JPH0342664B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0342664B2 JPH0342664B2 JP17544084A JP17544084A JPH0342664B2 JP H0342664 B2 JPH0342664 B2 JP H0342664B2 JP 17544084 A JP17544084 A JP 17544084A JP 17544084 A JP17544084 A JP 17544084A JP H0342664 B2 JPH0342664 B2 JP H0342664B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- carrier
- selenium
- carrier generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は、高濃度のテルルを含むセレン合金よ
りなるキヤリア発生層を有する電子写真用高感度
感光体に関する。
りなるキヤリア発生層を有する電子写真用高感度
感光体に関する。
普通紙複写機あるいはHe−Neレーザ、半導体
レーザ、発光ダイオード等を光源とした光プリン
タなどに用いられる長波長光領域の高感度感光体
として、米国特許第3655377号明細書あるいは特
開昭55−77744号公報などで公知の３〜４層構造
の感光層を有する機能分離型感光体がある。この
感光体は、キヤリア輸送層の上に、場合によつて
はAsを添加した高濃度セレン・テルル合金層を
キヤリア発生層として設け、その上に表面保護層
として場合によつてはAs，TeあるいはGeを添加
したセレン層を順次積層したものである。この様
な構造をとることによつて、高感度化のためにキ
ヤリア発生層中のTe濃度を高くしても表面層に
よつて表面電荷をブロツクするため帯電特性や暗
減衰特性を損なわずに高感度感光体を得ることが
できる。 ところで、感光体内部では温度によつて熱励起
キヤリアが大きく変化し、表面電荷のブロツキン
グ性、導電性基体からの電子の注入性の温度変化
と相俟つて感光体の帯電特性や暗減衰特性の劣化
が起こり、現像部における暗部電位の変動要因と
なつて高温時の濃度低下、細線のかすれなどが生
ずる。
レーザ、発光ダイオード等を光源とした光プリン
タなどに用いられる長波長光領域の高感度感光体
として、米国特許第3655377号明細書あるいは特
開昭55−77744号公報などで公知の３〜４層構造
の感光層を有する機能分離型感光体がある。この
感光体は、キヤリア輸送層の上に、場合によつて
はAsを添加した高濃度セレン・テルル合金層を
キヤリア発生層として設け、その上に表面保護層
として場合によつてはAs，TeあるいはGeを添加
したセレン層を順次積層したものである。この様
な構造をとることによつて、高感度化のためにキ
ヤリア発生層中のTe濃度を高くしても表面層に
よつて表面電荷をブロツクするため帯電特性や暗
減衰特性を損なわずに高感度感光体を得ることが
できる。 ところで、感光体内部では温度によつて熱励起
キヤリアが大きく変化し、表面電荷のブロツキン
グ性、導電性基体からの電子の注入性の温度変化
と相俟つて感光体の帯電特性や暗減衰特性の劣化
が起こり、現像部における暗部電位の変動要因と
なつて高温時の濃度低下、細線のかすれなどが生
ずる。
本発明は、半導体レーザや発光ダイオードを光
源とする長波長光に対して十分な感度を有し、か
つ現像部暗部電位の温度依存性の少ない電子写真
用感光体を提供することを目的とする。
源とする長波長光に対して十分な感度を有し、か
つ現像部暗部電位の温度依存性の少ない電子写真
用感光体を提供することを目的とする。
本発明は、熱励起キヤリアは感光層の厚さの大
部分を占めるキヤリア輸送層からの寄与が最も大
きく、キヤリア輸送層において励起されたキヤリ
アのうちの電子がキヤリア発生層を経て表面層へ
と移動し、表面電荷の一部を消滅させることに着
目したものである。すなわち、キヤリア輸送層中
で発生する電子がキヤリア発生層へ注入されるの
を阻止するためキヤリア輸送層とキヤリア発生層
との間に５〜5000ppmのハロゲン元素を含むセレ
ンからなり、0.01〜5μmの厚さを有するトラツプ
層を設けることによつて上記の目的が達成され
る。 このセレン・ハロゲン合金トラツプ層を長波長
光の露光の際、キヤリア発生層で生ずる電子・正
孔ペアのうち正孔が注入され通過するが、この層
は正孔に対してむしろトラツプが浅く、キヤリア
輸送層へ円滑に正孔を通す特質を有する。
部分を占めるキヤリア輸送層からの寄与が最も大
きく、キヤリア輸送層において励起されたキヤリ
