JPS6228750A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS6228750A JPS6228750A JP16874685A JP16874685A JPS6228750A JP S6228750 A JPS6228750 A JP S6228750A JP 16874685 A JP16874685 A JP 16874685A JP 16874685 A JP16874685 A JP 16874685A JP S6228750 A JPS6228750 A JP S6228750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- intermediate layer
- silicon
- fluorinated silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/0825—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
イ、産東上の利用分野
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Se又はSeにA s
、T e −、S b等をドープした感光体、ZnOや
CdSを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られ
ている。しかしながらこれらの感光体は、環境lη染性
1、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン(a−3i)を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 a−3iは、5i−3iの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が′
小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光
伝4性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素1i
子(H)で補償してSiにHを結合させることによって
、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン(以下、a−3
i : I(と称する。)の暗所での抵抗率は、108
〜10”Ω−cmであって、アモルファスSeと比較す
れば約1万分の1も低い。従って、a−Si:■]の単
層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初
期帯電電位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第8図には、上記のa−3i:Hを母材としたa−3i
系感光体9を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット1の上部には、原稿
2を載せるガラス製原稿載置台3と、原稿2を覆うプラ
テンカバー4とが配されている。原稿台3の下方では、
光源5及び第1反射用ミラー6を具備した第Xミラーユ
ニット7からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第2ミラーユニツト20が第1ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台3側からの反
射光がレンズ21、反射用ミラー8を介して像担持体と
しての感光体ドラム9上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム9の周囲には、コロナ帯電器10、
現像器11、転写部12、分離部13、クリーニング部
14が夫々配置されており、給紙箱15から各給紙ロー
ラー16.17を経て送られる複写紙18はドラム9の
トナー像の転写後に更に定着部19で定着され、トレイ
35へ排紙される。定着部19では、ヒーター22を内
臓した加熱ローラー23を圧着ローラー24との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行う。 しかしながら、a−5i:Hを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる形響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影に等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば1力月以上放置したものは湿気の影口を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン(以下、a−3iC:H
と称する。)について、その製法や存在が“Ph11.
Mag、Vol、 35” (1978)等に記載さ
れており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこ
と、a−3i:Hと比較して高い暗所抵抗率(10”2
〜10!3Ω−cm)を有すること、炭素量により光学
的エネルギーギャップが1.6〜2.8eVの範囲に亘
って変化すること等が知られている。但し、炭素の含有
によりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良
となるという欠点がある。 こうしたa−3iC:Hとa−3i:)lとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭55−127083号公
報において提案されている。これによれば、a−8i:
)(層を電荷発生(光導電)層とし、この電荷発生層下
にa −S i C: 0層を設け、上層のa−3i:
Hにより広い波長域での光感度を得、かつa S 1
: H’fFtとへテロ接合を形成する下層のa−3
iC:Hにより帯電電位の向上を図っている。しかしな
がら、a−3i;HFiのllf ill& 衰を充分
に防止できず、帯電電位はなお不充分であって実用性の
あるものとはならない上に、表面にa−5i:Hliが
存在していることにより化学的安定性や機械的強度、耐
熱性等が不良となる。 一方、特開昭57−17952号公報4こは、a−3i
:IIからなる電荷発生層上に第1のa−5iC:I(
fflを表面改質層として形成し、裏面上(支持体電極
側)に第2のa−5iC:0層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭57
−23543号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第1及び第2のa−3iC:0層との間に傾斜N
(a−S i 1−xCx : H)を設け、この(
頃斜層においてa−3i:H側でX=0とし、a−3i
C:HFi側でX=0.5とした感光体が知られている
。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、20〜30万回の連続ランニン
グ時に表面のa−3+ C層が7〜8万回程度で機械的
にtM (Xされ、これに起因する白スジや白ポチが画
1象欠陥として生じるため、耐刷性が充分ではない。し
かも、繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じ
る上に、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境
(温度、湿度)による影響を無視できない。また、表面
改質層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要があ
る。 ハ4発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画1象流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の
光疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境
(温度、湿度)によらずに安定している感光体を提供す
ることにある。 ニ2発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第IIIa族元素がヘビードー
プされかつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少
なくとも1種を含有するアモルファス水素化及び/又は
フッ素化シリコンからなる電荷プロ・/キング層と:窒
素原子を含有するアモルフ化シリコンからなる電荷発生
層と;周期表第1[1a族又はフッ素化シリコンからな
る電荷輸送層と;アモルファス水素化及び/又はフッ素
化シリコンからなる第1中間層と;炭素原子、窒素原子
及び酸素原子のうちの少なくとも1種を含有するアモル
ファス水素化及び/又はフッ素化シリコンからなる第2
中間層と;炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少
なくとも1種を前記第2中間層よりも多く含有するアモ
ルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンからなる表
面改質層とが順次積層されてなる感光体に係るものであ
る。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも1つの原子を含有している上に、この層下に第
