JPH01316750A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH01316750A JPH01316750A JP63148987A JP14898788A JPH01316750A JP H01316750 A JPH01316750 A JP H01316750A JP 63148987 A JP63148987 A JP 63148987A JP 14898788 A JP14898788 A JP 14898788A JP H01316750 A JPH01316750 A JP H01316750A
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- Japan
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- layer
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- alloy
- thermal expansion
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷発生層、電荷輸送層および表面保護層を
有する機能分離型で、かつ表面に帯電した正電荷の保持
率の低下を防ぐ電子注入抑制層を電荷発生層と表面保護
層の間に備えた電子写真用感光体に関する。
有する機能分離型で、かつ表面に帯電した正電荷の保持
率の低下を防ぐ電子注入抑制層を電荷発生層と表面保護
層の間に備えた電子写真用感光体に関する。
電子写真方式のプリンタでは、感光体表面に静電潜像を
形成する書込み光として発光ダイオード。
形成する書込み光として発光ダイオード。
半導体レーザあるいはガスレーザを露光光源とした６３
０〜８００ｎ−の長波長領域の光が用いられている。こ
のようなプリンタには、長波長光に対しても高い感度を
持つ電荷発生層、ｍＡ発生層でできたキャリアを輸送す
る電荷輸送層および外部ストレスから電荷発生層を守る
表面保ｔＪｉＮとからなる機能分離型感光体が一般に知
られている。さらに、電荷発生層より露光によらないで
熱励起等により発生した電子が表面に帯電した正電荷の
保持率を低下させることを防ぐため、バンドギャップの
広い高Ｓｓ合金からなる電子注入抑制層を表面保！１１
層との間に介在させる。その他の層の材料は、通常電荷
発生層には高濃度Ｔｅ−Ｓｅ合金が、電荷輸送層には純
Ｓｅが、また表面像！ｌ！層には低濃度＾５−５ｅ合金
が用いられている。
０〜８００ｎ−の長波長領域の光が用いられている。こ
のようなプリンタには、長波長光に対しても高い感度を
持つ電荷発生層、ｍＡ発生層でできたキャリアを輸送す
る電荷輸送層および外部ストレスから電荷発生層を守る
表面保ｔＪｉＮとからなる機能分離型感光体が一般に知
られている。さらに、電荷発生層より露光によらないで
熱励起等により発生した電子が表面に帯電した正電荷の
保持率を低下させることを防ぐため、バンドギャップの
広い高Ｓｓ合金からなる電子注入抑制層を表面保！１１
層との間に介在させる。その他の層の材料は、通常電荷
発生層には高濃度Ｔｅ−Ｓｅ合金が、電荷輸送層には純
Ｓｅが、また表面像！ｌ！層には低濃度＾５−５ｅ合金
が用いられている。
表面保護層は、感光体の耐久性（耐刷性）を決定する重
要な層であるが、低濃度Ａｓ −Ｓｅ合金は熱膨張率が
高く強度的に弱い材料である。これは、下地の電荷輸送
層に非晶質Ｓｅ合金と非常に熱膨張率の高い材料が用い
られているからであり、熱膨張率の差による亀裂の発生
を防ぐためである。したがってこのような感光体は、耐
久性すなわち耐刷性が不十分であるという欠点を持って
いた。そこで最近電荷輸送層と表面保！！ＩＩの熱膨張