アのうちの電子がキヤリア発生層を経て表面層へ
と移動し、表面電荷の一部を消滅させることに着
目したものである。すなわち、キヤリア輸送層中
で発生する電子がキヤリア発生層へ注入されるの
を阻止するためキヤリア輸送層とキヤリア発生層
との間に５〜5000ppmのハロゲン元素を含むセレ
ンからなり、0.01〜5μmの厚さを有するトラツプ
層を設けることによつて上記の目的が達成され
る。 このセレン・ハロゲン合金トラツプ層を長波長
光の露光の際、キヤリア発生層で生ずる電子・正
孔ペアのうち正孔が注入され通過するが、この層
は正孔に対してむしろトラツプが浅く、キヤリア
輸送層へ円滑に正孔を通す特質を有する。
第１図は本発明に基づく感光体の構造を示す、
導電性基体１の上にキヤリア輸送層２、本発明に
基づく電子トラプ層３、キヤリア発生層４および
表面層５が積層されている。一実施例として、基
体１に直径120mm、長さ260mmのアルミニウム円筒
を用い、基体温度60℃で純セレンからなるキヤリ
ア輸送層２を52μmの厚さに真空蒸着した。次い
で50ppmのClを含むセレン・塩素合金を0.15μm
の厚さに蒸着して電子トラツプ層３を形成し、さ
らに引きつづいててセレン・テルル合金をTeが
表面層５に向かつて０％から45重量％に順次濃く
なるように0.6μmの厚さに蒸着し、キヤリア発生
層４とした。つづいて真空を破らずにこの層４の
上にTe6重量％のセレン・テルル合金を2μmの厚
さに蒸着し、表面層５を積層した。比較例として
電子トラツプ層３を除いて他は同様の層を積層し
た感光体を作製した。 実施例および比較例の感光体を、780nmの単色
光を用いて初期帯電800Vからの半減衰露光量を
測定したところ、実施例の感光体では0.82μJ／
cm2、比較例の感光体では0.87μJ／cm2でほぼ同一の
感度特性を示した。 次に、第２図に示すように両感光体２１を矢印
２２の方向に回転し、帯電部２３から角度90゜の
位置に配置された表面電位測定プローブ２４によ
つて測定した現像暗部電位Ｖと、感光体流れ込み
電流Ifとの関係を温度を変えて調べた。IfとＶは
リニアな関係となり、If一定の場合のＶの温度依
存性は第３図に示す通りである。線３２で示す比
較例の感光体では46℃の温度で40％も変動するに
対し、線３１で示す実施例の感光体では13％と半
分以下である。これにより感光体の使用温度範囲
の上限は従来の40℃から45℃まで拡大できる。 本発明による電子トラツプ層は、その層自身か
らも熱励起キヤリアが発生するため厚さに上限が
あり、5μm以下にする必要がある。しかし薄すぎ
ても効果がなく、少なくとも電子の平均自由行路
より大きくしなければならず、100Å以上の厚さ
が必要である。 電子のトラツプのためにAs10原子％以上のセ
レン・砒素合金層を用いることも考えるが、この
場合はバンドギヤツプの不連続による不整合が生
じ、長波長光露光の際キヤリア発生層で生じた正
孔がここで注入を阻止され、残留電位の増大を招
く。
導電性基体１の上にキヤリア輸送層２、本発明に
基づく電子トラプ層３、キヤリア発生層４および
表面層５が積層されている。一実施例として、基
体１に直径120mm、長さ260mmのアルミニウム円筒
を用い、基体温度60℃で純セレンからなるキヤリ
ア輸送層２を52μmの厚さに真空蒸着した。次い
で50ppmのClを含むセレン・塩素合金を0.15μm
の厚さに蒸着して電子トラツプ層３を形成し、さ
らに引きつづいててセレン・テルル合金をTeが
表面層５に向かつて０％から45重量％に順次濃く
なるように0.6μmの厚さに蒸着し、キヤリア発生
層４とした。つづいて真空を破らずにこの層４の
上にTe6重量％のセレン・テルル合金を2μmの厚
さに蒸着し、表面層５を積層した。比較例として
電子トラツプ層３を除いて他は同様の層を積層し
た感光体を作製した。 実施例および比較例の感光体を、780nmの単色
光を用いて初期帯電800Vからの半減衰露光量を
測定したところ、実施例の感光体では0.82μJ／
cm2、比較例の感光体では0.87μJ／cm2でほぼ同一の
感度特性を示した。 次に、第２図に示すように両感光体２１を矢印
２２の方向に回転し、帯電部２３から角度90゜の
位置に配置された表面電位測定プローブ２４によ
つて測定した現像暗部電位Ｖと、感光体流れ込み
電流Ifとの関係を温度を変えて調べた。IfとＶは
リニアな関係となり、If一定の場合のＶの温度依
存性は第３図に示す通りである。線３２で示す比
較例の感光体では46℃の温度で40％も変動するに
対し、線３１で示す実施例の感光体では13％と半
分以下である。これにより感光体の使用温度範囲
