JPS61183660A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡ３、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。　し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある〇 一方、アモルファスシリコン（ａ　−Ｓｔ　）　全母体
として用いた電子写真感光体が近年になって提案されて
いる。　ａ−’ＳＬは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたい
わゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起
因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在す
る。　このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じ
て暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラッ
プされて光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠
陥を水素原子（Ｈ）で補償して５ｉＫＨを結合させるこ
とによって、ダングリングボンドを埋めることが行われ
る。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０゜〜１０１
Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅ色比較すれば約１
万分の１も低い。　従って、ａ−８ｔ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。　しかし、他方で
は、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく
減少するため、感光体の感光層として極めて優れた特性
を有している。

第１０図には、上記のａ−８ｉ：Ｈを母材としたａ−８
ｔ系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている
。　この複写機によれば、キャビネッ）１の上部には、
原稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆う
プラテンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方
では、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミ
ラーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直
線移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との
光路長を一定忙するための第２ミラーエニツ）　２０が
ａ！ｌミラーユニットの速度に応じて移動し、原稿台３
側からの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して
像担持体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射
するようになっている。

ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０．現像器１１、
転写部１２、分離部１３、クリーニング部１４が夫々配
置されており、給紙箱１５から各給紙ローラー１６．１
７を経て送られる複写紙１８はドラム９のトナー像の転
写後に更に定着部１９で定着され、トレイ３５へ排紙さ
れる。　定着部１９では、ヒーター２２を内蔵した加熱
ローラー２３と圧着ローラー２４との間に現像済みの複
写紙を通して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け
、受容電位が著しく低下することが分っている。　一方
、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ
：Ｈと称する。）について、その製法や存在が’Ｐｈ１
ｌ。

Ｍａｇ、　Ｖｏ　ｌ　、　３５”（１９７８）等に記載
されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高い
こと、ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０〜
１０Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エネ
ルギーギャップが１．６〜２．８　ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。　但、炭素の含有によ
りバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良とな
るという欠点がある。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、ａ−８ｔ：
Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−８ｉＣＳＨ層を設け、上層のａ−８ｉ：Ｈにより広
い波長域での光感度を得、かつａ−８ｔＳＨ層とへテロ
接合を形成する下層のａ　−ＳｉＣ：　Ｈにより帯電電
位の向上を図ってｈる。　しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈ
層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分
であって実用性のあるものとはならない上に１表面にａ
−８ｉＳＨ層が存在していることにより化学的安定性や
機械的強度、耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｔ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ　　ＳｉＣ：Ｈ層を
表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成している。

また、この公知技術に関連したものとして、特開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２０ａ−ｓｉｃ：Ｈ層との間に傾斜層
（ａ　−５ｉｌ−ｘｃ＋ｃ　：　Ｈ）を設け、この傾斜
層においてａ−８ｔ：Ｈ側でｘ　＝　０とし、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層側でｘ＝０．５とした感光体が知られている。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用においてそれ程発揮されないこ
とが判明した。　即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−８ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐刷性が充分ではない。　しかも、繰
返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、
電気的竜光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、
湿度）による影響を無視できない。　また、表面改質層
と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。

ハ、発明の目的 本発明の目的は、感光体表面層の耐刷性を向上させて機
械的損傷に強く、白スジ等の発生による画像劣化を防止
し、更に耐光疲労、画像流れ、特性の安定性、接着強度
等を改良した感光体を提供することにある。

二、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
る表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層と前記表
面改質層との間に、炭素原子と窒素原子と酸素原子との
うちの少なくとも１種を含有するアモルファスシリコン
系中間層が設けられていることを特徴とするものである
。

本発明によれば、上記表面改質層がアモルファス水素化
及び／又はフッ素化炭化シリコンで形成されているので
、機械的損傷に対して強くなり、白スジ発生等による画
質の劣化がなく、耐刷性が優れたものとなる。　この表
面改質層による効果を充二分に発揮させるには、上記表
面改質層を、ａ−８ｉｌ−ｘｃｘで表わしたときにＸ≧
０．５（＝５０ａｔｏｍｉｃ　Ｔｏ　：以下、ａｔｏｍ
ｉｃ　Ｔｏを単にｒ％ｊで表わす。）とするのが望まし
く、０．５≦Ｘ≦０．８とするのが更によく、特に０．
５５≦Ｘ≦０．７がよい。

