JPS6228762A - 感光体 - Google Patents
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- JPS6228762A JPS6228762A JP16875885A JP16875885A JPS6228762A JP S6228762 A JPS6228762 A JP S6228762A JP 16875885 A JP16875885 A JP 16875885A JP 16875885 A JP16875885 A JP 16875885A JP S6228762 A JPS6228762 A JP S6228762A
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
イ、産業上の利用分野
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。
しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−８ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。
このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光伝導性が悪くなっている。 そこで、上記欠陥を水
素原子（）（）で補償してＳｉにＨを結合させることに
よって、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
９Ω−ａであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。 従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯Ｔ！
定電位低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−８ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原
稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプ
ラテンカッく−４とが配されている。 原稿台３の下方
では、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミ
ラーユニ、ドアからなる光学走査台が図面左右方向へ直
線移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との
光路長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第
１ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側か
らの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担
持体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射する
ようになっている。 ドラム９の周囲には、コロナ帝
ＩＩＥｉｌＯ１現像器１１゜転写部１２、分離部１３．
クリーニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５
から各給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１
８はドラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定
着され、トレイ３５へ排紙される。 定着部１９では、
ヒーター２２を内蔵した加熱ローラー２３を圧着ローラ
ー２４との間に現像剤みの複写紙を通して定着操作を行
う。 しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。 例えば１ガ月以上放置したものは湿気の影響を受け
、受容電位が著しく低下することが分っている。 一
方、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈと称する。）について、その製法や存在が＠″Ｐ
ｈ口。 Ｍａｇ、 Ｖｏｌ 、 ３５ ’ （１９７８）等に記
載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高
いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０
１１〜１０１３Ω−ｃｒＩＬ）を有すること、炭素量に
より光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの
範囲に亘って変化すること等が仰られている。 但し、
炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長波長
感度が不良となるという欠点がある。 こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。 これによれば、ａ−８ｉ
：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下
にａ−８ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−８ｔ：Ｈにより
広い波長域での光感度を得、かつａ−８ｉ：Ｈ層とへテ
ロ接合を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈにより帯電電位
の向上を図っている。 しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈ層
の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不光分で
あって実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−
８４：Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や機
械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１０ａ−８ｉｃ ：Ｈ層を
表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−ｓｉｃ：）（層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３ 号公報にみられる如く、上記の電荷発生
層と上記第１及び第２のａ−ｓｉｃ：）（層との間に傾
狛層（ａ−８ｉ、−ｘＣｘ：Ｈ）を設け、この傾斜層に
おいてａ−８ｉ：Ｈ側でＸ−０とし、ａ−８ｉＣ：Ｈ層
側でＸ−ｏ、５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。 即ち、２０〜３０万回の連続ランニ
ング時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的
に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥
として生じるため、耐刷性が充分ではない。 しかも、
繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に
、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度
、湿度）による影響を無視できない。 また、表面改質
