JPS61183658A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS61183658A JPS61183658A JP2310785A JP2310785A JPS61183658A JP S61183658 A JPS61183658 A JP S61183658A JP 2310785 A JP2310785 A JP 2310785A JP 2310785 A JP2310785 A JP 2310785A JP S61183658 A JPS61183658 A JP S61183658A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
口、従来技術
従来、電子写真感光体として、Se又はSeにAs、T
es Sb等をドープした感光体、ZnOやCdSを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。
es Sb等をドープした感光体、ZnOやCdSを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。
しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。
性、機械的強度の点で問題がある。
一方、アモルファスシリコン(a−5i)を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
a−Stは、5t−Siの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで上記欠陥を水素原子(H
)で補償してSiにHを結合させることによって、ダン
グリングボンドを埋めることが行われる。
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで上記欠陥を水素原子(H
)で補償してSiにHを結合させることによって、ダン
グリングボンドを埋めることが行われる。
このようなアモルファス水素化シリコン(以下、a −
Si : Hと称する。)の暗所での抵抗率は10”〜
109Ω−ロであって、アモルファスSeと比較すれば
約1万分の1も低い。従って、a −Si : Hの単
層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初
期帯電電位が低いという問題点を有している。しかし、
他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が
太き(減少するため、感光体の感光層として極めて優れ
た特性を有している。
Si : Hと称する。)の暗所での抵抗率は10”〜
109Ω−ロであって、アモルファスSeと比較すれば
約1万分の1も低い。従って、a −Si : Hの単
層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初
期帯電電位が低いという問題点を有している。しかし、
他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が
太き(減少するため、感光体の感光層として極めて優れ
た特性を有している。
第10図には、上記のa −5t : Hを母材とした
a−Si系感光体9を組込んだ電子写真複写機が示され
ている。この複写機によれば、キャビネット1の上部に
は、原稿2を載せるガラス製原稿載置台3と、原稿2を
覆うプラテンカバー4とが配されている。原稿台3の下
方では、光源5及び第1反射用ミラー6を具備した第1
ミラーユニツト7からなる光学走査台が図面左右方向へ
直線移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体と
の光路長を一定にするための第2ミラーユニツト20が
第1ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台3側
からの反射光がレンズ21、反射用ミラー8を介して像
担持体としての感光体ドラム9上へスリット状に入射す
るようになっている。ドラム9の周囲には、コロナ帯電
器10、現像器11、転写部12、分離部13、クリー
ニング部14が夫々配置されており、給紙箱15から各
給紙ローラー16.17を経て送られる複写紙18はド
ラム9のトナー像の転写後に更に定着部19で定着され
、トレイ35へ排紙される。
a−Si系感光体9を組込んだ電子写真複写機が示され
ている。この複写機によれば、キャビネット1の上部に
は、原稿2を載せるガラス製原稿載置台3と、原稿2を
覆うプラテンカバー4とが配されている。原稿台3の下
方では、光源5及び第1反射用ミラー6を具備した第1
ミラーユニツト7からなる光学走査台が図面左右方向へ
直線移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体と
の光路長を一定にするための第2ミラーユニツト20が
第1ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台3側
からの反射光がレンズ21、反射用ミラー8を介して像
担持体としての感光体ドラム9上へスリット状に入射す
るようになっている。ドラム9の周囲には、コロナ帯電
器10、現像器11、転写部12、分離部13、クリー
ニング部14が夫々配置されており、給紙箱15から各
給紙ローラー16.17を経て送られる複写紙18はド
ラム9のトナー像の転写後に更に定着部19で定着され
、トレイ35へ排紙される。
定着部19では、ヒーター22を内蔵した加熱ローラー
23と圧着ローラー24との間に現像済みの複写紙を通
して定着操作を行なう。
23と圧着ローラー24との間に現像済みの複写紙を通
して定着操作を行なう。
しかしながら、a −St : Hを表面とする感光体
は、長期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響
、コロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の
化学的安定性に関して、これまで十分な検討がなされて
いない。例えば1力月以上放置したものは湿気の影響を
受け、受容電位が著しく低下することが分かっている。
は、長期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響
、コロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の
化学的安定性に関して、これまで十分な検討がなされて
いない。例えば1力月以上放置したものは湿気の影響を
受け、受容電位が著しく低下することが分かっている。
一方、アモルファス水素化炭化シリコン(以下、a −