また、本発明においては、表面改質層と電荷発生層との
間に上記の中間層を設けているので、表面改質層と電荷
発生層との接着性が向上する。

この中間層は、アモルファス水素化及び／又はフッ素化
Ｓ　ｉＣｓ同ＳｉＮ、同Ｓｉｎ、同Ｓｉロ収同５ｉＣＯ
１同５ｉＮＯ２同Ｓ　ｉ　ＣＮＯからなるものである。

　この中間層の（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ”）含有量は、ＳｉとＣ，
！：ＮとＯとの合計原子数を１００　Ｓとした場合、３
０〜５０チであるのが望ましく、更には４０〜５０％で
あるのがよい。　この（Ｃ十Ｎ＋０）含有量は、上記表
面改質層のＣ含有量より低くすることが望ましい。

なお、この中間層は２層以上とし、このうち、表面改質
層側の中間層の（Ｃ＋Ｎ＋０）含有量を電荷発生層側の
中間層のそれよりも多くするのがよい。

本発明による感光体は上記の如く、ａ−８ｉＣ系の表面
改質層とＣ，Ｎ及び０の少なくとも１種を含有するａ−
８ｔ系中間層とを電荷発生層上に設けているので、上記
に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ、また画像流
れもなく、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環
境に影響を受けないことが確認されている。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｔ系電子写
真感光体３９を示すものである。　この感光体３９はＭ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第■ａ族
元素（例えばホウ素）がヘビードープされたａ−８ｔ：
ＨからなるＰ型電荷ブロッキング層４４と、周期表第１
ＩＩａ族元素（例えばホウ素）のドーピングによって真
性化されたａ−８ｔ：Ｈからなる電荷発生層（光導電層
）４３と、（Ｃ＋Ｎ＋０）含有量が５０チ以下（例えば
４０　％　）のアモルファス水素化シリコンからなる　
−中間層４６と、炭素原子含有量が５０チ以上（例えば
６０チ）のアモルファス水素化炭化シリコン（ａ　−５
ｉ１−ｘｃｘ　：　Ｈ）からなる表面改質層４５とが積
層された構造からなりてｈる。　光導電層４３は暗所抵
抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子写真感光
体として充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光
に対するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、電荷発生
層４３上の表面改質層４５に、ＳｉとＣとの合計原子数
に対して５０チ以上の炭素を含有せしめ、かつそれら両
層間に、（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）含有量が５０％以下でＣ，Ｎ及
びＯの少なくとも１種を含有するａ−８ｔ系中間層４６
を設けている。

上記構成の感光体は正帯電用としてのものであるが、負
帯電用に変更することができる。　この場合、電荷ブロ
ッキング層４４には周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）
をヘビードープし、同層をＮ型化、更にはＮ＋型化すれ
ばよい。

また、第２図に示すように、電荷ブロッキング層４４を
設けない構成としてよいし、第３図に示すように、中間
層を２層以上、例えば４６ａ　、　４６ｂの２層とし、
層４６ｂの（Ｃ十Ｎ＋Ｏ）含有量を層４６ａよりも多く
する（前者を例えば５０チ、後者全４０ｅｓトスる）の
がよい。　このように中間層を複数の層で形成すると、
本発明の作用効果が頁に充分に発揮される。

々お、上記のａ−８ｉＣ：Ｈ層の炭素原子含有量は０〜
７０％の範囲では、第４図に示す如くに光学的エネルギ
ーギャップ（Ｅｇ　１ｏｐｔ　）と相関関係があるので
、炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換
えて規定することができる。

ａ−８ｉＯ：Ｈについても酸素量に応じてエネルギーギ
ャップが変化する。

また、ａ−８ｉＣ：　Ｈ，ａ−８ｉＮＯ：　Ｈｓ　ａ　
−８ｉＣＯ：　Ｈは、炭素原子Ｎｏ、Ｃｏ含有量を適切
に選択すれば、第５図の曲線＆ｓ　ｂｓ　ｅのように比
抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作用効
果が得られる。　即ち、例えば第５図に曲線ａで示すよ
うに、炭素原子含有量が５０〜８０チのａ−８ｉＣ：Ｈ
を用いた場合、その比抵抗は炭素含有量に従りて変化し
、１０　Ω−ｃｍ以上になる。