層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ１発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と光導電性層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上Ｉこ
、画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の
光疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境
（温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供す
ることｌこある。 二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
ちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と
；アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
なる光導電性層と；周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元
索がドープされかつアモルファス水素化及び／又はフッ
素化シリコンからなる第１中間層と；炭素原子、窒素原
子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第
２中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの
少なくとも１種を前記第２中間層よりも多く含有するア
モルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる
表面改質層とが順次積層されてなる感光体に係るもので
ある。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有している上に、この層下に第
２及び第１中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐刷性が優れたものとなる。 また、本発明においては
、表面改質層と光導電性層との間に第１及び第２中間層
を設けているので１表面改質層と光導電性層との接着性
が向上する。 また、表面改質層と中間層とを光導電性
層上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の
耐光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低下
し、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影
響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。 この感光体３９はＡ
１等のドラム状導電性支持基板４１）、／こ、周期表第
Ｖａ族元素（例えばリン）がヘビードープされかつＣ，
Ｎ及び０の少なくとも１つを含有するａ−８ｉ：Ｈ（こ
れをａ −Ｓ ｉ （Ｃ） （Ｎ） （ｏ）：Ｈと表す
。）からなるり細電荷ブロッキング層４４と、ａ−８ｔ
：Ｈからなる光導電性Ｎ（不純物ドーピングなし又は真
性化されたもの）４３と、周期表第Ｈａ族又は第Ｖａ族
元素がヘビードープされたｒ型又は丈型アモルファス水
素化シリコンからなる第１中間層４７と、周期表第ＩＩ
Ｉａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ型或
いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）されか
っＮ、 Ｃ及び０の少なくとも１つを含有するアモルフ
ァス水素化シリコン（これをａ −Ｓ ｉ （Ｃ） （
Ｎ） （０） ：Ｈと表す。）からなる第２中間層４６
と、周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされ
てＰ型又はＮ型或いは真性化（若しくはドーピングなし
）されかつａ−８ｉ （Ｃ） （Ｎ） （０） ：Ｈか
らなる表面改質層４５とが積層された構造からなってい
る。 光導電層４３は暗所抵抗率ｐＤと光照射時の抵抗率Ｐ
Ｌとの比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特
に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、 ｏｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭
素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換えて
規定することができる。 また、ａ−８ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用Ｈを用いた場合、その
比抵抗は炭素含有量に従って変化し、１０１１Ω−１以
上になる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ −８ｉ
Ｎ：Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈにライても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−８ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。 即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の
繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例えば１％月
以上）放置しておいても良好な電位特性を再現できる。 これに反し、ａ−８ｉ：Ｈを表面とした感光体の場合に
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における＃摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、ｓｉ＋ｃ −１００ａ
ｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表す。 ）としたとき１％≦〔Ｃ〕≦９０％、更には１０％≦〔
Ｃ〕≦７０％であることが望ましい。 このＣ含有量に
よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エ
ネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及
び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照
射光はａ−８ｉ：Ｈ層４３に到達し易くなる。 しか
し、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の欠点が生
じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分
の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し
易くなる。 また、Ｃ含有量が９０％を越えると層の炭
素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速度が低
下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするのがよい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、１％
