JPS60144751A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60144751A JPS60144751A JP59000438A JP43884A JPS60144751A JP S60144751 A JPS60144751 A JP S60144751A JP 59000438 A JP59000438 A JP 59000438A JP 43884 A JP43884 A JP 43884A JP S60144751 A JPS60144751 A JP S60144751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- thickness
- electrophotographic photoreceptor
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、寿命の長い電子写真感光体およびその製造方
法に係り、特に、レーザ・ビーム・プリンタおよび複写
機等に用いられる高感度なアモルファス・シリコンから
成る電子写真感光体およびその製造方法に関する。
法に係り、特に、レーザ・ビーム・プリンタおよび複写
機等に用いられる高感度なアモルファス・シリコンから
成る電子写真感光体およびその製造方法に関する。
従来、電子写真感光体として用いられている光尋電性材
料とシテ、Ｓ ｅ＋ ＣｄＳ ＋ ｈＳｚ Ｓｅｓ ＋
ＺｎＯ等の無機物やポリビニールカルバゾール（ＰＶＫ
）に代茨される有機物がある。これらの光導鴫性材料は
優れた光導成性をもっているが、硬度が低いために、使
用中に表面に傷が生じ易いという欠点があった。そのた
め、高速で印刷することを得意とするレーザ・ビーム・
プリンタに用いる場合に、短時間で感光体部品を新品に
交換せざるを得なかった。この欠点を改善する対策とし
ては、高品位の画像及び長寿命の感光体を提供する目的
で水素化アモルファス・７リコン（以下、ａ−８ｉ：Ｈ
と称す。）を感光体の材料として用いることが提案され
ている（％開昭５４−７８１３５号）。このａ−ｓｉ：
Ｈから成る感光体は分光感度が、４００〜７ＱＱＨｍの
可視波長域にあるため、ｍｅ−Ｃｃｌ（波長４４１ｎｍ
）、Ａｒ（５５１０ｍ）、Ｈｅ−Ｎｅ （６３３ｎｍ）
等のガスレーザ及び波長６８３ｎｍ近傍の可視半導体レ
ーザを光源トスるレーザ・ビーム・プリンタあるいは複
写機に用偽る感光体として厳適でめる。このような、感
光体は導電性基板上にａ−８ｉ：Ｈを蒸着法おるいはグ
ロー放電法で積層して形成されている。
料とシテ、Ｓ ｅ＋ ＣｄＳ ＋ ｈＳｚ Ｓｅｓ ＋
ＺｎＯ等の無機物やポリビニールカルバゾール（ＰＶＫ
）に代茨される有機物がある。これらの光導鴫性材料は
優れた光導成性をもっているが、硬度が低いために、使
用中に表面に傷が生じ易いという欠点があった。そのた
め、高速で印刷することを得意とするレーザ・ビーム・
プリンタに用いる場合に、短時間で感光体部品を新品に
交換せざるを得なかった。この欠点を改善する対策とし
ては、高品位の画像及び長寿命の感光体を提供する目的
で水素化アモルファス・７リコン（以下、ａ−８ｉ：Ｈ
と称す。）を感光体の材料として用いることが提案され
ている（％開昭５４−７８１３５号）。このａ−ｓｉ：
Ｈから成る感光体は分光感度が、４００〜７ＱＱＨｍの
可視波長域にあるため、ｍｅ−Ｃｃｌ（波長４４１ｎｍ
）、Ａｒ（５５１０ｍ）、Ｈｅ−Ｎｅ （６３３ｎｍ）
等のガスレーザ及び波長６８３ｎｍ近傍の可視半導体レ
ーザを光源トスるレーザ・ビーム・プリンタあるいは複
写機に用偽る感光体として厳適でめる。このような、感
光体は導電性基板上にａ−８ｉ：Ｈを蒸着法おるいはグ
ロー放電法で積層して形成されている。
しかし、このよう１ユ形成したａ−ｓｔ：Ｈ層は表面抵
抗が１０１１〜１０１３Ωと低い。そのため、高湿の条
件下ではａ−８ｉ：Ｈ膜上に水分が吸着され表面抵抗を
１０８゛〜１０１０Ωに低下される。これはコロナ￥１
＃電によりａ−ｓｔ：Ｈ層の表面に電荷を蓄える感光体
としては表面の抵抗値が低いため表面に蓄えられた電荷
が膜表面に沿って流れるので画像ぼけの原因となるとい
う致命的な欠点を有している。
抗が１０１１〜１０１３Ωと低い。そのため、高湿の条
件下ではａ−８ｉ：Ｈ膜上に水分が吸着され表面抵抗を
１０８゛〜１０１０Ωに低下される。これはコロナ￥１