5iC: Hと称する。)について、その製法や存在が
Ph1l。
5iC: Hと称する。)について、その製法や存在が
Ph1l。
Mag、Vol、35” (1978)等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高こと、a
−Si:Hと比較して高い暗所抵抗率(10”〜10
13Ω−cm)を有すること、炭素量により光学的エネ
ルギーギャップが1.6〜2.8eVの範囲に亘って変
化すること等が知られている。但、炭素の含有によりバ
ンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となると
いう欠点がある。
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高こと、a
−Si:Hと比較して高い暗所抵抗率(10”〜10
13Ω−cm)を有すること、炭素量により光学的エネ
ルギーギャップが1.6〜2.8eVの範囲に亘って変
化すること等が知られている。但、炭素の含有によりバ
ンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となると
いう欠点がある。
こうしたa−5iC:Hとa −Si : Hとを組合
せた電子写真感光体は例えば特開昭55−127083
号公報において提案されている。これによれば、a−5
t s H層を電荷発生(光導電)層とし、この電荷発
生層下にa−SiC:H層を設け、上層のa −Si:
Hにより広い波長域での光感度を得、かつa−SisH
層とへテロ接合を形成する下層のa −5iC:Hによ
り帯電電位の向上を図っている。しかしながら、a −
3i : H層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位
はなお不充分であって実用性のあるものとはならない上
に、表面にa −St : H層が存在していることに
より化学的安定性や機械的強度、耐熱性等が不良となる
。
せた電子写真感光体は例えば特開昭55−127083
号公報において提案されている。これによれば、a−5
t s H層を電荷発生(光導電)層とし、この電荷発
生層下にa−SiC:H層を設け、上層のa −Si:
Hにより広い波長域での光感度を得、かつa−SisH
層とへテロ接合を形成する下層のa −5iC:Hによ
り帯電電位の向上を図っている。しかしながら、a −
3i : H層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位
はなお不充分であって実用性のあるものとはならない上
に、表面にa −St : H層が存在していることに
より化学的安定性や機械的強度、耐熱性等が不良となる
。
一方、特開昭57−17952号公報には、a −5i
:Hからなる電荷発生層上に第1のa −5iCs
H層を表面改質層として形成し、裏面上(支持体電極側
)に第2のa−SiC:H層を形成している。
:Hからなる電荷発生層上に第1のa −5iCs
H層を表面改質層として形成し、裏面上(支持体電極側
)に第2のa−SiC:H層を形成している。
また、この公知技術に関連したものとして、特開昭57
−23543号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第1及び第2のa−5iC:H層との間に傾斜層
(a −st、−Xc x : H)を設け、この傾斜
層においてa −Si s H側でx=0とし、a−3
iCs H層側でx =0.5とした感光体が知られて
いる。
−23543号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第1及び第2のa−5iC:H層との間に傾斜層
(a −st、−Xc x : H)を設け、この傾斜
層においてa −Si s H側でx=0とし、a−3
iCs H層側でx =0.5とした感光体が知られて
いる。
しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用においてそれ程発揮されないこ
とが判明した。即ち、20〜30万回の連続ランニング
時に表面のa −5iC層が7〜8万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ボ°チが画像欠陥
として生じるため、耐刷性が充分ではない。しかも、繰
返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、
電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境(温度、
湿度)による影響を無視できない。また、表面改質層と
電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用においてそれ程発揮されないこ
とが判明した。即ち、20〜30万回の連続ランニング
時に表面のa −5iC層が7〜8万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ボ°チが画像欠陥
として生じるため、耐刷性が充分ではない。しかも、繰
返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、
電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境(温度、
湿度)による影響を無視できない。また、表面改質層と
電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。
ハ3発明の目的
本発明の目的は、感光体表面層の耐剛性を向上させて機
械的損傷に強く、白スジ等の発生による画像劣化を防止
し、更に耐光疲労、画像流れ、特性の安定性、接着強度
等を改良した感光体を提供することにある。
械的損傷に強く、白スジ等の発生による画像劣化を防止
し、更に耐光疲労、画像流れ、特性の安定性、接着強度
等を改良した感光体を提供することにある。
二0発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
/又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び/又はフッ素化窒化シリコンからな
る表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層下に、ア
モルファス水素化及び/又はフン素化炭化シリコンから
なる電荷輸送層が設けられている感光体において、前記
電荷発生層と前記表面改質層との間に、炭素原子と窒素
原子と酸素原子とのうちの少なくとも1種を含有するア
モルファスシリコン系中間層が設けられ、かつ前記表面
改質層の窒素原子含有量が前記中間層の前記少なくとも
