JPH077215B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPH077215B2 JPH077215B2 JP62269705A JP26970587A JPH077215B2 JP H077215 B2 JPH077215 B2 JP H077215B2 JP 62269705 A JP62269705 A JP 62269705A JP 26970587 A JP26970587 A JP 26970587A JP H077215 B2 JPH077215 B2 JP H077215B2
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- JP
- Japan
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- layer
- alloy
- selenium
- charge generation
- charge
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、発光ダイオードあるいはレーザなどを光源と
して630〜800nmの長波長光を書込み光に用いる電子写真
方式の複写機あるいはプリンタに用いられる電子写真用
感光体に関する。
して630〜800nmの長波長光を書込み光に用いる電子写真
方式の複写機あるいはプリンタに用いられる電子写真用
感光体に関する。
電子写真方式の複写機およびプリンタでは、感光体表面
に静電潜像を形成する書込み光として、波長が630〜800
nmと長波長光が使われている。セレン・テルル系合金か
らなりこのような長波長域でも感度を持つ電荷発生層を
有し、電荷発生層で発生したキャリアを輸送するSeAs系
合金からなる電荷輸送層および電荷発生層を外部ストレ
スから保護する表面保護層から構成されている機能分離
型の多層感光体が一般に使われている。また、表面保護
層には耐刷性，耐化学性および耐熱性の観点からSeAs系
合金が材料として用いられている。
に静電潜像を形成する書込み光として、波長が630〜800
nmと長波長光が使われている。セレン・テルル系合金か
らなりこのような長波長域でも感度を持つ電荷発生層を
有し、電荷発生層で発生したキャリアを輸送するSeAs系
合金からなる電荷輸送層および電荷発生層を外部ストレ
スから保護する表面保護層から構成されている機能分離
型の多層感光体が一般に使われている。また、表面保護
層には耐刷性，耐化学性および耐熱性の観点からSeAs系
合金が材料として用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕 このような表面保護層に用いられるSeAs系合金は、As濃
度が高いもの程、耐刷性，耐熱性に優れているが、As濃
度を高くすると表面電荷保持率が低くなると共に疲労特
性が悪くなるという欠点を有していた。
度が高いもの程、耐刷性，耐熱性に優れているが、As濃
度を高くすると表面電荷保持率が低くなると共に疲労特
性が悪くなるという欠点を有していた。
プリンタおよび複写機に用いられている感光体は、感光
層がOPCの場合を除けば一般的にプラス帯電が多く用い
られている。プラス帯電において、繰り返しにより表面
電位が低下するのは、電荷発生層でキャリアが発生した
後正孔は基板側へ、電子は表面へそれぞれ移動するが、
この時表面保護層に電子がトラップされた場合は、負の
空間電荷が形成され、表面の帯電位が減少して行くこと
になる。また表面保護層のバンドギャップ（非晶質Seで
約2.0eV）が小さいと電子が表面へ移動しやすくなり、
やはり帯電電位の低下をきたす。
層がOPCの場合を除けば一般的にプラス帯電が多く用い
られている。プラス帯電において、繰り返しにより表面
電位が低下するのは、電荷発生層でキャリアが発生した
後正孔は基板側へ、電子は表面へそれぞれ移動するが、
この時表面保護層に電子がトラップされた場合は、負の
空間電荷が形成され、表面の帯電位が減少して行くこと
になる。また表面保護層のバンドギャップ（非晶質Seで
約2.0eV）が小さいと電子が表面へ移動しやすくなり、
やはり帯電電位の低下をきたす。
本発明は、上述のような耐刷性，耐熱性に優れた高As濃
度のSe−As合金からなる表面保護層を有し、しかも表面
電荷保持率および疲労特性を改善し、繰り返し印字にお
いても鮮明な画像が得られる電子写真用感光体を提供す
ることにある。
度のSe−As合金からなる表面保護層を有し、しかも表面
電荷保持率および疲労特性を改善し、繰り返し印字にお
いても鮮明な画像が得られる電子写真用感光体を提供す
ることにある。
上記の目的を達成するために本発明は、電荷輸送層がSe
As合金かなり、光入射側に隣接する電荷発生層がSeTe合
金からなり、表紙面保護層がSeAs合金からなる電子写真
用感光体において、表面保護層が30重量％以上を含むSe
As合金からなり、電荷発生層と表面保護層の間に純Seあ
るいは10重量％以下のAsを含むSeAs合金からなる電子注
入抑制層が介在するものとする。電子注入制御層の厚さ
は10μｍ以下が望ましい。
As合金かなり、光入射側に隣接する電荷発生層がSeTe合
金からなり、表紙面保護層がSeAs合金からなる電子写真
用感光体において、表面保護層が30重量％以上を含むSe
As合金からなり、電荷発生層と表面保護層の間に純Seあ
るいは10重量％以下のAsを含むSeAs合金からなる電子注
入抑制層が介在するものとする。電子注入制御層の厚さ
は10μｍ以下が望ましい。
表面保護層と電荷発生層の間にこの両層よりバンドギャ
ップの大きい純Seあるいは10％以下のAs濃度のSe−As合
金の層が介在すると、電荷発生層でキャリア発生した後
の電子の表面保護層への移動を抑制し、表面の帯電位の
減少を防ぐ。純SeへのAsの添加は、バンドギャップの縮
小を招くが、耐結晶化性を向上させる作用がある。電子
注入抑制層の膜厚が10μｍを越えると感度が減少し、長
波長光では特に激減して実用上不可と考えられる。
ップの大きい純Seあるいは10％以下のAs濃度のSe−As合
金の層が介在すると、電荷発生層でキャリア発生した後
の電子の表面保護層への移動を抑制し、表面の帯電位の
