JPS6228761A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ％Ｔ
ｅ、ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。　し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年ｌこなって提案されている
。　ａ−８ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。　
このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵
抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされ
て光伝導性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥を水
素原子（Ｈ）で補償して５ｉｌＣＨを結合させることに
よって、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：ｌ（と称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１
０９Ω−αであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。　従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層から
なる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電
電位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−８ｉ：Ｈを母材としたａ−８ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 　この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原
稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプ
ラテンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方で
は、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラ
ーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線
移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光
路長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側から
の反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持
体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよ
うになっている。　　ドラム９の周囲には、コロナ帯１
１を器１０．現像器１１、転写部１２、分離部１３、ク
リーニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５か
ら各給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８
はドラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着
され、トレイ３５へ排紙される。　定着部１９では、ヒ
ーター２２を内臓した加熱ローラー２３を圧着ローラー
２４との間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行う
。 しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け
、受容電位が著しく低下することが分っている。　一方
、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ
：Ｈと称する。）について、その製法や存在がＰｈ１ｌ
　：Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５’　（１９７８）等に記
載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高
いこと、ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０
１２〜１０１３Ω−ｃＷＬ）を有すること、炭素量によ
り光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範
囲に亘って変化すること等が知られている。　但し、炭
素の含有によりバンドギャップが拡がるために長波長感
度が不良となるという欠点がある。 こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、ａ−８ｉ：
Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−８ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−８ｔ：Ｈにより広
い波長域での光感度を得、かつａ−８ｉ：Ｈ層とへテロ
接合を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈにより帯電電位の
向上を図っている。　しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈ層の
暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であ
って実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３
ｉ：Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や機械
的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ　−８ｔ
：Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を
表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（ａ−８ｉ、−ｘＣｘ：Ｈ）を設け、この傾斜層におい
てａ−８ｉｒＨ側でＸ＝０とし、ａ−８ｉＣ：Ｈ層側で
Ｘ−０，５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。　即ち、２０〜３０万回の連続ランニ
ング時に表面のａ−８ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的
に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥
として生じるため、耐刷性が充分ではない。　しかも、
繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に
、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度
、湿度）による影響を無視できない。　また、表面改質
層と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と光導電性層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第Ｈａ族元素がヘビードープさ
れかつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なく
