JPS58192045A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓ＠、又はＢｅにＡｌＩ
３、ｓｂ等をドープした感光体％ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。　し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、横槍的強度の点で問題がある。

一方、７そルファスシリコン（ａ−８１）ヲｆｆｉ材と
して用いた電子写真感光体が退部にな−）【提案されて
いる。　ａ−８１は、５ｔ−ｓｓの結合手が切れたいわ
ゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因
してエネルギーギャップ内に多くの局在単位が存在する
。　このために、熱励趨担体のホッピング伝導が生じて
暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップ
されて光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥
を水素原子■で補償して＠ｕｃａｖ結倉させることによ
りて、ダングリングボンドを堀めることが行なわれる。

二のよ５なアモルファス水素化シリラン（以下、ａ−８
１：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率はｌＯ＠〜１０９
Ω１であつて、アモルファスＳ・と比較すれば約１万分
の１も低い、　従って、ａ−８ｌ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減真速度が大きく、初期帯電電位が
低いとい問題点を有している。　しかし他方では、可視
及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少する
ため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有して
いる。

そこで、このようなａ　−Ｓｉ：ＨＫ電位保持能を付与
するため、ホウ素をドープすることにより抵抗率を約１
０’″Ω−罰にまで高めることができるが、ホウ素量を
そのように正確に制御することは容易ではない上に、１
０１８Ω−ａｍｉｉ度の抵抗率でもカールフン方式によ
る感光プル七スに使用するＫは電荷保持特性はなお不十
分である。　また、ホウ素と共に微量の酸素を導入する
ことにより１０”″Ω−傭程度の高抵抗化が可能である
が、これを感光体に用いた場合には光導電性が低下し、
嶺切れの悪化や残留電位の発生という問題が生じる。

また、ａ　　８　Ｓ　：　Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コー
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない、
　例えば１力月以上放置したものは温気の影響を受け、
受容電位が着しく低下することが分りでいる。　更に、
１ｍ−８１：ＨはＡＩやステンレス等の支持体に対して
膜付き（接着性）が悪く、電子写真感光体として実用化
する上で問題となる。　この対策として、特開昭３５−
８７１５４号における如きシランカップリング剤、特開
昭５６−７４２１５γ号における如きポリイミド樹脂又
はトリアジン樹脂等の有機高分子化合物からなる接着層
をａ　　８１：Ｈ層と支持体との間に設けることが知ら
れている。　しかしながら、これらの場合、接着層の形
成と１−８１：Ｈ層の製膜とを別の方法で行なう必要が
あり、そのために新たな製膜装置を用いなければならず
、作業性が不良となる。

しかも、ａ−８ｉ：Ｈ層を光導電性の良好なものとする
には、七〇製膜時の基板（支持体）温度を通常的２００
℃又はそれ以上に保持することを要するが、このような
温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることができない
。

従りて、本発明の目的は、電荷保持特性及び光感度共に
優れ、かつ耐剛性、電荷保持特性の安定性、更には支持
体との接着性等においても実用に供し得るａ−８１系感
光体を提供することにある。

この目的を達成するために１本発明の感光体は。

アモルファス水素化及び／又はフッ素化シ替コン（゛　
例えばａ−８１：Ｈ）からなる光導電層と、この光導電
層下に形成された第１の７モル７７ス水素化及び／又は
７ツ素化炭化シリコン（例えばａ−ｓｓｃ：Ｈ）層と、
前記光導電層上に形成された第２の７七ル７アス水素化
及び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ　−８１Ｃ
：Ｈ）層とｔ有する積層構造からなり、特に前記第１の
アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリフン層
の厚みが５０Ｘ〜５０００にと特定範囲に選択されてい
ることを特徴とするものである。　この感光体くよれば
、偽えば、光導電層としてのａ　−８１：Ｈ層によって
光感度特性を発揮すると共に、下層の第１のａ　−８１
（Ｈ：Ｈ層によりて電荷保持性及び支持体側からの電荷
注入防止性を向上させかつ支持体との接着性を向上さ（
、更に上層の第Ｚ　（Ｆ）　＊−８１（）：ｌ（層によ
って光導電層の保膜、電荷保持、保存中の経時変化の防
止、繰返し使用時の光導電層の劣化防止、湿度による悪
影醤阻止、機械的強度の向上、熱的劣化の防止、耐刷性
の向上、熱転写（特に粘着転写）性の向上等を実現する
ことができる。　特に第１の＊　−８１ｅＳＨ層の厚み
を上記した如くに特定範囲に限定することは、電荷保持
及び膜付き、更には製膜の作業性及びコスト面から必須
不可欠である。

本発明で使用する上記ａ　−ｓｔｃ：Ｈについ【は、既
に’Ｐｈ１１．　Ｍａｙ、　Ｍｏｌ、　３５’　（１９
７Ｂ　）等に記載され【おり、その特性として、耐熱性
や表面硬度が高いこと、ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗
所抵抗率（１０１２〜１０１３Ω−ｃＩＬ）を有するこ
と、炭素量により光学的エネルギーギャップが１．６〜
２．８ｅＶの範囲に亘って変化すること等が知られてい
る。

