JPS61294457A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｓ又はＳｅにＡ　ｓ　
−、Ｔ　１３　％　Ｓ　ｂ等をドープした感光体、Ｚｎ
ＯやＣｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知
られている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染
性、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を１体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０’〜１０
９Ω−１であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：■（の単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネ。 ト１の上部には、原稿２を載せるガラス製原稿載置台３
と、原稿２を覆うプラテンカバー４とが配されている。 原稿台３の下方では、光源５及び第１反射用ミラー６を
具備した第１ミラーユニツト７からなる光学走査台が図
面左右方向へ直線移動可能に設けられており、原稿走査
点と感光体との光路長を一定にするための第２ミラーユ
ニツ）２０が第１ミラーユニツトの速度に応じて移動し
、原稿台３側からの反射光がレンズ２１・反射用ミラー
８を介して像担持体としての感光体ドラム−９上ヘスリ
ツト状に入射するようになっている。ドラム９の周囲に
は、コロナ帯電器１０、現像器１１、転写部１２、分離
部１３、クリーニング部１４が夫々配置さており、給紙
箱１５から各給紙ローラー１６．１７を経て送られる複
写紙１８はドラム９のトナー像の転写後に更に定着部１
９で定着され、トレイ３５へ排紙される。定着部１９で
は、ヒーター２２を内臓した加熱ローラー２３と圧着ロ
ーラー２４との間に現像済みの複写紙を通して定着操作
を行なう。 しかしながら、ａ−３ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：ｋ
ｌと称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１ｌ
。 Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、３５”（１９７８）等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ−３ｉ　：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０Ｉ！〜
１０Ｉ３Ω−ロ）を有すること、炭素量により光学的エ
ネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。但、炭素の含有により
バンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となる
という欠点がある。 こうしたａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈとａ−３ｔ：Ｈとを組
合せた電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８
３号広報において提案されている。これによれば、ａ−
３ｔ、：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発
生層下にａ−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−Ｓｉ：Ｈ
により広い波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：Ｈ層
とへテロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯
電電位の向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：
Ｈ層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充
分であって実用性のあるものとはならない上に、表面に
ａ−Ｓｉ：Ｈ層が存在していることにより化学的安定性
や機械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号広報には、ａ−３ｉ：
■（からなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣｓＨ層を
表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−３ｉＣｓＨ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号広報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃｓ　Ｈ層との間
に傾斜層（ａ　−Ｓ　ｉ　１−ｘＣｘ　：　Ｈ）を設け
、この傾斜層においてａ−５ｉ：Ｈ側でＸ＝０とし、ａ
−３ｉＣｓＨ層側でＸ＝０．５とした感光体が知られて
いる。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｋＣＪｌｉが７〜８万回程度で機械
的に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠
陥として生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、
繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に
、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度
、湿度）による影響を無視できない。また、表面改質層
と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二２発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第ＩＩＩａ族元素がドープされ
かつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
も１つを含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
化シリコンからなる電荷プロ・ノキング層と；真性化さ
れかつ窒素原子を含有するアモルファス水素化及び／又
はフッ素化シリコンからなる電荷輸送層と；アモルファ
ス水素化及び／フッ素化シリコンからなる電荷発生層と
；周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされか
つアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
なる中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち
の少なくとも１つを含有しかつアモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積
層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐剛性が優れたものとなる。また、本発明において
は、表面改質層と電荷発生層との間に不純物ドープド中
間層を設けているので、表面改質層と電荷発生層との接
着性が向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発
生層上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時
の耐光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低
下し、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に
影響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡＩ
ｌ等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ＩＩ
Ｉａ族元素（例えばホウ素）がヘビードープされかつＣ
，Ｎ及びＯの少なくとも１つを含有するａ−３ｉ：Ｈ（
これをａ−３ｉ　　（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈと表わす。 ）からなるＰ゛型重電荷ブロッキング層４４、周期表第
ＩＩＩａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされて
真性化されかつＮを含有するａ−Ｓｉ：Ｈ（これをａ−
３！Ｎ：Ｈと表わす。）からなる電荷輸送１ｉ４２と、
ａ−Ｓｉ：Ｈからなる電荷発生層（不純物ドーピングな
し又は真性化されたもの）４３と、周期表第ＩＩＩａ族