の上限は従来の40℃から45℃まで拡大できる。 本発明による電子トラツプ層は、その層自身か
らも熱励起キヤリアが発生するため厚さに上限が
あり、5μm以下にする必要がある。しかし薄すぎ
ても効果がなく、少なくとも電子の平均自由行路
より大きくしなければならず、100Å以上の厚さ
が必要である。 電子のトラツプのためにAs10原子％以上のセ
レン・砒素合金層を用いることも考えるが、この
場合はバンドギヤツプの不連続による不整合が生
じ、長波長光露光の際キヤリア発生層で生じた正
孔がここで注入を阻止され、残留電位の増大を招
く。
本発明は、導電性基体上にキヤリア輸送層、キ
ヤリア発生層、表面層が積層された長波長光に対
する高感度感光体のキヤリア輸送層とキヤリア発
生層の間にキヤリア輸送層において発生した熱励
起キヤリアの内の電子をトラツプするが、露光に
よつてキヤリア発生層に生じたキヤリアのうちの
正孔のキヤリア輸送層の注入を阻止しないセレ
ン・ハロゲン合金よりなる電子トラツプ層を設け
るものである。これにより温度上昇の際の暗電流
の増大、現像部暗部電位の低下が防止され、許容
温度範囲の広い高感度感光体を得ることができる
のでその効果は大きい。
ヤリア発生層、表面層が積層された長波長光に対
する高感度感光体のキヤリア輸送層とキヤリア発
生層の間にキヤリア輸送層において発生した熱励
起キヤリアの内の電子をトラツプするが、露光に
よつてキヤリア発生層に生じたキヤリアのうちの
正孔のキヤリア輸送層の注入を阻止しないセレ
ン・ハロゲン合金よりなる電子トラツプ層を設け
るものである。これにより温度上昇の際の暗電流
の増大、現像部暗部電位の低下が防止され、許容
温度範囲の広い高感度感光体を得ることができる
のでその効果は大きい。
第１図は本発明による感光体の層構造断面図、
第２図は本発明の一実施例の感光体の特性試験装
置の配置図、第３図は第２図の装置によつて得ら
れた感光体流れ込み電流一定の際の感光体の帯電
圧と温度との関係線図である。 １：導電性基体、２：キヤリア輸送層、３：電
子トラツプ層、４：キヤリア発生層、５：表面
層。
第２図は本発明の一実施例の感光体の特性試験装
置の配置図、第３図は第２図の装置によつて得ら
れた感光体流れ込み電流一定の際の感光体の帯電
圧と温度との関係線図である。 １：導電性基体、２：キヤリア輸送層、３：電
子トラツプ層、４：キヤリア発生層、５：表面
層。
Claims (1)
- １ 導電性基体上に積層されたキヤリア輸送層、
キヤリア発生層、表面層を有し、キヤリア発生層
が高濃度セレン・テルル合金よりなるものにおい
て、キヤリア輸送層とキヤリア発生層との間に５
〜5000ppmのハロゲン元素を含むセレンからな
り、0.01〜5μmの厚さを有するトラツプ層が介在
することを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17544084A JPS6152650A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17544084A JPS6152650A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152650A JPS6152650A (ja) | 1986-03-15 |
| JPH0342664B2 true JPH0342664B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=15996123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17544084A Granted JPS6152650A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152650A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04284691A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-09 | Arumetsukusu:Kk | プリント配線板の電気めっき方法 |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP17544084A patent/JPS6152650A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6152650A (ja) | 1986-03-15 |
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