こうしたａ−８１Ｃｉ：Ｈとａ−８１：Ｈとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号にお
いて提案されている。　これによれば、ａ−８ｉ：Ｈ層
を感光（光導電）層とし、この受光面上に第１のａ　−
８１６：Ｈ層を形成し、裏面上（支持体電極１１ｇ）Ｋ
第２のｌ−８ＩＣ：Ｈ層を形成して、３層構造の感光体
としている。

しかしながら、この公知の感光体に関しては、各層の厚
みによる特性への影響についてあまり詳細には検討がな
されていない。

上記の全知の感光体では、特にその第１のａ−８１Ｃ：
Ｈ層の厚みと特性への影響については殆んど詳細な考察
がなされてはいないが、本発明者は充分なる検討を加え
た結果、従来公知の技術では予期し得ない厚み範囲を見
出し、これに伴なって極めて優れた特性を示す感光体を
得るに至ったのである。　この他にも、上記の第２０ａ
　−ＳＩＣ：Ｈ層及びａ−８１：Ｈ層の厚みについても
検討を加え、夫々の機能を向上させるための厚み範νＢ
も見出したのである。

以下、本発明による感光体を詳細に説明する。

丁 本発明による感光体は、例えば第１図に示す如＜、ＡＩ
又はステンレス等、或いはガラス又は４１１　＋Ｉｌｉ
シートに導電処理がなされたものからなるシート状又は
ドラム状の導電性支持基板ｌ上に上記第１のａ−８１（
：：Ｈ層２、上記ａ−８１：Ｈ（光導電）層３、上記第
２のａ　−ｓｔｅ：ａ層４が順次積層せしめられたもの
からなっている。　第１Ｉ：Ｑａ−８１Ｃ：Ｈ層２は主
として、基板１からの電荷注入の阻止及び基板１に対す
る接着性向上のための機能を有するもので、その他には
感光体の電位保持及び電荷の暗減衰防止にも寄与するも
のである。　この第１のａ　−８１ｅ：Ｈ層２の厚みは
ブーツキング及び下びき層として！５０Ｘ〜５ｏｏｏＸ
と薄めに設定されるべきである。

光導電層３は光照射に応じて電荷担体（キャリア）を発
生させるものであって、その厚みは５０００Ｘ〜８０．
ｎｍであるのが望ましい。　更に、第２のａ　−ＳＩＧ
：Ｈ層４はこの感光（財）表面電位特性の改善、長期に
亘る電位特性の保持、耐環境性の維持（湿度や雰囲気、
コｐす放電で生成される化学種の影響防止）、表面硬度
が高いことによる耐刷性の向上、感光体使用時の耐熱性
の向上、熱転写性（％に粘着転写性）の向上等の機能を
有し、いわば表面改質層として働くものである。　そし
て、この第２の＊−８１ｅ：Ｈ層４の厚みはｓＯｘ〜５
ｏｏｏＸと薄めであることが望ましい。

次に、本発明による感光体の各層の厚みＫついて更に詳
しく説明する。

第１のａ−８１ｇ：Ｈ層 このａ　−８１（：Ｈ層２は主として、支持体側がらの
電荷注入防止及び支持体との接着機能を担い、その他暗
所抵抗率が１０１１Ω−１以上のものとすることができ
るので、耐高電界性な有し、単位膜厚歯りに保持される
電位が大きく、しかも感光層３から注入される電子又は
ホールが大きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効
率良く支持体１側へ輸送する。　また、炭素の組成によ
ってエネルギーギャップの大きさを調整できるため、支
持体からの電荷の５を人を防止し、感光層３において光
照射に応じて発生した電荷担体に対し障壁を作ることな
く、効率良く注入させることができる。

また、この第１のａ　−８ｉＣ：Ｈ／Ｉ　２は支持体ｌ
１例えばＡＩ電極との接着性や膜付幹が曳いという性質
も有している。　従って、このａ−８１Ｑ：Ｈ層２は実
用レベルの高い表面電位を保持し、ａ−８ｉ　：Ｈ層３
で発生した電荷担体を効率曳く速やかに輸送し、高感度
で残留電位のない感光体とする働きがある。　こうした
ａ−８１Ｇ：Ｈ層２はブーツキング及び下びき層として
用いられ、その膜厚は５０Ｘ−３０００にとすることが
必須不可欠テアル、即チ、ｓｏＸ未満では、ａ−８１：
Ｈ層のみの場合に問題となる不十分な電荷保持能を補う
ことができないから、電荷保持能を補うに足る５０Ｘは
最低なければならず、また膜付き及び基板との接着性を
良くするにもｓｏＸ以上に口なければならない。　他方
、膜厚が５０００１を越えると、電荷保持能の直は良い
が、逆に感光体全体としての光感度が極端に悪くなり、
またａ−８ｉ　Ｇ：Ｈの製膜時間が長くなり、コスト的
にみても生産上から不適当である。