2及び第1中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては、
表面改質層と電荷発生層との間に第1及び第2中間層を
設けているので、表面改質層と電荷発生層との接着性が
向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上
に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光
疲労に優れ、また画像流れもな(、残留電位も低下し、
電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影響を
受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第1図は、本実施例による正帯電用のa−3i系電子写
真感光体39を示すものである。この感光体39はAβ
等のドラム状導電性支持基板41上に、周期表第III
a族元素(例えばホウ素)がヘビードープされかつC,
N及び0の少なくとも1つを含有するa−3i:H(こ
れをa−3i(C>(N)(0):Hと表す。)からな
るP+型電荷ブロッキング層44と、周期表第IIIa
族元素(例えばホウ素)がライトドープされてご性化さ
れかっNを含有するa−3i:H(これをa−3iN:
Hと表す。)からなる電荷輸送層42と、a−3i:H
からなる電荷発生層(不純物ドーピングなし又は真性化
されたもの)43と、周期表第1[Ia族又は第Va族
元素がヘビードープされたP”m又はぐ型アモルファス
水素化シリコンからなる第1中間層47と、周期表第1
[a族又は第Va族元素がドープされてP型又はN型或
いは真性化(若しくは不純物ドーピングなしの)されか
っN、C及び○の少なくとも1つを含有するアモルファ
ス水素化シリコン(これをa−3i (C) (N
) (0)Hと表す。)からなる第2中間層46と、
周期表第1IIa族又は第Va族元索がドープされてP
型又はN型或いは真性化(若しくはドーピングなし)さ
れかつa−5i (C)(N)(0):Hからなる表
面改質層45とが積層された構造からなっている。電荷
発生層43は暗所抵抗率ρ。 と光照射時の抵抗率ρLとの比が電子写真感光体として
充分大きく光感度(特に可視及び赤外領域の光に対する
もの)が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は0〜70%の範囲
では、第2図に示す如くに光学的エネルギーギャップ(
E g、 opt )とほぼ直線的な間係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換え
て規定することができる。 また、a−3iC:Hは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第3図の曲線aのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第3図に曲線aで示すように、炭素原子含有量が30
〜90%のa−3iCニドIを用いた場合、その比抵抗
は炭素含有量に従って変化し、10+2Ω−cm以上に
なる。 上記の傾向は、炭素に代えてN又はOを含むa−3iN
:H,、a−3iO:Hについても同様である。 上記の層45は感光体の表面を改質してa−3i系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間(例えば1力月以上)放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、a−3i:Hを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の労音を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層45は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に、耐
熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロ
セスを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、r
F145の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Si+C=100at
omic%(以下、atomic%を単に%で表す。)
としたとき1%≦(C)590%、更には10%≦(C
3570%であることが望ましい。このC含有量によっ
て上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネル
ギーギヤツブがほぼ2.5eV以上となり、可視及び赤
外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光
はa−3i:)(層(電荷発生層)43に到達し易くな
る。しかし、C含有量が1%以下では、開城的損傷等の
欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層45に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。また、C含有量が90%を越えると
層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上にa
−3iC:H膜をグロー放電法で形成するときの堆積速
度が低下し易いので、C含有量は90%以下とするのが
よい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層45の場合、1%≦
(N)590%(更には10%≦(N)570%)がよ
く、0%〈〔○〕≦70%(更には5%≦
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Se又はSeにA s
、T e −、S b等をドープした感光体、ZnOや
CdSを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られ
ている。しかしながらこれらの感光体は、環境lη染性
1、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン(a−3i)を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 a−3iは、5i−3iの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が′
小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光
伝4性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素1i
子(H)で補償してSiにHを結合させることによって
、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン(以下、a−3
i : I(と称する。)の暗所での抵抗率は、108
〜10”Ω−cmであって、アモルファスSeと比較す
れば約1万分の1も低い。従って、a−Si:■]の単
層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初
期帯電電位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第8図には、上記のa−3i:Hを母材としたa−3i
系感光体9を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット1の上部には、原稿
2を載せるガラス製原稿載置台3と、原稿2を覆うプラ
テンカバー4とが配されている。原稿台3の下方では、
光源5及び第1反射用ミラー6を具備した第Xミラーユ
ニット7からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第2ミラーユニツト20が第1ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台3側からの反
射光がレンズ21、反射用ミラー8を介して像担持体と
しての感光体ドラム9上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム9の周囲には、コロナ帯電器10、
現像器11、転写部12、分離部13、クリーニング部
14が夫々配置されており、給紙箱15から各給紙ロー
ラー16.17を経て送られる複写紙18はドラム9の
トナー像の転写後に更に定着部19で定着され、トレイ
35へ排紙される。定着部19では、ヒーター22を内
臓した加熱ローラー23を圧着ローラー24との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行う。 しかしながら、a−5i:Hを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる形響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影に等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば1力月以上放置したものは湿気の影口を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン(以下、a−3iC:H
と称する。)について、その製法や存在が“Ph11.