1種の原子の総含有量よりも高いことを特徴とするもの
である。
/又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び/又はフッ素化窒化シリコンからな
る表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層下に、ア
モルファス水素化及び/又はフン素化炭化シリコンから
なる電荷輸送層が設けられている感光体において、前記
電荷発生層と前記表面改質層との間に、炭素原子と窒素
原子と酸素原子とのうちの少なくとも1種を含有するア
モルファスシリコン系中間層が設けられ、かつ前記表面
改質層の窒素原子含有量が前記中間層の前記少なくとも
1種の原子の総含有量よりも高いことを特徴とするもの
である。
本発明によれば、上記表面改質層の窒素原子含有量を上
記中間層の上記原子総含有量よりも高くしているので、
機械的損傷に対して強くなり、白スジ発生等による画質
の劣化がなく、耐剛性が優れたものとなる。この表面改
質層による効果を充二分に発揮させるには、上記表面改
質層をa−3il−、Nxで表わしたときにX≧0.5
(=50atomic%:以下、a tom i
c%を単に「%コで表わす。)とするのが望ましく 、
0.5≦X≦0.8とするのが更によく、特に0.55
≦x−50,7がよい。
記中間層の上記原子総含有量よりも高くしているので、
機械的損傷に対して強くなり、白スジ発生等による画質
の劣化がなく、耐剛性が優れたものとなる。この表面改
質層による効果を充二分に発揮させるには、上記表面改
質層をa−3il−、Nxで表わしたときにX≧0.5
(=50atomic%:以下、a tom i
c%を単に「%コで表わす。)とするのが望ましく 、
0.5≦X≦0.8とするのが更によく、特に0.55
≦x−50,7がよい。
また、本発明においては、表面改質層と電荷発生層との
間に上記の中間層を設けているので、表面改質層と電荷
発生層との接着性が向上する。この中間層は、アモルフ
ァス水素化及び/又はフッ素化S iCs同SiN、同
S t O%同S iCN N同S iCOs同5iN
O,同Si CN Oからなるものである。この中間層
の(C+N+O)含有量は、SiとCとNと0との合計
原子数を100%どした場合、30〜50%であるのが
望ましく、更には40〜50%であるのがよい。
間に上記の中間層を設けているので、表面改質層と電荷
発生層との接着性が向上する。この中間層は、アモルフ
ァス水素化及び/又はフッ素化S iCs同SiN、同
S t O%同S iCN N同S iCOs同5iN
O,同Si CN Oからなるものである。この中間層
の(C+N+O)含有量は、SiとCとNと0との合計
原子数を100%どした場合、30〜50%であるのが
望ましく、更には40〜50%であるのがよい。
なお、この中間層は2層以上とし、このうち、表面改質
層側の中間層の(C+N+O)含有量を電荷発生層側の
中間層のそれよりも多くするのがよい。
層側の中間層の(C+N+O)含有量を電荷発生層側の
中間層のそれよりも多くするのがよい。
本発明による感光体は上記の如く、N含有量の高い表面
改質層とC,N及びOの少なくとも1種を含有するa
−5i系中間層とを電荷発生層上に設けているので、上
記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ、また画像
流れもなく、電気的・光学的特性が常時安定化して使用
環境に影響を受けないことが確認されている。
改質層とC,N及びOの少なくとも1種を含有するa
−5i系中間層とを電荷発生層上に設けているので、上
記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ、また画像
流れもなく、電気的・光学的特性が常時安定化して使用
環境に影響を受けないことが確認されている。
ホ、実施例
以下、本発明を実施例について詳細に説明する。
第1図は、本実施例による正帯電用のa −5i系電子
写真感光体39を示すものである。この感光体39はA
1等のドラム状導電性支持基板41上に、周期表第ma
族元素(例えばホウ素)がヘビードープされたaStC
:HからなるP壁電荷プロフキング層44と、周期表第
ma族元素(例えばホウ素)がライトドープされたaS
iC:Hからなる電荷輸送層42と、a −5i :
Hからなる電荷発生層(光導電層)43と、(C+N十
〇)含有量が50%以下(例えば40%)のアモルファ
ス水素化シリコンからなる中間層46と、窒素原子含有
量が50%以上(例えば60%)のアモルファス水素化
窒化シリコン(a −Si+−、Nx : H)からな
る表面改質層45とが積層された構造からなっている。
写真感光体39を示すものである。この感光体39はA
1等のドラム状導電性支持基板41上に、周期表第ma
族元素(例えばホウ素)がヘビードープされたaStC
:HからなるP壁電荷プロフキング層44と、周期表第
ma族元素(例えばホウ素)がライトドープされたaS
iC:Hからなる電荷輸送層42と、a −5i :
Hからなる電荷発生層(光導電層)43と、(C+N十
〇)含有量が50%以下(例えば40%)のアモルファ
ス水素化シリコンからなる中間層46と、窒素原子含有
量が50%以上(例えば60%)のアモルファス水素化
窒化シリコン(a −Si+−、Nx : H)からな
る表面改質層45とが積層された構造からなっている。
光導電層43は暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、
との比が電子写真感光体として充分大きく光感度(特に
可視及び赤外領域の光に対するもの)が良好である。
との比が電子写真感光体として充分大きく光感度(特に
可視及び赤外領域の光に対するもの)が良好である。
この感光体39においては、本発明に基いて、電荷発生
層43上の表面改質層45に、StとNとの合計原子数
に対して50%以上の窒素を含有せしめ、かつそれら両
層間に、(C+N+0)含有量が50%以下でC,N及
びOの少なくとも1種を含有するa −3i系中間層4
6を設けている。
層43上の表面改質層45に、StとNとの合計原子数
に対して50%以上の窒素を含有せしめ、かつそれら両
層間に、(C+N+0)含有量が50%以下でC,N及
びOの少なくとも1種を含有するa −3i系中間層4
6を設けている。
上記構成の感光体は正帯電用としての機能分離型のもの
であるが、負帯電用に変更することができる。この場合
、電荷ブロッキング層44には周期表第Va族元素(例
えばリン)をヘビードープし、同層をN型化、更にはN
゛型化、電荷輸送層42には周期表第ma族元素(例え
ばホウ素)のライトドープをしなければよい。
であるが、負帯電用に変更することができる。この場合
、電荷ブロッキング層44には周期表第Va族元素(例