１１すλＬ二ＳＩＣ：ＨＭＩ このａ　−８１（！：Ｈ４は感光体の表面を改質してａ
−８ｔ系悪感光を実用的に優れたものとするために重要
である。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。

従り【、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。　これに反し、ａ−８１：Ｈを
表面とした感光体の場合には、温気、大気、オゾン写囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が着しくな
る。　また、ａ　−８ｉＱ：Ｈは表′面硬度が高いため
に％ｍｍ、転写、りＵ−ニング等の工ｓＫおける耐摩耗
性に優れ、数十ガロの耐刷性があり、更に耐熱性も良い
ことから粘着転写等の如く熱を付写するプルセスを適用
することができる。

このよ５な優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
８１０：Ｈ層４の膜厚を上記したＢＯＸ〜５０００Ｘの
範囲内に選択することが重要である。　　　′１即ち、
その膜厚５ｏｏｏＸを越えた場合には、表面電位は上る
が残留電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−
８１系感光体としての良好な特性を失なうことがある。

　また、膜厚をｉｏ！未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電し難くなる。

ａ　−Ｓｌ：Ｈ層（光導電層又は感光層）このａ−８ｉ
：）（層３は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性
を有するものでありて、第８図に示す如く、波長６５０
ｎｍ　付近での赤色光に対しｐｏ　／　ＰＬが最高〜１
０’　　となる、　このａ−旧：Ｈを感光層として用い
れば、可視領域全域及び赤外領域の光に対して高感度な
感光体を作成できる。

このよ５に可視光及び赤外光の吸収係数を大きくするた
めＫは、ａ−８ｉ：）１層３の膜厚は５ｏｏｏＸ〜８０
７ｕｒｎ　　（更には２Ａｍ　−５０、ｕｒｎ　）とす
るのが望ましい、　膜厚が５ｏｏｏＸ未満であると現ｇ
ＩＫ必要な表面電位、表面電荷が得られ−く、また照射
された光は全て吸収されず、一部分は下地のａ　−ｓｔ
ｃ：Ｈ層２に到達するために光感度が大幅に低下する。

　他方、膜厚は８０μｍを越えると、製膜に時間がかか
り、生産性がよくない。　また、ａ−８１：Ｈ層３は大
きな電荷輸送能を有するが、抵抗率が〜ｌＯΩ−１であ
ってそれ自体としては電位保持性を有していないから、
感光層として光吸収に必要な厚さ以上に厚くする必要は
なく、その膜厚は最大５０　ｆｉｒｎ　とすれば充分で
ある。

次に、上記した感光体の各層の組成について説明する。

まず、＃Ｅ１のａ　−８ｉｅ：Ｈ２をＩＬ　　ａｌｌ　
ｘｃｘ：Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．９（炭素
原子含有量が１０　ａｔａｍｉａ　％　〜９０　ａｔａ
ｍｉｃ　％、好ましく３０〜９０　ａｔａｍｌ＠％）と
するのが望ましイ、　　０．１≦Ｘとすれば＆　−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ層２の電気的、光学的特性及び機械的、化学的、
熱的特性をａ−８ｉ：Ｈ層３とは全く異なりた屯のＫで
館る。　Ｘ＞０．９のときは、層の殆んどが炭素となり
、Ｖ導体特性が失なわるようＫなり、また蒸着時の堆積
速度が低下するのでこれらを防ぐためにもＸ≦０．９と
するのがよいからである。

また、第２のａ　−８１Ｃ：Ｈ層４については組成比を
＆　　８１１−ｘｃｘ：Ｈと表わせば、Ｘを０．４以上
、特に０．４≦Ｘ≦０．９とすること（炭素１子含有量
が４０　ａｔａｍｉａ　％　〜９０　ａｔｏｍｌａ　％
であること）が望ましい、　即ち、０．４≦Ｘとすれば
、光学的エネルギーギャップがほぼ２．３・７以上とな
り、第２図に示したよ５に、可視及び赤外光に対し実質
的に光導電性（但、ｆ）Ｉ）は暗所での抵抗率、ＰＬは
光照射時の抵抗率であって、チ爪　　が小さい橿光導電
性が低い）を示さず、いわゆる光学的に透明な窓効果に
より殆んど照射光はａ−８１：Ｈ層（電荷発生層）３に
到達することになる。　逆に、Ｘ〈０．４であると、一
部分の光は表面層４に吸収され、感光体の光感度が低下
し易くなる。　また、Ｘが０．９を越えると層の成分の
殆んどが炭素となって半導体層としてのａ　−ＳｉＣ：
Ｈ膜を蒸着法で形成するときの堆積速度が低下するから
、Ｘ≦０．９とするのがよい。　また、この０．４≦Ｘ
≦０．９の組成範囲では、現像、クリーニング、転写工
程での表面の接触に対し強くなって耐刷性が向上し、オ
ゾン雰囲気に曝されても感光体特性は変化せず、しかも
粘着転写吟の熱付与プルセスにも充分適用可能となる。

