JPS627058A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。しか
しながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性、
機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−３ｔは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗か小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
導性が悪（なっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリ、ングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
ＢΩ−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第５図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系悪感光９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており゛、給紙箱１５から各給紙ロ
ーラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９
のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレ
イ３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を
内臓した加熱ローラー２３を圧着ローラー２４との間に
現像済みの複写紙を通して定着操作を行う。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−５ｔＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が−Ｐｈ１１．
Ｍａｇ、Ｖｏｌ、　３５　”　　（１９７８）等に記載
されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高い
こと、ａ−３ｔ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０°
２〜１０１３Ω−Ｃ１１）を有すること、炭素量により
光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲
に亘って変化すること等が知られている。但し、炭素の
含有によりバンドギャップが拡がるために長波長感度が
不良となるという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉｓＨ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣｓＨ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：Ｈｊｉｔとへテ
ロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位
の向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｔ：８層の
暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であ
って実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３
ｉ：８層が存在していることにより化学的安定性や機械
的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣｓＨ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−３ｉＣ：８層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−３ｉＣ：８層との間に傾斜層
（ａ−５ｉ　１−ｘＣｘ　：　Ｈ）を設け、この傾斜層
においてａ−３ｔｓＨ側でＸ＝０とし、ａ−５ｉＣ：Ｈ
ｊｉｔ側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｉＣＪ’ｉｉが７〜８万回程度で機
械的に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像
欠陥として生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも
、繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上
に、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温
度、湿度）による影響を無視できない、。また、表面改
質層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある
。 ハ、発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層上の接着性に
優れ、帯電能及び膜強度に優れ、機械的損傷に強くかつ
耐刷性に優れている上に、画像流れのない安定な画質が
得られ、繰返し使用時の光疲労が少なく、残留電位も低
く、かつ特性が使用環境（温度、湿度）によらずに安定
している感光体を提供することにある。 二、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、・炭素原子及び／又は窒素原子を含有
するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
らなる電荷輸送層と、アモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化シリコンからなる電荷発生層と、炭素原子及び酸
素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
化シリコンからなる中間層と、炭素原子及び酸素原子を
前記中間層よりも夫々多く含有するアモルファス水素化
及び／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順
次積層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素及び酸素原子を含有
しているために、機械的損傷に対して強くなり、白スジ
発生等による画質の劣化がなく、耐刷性が優れたものと
なり、かつ酸素の存在によって帯電能が向上し、膜強度
も大きくなり、画質の安定化を図れる。また、本発明に
おいては、表面改質層と電荷発生層との間に、表面改質
層より炭素及び酸素原子含有量の少ない中間層を設けて
いるので、表面改質層と電荷発生層との接着性と帯電能
が向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発生層
上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の耐
光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低下し
、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影響
を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例によるａ−３ｔ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡ１等のドラム
状導電性支持基板４１上に、周期表第ｍａ族又は第Ｖａ
族元素（例えばホウ素又はリン）がヘビードープされか
つＣ及びＮの少なくとも１つを含有するａ−５ｉ：Ｈか
らなる電荷ブロッキング層４４が必要に応じて設けられ
、更に周期表第１［１ａ族元素（例えばホウ素）がライ
トドープされて真性化されかつＣ及び／又はＮを含有す
るａ−３ｔ：Ｈからなる電荷輸送層４２と、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層（不純物ドーピングなし又は真性
化されたもの）４３と、炭素及び酸素原子を含有するア
モルファス水素化シリコンからなる中間層４６と、周期
表第１１ａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又は
Ｎ型或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）
されかつＣ及び０を含有するアモルファス水素化シリコ
ンからなる表面改質層４５とが積層された構造からなっ