えばリン)をヘビードープし、同層をN型化、更にはN
゛型化、電荷輸送層42には周期表第ma族元素(例え
ばホウ素)のライトドープをしなければよい。
また、第2図に示すように、電荷ブロッキング層44を
設けない構成としてよいし、第3図に示すように、中間
層を2層以上、例えば46a、46bの2層とし、層4
6bの(C+N+O)含有量を層46aよりも多くする
(前者を例えば50%、後者を40%とする)のがよい
。このように中間層を複数の層で形成すると、本発明の
作用効果が更に充分に発揮される。
設けない構成としてよいし、第3図に示すように、中間
層を2層以上、例えば46a、46bの2層とし、層4
6bの(C+N+O)含有量を層46aよりも多くする
(前者を例えば50%、後者を40%とする)のがよい
。このように中間層を複数の層で形成すると、本発明の
作用効果が更に充分に発揮される。
なお、上記のa −5iN s H層の窒素原子含有量
は第4図に示す如くに光学的エネルギーギャップ(Eg
、opt)と相関関係があるので、窒素原子含有量を光
学的エネルギーギャップに置き換えて規定することがで
きる。
は第4図に示す如くに光学的エネルギーギャップ(Eg
、opt)と相関関係があるので、窒素原子含有量を光
学的エネルギーギャップに置き換えて規定することがで
きる。
また、a −5iN : H,a −5iNO: H層
a −5iCO:Hは、窒素原子、No、Co含有量
を適切に選択すれば、第5図の曲線a、b、cのように
比抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作用
効果が得られる。即ち、例えば第5図に曲線aで示すよ
うに、窒素原子含有量が50〜80%のa −5iN
: Hを用いた場合、その比抵抗は炭素含有量に従って
変化し、10”Ω−国国土上なる。
a −5iCO:Hは、窒素原子、No、Co含有量
を適切に選択すれば、第5図の曲線a、b、cのように
比抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作用
効果が得られる。即ち、例えば第5図に曲線aで示すよ
うに、窒素原子含有量が50〜80%のa −5iN
: Hを用いた場合、その比抵抗は炭素含有量に従って
変化し、10”Ω−国国土上なる。
この傾向はa −5iC: Hにおいても同様である。
従って、上記のように、表面改質層の窒素原子含有量X
を0.5≦X≦068とし、中間層の(C+N+0)含
有量yを0.3≦y≦0.5としたとき、両層の比抵抗
は充分大きく保持できる。
を0.5≦X≦068とし、中間層の(C+N+0)含
有量yを0.3≦y≦0.5としたとき、両層の比抵抗
は充分大きく保持できる。
第6図には、a St C: HSa −5iN O
: H層a −5iCO: Hの光学的エネルギーギャ
ップを示すが、例えばC含有量が30〜50%では同ギ
ャップは充分な大きさとなっている。
: H層a −5iCO: Hの光学的エネルギーギャ
ップを示すが、例えばC含有量が30〜50%では同ギ
ャップは充分な大きさとなっている。
なお、上記中間層はa 5in−yN3’ ” H以
外にも、a −5it−yCy : H層 a −5t
、−、Oy : H,a −5it−y(CN)y:
HSa S1+−y(Co)y: Hs a St
+−y(NO)y:Hで形成してよく (望ましくは0
.3≦y≦0.5)、或いはN、0、Cの三元素を同時
に含有せしめてもよい。
外にも、a −5it−yCy : H層 a −5t
、−、Oy : H,a −5it−y(CN)y:
HSa S1+−y(Co)y: Hs a St
+−y(NO)y:Hで形成してよく (望ましくは0
.3≦y≦0.5)、或いはN、0、Cの三元素を同時
に含有せしめてもよい。
上記のa −5iN : H層45は感光体の表面を改
質してa −5i系感光体を実質的に優れたものとする
ために必須不可欠なものである。即ち、表面での電荷保
持と、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光
体としての基本的な動作を可能とするものである。従っ
て、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長
期間(例えば1力月以上)放置しておいても良好な電位
特性を再現できる。これに反し、a −St : Hを
表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくな
る。
質してa −5i系感光体を実質的に優れたものとする
ために必須不可欠なものである。即ち、表面での電荷保
持と、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光
体としての基本的な動作を可能とするものである。従っ
て、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長
期間(例えば1力月以上)放置しておいても良好な電位
特性を再現できる。これに反し、a −St : Hを
表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくな
る。
また、a −5iN s H層45は表面硬度が高いた
めに、現像、転写、クリーニング等の工程における耐摩
耗性があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如
く熱を付与するプロセスを適用することができる。
めに、現像、転写、クリーニング等の工程における耐摩
耗性があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如
く熱を付与するプロセスを適用することができる。
上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、a
−3iN:H層45の窒素組成を選択することが重要で
ある。即ち、窒素原子含有量がSi+N=100%とし
たとき50〜80%であることが望ましい。N含有量が
50%以上とすることが、上記した理由から望ましく、
上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギ
ーギャップがほぼ3.OeV以上となり、可視及び赤外
光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光は
a −3t s H層(電荷発生層)43に到達し易く
なる。しかし、N含有量が50%未満では、機械的損傷
等の欠点が生じ易く、かつ比抵抗が所望の値以下となり
易く、かつ一部分の光は表面層45に吸収され、感光体
の光感度が低下し易くなる。また、N含有量が80%を
越えると層の窒素量が多くなり、半導体特性が失なわれ