Mag、Vol、 35” (1978)等に記載さ
れており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこ
と、a−3i:Hと比較して高い暗所抵抗率(10”2
〜10!3Ω−cm)を有すること、炭素量により光学
的エネルギーギャップが1.6〜2.8eVの範囲に亘
って変化すること等が知られている。但し、炭素の含有
によりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良
となるという欠点がある。 こうしたa−3iC:Hとa−3i:)lとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭55−127083号公
報において提案されている。これによれば、a−8i:
)(層を電荷発生(光導電)層とし、この電荷発生層下
にa −S i C: 0層を設け、上層のa−3i:
Hにより広い波長域での光感度を得、かつa S 1
: H’fFtとへテロ接合を形成する下層のa−3
iC:Hにより帯電電位の向上を図っている。しかしな
がら、a−3i;HFiのllf ill& 衰を充分
に防止できず、帯電電位はなお不充分であって実用性の
あるものとはならない上に、表面にa−5i:Hliが
存在していることにより化学的安定性や機械的強度、耐
熱性等が不良となる。 一方、特開昭57−17952号公報4こは、a−3i
:IIからなる電荷発生層上に第1のa−5iC:I(
fflを表面改質層として形成し、裏面上(支持体電極
側)に第2のa−5iC:0層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭57
−23543号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第1及び第2のa−3iC:0層との間に傾斜N
(a−S i 1−xCx : H)を設け、この(
頃斜層においてa−3i:H側でX=0とし、a−3i
C:HFi側でX=0.5とした感光体が知られている
。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、20〜30万回の連続ランニン
グ時に表面のa−3+ C層が7〜8万回程度で機械的
にtM (Xされ、これに起因する白スジや白ポチが画
1象欠陥として生じるため、耐刷性が充分ではない。し
かも、繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じ
る上に、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境
(温度、湿度)による影響を無視できない。また、表面
改質層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要があ
る。 ハ4発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画1象流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の
光疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境
(温度、湿度)によらずに安定している感光体を提供す
ることにある。 ニ2発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第IIIa族元素がヘビードー
プされかつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少
なくとも1種を含有するアモルファス水素化及び/又は
フッ素化シリコンからなる電荷プロ・/キング層と:窒
素原子を含有するアモルフ化シリコンからなる電荷発生
層と;周期表第1[1a族又はフッ素化シリコンからな
る電荷輸送層と;アモルファス水素化及び/又はフッ素
化シリコンからなる第1中間層と;炭素原子、窒素原子
及び酸素原子のうちの少なくとも1種を含有するアモル
ファス水素化及び/又はフッ素化シリコンからなる第2
中間層と;炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少
なくとも1種を前記第2中間層よりも多く含有するアモ
ルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンからなる表
面改質層とが順次積層されてなる感光体に係るものであ
る。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも1つの原子を含有している上に、この層下に第
2及び第1中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては、
表面改質層と電荷発生層との間に第1及び第2中間層を
設けているので、表面改質層と電荷発生層との接着性が
向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上
に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光
疲労に優れ、また画像流れもな(、残留電位も低下し、
電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影響を
受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第1図は、本実施例による正帯電用のa−3i系電子写
真感光体39を示すものである。この感光体39はAβ
等のドラム状導電性支持基板41上に、周期表第III
a族元素(例えばホウ素)がヘビードープされかつC,
N及び0の少なくとも1つを含有するa−3i:H(こ
れをa−3i(C>(N)(0):Hと表す。)からな
るP+型電荷ブロッキング層44と、周期表第IIIa
族元素(例えばホウ素)がライトドープされてご性化さ
れかっNを含有するa−3i:H(これをa−3iN:
Hと表す。)からなる電荷輸送層42と、a−3i:H
からなる電荷発生層(不純物ドーピングなし又は真性化
されたもの)43と、周期表第1[Ia族又は第Va族
元素がヘビードープされたP”m又はぐ型アモルファス
水素化シリコンからなる第1中間層47と、周期表第1
[a族又は第Va族元素がドープされてP型又はN型或
いは真性化(若しくは不純物ドーピングなしの)されか
っN、C及び○の少なくとも1つを含有するアモルファ
ス水素化シリコン(これをa−3i (C) (N
) (0)Hと表す。)からなる第2中間層46と、
周期表第1IIa族又は第Va族元索がドープされてP
型又はN型或いは真性化(若しくはドーピングなし)さ
れかつa−5i (C)(N)(0):Hからなる表
面改質層45とが積層された構造からなっている。電荷
発生層43は暗所抵抗率ρ。 と光照射時の抵抗率ρLとの比が電子写真感光体として
充分大きく光感度(特に可視及び赤外領域の光に対する