減少を防ぐ。純SeへのAsの添加は、バンドギャップの縮
小を招くが、耐結晶化性を向上させる作用がある。電子
注入抑制層の膜厚が10μｍを越えると感度が減少し、長
波長光では特に激減して実用上不可と考えられる。
実施例1: 第１図に示した実施例では、導電性基体１の上に電荷輸
送層2,電荷発生層３が積層されている点は従来と同様で
あるが、その上に電子注入制御層４を介して表面保護層
５が設けられている。この感光体は次の工程で製作され
た。
送層2,電荷発生層３が積層されている点は従来と同様で
あるが、その上に電子注入制御層４を介して表面保護層
５が設けられている。この感光体は次の工程で製作され
た。
加工および洗浄した直径80mmのアルミニウム円筒を蒸着
装置の支持軸に取り付け、アルミニウム基体１の温度を
約190℃に保った後、１×10-5Torrまで真空引きし、そ
の後As2Se3合金が入った蒸着源を約400℃に加熱し、約6
0μｍの膜厚を有する電荷輸送層２を蒸着した。次に電
荷発生層３および電子注入抑制層４をフラッシュ蒸着法
により蒸着した。電荷発生層３として44重量％Te/Seを
約0.5μm,電子注入抑制層４として５重量％As/Seを約２
μｍの厚さにそれぞれ蒸着した。フラッシュ蒸着は支持
軸温度60℃，圧力１×10-5Torr,蒸発源温度350℃の条件
のもとで行った。さらに電子注入抑制層４の上に表面保
護層５として30重量％As/Seを約３μｍの厚さに蒸着し
た。
装置の支持軸に取り付け、アルミニウム基体１の温度を
約190℃に保った後、１×10-5Torrまで真空引きし、そ
の後As2Se3合金が入った蒸着源を約400℃に加熱し、約6
0μｍの膜厚を有する電荷輸送層２を蒸着した。次に電
荷発生層３および電子注入抑制層４をフラッシュ蒸着法
により蒸着した。電荷発生層３として44重量％Te/Seを
約0.5μm,電子注入抑制層４として５重量％As/Seを約２
μｍの厚さにそれぞれ蒸着した。フラッシュ蒸着は支持
軸温度60℃，圧力１×10-5Torr,蒸発源温度350℃の条件
のもとで行った。さらに電子注入抑制層４の上に表面保
護層５として30重量％As/Seを約３μｍの厚さに蒸着し
た。
実施例2: 第２図に示した実施例では、図示のように電子注入抑制
層４の厚さが実施例１より薄く５重量％As/Seを約0.5μ
ｍの厚さにフラッシュ蒸着法により蒸着した。アルミニ
ウム基体１およびその加工，洗浄、電荷輸送層2,電荷発
生層３および表面保護層５の蒸着は実施例１と同様であ
る。
層４の厚さが実施例１より薄く５重量％As/Seを約0.5μ
ｍの厚さにフラッシュ蒸着法により蒸着した。アルミニ
ウム基体１およびその加工，洗浄、電荷輸送層2,電荷発
生層３および表面保護層５の蒸着は実施例１と同様であ
る。
比較例1: 第３図は比較例１の感光体を示すものであり、電子注入
制御層がなく基体１上の電荷輸送層2,電荷発生層３およ
び表面保護層５から構成されている。それぞれの層は実
施例１と同様な方法で同様の厚さに蒸着した。
制御層がなく基体１上の電荷輸送層2,電荷発生層３およ
び表面保護層５から構成されている。それぞれの層は実
施例１と同様な方法で同様の厚さに蒸着した。
比較例2: 第４図は比較例２の感光体を示すものであり、電子注入
抑制層がなく、基体１上の電荷輸送層2,電荷発生層３お
よび表面保護層５から構成されている。この場合は電荷
輸送層２として純セレンを約60μｍの厚さに蒸着した。
次に電荷発生層３として44重量％Te/Seを約0.5μｍの厚
さに，さらに表面保護層４として10重量％Te/Seを厚さ
約５μｍにフラッシュ蒸着法により蒸着した。
抑制層がなく、基体１上の電荷輸送層2,電荷発生層３お
よび表面保護層５から構成されている。この場合は電荷
輸送層２として純セレンを約60μｍの厚さに蒸着した。
次に電荷発生層３として44重量％Te/Seを約0.5μｍの厚
さに，さらに表面保護層４として10重量％Te/Seを厚さ
約５μｍにフラッシュ蒸着法により蒸着した。
このようにして製作した実施例および比較例の感光体に
ついて、300サイクル後の疲労特性および表面硬度に関
し室温において評価した結果を第１表に示す。
ついて、300サイクル後の疲労特性および表面硬度に関
し室温において評価した結果を第１表に示す。
疲労特性のうちの暗減衰は電荷保持の程度率をあらわ
し、値の小さいものほど優れている。また帯電低下量お
よび残留電位についても値の小さいものほど電子写真装
置上での裕度が大きくできるという利点を有する。表面
硬度の大きいほど耐刷性が良好で、高濃度AsのSe−As合
金表面保護層を有する実施例1,2,比較例１が比較例２よ
りはるかに耐刷性の優れていることを示す。
し、値の小さいものほど優れている。また帯電低下量お
よび残留電位についても値の小さいものほど電子写真装
置上での裕度が大きくできるという利点を有する。表面
硬度の大きいほど耐刷性が良好で、高濃度AsのSe−As合
金表面保護層を有する実施例1,2,比較例１が比較例２よ
りはるかに耐刷性の優れていることを示す。
本発明によれば、電荷発生層と表面保護層の間にバンド
ギャップの大きい電子注入抑制層を設けたことにより、
導電性基体からの電子の注入を抑え、プラス帯電の感光
体の表面電荷の低下が極めて少なくなる。それにより疲
労特性、特に暗減衰および帯電低下を従来に比べ実施例
に示すように約1/3に改善することができ、印字濃度の
繰り返し安定性は非常に良好となった。
ギャップの大きい電子注入抑制層を設けたことにより、
導電性基体からの電子の注入を抑え、プラス帯電の感光
体の表面電荷の低下が極めて少なくなる。それにより疲
労特性、特に暗減衰および帯電低下を従来に比べ実施例
に示すように約1/3に改善することができ、印字濃度の
繰り返し安定性は非常に良好となった。
第１図は実施例１の感光体の部分断面図、第２図は実施
例２の感光体の断面図、第3,第４図はそれぞれ比較例1,
2の感光体断面図である。 1:導電性基体、2:電荷輸送層、3:電荷発生層、4:電子注
入抑制層、5:表面保護層。
例２の感光体の断面図、第3,第４図はそれぞれ比較例1,
2の感光体断面図である。 1:導電性基体、2:電荷輸送層、3:電荷発生層、4:電子注
入抑制層、5:表面保護層。
Claims (2)
