JPS61183661A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅｌ二Ａｓ、
　Ｔｏ、　Ｓｂ等をドープした感光体、Ｚ　ｎ　Ｏ’ｅ
’Ｃｄ　Ｓを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知
られている。　しかしながらこれらの感光体は、環境汚
染性、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ　）　ヲ母体と
して用いた電子写真感光体が近年１：なりて提案されて
いる。　ａ−８１は、５ｔ−ｓｔの結合手が切れたいわ
ゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因
してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する
。　このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて
暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップ
されて光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥
を水素原子（ロ）で補償してＳ１二Ｈを結合させること
によって、ダングリングボンドを埋めることが行われる
。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
１：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０〜１０９Ω
−αであって、アモルファスＳ・と比較すれば約１万分
の１も低い。　従りて、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。

しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。

第１０図には、上記のａ−８ｉ　ｐ　Ｈを母材としたａ
　−８ｉ系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示され
ている。　この複写機によれば、キャビネット１の上部
には、原稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２
を覆うプラテンカバー４とが配されている。　原稿台３
の下方では、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した
第１ミラーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方
向へ直線移動可能に設けられており、原稿走査点と感光
体との光路長を一定にするための第２ミラーユニツト２
０が第１ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台
３側からの反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介し
て像担持体としての感光体ドラム９上へスリット状に入
射するようになっている。　　ドラム９の周囲には、コ
ロナ帯電器１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３
、クリーニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１
５から各給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙
１８はドラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で
定着され、トレイ３５へ排紙される。　定着部１９では
、ヒーター２２を内蔵した加熱ローラーｎと圧着ローラ
ーＵとの間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行な
う。

しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘りて大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性：二関して、これまで十分な検討がなされていな
い。　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受
け、受容電位が著しく低下することが分っている。　一
方、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈと称する。）について、その製法や存在が＠Ｐｈ
１ｌ。

Ｍａｇ、　Ｍｏ１．３５−　（１９７８）等に記載され
ており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと
、ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０〜１０
Ω−５ｍ）を有すること、炭素量（二より光学的エネル
ギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘りて変化
すること等が知られている。　但、炭素の含有によりバ
ンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となると
いう欠点がある。

こうしたａ−８ＩＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、＆−８ｉ：
Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−８ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−８ｉ：Ｈにより広
い波長域での光感度を得、かつａ−８ｉ：ＨＲとへテロ
接合を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈ：二より帯電電位
の向上を図っている。　しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈ層
の暗減衰を充分に防止できず、帯゛電電位はなお不充分
であって実用性のあるものとはならない上に、表面にａ
−８ｉ：Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や
機械的強度、耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）（ニ第
２のａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成している。

また、この公知技術Ｃ：関連したものとして、特開昭５
７−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生
層と上記第１及び第２のａ−ｓｔｃ：ａ層との間に傾斜
層（ａ−８ｉ１−ｘｃｘ：Ｈ）を設け、この傾斜層にお
いてａ−８ｉ：Ｈ側でｘ＝０とし、ａ−８ｉＣ：Ｈ層側
でｘ　＝　０．５とした感光体が知られている。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用においてそれ程発揮されないこ
とが判明した。　即ち、四〜３０万回の連続ランニング
時に表面のａ−８ＩＣ層が７〜８万回程度で機械的に損
傷され、これζ二起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐刷性が充分ではない。　しかも、繰
返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、
電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、
湿度）（：よる影響を無視できない。　また、表面改質
層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。

ハ、発明の目的 本発明の目的は、感光体表面層の耐刷性を向上させて機
械的損傷に強く、白スジ等の発生による画像劣化を防止
し、更に耐光疲労、画像流れ、特性の安定性、接着強度
等を改良した感光体を提供することにある。

二、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化窒化シリコンからな
る表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層と前記表
面改質層との間に、炭素原子と窒素原子と酸素原子との
うちの少なくとも１種を含有するアモルファスシリコン
系中間層が設けられていることを特徴とするものである
。

本発明ζ：よれば、上記表面改質層がアモルファス水素
化及び／又はフッ素化窒化シリコンで形成されているの
で、機械的損傷に対して強くなり、白スジ発生等による
画質の劣化がなく、耐刷性が優れたものとなる。　この
表面改質層による効果を充二分に発揮させるには、上記
表面改質層をａ−８ｉ　１−ｘＮｘで表わしたときにＸ
≧０．５　（＝５０　ａｔｏｍｉ　ｃ％：以下、ａｔｏ
ｍｉｃ％を単に「％」で表わす。）とするのが望ましく
、Ｏ，Ｓ≦Ｘ≦０．８とするのが更によく、特ζ二〇、
５５≦Ｘ≦０．７がよい。