≦α〕≦９０％（更には１０％≦１ ≦７０％）カヨ＜
、０％〈〔Ｏ〕≦７０％（更には５％≦〔ｏ〕≦３０％
）がよい。 帯電能を向上させるためには１表面改質層４５を高抵抗
化してもよい。 そのためには表面改質層を真性化して
もよい。 正又は負帯電使用ｌこ於いて、中間層から表面改質層中
への電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化
するためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）
は次の通りであってよい。 Ｐ型；Ｂ！ＨＡ／ｓｉＨ，（２００ｏ−５０００〃（ａ
−８ｉＮＯ：ＨｆＦ７５０〜１０００ 〃（ａ−３
ｉＣＯ：Ｈ（ＦＩＮ型：ＰＨｓ／５ｉＨ４１〜１０００
〃（ａ−８ｉＣＯ：Ｈ（Ｆ３、ａ −Ｓ ｉ Ｎｏ
： ＵＦ団通） また、層４５はａ−８ｉＣＯ，ａ−８ｉＮ、ａ−８ｉＱ
ＩＩＩａ−８ｉＯ１等からなっていてよく、その膜厚を
４００Ａ ：ｉｉ； ｔ ≦５００ＯＡ ノ範囲内（特
に４０ｏＡ≦ｔ≦２０００ Ａに選択することも重要で
ある。 即ち、その膜厚が５００ＯＡを越える場合には
、残留電位ｖＲが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ
、ａ−８ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い。
また。 膜厚を４００八未満とした場合には、トンネル効果によ
って電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増
大や光感度の低下が生じてしまう。 第２中間層４６については、残留電位低下のためには、
電荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層を
Ｐ又はＮ型としてもよい。 導電型制御のためのドーピ
ング量は表面改質層と同じでよい。 また、Ｃ，Ｎ、０
の含有量は層４５のそれよりも少なくする。 即ち、０
く■〕≦１０％、Ｏ＜〔Ｎ〕≦１０％、０＜（０）≦５
％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０−５００ＯＡとするのがよいが
、５０００ｋを越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜ 、５０Ａ未満では中間層としての効果が”乏しくな
る。 好ましくは、１００八以上、１０００Ａ以下とす
るのがよい。 第１中間層４７は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層４６の接着性の向上及び画像の安定化の為
に設置する。 中間層４７は、上記特性改善の為には、
Ｐ又はＮ型化する必要がある。 不純物ドープ量は（ＰＨｓ：］／ ＣＳ １Ｈ４） ＝
１〜１０００ （好ましくは１０〜５００）容量ｐｐ
ｍ、ＣＢ！Ｈ６１） ／ Ｃ８１Ｈａ−１０〜１０００
（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍとしてよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００ Ａとするのがよい
が、５０００Ａを越えると上記したと同様の現象が生じ
易＜、５０Ａ未満では中間層としての効果が乏しくなる
。 光導電性層４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよく、その為には電
荷発生層を真性化してもよい。 このためには、Ｂ ＊
Ｈａ ／ Ｓ ｉ Ｈ４＝ Ｏ〜５０容ｉ１ｐｐｍ、好
ましくは１〜２０容量ｐｐｍとするのがよい。 また、光導電性層は５〜８０μｍ、好ましくは１０〜３
０μｍとするのがよい。 電荷発生層４３が５細未満で
あると充分な帯電電位が得られず、８０μｍを越えると
残留電位が上昇し、実用上不充分である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を光分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）をグロー放電分
解でドープして、Ｎ型（更にはＮ＋型）化するとよい。 ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピン
グ量を制御する。 ａ−８ｉＣ：真性化ＢｔＨｓ／５ｉＨ４２−２０容ｉｐ
ｐｍＮ型（Ｎ＋）ＰＨｓＳｉＨ４１〜１０００〃ａ−８
ｉＮ：真性化Ｂ＊Ｈｓ／５ｉＬ１〜２０００ ’Ｎ型
（Ｎ＋） ＰＨ・ＳｉＨ，１〜２０００ ・ブロッ
キング層は、５ｉＯ１Ｓ ｉ Ｏｘ等の化合物でもよい
。 また、ブロッキング層４４は膜厚５ｏｏＡ〜２μｍがよ
い、 ５００Ａ未満であるとブロッキング効果が弱く
、また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。 即ち、１％＜〔Ｃ〕≦匍％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）６７０％とし、１％＜〔Ｎ〕≦９０％
、好ましくは１０％≦関〕≦７０％とし、０％≦〔Ｏ〕
≦７０％、好ましくは０％≦
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。
しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−８ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。
このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光伝導性が悪くなっている。 そこで、上記欠陥を水
素原子（）（）で補償してＳｉにＨを結合させることに
よって、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
９Ω−ａであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。 従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯Ｔ！
定電位低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−８ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原
稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプ
ラテンカッく−４とが配されている。 原稿台３の下方
では、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミ
ラーユニ、ドアからなる光学走査台が図面左右方向へ直
線移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との
光路長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第
１ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側か
らの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担
持体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射する
ようになっている。 ドラム９の周囲には、コロナ帝
ＩＩＥｉｌＯ１現像器１１゜転写部１２、分離部１３．
クリーニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５