率を同時に下げろことで表面保護層の機械的強度を向上
できるという考えの下に、電荷輸送層０表面保護層とも
にＡｓ富Ｓｅｓ合金を用いた高耐刷性のレーザビームプ
リンタ用５ｅ−Ｔｏ−ＡＳ系機能分離型感光体が開発さ
れた。この感光体は最表面層が＾ｓ＠Ｓｅ＠合金である
ため従来の＾ｓ＠Ｓｅｓ感光体と同等レベルの高耐刷性
を実現している。しかしながら、表面保護層に比べ下地
の電荷発生層及び電子注入抑制層の熱膨張率は２倍と大
きいため、５０℃の環境下に放置すると下地の電荷発生
層及び電子注入抑制層が大きく膨脂し、やはり表面保護
層に亀裂が発生してしまうという耐熱性における欠点を
有していた。
要な層であるが、低濃度Ａｓ −Ｓｅ合金は熱膨張率が
高く強度的に弱い材料である。これは、下地の電荷輸送
層に非晶質Ｓｅ合金と非常に熱膨張率の高い材料が用い
られているからであり、熱膨張率の差による亀裂の発生
を防ぐためである。したがってこのような感光体は、耐
久性すなわち耐刷性が不十分であるという欠点を持って
いた。そこで最近電荷輸送層と表面保！！ＩＩの熱膨張
率を同時に下げろことで表面保護層の機械的強度を向上
できるという考えの下に、電荷輸送層０表面保護層とも
にＡｓ富Ｓｅｓ合金を用いた高耐刷性のレーザビームプ
リンタ用５ｅ−Ｔｏ−ＡＳ系機能分離型感光体が開発さ
れた。この感光体は最表面層が＾ｓ＠Ｓｅ＠合金である
ため従来の＾ｓ＠Ｓｅｓ感光体と同等レベルの高耐刷性
を実現している。しかしながら、表面保護層に比べ下地
の電荷発生層及び電子注入抑制層の熱膨張率は２倍と大
きいため、５０℃の環境下に放置すると下地の電荷発生
層及び電子注入抑制層が大きく膨脂し、やはり表面保護
層に亀裂が発生してしまうという耐熱性における欠点を
有していた。
本発明の課題は上述の欠点を除き、感光体としての緒特
性を悪化させることなく、良好な耐熱性を存する高耐剛
性の電子写真用感光体を提供することにある。
性を悪化させることなく、良好な耐熱性を存する高耐剛
性の電子写真用感光体を提供することにある。
（ｌｉＩを解決するための手段〕
上記の課題の解決のために、本発明は、導電性基体上に
設けられる電荷輸送層と表面保１１ＪＩが共にＡｓ１Ｓ
ｅ、に近い組成をもつ合金からなり、電荷輸送層上にＡ
ｓ１Ｓｅｓより熱膨張率の大きいＳｅ合金よりなる電荷
発生層およびＡｓ濃度の低いＳｅ層よりなる電子注入抑
制層が積層される電子写真用感光体において、電荷注入
抑制層と表面保護層の間にＡｓ濃度が電子注入抑制層に
近い組成から表面保護層に近い組成まで徐々に増加する
熱膨脂緩和層が介在するものとする。
設けられる電荷輸送層と表面保１１ＪＩが共にＡｓ１Ｓ
ｅ、に近い組成をもつ合金からなり、電荷輸送層上にＡ
ｓ１Ｓｅｓより熱膨張率の大きいＳｅ合金よりなる電荷
発生層およびＡｓ濃度の低いＳｅ層よりなる電子注入抑
制層が積層される電子写真用感光体において、電荷注入
抑制層と表面保護層の間にＡｓ濃度が電子注入抑制層に
近い組成から表面保護層に近い組成まで徐々に増加する
熱膨脂緩和層が介在するものとする。
熱膨脂係数の大きい電荷発生層および電子注入抑制層の
上にＡｓ８１１度が次第に増加して熱膨張計数が表面保
護層のそれに近付く熱膨脂緩和層を設けることにより、
高温環境下での電荷発生層および電子注入抑制層の熱膨
脂が吸収され表面保護層に亀裂が発生することがない。
上にＡｓ８１１度が次第に増加して熱膨張計数が表面保
護層のそれに近付く熱膨脂緩和層を設けることにより、
高温環境下での電荷発生層および電子注入抑制層の熱膨
脂が吸収され表面保護層に亀裂が発生することがない。
第１図は本発明の実施例の感光体の断面構造を示す、導
電性基体ｌは通常ＭあるいはＸｉのような金属からなる
。その上の電荷輸送層２には３５〜４０重量％Ａｓ −