易い上にa −3iN : H膜をグロー放電法で形成
するときの堆積速度が低下し易いので、N含有量は80
%以下とするのがよい。
−3iN:H層45の窒素組成を選択することが重要で
ある。即ち、窒素原子含有量がSi+N=100%とし
たとき50〜80%であることが望ましい。N含有量が
50%以上とすることが、上記した理由から望ましく、
上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギ
ーギャップがほぼ3.OeV以上となり、可視及び赤外
光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光は
a −3t s H層(電荷発生層)43に到達し易く
なる。しかし、N含有量が50%未満では、機械的損傷
等の欠点が生じ易く、かつ比抵抗が所望の値以下となり
易く、かつ一部分の光は表面層45に吸収され、感光体
の光感度が低下し易くなる。また、N含有量が80%を
越えると層の窒素量が多くなり、半導体特性が失なわれ
易い上にa −3iN : H膜をグロー放電法で形成
するときの堆積速度が低下し易いので、N含有量は80
%以下とするのがよい。
また、a −5iN : H層45の膜厚を400人≦
t≦5000人の範囲内(特に400人≦t≦2000
人)に選択することも重要である。即ち、その膜厚が5
000人を越える場合には、残留電位■8が高くなりす
ぎかつ光感度の低下も生じ、a−3i系感光体としての
良好な特性を失ない易い。また、膜厚を400人未満と
した場合には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯
電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生
じてしまう。
t≦5000人の範囲内(特に400人≦t≦2000
人)に選択することも重要である。即ち、その膜厚が5
000人を越える場合には、残留電位■8が高くなりす
ぎかつ光感度の低下も生じ、a−3i系感光体としての
良好な特性を失ない易い。また、膜厚を400人未満と
した場合には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯
電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生
じてしまう。
中間層46(更には46a、46b)の(C+N十〇)
の含有量は、上記した理由から50%以下とすることが
望ましく、かつ電荷発生層43との接着性を保持しなが
ら比抵抗等の特性を良好にするには30%以上とするの
が望ましい。
の含有量は、上記した理由から50%以下とすることが
望ましく、かつ電荷発生層43との接着性を保持しなが
ら比抵抗等の特性を良好にするには30%以上とするの
が望ましい。
この中間層の膜厚は50〜5000人とするのがよいが
、5000人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
く、50人未満では中間層としての効果が乏しくなる。
、5000人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
く、50人未満では中間層としての効果が乏しくなる。
また、上記電荷ブロッキング層44は、基板41からの
電子の注入を充分に防ぐには、周期表第ma族元素(例
えばボロン)を流量比B z H& / S i Ha
= 100〜5000容量ppmにしてグロー放電分解
でドープして、P型(更にはP+型)化するとよい。
電子の注入を充分に防ぐには、周期表第ma族元素(例
えばボロン)を流量比B z H& / S i Ha
= 100〜5000容量ppmにしてグロー放電分解
でドープして、P型(更にはP+型)化するとよい。
また、電荷輸送層42への不純物ドープ量は流量比でB
z Hb / St H4= 2〜10容量ppmと
するとよい。感光体を負帯電使用する場合、ブロッキン
グ層にドープする不純物は、例えば流量比PH3/5i
H4=100〜1000容量ppmにしてグロー放電分
解でドープしてよい。
z Hb / St H4= 2〜10容量ppmと
するとよい。感光体を負帯電使用する場合、ブロッキン
グ層にドープする不純物は、例えば流量比PH3/5i
H4=100〜1000容量ppmにしてグロー放電分
解でドープしてよい。
また、電荷発生層42は4〜8μm、好ましくは5〜7
μmとするのがよい。電荷発生層43が4μm未満であ
ると光感度が充分でなく、また8μmを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。
μmとするのがよい。電荷発生層43が4μm未満であ
ると光感度が充分でなく、また8μmを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。
電荷輸送層42は10〜30μmとするのがよい。ブロ
ッキング層44は500人未満であるとブロッキング効
果が弱く、また2μmを越えると電荷輸送能が悪(なり
易い。
ッキング層44は500人未満であるとブロッキング効
果が弱く、また2μmを越えると電荷輸送能が悪(なり
易い。
なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。
特に、光導電層43中の水素含有量は、ダングリングボ
ンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるた
めに必須不可欠であって、10〜30%であるのが望ま
しい。この含有量範囲は表面改質層45、ブロッキング
層44及び電荷輸送層42も同様である。また、ブロッ
キング層44の導電型を制御するための不純物として、
P型化のためにポロン以外にもA 1% Gas In
、T 1等の周期表ma族元素を使用できる。N型化
のためにはリン以外にも、As5Sb等の周期表第Va
族元素を使用できる。
ンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるた
めに必須不可欠であって、10〜30%であるのが望ま
しい。この含有量範囲は表面改質層45、ブロッキング
層44及び電荷輸送層42も同様である。また、ブロッ
キング層44の導電型を制御するための不純物として、
P型化のためにポロン以外にもA 1% Gas In
、T 1等の周期表ma族元素を使用できる。N型化
のためにはリン以外にも、As5Sb等の周期表第Va
族元素を使用できる。
なお、上記電荷輸送層42及び電荷ブロッキング層44
の炭素含有量は5〜30%、好ましくは10〜20%と
するのがよい。
の炭素含有量は5〜30%、好ましくは10〜20%と
するのがよい。
次に、上記した感光体(例えばドラム状)の製造方法及