から各給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１
８はドラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定
着され、トレイ３５へ排紙される。 定着部１９では、
ヒーター２２を内蔵した加熱ローラー２３を圧着ローラ
ー２４との間に現像剤みの複写紙を通して定着操作を行
う。 しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。 例えば１ガ月以上放置したものは湿気の影響を受け
、受容電位が著しく低下することが分っている。 一
方、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈと称する。）について、その製法や存在が＠″Ｐ
ｈ口。 Ｍａｇ、 Ｖｏｌ 、 ３５ ’ （１９７８）等に記
載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高
いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０
１１〜１０１３Ω−ｃｒＩＬ）を有すること、炭素量に
より光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの
範囲に亘って変化すること等が仰られている。 但し、
炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長波長
感度が不良となるという欠点がある。 こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。 これによれば、ａ−８ｉ
：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下
にａ−８ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−８ｔ：Ｈにより
広い波長域での光感度を得、かつａ−８ｉ：Ｈ層とへテ
ロ接合を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈにより帯電電位
の向上を図っている。 しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈ層
の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不光分で
あって実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−
８４：Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や機
械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１０ａ−８ｉｃ ：Ｈ層を
表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−ｓｉｃ：）（層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３ 号公報にみられる如く、上記の電荷発生
層と上記第１及び第２のａ−ｓｉｃ：）（層との間に傾
狛層（ａ−８ｉ、−ｘＣｘ：Ｈ）を設け、この傾斜層に
おいてａ−８ｉ：Ｈ側でＸ−０とし、ａ−８ｉＣ：Ｈ層
側でＸ−ｏ、５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。 即ち、２０〜３０万回の連続ランニ
ング時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的
に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥
として生じるため、耐刷性が充分ではない。 しかも、
繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に
、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度
、湿度）による影響を無視できない。 また、表面改質
層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ１発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と光導電性層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上Ｉこ
、画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の
光疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境
（温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供す
ることｌこある。 二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
ちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と
；アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
なる光導電性層と；周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元
索がドープされかつアモルファス水素化及び／又はフッ
素化シリコンからなる第１中間層と；炭素原子、窒素原
子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第
２中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの
少なくとも１種を前記第２中間層よりも多く含有するア
モルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる
表面改質層とが順次積層されてなる感光体に係るもので
ある。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有している上に、この層下に第
２及び第１中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐刷性が優れたものとなる。 また、本発明においては
、表面改質層と光導電性層との間に第１及び第２中間層
を設けているので１表面改質層と光導電性層との接着性
が向上する。 また、表面改質層と中間層とを光導電性
層上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の
耐光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低下
し、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影
響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。 この感光体３９はＡ
１等のドラム状導電性支持基板４１）、／こ、周期表第
Ｖａ族元素（例えばリン）がヘビードープされかつＣ，
Ｎ及び０の少なくとも１つを含有するａ−８ｉ：Ｈ（こ
れをａ −Ｓ ｉ （Ｃ） （Ｎ） （ｏ）：Ｈと表す
。）からなるり細電荷ブロッキング層４４と、ａ−８ｔ
：Ｈからなる光導電性Ｎ（不純物ドーピングなし又は真
性化されたもの）４３と、周期表第Ｈａ族又は第Ｖａ族
元素がヘビードープされたｒ型又は丈型アモルファス水