Ｋ　１　及（ｊｌｌｉ　２　ｆ）　ａ　−８１Ｃ；Ｒ１
１ト４　Ｋ、水素を含有することが必要であるが、水素
を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実用的な
ものとはならないからである。　このため、水素含有量
は１〜４０　ａｔｗｎ１ｃ％　（更には１０〜３０　ａ
ｔｃｍｉｏ　％　）とするのが望ましい。

光導電層３中の水素含有量は、ダングリングボンドを補
償して光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須
不可欠でありて、通常は１〜４゜ａｔ圓１＠−であり、
３．Ｓ〜冨Ｏａｔ（２）１ｃ−であるのがより望ましい
、　また、ａ−８１：Ｈ層３は、製造時の不純物ドーピ
ングによって導電盤の制御が可能であり、これＫよって
帯電の極性の正、員を遍択で電る。　ａ−８１：Ｈ層３
の真性化又はＰ型化　　゛のためにはＢ、ＡＪ、Ｇａ、
Ｉｎ、ＴＩ等の周期表第ＨＡ族元素をドープで静るが、
これらのドーピング量はａ−８１：Ｈの電気的、光学的
特性を良くする上で１０−”〜５　ａｔｃｍｌｅ　％　
（更には１０−１〜１ａｔｏｍｉｅ　％　）が望ましい
。　また、ａ−８１：Ｈ層３のＮ型化にはＮ、Ｐ、Ａｓ
、８ｂ、８１等の周期表第ＶＡ族元素をドープできるが
、これらのドービまた、ａ−８１：Ｈの高抵抗化、増感
、伝導性の調整のために、必１ＦＫ応じて酸素、窒素等
や、クロム、マンガン等の遷移金属を導入してもよい。

なお、ダングリングボンドを補償するためには、ａ−８
１に対しては上記したＨの代りＫ、或い＋４Ｈと併用し
てフッ素を導入し、ａ−８ｉ：Ｆ、ａ−８１：Ｈ：Ｆ、
ａ−８ＩＣ：Ｆ、　畠−８ＩＣ：Ｈ：Ｆとすることもで
きる。　この場合のフッ素量は０．０１〜２０ａｔｏｒ
ｎｌａ　Ｔｏがよく、０．５〜１０　ｉｔａｍｉｅ　％
がより望ましい。

次に、上記した感光体の製造方法及び装置を第３図につ
いて説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板ｌが基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板ｌを所
定温度に加熱し得るようになっている。　基板１に対向
して高周波電極１７が配され、基板ｌとの間にグロー放
電が生ぜしめられる。　なお１図中の２０．２１．２２
．２３．２７、ｚ８．２９，３４．３６．３８は各パル
プ、３１はｌｉｔ　ｉＨ４又はガス状シリコン化合物の
供給源、のグルー放電装置において、まず支持体である
例えばＡｊ基板ｌの表面を清浄化した後に真空槽１２内
に配置し、真空槽１２内のガス圧が１０＝　Ｔｏｒｒと
なるようにパルプ３６を調節して排気し、かつ基板ｌを
所定温度１例えば３０〜４００℃に加熱保持する。　次
いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、　Ｓ
ｉＨ４又はガス状シリコン化合物、及びＣＨ４ス徨力″
ス状疾素化合物を適当量希釈した混合ガスを真空槽１２
内に導入し、例えば０．０１〜ｌ　ＯＴｏｒｒの反応圧
下で高周波電源１６により高周波電圧（例えば１３．５
６ＭＨｚ　）を印加する。　これによりて、上記各反応
ガスをグルー放電分解し、水素を會むａ−８ＩＣ：Ｈな
上記の層２（爽には４）として基板ｌ上に堆積させる。

この際、シリコン化合物と縦索化合物の流量比及び基板
温度を適宜調整するととによって、所望の組成比及び光
学的エネルギーギャップを有するａｓｔｔ−ｘｃｘ：Ｈ
（例えば翼が０．９程度のものまで）を析出させること
ができ、また析出するａ　−８ｉＣ：Ｈの電気的特性に
さ嫌ど影譬を与えることなく、ｌｏ　ＯＯＸ／ｍｔｎ以
上の速度でａ　−ｓｉｃ：ｕ　　を堆積させることが可
能である。　更に、ａ−８１：Ｈ（上記の感光層３）を
堆積させるには、炭素化合物を供給しないでシリコン化
合物をグロー放電分解すればよい。　特に、ａ−８１：
Ｈ感光層に周期表■Ａ族元素のガス状化合物、例えばＢ
ｌ）（−をシリコン化合物に適当量添加したものをグロ
ー放電分解すれば、ａ−８ｌ：Ｈの光導電性の向上と共
にその高抵抗化も図れる。