ている。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρｐと光照射時の
抵抗率ρＬとの比が電子写真感光体として充分大きく光
感度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好
である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを通用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子含有量がＳ　ｉ　＋　Ｃ＋　Ｏ＝１００
ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表す
。）としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦
〔０３５７０％であることが望ましい。このＣ含有量に
よって比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギー
ギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及び赤外光
に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光はａ
−Ｓｔ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易くなる。し
かし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の欠点が
生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部
分の光は表面石４５に吸収され、感光体の光感度が低下
し易くなる。 また、Ｃ含有量が９０％を越えると層の炭素量が多くな
り、半導体特性が失われ易い上にａ−３ｉＣ：Ｈ膜をグ
ロー放電法で形成するときの堆積速度が低下し易いので
、Ｃ含有量は９０％以下とするのがよい。 また、層４５の酸素含有量も重要であり、０％〈

〔０〕
≦５０％（更には５％≦

〔０〕≦３０％）がよい。 また、表面改質層中の炭素及び／又は酸素含有量を中間
層４６側から表面側にかけて連続的に増加させるとよい
。 帯電能を向上させるためには、表面改質層４５を高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。各
場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は次
の通りであってよい。 真性化：Ｂ２Ｈｓ／ＳｉＨ４２〜５０容量ｐｐｍＰ型：
Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨヰ　１〜１０００　（好ましくは５０
〜５００）容量ｐｐｍ Ｎ型：ＰＨ３／ＳｉＨ＋　　１〜１０００　（好ましく
は５０〜５００）容量ｐｐｍ また、Ｎ４５の膜厚を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲
内（特に４００人≦ｔ≦２０００人に選択することも重
要である。即ち、その膜厚が５０００人を越える場合に
は、残留電位ｖＦｌが高くなりすぎかつ光感度の低下も
生じ、ａ−５ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い
。また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル
効果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗
減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 中間Ｎ４６については、上記したと同様の理由から真性
化してもよい。また、残留電位低下のためには、電荷発
生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をＰ又は
Ｎ型としてもよい。導電型制御のためのドーピング量は
表面改質層と同じでよい。 この中間層の膜厚は５０〜５ｏｏｏ人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 中間層４６は、Ｓ　ｉ　＋Ｃ＋Ｏ＝　１００％としたと
き、０％く〔０３５９０％（更には１０％≦（Ｃ）５７
０％）、０％〈

〔０〕≦５０％（更には０％〈

〔０〕≦
３０％とするのがよい。）また、中間層４６を複数の層
で形成し、電荷発生層４３がら表面改質層４５へ向けて
中間層中の炭素含有量と酸素含有量との少な（とも一方
を段階的に順次増加させるのがよい。 電荷発生層４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化してもよい。この真性
化には、Ｂ２Ｈｅ／５ｉＨ４＝１〜２０容量ｐｐｍとす
るのがよい。また、感度向上及び残留電位低下のために
必要に応じてＰ又はＮ型化してよいが、Ｐ型化の場合は
Ｂ　２　Ｈａ／Ｓ　ｉ　Ｈ４＝２０〜１００容量ｐｐｍ
　％　Ｎ型化の場合はＰ　Ｈ３／　Ｓ　ｉ　Ｈ４−１〜
１００容量ｐｐｍとする。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
ためには、炭素（又は窒素）含有量、使用する帯電極性
に応じて電荷輸送層を真性化、Ｐ又はＮ型化してもよい
。 また、電荷輸送層は１０〜３０μｍとするのがよい。 電荷輸送層４２は具体的には次の通りであってよい。 ＳＩＣ：真性化　Ｂ　２　Ｈｅ／Ｓ　ｉ　ＩＩ　４　２
〜２０　　容量ｐｐｍＰ型化　Ｂ　２　Ｈｅ　／　Ｓ　
’Ｉ　Ｈ４２０〜１０００〃Ｎ型化　Ｐ　Ｈｓ　／　Ｓ
　ｉ　）Ｉ　４　　１〜１０００〃ＳｉＮ：真性化　Ｂ
　２　Ｈ６／　Ｓ　ｉ　Ｈ４１〜２０００〃Ｐ型化　Ｂ
　２　Ｈｅ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ４２０００〜３０００１１
Ｎ型化　Ｐ　Ｈ３／　Ｓ　ｉ　Ｈ４１〜１０００〃また
、電荷輸送層の組成は、１％〈〔０３５３０％、好まし
くは１０％≦（Ｃ）５３０％がよく、１％く（Ｎ）５３
０％、好ましくは１０％≦（Ｎ）５３０％がよい。 電荷ブロッキング層４４を設ける場合、１％〈〔０３５
３０％、好ましくは１０％≦（Ｃ）５３０％とし、１％
く　〔Ｎ１５３０％、好ましくは１０％〈　〔Ｎ１５３
０％とするのがよい。 ブロッキング層の導電型は感度、帯電能、使用する帯電
極性により必要に応じてＰ型（更にはＰ＋型）真性化又
はＮ型（更にはぐ型）してもよい。 ブロッキング層はその組成によって、次のようにドーピ
ング量を制御する。 ＳｉＣ：真性化　Ｂ２Ｈａ／５ｉｔ１４２〜２０　　容
ｆｆｌｐｐｍ１）型（Ｉ力　Ｂ　ｚ　Ｉｔ　６　／　Ｓ
　ｔ　ＩＩ　−ｓ　　２０〜５０００　　＝Ｎ型（Ｎ＋
２　Ｐ　　Ｈ３／　Ｓ　　ｉ　　Ｈ４Ｌ　　〜１０００
　　〃ＳｉＮ：真性化　Ｂｚ１１６／５ｉｔ１４　１〜
２０００　　ＩｌＰ型［）υ　Ｂ　２　Ｈｅ／Ｓ　ｉ　
Ｈ４２０００〜５０００〃Ｎ型（Ｎつ　Ｐ　Ｈ３／　Ｓ
　ｉ　Ｔ（４１〜２０００〃また、〕′ロブロッキング
Ｉｆｆ厚は５００人〜２μｍがよいが、５００人未満で
あるとブロッキング効果が弱く、また２μｍを越えると
電荷輸送能が悪くなり易い。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０稲であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロ
ッキング層４４の導電型を制御するための不純物として
、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡ　７２　％　Ｇ　ａ
　、Ｉ　ｎ　％　Ｔ　Ｉ！等の周期表１１１ａ族元素を
使用できる。Ｎ型化のためにはリン以外にも、Ａｓ、Ｓ
ｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。 、この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。 基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、
図中の６２はｓ　＋　Ｈ４又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４
はＮ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸
素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供
給源、６７は不純物ガス（例えばＢ　２　Ｈ６）供給源
、６８は各流量計である。このグロー放電装置において
、まず支持体である例えばΔｌ基板４１の表面を清浄化