とも１稽を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ
素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；アモルフ
ァス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる光導電
性層と；周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープ
されかつアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ンからなる第１中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素
原子のうちの少なくとも１種を含有するアモルファス水
素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第２中間層と
；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも
１棟を前記第２中間層よりも多く含有するアモルファス
水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層
とが順次積層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有している上に、この層下に第
２及び第１中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐刷性が優れたものとなる。　また、本発明においては
、表面改質層と光導電性層との間に第１及び第２中間層
を設けているので、表面改質層と光導電性層との接着性
が向上する。　また、表面改質層と中間層とを光導電性
層上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時の
耐光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低下
し、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に影
響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−８ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。　この感光体３９はＡ
Ｊ等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ＩＩ
Ｉａ族元素（例えばホウ素）がヘビードープされかつＣ
，Ｎ及びＯの少なくとも１つを含有するａ−８ｉ：Ｈ（
これをａ　−Ｓ　ｉ　（Ｃ）　（ＮＸＯ）：Ｈと表す。 ）からなる伊型電荷ブロッキング１−４４と、ａ−３ｉ
：Ｈからなる光導電性層（不純物ドーピングなし又は真
性化されたもの）４３と、周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖ
ａ族元素がヘビードープされたＶ型又はマ撤アモルファ
ス水素化シリコンからなる第１中間層４７と、周期表第
ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ
型或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）さ
れかつＮ。 Ｃ及びＯの少なくとも１つを含有するアモルファス水素
化シリコン（これをａ　−Ｓ　ｉ　（Ｃ）　（Ｎ）　（
０）：Ｈと表す。）からなる第２中間層４６と、周期表
第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又は
Ｎ型或いは真性化（若しくはドーピングなし）されかツ
ａ　−Ｓ　ｉ　（Ｃ）　（Ｎ）　（０）　：　Ｈからな
る表面改質層４５とが積層された構造からなっている。 光導電性層４狙暗所抵抗率ｐＤと光照射時の抵抗率ｐＬ
との比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特に
可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量はＯ−刀％の範囲で
は、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（Ｅ
ｇｙ　Ｏｐ　ｔ　）　　とほぼ＠線的な関係があるので
、炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換
えて規定することができる。 また、ａ−８ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯’ｇ
［位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。　
即ち、第３図１こ曲線ａで示すように、炭素原子含有量
が３０〜９０％のａ　−ＳｉＣ：Ｈを用いた場合、その
比抵抗は炭素含有量に従って変化し、１０１３Ω−ぼ以
上になる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又はＯを含むａ−３ｉＮ
：Ｈ，ａ−８ｉｏ　：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−８ｉ系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。　従って、帯電、光減衰の
繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例えばｌ六方
以上）放置しておいても良好な電位特性を再現できる。 これに反し、ａ−８ｔ：Ｈを表面とした感光体の場合に
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。 また、／ｌＩ４５は表面硬度が高いために、現像、転写
、クリーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に
耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプ
ロセスを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃＣＡ／ｆｒ−単に％で
表す。）としたとき１％≦〔Ｃ〕≦９０％、更には１０
％≦〔Ｃ〕≦７０％であることが望ましい。　このＣ含
有量によって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光
学的エネルギーギャップがほぼ′２．．５ｅＶ以上とな
り、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効
果により照射光はａ−８ｔ：Ｈ層４３に到達し易くなる
。　しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の
欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。　また、Ｃ含有量が９０％を越える
と層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
ａ　−ＳｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆
積速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とする
のがよい。　同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の
場合、１％≦（Ｎ）　≦９０％　（更には１０％≦〔Ｎ
≦力％〕がよく、０％＜

〔０〕≦７０％（更には５％≦
■〕≦３０％）がよい。 帯電能を向上させるためには、表面改質層４５を高抵抗
化してもよい。　そのためｌこは表面改質層を真性化し
