JPS628162A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体６、例えば電子写真感光体に関するもの
である。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡ　ｓ　
−、Ｔ　ｅ　％　Ｓ　ｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ
やＣｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知ら
れている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性
、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−８ｉは、Ｓ　ｉ　−Ｓ’ｉの結合手が切れたいわゆ
るダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因し
てエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。

このために、熱励起担体のポツピング伝導が生じて暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光伝導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素
原子（Ｈ）で補償してＳｔにＨを結合させることによっ
て、ダングリングボンドを埋めることが行ねれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０’〜１０
９Ω−１であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−５ｉ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。

しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。

第５図には、上記のａ−３ｔ：Ｈを母材としたａ−３ｔ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。

この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニ・ノド２０が第１ミ
ラーユニ・ットの速度に応じて移動し、原稿台３側から
の反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持
体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよ
うになっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１
０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニン
グ部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙
ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１日はドラム
９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、ト
レイ３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２
を内臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との間
に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
０例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１ｌ。

Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、３５“（１９７Ｂ）等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ−３ｉ　：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０”〜１
０区３Ω−ｃｓ）を有すること、炭素量により光学的エ
ネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。但、炭素の含有により
バンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となる
という欠点がある。

こうしたａ−５ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：８
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：８層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：ＨＮとへテロ接
合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向
上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：８層の暗減
衰を充分に防止できず１、帯電電位はなお不充分であっ
て実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３ｉ
ｓＨ層が存在していることにより化学的安定性や機械的
強度、耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：８層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−３ｉＣｓＨ層を形成している。

また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−５’１ＣｓＨ層との間に傾斜
ｉｉ　（ａ　　Ｓ　１　＋−ｙｔｃ＊　：　Ｈ）を設け
、この傾斜層においてａ−Ｓｔ：Ｈ側でＸ＝０とし、ａ
　−’Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ層側でＸ＝０．５とした感光体
が知られている。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−５ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿
度）による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。

ハ０発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。

二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子を含有するアモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷輸送層と、
アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか、ら
なる電荷発生層と、窒素原子及び酸素原子のうちの少な
くとも窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又
はフッ素化シリコンからなる中間層と、窒素原子及び酸
素原子のうちの少なくとも窒素原子を〔望ましくは５０
ａｔｏｍｉｃ％を越えて（但し、シリコン原子と窒素及
び／又は酸素原子との合計原子数を１００　ａｔｏｍｉ
ｃ％とする。）〕含有するアモルファス水素化及び／又
はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層さ
れてなり、前記中間層の窒素原子含有量又は窒素原子と
酸素原子との合計含有量が、前記表面改質層のそれより
少なくかつ前記電荷発生層側から前記表面改質層側にか
けて連続的に増大している感光体に係るものである。

本発明によれば、表面改質層は窒素及び酸素のうちの少
なくとも窒素を含有しているので（特にその含有量ｘ　
４＜　ｘ　＞５０ａｔｏａ＋ｉｃ％（以下、単に％とす
る。）と多い場合）、機械的損傷に対して強くなり、白
スジ発生等による画質の劣化がなく、耐剛性が優れたも
のとなる。また、酸素を含有させれば、帯電能が向上し
、膜強度も大きくなり、画質の安定化を図れる。この表
面改質層による効果を充二分に発揮させるには、５０％
くｘ≦９０％、更には５５％≦Ｘ≦７０％とするのが望
ましい。また、本発明においては、表面改質層と電荷発
生層との間に、表面改質層より窒素原子又は窒素及び酸
素の合計含有量が少なく、これらの含有量が電荷発生層
側から表面改質層側にかけて増大している中間層を設け
ているので、表面改質層と電荷発生層との接着性が向上
する。

