JPS628163A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、、
Ｔｅ、Ｓｂ等を、ドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。

しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗か小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０′１〜１
０９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば
約１万分の１も低い。従って、ａ−３ｔ：Ｈの単層から
なる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電
電位が低いという問題点を有している。

しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。

第５図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系悪感光９を組込んだ電子写真複写機が示されている。

この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリ、−ニング
部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロ
ーラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９
のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレ
イ３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を
内臓した加熱ローラー２３を圧着ローラー２４との間に
現像済みの複写紙を通して定着操作を行う。

しかしながら、ａ−３ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っセいる。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在がＰｈ１１．Ｍ
ａｇ、Ｖｏ１．３５　”　　（１９７Ｂ）等に記載され
ており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと
、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０１２〜
１０′３Ω−ａｎ）を有すること、炭素量により光学的
エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘っ
て変化すること等が知られている。但し、炭素の含有に
よりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良と
なるという欠点がある。

こうしたａ−ＳｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉｓＨ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−３ｔｓＨ層とへテロ接
合を形成する下層のａ−３，ｉＣ：Ｈにより帯電電位の
向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｔｓＨ層の暗
減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であっ
て実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−５ｉ
：）（層が存在していることにより化学的安定性や機械
的強度、耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉ（：、ｓＨ層
を表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に
第２のａ−３ｉＣ：Ｈ層を形成している。

また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−３ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（ａ−３ｉ　１−ｘＣｘ　：　Ｈ）を設け、この傾斜層
においてａ−３ｉ　：　Ｈ（！ｉ’ｌ”ｉ”Ｘ＝　Ｏと
し、ａ−３ｉＣ：Ｈ層側でＸ＝０．５とした感光体が知
られている。

しかしながら、上記の公知の感光体について本卑明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿
度）による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。

ハ、発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。

二、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子を含有するアモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷輸送層と、
アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
る電荷発生層と、酸素原子を含有するアモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる中間層と、酸素
原子を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化
シリコンからなる表面改質層とが順次積層されてなり、
前記中間層の酸素原子含有量が、前記表面改質層のそれ
より少なくかつ前記電荷発生層側から前記表面改質層側
にかけて連続的に増大している感光体に係るものである
。

本発明によれば、表面改質層は酸素原子を含有している
ので（特にその含有量ＸがＸ　＞５０ａｔｏｍｉｃ％（
以下、単に％とする。）と多い場合）、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐刷性が優れたものとなる。また、酸素を含有させてい
るから、帯電能が向上し、膜強度も大きくなり、画質の
安定化を図れる。この表面改質層による効果を充二分に
発揮させるには、５０％くＸ６９０％、更には５５％≦
Ｘ≦７０％とするのが望ましい。また、本発明において
は、表面改質層と電荷発生層との間に、表面改質層より
酸素原子含有量が少なく、この含有量が電荷発生層側か
ら表面改質層側にかけて増大している中間層を設けてい
るので、表面改質層と電荷発生層との接着性が向上する
。　この中間層の酸素原子含有量ｙはＯ％≦ｙ≦９０％
特に４０％≦ｙ≦５０％とするのが望ましい。また、表
面改質層と中間層とを電荷発生層上に設けているので、
上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ、また画
像流れもなく、電気的・光学的特性が常時安定化して使
用環境に影響を受けないことが確認されている。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡＩ！等のドラ
ム状導電性支持基板４１上に、周期表第ｍａ族又は第Ｖ
ａ族元素（例えばホウ素又はリン）がヘビードープされ
かつＣを含有するａ−３ｉ：Ｈからなる電荷ブロッキン
グ層４４が必要に応じて設けられ、更に周期表第■ａ族
元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化され
がつＣを含有するａ−３ｉ：）（からなる電荷輸送層４
２と、ａ−３ｔ：Ｈからなる電荷発生Ｎ（不純物ドーピ
ングなし又は真性化されたもの）４３と、酸素原子含有
量が９０％以下のアモルファス水素化シリコン（ａ−３
ｉｔ、ｙＯ）’：Ｈ）からなる中間層４６と、酸素原子
含有量が５０％を越える（例えば６０％の）アモルファ
ス水素化シリコン（ａ　−３ｉ　１−ｘＯｘ　：　Ｈ）
からなる表面改質層４５とが積層された構造からなって
いる。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρｐと光照射時の抵
抗率ρＬとの比が電子写真感光体として充分大きく光感
度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好で
ある。