てもよい。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。　
各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 また、層４５はａ−３ｉｃｅ％ａ−８ｉＮ、ａ−８ｉ□
。 ａ−８ｉＯ，等からなっていてよく、その膜厚を４００
Ａ≦ｔ≦５００ＯＡの範囲内（特に４００Ａ≦ｔ≦２０
０ＯＡに選択することも重要である。　即ち、その膜厚
が５００ＯＡを越える場合には、残留電位ＶＲが高くな
りすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系悪感光とし
ての良好な特性を失い易い。　また、膜厚を４００Ａ未
満とした場合には、トンネル効果によって電荷が表面上
に帯電されなくなるため。 暗減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 第２中間層４６については、残留電位低下のためには、
電荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層を
Ｐ又はＮ型としてもよい。　導電型制御のためのドーピ
ング量は表面改質層と同じでよい。　また、Ｃ，Ｎ、　
Ｏの含有量は層４５のそれよりも少なくする。　即ち、
０く■〕≦ｌθ％、０〈す〕≦１０％、０＜Ｃｏ）≦５
％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００　Ａとするのがよい
が、５０００大を越えると上記したと同様の現象が生じ
易く、５０Ａ未満では中間層としての効果が乏しくなる
。　好ましくは、１００Ａ以上、１０００λ以下とする
のがよい。 第１中間層４７は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層４６の接着性の向上及び画像の安定化の為
に設置する。　中間層４７は、上記特性改善の為には、
Ｐ又はＮ型化する必要がある。 不純物ドープ量は（ＰＨａｌ　／　（Ｓ　ｉＨ４〕−１
〜１０００　（好ましくは１０〜５００）容量ｐｐｍ、
ＣＢＪａ）／　Ｃ３ｉＬ）　−１０〜１０００（好まし
くは５０〜５００）容ｉ　ｐｐｍとしてよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００Ａとするのがよいが
、５０００　Ａを越えると上記したと同様の現象が生じ
易く、５０Ａ未満では中間層としての効果が乏しくなる
。 光導電性層４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよく、その為には電
荷発生層を真性化してもよい。　このためには、Ｂ、Ｈ
６／　Ｓ　１Ｈ４＝　０〜５０容量ｐｐｍ、好ましくは
１〜２０容ｆｉｐｐｍとするのがよい。 また、光導電性層は５〜８０μｍ、好ましくは１０〜３
０μｍとするのがよい。　電荷発生層４３が５μｍ未満
であると光分な帯電電位が得られず、８０μｍを越える
と残留電位が上昇し、実用上不充分である。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４功）らの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表ＩＩＩａ族元素（例えばボロン）をグロー放
電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ〜）化するとよい
。　ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピ
ング量を制御する。 ａ−８ｉＣ又はａ−８ｉＣＯ： Ｐ型（ｆ型）： Ｂ、Ｈａ　／　Ｓ　ｉ　Ｌ　−２０”’　５０００容量
ｐｐｍａ−８ｉＮ又はａ−８ｉＮＯ： Ｐ型（Ｖ型）： ＢｘＨａ　／　Ｓ　ｉＨａ　＝　２０００〜５０００容
量ｐｐｍブロッキング層は、５ＩＯ１Ｓｉｎ、等の化合
物でもよい。 また、ブロッキング層４４は膜厚５００Ａ〜２μｍがよ
い。　５００Ａ未満であるとブロッキング効果が弱く、
また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。　即ち、１％〈〔Ｃ〕≦９０％、好まし
くは１０％≦（Ｃ）≦７０％とし、１％く〔Ｎ〕≦９０
％、好ましくは１０％≦（Ｎ）≦７０％とし、０％≦〔
０〕≦７０％、好ましくはＯ％≦

〔０〕≦３０％とする
のがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 　特に、光導電性層４３中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、１０〜３０Ｘであるのが
望ましい。　この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッ
キング層４４も同様である。 また、導電型を制御するための不純物として、Ｐ型化の
ためにボロン以外にもＡＡ’、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ！等の
周期表ＩＩＩａ族元素を使用できる。　Ｎ型化のために
はリン以外にも、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を
使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。　
基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生せしめられる。　なお
、図中の６２はＳｉＨ，又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣ）（４等の炭化水素ガスの供給源、６４
は当等の窒素化合物ガスの供給源、６５はＯｌ等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えばＢｘＨａ）供給源、６８
は各流量計である。　このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
０′″’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望ましく
は１５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。　次いで、高
純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又は
ガス状シリコン化合物、ＣＨ，、歯、０１等を適宜真空
槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１ＯＴｏｒｒの反
応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３
．５６　ＭＨｚ）を印加する。　これによって、上記各
反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解
し、ｆ型ａ−８ｉｃｏ：Ｈ，ａ−８ｉ　二Ｈ１ｐ＠−又
は父型ａ−８ｉ：Ｈ，ａ−８ｉＣＯ：Ｈ，ａ−８ｉｃｏ
：Ｈを上記の層４４％４３．４７．４６．４５として基
板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）
堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−８’ｊ系感光体の各層の形成時において
、ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨ
のかわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の
形で導入し、ａ−８ｉ：Ｆ、ｒ−８ｉ：　Ｈ：　Ｆ、　
ａ−８ｉＮ：Ｆ％ａ−８ｉＮ：　Ｈ：　Ｆ、　ａ　−８