した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧
が１Ｏ−６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ
基板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましく
は１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度
の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉ　Ｈ４又は
ガス状シリコン化合物、ＣＩ−（４、Ｎ２．０２等を適
宜直空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒ
ｒの反応圧Ｔで高周波電源５６により高周波電圧（例え
ば１３．５６　Ｍｌｌｚ）を印加する。これによって、
上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放
電分解し、Ｐ型ａ　　Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｔ−１、ａ−３ｉ
Ｃ：）ｌ、ａ−８ｉ：■■、ａ−３ｉＣＯ：ＩＩ、ａ−
３ｉ　Ｃ０：）■を上記の層４４．４２．４３．４６．
４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例
に対応して）堆積さ−ｌ°る。 上記製造方法においては、支持体上にａ−５ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０°Ｃとして
いるので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くする
ことができる。 なお、上記ａ−５ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフ・ノ素を３ｉＦ４等の
形で導入し、ａ−３ｉ：Ｆ。 ａ−３ｉ　：Ｈ：Ｆ、、ａ−３ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：
Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ、、ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとする
こともできる。この場合のフッ素量は０．５〜１０％が
望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状／ｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガ
スをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧
のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加
し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ＋と
Ｂ２Ｈ６又はＰＨ３とからなる反応ガスを導入し、流量
比１：１：１（１，５ｘｌＯ−３）の（Ａｒ＋ＳｉＨ４
＋ＣＨ−＋又はＮ、２＋Ｂ２Ｈ６又はＰＨ３）混合ガス
をグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機
能を担うＰ型のａ−３ｉＣ：Ｈ層４４とａ−３ｉＣ：Ｈ
電荷輸送層４２とを６μｍ　／　ｈ　ｒの堆積速度で順
次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ２Ｈ６及びＣＨ４
を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解し、厚さ５μｍのａ
　　Ｓｉ：ＨＪｆｆ４３を形成した。引続いて、流量比
を変化させてグロー放電分解し、膜厚も変化させたａ−
ＳｉＣＯ：Ｈ中間層４６を形成し、更にａ−３ｉＣＯ：
Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成さ
せた。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （３）、　　ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生層：膜厚＝５μ
ｍ（４１，ａ−３ｉ　Ｃ：　Ｈ電荷輸送層（５１，ａ−
３ｉｃ　：　Ｈ電荷プロフキング層（Ｓ　　ｉ　Ｈ４）
＝５００ｖｏｌ　　ｐｐｍ（６）、支持体 Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ） 次に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行った。 ■ユ血１皿度 第３図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ−Ｂ
ｉｘ　１６００　　（小西六写真工業社製）改造機にて
画像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現れる
かで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 兎像流並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ４５００　　（小西六写真工業社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後
、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判定
した。 ◎：画像流れが全くなく　、５．５ポイントの英字や細
線の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ：５，５ポイントの英字判読不能。 亡Ｖに　■ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−ｓｅｃを
照射した後も残っている感光体表面電位。 　ｏ　　ｖ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０ＳＸ型電位針（トレック社製）で測定した
現像直前の表面電位。 ”　　　　　Ｅ’　　　１ｕｘ−ｓｅｃ上記の装置を用
い、グイクロイックミラー（光伸光学社製）により像露
光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャープカ
ットし、表面電位を５００Ｖから２５０Ｖに半減するの
に必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧ　ａｎｄＧ社製）
にて測定） 銭亙ユ旦二夫互 Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製
）を用いて、次のように画質を評価した。 画質 ◎：画像濃度が充分高く、解像度、階調性がよく、鮮明
で画像上に白スジや白ポチがない、即ち、画像極めて良
好。 Ｏ：画像良好 Δ：画像実用上採用可能 ×：画像実用上採用不可能 結果を第４図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の実施例を示すものであって・ 第１図はａ−３ｉ系悪感光の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図、第３図は引っか
き強度試験機の概略図、第４図は各感光体の特性を示す
表 である。 第５図は従来の電子写真複写機の概略断面図である・ なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉｉ感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４ｄ・・・・・・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子及び／又は窒素原子を含有するアモルファ
   ス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷輸送
   層と、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコン
   からなる電荷発生層と、炭素原子及び酸素原子を含有す
   るアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
   なる中間層と、炭素原子及び酸素原子を前記中間層より
   も夫々多く含有するアモルファス水素化及び／又はフッ
   素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層されてな
   る感光体。