もの)が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は0〜70%の範囲
では、第2図に示す如くに光学的エネルギーギャップ(
E g、 opt )とほぼ直線的な間係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換え
て規定することができる。 また、a−3iC:Hは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第3図の曲線aのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第3図に曲線aで示すように、炭素原子含有量が30
〜90%のa−3iCニドIを用いた場合、その比抵抗
は炭素含有量に従って変化し、10+2Ω−cm以上に
なる。 上記の傾向は、炭素に代えてN又はOを含むa−3iN
:H,、a−3iO:Hについても同様である。 上記の層45は感光体の表面を改質してa−3i系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間(例えば1力月以上)放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、a−3i:Hを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の労音を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層45は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に、耐
熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロ
セスを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、r
F145の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Si+C=100at
omic%(以下、atomic%を単に%で表す。)
としたとき1%≦(C)590%、更には10%≦(C
3570%であることが望ましい。このC含有量によっ
て上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネル
ギーギヤツブがほぼ2.5eV以上となり、可視及び赤
外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光
はa−3i:)(層(電荷発生層)43に到達し易くな
る。しかし、C含有量が1%以下では、開城的損傷等の
欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層45に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。また、C含有量が90%を越えると
層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上にa
−3iC:H膜をグロー放電法で形成するときの堆積速
度が低下し易いので、C含有量は90%以下とするのが
よい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層45の場合、1%≦
(N)590%(更には10%≦(N)570%)がよ
く、0%〈〔○〕≦70%(更には5%≦
〔0〕≦30
%)がよい。 帯電能を向上させるためには、表面改質層45を高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をP又はN型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量(後述のグロー放電分解時)は
次の通りであってよい。 真性化: B zH6/S 1H−) 2〜50容量p
pmP型: B :!Hs / S i I−1450
〜1000容fflppmN型: PH3/S iH4
1〜1OOO容fflppmまた、層45はa−5iC
O1a −S i N、a−3in、a−3iOz等か
らなっていてよく、その膜厚を400人≦L≦5000
人の範囲内(特に400人≦t≦2000人に選択する
ことも重要である。 即ち、その膜厚が5000人を越える場合には、残留電
位7尺が高くなりすぎかつ光感度の低下も生し、a−3
i系感光体としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を400人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 第2中間層46については、残留電位低下のためには、
電荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層を
P又はN型としてもよい。導電型制御のためのドーピン
グ量は表面改質層と同じでよい。また、C,N、0の含
有量は層45のそれよりも少なくする。叩ち、O<(C
)510%、0<(N)510%、0〈〔0355%と
するのがよい。 この中間層の膜厚は50〜5000 Aとするのがよい
が、5000人を越えると上記したと同様の現象が生じ
易り、50人未満では中間層としての効果が乏しくなる
。好ましくは、100Å以上、1000Å以下とするの
がよい。 第1中間層47は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層46の接着性の向上及び画像の安定化のた
めに設置する。中間層47は、上記特性改善のためには
、P又はN型化する必要がある。不純物ドープ量は(P
H3)/ (S iH+)= 1〜1000 (好まし
くは10〜5oo)容量ppm、(B2、H6)/ (
S i H4)=10〜1000 (好ましくは50〜
500)容fippmとしてよい。 この中間層の膜厚は50〜5000人とするのがよいが
、5000人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
り、50人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層43については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化してもよい。この真性
化には、B2Ha/5iH4=1〜20容量pprnと
するのがよい。 また、電荷発生層は1〜10μm、好ましくは5〜7μ
mとするのがよい。電荷発生層43が1μm未満である
と光感度が充分でなく、また10μmを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層42については、帯電能、感度を最適化する
ためには、真性化してもよい。真性化のためのドープ量
は、〔B2上6〕/〔SiH4〕−1〜2000容量p
pfflが最適である。但し、上記値はC濃度に依存す