上記した製造方法及び装置から明らかなように、本発明
によるａ　−ＳｉＣ：Ｈ／　ｓ　−Ｓｉ：Ｈ／　ａ　−
ＳｉＣ：Ｈの積層構造からなる感光体は、使用する反応
ガスのＳ類及び流量を変えるだけで同一装置により順次
各層を製膜することによって作成できる。　従りて、特
に下びき層としての第１のａ　−８１Ｃ：ＨＪｌも作業
性良く製膜でき、既述した従来の接着層の場合に比べて
はるかに量産向きであり、フストダクンも図れる。　ま
た、第２０ａ　−８ｉＣ：Ｈ層も含メチ本発明テ使用す
ルａ　　８ｉＣ：Ｈ４８１０ｇ、　Ａｌ２０ｇ、８１、
Ｎ４、有機高分子化合物と比べて膜付幹が良く、機械的
強度や耐湿性等の表面改質効果も十分である。

なお、上記の製造方法はグルー放電分鱗法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でｌ−８１Ｃを蒸着させる方法（％に、本
出願人による特開昭５６−７８４１３号（特許ｊ８５４
−１５２４５５号）の方法）等によりても上記感光体の
製造が可能である。　使用する反応ガスは、ＳｉＨ４以
外にもＳ１雪Ｈ・、８１Ｆ’４．８１ＨＦ１、又はその
誘導体ガス、ＣＨ４以外１）　Ｃ２Ｈ４、Ｃ１）Ｉ＠等
の低級炭化水素ガスが使用可能である。

次に、本発明を電子写真感光体く適用した実施例を異体
的に説明する。

実施例　１ トリタールエチレンで洗浄し、０．１　％　ＮａＯＨ水
溶液、０．１４　ＨＮＯ，水溶液でエツチングしたＡＩ
基板を第３図のダーー放電義置内にセットし、次ノ条件
テ厚す＊　ｓ　ｏ　ｏ　ＸノＨ１＃、）　ａ−８ＩＣ：
Ｈ層ｔ−影形成た。

Ｓ［４流量　　　　　　　　１　０　０ｅ　／ａｊＣＨ
４流量　　　　Ｉ　Ｑ　Ｏｅ　７ｗｍＡｒ　流量　　　
　１０００ｅ　／　１１１１真空檜のガス圧　１．２　
Ｘ　１０　”　Ｔｏｒｒ高周波電圧　　　パワー　ＳＯ
Ｗ 周波数１３．５６ＭＩｈ 基板温度　　　　２００℃ 製膜時間　　　　１２分 次に放電を停止してＣＨ４の供給を止め、下記の条件（
他は上記と同様）でグルー放電を行ない、ａ−８１：Ｈ
層を厚さ１５ρに形成した。

ＳｉＨ４流量　　　３　Ｑ　ＣＯ／　ｍＡｒ　ｆｌ量　
　　　１００　ＱＣ／　ｍ］［Ｋ再び放電を停止後、ガ
ス流量を下記の如くに調整してグルー放電を行ない、厚
さｔｉｏｏＸの第２０ａ　−１１１ｃＳＨ層を形成した
。

８１Ｈ４流量　　　１０　ｃｃ　７ｍ ＣＨ４流量　　　　１００Ｃ／　１ｌｉｌＡｒ　流量　
　　　１００　ＱＣ／ｗｉｇこうして得られた感光体く
ついて、Ａｒｇ＠ｒ　　（オージェ）分析から上記条件
で形成された＠１及び第２０ａ　−８１Ｃ：Ｈ層とも、
炭素含有量は５０　ａｔｏｍｉｃチであることが分った
。

この感光体を使用し、＋　６　ｋＶのコｐす放電によっ
て感光体表面を帯電せしめ、次Ｋ　ｌｕｘのハｐゲンラ
ンプ光ｌ＆−照射して表面電位の光減衰特性ｔ−匈定し
た。　この調定結果を下記表−ＩＫ示した。

（以下余白、次頁へ続く） 貴　−１ この感光体に＋６　ｋＶのコロナ放電により貴帯電し、
２１ｕＸ＋ｓｅｅ　　の像露光を行なった。　そして、
スチレン−アクリル樹脂１００部にカーボンブラック１
部、７タ一シアニンプルーＳ部を混合し、溶融、練肉、
粉砕、分級して得られる平均粒径１５声の負極性トナー
を得、このトナー４部と平均粒＃に１００−のマグネタ
イ十粒子からなるキャリアー１００部とを混合して現像
剤を調製し、この現像剤を用いて磁気ブラシ現倫法で現
惨し、転写紙に転写、定着したところ、上記結果の如く
、画偉濃度が高くてかぶりのない鮮明な画偉が得られた
。

遺事１−ユ 実施例１の方法により、ムｌ基板上に、厚さｘｓｏｏＸ
の第１のａ　　８１ｏ、１ＩＧｏ−＠：Ｈ層と厚さ１５
、ｕｍのｈ−８１：Ｈ層な１次積層した（第２０ａ−１
１Ｃ：Ｈ層なし）。