この傾向はａ−８ｉＮ：Ｈにおいても同様である。

従りて、上記のように、表面改質層の炭素原子含有量Ｘ
を０．５≦Ｘ≦０．８とし、中間層の（ＣｆＮ＋０）含
有量ｙを０．３≦ｙ≦０．５としたとき、両層の比抵抗
は充分大きく保持できる。

第６図にはａ　　ＳｉＮ：Ｈの光学的エネルギーギャッ
プを示すが、Ｎ含有量が３０〜５０チでは同ギャップは
充分な大きさとなりている。

なお、上記中間層はａ　−Ｓｉｌ　ｙＮｙ　：　Ｈ以外
にも、ａ　−Ｓｉｘ　ｙＣｙ　：　Ｈ，ａ　−５ｔｌ−
ｙｏｙ　：　Ｈ。

ａ−８ｉ１ｙ（ＣＮ）ｙ　：　Ｈ％ａ−８ｉ１−ｙ（Ｃ
ｏ）ｙ　：　Ｈ。

ａ　　５ｉｔ−ｙ（ＮＯ）ｙ　：　Ｈで形成してよく（
望ましくは０．３≦ｙ≦０．５）、或いはＮ、０、Ｃの
三元素を同時に含有せしめてもよい。

上記のａ−８ｉＣ：Ｈ層４５は感光体の表面を改質して
ａ−８ｉ系悪感光を実用的に優れたものとするだめに必
須不可欠なものである。　即ち、表面での電荷保持と、
光照射による表面電位の減衰という電子写真感光体とし
ての基本的な動作を可能とするものである。　従って、
帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間
（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性
を再現できる。　これに反し、ａ−８ｔ：Ｈを表面とし
た感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影
響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。　ま
た、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４５は表面硬度が高いために、現
像、転写、クリーニング等の工程における耐摩耗性があ
り、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付
与するプロセスを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ
−ｓｔｃ：ｕ層４５の炭素組成を選択することが重要で
ある。　即ち、炭素原子含有量がＳｉ＋Ｃ＝１００％と
したとき５０〜８０％であることが望ましい。　Ｃ含有
量が５０％以上とすることが、望の値となり、かつ光学
的エネルギーギャップがほぼ２．５　ｅＶ以上となり、
可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果に
より照射光はａ−８ｉ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達
し易くなる。

しかし、Ｃ含有量が５０−未満では、機械的損傷等の欠
点が生じ易く、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、
かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感
度が低下し易くなる。　また、Ｃ含有量が８０チを越え
ると層の炭素量が多くなり、半導体特性が失なわれ易い
上にａ−８ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの
堆積速度が低下し易いので、Ｃ含有量は８０チ以下とす
るのがよい。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４５の膜厚を４００Ｘ≦ｔ≦５
００ＯＡの範囲内（特に４０ＯＡ≦ｔ＜２００ＯＡ）に
選択することも重要である。　即ち、その膜厚が５００
０　Ｘを越える場合には、残留電位ｖＲが高くなりすぎ
かつ光感度の低下も生じ、ａ−８ｔ系悪感光としての良
好な特性を失ない易い。　また、膜厚を４００Ａ未満と
した場合には、トンネル効果＋１ｒｌ’リイ”ｔ７ｆｒ
値；裏面μに帯雷六れ寿ビｈ♂÷め−暗減衰の増大や光
感度の低下が生じてしまう。

中間層４６（更には４６ａ、　４６ｂ　）の（Ｃ＋Ｎ＋
０）含有量は、上記した理由から５（ｌ以下とすること
が望ましく、かつ電荷発生層４３との接着性を保持しな
がら比抵抗等の特性を良好にするには３０％以上とする
のが望ましい。

この中間層の膜厚は５０〜５０００　Ａとするのがよい
が、５０００　Ａを越えると上記したと同様の現象が生
じ易く、５０内未満では中間層としての効果が乏しくな
る。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぐには、周期表第１ＩＩａ族元素
（例えばボロン）を流量比Ｂ、　Ｈ，／　ＳｉＨ，＝１
００〜５０００容量四にしてグロー放電分解でドープし
て、Ｐ型（更にはＰ”Ｗ）化するとよい。