るため、必ずしも上記値に限定されるものではない。電
荷輸送層の膜厚は10〜30μmとするのがよい。 また、電荷輸送層の組成は、1%〈〔09530%、好
ましくは10%≦(C) 530%がよく、0%〈〔0
〕≦10%、好ましくは0%〈
%)がよい。 帯電能を向上させるためには、表面改質層45を高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をP又はN型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量(後述のグロー放電分解時)は
次の通りであってよい。 真性化: B zH6/S 1H−) 2〜50容量p
pmP型: B :!Hs / S i I−1450
〜1000容fflppmN型: PH3/S iH4
1〜1OOO容fflppmまた、層45はa−5iC
O1a −S i N、a−3in、a−3iOz等か
らなっていてよく、その膜厚を400人≦L≦5000
人の範囲内(特に400人≦t≦2000人に選択する
ことも重要である。 即ち、その膜厚が5000人を越える場合には、残留電
位7尺が高くなりすぎかつ光感度の低下も生し、a−3
i系感光体としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を400人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 第2中間層46については、残留電位低下のためには、
電荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層を
P又はN型としてもよい。導電型制御のためのドーピン
グ量は表面改質層と同じでよい。また、C,N、0の含
有量は層45のそれよりも少なくする。叩ち、O<(C
)510%、0<(N)510%、0〈〔0355%と
するのがよい。 この中間層の膜厚は50〜5000 Aとするのがよい
が、5000人を越えると上記したと同様の現象が生じ
易り、50人未満では中間層としての効果が乏しくなる
。好ましくは、100Å以上、1000Å以下とするの
がよい。 第1中間層47は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層46の接着性の向上及び画像の安定化のた
めに設置する。中間層47は、上記特性改善のためには
、P又はN型化する必要がある。不純物ドープ量は(P
H3)/ (S iH+)= 1〜1000 (好まし
くは10〜5oo)容量ppm、(B2、H6)/ (
S i H4)=10〜1000 (好ましくは50〜
500)容fippmとしてよい。 この中間層の膜厚は50〜5000人とするのがよいが
、5000人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
り、50人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層43については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化してもよい。この真性
化には、B2Ha/5iH4=1〜20容量pprnと
するのがよい。 また、電荷発生層は1〜10μm、好ましくは5〜7μ
mとするのがよい。電荷発生層43が1μm未満である
と光感度が充分でなく、また10μmを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層42については、帯電能、感度を最適化する
ためには、真性化してもよい。真性化のためのドープ量
は、〔B2上6〕/〔SiH4〕−1〜2000容量p
pfflが最適である。但し、上記値はC濃度に依存す
るため、必ずしも上記値に限定されるものではない。電
荷輸送層の膜厚は10〜30μmとするのがよい。 また、電荷輸送層の組成は、1%〈〔09530%、好
ましくは10%≦(C) 530%がよく、0%〈〔0
〕≦10%、好ましくは0%〈
〔0〕≦1%がよい。
また、上記電荷ブロッキング層44は、基板41からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第1IIa族元素(例えばボロン)をグロー
放電分解でドープして、P型(更にはビ型)化する。ブ
ロッキング層の組成によって、次のようにドーピング量
を制御する。 a−3iC又はa−3iCO: P型(Pt)i B z Hs / S i H4=20〜5000容量
ppIIIa−3iN又はa−3iNO: P型<pt> ; B z H6/ S i H4=2000〜5000容
75−ppmブロッキング層は、5iO1Si02等の
化合物でもよい。 また、ブロッキング層44は膜厚500人〜2μmがよ
い。500人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た2μmを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層44の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、1%〈〔03590%、好ましく
は10%≦(C) 670%とし、1%く 〔N359
0%、好ましくは10%〈〔N3570%とし、0%≦
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第1IIa族元素(例えばボロン)をグロー
放電分解でドープして、P型(更にはビ型)化する。ブ
ロッキング層の組成によって、次のようにドーピング量
を制御する。 a−3iC又はa−3iCO: P型(Pt)i B z Hs / S i H4=20〜5000容量
ppIIIa−3iN又はa−3iNO: P型<pt> ; B z H6/ S i H4=2000〜5000容
75−ppmブロッキング層は、5iO1Si02等の
化合物でもよい。 また、ブロッキング層44は膜厚500人〜2μmがよ
い。500人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た2μmを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層44の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、1%〈〔03590%、好ましく
は10%≦(C) 670%とし、1%く 〔N359
0%、好ましくは10%〈〔N3570%とし、0%≦
〔0〕≦70%、好ましくはO%≦
〔0〕≦30%とす
るのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層43中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、10〜30%であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層45、ブロッキン
グ層44及び電荷輸送層42も同様である。また、導電