上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。

また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。

即ち、酸素原子含有量ＸがＳｉ＋０＝１００％としたと
き５０〜９０％であることが望ましい。０含を量が５０
％を越えることが、上記した理由から望ましく、また比
抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギーギャップ
がほぼ２，５ｅＶ以上となり、可視及び赤外光に対しい
わゆる光学的に透明な窓効果により照射光はａ−３ｉ：
Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易くなる。しかし、０
含有量が５０％以下では、機械的損傷等の欠点が生じ、
かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分の光
は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し易く
なる。また、０含有量が９０％を越えると層の酸素量が
多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ−３ｉＯ：Ｈ
膜をグロー放電法で形成するときの堆積速度が低下し易
いので、０含有量は９０％以下とするのがよい。

また、表面改質層中の酸素含有量を中間層４６側から表
面側にかけて連続的に増加させるとよい。

帯電能を向上させるためには、表面改質Ｎ４５を高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。

正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。各
場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は次
の通りであってよい。

真性化：ＢｚＨｅ／ＳｉＨ４２〜５０容量ｐｐｍＰ型：
Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４１〜１０００　（好ましくは５０〜
５００）容量ｐｐｍ Ｎ型：ＰＨ３／ＳｉＨ４１〜１０００　（好ましくは５
０〜５００）容ｉｔｐｐｍ また、層４５の膜厚を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲
内（特に４００人≦ｔ＜２０００人に選択することも重
要である。即ち、その膜厚が５０００人を越える場合に
は、残留電位ｖＲが高くなりすぎかつ光感度の低下も生
じ、ａ−３ｔ系感光体としての良好な特性を失い易い。

また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されな（なるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。

中間層４６については、上記したと同様の理由から真性
化してもよい。また、残留電位低下のためには、電荷発
生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をＰ又は
Ｎ型としてもよい。導電型制御のためのドーピング量は
表面改質層と同じでよい。

この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
り、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。

この中間層４６の酸素含有量は、第２図に示す如く、例
えば線ａのように電荷発生層（０％）側から表面改質層
（７０％）側へと連続的に増大させることができる。ま
た、線す及び夕≦うに変化させてもよく、或いはこれら
両面線間の領域で変化させてもよい。電荷発生層側の０
は必ずしもゼロでなくてもよい。

電荷発生層４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。

その為には、電荷発生層を真性化してもよい。この真性
化には、Ｂ　ｚ　Ｈｓ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝　１〜２０
容量ｐｐｍとするのがよい。また、感度向上及び残留電
位低下のために必要に応じてＰ又はＮ型化してよいが、
Ｐ型化の場合はＢｚＨｓ／Ｓｉ’Ｈ＋＝２０〜１００容
量ｐｐｍ　、、　Ｎ型化の場合はＰ　Ｈ３／　Ｓ　ｉ　
Ｈ’　４＝１〜１００容量ｐｐｍとする。

また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３．が１μｍ未満であ
ると光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
ためには、炭素含有量、使用する帯電極性に応じて電荷
輸送層を真性化、Ｐ又はＮ型化してもよい。

また、電荷輸送層は１０〜３０μｍとするのがよい。

電荷輸送層４２は具体的には次の通りであってよい。

ＳｉＣ：真性化　Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４２〜２０　　容量
ｐｐａｌＰ型化　Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４２０〜ｔｏｏｏ　
　〃Ｎ型化　ＰＨ３／ＳｉＨ＋　　　１〜１０００　　
〃また、電荷輸送層の組成は、５％く〔０３５３０％、
好ましくは１０％≦（Ｃ）５２０％がよい。