＃電によりａ−ｓｔ：Ｈ層の表面に電荷を蓄える感光体
としては表面の抵抗値が低いため表面に蓄えられた電荷
が膜表面に沿って流れるので画像ぼけの原因となるとい
う致命的な欠点を有している。
この画像はけを防止する従来の方法としては、表ｒＭ抵
抗を高める目的でａ−ｓｔ：Ｈ層の表面上に５ｌＯｚあ
るいはＳｉＣ等をオーバコートする方法がある。ａ−ｓ
ｉ：）ｌは可視光全域で筒感度を有するが、耐湿性を向
上するためにオーバーコートしｆｃ８ ｉ（ｈ 、Ｓ
ｉＣおよびＳｉＮｘ等を主成分とする高抵抗の薄膜はい
ずれも感光体における価電子帯と伝導帯の間に形成され
るバンドギャップ（禁止帯ともいう）が広く短波長光を
吸収する１頃向にある。そのため、ａ−８ｉ：Ｈａでの
光の吸収が低下する。更に、これらの５ｉＯｚ等の薄膜
は結晶中に不純度を含有するか、その他の構造上の欠陥
によりバンドギャップ中に電子や正孔のトラップ準位を
多く持つようになり、この薄膜の近傍に発生した電子や
正孔をトラップし、価電子帯より伝導帯への電子の遷移
を阻止して光導電性を劣化する。
抗を高める目的でａ−ｓｔ：Ｈ層の表面上に５ｌＯｚあ
るいはＳｉＣ等をオーバコートする方法がある。ａ−ｓ
ｉ：）ｌは可視光全域で筒感度を有するが、耐湿性を向
上するためにオーバーコートしｆｃ８ ｉ（ｈ 、Ｓ
ｉＣおよびＳｉＮｘ等を主成分とする高抵抗の薄膜はい
ずれも感光体における価電子帯と伝導帯の間に形成され
るバンドギャップ（禁止帯ともいう）が広く短波長光を
吸収する１頃向にある。そのため、ａ−８ｉ：Ｈａでの
光の吸収が低下する。更に、これらの５ｉＯｚ等の薄膜
は結晶中に不純度を含有するか、その他の構造上の欠陥
によりバンドギャップ中に電子や正孔のトラップ準位を
多く持つようになり、この薄膜の近傍に発生した電子や
正孔をトラップし、価電子帯より伝導帯への電子の遷移
を阻止して光導電性を劣化する。
したがって、従来の゛電子写真感光体で５ｉ（ｈ等の薄
膜の表面に吸収される短波長の範囲で感光が低下すると
いう問題点を有していた。
膜の表面に吸収される短波長の範囲で感光が低下すると
いう問題点を有していた。
本発明の目的は、ａ−ｓｉ：Ｈのもつ優れた光導電性を
損うことなく短波長での感度の低下しない篩耐湿性のａ
−８ｒ：Ｈからなる電子写真感光体およびその製造方法
を提供することにある。
損うことなく短波長での感度の低下しない篩耐湿性のａ
−８ｒ：Ｈからなる電子写真感光体およびその製造方法
を提供することにある。
本願第１の発明は、４酸性基板上に水素を含むアモルフ
ァス・シリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）を積層した電子写真感
光体において、前記ａ−ｓｒ：Ｈ層上に更に積層した０
、１〜５μｍのフッ素を含むアモルファス°シリコン（
ａ−８ｉ ： Ｆ ）ＩＭヲ有することを特徴としてい
る。
ァス・シリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）を積層した電子写真感
光体において、前記ａ−ｓｒ：Ｈ層上に更に積層した０
、１〜５μｍのフッ素を含むアモルファス°シリコン（
ａ−８ｉ ： Ｆ ）ＩＭヲ有することを特徴としてい
る。
本ｗ！第２の発明は、導電性基板上に積層したアモルフ
ァス・シリコン（ａ −Ｓ ｉ ： Ｈ） 層（’）表
ＦＩにフッ素を含むアモルファス・シリコン（ａ−８ｉ
：Ｆ）層を形成する電子写真感光体の製造方法において
、前記ａ−ｓ：：ｐ層を、高純度のフッ素ガスをイオン
ガンにより真空中でイオン化し、該フッ素イオンを前記
ａ−８ｒ：Ｈ層に打ち込んで形成することを特徴として
いる。
ァス・シリコン（ａ −Ｓ ｉ ： Ｈ） 層（’）表
ＦＩにフッ素を含むアモルファス・シリコン（ａ−８ｉ
：Ｆ）層を形成する電子写真感光体の製造方法において
、前記ａ−ｓ：：ｐ層を、高純度のフッ素ガスをイオン
ガンにより真空中でイオン化し、該フッ素イオンを前記
ａ−８ｒ：Ｈ層に打ち込んで形成することを特徴として
いる。
本発明に係る電子写真感光体はａ−ｓｉ：Ｈ層の狭面に
更に尚純度のａ−ｓｒ：ｐ層を形成して高抵抗で且つ耐
湿性を高め、画像ぼけを防止することにより、高い光感
度を得るところに特徴があり、、ａ−ｓｔ：ｔ’層の膜
厚は所望の光感度を得るには０．１〜５μｍの範囲が好
ましい。；１−８ｊ：１層の膜厚が０．１μｍ以下では
、均一な膜を形成することが困離である一方、５μｍを
