JPH0256664B2

JPH0256664B2 -

Info

Publication number: JPH0256664B2
Application number: JP27781884A
Authority: JP
Inventors: Toshiki Yamazaki; Tatsuo Nakanishi; Juji Marukawa; Shigeki Takeuchi; Hiroyuki Nomori
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1984-12-31
Filing date: 1984-12-31
Publication date: 1990-11-30
Also published as: JPS61159657A

Description

【発明の詳細な説明】イ産業上の利用分野本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関す
るものである。

ロ従来技術従来、電子写真感光体として、Se又はSeにAs，
Te，Sb等をドープした感光体、ZnOやCdSを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られてい
る。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染
性、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルフアスシリコン（ａ−Si）を母体
として用いた電子写真感光体が近年になつて提案
されている。ａ−Siは、Si−Siの結合手が切れた
いわゆるダングリングボンドを有しており、この
欠陥に起因してエネルギーギヤツプ内に多くの局
在準位が存在する。このために、熱励起担体のホ
ツピング伝導が生じて暗抵抗が小さく、また光励
起担体が局在準位にトラツプされて光伝導性が悪
くなつている。そこで、上記欠陥を水素原子Ｈで
補償してSiにＨを結合させることによつて、ダン
グリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルフアス水素化シリコン（以
下、ａ−Si：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、
10⁸〜10⁹Ω−cmであつて、アモルフアスSeと比較
すれば約１万分の１も低い。従つて、ａ−Si：Ｈ
の単層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が
大きく、初期帯電電位が低いという問題点を有し
ている。

しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照
射すると抵抗率が大きく減少するため、感光体の
感光層として極めて優れた特性を有している。

第９図には、上記のａ−Si：Ｈを母材としたａ
−Si系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示さ
れている。この複写機によれば、キヤビネツト１
の上部には、原稿２を載せるガラス製原稿載置台
３と、原稿２を覆うプラテンカバー４とが配され
ている。原稿台３の下方では、光源５及び第１反
射用ミラー６を具備した第１ミラーユニツト７か
らなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動可能
に設けられており、原稿走査点と感光体との光路
長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が
第１ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿
台３側からの反射光がレンズ２１、反射用ミラー
８を介して像担持体としての感光体ドラム９上へ
スリツト状に入射するようになつている。ドラム
９の周囲には、コロナ帯電器１０、現像器１１、
転写部１２、分離部１３、クリーニング部１４が
夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６，１７を経て送られる複写紙１８はドラ
ム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着
され、トレイ３５へ排紙される。定着部１９で
は、ヒーター２２を内蔵した加熱ローラー２３と
圧着ローラー２４との間に現像済みの複写紙を通
して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−Si：Ｈを表面とする感光体
は、長期に亘つて大気や湿気に曝されることによ
る影響、コロナ放電で生成される化学種の影響等
の如き表面の化学的安定性に関して、これまで十
分な検討がなされていない。例えば１カ月以上放
置したものは湿気の影響を受け、受容電位が著し
く低下することが分つている。一方、アモルフア
ス水素化炭化シリコン（以下、ａ−SiC：Ｈと称
する。）について、その製法や存在が“Phil.
Mag.Vol.35”（1978）等に記載されており、その
特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−
Si：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（10¹²〜10¹³Ω
−cm）を有すること、炭素量により光学的エネル
ギーギヤツプが1.6〜2.8eVの範囲に亘つて変化す
ること等が知られている。但、炭素の含有により
バンドギヤツプが拡がるために長波長感度が不良
となるという欠点がある。

こうしたａ−SiC：Ｈとａ−Si：Ｈとを組合せ
た電子写真感光体は例えば特開昭55−127083号公
報において提案されている。これによれば、ａ−
Si：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷
発生層下にａ−SiC：Ｈ層を設け、上層のａ−
Si：Ｈにより広い波長域での光感度を得、かつａ
−Si：Ｈ層とヘテロ接合を形成する下層のａ−
SiC：Ｈにより帯電電位の向上を図つている。し
かしながら、ａ−Si：Ｈ層の暗減衰を充分に防止
できず、帯電電位はなお不充分であつて実用性の
あるものとはならない上に、表面にａ−Si：Ｈ層
が存在していることにより化学的安定性や機械的
強度、耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭57−17952号公報には、ａ−Si：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−SiC：Ｈ層
を表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極
側）に第２のａ−SiC：Ｈ層を形成している。