びその装置(グロー放電装置)を第7図について説明す
る。
びその装置(グロー放電装置)を第7図について説明す
る。
この装置51の真空槽52内ではドラム状の基板41が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター55で基板41
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板41に対向してその周囲に、ガス導出口53付きの円
筒状高周波電極57が配され、基板41との間に高周波
電源56によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の62はSiH4又はガス状シリコン化合物の供給源
、63は0□又はガス状酸素化合物の供給源、64はC
H,等の炭化水素ガス又はNH3、Nz等の窒素化合物
ガスの供給源、65はAr等のキャリアガス供給源、6
6は不純物ガス(例えばB2H4)供給源、67は各流
量計である。
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター55で基板41
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板41に対向してその周囲に、ガス導出口53付きの円
筒状高周波電極57が配され、基板41との間に高周波
電源56によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の62はSiH4又はガス状シリコン化合物の供給源
、63は0□又はガス状酸素化合物の供給源、64はC
H,等の炭化水素ガス又はNH3、Nz等の窒素化合物
ガスの供給源、65はAr等のキャリアガス供給源、6
6は不純物ガス(例えばB2H4)供給源、67は各流
量計である。
このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
A1基板41の表面を清浄化した後に真空槽52内に配
置し、真空槽52内のガス圧が1O−6Torrとなる
ように調節して排気し、かつ基板41を所定温度、特に
100〜350℃(望ましくは150〜300℃)に加
熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガ
スとして、SiH,又はガス状シリコン化合物、CH,
(又はNH3、Nt ) 、O□を適宜真空槽52内に
導入し、例えば0.01〜10Torrの反応圧下で高
周波電源56により高周波電圧(例えば13.56 M
Hz)を印加する。これによって、上記各反応ガスを電
極57と基板41との間でグロー放電分解し、P型a
−5iC: HSa −3iC: H,a −Si:
H,CSN、Oの少なくとも1種を含有するa−St
: H,’a −5tN : Hを上記の層44.42
.43.46.45として基板上に連続的に(即ち、例
えば第1図の例に対応して)堆積させる。
A1基板41の表面を清浄化した後に真空槽52内に配
置し、真空槽52内のガス圧が1O−6Torrとなる
ように調節して排気し、かつ基板41を所定温度、特に
100〜350℃(望ましくは150〜300℃)に加
熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガ
スとして、SiH,又はガス状シリコン化合物、CH,
(又はNH3、Nt ) 、O□を適宜真空槽52内に
導入し、例えば0.01〜10Torrの反応圧下で高
周波電源56により高周波電圧(例えば13.56 M
Hz)を印加する。これによって、上記各反応ガスを電
極57と基板41との間でグロー放電分解し、P型a
−5iC: HSa −3iC: H,a −Si:
H,CSN、Oの少なくとも1種を含有するa−St
: H,’a −5tN : Hを上記の層44.42
.43.46.45として基板上に連続的に(即ち、例
えば第1図の例に対応して)堆積させる。
上記製造方法においては、支持体上にa −5i系の層
を製膜する工程で支持体温度を100〜350℃として
いるので、感光体の膜質(特に電気的特性)を良くする
ことができる。
を製膜する工程で支持体温度を100〜350℃として
いるので、感光体の膜質(特に電気的特性)を良くする
ことができる。
なお、上記a −Si系感光体の各層の形成時において
、ダングリングボンドを補償するためには、上記したH
のかわりに、或いはHと併用してフッ素をSiF、等の
形で導入し、a −5i : Fs a −5i:H:
FSa−5iN:FSa−SiN:H:F、a−5iC
: F、 a −5iC: H: F、、 a −5i
CN : F%a −3iNO: F、 a −5iC
O: F等とすることもできる。この場合のフッ素量は
0.5〜10%が望ましい。
、ダングリングボンドを補償するためには、上記したH
のかわりに、或いはHと併用してフッ素をSiF、等の
形で導入し、a −5i : Fs a −5i:H:
FSa−5iN:FSa−SiN:H:F、a−5iC
: F、 a −5iC: H: F、、 a −5i
CN : F%a −3iNO: F、 a −5iC
O: F等とすることもできる。この場合のフッ素量は
0.5〜10%が望ましい。
なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でStを蒸発させる方法(特に、本出願人
による特開昭56−78413号(特願昭54−152
455号)の方法)等によっても上記感光体の製造が可
能である。
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でStを蒸発させる方法(特に、本出願人
による特開昭56−78413号(特願昭54−152
455号)の方法)等によっても上記感光体の製造が可
能である。
以下、本発明を具体的な実施例について説明する。
グロー放電分解法により、ドラム状Al支持体上に第1
図の構造の電子写真感光体を作製した。
図の構造の電子写真感光体を作製した。
即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Al基板41の表面を清浄化した後に、第7図の真
空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10−
’Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41
を所定温度、特に100〜350℃(望ましくは150
〜300℃)に加熱保持する。次いで、高純度の^rガ
スをキャリアガスとして導入し、0.5Torrの背圧
のもとて周波数13.56 MHzの高周波電力を印加
し、10分間の予備放電を行った。次いで、SiH4、
CH4とB t Hhとからなる反応ガスを導入し、流
量比1 : 1 : 1 : (1,5xlO−’)