越えると、かえって光感度が劣化し、所望の光感度を満
足するには膜厚を５μｍ以下に抑制する必要がおる。
更に尚純度のａ−ｓｒ：ｐ層を形成して高抵抗で且つ耐
湿性を高め、画像ぼけを防止することにより、高い光感
度を得るところに特徴があり、、ａ−ｓｔ：ｔ’層の膜
厚は所望の光感度を得るには０．１〜５μｍの範囲が好
ましい。；１−８ｊ：１層の膜厚が０．１μｍ以下では
、均一な膜を形成することが困離である一方、５μｍを
越えると、かえって光感度が劣化し、所望の光感度を満
足するには膜厚を５μｍ以下に抑制する必要がおる。
また、ａ ＳＩ：１層は高純度で且つ構造上の ′欠陥
の少ない材料であるため、バンドギャップ中に発生する
トラップ準位の少ない構造を有している。このような高
純度で且つ構造上の欠陥の少ないａ−ｓｒ：１層を他の
本発明により傅ることができる。
の少ない材料であるため、バンドギャップ中に発生する
トラップ準位の少ない構造を有している。このような高
純度で且つ構造上の欠陥の少ないａ−ｓｒ：１層を他の
本発明により傅ることができる。
次に本発明に係る電子写真感光体の製造方法について説
明する。
明する。
まず、導電性基板上に水素を含むアモルファス・シリコ
ン（ａ−１９ｉ：ｌ（）を所定の厚さに積層する。次い
で、ＳｉＦ４ガスは比較的に不純物を多く官有するため
、高純度のフッ累ガスを選んで、このフッ素ガス會イオ
ンガンによって真空中でイオン化し、該フッ素イオンを
ａ−ｓｉ：Ｆ層に打ち込んで所定の厚さたとえば０．５
〜５μｍのａ −８４：Ｐｊｍｋ形成する。Ｆ（７ツ素
）はＨに比べてＳｉとの親和力が強いため、ａ−ｓｉ：
Ｆ層に打ち込んだＦがＢｉと結合してＳ ｉ ｐ結合を
形成する。このようにして、高品位のａ−８ｉ：Ｆ膜を
作成することができ、高耐湿性のａ−ｄｉ：Ｆ膜に榎わ
れた電子写真感光体を得ることが可能となる。
ン（ａ−１９ｉ：ｌ（）を所定の厚さに積層する。次い
で、ＳｉＦ４ガスは比較的に不純物を多く官有するため
、高純度のフッ累ガスを選んで、このフッ素ガス會イオ
ンガンによって真空中でイオン化し、該フッ素イオンを
ａ−ｓｉ：Ｆ層に打ち込んで所定の厚さたとえば０．５
〜５μｍのａ −８４：Ｐｊｍｋ形成する。Ｆ（７ツ素
）はＨに比べてＳｉとの親和力が強いため、ａ−ｓｉ：
Ｆ層に打ち込んだＦがＢｉと結合してＳ ｉ ｐ結合を
形成する。このようにして、高品位のａ−８ｉ：Ｆ膜を
作成することができ、高耐湿性のａ−ｄｉ：Ｆ膜に榎わ
れた電子写真感光体を得ることが可能となる。
従来のａ−８ｔ：Ｆはａ−ｓｉ：Ｈに比ベトラップ準位
が多く且つＦが侵食性を有するため、成膜の条件をＹ１
ｉＩＪ＃することが困蛾でめった。これはａ−８ｉ：Ｆ
を形成するに際し、不純物を比較的に多く含有するＳｉ
Ｆガスを用いためであり、膜の不純物および構造上の欠
陥を有する結晶が晶出し、バンドギャップ中のトラップ
準位が増加しているためである。本発明によれば、高純
度のＦガスをイオン化してａ−８ｉ：Ｈと置換結合して
ａ−ｓ ｔ ： Ｆ層するので、トラップ準位の少ない
感光体を製造することができる。
が多く且つＦが侵食性を有するため、成膜の条件をＹ１
ｉＩＪ＃することが困蛾でめった。これはａ−８ｉ：Ｆ
を形成するに際し、不純物を比較的に多く含有するＳｉ
Ｆガスを用いためであり、膜の不純物および構造上の欠
陥を有する結晶が晶出し、バンドギャップ中のトラップ
準位が増加しているためである。本発明によれば、高純
度のＦガスをイオン化してａ−８ｉ：Ｈと置換結合して
ａ−ｓ ｔ ： Ｆ層するので、トラップ準位の少ない
感光体を製造することができる。
〔発明の実施例」
以下、本発明の実施例を挙げて説明する。
〈実施例１〉
本発明の製造方法の実施例を図に基づいて説明する。
第１図は本発明の実施に用いられる製造装置の一例を示
す概要図である。
す概要図である。
この製造装置は、真空チャンバ１内の上部に固定された
基板ホルダ２に基板３が保持され、基板ホルダ２内に内
蔵したヒータ４によシ基板３を加熱できるようになって
おシ、この基板３に対向して真空チャンバ１内の上部に
固定されたカソード電極５上にシリコンターゲット６が
載置されている。さらに、真空チャンバ１内の両側には
図示しないマスコロ−コントローラ（ＭＦＣ）を介して
Ａ ｒ−Ｈ２ガスを導入する導入管７および基板３に向
けてＦ２イオンガン８がそれぞれ設けられて構成されて
いる。
基板ホルダ２に基板３が保持され、基板ホルダ２内に内
蔵したヒータ４によシ基板３を加熱できるようになって