Ｓｅ合金が５０〜８０ａの膜厚で用いられるのが一般的
である。電荷発生層３は、画像露光に用いられる光の波
長によって組成および膜厚が決められるが一触にはＴｅ
濃度が３０〜５０重量Ｍ、 Ｉｌｌ厚が０．１〜ｌｌ１
ｍの範囲の材料が用いられることが多い、電子注入抑制
層４は電荷発生層３に比ベバンドギャップの広い約１０
重量＾ａ−５ｓ合金からなり、０．１〜２ｍの膜厚で用
いられるのが一般的である。
電性基体ｌは通常ＭあるいはＸｉのような金属からなる
。その上の電荷輸送層２には３５〜４０重量％Ａｓ −
Ｓｅ合金が５０〜８０ａの膜厚で用いられるのが一般的
である。電荷発生層３は、画像露光に用いられる光の波
長によって組成および膜厚が決められるが一触にはＴｅ
濃度が３０〜５０重量Ｍ、 Ｉｌｌ厚が０．１〜ｌｌ１
ｍの範囲の材料が用いられることが多い、電子注入抑制
層４は電荷発生層３に比ベバンドギャップの広い約１０
重量＾ａ−５ｓ合金からなり、０．１〜２ｍの膜厚で用
いられるのが一般的である。
熱膨脂緩和層５は５ｓ−Ａｓ合金により電子注入抑制層
４と表面保護層６の間に設けられ、Ａｓ１１度が電子注
入層近傍ではこれと同じ約１０重量％であり、その後表
面保護層６に近づくにつれ増加して行き、表面保護層近
傍ではこれと同じになるようにして形成される。この熱
膨脂緩和層５は薄すぎると効果がなくなり、また厚すぎ
ると感度及び残留電位特性が悪化することから、０．５
〜３＃１１の膜厚にされる０表面保護層６は＾ａｓｓｅ
ｓに近い３５〜４０重量九Ａｓ−３＠合金からなり、１
〜５−の膜厚で用いられるのが一般的である。電荷発生
層３以外の層には、電荷の動きを速くするために沃素を
１５００ｐ、−以下添加して使われることがある。尚ｔ
ｓｏｏｐｐ−以上の沃素添加は暗減衰の点から好ましく
ない。
４と表面保護層６の間に設けられ、Ａｓ１１度が電子注
入層近傍ではこれと同じ約１０重量％であり、その後表
面保護層６に近づくにつれ増加して行き、表面保護層近
傍ではこれと同じになるようにして形成される。この熱
膨脂緩和層５は薄すぎると効果がなくなり、また厚すぎ
ると感度及び残留電位特性が悪化することから、０．５
〜３＃１１の膜厚にされる０表面保護層６は＾ａｓｓｅ
ｓに近い３５〜４０重量九Ａｓ−３＠合金からなり、１
〜５−の膜厚で用いられるのが一般的である。電荷発生
層３以外の層には、電荷の動きを速くするために沃素を
１５００ｐ、−以下添加して使われることがある。尚ｔ
ｓｏｏｐｐ−以上の沃素添加は暗減衰の点から好ましく
ない。
このような構造をもつ本発明の実施例の感光体および比
較例の感光体を４種類製作した。
較例の感光体を４種類製作した。
感光体Ｎｏ、１：
熱膨脂緩和層５が膜厚２４であり、Ａｓ濃度が電子注入
抑制層近傍で５重量％で表面保護層近傍で３６．８重量
％であるものである。この感光体の製作には加工及び洗
浄した直径８０■のアルミニウム素管を蒸着炉内に設置
し、基体温度を１９０℃に保ち、Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒまで排気した後、３６．８重量％Ａｓ −Ｓｅ合金
の入ったボートを３８０℃に加熱することにより３６．
８重量％＾５−３ｓ合金を素管上に６０−の厚さに蒸着
し電荷輸送層２とした０次に、４４重量％Ｔｅ＝５４１
合金および５重量％Ａｓ−３ｅ合金をそれぞれ膜厚ｌμ
ずつフラッシュ蒸着し、電荷発生層３及び電子注入抑制
ｊｌｉ４とした０次いで、熱膨脹緩和層５として蒸発の
進行と共にＡｓ濃度が５重量％から３６．８重量％まで
変化するように５ｅ−Ａｓ合金をフラッシュ蒸着した。
抑制層近傍で５重量％で表面保護層近傍で３６．８重量
％であるものである。この感光体の製作には加工及び洗
浄した直径８０■のアルミニウム素管を蒸着炉内に設置