また、電荷発生層４３への不純物ドープ量は流量比でＢ
−Ｈ−／　Ｓ　１Ｈ４＝　１〜１００容量騨とするとよ
い。

感光体を負帯電使用する場合、ブロッキング層にドープ
する不純物は、例えば流量比ＰＨ＊　／　５ｉＨｉ＝１
００〜１０００容量−にしてグロー放電分解でドープし
てよい。

また、電荷発生層４２は１０〜３０μｍとするのがよい
。　電荷発生層４３が１０μｍ未満であると゛光感度及
び帯電電位が充分でなく、また３０μｍを越えると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。

ブロッキング層４４は５００Ａ未満でおるとブロッキン
グ効果が弱く、また２μｍを越えると電荷輸送能が悪く
なり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

　特に、光導電層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３（ｌでおるのが望
ましい。　この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキ
ング層４４も同様である。　また、ブロッキング層４４
の導電製を制御するための不純物として、Ｐ態化のため
にポロン以外にもＡＪ、Ｇａ、Ｉｎ１Ｔ１等の周期表Ｉ
ＩＩａ族元素を使用できる。　ＮＷＬ化のためにはリン
以外にも、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用で
きる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第７図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
・を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　な
お、図中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３はＯ３又はガス状酸素化合物の供給源、６
４はＣＨ，等の炭化水素ガス又はＮＨ，、Ｎ、等の窒素
化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６６は不純物ガス（例えばＢ＊Ｈ＠）供給源、６７
は各流量計である。　このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＭ基板４１の表面を清浄化した後
に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０
　”　Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状
シリコン化合物、ＣＨ，（又はＮＨ，、Ｎ、　）、Ｏｌ
を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０　
Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６ＩＣより高周波電
圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。　これ
によって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間
でグロー放電分解し、Ｐ　聾ａ　−８ｉ　：　Ｈｓ　ａ
−ｓｉ　：　Ｈｓ　Ｃｓ　Ｎｓ　Ｏの少なくとも１種を
含有するａ−８ｔ　：　Ｈｓ　ａ−８ｉＣ：　Ｈを上記
の層４４．４３．４６．４５として基板上に連続的に（
即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−８ｔ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ−８ｔ　：　Ｆ％　ａ−８ｉ　：Ｈ：　Ｆ
、　ａ−８ｉＮ：　Ｆ、　ａ−８ｉＮ：　Ｈ：　Ｆ、　
ａ−８ｉＣ：Ｆ、　ａ−８ｉＣ：　Ｈ：　ＦＳａ−８ｉ
ＣＮ　：　Ｆ、　ａ−８ｉＮＯ：Ｆ％　ａ　　５ｉＣＯ
：Ｆ等とすることもできる。　この場合のフッ素量は０
．５〜１０％が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（％願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する０ グロー放電分解法により、ドラム状Ｍ支持体上に第１図
の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ｍ基板４１０表面を清浄化した後に、第７図の真空
槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０’　Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所
定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３
００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背圧
のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。　次いで、５ＩＨ
４とＢ、Ｈ，とからなる反応ガスを導入し、流量比１：
１：（１，５Ｘ１０　　’）の（’　Ａｒ　＋　ＳｉＨ
，＋　Ｂ、　Ｈ−）混合ガスをグロー放電分解すること
により、電荷ブロッキング機能を担うＰ型のａ−８ｉ：
Ｈ層４４を６μｍ／ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに製
膜した。　引き続き、流量比１：１：５Ｘ１０　　の（
Ａｒ＋ＳｉＨ４＋Ｂ＊ＨＩ　）を放電分解し、所定厚さ
のボロンドープドａ−８ｉ：Ｈ層４３を形成した。　引
続いて、流量比４：に６の（Ａｒ＋ＳＬＬ＋ＣＬ、Ｎ、
又はＯ，）混合ガスをグロー放電分解し、所定厚さの中
間層４６を形成し、更に流量比４　：　１　：　１０の
（Ａｒ　＋　Ｓ　ｉＬ＋ＣＬ）混合ガスをグロー放電分
解してａ−８ｉＣ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子
写真感光体を完成させた。

こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。

（３）、ａ−８ｔ：Ｈ電荷発生層：膜厚＝１９μｍＢド
ープ有り （４）、ａ−８ｉ：Ｈ電荷ブロッキング層：膜厚＝　１
　μｍ（５）、支持体二Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上
げ）次に、上記の各感光体を使用して各種のテストを次
のように行なった〇 引りかき強度 第９図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をそ一タ７１
で回転させ、傷をつける。　次に、電子写真複写機Ｕ−
Ｂｉｘ　１６００（小西六写真工業社製）改造機にて画
像出しを行ない、何９の何重から画像に白スジが現われ
るかで、その感光体の引りかき強度（ｇ）とする。

！ 温度３３℃、相対湿度８０チの環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ４ＳＯＯＣ小西六写真工業社製）
改造機内に２４時間顆応させた後、現像剤、紙、ブレー
ドとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後、画
像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を判定し
た。

◎：画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

Ｑ：５．５ポイントの英字が伸太くなる０Δ：５．５ポ
イントの英字がつぶれて読みづらいＯＸ：５．５ポイン
トの英字判読不能。

残留電位ｖＲ（ｖ） Ｕ　　Ｂｉｘ　１６００改造機を使りた電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ＠ｓｅｃを照
射した後も残っている感光体表面電位０ ◎：画像上に白スジ、白ポチがなく、解像度、階調性が
よく、鮮明。

○：画像上に白スジや画像流れによるにじみがごく一部
のみに発生。

Δ：画像上に白スジ、白ポチが部分的に発生。

画像流れにより文字も部分的に読みづらい。

×：画像上に白スジ、白ポチ、画像流れが全面的に発生
。

結果を第８図にまとめて示した。　この結果を含めて次
のことが明らかとなりだ。

（１）、中間層、表面改質層共に無しの場合：引っかき
強度試験における引りかき強度が弱く、感光体機械的損
傷を受けやすく、画像上に白スジ等が発生する。　また
、画像流れを起こし、画像ボケが発生する。　従って、
耐刷性は極めて低い。

（２）、中間層無し、ａ−ｓｉｃ：Ｈ表面改質層（膜厚
＝　１５０ＯＡ　）の場合： 引っかき強度、画像流れ防止弁不十分であり、耐刷性低
い。

（３）、中間層無し、ａ−ｓｉｃ：Ｈ表面改質層（〔Ｃ
〕＝６０　ａ　ｔ　ｓチ）の膜厚を変えた場合：引りか
き強度不充分、画像流れ防止不充分、膜厚と共に残留電
位が上昇する。

（４）、ａ−８ｉ茶系中層（ＣＣ＋Ｎ＋Ｏ）＝３０〜５
０ａｔ、ｑ／ｂ）と＆−８ｉＣ：Ｈ表面改質層（（Ｃ）
＝５０〜８０　ａｔ、　ｆｂ　）の積層：引っかき強度
が向上し、画像流れも発生せず、高画質の画像が数十刃
コピー得られる（高耐刷性）。

（５）、ａ−８ｉ茶系中層とａ−８ｔ：Ｈ表面改質層の
厚さが薄いときは引っかき強度が弱く、画像流れ防止の
効果も少なくなる傾向あり。

また、膜厚が厚すぎると、残留電位が上昇し易い。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第９図は本発明の実施例を示すものでありて、 第１図、第２図、第３図はａ−８ｔ系悪感光の各断面図
、 第４図はａ−３ｉＣ等の光学的エネルギーギャップを示
すグラフ、 第５図はａ−８ｉＣ等の比抵抗を示すグラフ、第６図は
ａ−８ｉＮの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第７図はグロー放電装置の概略断面図、第８図は各感光
体の層構成とその特性を比較して示す表、 第９図は引っかき強度試験機の概略図 である。 第１０図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−８Ｌ系悪感光４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４３・・・・・・・・・電荷
発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４６．４６ａ、　４６ｂ・・・・・・・・・中間層５５
・・・・・・・・・ヒーター ５６・・・・・・・・・高周波電源 ５７・・・・・・・・・電　極 ６２〜６６・・・・・・・・・各ガス供給源である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化シリコンからなる表面改質層が設けられ、
   かつ前記電荷発生層と前記表面改質層との間に、炭素原
   子と窒素原子と酸素原子とのうちの少なくとも１種を含
   有するアモルファスシリコン系中間層が設けられている
   ことを特徴とする感光体。