また、この公知技術に関連したものとして、実
開昭57−23543号公報にみられる如く、上記の電
荷発生層と上記第１及び第２のａ−SiC：Ｈ層と
の間に傾斜層（ａ−Si_1-xC_x：Ｈ）を設け、この
傾斜層においてａ−Si：Ｈ側でＸ＝０とし、ａ−
SiC：Ｈ層側でＸ＝0.5とした感光体が知られてい
る。

しかしながら、上記の公知の感光体について本
発明者が検討を加えたところ、表面改質層を設け
たことによる効果は特に連続繰返し使用におい
て、それ程発揮されないことが判明した。即ち、
20〜30万回の連続ランニング時に表面のａ−SiC
層が７〜８万回程度で機械的に損傷され、これに
起因する白スジや白ポチが画像欠陥として生じる
ため、耐刷性が充分ではない。しかも、繰返し使
用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、
電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境
（温度、湿度）による影響を無視できない。また、
表面改質層と電荷発生層との接着性も更に改善す
る必要がある。

ハ発明の目的本発明の目的は、感光体表面層の耐刷性を向上
させて機械的損傷に強く、白スジ等の発生による
画像劣化を防止し、更に耐光疲労、画像流れ、特
性の安定性、接着強度等を改良した感光体を提供
することにある。

ニ発明の構成及びその作用効果即ち、本発明による感光体は、支持体上に、ア
モルフアス水素化及び／又はフツ素化炭化シリコ
ンからなる厚さ10〜30μmの電荷輸送層と、アモ
ルフアス水素化及び／又はフツ素化シリコンから
なる厚さ４〜8μmの電荷発生層と、アモルフアス
水素化及び／又はフツ素化炭化シリコンからなる
厚さ50〜5000Åの中間層と、アモルフアス水素化
及び／又はフツ素化炭化シリコンからなる厚さ
400〜5000Åの表面改質層とがこの順に設けられ、
前記電荷発生層が10〜30atomic％の水素原子及
び／又は0.5〜10atomic％のフツ素原子を含有し、
前記表面改質層が50atomic％をこえ、80atomic
％以下の割合を占める炭素原子（但、シリコン原
子と炭素原子との合計原子数を100atomic％とす
る。）を含有し、かつ、前記中間層が30〜
50atomic％の炭素原子（但、シリコン原子と炭
素原子との合計原子数を100atomic％とする。）
を含有する感光体である。

本発明によれば、上記表面改質層をａ−Si_1-x
C_xで表わしたときにｘ＞0.5（＝50atomic％：以
下、atomic％を単に「％」で表わす。）とし、上
記中間層をａ−Si_1-yC_yで表わしたときにｙ≦0.5
（＝50％）としているので、表面改質層の炭素原
子含有量（ｘ＞0.5）は従来のそれ（ｘ≦0.5）よ
りも高く、かつ電荷発生層との間に設ける中間層
の炭素原子含有量は表面改質層よりも低く（即
ち、ｙ＜ｘ）なつている。

このように、本発明の表面改質層は炭素原子含
有量がｘ＞0.5と多いために、機械的損傷に対し
て強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐刷性が優れたものとなる。この表面改質層
による効果を充二分に発揮させるには、0.5＜ｘ
≦0.8とすべきであり、更には0.55≦ｘ≦0.7とす
るのが望ましい。また、本発明においては、表面
改質層と電荷発生層との間に、表面改質層より炭
素原子含有量の少ない（即ち、ｙ≦0.5の）中間
層を設けているので、表面改質層と電荷発生層と
の接着性が向上する。この中間層の炭素原子含有
量は更に0.3≦ｙ≦0.5とすべきであり、特に0.4≦
ｙ≦0.5とするのが望ましい。また、この中間層
は２層以上とし、このうち、表面改質層側の中間
層の炭素原子含有量を電荷発生層側の中間層のそ
れよりも多くするのがよい。

本発明による感光体は上記の如く、ｘ＞0.5の
表面改質層とｙ≦0.5の中間層とを電荷発生層上
に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時
の耐光疲労に優れ、また画像流れもなく、電気
的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影響
を受けないことが確認さている。