し、基体温度を１９０℃に保ち、Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒまで排気した後、３６．８重量％Ａｓ −Ｓｅ合金
の入ったボートを３８０℃に加熱することにより３６．
８重量％＾５−３ｓ合金を素管上に６０−の厚さに蒸着
し電荷輸送層２とした０次に、４４重量％Ｔｅ＝５４１
合金および５重量％Ａｓ−３ｅ合金をそれぞれ膜厚ｌμ
ずつフラッシュ蒸着し、電荷発生層３及び電子注入抑制
ｊｌｉ４とした０次いで、熱膨脹緩和層５として蒸発の
進行と共にＡｓ濃度が５重量％から３６．８重量％まで
変化するように５ｅ−Ａｓ合金をフラッシュ蒸着した。
なお膜厚は２μになるようにした。最後に３６．８重量
％Ａｓ −Ｓｅ合金を２−の厚さにフラッシュ蒸着し、
表面像ＩＪｉｉ６とした。
％Ａｓ −Ｓｅ合金を２−の厚さにフラッシュ蒸着し、
表面像ＩＪｉｉ６とした。
感光体Ｎｏ、２：
この場合は、電荷輸送［２および６の表面保護層の沃素
が１１０００ｐｐ 、電子注入抑制層４に沃素が１１０
０ｐｐ含まれており、熱膨脹緩和層５が膜厚１ｎであり
、Ａｓ濃度が電子注入抑制層近傍で１０重量％で表面保
護層近傍で３８．７重量％であるものである。
が１１０００ｐｐ 、電子注入抑制層４に沃素が１１０
０ｐｐ含まれており、熱膨脹緩和層５が膜厚１ｎであり
、Ａｓ濃度が電子注入抑制層近傍で１０重量％で表面保
護層近傍で３８．７重量％であるものである。
この感光体の製作には、加工及び洗浄した直径８０鶴の
アルミニウム素管を蒸着炉内に設置し、基体温度を２０
０℃に保ち、Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後
、沃素１０００ｐｐ−添加したＡｓ＊Ｓｅｓ合金の入っ
たボートを４００℃に加熱することにより、沃素１００
０ｐｐ■を添加したＡｓｔＳｅ＊合金を素管上に６０−
の厚さに蒸着し、電荷輸送ＩＷ２とした０次に、いずれ
も沃素１１００ｐｐ添加した４６重量％Ｔｅ−５ｅ合金
および１０ｆｆｉ ｆｉｔ％Ａｓ −Ｓｅ合金をそれぞ
れ０．５−および１−の厚さにフラッシュ蒸着し、電荷
発生層３及び電子注入抑制層４とした０次いで、熱膨脹
緩和層５として、蒸発するにつれＡ３濃度が１０重量％
から３８．７重量％まで変化するように５ｅ−Ａｓ合金
をフラッシュ蒸着した。なお、層全体の膜厚はＩｆｍに
なるようにした。最後に沃素１１０００ｐｐ添加したＡ
ｓ１Ｓｅ３合金を３μの厚さにフラッシュ蒸着し表面像
［１６とした。
アルミニウム素管を蒸着炉内に設置し、基体温度を２０
０℃に保ち、Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した後
、沃素１０００ｐｐ−添加したＡｓ＊Ｓｅｓ合金の入っ
たボートを４００℃に加熱することにより、沃素１００
０ｐｐ■を添加したＡｓｔＳｅ＊合金を素管上に６０−
の厚さに蒸着し、電荷輸送ＩＷ２とした０次に、いずれ
も沃素１１００ｐｐ添加した４６重量％Ｔｅ−５ｅ合金
および１０ｆｆｉ ｆｉｔ％Ａｓ −Ｓｅ合金をそれぞ
れ０．５−および１−の厚さにフラッシュ蒸着し、電荷
発生層３及び電子注入抑制層４とした０次いで、熱膨脹
緩和層５として、蒸発するにつれＡ３濃度が１０重量％
から３８．７重量％まで変化するように５ｅ−Ａｓ合金
をフラッシュ蒸着した。なお、層全体の膜厚はＩｆｍに
なるようにした。最後に沃素１１０００ｐｐ添加したＡ
ｓ１Ｓｅ３合金を３μの厚さにフラッシュ蒸着し表面像
［１６とした。
これに対し比較例の感光体は、第２図に示すように熱膨
脂緩和Ｊ！１５がない構造で、他の各層は感光体Ｎｏ、
３ は感光体Ｎｏ、１と、感光体Ｎ０１４は感光体Ｎ
ｏ、２と同様である。これらの感光体について、電気特
性は、疲労特性および耐熱性を評価した結果を第１表に