おシ、この基板３に対向して真空チャンバ１内の上部に
固定されたカソード電極５上にシリコンターゲット６が
載置されている。さらに、真空チャンバ１内の両側には
図示しないマスコロ−コントローラ（ＭＦＣ）を介して
Ａ ｒ−Ｈ２ガスを導入する導入管７および基板３に向
けてＦ２イオンガン８がそれぞれ設けられて構成されて
いる。
このように４１４成した製造装置を用いて電子写真感光
体を製造するに際し、まず、真空チャンバ１内をＩ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒに排気した後、ヒータ４により基
板３を２００Ｃに加熱する。次いて、マスコロ−コント
ローラ（ＭＦＣ）によりＡｔ−５０％Ｈ２の混合ガスを
導入し、真空チャンバ１内を５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒに保
持し、高周波電源９によシ基板３とシリコンターゲット
６との間に高電圧を印加した。導入されたＡｒ−５Ｏ％
Ｈ２の混合ガスはイオン化してＡｔ”およびＨ＋となる
。この人ｒ＋イオンはシリコンターゲット６にスパッタ
し、ＳＩを蒸発させると共にイオン化し、基板３上にａ
−ｓｒ：Ｈ膜を２０μｍ堆積させた。
体を製造するに際し、まず、真空チャンバ１内をＩ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒに排気した後、ヒータ４により基
板３を２００Ｃに加熱する。次いて、マスコロ−コント
ローラ（ＭＦＣ）によりＡｔ−５０％Ｈ２の混合ガスを
導入し、真空チャンバ１内を５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒに保
持し、高周波電源９によシ基板３とシリコンターゲット
６との間に高電圧を印加した。導入されたＡｒ−５Ｏ％
Ｈ２の混合ガスはイオン化してＡｔ”およびＨ＋となる
。この人ｒ＋イオンはシリコンターゲット６にスパッタ
し、ＳＩを蒸発させると共にイオン化し、基板３上にａ
−ｓｒ：Ｈ膜を２０μｍ堆積させた。
その後、更にスパッタリングして約０．２μｍのａ−８
ｉ膜を基板３上に形成しながら、Ｆ２イオンガン８によ
るＦイオンを注入してａ−８ｉ：Ｆ層をａ−ｓｉ：Ｈ膜
上に被覆した。
ｉ膜を基板３上に形成しながら、Ｆ２イオンガン８によ
るＦイオンを注入してａ−８ｉ：Ｆ層をａ−ｓｉ：Ｈ膜
上に被覆した。
このようにして得られた膜の電子真空特性を第１表に示
す評価条件で測定した。
す評価条件で測定した。
第 １ 表
第２図は、波長（ｎｍ）と電子写真感光体の感度（ｍ”
／ｍＪ＞との間係を示す線図である。ここで、感度とは
表面電位を半減させる必要な光のエネルギーの逆数で定
義され、この値（ｍ’／ｍＪ）が大きい機高感度である
ことを示す。
／ｍＪ＞との間係を示す線図である。ここで、感度とは
表面電位を半減させる必要な光のエネルギーの逆数で定
義され、この値（ｍ’／ｍＪ）が大きい機高感度である
ことを示す。
図から明らかなように、従来のａ−８ｉ：Ｈ膜上に５ｉ
０２を０．２μｍオーバコートした感光体では放射状の
感度特性を示し、波長５５Ｑｎｍ以下で著しく感度が低
下している。一方、本発明によるａ−ｉ９ｉ：Ｈ膜上に
ａ−ｓｉ：ｐを０．２ μｍオーバコートした感光体は
、ａ−８ｉ：Ｈ膜上にオーバコートしない感光体の感度
特性とほぼ同等でオシ、特に短波長での感度の差がない
ことがわかる。したがって、本発明におけるａ−８ｉ：
Ｆ膜が良好なオーバーコート材であることが判明した。
０２を０．２μｍオーバコートした感光体では放射状の
感度特性を示し、波長５５Ｑｎｍ以下で著しく感度が低
下している。一方、本発明によるａ−ｉ９ｉ：Ｈ膜上に
ａ−ｓｉ：ｐを０．２ μｍオーバコートした感光体は
、ａ−８ｉ：Ｈ膜上にオーバコートしない感光体の感度
特性とほぼ同等でオシ、特に短波長での感度の差がない
ことがわかる。したがって、本発明におけるａ−８ｉ：
Ｆ膜が良好なオーバーコート材であることが判明した。
〈実施例２〉
この実施例は感光体におけるａ−３ｉ：膜の厚さを２０
μｍと一定にし、ａ−ｓｉ：ｐのオーバーコートの厚さ
を０．１〜１５μｍの範囲で種々変えた膜を作成して、
それぞれのｔ子写真特性を比較したものである。なお、
露光波長は４００ ｎ ｍとして、各々の感度の膜厚依
存性をめた。
μｍと一定にし、ａ−ｓｉ：ｐのオーバーコートの厚さ