型を制御するための不純物として、P型化のためにボロ
ン以外にもAIl、Ga、In、Tj+等の周期表I[
1a族元素を使用できる。N型化のためにはリン以外に
も、A3、sb等の周期表第Va族元素を使用できる。 次に、上記した感光体(例えばドラム状)の製造方法及
びその装置(グロー放電装置)を第4図について説明す
る。 この装置51の真空槽52内ではドラム状の基板41が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター55で基板41
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板41に対向してその周囲に、ガス導出口53付きの円
筒状高周波電極57が配され、基板41との間に高周波
電源56によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の62はSiH4又はガス状シリコン化合物の供給源
、63はCH4等の炭化水素ガスの供給源、64はN2
等の窒素化合物ガスの供給源、65は02等の酸素化合
物ガスの供給源、66はAr等のキャリアガス供給源、
67は不純物ガス(例えばB 2 H8)供給源、68
は各流量針である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えばAl基板41の表面を清浄化した後
に真空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10
”Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41
を所定温度、特に100〜350°C(望ましくは15
0〜300℃)に加熱保持する。次いで、高純度の不活
性ガスをキャリアガスとして、SiH4又はガス状シリ
コン化合物、CH4、N2.02等を適宜真空槽52内
に導入し、例えば0.01〜10Torrの反応圧下で
高周波電源56により高周波電圧(例えば13.56
Mllz)を印加する。これによって、上記各反応ガス
を電極57と基板41との間でグロー放電分解し、P型
a SiC:H,i型a−3iN:H,a−3i :
H,P又はN型a Sl:H%a−3ico : H
,a−3ico : Hを上記の層44.42.43.
47.46.45として基板上に連続的に(叩ち、例え
ば第1図の例に対応して)堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にa−3i系の層を
製膜する工程で支持体温度を100〜350℃としてい
るので、感光体の膜質(特に電気的特性)を良(するこ
とができる。 なお、上記a−3i系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したHの
かわりに、或いはHと併用してフッ素をSiF4等の形
で導入し、a−3t:F、a−5i :H:F、
a−5iN:F、 a−3iN:H:F、 a−3
iC:F、 a−3iC:H:Fとすることもできる
。この場合のフン素置は0.5〜10%が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でSiを蒸発させる方法(特に、本出願人
による特開昭56−78413号(特願昭54−152
455号)の方法)等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状A/支持体上に第1
図の構造の電子写真感光体を炸裂した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Aβ基板41の表面を清浄化した後に、第4図の真
空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10″′
6Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41
を所定温度、とくに100〜350°C(望ましくは1
50〜300℃)に加熱保持する。次いで、高純度のA
rガスをキャリアガスとして導入し、0.5Torrの
背圧のもとで周波数13.56 Ml’lzの高周波電
力を印加し、10分間の予備放電を行った。次いで、S
iH4とB2H6からなる反応ガスを導入し、流量比1
: 1 : 1 : (1,5X10−3)の(A
r+SiH4+CH+又はN z + B 2 H6)
混合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッ
キング機能を担うP型のa −S i C: H層44
とa−3iN:H電荷輸送層42とを6μm/ h r
の堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、B2
H6及びCH4を供給停止し、SiH4を放電分解し、
厚さ5μmのa−3t:H層43を形成した。引き続い
て、不純物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し
、膜厚も変化させた中間層47を形成し、更にa−3i
C○:H又はa−3iNO:H中間層46、表面保護層
45を更に設け、電子写真感光体を完成させた。 比較例として、中間層47のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 (1)1表面改質層:a−3iNO:)I又はa−5i
CO:H (2)、中間層:ドープ量、膜厚変化(第5図参照)(
31,a−3i : H電荷発生層:膜厚=5μm(4
1,a−3iN : H電荷輸送層:膜厚−15,cz
mN含有量=11% 正帯電用二Bドープ有り (5)、a−3iC:H又はa−3iN:H電荷ブロッ
キング層:膜厚=1μm 炭素含有量=12% (6)、支持体二Aβシリンダー(鏡面研摩仕上げ)次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 一叶二過」1此度 第6図に示すように、感光体39面に垂直に当てた0、
3Rダイヤ針70に荷重Wを加え、感光体をモータ71
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機U−B
ix1600 (小西六写真工業社製)改造機にて画
像出しを行い、何gの荷重から画像に白スジが現れるか
で、その感光体の引っかき強度(g)とする。 頂豫孟且 温度33°C1相対湿度80%の環境下で、感光体を電
子写真複写機U−Bix4500 (小西六写真工業
社製)改造機内に24時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で1000コピーの空回しを行った
後、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。 ◎:画画像流が全くなく、5.5ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○:5.5ポイントの英字がやや太くなる。 △:5.5ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 X:5.5ポイントの英字判読不能。 Fs VR(V) U −B ix 2500改造機を使った電位測定で、