比較例　２ 実施例１の方法により、ＡＩ基板上に、厚さ１８声ｍ　
のａ　　ｓｔ：ａ層と厚さ１５００にの第２のａ　　Ｉ
ｌｌ＆ＩＣ（Ｌｌ：Ｈ層を順次積層した（第１の１−８
１Ｃ：Ｈ層なし）。

実施例　２ 実施例１の方法により、ＡＩ基板上に、厚さ１５ｏｏＸ
の第１の＆　−８１ｏｍＣ（Ｌｙ：Ｈ層、厚さ１Ｂ７ｕ
ｍの一＊−８１：Ｈ層、厚さ１５００Ｘの第２のａ−８
１ｃｉ、５Ｃｉｙ：Ｈ層を順次積層して感光体を形成し
た。

実施例　３ 実施例１の方法により、ＡＩ基板上に、厚さ１５ｏｏＸ
の第１のａ　　８１ａａｓＣａｔｓ：Ｈ層、厚さ１５）
ｕｍのａ−８１：Ｈ層、厚さ１５００にの第２のａ−８
１１Ｌ１１Ｃ（Ｌｌｌ：Ｈ層ｔ’ｊｌ１次積１１Ｌ？、
：。

実施例　４ 実開１の方法により、ＡＩ基板上に、厚さ１５００Ｘの
第１のａ　　５ｔａＩｃ、、ｓ：ａ層、厚さ１Ｂ、ａｍ
の１−８１：Ｈ層、厚すａ　ＯＯ０ＸｔＤ第ｚ）ｈ−８
ｉＢＩＣａｔ：Ｈ層を順次積層した。

比較例　３ 高周波スパッタリング法でＳｔＯ，をターゲットとして
用い、ＡＩ基板上に厚さｔｓｏｏＸの８１０富膜を形成
した。　次に実施例１の方法によってこのＳｔＯ諺膜上
に厚さ１５．ｕｎのａ−８１：Ｈ層を形成し、しかる後
再び高周波スパッタリング法でその上に厚さ１ｓｏｏＸ
のＳｉｎ！膜を形成した。

以上の各側による感光体の特性を実施例１で述べた方法
で調定したが、その結果は次表−２に示す通りであった
。

（以下余白、次頁へ続く） １１−２ この表−虞より１本発明の感光体は、正帯電で使用した
ときＣ比較例の感光体に比して特にくりかえし使用時の
性能くすぐれ、初期電位、暗減衰、画質等の点ですぐれ
いることがわかる。　一方、表両改質層が厚くなると、
残留電位が増加するので、前記層を過度に厚くするのは
好ましくないこともわかる。　又、ａ　−８１ＣＳＨ層
中のＣの　量が過少になると、くりかえし特性が低下し
てくることもわかる。　また、−６ｋＶのコｐす放電に
よって感光体表面を負帯電せしめ、次Ｋ１１ｕｘのハロ
ゲンランプ光を照射して表面電位の光減衰特性を測定し
−６ｋＶのコロナ放電により負帯電（１０秒間）後に５
秒間暗減衰、０．２＄　ｌｕｘのハロゲンランプ光ｔ−
５秒間照射して、靜電瀾イ家を形成し、トナーの電荷制
御剤を７りｐシアニンブルーに代えてニゲルシン染料と
した外は実施例１の現儂剤と同様にして調整された現俸
剤忙より現偉し、かつ転写、定着した場合の結果を下記
表−３に示す。

但し、感光体を正帯電した前記実施例１．２．３．４、
比較例１．２．３に対し、上記の如く感光体を負帯電し
た例を実施例１°、２°、３゛、４°、比較例１１．２
１．３′とし、表−３に示した。

（以下余白、次頁へ続く） 貴−１ ・実施例３゛のａ　−！ｉｌｃ：Ｈはａ　−５ｉ（１＠
Ｃ）、１　：Ｈ（第１及び第２０ａ−８１Ｃ：Ｈ層とも
）である。

表−３の結果からも、本発明の感光体は、愈帯電で使用
したと館、比較例の感光体に比して、特にくりかえし使
用時の特性にすぐれ、初期電位、暗減衰、画質等にすぐ
れていることがわかる。　なお、表面改質層は過度に厚
くなると残留電位増大によりカブリが増加することもわ
かる。　又、ａ−８ＩＣ：Ｈからなる層はＣの量が過少
になると、くりかえし特性が低下してくることもわかる
。

＊ｍ　　　ｓ 実施例１と同様にして、ＡＩ基板上に、厚さ１０００に
の第１の＆　　８１＆＠Ｃ（１＠’、Ｈ層、厚さｌＯＡ
ｍのボｐンドープド＊−８ｉＳＨ層、厚さ１０００Ｘの
第２０ａ　−８１ｈｋＣｏ、ｉ：Ｈ層を順次積層した。