- 【請求項１】電荷輸送層がセレン・ひ素合金からなり、
光入射側に隣接する電荷発生層がセレン・テルル合金か
らなり、表面保護層がセレン・ひ素合金からなる電子写
真用感光体において、表面保護層が30重量％以上のひ素
を含むセレン・ひ素合金からなり、電荷発生層と表面保
護層との間に純セレンあるいは10重量％以下のひ素を含
むセレン・ひ素合金からなる電子注入抑制層が介在する
ことを特徴とする電子写真用感光体。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の感光体におい
て、電子注入抑制層の厚さが10μｍ以下であることを特
徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62269705A JPH077215B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子写真用感光体 |
| US07/245,686 US4837099A (en) | 1987-10-26 | 1988-09-16 | Multilayer photoconductor for electrophotography |
| DE3836359A DE3836359A1 (de) | 1987-10-26 | 1988-10-25 | Fotoleiter fuer elektrofotografische anwendungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62269705A JPH077215B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112250A JPH01112250A (ja) | 1989-04-28 |
| JPH077215B2 true JPH077215B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=17476037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62269705A Expired - Lifetime JPH077215B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 電子写真用感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4837099A (ja) |
| JP (1) | JPH077215B2 (ja) |
| DE (1) | DE3836359A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4011267C2 (de) * | 1989-04-12 | 1995-03-23 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial |
| JPH03149563A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| CN105702822B (zh) * | 2016-03-30 | 2017-11-28 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2962376A (en) * | 1958-05-14 | 1960-11-29 | Haloid Xerox Inc | Xerographic member |
| GB1193348A (en) * | 1966-10-03 | 1970-05-28 | Rank Xerox Ltd | Xerographic Process and Apparatus |
| DE2615624C2 (de) * | 1975-04-28 | 1986-01-23 | Xerox Corp., Rochester, N.Y. | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| US4314014A (en) * | 1979-06-15 | 1982-02-02 | Hitachi, Ltd. | Electrophotographic plate and process for preparation thereof |
| JPS58100854A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS58182638A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59162558A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4609605A (en) * | 1985-03-04 | 1986-09-02 | Xerox Corporation | Multi-layered imaging member comprising selenium and tellurium |
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP62269705A patent/JPH077215B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-16 US US07/245,686 patent/US4837099A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-25 DE DE3836359A patent/DE3836359A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4837099A (en) | 1989-06-06 |
| JPH01112250A (ja) | 1989-04-28 |
| DE3836359A1 (de) | 1989-05-03 |
| DE3836359C2 (ja) | 1990-02-08 |
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