ホ実施例以下、本発明を実施例について詳細に説明す
る。

第１図は、本実施例による正帯電用のａ−Si系
電子写真感光体３９を示すものである。この感光
体３９はAl等のドラム状導電性支持基板４１上
に、周期表第ａ族元素（例えばホウ素）がヘビ
ードープされたａ−SiC：ＨからなるＰ型電荷ブ
ロツキング層４４と、周期表第ａ族元素（例え
ばホウ素）がライトドープされたａ−SiC：Ｈか
らなる電荷輸送層４２と、ａ−Si：Ｈからなる電
荷発生層（光導電層）４３と、炭素原子含有量が
50％以下（例えば40％）のアモルフアス水素化炭
化シリコン（ａ−Si_1-yC_y：Ｈ）からなる中間層
４６と、炭素原子含有量が50％を越える（例えば
60％の）アモルフアス水素化炭化シリコン（ａ−
Si_1-xC_x：Ｈ）からなる表面改質層４５とが積層
された構造からなつている。光導電層４３は暗所
抵抗率ρ_Dと光照射時の抵抗率ρ_Lとの比が電子写真
感光体として充分大きく光感度（特に可視及び赤
外領域の光に対するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、
電荷発生層４３上の表面改質層４５と、SiとＣと
の合計原子数に対して50％を越える炭素を含有せ
しめ、かつそれら両層間に、SiとＣとの合計原子
数に対して50％以下の炭素原子を含有する中間層
４６を設けている。

上記構成の感光体は正帯電用としての機能分離
型のものであるが、負帯電用に変更することがで
きる。この場合、電荷ブロツキング層４４には周
期表第ａ族元素（例えばリン）をヘビードープ
し、同層をＮ型化、更にはN⁺型化すればよい。

また、第２図に示すように、電荷ブロツキング
層４４を設けない構成としてよいし、第３図に示
すように、中間層を２層以上、例えば４６ａ，４
６ｂの２層とし、層４６ｂの炭素原子含有量を層
４６ａよりも多くする（前者を例えば50％、後者
を30％とする）のがよい。このように中間層を複
数の層で形成すると、本発明の作用効果が更に充
分に発揮される。なお、上記の各ａ−SiC：Ｈ層
の炭素原子含有量は０〜70％の範囲では、第４図
に示す如くに光学的エネルギーギヤツプ（Eg，
opt）とほぼ直線的な関係があるので、炭素原子
含有量を光学的エネルギーギヤツプに置き換えて
規定することができる。

また、ａ−SiC：Ｈは、炭素原子含有量を適切
に選択すれば、第５図の曲線ａのように比抵抗の
上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作用効
果が得られる。即ち、第５図に曲線ａで示すよう
に、炭素原子含有量が30〜90％のａ−SiC：Ｈを
用いた場合、その比抵抗は炭素含有量に従つて変
化し、10¹²Ω−cm以上になる。

従つて、上記のように、表面改質層の炭素原子
含有量を0.5＜ｘ≦0.8とし、中間層の炭素原子含
有量を0.3≦ｙ≦0.5としたとき、両層の比抵抗は
充分大きく保持できる。

上記のａ−SiC：Ｈ層４５は感光体の表面を改
質してａ−Si系感光体を実用的に優れたものとす
るために必須不可欠なものである。即ち、表面で
の電荷保持と、光照射による表面電位の減衰とい
う電子写真感光体としての基本的な動作を可能と
するものである。従つて、帯電、光減衰の繰返し
特性が非常に安定となり、長期間（例えば１カ月
以上）放置しておいても良好な電位特性を再現で
きる。これに反し、ａ−Si：Ｈを表面とした感光
体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影
響を受け易く、電位特性の経時変化が著しくな
る。

また、ａ−SiC：Ｈ層４５は表面硬度が高いた
めに、現像、転写、クリーニング等の工程におけ
る耐摩耗性があり、更に耐熱性も良いことから粘
着転写等の如く熱を付与するプロセスを適用する
ことができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するため
には、ａ−SiC：Ｈ層４５の炭素組成を選択する
ことが極めて重要である。即ち、炭素原子含有量
がSi＋Ｃ＝100％としたとき50％を越え、80％以
下に選択される。Ｃ含有量が50％を越えること
が、上記した理由から必須不可欠であり、また上
記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネ
ルギーギヤツプがほぼ2.5eV以上となり、可視及
び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果に
より照射光はａ−Si：Ｈ層（電荷発生層）４３に
到達し易くなる。しかし、Ｃ含有量が50％以下で
は、機械的損傷等の欠点が生じ、かつ比抵抗が所
望の値以下となり易く、かつ一部分の光は表面層
４５に吸収され、感光体の光感度が低下し易くな
る。また、Ｃ含有量が80％を越えると層の炭素量
が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ−
SiC：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、Ｃ含有量は80％以下とす
る。