流量比はＢＩＨ・／８１Ｈ４＝　０．１チ　とした、　
得られた感光体について、＋６ｋｖ：ＩＩ：ｌす帯電後
に実施列１の負極性のトナーを用いた現儂剤で現偉し、
転写及び定着処理した。　また、−６ｋＶのコーナ放電
により負帯電した後に、実施例１′の正極性のトナーを
用いた現像剤で現偉し、転写及び定着処理した。

これらのいずれの場合も、画像濃度が高く、カプリのな
い鮮明な画像が得られた。　また、１０万回コピー後も
画質に変化はみられず、湿度依存性も無視できる糧であ
った。

実施例　６ 上述した特願昭５４−１５２４５５号の方法により、Ａ
Ｉ基板上に、厚さ１ｓｏｏｉの第１の龜５ｌａｓｓｅｃ
、、ｓｓ：Ｈ層、厚さ１０．ａｍのＡＩ　　ドープド＊
　　８１：Ｈ層、厚さｔｓｏｏＸの第２のａ−ｓｔｏ、
、Ｉｃα■：Ｈ層を順次積層した。　この場合、ａ　−
ＳｆＣ：Ｈの製膜時には、蒸発源として高純度９Ｎポリ
シリコン、高純度グラファイトを用い、これらを電子ビ
ーム加熱し、８１とＣを蒸発させた。

他方、真空槽に接続した放電管で水素を活性化又はイオ
ン化して襄空槽内に導入した。　基板温度は３００＠Ｃ
とし、基板には−４ｋＶの電圧を印加した。　また、ａ
　−Ｓｌ：Ｈの製膜時には、特開昭５６−７８４１３号
に従って、蒸発源として高純度ポリシリコン、ムｌを用
い、上記と同様に加熱蒸発させる一方、イオン化又は活
性化水素を導入（基板亀度ａＩ＄ｏ℃、基板電圧−４ｋ
Ｖ　）　ＩＪ−。

この例に＃いても、実施例４と同様に画像及び画質が良
好であった。

ｌＩ施例　７ 実施例Ｉにおいて、同様の方法で製膜するに際し、特に
第１（下層）のａ　−８１＆ＩＣ（１１：Ｈ層の膜厚を
４通りに変化させた。　この結果、次表−４及び第４図
に示す如く、ｔｌ／Ｅｌのａ　−ＳｉＣ：Ｈ層の膜厚を
本発明のよ５に８Ｇ００Ｘ以下とすれば、感度の優れた
感光体が顕著に得られることが分る。

真−４ この測定に当っては、−６ｋＶのコーナ放電贋鴫各感光
体の表面を１０秒間帯電させ、次に放電を停止して暗所
に５秒間放置し、しかる後０１１ｕｘのハロゲンランプ
光を２０秒間照射して、表面電位の減衰特性を調べた。

なお、上記感光体として、第１及び第２の亀−８１６、
＠Ｃａｌ：Ｈ層を共に膜厚１５００Ｘとし、ａ−８１：
Ｈ層の膜厚を１（ｌｕｍとしたところ、初期電位−４１
０Ｖ、暗減衰率３２％、半減露光量０．５１ｕｘ、ｓｅ
ｅ　、残留電位−５ｖとなった。

実施例　８ 実施例１と同様の方法で、ＡＩ基板上に、厚さ１５００
Ｘの第１０ａ　−ＳＩＣ：）１層、厚さ２　ｘｍのａ−
８１：Ｈ層を形成し、更に５通りの厚み（５００Ｘ、２
０００Ｘ、４０００Ｘ、５ｏｏｏＸ、１窯りの第２０＊
−８ｉＣ：Ｈ層を夫々形成した。　これらの試料につい
て、第２０ａ　−８ＩＣ：Ｈ層の厚みによる残留電位の
変化を測定したところ、＋　６　ｋＶのコ一す放電によ
り正帯電した後に５秒間暗減衰させ、０、５　ｌｕｘの
ハロゲンランプ光の照射により、第６図に示す各値が得
られた。　これによれば、第２（上層）のａ　−８１０
：Ｈの膜厚は５０ＱＯＸ　　以下にすれば、残留電位を
低くできる点で望ましいことが分る。

実施例　９ 実施例１において、ＡＩ基板上に、厚さ１０００Ｘの第
１のａ　−８ＩＣ：Ｈ層、厚さ２．ｕｍｆ）ａ−８１：
Ｈ層、厚さ１５００にの第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層ｔｌ［
次積層したが、この際、第１（下層）のａ８１１゜Ｃｘ
：Ｈ層中の炭素原子含有量を下記表−５のように種々変
化させたところ、第１０ａ　−８１Ｃ：Ｈ層を形成した
場合には表面電位が大きく、暗減衰が小さくなり、感光
体として好ましい特性が得られる。