又は第Ｖａ族元素がヘビードープされたＰ９型又はＮ“
型アモルファス水素化シリコンからなる中間層４６と、
周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ
型又はＮ型或いは真性化（若しくは不純物ドーピングな
しの）されかつＮ、　Ｃ及び０の少なくとも１つを含有
するアモルファス水素化シリコン（これをａ−３ｉ　　
（Ｃ）（Ｎ）（０）ｊＨと表わす。）からなる表面改質
層４５とが積層された構造からなっている。電荷発生層
４３は暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が
電子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視及び
赤外領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、　ａｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭素
原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換えて規
定することができる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ−８ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、ｌＯ目Ω−１以上になる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ−３ｉＮ
　：　Ｈ，ａ−３ｉｏ　：　Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−Ｓｔ系悪感
光体実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏する゛ためには、
層４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表わす。 ）としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０％≦（
Ｃ）５７０％であることが望ましい、このＣ含有量によ
って上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネ
ルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及び
赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射
光はａ−３ｔｓＨ層（電荷発生Ｎ）４３に到達し易くな
る。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の
欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越えると
層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ
−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速
度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするのが
よい。同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、
１％≦（Ｎ）５９０％（更には１０％≦（Ｎ）５７０％
）がよく、０％く（０）５７０％（更には５％≦

〔０〕
≦３０％）がよい。 帯電能を向上させる為には、表面改質［４５を高抵抗化
してもよい。その為には表面改質層を真性化しても良い
。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープＮ（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 真性化：　Ｂｚ　）ｌ　６　／　Ｓ　ｉ　Ｈ４Ｐ型：　
ＢｚＨ１／　Ｓ　ｉ　Ｈ４ １〜１０００　（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍ
（Ｓ　ｉｃｏ　：　Ｈ（Ｆ）） ２０００〜５０００容量ｐｐａ＋（Ｓ　ｉ　Ｎｏ　：　
Ｉ（（Ｆ）　）Ｎ型：　Ｐ　Ｈ３／　Ｓ　ｉＨａ ｌ−１０００（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍ（
ＳｉＮＯ：Ｈ（Ｆ）　、５ｉＣＯ：Ｈ（Ｆ）共通）また
、層４５はａ−３ｉＣＯ１ａ　　Ｓ　ｉ　Ｎ　Ｏ％ａ−
３ｔＯ１ａ−３ｉＱｚ等からなッテイテヨ＜、その膜厚
を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲内（特に４００人≦
ｔ＜２０００人に選択することも重要である。即ち、そ
の膜厚が５０００人を越える場合には、残留電位ＶＲが
高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３ｉ系悪感
光としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 中間層４６については、残留電位低下の為には、電荷発
生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をＰ又は
Ｎ型としてもよい。導電型制御の為のドーピング量は表
面改質層と同じでよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 好ましくは、１００Å以上、１０００Å以下とするのが
良い。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化しても良い。 コノ真性化には、Ｂ　ｚ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　＝　
１〜２０容量ｐｐｍとするのがよい。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ１好ましくは５〜７１
１ｍとするのがよい、電荷発生層４３が１μｍ未満であ
ると光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化する必要がある。真性化の為のドープ量
は、（ＢｚＨＪ　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）＝１〜２０００
容量ｐｐｎ＋が最適である。但し、上記値はＮ濃度に依
存する為、必ずしも上記値に限定されるものではない。 電荷輸送層の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよい。 また、電荷輸送層の組成は、１％く〔Ｎ３５３０％、好
ましくは１０％≦〔Ｎ３５３０％がよい。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばボロン）ラグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ゛型）化する。 ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を制御する。 ａ−３ｉＣ又はａ−ＳｉＣＯ： Ｐ型（Ｐ　”）　ＢｚＨｈ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　２０〜
５０００容量ｐｐ＋５ａ−ＳｉＮ又はａ−３ｉＮＯ： Ｐ型（Ｐ”）　ＢｇＨ，／Ｓ　ｉ　Ｈ，１０００〜５０
００容量ｐｐｍブロッキング層はＳｉｎ、Ｓｉｎ、等の
化合物でもよい。 また、ブロッキングＮ４４は膜厚５００　人〜２μｍが
よい。５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、
また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％く〔ｃ〕≦？０％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）５７０％とし、１％〈（Ｎ）≦？０％
、好ましくは１０％く〔Ｎ１６７０％とし、０％≦〔０
〕≦７０％、好ましくはＯ％≦

〔０〕≦３０％とするの
がよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロ
ッキング層４４の導電型を制御するための不純物として
、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡｒ、Ｇ　ａ　％　Ｉ
　ｎ　％　Ｔ　Ｉ等の周期表第ＩＩＩａ族元素を使用で
きる。Ｎ型化のためにはリン以外にも、Ａｓ、Ｓｂ等の
周期表第Ｖａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳ　ｉ　Ｈ，又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ｎｚ等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えばＢｚＦｉａ）供給源、６