の(Ar+5iHn +CH4+Bt)16 )混合ガ
スをグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング
機能を担うP型のa −5iC: H層44を製膜し、
次いでSiH4に対するB z Hbの流量比を1=6
×10−として電荷輸送層42とを6μm/hrの堆積
速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、B g H
&及びCHaを供給停止し、SiH4を放電分解し、所
定厚さのa −St s H層43を形成した。引き続
いて、流量比4:1:6の(Ar + Si Ha +
CHa、N2又は02)混合ガスをグロー放電分解し
、所定厚さの中間層46を形成し、更に流量比4:1:
10の(Ar +SiH4+ Nz )混合ガスをグロ
ー放電分解してa−3iN:H表面保護層45を更に設
け、電子写真感光体を完成させた。
ム状Al基板41の表面を清浄化した後に、第7図の真
空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10−
’Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41
を所定温度、特に100〜350℃(望ましくは150
〜300℃)に加熱保持する。次いで、高純度の^rガ
スをキャリアガスとして導入し、0.5Torrの背圧
のもとて周波数13.56 MHzの高周波電力を印加
し、10分間の予備放電を行った。次いで、SiH4、
CH4とB t Hhとからなる反応ガスを導入し、流
量比1 : 1 : 1 : (1,5xlO−’)
の(Ar+5iHn +CH4+Bt)16 )混合ガ
スをグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング
機能を担うP型のa −5iC: H層44を製膜し、
次いでSiH4に対するB z Hbの流量比を1=6
×10−として電荷輸送層42とを6μm/hrの堆積
速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、B g H
&及びCHaを供給停止し、SiH4を放電分解し、所
定厚さのa −St s H層43を形成した。引き続
いて、流量比4:1:6の(Ar + Si Ha +
CHa、N2又は02)混合ガスをグロー放電分解し
、所定厚さの中間層46を形成し、更に流量比4:1:
10の(Ar +SiH4+ Nz )混合ガスをグロ
ー放電分解してa−3iN:H表面保護層45を更に設
け、電子写真感光体を完成させた。
こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。
であった。
(3)、a −3t : H電荷発生層:膜厚=5μm
(4)、a−SiC:H電荷輸送層:膜厚= 14 μ
m炭素含有量=12atOIIIiC% (5)、a−SiC:H電荷ブロッキングN:膜厚=1
μm炭素含有量=12aton+ic% (6)、支持体:A1シリンダー(鏡面研磨仕上げ)次
に、上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行なった。
(4)、a−SiC:H電荷輸送層:膜厚= 14 μ
m炭素含有量=12atOIIIiC% (5)、a−SiC:H電荷ブロッキングN:膜厚=1
μm炭素含有量=12aton+ic% (6)、支持体:A1シリンダー(鏡面研磨仕上げ)次
に、上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行なった。
■ユ血皇笈皮
第9図に示すように、感光体39面に垂直に当てた0°
、3 Rダイヤ針70に荷重Wを加え、感光体をモータ
71で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機U
−Bix 1600 (小西六写真工業社製)改造機
にて画像出しを行ない、何gの荷重から画像に白スジが
現われるかで、その感光体の引っかき強度(g)とする
。
、3 Rダイヤ針70に荷重Wを加え、感光体をモータ
71で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機U
−Bix 1600 (小西六写真工業社製)改造機
にて画像出しを行ない、何gの荷重から画像に白スジが
現われるかで、その感光体の引っかき強度(g)とする
。
Win友扛
温度33℃、相対湿度80%の環境下で、感光体を電子
写真複写機U −Bix 4500 (小西六写真工業
社製)改造機内に24時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で1000コピーの空回しを行なっ
た後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度
を判定した。
写真複写機U −Bix 4500 (小西六写真工業
社製)改造機内に24時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で1000コピーの空回しを行なっ
た後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度
を判定した。
◎二画像流れが全くなく 、5.5ポイントの英字や細
線の再現性が良い。
線の再現性が良い。
○:5.5ポイントの英字がやや太くなる。
△:5.5ポイントの英字がつぶれて読みづらい。
x:5.5ポイントの英字判読不能。
留 位vR(V)
U −Bix 1600改造機を使った電位測定で、4
00nmにピークをもつ除電光301ux−secを照
射した後も残っている感光体表面電位。
00nmにピークをもつ除電光301ux−secを照
射した後も残っている感光体表面電位。
20万コピ一時の■
◎:画像上に白スジ、白ポチがなく、解像度、階調性が
よく、鮮明。
よく、鮮明。
O:画像上に白スジや画像流れによるにじみがごく一部
のみに発生。
のみに発生。
68画像上に白スジ、白ポチが部分的に発生。
画像流れにより文字も部分的に読みづらい。
×:画像上に白スジ、白ポチ、画像流れが全面的に発生
。
。
結果を第8図にまとめて示した。この結果を含めて次の
ことが明らかとなった。
ことが明らかとなった。
(1)、中間層、表面改質層共に無しの場合:引っかき
強度試験における引っかき強度が弱く、感光体機械的損
傷を受けやすく、画像上に白スジ等が発生する。また、
画像流れを起こし、画像ボケが発生する。従って、耐剛
性は極めて低い。
強度試験における引っかき強度が弱く、感光体機械的損
傷を受けやすく、画像上に白スジ等が発生する。また、
画像流れを起こし、画像ボケが発生する。従って、耐剛
性は極めて低い。