また、ａ−SiC：Ｈ層４５の膜厚を400Å≦ｔ
≦5000Åの範囲内（特に400Å≦ｔ＜2000Å）に
選択することも重要である。即ち、その膜厚が
5000Åを越える場合には、残留電位V_Rが高くな
りすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−Si系感光体
としての良好な特性を失い易い。また、膜厚を
400Å未満とした場合には、トンネル効果によつ
て電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰
の増大や光感度の低下が生じてしまう。

中間層４６（更には４６ａ，４６ｂ）の炭素原
子含有量は、上記した理由から50％以下とするこ
とが必須不可欠であり、かつ電荷発生層４３との
接着性を保持しながら比抵抗等の特性を良好にす
るには、30％以上とする。

この中間層の膜厚は50〜5000Åとするが、5000
Åを越えると上記したと同様の現象が生じ易く、
50Å未満では中間層としての効果が乏しくなる。

また、上記電荷ブロツキング層４４は、基板４
１からの電子の注入を充分に防ぐには、周期表第
ａ族元素（例えばボロン）を流量比B₂H₆／
SiH₄＝100〜5000容量ppmにしてグロー放電分解
でドープして、Ｐ型（更にはP⁺型）化するとよ
い。また、電荷輸送層４２への不純物ドープ量は
流量比でB₂H₆／SiH₄＝２〜20容量ppmとすると
よい。感光体を負帯電使用する場合、ブロツキン
グ層にドープする不純物は、例えば流量比PH₃／
SiH₄＝100〜1000容量ppmにしてグロー放電分解
でドープしてよい。

また、電荷発生層４３の膜厚は４〜8μmとする
が、好ましくは５〜7μmとするのがよい。電荷発
生層４３が4μm未満であると光感度が充分でな
く、また8μmを越えると残留電位が上昇し、実用
上不充分である。電荷輸送層４２は10〜30μmと
するのがよい。ブロツキング層４４は、500Å未
満であるとブロツキング効果が弱く、また2μmを
越えると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要
である。特に、光導電層４３中の水素含有量は、
ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷
保持性を向上させるために必須不可欠であつて、
10〜30％とする。この含有量範囲は表面改質層４
５、ブロツキング層44及び電荷輸送層４２も同様
とするのがよい。また、ブロツキング層４４の導
電型を制御するための不純物として、Ｐ型化のた
めにボロン以外にもAl，Ca，In，Tl等の周期表
ａ族元素を使用できる。Ｎ型化のためにはリン
以外にも、As，Sb等の周期表第ａ族元素を使
用できる。

なお、上記電荷輸送層４２及び電荷ブロツキン
グ層４４の炭素含有量は５〜30％、好ましくは10
〜20％とするのがよい。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製
造方法及びその装置（グロー放電装置）を第６図
について説明する。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基
板４１が垂直に回転可能にセツトされ、ヒーター
５５で基板４１を内側から所定温度に加熱し得る
ようになつている。基板４１に対向してその周囲
に、ガス導出口５３付きの円筒状高周波電極５７
が配され、基板４１との間に高周波電源５６によ
りグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の６
２はSiH₄又はガス状シリコン化合物の供給源、
６３はCH₄等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ar等のキヤリアガス供給源、６５は不純物ガス
（例えばB₂H₆）供給源、６７は各流量計である。
このグロー放電装置において、まず支持体である
例えばAl基板４１の表面を清浄化した後に真空
槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が
10^-6Torrとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に100〜350℃（望ましくは
150〜300℃）に加熱保持する。次いで、高純度の
不活性ガスをキヤリアガスとして、SiH₄又はガ
ス状シリコン化合物、CH₄等を適宜真空槽５２内
に導入し、例えば0.01〜10Torrの反応圧下で高
周波電源５６により高周波電圧（例えば13.56M
Hz）を印加する。これによつて、上記各反応ガス
を電極５７と基板４１との間でグロー放電分解
し、Ｐ型ａ−SiC：Ｈ，ａ−SiC：Ｈ，ａ−Si：
Ｈ，ａ−SiC：Ｈ、ａ−SiC：Ｈを上記の層４４，
４２，４３，４６，４５として基板上に連続的に
（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させ
る。