８は各流量計である。このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡＮ基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
０””　Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは
１５０〜３００℃）に加熱保持する０次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、５ｉＨａ又はガス状
シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎｔ　、Ｏｚ等を適宜真空槽
５２内に導入し、例えば０．０１〜１ＱＴｏｒｒの反応
圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．
５６　Ｍｌｌｚ）を印加する。これによって、上記各反
応ガスを電極５７と基板４Ｎとの間でグロー放電分解し
、Ｐ型ａ−３ｉＣ：Ｈ，ｉ型ａ−３ｉＮ：ＨＳａ−３ｉ
して基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応
して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−Ｓｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−５ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ−３ｔ：Ｆ、ａ−３ｉ　：Ｈ：Ｆ、ａ−３
ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ、ａ−
３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフッ素
量は０．５〜ｌＯ％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ／基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背圧
のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、Ｓ　ｉ　
ＨａとＢ、Ｈ，からなる反応ガスを導入し、流量比１　
：　１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０−”）の（Ａｒ
＋Ｓ　ｉＨ４＋ＣＨａ又はＮｔ　＋　Ｂ　ｔ　Ｆｌ　ａ
　）混合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブ
ロッキング機能を担うＰ型のａ−３ｉＣ：Ｈ層４４とａ
−３ｉＮ：Ｈ電荷輸送層４２とを６μｍ／ｈｒの堆積速
度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ　ｚ　Ｈｂ
及びＣＨａを供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解し、厚さ
５μｍのａ−３ｔ：Ｈ層４３を形成した。引続いて、不
純物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜厚
も変化させた中間層４６を形成し、更にＢｔＨｈ　／　
Ｓ　ｉ　Ｈ４＝１００容ｌｐｐｍとしてａ−３ｉＣＯ：
Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ表面像ｆｆ１層４５を更に設け
、電子写真感光体を完成させた。比較例として、中間層
のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）６表面改質ｊｉ：ａ−５ｉＮＯ：Ｈ又はａ−５ｔ
ＣＯ：Ｈ （２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参照）（
３）、　　ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生Ｎ：膜厚＝５μｍ
（４）、ａ−３ｉＮ：Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１５＃ｍＮ
含有量＝１２％ 正帯電用二Ｂドープ有り グロー放電分解法で （ＢｚＨ＆）／　（Ｓ　ｉ　Ｈ，）＝５００５００容ｌ
ｐｐ）、ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈ電荷ブロッ
キング層：膜厚＝０．５　μｍ 炭素含有量＝１２％ （６）、支持体：Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。 ■二左皇渡皮 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３　Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７
１で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ　
−Ｂ　ｉｘ　１６００（小西六写真工業社製）改造機に
て画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現
われるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 貢ＩＬ扛 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ０：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ：５，５ポイントの英字判読不能。 立Ｖ＊　　（ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎａ＋にピークをもつ除電光３０１　ｕｘ−ｓｅ
ｃを照射した後も残っている感光体表面電位。 −亡■ｏ　　Ｖ Ｕ　−Ｂ　ｔｘ　２５００改造機（小西六写真工業（株
）製）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光な
しの条件で３６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定
した現像直前の表面電位。 ’　　　　　Ｅ　１／２（ｌ　ｕｘ−ｓｅｃ）上記の装
置を用い、ダイクロインクミラー（光体光学社製）によ
り像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャ
ープカットし、表面電位を５００Ｖから２５０ｖに半減
するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｔ系悪感光の各断面図、第２図はａ−３
ｉＣの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第３図はａ−３ｉＣの比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表、 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−−−−−−−−一・・・−ａ−３ｉ系悪感光４１
−−−−−−・・・−支持体（基板）４２・−・−・・
−・・・・・−電荷輸送層４３・−・−・・・−・−・
−電荷発生層４４−−−−−一〜・−・−電荷ブロッキ
ング層４５−・−・−・−・・表面改質層 ４６−−−−−−−−・・−・中間層 である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　宏 第２図 ａ−Ｓｌ＋−ｘＣｘ：Ｈｘ 第３図 １ｆｔ叶（ａｔｏｍｉｃ％） 第６図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、周期表第IIIａ族元素がドープされかつ炭素原子、
   窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１つを含有す
   るアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
   なる電荷ブロッキング層と；真性化されかつ窒素原子を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる電荷輸送層と；アモルファス水素化及び／フ
   ッ素化シリコンからなる電荷発生層と；周期表第IIIａ
   族又は第Ｖａ族元素がドープされかつアモルファス水素
   化及び／又はフッ素化シリコンからなる中間層と；炭素
   原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１つを
   含有しかつアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリ
   コンからなる表面改質層とが順次積層されてなる感光体
   。