400゜mにピークをもつ除電光301ux−seeを
照射した後も残っている感光体表面電位。 畳・・亡■o v U −B ix 2500改造機(小西六写真工業■製
)を用い、感光体流れ込み電流200μA、露光なしの
条件で360SX型電位計(トレソク社製)で)1す定
した現像直前の表面電位。 2” = −−E!/ 1ux−sec )上記の装
置を用い、グイクロイックミラー(光体光学社製)によ
り(@!露光波長のうち620nm以上の長波長成分を
シャープカットし、表面電位を500vから250Vに
半減するのに必要な露光量。 (露光量は550−1型光量針(EGandG″fi
製)にて測定) 結果を第7図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。
るのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層43中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、10〜30%であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層45、ブロッキン
グ層44及び電荷輸送層42も同様である。また、導電
型を制御するための不純物として、P型化のためにボロ
ン以外にもAIl、Ga、In、Tj+等の周期表I[
1a族元素を使用できる。N型化のためにはリン以外に
も、A3、sb等の周期表第Va族元素を使用できる。 次に、上記した感光体(例えばドラム状)の製造方法及
びその装置(グロー放電装置)を第4図について説明す
る。 この装置51の真空槽52内ではドラム状の基板41が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター55で基板41
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板41に対向してその周囲に、ガス導出口53付きの円
筒状高周波電極57が配され、基板41との間に高周波
電源56によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の62はSiH4又はガス状シリコン化合物の供給源
、63はCH4等の炭化水素ガスの供給源、64はN2
等の窒素化合物ガスの供給源、65は02等の酸素化合
物ガスの供給源、66はAr等のキャリアガス供給源、
67は不純物ガス(例えばB 2 H8)供給源、68
は各流量針である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えばAl基板41の表面を清浄化した後
に真空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10
”Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41
を所定温度、特に100〜350°C(望ましくは15
0〜300℃)に加熱保持する。次いで、高純度の不活
性ガスをキャリアガスとして、SiH4又はガス状シリ
コン化合物、CH4、N2.02等を適宜真空槽52内
に導入し、例えば0.01〜10Torrの反応圧下で
高周波電源56により高周波電圧(例えば13.56
Mllz)を印加する。これによって、上記各反応ガス
を電極57と基板41との間でグロー放電分解し、P型
a SiC:H,i型a−3iN:H,a−3i :
H,P又はN型a Sl:H%a−3ico : H
,a−3ico : Hを上記の層44.42.43.
47.46.45として基板上に連続的に(叩ち、例え
ば第1図の例に対応して)堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にa−3i系の層を
製膜する工程で支持体温度を100〜350℃としてい
るので、感光体の膜質(特に電気的特性)を良(するこ
とができる。 なお、上記a−3i系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したHの
かわりに、或いはHと併用してフッ素をSiF4等の形
で導入し、a−3t:F、a−5i :H:F、
a−5iN:F、 a−3iN:H:F、 a−3
iC:F、 a−3iC:H:Fとすることもできる
。この場合のフン素置は0.5〜10%が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でSiを蒸発させる方法(特に、本出願人
による特開昭56−78413号(特願昭54−152
455号)の方法)等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状A/支持体上に第1
図の構造の電子写真感光体を炸裂した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Aβ基板41の表面を清浄化した後に、第4図の真
空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10″′
6Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41
を所定温度、とくに100〜350°C(望ましくは1
50〜300℃)に加熱保持する。次いで、高純度のA
rガスをキャリアガスとして導入し、0.5Torrの
背圧のもとで周波数13.56 Ml’lzの高周波電
力を印加し、10分間の予備放電を行った。次いで、S
iH4とB2H6からなる反応ガスを導入し、流量比1
: 1 : 1 : (1,5X10−3)の(A
r+SiH4+CH+又はN z + B 2 H6)
混合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッ
キング機能を担うP型のa −S i C: H層44
とa−3iN:H電荷輸送層42とを6μm/ h r
の堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、B2
H6及びCH4を供給停止し、SiH4を放電分解し、
厚さ5μmのa−3t:H層43を形成した。引き続い
て、不純物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し
、膜厚も変化させた中間層47を形成し、更にa−3i
C○:H又はa−3iNO:H中間層46、表面保護層
45を更に設け、電子写真感光体を完成させた。 比較例として、中間層47のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 (1)1表面改質層:a−3iNO:)I又はa−5i
CO:H (2)、中間層:ドープ量、膜厚変化(第5図参照)(
