＭ２Ｏ３層を約０．８μの厚さに蒸着し
、表面保護層５をさらに覆う透明ｍ縁層６とした。
感光体Ｎｏ、２ ：
この感光体は透明絶縁層６がナイロン、ウレタンおよび
けい素化合物を含む合成樹脂からなるものである。透明
絶縁Ｎ６形成前までの工程は感光体Ｎｏ、１と同様であ
る。透明絶縁層６は、溶剤に溶かしたナイロン、ウレタ
ンおよびけい素化合物等の混合液をＡｓ２Ｓｅ２合金層
からなる表面保１Ｊｊ１５の上にさらに約３μの厚さに
塗布したのち、５０℃。
けい素化合物を含む合成樹脂からなるものである。透明
絶縁Ｎ６形成前までの工程は感光体Ｎｏ、１と同様であ
る。透明絶縁層６は、溶剤に溶かしたナイロン、ウレタ
ンおよびけい素化合物等の混合液をＡｓ２Ｓｅ２合金層
からなる表面保１Ｊｊ１５の上にさらに約３μの厚さに
塗布したのち、５０℃。
２時間の乾燥硬化を行い作成した。
比較例の感光体Ｎｏ、３は第２図に示す構造を有し、本
発明による透明絶縁層６を設けていない点板外は感光体
Ｎｏ、Ｌ Ｎｏ、２と全く同様に製作した。この様にし
て製作した感光体にｍ械的応力および化学的作用として
２Ｈの鉛筆の引っかき傷および指紋を付け、画像不良の
再生の有無を調べた。また４５℃の温度に１０００時間
放置の耐２１！！試験を行い、さらに耐熱性を調べた。
発明による透明絶縁層６を設けていない点板外は感光体
Ｎｏ、Ｌ Ｎｏ、２と全く同様に製作した。この様にし
て製作した感光体にｍ械的応力および化学的作用として
２Ｈの鉛筆の引っかき傷および指紋を付け、画像不良の
再生の有無を調べた。また４５℃の温度に１０００時間
放置の耐２１！！試験を行い、さらに耐熱性を調べた。
比較例の感光体Ｎｏ、３には鉛筆の引っかき傷および指
紋により画像不良を生じたのに対し、本発明の実施例の
感光体Ｎｏ、１．Ｎｏ、２には画像不良が生じなかった
。そして耐熱性、耐刷性はＮｏ、１＋Ｎｏ、ＬＮｏ、３
とも、同じであった。これにより、本発明の実施例の感
光体は機械的強度および化学的安定性が良好であること
がわかる。
紋により画像不良を生じたのに対し、本発明の実施例の
感光体Ｎｏ、１．Ｎｏ、２には画像不良が生じなかった
。そして耐熱性、耐刷性はＮｏ、１＋Ｎｏ、ＬＮｏ、３
とも、同じであった。これにより、本発明の実施例の感
光体は機械的強度および化学的安定性が良好であること
がわかる。
本発明によれば、Ａｓ１Ｓｅ３合金よりなる電荷輸送層
と表面保護層を有する感光体上における表面保ｉｔ ｒ
ｅの上にさらに透明絶縁層を設けることにより、高温時
でも表面保！Ｉｌｌに亀裂が入らず、外部から機械的応
力あるいは化学的作用う受けても画像不良を発生しにく
い機械的強度および化学的安定性に優れた電子写真用感
光体が得られる。
と表面保護層を有する感光体上における表面保ｉｔ ｒ
ｅの上にさらに透明絶縁層を設けることにより、高温時
でも表面保！Ｉｌｌに亀裂が入らず、外部から機械的応
力あるいは化学的作用う受けても画像不良を発生しにく
い機械的強度および化学的安定性に優れた電子写真用感
光体が得られる。
第１図は本発明の実施例の電子写真用感光体の構造を示
す断面図、第２図は比較例の構造を示す断面図である。 １：ｆｘ電性基体、２：電荷輸送層、３：ｉｉ荷光発生
層４：電子注入抑制層、５：表面保護層、６：透明絶縁
膜。 二゛ イ＼Ｊヱ人弁理士 山 口 巌 ４・６透
明絶縁侯 −５表胃胎イ禾護層 −４電チシ主入押制層 −３を荷発生層 一２電荷輸゛ｌ −１導電性基体 −］
す断面図、第２図は比較例の構造を示す断面図である。 １：ｆｘ電性基体、２：電荷輸送層、３：ｉｉ荷光発生
層４：電子注入抑制層、５：表面保護層、６：透明絶縁
膜。 二゛ イ＼Ｊヱ人弁理士 山 口 巌 ４・６透
明絶縁侯 −５表胃胎イ禾護層 −４電チシ主入押制層 −３を荷発生層 一２電荷輸゛ｌ −１導電性基体 −］
Claims (1)
- １）電荷輸送層および表面保護層としてＡｓ＿２Ｓｅ＿
３合金層を、電荷発生層としてテルル濃度の高いセレン
・テルル合金層を有するものにおいて、表面保護層が透
明絶縁層で覆われたことを特徴とする電子写真用感光体
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148988A JPH01316751A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真用感光体 |
| DE3919806A DE3919806A1 (de) | 1988-06-16 | 1989-06-16 | Elektrofotografischer fotorezeptor |
| GB8913909A GB2219867B (en) | 1988-06-16 | 1989-06-16 | Electrophotographic photoreceptor |
| US07/497,823 US4990419A (en) | 1988-06-16 | 1990-03-22 | Function separation type electrophotographic photoreceptor comprising arsenic, selenium and tellurium |
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