上記製造方法においては、支持体上にａ−Si系
の層を製膜する工程で支持体温度を100〜350℃と
しているので、感光体の膜質（特に電気的特性）
を良くすることができる。

なお、上記ａ−Si系感光体の各層の形成時にお
いて、ダングリングボンドを補償するためには、
上記したＨのかわりに、或いはＨと併用してフツ
素をSiF₄等の形で導入し、ａ−Si：Ｆ，ａ−Si：
Ｈ：Ｆ，ａ−SiN：Ｆ，ａ−SiN：Ｈ：Ｆ，ａ−
SiC：Ｆ，ａ−SiC：Ｈ：Ｆとすることもできる。
この場合のフツ素量は0.5〜10％とする。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によ
るものであるが、これ以外にも、スパツタリング
法、イオンプレーテイング法や、水素放電管で活
性化又はイオン化された水素導入下でSiを蒸発さ
せる方法（特に、本出願人による特開昭56−
78413号（特願昭54−152455号）の方法）等によ
つても上記感光体の製造が可能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明す
る。

グロー放電分解法により、ドラム状Al支持体
上に第１図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を
持つドラム状Al基板４１の表面を清浄化した後
に、第６図の真空槽５２内に配置し、真空槽５２
内のガス圧が10^-6Torrとなるように調節して排
気し、かつ基板４１を所定温度、とくに100〜350
℃（望ましくは150〜300℃）に加熱保持する。次
いで、高純度のArガスをキヤリアガスとして導
入し、0.5Torrの背圧のもとで周波数13.56MHzの
高周波電力を印加し、10分間の予備放電を行つ
た。次いで、SiH₄とB₂H₆又はPH₃とからなる反
応ガスを導入し、流量比１：１：１：（1.5×
10^-3）の（Ar＋SiH₄＋CH₄＋B₂H₆又はPH₃）混
合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブ
ロツキング機能を担うＰ型又はＮ型のａ−SiC：
Ｈ層４４と電荷輸送層４２とを6μm／hrの堆積速
度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、B₂H₆
及びCH₄を供給停止し、SiH₄を放電分解し、所
定厚さのａ−Si：Ｈ層４３を形成した。引続い
て、流量比４：１：６の（Ar＋SiH₄＋CH₄）混
合ガスをグロー放電分解し、所定厚さの中間層４
６を形成し、更に同流量比を４：１：10にしてａ
−SiC：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子写真
感光体を完成させた。

こうして作成された感光体の構成をまとめると
次の通りであつた。

｛(1) 表面改質層(2) 中間層｝種々変化（第７
図を参照） (3) ａ−Si：Ｈ電荷発生層：膜厚＝5μm (4) ａ−SiC：Ｈ電荷輸送層：膜厚＝14μm 炭素含有量＝12atomic％正帯電用：Ｂドープ有りグロー放電分解法で〔B₂H₆〕／〔SiH₄〕＝6vol.ppm 負帯電用：ドープ無し (5) ａ−SiC：Ｈ電荷ブロツキング層：膜厚＝
1μm 炭素含有量＝12atomic％正帯電用：Ｂドープ有りグロー放電分解法で〔B₂H₆〕／〔SiH₄〕＝1500vol.ppm 負帯電用：Ｐドープ有りグロー放電分解法で〔PH₃〕／〔SiH₄〕＝500vol.ppm (6) 支持体：Alシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次に上記の各感光体を使用して各種のテストを
次のように行なつた。

引つかき強度第８図に示すように、感光体３９面に垂直に当
てた0.3Rダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体
をモータ７１で回転させ、傷をつける。次に、電
子写真複写機Ｕ−Bix1600（小西六写真工業社製）
改造機にて画像出しを行ない、何ｇの荷重から画
像に白スジが現われるかで、その感光体の引つか
き強度（ｇ）とする。

画像流れ温度33℃、相対湿度80％の環境下で、感光体を
電子写真複写機Ｕ−Bix4500（小西六写真工業社
製）改造機内に24時間順応させた後、現像剤、
紙、ブレードとは非接触で1000コピーの空回しを
行つた後、画像出しを行ない、以下の基準で画像
流れの程度を判定した。