31,a−3i : H電荷発生層:膜厚=5μm(4
1,a−3iN : H電荷輸送層:膜厚−15,cz
mN含有量=11% 正帯電用二Bドープ有り (5)、a−3iC:H又はa−3iN:H電荷ブロッ
キング層:膜厚=1μm 炭素含有量=12% (6)、支持体二Aβシリンダー(鏡面研摩仕上げ)次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 一叶二過」1此度 第6図に示すように、感光体39面に垂直に当てた0、
3Rダイヤ針70に荷重Wを加え、感光体をモータ71
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機U−B
ix1600 (小西六写真工業社製)改造機にて画
像出しを行い、何gの荷重から画像に白スジが現れるか
で、その感光体の引っかき強度(g)とする。 頂豫孟且 温度33°C1相対湿度80%の環境下で、感光体を電
子写真複写機U−Bix4500 (小西六写真工業
社製)改造機内に24時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で1000コピーの空回しを行った
後、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。 ◎:画画像流が全くなく、5.5ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○:5.5ポイントの英字がやや太くなる。 △:5.5ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 X:5.5ポイントの英字判読不能。 Fs VR(V) U −B ix 2500改造機を使った電位測定で、
400゜mにピークをもつ除電光301ux−seeを
照射した後も残っている感光体表面電位。 畳・・亡■o v U −B ix 2500改造機(小西六写真工業■製
)を用い、感光体流れ込み電流200μA、露光なしの
条件で360SX型電位計(トレソク社製)で)1す定
した現像直前の表面電位。 2” = −−E!/ 1ux−sec )上記の装
置を用い、グイクロイックミラー(光体光学社製)によ
り(@!露光波長のうち620nm以上の長波長成分を
シャープカットし、表面電位を500vから250Vに
半減するのに必要な露光量。 (露光量は550−1型光量針(EGandG″fi
製)にて測定) 結果を第7図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。
第1図〜第7図は本発明の実施例を示すものであって、
第1図はa−3i系感光体のl断面図、第2図はa−3
icの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第3図はa−3iCO比抵抗を示すグラフ、第4図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第5図は各感光体の層構成
を示す表、 第6図は引っかき強度試験機の概略図、第7図は各感光
体の特性を示す表 である。 第8図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 39・・・・・・・・・a−3i系感光体41・・・・
・・・・・支持体(基板)42・・・・・・・・・電荷
輸送層 43・・・・・・・・・電荷発生層 44・・・・・・・・・電荷ブロッキング層45・・・
・・・・・・表面改質層 46.47・・・・・・・・・中間層 である。
icの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第3図はa−3iCO比抵抗を示すグラフ、第4図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第5図は各感光体の層構成
を示す表、 第6図は引っかき強度試験機の概略図、第7図は各感光
体の特性を示す表 である。 第8図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 39・・・・・・・・・a−3i系感光体41・・・・
・・・・・支持体(基板)42・・・・・・・・・電荷
輸送層 43・・・・・・・・・電荷発生層 44・・・・・・・・・電荷ブロッキング層45・・・
・・・・・・表面改質層 46.47・・・・・・・・・中間層 である。
Claims (1)
- 1、周期表第IIIa族元素がヘビードープされかつ炭素
原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも1種を
含有するアモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコ
ンからなる電荷ブロッキング層と;窒素原子を含有する
アモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンからな
る電荷輸送層と;アモルファス水素化及び/又はフッ素
化シリコンからなる電荷発生層と;周期表第IIIa族又
は第Va族元素がドープされかつアモルファス水素化及
び/又はフッ素化シリコンからなる第1中間層と;炭素
原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも1種を
含有するアモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコ
ンからなる第2中間層と;炭素原子、窒素原子及び酸素
原子のうちの少なくとも1種を前記第2中間層よりも多
く含有するアモルファス水素化及び/又はフッ素化シリ
コンからなる表面改質層とが順次積層されてなる感光体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16874685A JPS6228750A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16874685A JPS6228750A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6228750A true JPS6228750A (ja) | 1987-02-06 |
Family
ID=15873647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16874685A Pending JPS6228750A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6228750A (ja) |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16874685A patent/JPS6228750A/ja active Pending
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