を０．１〜１５μｍの範囲で種々変えた膜を作成して、
それぞれのｔ子写真特性を比較したものである。なお、
露光波長は４００ ｎ ｍとして、各々の感度の膜厚依
存性をめた。
第３図はａ−８ｉ：Ｆのオーバーコートノーの厚さくμ
ｍ）と感Ｉｆ ＜ｎｌ／ｍＪ ）との関係を示す線図で
ある。
ｍ）と感Ｉｆ ＜ｎｌ／ｍＪ ）との関係を示す線図で
ある。
図から明らかなように、感光体の感度はオーバーコート
の厚さが０．５μｍ以下となると低下する傾向を示し、
従来の電光写真感光体の感度と同等又はそれ以上の特性
を得るには０．１〜５μｍの範囲の膜厚が必要であるこ
とがわかる。
の厚さが０．５μｍ以下となると低下する傾向を示し、
従来の電光写真感光体の感度と同等又はそれ以上の特性
を得るには０．１〜５μｍの範囲の膜厚が必要であるこ
とがわかる。
また、３０Ｃ，８０％の高湿条件で、従来のオーバーコ
ートなしの感光体および本発明の感光体を用いる複写機
を用いて１万枚印刷して画像ぼけの発生状況を調査した
。その結果、従来の感光体では１００枚の印刷で画像は
けが発生したのに対し＼本発明の感光体では１万枚の印
刷でも画像ぼけが発生しないことが判明した。
ートなしの感光体および本発明の感光体を用いる複写機
を用いて１万枚印刷して画像ぼけの発生状況を調査した
。その結果、従来の感光体では１００枚の印刷で画像は
けが発生したのに対し＼本発明の感光体では１万枚の印
刷でも画像ぼけが発生しないことが判明した。
以上からａ−８ｉ：Ｆは高耐湿膜であることが示された
が、この膜は高抵抗であるため基板とａ−ｓ ｉ：Ｈ膜
間にブロッキング層として用いると、Ｍ Ｉ Ｓ （Ｍ
ｅｔａｌ−、ｔｎｓｕｔａｔｏｒ−８ｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）構造をとり、よシ改良な感光体の特性向上に
なることが推測される。
が、この膜は高抵抗であるため基板とａ−ｓ ｉ：Ｈ膜
間にブロッキング層として用いると、Ｍ Ｉ Ｓ （Ｍ
ｅｔａｌ−、ｔｎｓｕｔａｔｏｒ−８ｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）構造をとり、よシ改良な感光体の特性向上に
なることが推測される。
次に、ａ−８ｉ：Ｆ膜をブロッキング層として用いた電
子写真感光体の実施例を示す。
子写真感光体の実施例を示す。
〈実施例３〉
第４図は、ブロッキング層としてのａ−３ｉ：Ｆ膜を厚
さｆ、０．１〜１５μｍと変えて作製したサンドウィッ
チタイプ（Ａｔ／ａ−８ｉ ： Ｆ／ ａ −８ｉ ：
Ｈ／ａ−ｓ ｉ ： Ｆ）の感光体の特性の一例を示す
。なお、ここで、ａ−ｓｉ：Ｈば２０μｍ。
さｆ、０．１〜１５μｍと変えて作製したサンドウィッ
チタイプ（Ａｔ／ａ−８ｉ ： Ｆ／ ａ −８ｉ ：
Ｈ／ａ−ｓ ｉ ： Ｆ）の感光体の特性の一例を示す
。なお、ここで、ａ−ｓｉ：Ｈば２０μｍ。
表面ノオーバーコート層のａ−８ｉＳｐ層は０．５μｍ
である。
である。
ブロッキング層の特性を判定するには、帯電後の表面電
位の暗減衰率（暗減衰率とは初期表面電位Ｖｏと５秒後
の表面電位■６とするとＶ ｓ／ Ｖ 。
位の暗減衰率（暗減衰率とは初期表面電位Ｖｏと５秒後
の表面電位■６とするとＶ ｓ／ Ｖ 。
で定義し、その値が大きい極高性能である）及び露光後
の表面電位（残留電位といい、この値が小さい極高性能
で必る）の変化を調べる必要かめる。
の表面電位（残留電位といい、この値が小さい極高性能
で必る）の変化を調べる必要かめる。
図に示すように、暗減衰はブロッキング層の膜厚と共に
向上する。一方、残留−位は膜厚が０．１〜５μＩＴＩ
ではＩＯＶと一定でるるか、これ以上の膜厚ではじたい
に尚くｌす、１５μｔｎでは２００■となる。暗減衰と
残留電位のブロッキング層厚さの関係は相反すめが、厚
さ０．１〜５μｍに艮好な範囲で、）ることが判明され
た。
向上する。一方、残留−位は膜厚が０．１〜５μＩＴＩ
ではＩＯＶと一定でるるか、これ以上の膜厚ではじたい
に尚くｌす、１５μｔｎでは２００■となる。暗減衰と
残留電位のブロッキング層厚さの関係は相反すめが、厚
さ０．１〜５μｍに艮好な範囲で、）ることが判明され
た。
以上の説明から明らかなよりに、本発明によれば、短波
長でも高感度を発揮すると共に、高耐湿性に優れた１子
写真感光体およびその製造方法を提供するものとしてそ
の効果に犬なるものがある。
長でも高感度を発揮すると共に、高耐湿性に優れた１子