ａ−ＳｉＣ：Ｈ電荷ブロッキングｌ’ｉ４４を設ける場
合、５％〈〔０１５３０％、好ましくは１０％≦（Ｃ）
５２０％とする。

ブロッキング層の導電型は感度、帯電能、使用する帯電
極性により必要に応じてＰ型（更にはピ型）真性化又は
Ｎ型（更にはＮ＋型）してもよい。

ブロッキング層はその組成によって、次のようにドーピ
ング量を制御する。

ＳｉＣ： 真性化　Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４２〜２ｏ　容量ｐｐｍＰ型
（Ｐつ　Ｂ　ｚ　Ｈｓ／Ｓ　ｉ　Ｈ４１００〜５０００
零（Ｐ踊（正帯電用）Ｎ型（マ）ＰＨ３／Ｓ　ｉＨ＋　
　　１００〜１０００　　〃（負帯電用）また、ブロッ
キング層の膜厚は５００人〜２μｍがよいが、５００人
未満であるとブロッキング効果か弱く、また２μｍを越
えると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロ
ッキング層４４の導電型を制御するための不純物として
、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡＩ　Ｇａ、ｌ　ｎＳ
’［”７！等の周期表ｍａ族元素を使用できる。Ｎ型化
のためにはリン以外にも、Ａ　ｓ　ｓ　Ｓ　ｂ等の周期
表第Ｖ’ａ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体゛（例えばドラム状）の製造方法
及びその装置（グロー放電装置）を第３図について説明
する。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２は５ｊＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４は０２
等の酸素化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリア
ガス供給源、６６は不純物ガス（例えばＢ　ｚ　Ｈｓ）
供給源、６７は各流量針である。このグロー放電装置に
おいて、まず支持体である例えばＡｌ基板４１の表面を
清浄化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内の
ガス圧が１Ｏ−６Ｔｏｒｒとな、るように調節して排気
し、かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（
望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで
、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉ　
Ｈ４又はガス状シリコン化合物、ＣＨ４，０２等を適宜
真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば
１３．５６　Ｍｌｌｚ）を印加する。これによって、上
記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電
分解し、Ｐ型ａ　　Ｓ　ｉＣ：　ＨＳＰ−型ａ−３ｉＣ
：　Ｈ％　ａ　　Ｓ　ｉ　：　Ｈ−、ａ−３ｔ　Ｏ：　
Ｈ−、ａ−３ｉＯ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４
６．４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図
の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−Ｓｉ系感光体感光体の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−３ｉ　：Ｈ：Ｆ％　ａ−
３ｉＯ：Ｆ、ａ−３ｉＯ：Ｈ：Ｆ、ａ−ＳｉＣ：Ｆ、ａ
−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフッ
素量は０．５〜１０％が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−、７８４１３号（特願昭５４−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状ＡＩ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０”Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所
定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００−’Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒ
ガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背
圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ｓｉＨ＋
とＢ２Ｈ６とからなる反応ガスを導入し、流量比１　：
’ｌ　：　１　、（１，５Ｘ１０−３　）の（Ａｒ＋Ｓ
ｉＨ４＋ＣＨ４＋ＢｚＨｓ）混合ガスをグロー放電分解
することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ型のａ
−３ｉＣ：Ｈ層４４とａ−３ｉＣ：Ｈ電荷輸送層４２と
を６μｍ／ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。

引き続き、Ｂ２Ｈ６及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ４
を放電分解し、厚さ５μｍのａ−８ｉ：Ｈ層４３を形成
した。引続いて、流量比を変化させてグロー放電分解し
、Ｏ量を連続的に変化させたａ−３ｉＯ：Ｈ中間層４６
を形成し、ａ−３ｉＯ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、
電子写真感光体を完成させた。

こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。

（３）ａ−３ｉ：Ｈ電荷発生層（膜厚５μｍ）（４）ａ
−３ｉＣ：Ｈ電荷輸送層 （５）ａ−ＳｉＣ：Ｈ電荷ブロッキング層（ＰＨ３）　
／　（Ｓ　１Ｈ４）　＝５００ｖｏｌ　ｐｐｍ（６）支
持体 Ａ１シリンダー（鏡面研磨仕上げ） 次に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行った。

■ユが工豆度 第４図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ−Ｂ
ｉｘ１６００　　（小西六写真工業社製）改造機にて画
像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現れるか
で、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。

ｌ１巌れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ４５００　　（小西六写真工業社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行っ°た
後、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。

◎：画画像流が全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

Ｏ：Ｓ、Ｓポイントの英字がやや太（なる。

Δ：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

亡■ｖ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−ｓｅｃを
照射した後も残っている感光体表面電位。

・　　亡■０　■ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０ＳＸ型電位針（トレソク社製）で測定した
現像直前の表面電位。

”　’　”’　　　Ｅ’　　　１ｕｘ−ｓｅｃ上記の装
置を用い、ダイクロイックミラー（光伸光学社！りによ
り像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャ
ープカットし、表面電位を５００ｖから２５０　Ｖに半
減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 毅亙ユ旦二皇亙 Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００　改造ＩＭ　（小西六写真工
業■製）を用いて、次のように画質を評価した。

画質 ◎二画像濃度が充分高く、解像度、階調性がよく、鮮明
で画像上に白スジや白ポチがない。即ち、画像極めて良
好。

○：画像良好 △：画像実用上採用可能 ×二画像実用上採用不可能 結果を第５図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はＯの含有量変化を示すグラフ、第３図はグロー
放電装置の概略断面図、第４図は引っかき強度試験機の
概略図、第５図は各感光体の特性を示す表 である。 第６図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉ系感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４６・・・・・・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子を含有するアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化シリコンからなる電荷輸送層と、アモルファス
   水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層
   と、酸素原子を含有するアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化シリコンからなる中間層と、酸素原子を含有す
   るアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
   なる表面改質層とが順次積層されてなり、前記中間層の
   酸素原子含有量が、前記表面改質層のそれより少なくか
   つ前記電荷発生層側から前記表面改質層側にかけて連続
   的に増大している感光体。