また、本発明においては、表面改質層と電荷発生層との
間に上記の中間層を設けているので、表面改質層と電荷
発生層との接着性が向上する。

この中間層は、アモルファス水素化及び／フッ素化Ｓｉ
Ｃ、同Ｓ　ＩＮ、同Ｓ　ｉ　Ｏ，同５ｉＣＮ、同ｓ　ｔ
　ｃｏ。

同５ｉＮＯ，同５ｉＣＮＯからなるものである。　この
中間層の（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）含有量は、ｓｉとＣとＮと０と
の合計原子数を１００％とした場合、（支）〜父％であ
るのが望ましく、更には４０〜５０％であるのがよい。

　この（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）含有量は、上記表面改質層のＮ含
有量より低くすることが望ましい。

なお、この中間層は２層以上とし、このうち、表面改質
層側の中間層の（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）含有量を電荷発生層側の
中間層のそれよりも多くするのがよい。

本発明による感光体は上記の如く、ａ−８ｉＮ系の表面
改質層とＣ，Ｎ及びＯの少なくとも１種を含有するａ−
８ｔ系中間層とを電荷発生層上に設けているので、上記
に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ、また画像流
れもなく、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環
境に影響を受けないことが確認されている。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。　この感光体３９はＭ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第１ＩＩ
ａ族元素（例えばホウ素）がヘビードープされたａ−８
ｉ：ＨからなるＰ型電荷ブロッキング層４４と、周期表
第■ａ族元素（例えばホウ素）のドーピングによって真
性化されたａ−８ｉ：Ｈからなる電荷発生層（光導電層
）４３と、（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）含有量が５０％以下（例えば
４０％）のアモルファス水素化シリコンからなる中間層
４６と、窒素原子含有量が５０％以上（例えば６０％）
のアモルファス水素化窒化シリコン（ａ−８ｌ　１−ｘ
Ｎｘ　：　Ｈ）からなる表面改質層４５とが積層された
構造からなっている。

光導電層４３は暗所抵抗率ｔｓＤと光照射時の抵抗率ρ
Ｌとの比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特
に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、電荷発生
層上の表面改質層４５に、ＳｉとＮとの合計原子数に対
して５０％以上の窒素を含有せしめ、かつそれら両層間
に、（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）含有量が５０％以下でＣ，Ｎ及び０
の少なくとも１種を含有するａ−８ｉ系中間層４６を設
けている。

上記構成の感光体は正帯電用としてのものであるが、負
帯電用に変更することができる。　この場合、電荷ブロ
ッキング局員には周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）を
ヘビードープし、同層をＮ型化、更にはＮ型化すればよ
い。

また、第２図（：示すように、電荷ブロッキング局員を
設けない構成としてよいし、第３図に示すように、中間
層を２層以上、例えば４６ｍ、４６ｂの２層とし１層４
６ｂの（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）含有量を層４６　ｍよりも多くす
る（前者を例えば５０％、後者を４０％とする）のがよ
い。　このように中間層を複数の層で形成すると、本発
明の作用効果が更に充分に発揮される。

なお、上記のａ−８ｉＮ：Ｈ層の窒素原子含有量は第４
図に示す如くζ二元学的エネルギーギャップ（ＩＪ。

ｏｐｔ　）と相関関係があるので、酸素原子含有量を光
学的エネルギーギャップに置き換えて規定することがで
きる。

また、ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＮＯ：Ｈ，ａ−８ｉＣ
Ｏ：Ｈは、窒素原子、Ｎｏ、Ｃｏ含有量を適切に選択す
れば、第５図の曲線１％　ｂ％　Ｃのよう（：比抵抗の
上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作用効果が得
られる。

即ち、例えば第５図に曲線ａで示すように、窒素原子含
有量が５０〜８０％のａ−８ＩＮ：Ｈな用いた場合、そ
の比抵抗は窒素含有量に従って変化し、１０　　Ω−譚
以上になる。　この傾向はａ−８ｉＣ：Ｈにおいても同
様である。　従って、上記のように、表面改質層の窒素
原子含有量Ｘを０．５≦ｘ　：ｈ　０．８とし、中間層
の（Ｃ＋Ｎ＋０）含有量ｙを０．３≦ｙ≦０．５とした
とき、両層の比抵抗は充分大きく保持できる。