示す。
脂緩和Ｊ！１５がない構造で、他の各層は感光体Ｎｏ、
３ は感光体Ｎｏ、１と、感光体Ｎ０１４は感光体Ｎ
ｏ、２と同様である。これらの感光体について、電気特
性は、疲労特性および耐熱性を評価した結果を第１表に
示す。
第１表
第１表から本発明の実施例の感光体は電気特性。
疲労特性において熱膨脹緩和層を設けない比較例と同等
遜色なく、耐熱性の点で非常にすぐれていることがわか
る。
遜色なく、耐熱性の点で非常にすぐれていることがわか
る。
本発明によれば、正帯電感光体の電子注入抑制層と表面
保護層の間にＡ３濃度が両層の組成の差を徐々に埋める
ように変化する熱膨脹緩和層を設けることにより、表面
保！１１層の電荷発生層および電子注入抑制層との熱膨
張率の差による高温環境下での亀裂の発生が防止されて
耐熱性が向上し、しかも感光体としての他特性を悪化さ
せることがない。
保護層の間にＡ３濃度が両層の組成の差を徐々に埋める
ように変化する熱膨脹緩和層を設けることにより、表面
保！１１層の電荷発生層および電子注入抑制層との熱膨
張率の差による高温環境下での亀裂の発生が防止されて
耐熱性が向上し、しかも感光体としての他特性を悪化さ
せることがない。
第１図は本発明の実施例の電子写真用感光体の構造を示
す断面図、第２図は比較例の構造を示す断面図である。 １ｅｓｉｉｔ性基体、２：電荷輸送層、３；電荷発生層
、４：電子注入抑制層、５：熱膨脹緩和層、６：表面像
ｍ層。
す断面図、第２図は比較例の構造を示す断面図である。 １ｅｓｉｉｔ性基体、２：電荷輸送層、３；電荷発生層
、４：電子注入抑制層、５：熱膨脹緩和層、６：表面像
ｍ層。
Claims (1)
- １）導電性基体上に設けられる電荷輸送層と表面保護層
が共にＡｓ＿２Ｓｅ＿３に近い組成をもつセレン・砒素
合金からなり、電荷輸送層上にいずれもＡｓ＿２Ｓｅ＿
３より熱膨脹率の大きいセレン合金よりなる電荷発生層
および砒素濃度の低いセレン層よりなる電子注入抑制層
が積層されるものにおいて、電荷注入抑制層と表面保護
層の間に砒素濃度が電子注入抑制層より近い組成から表
面保護層に近い組成まで徐々に増加する熱膨脹緩和層が
介在することを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148987A JPH01316750A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真用感光体 |
| US07/368,237 US5021310A (en) | 1988-06-16 | 1989-06-16 | Electrophotographic photoreceptor |
| DE3919805A DE3919805A1 (de) | 1988-06-16 | 1989-06-16 | Elektrofotografischer fotorezeptor |
| GB8913910A GB2219868B (en) | 1988-06-16 | 1989-06-16 | Electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148987A JPH01316750A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316750A true JPH01316750A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15465167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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