(2)、中間層無し、a −5iN : H表面改質層
(膜厚= 1500人)の場合: 引っかき強度、画像流れ防止共不十分であり、耐剛性低
い。
(膜厚= 1500人)の場合: 引っかき強度、画像流れ防止共不十分であり、耐剛性低
い。
(3)、中間層無し、a −5iN : H表面改質層
(〔N〕=60at8%)の膜厚を変えた場合:引っか
き強度不十分、画像流れ防止不十分、膜厚と共に残留電
位が上昇する。
(〔N〕=60at8%)の膜厚を変えた場合:引っか
き強度不十分、画像流れ防止不十分、膜厚と共に残留電
位が上昇する。
(4)、a−5t系中間層((C+N+0) −30〜
50at。
50at。
%)とa −5iN : H表面改質層((N)=50
〜80at、%)の積層: 引っかき強度が向上し、画像流れも発生せず、高画質の
画像が数十万コピー得られる(高耐剛性)。
〜80at、%)の積層: 引っかき強度が向上し、画像流れも発生せず、高画質の
画像が数十万コピー得られる(高耐剛性)。
(5)、a−St系中間層とa SiN:H表面改質
層の厚さが薄いときは引っかき強度が弱く、画像流れ防
止の効果も少なくなる傾向あり。また、膜厚が厚すぎる
と、残留電位が上昇し易い。
層の厚さが薄いときは引っかき強度が弱く、画像流れ防
止の効果も少なくなる傾向あり。また、膜厚が厚すぎる
と、残留電位が上昇し易い。
第1図〜第9図は本発明の実施例を示すものであって、
第1図、第2図、第3図はa −Si系感光体の各断面
図、 第4図はa−SiNの光学的エネルギーギャップを示す
グラフ、 第5図はa−3iN等の比抵抗を示すグラフ、第6図は
a−SiC等の光学的エネルギーギャップを示すグラフ
、 第7図はグロー放電装置の概略断面図、第8図は各感光
体の層構成とその特性を比較して示す表、 第9図は引っかき強度試験機の概略図 である。 第10図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 39・−・−−−−−・−−−−−−−・a −3i系
感光体41・−・−−−−−−一−−−・支持体(基板
)42−−−−−−−−−−−−−−−一電荷輸送層4
3−−−−−−−−−・−一−−−・電荷発生層44・
−−−−−−−−・−−一一−−−電荷ブロッキング層
45・−・−−−−−−−−・・表面改質層46.46
a 、 46b −−−−−−一中間層55−−−−−
−−−−−−−−−−七一ター56・・−・−・・−・
−・高周波電源57・−−−一−−−−−−−−−−電
極62〜66・−−−−−−一部ガス供給源である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 0−5ll−XNX:M 第5図 !素、No、co#I量(atomic%]第6図 第7図
図、 第4図はa−SiNの光学的エネルギーギャップを示す
グラフ、 第5図はa−3iN等の比抵抗を示すグラフ、第6図は
a−SiC等の光学的エネルギーギャップを示すグラフ
、 第7図はグロー放電装置の概略断面図、第8図は各感光
体の層構成とその特性を比較して示す表、 第9図は引っかき強度試験機の概略図 である。 第10図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 39・−・−−−−−・−−−−−−−・a −3i系
感光体41・−・−−−−−−一−−−・支持体(基板
)42−−−−−−−−−−−−−−−一電荷輸送層4
3−−−−−−−−−・−一−−−・電荷発生層44・
−−−−−−−−・−−一一−−−電荷ブロッキング層
45・−・−−−−−−−−・・表面改質層46.46
a 、 46b −−−−−−一中間層55−−−−−
−−−−−−−−−−七一ター56・・−・−・・−・
−・高周波電源57・−−−一−−−−−−−−−−電
極62〜66・−−−−−−一部ガス供給源である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 0−5ll−XNX:M 第5図 !素、No、co#I量(atomic%]第6図 第7図
Claims (1)
- 1、アモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンか
らなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び/又は
フッ素化窒化シリコンからなる表面改質層が設けられ、
かつ前記電荷発生層下に、アモルファス水素化及び/又
はフッ素化炭化シリコンからなる電荷輸送層が設けられ
ている感光体において、前記電荷発生層と前記表面改質
層との間に、炭素原子と窒素原子と酸素原子とのうちの
少なくとも1種を含有するアモルファスシリコン系中間
層が設けられ、かつ前記表面改質層の窒素原子含有量が
前記中間層の前記少なくとも1種の原子の総含有量より
も高いことを特徴とする感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2310785A JPS61183658A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 感光体 |
US06/813,619 US4673629A (en) | 1984-12-31 | 1985-12-26 | Photoreceptor having amorphous silicon layers |
DE19853546314 DE3546314A1 (de) | 1984-12-31 | 1985-12-30 | Photorezeptor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2310785A JPS61183658A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61183658A true JPS61183658A (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=12101245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2310785A Pending JPS61183658A (ja) | 1984-12-31 | 1985-02-08 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61183658A (ja) |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP2310785A patent/JPS61183658A/ja active Pending
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