第６図にはａ−８ｉＣ：Ｈ，ａ−３ＩＮＯ：Ｈ，ａ−８
ＩＣＯ：Ｈの光学的エネルギーギャップを示すが、例え
ばＣ含有量が３０〜５０％では同ギャップは充分な大き
さとなっている。

なお、上記中間層はａ−８ｉｘ−ｙＮｙ：Ｈ以外亀二も
、ａ−８ｌｔ−ｙＣｙ：Ｈ，ａ−８１１−ｙＯｙ：Ｈ％
　ａ−８１１−ｙ（ＣＮ）ｙ：Ｈ％　ａ−８ｉ１−ｙ（
Ｃｏ）ｙ：Ｈ，ａ−８１ｉ−ｙ（ＮＯ）ｙ：Ｈで形成し
てよく、望ましくは０．３≦ｙ又は２≦０．５）、或い
はＮ、　Ｏ％Ｃの三元素を同時に含有せしめてもよい。

上記のａ−８ｉＮ：Ｈ層４５は感光体の表面を改質して
ａ−８ｔ系悪感光を実用的に優れたものとするために必
須不可欠なものである。　即ち、表面での電荷保持と、
光照射（二よる表面電位の減衰という電子写真感光体と
しての基本的な動作を可能とするものである。　従りて
、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期
間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特
性を再現できる。　これに反し、ａ−８ｔ：Ｈを表面と
した感光体の場合（二は、湿気、大気、オゾン雰囲気等
の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる。

また、＠−３ｉＮ：Ｈ層４５は表面硬度が高いためＣ二
、現像、転写、クリーニング等の工程における耐摩耗性
があり、更（二耐熱性も良いことから粘着転写等の如く
熱を付与するプロセスを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ
−８ｉＮ：Ｈ層４５の窒素組成を選択することが重要で
ある。　即ち、窒素原子含有量がＳｉ＋Ｎ＝１００％と
したとき５０〜８０％であることが望ましい。　Ｎ含有
量が５０％以上とすることが、上記した理由から望まし
く、上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネ
ルギーギャップがほぼ３、ＯａＶ以上となり、可視及び
赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射
光はａ−８ｔ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易くな
る。　しかし、Ｎ含有量が５０％未満では、機械的損傷
等の欠点が生じ易く、かつ比抵抗が所望の値以下となり
易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体
の光感度が砥下し易くなる。　また、Ｎ含有量が８０％
を越えると層の窒素量が多くなり、半導体特性が失なわ
れ易い上にａ−８ｉＮ：Ｈ膜をグロー放電法で形成する
ときの堆積速度が低下し易いので、Ｎ含有量は８０％以
下とするのがよい。

また、ａ−８ｉＮ：Ｈ層４５の膜厚を４００Ｘ≦ｔ≦５
０００又の範囲内（特に４０（ｌ又≦ｔ＜ｚｏｏｏＸ）
に選択することも重要である。　即ち、その膜厚が５ｏ
ｏｏＸを越える場合には、残留電位Ｖ、が高くなりすぎ
かつ光感度の低下も生じ、ａ−８ｔ系悪感光としての良
好な特性を失ない易い。　また、膜厚を４００又未満と
した場合には、トンネル効果によりて電荷が表面上に帯
電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生
じてしまう。

中間層４６（更には４６ａ、４６ｂ）の（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）
含有量は、上記した理由から５０％以下とすることが望
ましく、かつ電荷発生層４３との接着性を保持しながら
比抵抗等の特性を良好にするには３０％以上とするのが
望ましい。

この中間層の膜厚は５０〜５ｏｏｏ　Ａとするのがよい
が、　　５ｏｏｏＡを越えると上記したと同様の現象が
生じ易く、ＳＯ２未満では中間層として効果が乏しくな
る。

また、上記電荷ブロッキング層材は、基板４１からの電
子の注入を充分に防ぐには、周期表第１ＩＩａ族元素（
例えばボロン）を流量比Ｂ、Ｈ６／５ｉＨ４＝１００〜
５０００容量ｐｐｍにしてグロー放電分解でドープして
、Ｐ型（更にはＰ型）化するとよい。　また、電荷発生
層４３への不純物ドープ量は流量比でｇ、ａ、／５ｉｎ
４Ｌ＝ｘ　〜１００容量ｐｐｍとするとよい。感光体を
負帯電使用する場合、ブロッキング層にドープする不純
物は、例えば流量比ＰＨ，／ＳｉＨ，＝１００〜１００
０容量ｐｐｍにしてグロー放電分解でドープしてよい。