素化シリコンからなる第１中間層４７と、周期表第ＩＩ
Ｉａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ型或
いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）されか
っＮ、 Ｃ及び０の少なくとも１つを含有するアモルフ
ァス水素化シリコン（これをａ −Ｓ ｉ （Ｃ） （
Ｎ） （０） ：Ｈと表す。）からなる第２中間層４６
と、周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされ
てＰ型又はＮ型或いは真性化（若しくはドーピングなし
）されかつａ−８ｉ （Ｃ） （Ｎ） （０） ：Ｈか
らなる表面改質層４５とが積層された構造からなってい
る。 光導電層４３は暗所抵抗率ｐＤと光照射時の抵抗率Ｐ
Ｌとの比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特
に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、 ｏｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭
素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換えて
規定することができる。 また、ａ−８ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用Ｈを用いた場合、その
比抵抗は炭素含有量に従って変化し、１０１１Ω−１以
上になる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ −８ｉ
Ｎ：Ｈ，ａ−８ｉＯ：Ｈにライても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−８ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。 即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の
繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例えば１％月
以上）放置しておいても良好な電位特性を再現できる。 これに反し、ａ−８ｉ：Ｈを表面とした感光体の場合に
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における＃摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、ｓｉ＋ｃ −１００ａ
ｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表す。 ）としたとき１％≦〔Ｃ〕≦９０％、更には１０％≦〔
Ｃ〕≦７０％であることが望ましい。 このＣ含有量に
よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エ
ネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及
び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照
射光はａ−８ｉ：Ｈ層４３に到達し易くなる。 しか
し、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の欠点が生
じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分
の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し
易くなる。 また、Ｃ含有量が９０％を越えると層の炭
素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速度が低
下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするのがよい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、１％
≦α〕≦９０％（更には１０％≦１ ≦７０％）カヨ＜
、０％〈〔Ｏ〕≦７０％（更には５％≦〔ｏ〕≦３０％
）がよい。 帯電能を向上させるためには１表面改質層４５を高抵抗
化してもよい。 そのためには表面改質層を真性化して
もよい。 正又は負帯電使用ｌこ於いて、中間層から表面改質層中
への電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化
するためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）
は次の通りであってよい。 Ｐ型；Ｂ！ＨＡ／ｓｉＨ，（２００ｏ−５０００〃（ａ
−８ｉＮＯ：ＨｆＦ７５０〜１０００ 〃（ａ−３
ｉＣＯ：Ｈ（ＦＩＮ型：ＰＨｓ／５ｉＨ４１〜１０００
〃（ａ−８ｉＣＯ：Ｈ（Ｆ３、ａ −Ｓ ｉ Ｎｏ
： ＵＦ団通） また、層４５はａ−８ｉＣＯ，ａ−８ｉＮ、ａ−８ｉＱ
ＩＩＩａ−８ｉＯ１等からなっていてよく、その膜厚を
４００Ａ ：ｉｉ； ｔ ≦５００ＯＡ ノ範囲内（特
に４０ｏＡ≦ｔ≦２０００ Ａに選択することも重要で
ある。 即ち、その膜厚が５００ＯＡを越える場合には
、残留電位ｖＲが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ
、ａ−８ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い。
また。 膜厚を４００八未満とした場合には、トンネル効果によ
って電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増
大や光感度の低下が生じてしまう。 第２中間層４６については、残留電位低下のためには、
電荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層を
Ｐ又はＮ型としてもよい。 導電型制御のためのドーピ
ング量は表面改質層と同じでよい。 また、Ｃ，Ｎ、０
の含有量は層４５のそれよりも少なくする。 即ち、０
く■〕≦１０％、Ｏ＜〔Ｎ〕≦１０％、０＜（０）≦５
％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０−５００ＯＡとするのがよいが
、５０００ｋを越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜ 、５０Ａ未満では中間層としての効果が”乏しくな
る。 好ましくは、１００八以上、１０００Ａ以下とす
るのがよい。 第１中間層４７は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層４６の接着性の向上及び画像の安定化の為
に設置する。 中間層４７は、上記特性改善の為には、
Ｐ又はＮ型化する必要がある。 不純物ドープ量は（ＰＨｓ：］／ ＣＳ １Ｈ４） ＝
１〜１０００ （好ましくは１０〜５００）容量ｐｐ
ｍ、ＣＢ！Ｈ６１） ／ Ｃ８１Ｈａ−１０〜１０００
（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍとしてよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００ Ａとするのがよい
が、５０００Ａを越えると上記したと同様の現象が生じ
易＜、５０Ａ未満では中間層としての効果が乏しくなる
。 光導電性層４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよく、その為には電