写真感光体およびその製造方法を提供するものとしてそ
の効果に犬なるものがある。
第１図は、本発明の電子写真感光体の製造に用いる製造
装置の一例を示す概要図、第２図は波長と感光体の感度
との関係を示す線図、第３図は本発明の感光体のオーバ
ーコートノーの厚さと感度との関係を示す線図、ｇ４図
は本発明の感光体におけるプロツキ７７層の厚さと暗減
衰率および残留電位との関係を示す線図である。 １・・・真空チャンバー、３・・・基板、６・・・シリ
コンターケラト、８・・・イオンガン。 代理人 弁理士 鵜沼辰之 ＄ Ｉ 囚 ４ 第２ 図 演喪 詠柩ジ 茅３ 固 オーツＸコート４レリ雪２ （／Ｌゲノ茅４．目 θ・／ ／、θ ／ρ ２θ アロツキ′／７−４４Ｊｙ（／帆９ 第１頁の続き ■発明者 大 野 俊 之 日立市幸町３丁目所内 ０発明者 華 園 雅 信 日立市幸町３丁目所内 １番１号 株式会社日立製作所日立研究１番１号 株式
会社日立製作所日立研究手続補正書 昭和５９年ｌＯ月９７日 昭和５９年 特許願 第 ４３８ 号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ！ （０３） ３４４−５３２１ （代表）自発 ６、補正により増加する発明の数 ７、 補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、明細書の発明の詳細な説
明の欄。 二の内容 １許請求の範囲を別紙のとおり改める。 （２）明細書第５頁第１３行〜第１４行の「前ｕ己ａ−
８ｉ：Ｈ層上に更に積層した」を「前記導電性基板上に
更に積層した１に改める。 以上 特許請求の範囲 （１）導電性基板上に水素を含むアモルファス・シリコ
ン（ａ−８ｉ：Ｈ）を積層した電子写真感光体において
、前記導電性基板上に更に積層した膜厚０．１〜５μｍ
のアモルファス・シリコン（ａ−８ｉ二Ｆ）層を有する
ことを特徴とする電子写真感光体。 （２）導電性基板上にａ−８ｉ：Ｈ層とａ−８ｉ：Ｆ層
を順次積層したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。 （３） ａ−ｓｔ：ｐ層は導電性基板とａ−８ｉ：Ｈ層
との間に挾持されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の電子写真感光体。 （４）導電性基板上に積層したアモルファス・シリコン
（ａ−８ｉ：Ｈ）の表面にフッ素を含むアモルファス・
シリコン（ａ−８ｉ：Ｆ）層を形成した電子写真感光体
を製造する方法において、前記ａ −８ｉ：Ｆ層を、高
純度のフッ素ガスをイオンガンにより真空中でイオン化
し、該フッ素イオンを前記ａ−８ｔ ：Ｈ層に打ち込ん
で形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法
。
装置の一例を示す概要図、第２図は波長と感光体の感度
との関係を示す線図、第３図は本発明の感光体のオーバ
ーコートノーの厚さと感度との関係を示す線図、ｇ４図
は本発明の感光体におけるプロツキ７７層の厚さと暗減
衰率および残留電位との関係を示す線図である。 １・・・真空チャンバー、３・・・基板、６・・・シリ
コンターケラト、８・・・イオンガン。 代理人 弁理士 鵜沼辰之 ＄ Ｉ 囚 ４ 第２ 図 演喪 詠柩ジ 茅３ 固 オーツＸコート４レリ雪２ （／Ｌゲノ茅４．目 θ・／ ／、θ ／ρ ２θ アロツキ′／７−４４Ｊｙ（／帆９ 第１頁の続き ■発明者 大 野 俊 之 日立市幸町３丁目所内 ０発明者 華 園 雅 信 日立市幸町３丁目所内 １番１号 株式会社日立製作所日立研究１番１号 株式
会社日立製作所日立研究手続補正書 昭和５９年ｌＯ月９７日 昭和５９年 特許願 第 ４３８ 号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ！ （０３） ３４４−５３２１ （代表）自発 ６、補正により増加する発明の数 ７、 補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、明細書の発明の詳細な説
明の欄。 二の内容 １許請求の範囲を別紙のとおり改める。 （２）明細書第５頁第１３行〜第１４行の「前ｕ己ａ−
８ｉ：Ｈ層上に更に積層した」を「前記導電性基板上に
更に積層した１に改める。 以上 特許請求の範囲 （１）導電性基板上に水素を含むアモルファス・シリコ