また、電荷発生層４２は１０〜３０μ賜とするのがよい
。

電荷発生１ｉＩ４３が１０μ島未満であると光感度及び
帯電電位が充分でなく、また３０μ露を越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。　ブロッキング層弱
は５００Ｘ未満であるとブロッキング効果が弱く、また
、２μ漢を越えると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

　特に、光導電層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ためζ二必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが
望ましい。　この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッ
キング層弱も同様である。　また、ブロッキング層材の
導電型を制御するための不純物として、Ｐ型化のために
ボロン以外にもＭ、Ｇａ、　Ｉｎ。

Ｔｔ等の周期表ｍａ族元素を使用できる。　Ｎ型化のた
めにはリン以外にも、Ａｓ、　Ｓｂ等の周期表第Ｖａ族
元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第７図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。

なお、図中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物
の供給源、６３は０．又はガス状酸素化合物の供給源、
６４はＣＨ４等の炭化水素ガス又はＮＨ８、Ｎ、等の窒
素化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリアガス供
給源、６６は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ，）供給源、６
７は各流量計である。　このグロー放電装置書＝おいて
、まず支持体である例えばＭ基板４１の表面を清浄化し
た後（二真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧
が１０　　Ｔｏｒｒとなるようζ二調節して排気し、か
つ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望まし
くは１５０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高
純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ，又は
ガス状シリコン化合物、ＣＨ，（又はＮＨ８、Ｎ、）、
０゜を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１
０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電
圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。　これ
によって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間
でグロー放電分解し、Ｐ型ａ−８ｔ：Ｈ，ａ−８ｔ：Ｈ
，Ｃ，Ｎ１０の少なくとも１種を含有するａ−８ｉ　：
Ｈ，ａ−８ｉＮ：Ｈな上記の層材、４３．４６．４５と
して基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応
して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−８１系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳＩＦ、等の形
で導入し、ａ−８ｉ：Ｆ、　ａ−８１：Ｈ：ｐ、ａ−８
ｉＮ：Ｆ、ａ−８ＩＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｆ、ａ　
−８ｉＣ：Ｈ：Ｆ、ａ−８ｉＣＮ：Ｆ、ａ−８ＩＮＯ：
Ｆ、ａ−８ｉＣＯ：Ｆ等とすることもできる。　この場
合のフッ素量は０．５〜１０％が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外（二も、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化さ
れた水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願
人による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状態支持体上に第１図
の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ｍ基板４１の表面を清浄化した後に、第７図の真空
槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０　　Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所
定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３
００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧の
もとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加し
、１０分間の予備放電を行りた。　次いで、ＳｉＨ４と
Ｂ、Ｈ８とからなる反応ガスを導入し、流量比１　：　
ｔ　：　（ｔ、５ｘ１ｏ−”）の（Ａｒ　＋５ＩＨ４＋
Ｂ、Ｈ，）混合ガスをグロー放電分解することＣ二より
、電荷ブロッキング機能を担うＰ型のａ−８ｉ：Ｈ層４
４を６μｍ／ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した
。　引き続き、流量比に１：１：５Ｘ１０　　の（Ａｒ
　＋　ＳｉＨ４＋Ｂ１Ｈ６）　　を放電分解し、所定厚
さのボロンドープドａ−８ｉ：Ｈ層４３を形成した。

引続いて、流量比４：１：６の（Ａｒ＋ＳｉＨ４＋ＣＨ
４、馬又は０．）混合ガスをグロー放電分解し、所定厚
さの中間層４６を形成し、更に流量比４　：　１　：　
１０の（Ａｒ　＋　５ＩＨ４＋Ｎ、　）混合ガスをグロ
ー放電分解してａ　−８１Ｎ　：　Ｈ表面保護層４５を
更に設け、電子写真感光体を完成させた。

こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。

（３）、ａ−８１：Ｈ電荷発生層：膜厚＝１９μｓＢド
ープ有り グロー放電分解法で（ＢｔＨｅ）／（ＳｉＨ４）＝ｓｖ
ｏｔｐｐｍ（４）、ａ−８ｌ：Ｈ電荷ブロッキングＩＩ
：膜厚＝１μ襲グロー放電分解法でＣＦ’Ｈｓ　）／ｌ
：Ｓ　ＩＨ，）　＝　５００　ｖｏｔｐｐｍ（６）、支
持体＝ＡＬシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次に、上記の
各感光体を使用して各種のテストを次のように行なった
。