荷発生層を真性化してもよい。 このためには、Ｂ ＊
Ｈａ ／ Ｓ ｉ Ｈ４＝ Ｏ〜５０容ｉ１ｐｐｍ、好
ましくは１〜２０容量ｐｐｍとするのがよい。 また、光導電性層は５〜８０μｍ、好ましくは１０〜３
０μｍとするのがよい。 電荷発生層４３が５細未満で
あると充分な帯電電位が得られず、８０μｍを越えると
残留電位が上昇し、実用上不充分である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を光分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）をグロー放電分
解でドープして、Ｎ型（更にはＮ＋型）化するとよい。 ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピン
グ量を制御する。 ａ−８ｉＣ：真性化ＢｔＨｓ／５ｉＨ４２−２０容ｉｐ
ｐｍＮ型（Ｎ＋）ＰＨｓＳｉＨ４１〜１０００〃ａ−８
ｉＮ：真性化Ｂ＊Ｈｓ／５ｉＬ１〜２０００ ’Ｎ型
（Ｎ＋） ＰＨ・ＳｉＨ，１〜２０００ ・ブロッ
キング層は、５ｉＯ１Ｓ ｉ Ｏｘ等の化合物でもよい
。 また、ブロッキング層４４は膜厚５ｏｏＡ〜２μｍがよ
い、 ５００Ａ未満であるとブロッキング効果が弱く
、また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。 即ち、１％＜〔Ｃ〕≦匍％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）６７０％とし、１％＜〔Ｎ〕≦９０％
、好ましくは１０％≦関〕≦７０％とし、０％≦〔Ｏ〕
≦７０％、好ましくは０％≦
〔０〕≦３０％とするのが
よい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、光導電性層４３中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが
望ましい。 この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッ
キングＮ４４も同様である。 また、導電型を制御するための不純物として、Ｐ型化の
ためにボロン以外にもｋｌ、Ｇａ、Ｉｎ。 Ｔ１等の周期表ＩＩＩａ族元素を使用できる。 Ｎ型化
のためにはリン以外にも、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ
族元素を使用できる。 次に上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及び
その装Ｍ（グロー放電装着）を第４図について説明する
。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。
基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。 なお
、図中の６２はＳｉＨ，又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５はＯ２等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ，）供給源、６８
は各流量計である。 このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
Ｏ−６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００℃）に加熱保持する。 次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状
シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎ、、０．等を適宜真空槽５
２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧
下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５
６ Ｍ Ｈｚ ）を印加する。 これによって、上記各
反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解
し、や型ａ−８ｉｃＯ：Ｈ，ａ−８ｉ ：Ｈ、ピ又はＮ
’型ａ−８ｉ：Ｈ，ａ−８ｉＣＯ：Ｈ，ａ −８ｉＣＯ
：Ｈを上記の層４４．４３．４７．４６．４５として基
板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）
堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−８ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわ°りに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の
形で導入し、ａ−８ｉ：Ｆ％ａ−８ｉ ：Ｈ：Ｆ、ａ−
８ｉＮ：Ｆ、ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ％ ａ−８ｉｃ：Ｆ、
ａ−８ｉｃ ：Ｈ：Ｆとすることもできる。 この場合
のフッ素量はＯ，ト１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ７基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０ Ｔ
ｏｒｒ となるように調整して排気し、かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。 次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５ Ｔｏｒｒ
の背圧のもとて周波数１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波電
力を印加し、１０分間の予備放電を行った。 次いで、５ｉＨａとＰＨｓからなる反応ガスを導入し、
流量比１ ： １ ： １ ： （１，５Ｘ １Ｏ−３
）の（Ａｒ＋Ｓ ｉＨ，＋ＣＨ４＋ＰＨ，）混合ガスを
グロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機能
を担うｔ型のａ−８ｉＣＯ：Ｈ層４４を６ Ｉｔ ｍ／
ｈ ｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。 引き続き
、ＰＨ，及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解
し、厚さ５μｍのａ−８ｉ：Ｈ層４３を形成した。 引
き続いて、不純物ガスの流量比を変化させてグロー放電
分解し、膜厚も変化させた中間層４７を形成し、更にａ
−８ｉＣＯ：Ｈ又はａ−８ｉＮＯ：Ｈ中間層４６、表面
保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。 比較例として、中間層４７のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）０表面改質層： ａ−８ｉＮＯ：Ｈ又はａ−８ｉ
ＣＯ：Ｈ（２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図
参照）（３）、ａ−８ｉ： Ｈ光導電性層：膜厚−２
０μｍ（４１，ａ ５ｉＣＯ：Ｈ又はａ−８ｉＮＯ：
Ｈ電荷ブロッキング層：膜厚−０，５μｍ炭素含有量−