この中間層の窒素原子及び／又は酸素原子含有量ｙは０
％≦ｙ≦９０％、特に４０％≦ｙ≦５０％とするのが望
ましい。

また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上に設けてい
るので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ
、また画像流れもなく、電気的・光学的特性が常時安定
化して使用環境に影響を受けないことが確認されている
。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
Ｓを示すものである。この感光体３９はＡＩ等のドラム
状導電、性支持基板４１上に、周期表第ｍａ族又は第Ｖ
ａ族元素（例えばホウ素又はリン）がヘビードープされ
かつＣを含有するａ　−３ｉ　：Ｈからなる電荷ブロッ
キング層４４が必要に応じて設けられ、更に周期表第ｍ
ａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化
されかつＣを含有するａ−５ｉ：Ｈからなる電荷輸送層
４２と、ａ−３ｔ：Ｈからなる電荷発生層（不純物ドー
ピングなし又は真性化されたもの）４３と、窒素及び酸
素原子の合計含有量が９０％以下のアモルファス水素化
シリコン（ａ　　Ｓ　ｉ＋−（Ｎ　Ｏ）ｙ　　：Ｈ）か
らなる中間層４６と、窒素及び酸素の合計含有量が５０
％を越える（例えば６０％の）アモルファス水素化シリ
コン（ａ　−Ｓ　ｉ　、−Ｘ　（Ｎｏ）Ｘ　　：　Ｈ）
からなる表面改質層４５とが積層された構造からなって
いる。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵
抗率ρ、との比が電子写真感光体として充分大きく光感
度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好で
ある。

上記のＮ４５は感光体の表面を改質してａ−Ｓｔ系悪感
光体実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−５ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。

また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、Ｊ
ｉ４５の組成を選択することが重要である。

即ち、窒素及び酸素原子含有量ＸがＳ　ｉ　＋Ｎ＋０＝
１００％としたとき５０〜９０％であることが望ましい
。（Ｎ＋Ｏ）又はＮ含有量が５０％を越えることが、上
記した理由から望ましく、また比抵抗が所望の値となり
、かつ光学的エネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上
となり、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な
窓効果により照射光はａ−３ｊｓＨ層（電荷発生Ｎ）４
３に到達し易くなる。しかし、（Ｎ＋Ｏ）又はＮ含有量
が５０％以下では、機械的損傷等の欠点が生じ、かつ比
抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分の光は表面
層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し易くなる。

また、Ｎ含有量が９０％を越えると層の窒素量が多くな
り、半導体特性が失われ易い上にａ　−３ｉ　Ｎｏ　：
　Ｈｌ！をグロー放電法で形成するときの堆積速度が低
下し易いので、Ｎ含有量は９０％以下とするのがよい。

また、層４５がＮ及び０のうちＮのみを含有する場合も
、５０％く　〔Ｎ３５９０％（更には５５％≦（Ｎ）５
７０％）がよい。

また、表面改質層中の窒素及び／又は酸素含有量を中間
層４６側から表面側にかけて連続的に増加させるとよい
。

帯電能を向上させる為には、表面改質層４５を高抵抗化
してもよい。その為には表面改質層を真性化しても良い
。

正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。

各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。

真性化：　ＢｔＨｉ／Ｓ　ｔ　Ｈａ　　２〜５０容量ｐ
ｐｍＰ型：　ＢＺＨ＆／Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　１〜１００
０　（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍ Ｎ型：　Ｐ　Ｈｚ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　　１〜１００
０　（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍ また、層４５の膜厚を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲
内（特に４００人≦ｔ＜２０００人に選択することも重
要である。即ち、その膜厚が５０００人を越える場合に
は、残留電位■５゛が高くなりすぎかつ光感度の低下も
生じ、ａ−３ｔ系悪感光としての良好な特性を失い易い
。、また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネ
ル効果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、
暗減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。

中間１１４６については、上記したと同様の理由から真
性化してもよい。また、残留電位低下の為には、電荷発
生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をＰ又は
Ｎ型としてもよい。導電型制御の為のドーピング量は表
面改質層と同じでよい。

この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
（，５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。