引っかき強度 第９図に示すように、感光体３９面ζ二垂直に当てた０
、３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７
１で回転させ、傷をつける。　次に、電子写真複写機Ｕ
−Ｂ　ｉ　ｘ　１６００　（小西六写真工業社製）改造
機にて画像出しを行ない、何ｆの荷重から画像に白スジ
が現われるかで、その感光体の引っかき強度（ｆ）とす
る。

画像流れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ　４５００　（小西六写真工業社
製）改造機内にＵ時間順応させた後、現像剤、紙、ブレ
ードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後、
画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を判定
した。

◎：画像流れが全くなく、Ｓ、Ｓポイントの英字や細線
の再現性が良い。

Ｑ：５．ｓポイントの英字がやや太くなる。

Δ：１５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

×：＆５ポイントの英字判読不能。

残留電位Ｖｍ（Ｖ） Ｕ−Ｂｉｘ１６００改造機を使った電位測定で、４００
ｎｍ：：ビークをもつ除電光３Ｄｌｕｚｍ＠・Ｃを照射
した後も残っている感光体表面電位。

９万コピ一時の画質 ０２画像上に白スジ、白ポチがなく、解像度、階調性が
よく、鮮明。

０２画像上に白スジや画像流れ１：よるにじみがごく一
部のみに発生。

６２画像上に白スジ、白ポチが部分的に発生、画像流れ
Ｉ：より文字も部分的礪二読みづらい。

×：画像上に白スジ、白ポチ、画像流れが全面的に発生
。

結果を第８図こまとめて示した。　この結果を含めて次
のことが明らかとなった。

（１）、中間層、表面改質層共に無しの場合：引っかき
強度試験における引りかき強度か弱く、感光体機械的損
傷を受は易く、画像上に白スジ等が発生する。　また、
画像流れを起こし、画像ボケが発生する。　従って、耐
刷性は極めて低い。

（２）、中間層無し、ａ−８ｉＮ：Ｈ表面改質層（膜厚
＝１５００！　）の場合： 引っかき強度、画像流れ防止共不充分であり、耐刷性低
い。

（３）、中間層無し、ａ−８ｉＮ：Ｈ表面改質層（（Ｎ
）＝６０ａｔ％）の膜厚を変えた場合： 引っかき強度不充分、画像流れ防止不充分、膜厚と共に
残留電位が上昇する。

（４）、ａ−８ｔ系中間層（（Ｃ＋Ｎ＋Ｏ）　＝３０〜
５０ａｔ％）とａ−８ｉＮ：Ｈ表面改質層（（Ｎ）　＝
５０〜８０　ａｔ％）の積層： 引っかき強度が向上し、画像流れも発生せず、高画質の
画像が数十刃コピー得られる（高耐刷性）。

（５）、ａ−８ｉ系中間層とａ−８１０：Ｈ表面改質層
の厚さが薄いときは引っかき強度が弱く、画像流れ防止
の効果も少なくなる傾向あり。　また、膜厚が厚すぎる
と、残留電位が上昇し易い。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第９図は本発明の実施例を示すものでありて、 第１図、第２図、第３図はａ−８ｉ系悪感光の各断面図
、 第４図はａ−８ｉＮの光学的エネルギーギャップを示す
グラフ、 第５図はａ−８ＩＮ等の比抵抗を示すグラフ、第６図は
ａ−８ｉＣ等の光学的エネルギーギャップを示すグレン
、 第７図はグロー放電装置の概略断面図、第８図は各感光
体の層構成とその特性を比較して示す表、 第９図は引っかき強度試験機の概略図 である。 第１０図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・ａ−８ｉ系悪感光４１・・・
・・・・・・・支持体（基板）４３・・・・・・・・・
・電荷発生層 材・・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・・表面改質層 ４６．４６ｍ、４６ｂ・・・・・・・・中間層５５・・
・・・・・・・・ヒーター ５６・・・・・・・・・・高周波電源 ５７・・・・・・・・・・電　極 ６２〜６６・・・・・・各ガス供給源 である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　　宏 第３図 第４図 ａ　−９ｉｌ−ｘＮｘ：Ｈ 第５図 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化窒化シリコンからなる表面改質層が設けられ、
   かつ前記電荷発生層と前記表面改質層との間に、炭素原
   子と窒素原子と酸素原子とのうちの少なくとも１種を含
   有するアモルファスシリコン系中間層が設けられている
   ことを特徴とする感光体。