ｉＣ：　Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。 この場合のフッ素量は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活　・性化又はイオン化
された水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出
願人による特開昭５６−７８４１３号Ｃ特願昭５４−１
５２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造
が可能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｌ基板４１０表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−＠
Ｔｏｒｒとなるように調唖して排気し、かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００°Ｃ）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、０６５Ｔｏｒｒの
背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍ　Ｈｚの高周波電力
を印加し、１０分間の予備放電を行った。 次いで、ＳｉＨ，とＢ　ｔ　Ｈａからなる反応ガスを導
入し、流量比１　：　１　：　ｌ　：　（１，５ｘｔｏ
−”）の（Ａｒ十Ｓ　ｉ　Ｈ４＋　ＣＨ４＋　ＢｔＨａ
　）混合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブ
ロッキング機能を担う？型のａ−３ｉＣＯ：Ｈ層４４（
但し、Ｂｔ’Ｈｅ　／　Ｓ　ｉＨ＋　−６容量％、［”
Ｃ］−１２％、ＣＯ）　＝　１０００　ｐｐｍ　（Ｓ　
ｉ　ｌＣ対し））を６μｍ　／　ｈ　ｒの堆積速度で所
定厚さに製膜した。　引き続き、Ｂｔ　Ｈａ及びｃＨ４
を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解し、厚さ５μｍのａ
　−８ｉ：Ｈ層４３を形成した。　引き続いて、不純物
ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜厚も変
化させた中間層４７を形成し、更にａ−８ｉＣＯ：Ｈ又
はａ−８ｉＮＯ：Ｈ中間層４６、表面保穫層４５を更に
設け、電子写真感光体を完成させた。 比較１＋ｌＪとして、中間層４７のない感光体を作成し
た。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）、　表面改質Ｍ：　ａ−８ｉＮＯ：Ｈ又はａ−８
ｉＣＯ：Ｈ（２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５
図参照）（３）、　　ａ−８ｉ　：Ｈ光導電性層：膜厚
＝２０μｍ（４）、ａ−８ｉＣＯ：Ｈ又はａ−８ｉＮＯ
：Ｈ電荷ブロッキング層：膜厚＝＝１μｍ 炭素含有量−１１％ 正帯電用二Ｂドープ有り （５）、支持体：Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 引っかき強度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。　次に、電子写真複写機Ｕ　
−Ｂｉｘ　１６００　（小西六写真工業社製）改造機に
て画像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現れ
るかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 画像流れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ　４５００　（小西六写真工業社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００　コピーの空回しを行った
後、ｌＩ！ｌＩ像出しを行い、以下の基準で画像流れの
程度を判定した。 ◎：画画像れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 Ｑ：５，５ポイントの英字がやや太くなる。 Δ：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ　：　５，５ポイントの英字判読不能。 残留電位ＶＲ（Ｖ） Ｕ　−Ｂｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−３ｅｃを照
射した後も残っている感光体表面電位。 帯電電位Ｖｏ　（Ｖ） Ｕ　−Ｂｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製）
を用い、感光体流れ込み電１２００μＡ、露光なしの条
件で３６０　ＳＸ型電位酎耐トレック社製）で測定した
現像直前の表面電位。 上記の装置を用い、ダイクロイックミラー（元押光学社
製）により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成
分をシャープカットし、表面電位を５００ｖから２５０
■に半減するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光−ｊｉｆｉ↑（Ｅ　Ｇ　ａｎ
ｄ　Ｇ社製）にて測定） 結果を第７図にまとめて示した。　この結果から、本発
明に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各
性能に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−８ｉ系感光体の断面図、 第２図はａ−８ｉＣの光学的エネルギーギャップを示す
グラフ、 第３図はａ−８ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放′眠装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構
成を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・・・　ａ−８ｉ系感光体４１
・・・・・・・・・・・・支持体（基板）４３・・・・
・・・・・・・・光導電性層４４・・・・・・・・・・
・・電荷ブロッキング層４５・・・・・・・・・・・・
表面改質層４６．４７・・・・・・中間層 である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　　宏 第１図 第２図 ａ−５ｉｒ−ｘＣｘ　：　Ｈｘ 第３図 第６図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、周期表第IIIａ族元素がヘビードープされかつ炭素
   原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる電荷ブロッキング層と；アモルファス水素化
   及び／又はフッ素化シリコンからなる光導電性層と；周
   期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつアモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第
   １中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの
   少なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び／又
   はフッ素化シリコンからなる第２中間層と；炭素原子、
   窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を前記第
   ２中間層よりも多く含有するアモルファス水素化及び／
   又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層
   されてなる感光体。