◎：画像流れが全くなく、5.5ポイントの英字や
細線の再現性が良い。

〇：5.5ポイントの英字がやや太くなる。

△：5.5ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

×：5.5ポイントの英字判読不能。

残留電位V_R（Ｖ）Ｕ−Bix1600改造機を使つた電位測定で、
400nmにピークをもつ除電光30lux・secを照射し
た後も残つている感光体表面電位。

20万コピー時の画質 ◎：画像上に白スジ、白ポチがなく、解像度、階
調性がよく、鮮明。

〇：画像上に白スジや画像流れによるにじみがご
く一部のみに発生。

△：画像上に白スジ、白ポチが部分的に発生。画
像流れにより文字も部分的に読みづらい。

×：画像上に白スジ、白ポチ、画像流れが全面的
に発生。

結果を第７図にまとめて示した。この結果を含
めて次のことが明らかとなつた。

(1) 中間層、表面改質層共に無しの場合：引つかき強度試験における引つかき強度が弱
く、感光体が機械的損傷を受けやすく、画像上
に白スジ等が発生する。また、画像流れを起こ
し、画像ボケが発生する。従つて、耐刷性は極
めて低い。

(2) 中間層無し、ａ−SiC：Ｈ表面改質層（膜厚
＝1500Å）の場合：引つかき強度、画像流れ防止共不十分であ
り、耐刷性低い。

(3) 中間層無し、ａ−SiC：Ｈ表面改質層（〔Ｃ〕
＝60at.％）の膜厚を変えた場合：引つかき強度不十分、画像流れ防止不十分、
膜厚と共に残留電位が上昇する。

(4) ａ−SiC：Ｈ中間層（〔Ｃ〕＝30〜50at.％）と
ａ−SiC：Ｈ表面改質層（〔Ｃ〕＝50〜80at.％）
の積層：引つかき強度が向上し、画像流れも発生せ
ず、高画質の画像が数十万コピー得られる（高
耐刷性）。

(5) ａ−SiC：Ｈ中間層とａ−SiC：Ｈ表面改質
層の厚さが薄いときは引つかき強度が弱く、画
像流れ防止の効果も少なくなる傾向あり。ま
た、膜厚が厚すぎると、残留電位が上昇し易
い。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図は本発明の実施例を示すもので
あつて、第１図、第２図、第３図はａ−Si系感光
体の各断面図、第４図はａ−SiCの光学的エネル
ギーギヤツプをしめすグラフ、第５図はａ−SiC
の比抵抗を示すグラフ、第６図はグロー放電装置
の概略断面図、第７図は各感光体の層構成とその
特性を比較して示す表、第８図は引つかき強度試
験機の概略図である。第９図は従来の電子写真複
写機の概略断面図である。なお、図面に示された符号において、３９……
ａ−Si系感光体、４１……支持体（基板）、４２
……電荷輸送層、４３……電荷発生層、４４……
電荷ブロツキング層、４５……表面改質層、４
６，４６ａ，４６ｂ……中間層、５５……ヒータ
ー、５６……高周波電源、５７……電極、６２〜
６５……各ガス供給源、である。

Claims

【特許請求の範囲】１支持体上に、アモルフアス水素化及び／又は
フツ素化炭化シリコンからなる厚さ10〜30μmの
電荷輸送層と、アモルフアス水素化及び／又はフ
ツ素化シリコンからなる厚さ４〜8μmの電荷発生
層と、アモルフアス水素化及び／又はフツ素化炭
化シリコンからなる厚さ50〜5000Åの中間層と、
アモルフアス水素化及び／又はフツ素化炭化シリ
コンからなる厚さ400〜5000Åの表面改質層とが
この順に設けられ、前記電荷発生層が10〜
30atomic％の水素原子及び／又は0.5〜10atomic
％のフツ素原子を含有し、前記表面改質層が
50atomic％をこえ、80atomic％以下の割合を占
める炭素原子（但、シリコン原子と炭素原子との
合計原子数を100atomic％とする。）を含有し、
かつ、前記中間層が30〜50atomic％の炭素原子
（但、シリコン原子と炭素原子との合計原子数を
100atomic％とする。）を含有する感光体。２中間層が２層以上からなつている、特許請求
の範囲の第１項に記載した感光体。