１１％ （５）、支持体二Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 引っかき強度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７ｏに荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。 次に、電子写真複写機Ｕ
−Ｂ ｉｘ １６００ （小西六写真工業社製）改造機
にて画像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現
れるかで、その感光体の引っかき強度（ｍｌとする。 画像流れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ −Ｂｉｘ ４５００ （小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現作剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。 ◎：画画像流が全くなく 、 ５．５ポイントの英字や
＃１線の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 ｘ：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ ： ５，５ポイントの英字判読不能。 残留電位ｖＲ（ｖ） Ｕ −Ｂｉｘ ２５００改造様を使った電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−ｓｅｃを照
射した後も残っている感光体表面電位。 帯電電位Ｖｏ関 Ｕ −Ｂｉｘ ２５００改造機（小西六写真工業■製）
を用い、感光体流れ込み’１Ｅｆｉ２００μＡ、露光な
しの条件で３６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定
した現像直前の表面電位。 半減露光量Ｅ １／ ’（１ｕｘ−ｓｅｃ）上記の装置
を用い、ダイクロイックミラー（元押光学社製）により
像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャー
プカットし、表面電位を５００■から２５０ｖに半減す
るのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（Ｅ Ｇ ａｎｄ Ｇ社
製）にて測定） 結果を第７図にまとめて示した。 この結果から、本発
明に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各
性能に優れた感光体が得られることが分かる。
よい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、光導電性層４３中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが
望ましい。 この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッ
キングＮ４４も同様である。 また、導電型を制御するための不純物として、Ｐ型化の
ためにボロン以外にもｋｌ、Ｇａ、Ｉｎ。 Ｔ１等の周期表ＩＩＩａ族元素を使用できる。 Ｎ型化
のためにはリン以外にも、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ
族元素を使用できる。 次に上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及び
その装Ｍ（グロー放電装着）を第４図について説明する
。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。
基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。 なお
、図中の６２はＳｉＨ，又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５はＯ２等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ，）供給源、６８
は各流量計である。 このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
Ｏ−６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００℃）に加熱保持する。 次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状
シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎ、、０．等を適宜真空槽５
２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧
下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５
６ Ｍ Ｈｚ ）を印加する。 これによって、上記各
反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解
し、や型ａ−８ｉｃＯ：Ｈ，ａ−８ｉ ：Ｈ、ピ又はＮ
’型ａ−８ｉ：Ｈ，ａ−８ｉＣＯ：Ｈ，ａ −８ｉＣＯ
：Ｈを上記の層４４．４３．４７．４６．４５として基
板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）
堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−８ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわ°りに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の
形で導入し、ａ−８ｉ：Ｆ％ａ−８ｉ ：Ｈ：Ｆ、ａ−
８ｉＮ：Ｆ、ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ％ ａ−８ｉｃ：Ｆ、
ａ−８ｉｃ ：Ｈ：Ｆとすることもできる。 この場合
のフッ素量はＯ，ト１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ７基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０ Ｔ
ｏｒｒ となるように調整して排気し、かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０°Ｃ（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。 次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５ Ｔｏｒｒ
の背圧のもとて周波数１３．５６ Ｍ Ｈｚの高周波電
力を印加し、１０分間の予備放電を行った。 次いで、５ｉＨａとＰＨｓからなる反応ガスを導入し、
流量比１ ： １ ： １ ： （１，５Ｘ １Ｏ−３
）の（Ａｒ＋Ｓ ｉＨ，＋ＣＨ４＋ＰＨ，）混合ガスを
グロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機能
を担うｔ型のａ−８ｉＣＯ：Ｈ層４４を６ Ｉｔ ｍ／
ｈ ｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。 引き続き
、ＰＨ，及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解
し、厚さ５μｍのａ−８ｉ：Ｈ層４３を形成した。 引
き続いて、不純物ガスの流量比を変化させてグロー放電
分解し、膜厚も変化させた中間層４７を形成し、更にａ
−８ｉＣＯ：Ｈ又はａ−８ｉＮＯ：Ｈ中間層４６、表面