ン（ａ−８ｉ：Ｈ）を積層した電子写真感光体において
、前記導電性基板上に更に積層した膜厚０．１〜５μｍ
のアモルファス・シリコン（ａ−８ｉ二Ｆ）層を有する
ことを特徴とする電子写真感光体。 （２）導電性基板上にａ−８ｉ：Ｈ層とａ−８ｉ：Ｆ層
を順次積層したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。 （３） ａ−ｓｔ：ｐ層は導電性基板とａ−８ｉ：Ｈ層
との間に挾持されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の電子写真感光体。 （４）導電性基板上に積層したアモルファス・シリコン
（ａ−８ｉ：Ｈ）の表面にフッ素を含むアモルファス・
シリコン（ａ−８ｉ：Ｆ）層を形成した電子写真感光体
を製造する方法において、前記ａ −８ｉ：Ｆ層を、高
純度のフッ素ガスをイオンガンにより真空中でイオン化
し、該フッ素イオンを前記ａ−８ｔ ：Ｈ層に打ち込ん
で形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性基板上に水素を含むアモルファス・シリコン
（ａ−８ｉ：Ｈ）を積層した電子写真感光体において、
前記ａ−８ｔ：Ｈ層上に更に積層した膜厚０．１〜５μ
ｍのアモルファス拳シリコン。 （ａ−８ｉ：Ｆ）／−を有することを特徴とする電子写
真感光体。 ２、導電性基板上にａ−ｓｉｓＨ層とａ−８ｉ：Ｆ層を
順次積層したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子写真感光体。 ３、ａ−８ｉ：Ｆ層は導電性基板とａ−８ｉＳＨ層との
間に挾持されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電子写真感光体。 ４、導電性基板上に積層したアモルファス・シリコン（
ａ−Ｓｉ：Ｈ）の表面にフッ素を含むアモルファス・シ
リコン（ａ−ｓｉ：Ｆ）層を形成した電子写真感光体を
製造する方法において、前記ａ−−３ｉ ： ｐ層を、
高純度のフッ素ガスをイオンガンにより真空中でイオン
化し、該フッ素イオンを前記ａ−８ｉ：Ｈ層に打ち込ん
で形成することを％徴とする電子写真感光体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000438A JPH065390B2 (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000438A JPH065390B2 (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144751A true JPS60144751A (ja) | 1985-07-31 |
| JPH065390B2 JPH065390B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=11473813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59000438A Expired - Lifetime JPH065390B2 (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065390B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275851A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導電部材の作成方法 |
| CN113745099A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 多晶硅层、其制作方法以及半导体器件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562778A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Preparation of photoconductor film |