これは、！　ｘｘ　Ｑ、　４のときに特に顕著である。

（以下余白、次頁へ続く） １１−１ この測定に当りては、＋　ｅｌ　ｋＶのコロナ放電によ
り正帯電した後、５秒間暗減衰させ、更に０．５１ｕｘ
のへＧ１グンランプ光を照射した。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図は電子写
真感光体の一部分の断面図、第２図はａ−８１：Ｈ及び
各組成のａ　−ＳＩＣ：Ｈの光導電性を示すグラフ、 第３図は上記感光体の製造装置の概略断面図、第４図は
第１（下層）の＆　−８１Ｃ：Ｈ層の厚みＫよる半減露
光量の変化を示すグラフ、 第５図は第２（上ＩＩ）の＊　−８１０：Ｈ層の厚みＫ
よる残留電位の変化を示すグラフである。 なお、図画に示されている符号罠おいて、ｌ・・・・・
・・・・支持体（基板） ２・・・・・・・・・第１のａ　−ＳＩＣ：Ｈ層８・・
・・・・・・・ａ−８１：Ｈ感光層（光導電層）４・・
・・・・・・・第２０ａ　−８１０：Ｈ層１１・・・・
・・グルー放電装置 １７・・・・・・高周波電極 ３１・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源３２・・
・・・・ガス状炭素化合物供給源１３・・・・・・キャ
リアガス供給源 ＰＤ／／ｆ）Ｌ　　・・・・・・暗所抵抗率／光照射時
の抵抗率 である。 代理人　弁理士　：１　坂　　宏 （自発）手続ネ甫正書 １．事件の表示 昭和５７年　　特許　願第７５６５６号２、発明の名称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）、明鴇書第７頁未行の１第１の」を「第２の」と
訂正します。 （２）、同第８頁１行目の「第２の」を「第１の」と訂
正します。 （３）、同第１３頁１４行目の「２μ−〜５０μ園」を
「５μ−〜４０μ閤」と訂正します。 （４）、同第１４頁５行目の「５０μｍ」を「８０μ儀
」と訂正します。 （５）、同第１４頁８行目の「第１のａ−３ＩＣ：Ｈ」
を［第１のａ−３ｉＣｓＨ層」と訂正します。 （６）、同第１５頁１４行目の「蒸着法で」を削除しま
す。 （７）、同第１６頁１３〜１５行目の「可能であり・・
・・・・・・・できる。」を「可能である。」と訂正し
ます。 （８）、同第１６頁下から２行目の「１０°２」をｒｌ
ｏ’３Ｊと訂正します。 （９）、同第２１頁９行目及び第２２頁５行目の［１０
ｃｃ／ｍ１ｎＪをｒ３０ｃｃ／ｍ１ｎＪと夫々訂正しま
す。 （１０）　、同第２３頁の表−１下の１〜２行目の［負
帯電し、２１ｕｘ　　−５ｅｃ　Ｊを「正帯電し、１１
ｕｘ・ｓｅｃ　Ｊと訂正します。 （１１）　、同第２９頁の表−３中、下から２行目のｒ
７８０ＶＪをｒ−７８０ＶＪと訂正し、また末行の６５
０ＶＪをｒ−６５０ＶＪと訂正します。 （１２）　、同第３０真下から５行目の「０．１％」を
ｒｏ、０１％」と訂正します。 （１３）　、同第３２頁の表−４中、２行目（７）ｒ−
５０ＶＪをｒ−５００ＶＪと訂正し、３行目のｒ−６０
ＶＪを１−６００ｖ」と訂正し、また４行目のｒ−８５
ＶＪをｒ−８５０ＶＪと訂正します。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる光導電層と、この光導電層下に形成された第１の
   アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層
   と、前記光導電層上に形成された第２のアモルファス水
   素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層とを有し、前記
   第１の７モルファ水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
   ン層の厚みが５０ｘ〜５ｏｏｏＸの範囲に選択されてい
   ることを特徴とする感光体。 ２、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層の厚みが５ｏＸ−ｓｏｏｏＸであり、光導電
   層の厚みが５０００Ｘ〜８０．ａｍ　である、特許請求
   の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層中の炭素原子含有量が１０ａｔｅｌＩｎ＋ｅ
   −〜９０亀ｔ（至）ｌａ％であり、第２のアそルア７入
   水嵩化及び／又はフッ素化炭化シリコン層中の炭素原子
   含有量が４０　ａｔｏｍｉｃ　−〜９０　ａｔａｍｌｅ
   　％である、特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載
   した感光体。 ４、光導電層に周期表第１ＩＩＡ族の元素又は周期表第
   ＶＡ族の元素がドープされている、特許請求の範囲のｊ
   ｌＥ１項〜＃Ｉ３項のいずれかに記載した感光体。 ６、周期表第ｍＡ族の元素がＢ、ＡＩ、Ｇａ、　Ｉｎ、
   Ｔ。 である、特許請求の第４項に記載した感光体。 ６、周期表第ＶＡ族の元素がＮ、Ｐ、Ａｍ、Ｓｂ、　Ｂ
   ｉである。特許請求の範囲第４項に記載した感光体。