この中間層４６の窒素及び酸素の合計含有量（Ｎ＋Ｏ）
は、第２図に示す如く、例えば線ａのように電荷発生層
（０％）側から表面改質層（７０％）側へと連続的に増
大させることができる。また、線す及びＣのように変化
させてもよく、或いはこれら両凸線間の領域で変化させ
てもよい。電荷発生層側のＮ＋Ｏは必ずしもゼロでなく
てもよい。

電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。

その為には、電荷発生層を真性化しても良い。この真性
化には、Ｂ　ｔ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　＝　１〜２０
容量ｐｐｍとするのがよい。また、感度向上及び残留電
位低下のために必要に応じてＰ又はＮ型化してよいが、
Ｐ型化の場合はＢｚＨｉ　／Ｓ　ｉ　Ｈ４＝２０〜１０
０容量ｐｐｍ　ＳＮ型化の場合はＰ　Ｈｓ　／　Ｓ　ｉ
　Ｈ４＝　１〜１００容量ｐｐ＋＊とする。

また、電荷発生層は１〜１０μｍ１好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０８ｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、炭素含有量、使用する帯電極性に応じて、電荷
輸送層を真性化、Ｐ又はＮ型化してもよい。

また、電荷輸送層は１０〜３０μｍとするのがよい。

電荷輸送層４２は具体的には次の通りであってよい。

ＳｉＣ：真性化 Ｂ　Ｚ　Ｈ６／　Ｓ　ｉＨ４’１〜２０容量ｐｐｍＰ型 ＢｔＨｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈ４２０〜１０００〃Ｎ型 Ｐ　Ｈ：ｌ／　Ｓ　ｔ　Ｈ４１〜１０００〃また、電荷
輸送層の組成は、５％く〔０３６３０％、好ましくは１
０％≦（Ｃ）５２０％がよい。

ａ−３ｉＣ：Ｈ電荷ブロッキング層４４を設ける場合、
５％く〔０３６３０％、好ましくは１０％≦（Ｃ）５２
０％とする。

ブロッキング層の導電型は感度、帯電能、使用する帯電
極性により必要に応じてＰ型（さらにはＰ゛型）真性化
又はＮ型（さらにはＮ゛型）してもよい。ブロッキング
層はその組成によって、次のようにドーピング量を制御
する。

ＳｉＣ：真性化 ＢｚＨｈ／Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　２〜２０　　容量ｐｐｍ
Ｐ型（Ｐ＋） Ｂ、Ｈ＆／Ｓ　ｉ　Ｈ４１００〜５０００〃（正帯電用
）Ｎ型（Ｎ゛） Ｐ　Ｈｘ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　１００〜１０００〃（
負帯電用）また、ブロッキング層の膜厚は５００人〜２
μｍがよいが、５００人未満であるとブロッキング効果
が弱く、また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易
い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロ
ッキング層４４の導電型を制御するための不純物として
、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡＩ、Ｇａｓ　　Ｉｎ
、、Ｔ１等の周期表第ｍａ族元素を使用できる。Ｎ型化
のためにはリン以外にも、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ
族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装、置（グロー放電装置）を第３図について説明
する。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によリグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳ　ｉ　Ｈ，又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣＨａ等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ｎｔ等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ４）供給源、６Ｂ
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えば／１基板４１の表面を清浄化した後
に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０
−　’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不
活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉ　Ｈａ又はガス
状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎ２、Ｏｔ等を適宜真空槽
５２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応
圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．
５６　ＭＨｚ）を印加する。これによって、上記各反応
ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、
Ｐ型ａ　　Ｓ　ｉＣ＝　Ｈ％　Ｐ−型ａ−８ｉＣ：ＨＳ
ａ−３ｉ　：Ｈ，ａ−５ｉＮＯ：Ｈ，ａ−５ｉＮＯ：Ｈ
を上記の層４４．４２．４３．４６．４５として基板上
に連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積
させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−３ｔ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳ　ｉ　Ｆ　ａ
等の形で導入し、ａ−３ｉ：ＦＳａ−３ｉ：Ｈ：Ｆ、、
ａ−５ｉＮＯ：Ｆ、ａ−３ｉＮＯ：Ｈ：Ｆ、、　　ａ−
３ｉＣ：Ｆ、　　ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもでき
る。この場合のフッ素量は０．５〜１０％が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状ＡＩｌ支持体上に第
１図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状ＡＩ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−　
’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガ
スをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背
圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ，
とＢ工Ｈ４とからなる反応ガスを導入し、流量比１　：
　１　：　１　：　　（１，５ｘｌＯ−’）の（Ａｒ＋
Ｓ　ｉＨ４＋ＣＨ４＋ＢｔＨ＆　）混合ガスをグロー放
電分解することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ
型のａ−３ｉＣ：Ｈ層４４とａ−３ｉＣ：Ｈ１ｌｌ輸送
層４２とを６．ｕｎ／ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに
製膜した。引き続き、Ｂ　Ｚ　Ｈｂ及びＣＨａを供給停
止し、Ｓ　ｉ　Ｈａを放電分解し、厚さ５μｍのａ−３
ｉ：Ｈ層４３を形成した。引続いて、流量比を変化させ
てグロー放電分解し、ＮＯ量を連続的に変化させたａ−
３ｉＮ：Ｈ中間層４６を形成し、ａ−３ｉＮＯ：Ｈ表面
保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。

こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。

（３）ａ−３ｉ：Ｈ電荷発生層（膜厚＝５．ｃｚｍ）（
４）　　ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ電荷輸送層（５）　　
ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ電荷ブロッキング層（６）、支
持体 ＡＩシリンダー（鏡面研磨仕上げ） 次に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行なった。

玉二友ｌ侠皮 第４図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ　−
Ｂ　ｉｘ　１６００（小西六写真工業社製）改造機にて
画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現わ
れるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。

１１１（拮 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。

◎：画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

ｖ　　　　■ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１　ｕｘ−ｓｅｃ
を照射した後も残っている感光体表面電位。

皆　　立Ｖｏ　　（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業（株
）製）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光な
しの条件で３６０　ＳＸ型電位計（トレック社製）で測
定した現像直前の表面電位。

’　　　　Ｅｌ／２（ｌｕｘ−ｓｅｃ）上記の装置を用
い、グイクロイックミラー（光伸光学社製）により像露
光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャープカ
ットし、表面電位を５００Ｖから２５０ｖに半減するの
に必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 迎五ユ旦二大工 Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業（株
）製）を用いて、次のように画質を評価した。　　・画
質　◎：画像濃度が十分高（、解像度、階調性がよく、
鮮明で画像上に白スジや白ポ チがない、即ち、画像極めて良好。

Ｏ：画像良好。

△：画像実用上採用可能。

×：画像実用上採用不可能。

結果を第５図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体のｌ断面図、第２図はＮ＋Ｏ
の含有量変化を示すグラフ、第３図はグロー放電装置の
概略断面図、第４図は引っかき強度試験機の概略図、第
５図は各感光体の特性を示す表、 第６図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−−−−−−−−−−−−−−・ａ−３ｉ系感光体
４１−−−−−−−−−−−−−・支持体（基板）４２
・−・−−−−−−−−−−−・電荷輸送層４３−−−
−−−−−−−−−〜・電荷発生層４４−・−・・−・
・電荷ブロッキング層４５・−・・−−−−−−−・表
面改質層４６−−−−−−−−−−−−−−中間層であ
る。 代理人　弁理士　　逢　坂　　宏 第１図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子を含有するアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化シリコンからなる電荷輸送層と、アモルファス
   水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層
   と、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも窒素原子
   を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリ
   コンからなる中間層と、窒素原子及び酸素原子のうちの
   少なくとも窒素原子を含有するアモルファス水素化及び
   ／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積
   層されてなり、前記中間層の窒素原子含有量又は窒素原
   子と酸素原子との合計含有量が、前記表面改質層のそれ
   より少なくかつ前記電荷発生層側から前記表面改質層側
   にかけて連続的に増大している感光体。