| JPS5752178A (en) * | 1980-09-13 | 1982-03-27 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS59102244A (ja) * | 1982-12-04 | 1984-06-13 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP59000438A patent/JPH065390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562778A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Preparation of photoconductor film |
| JPS5752178A (en) * | 1980-09-13 | 1982-03-27 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS59102244A (ja) * | 1982-12-04 | 1984-06-13 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275851A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導電部材の作成方法 |
| CN113745099A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 多晶硅层、其制作方法以及半导体器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065390B2 (ja) | 1994-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4495262A (en) | Photosensitive member for electrophotography comprises inorganic layers | |
| JPS60144751A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPS58215658A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0310940B2 (ja) | ||
| JPS62272275A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS58217940A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0234020B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
| JPH0234019B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
| JPS58219561A (ja) | 記録体 | |
| JPS58192045A (ja) | 感光体 | |
| JPS61165762A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61160752A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS59102244A (ja) | 感光体及びその製造方法 | |
| JPS60235151A (ja) | 感光体 | |
| JPH03288861A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH02146054A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0256661B2 (ja) | ||
| JPS60235149A (ja) | 感光体 | |
| JPS5986052A (ja) | 記録体 | |
| JPH0212159A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6088952A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS58219562A (ja) | 記録体及びその使用方法 | |
| JPS59212841A (ja) | 感光体 | |
| JPS60203961A (ja) | 感光体 | |
| JPS62113154A (ja) | 電子写真感光体 |