保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。 比較例として、中間層４７のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）０表面改質層： ａ−８ｉＮＯ：Ｈ又はａ−８ｉ
ＣＯ：Ｈ（２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図
参照）（３）、ａ−８ｉ： Ｈ光導電性層：膜厚−２
０μｍ（４１，ａ ５ｉＣＯ：Ｈ又はａ−８ｉＮＯ：
Ｈ電荷ブロッキング層：膜厚−０，５μｍ炭素含有量−
１１％ （５）、支持体二Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 引っかき強度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７ｏに荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。 次に、電子写真複写機Ｕ
−Ｂ ｉｘ １６００ （小西六写真工業社製）改造機
にて画像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現
れるかで、その感光体の引っかき強度（ｍｌとする。 画像流れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ −Ｂｉｘ ４５００ （小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現作剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。 ◎：画画像流が全くなく 、 ５．５ポイントの英字や
＃１線の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 ｘ：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ ： ５，５ポイントの英字判読不能。 残留電位ｖＲ（ｖ） Ｕ −Ｂｉｘ ２５００改造様を使った電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−ｓｅｃを照
射した後も残っている感光体表面電位。 帯電電位Ｖｏ関 Ｕ −Ｂｉｘ ２５００改造機（小西六写真工業■製）
を用い、感光体流れ込み’１Ｅｆｉ２００μＡ、露光な
しの条件で３６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定
した現像直前の表面電位。 半減露光量Ｅ １／ ’（１ｕｘ−ｓｅｃ）上記の装置
を用い、ダイクロイックミラー（元押光学社製）により
像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャー
プカットし、表面電位を５００■から２５０ｖに半減す
るのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（Ｅ Ｇ ａｎｄ Ｇ社
製）にて測定） 結果を第７図にまとめて示した。 この結果から、本発
明に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各
性能に優れた感光体が得られることが分かる。
第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、
第１図はａ−３ｔ系感光体の断面図、
第２図はＢ−８ｉＣの光学的エネルギーギャップを示す
グラフ、 第３図はａ−８ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・・・ａ−８ｉ系感光体４１・
・・・・・・・・・・・支持体（基板）４３・・・・・
・・・・・・・光導電性層４４・・・・・・・・・・・
・電荷ブロッキング層４５・・・・・・・・・・・・表
面改質層４６．４７・・・・・・・・・中間層 である。 代理人 弁理士 逢 坂 水 弟１図 第２図 ａ−５ｉ＋−ｘＣｘ ：Ｈｘ 第３図 第６図 第４図
グラフ、 第３図はａ−８ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・・・ａ−８ｉ系感光体４１・
・・・・・・・・・・・支持体（基板）４３・・・・・
・・・・・・・光導電性層４４・・・・・・・・・・・
・電荷ブロッキング層４５・・・・・・・・・・・・表
面改質層４６．４７・・・・・・・・・中間層 である。 代理人 弁理士 逢 坂 水 弟１図 第２図 ａ−５ｉ＋−ｘＣｘ ：Ｈｘ 第３図 第６図 第４図
Claims (1)
- １、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；アモルファ
ス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる光導電性
層と；周期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされ
かつアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
らなる第１中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子
のうちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化
及び／又はフッ素化シリコンからなる第２中間層と；炭
素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種
を前記第２中間層よりも多く含有するアモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが
順次積層されてなる感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16875885A JPS6228762A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16875885A JPS6228762A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6228762A true JPS6228762A (ja) | 1987-02-06 |
Family
ID=15873886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16875885A Pending JPS6228762A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6228762A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179455A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-05 | Sharp Corp | 電子写真用現像剤 |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16875885A patent/JPS6228762A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179455A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-05 | Sharp Corp | 電子写真用現像剤 |
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