JPS5967548A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
Ｔｅ、ＳｂＷをドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点て問題がある。一方、アモルファスシ
リコン（ａ−３ｉ）を母材として用いた電子写真感光体
が近年になって提案されている。ａ−５ｉは、５ｉ−３
ｉの結合手が切れたいわゆるダングリングボンドを有し
ており、この欠陥に起因してエネルギーギャップ内にう
くの局在準位が存存する。このために、熱励起担体のホ
ッピング伝導が生じて８ｇ抵抗が小さく、また光励起担
体が局在準位にトラップされて光導電性が悪くなフてい
る。そこで、上記欠陥を水素原子（Ｉ（）で補償してＳ
ｌにＨを結合させることによフて、ダングリングボンド
を埋めることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０’〜１０Ω
−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。ｉにつて、ａ−５ｉ：Ｈの単層からｆＪ
る感光体は表面電位の兜バ衷速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。しかし他方では、
可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きくバク
するため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有
している。

そこで、このようなａ−５ｉ：Ｈに電位保持能を付与す
るため、ホウ層をドープすることにより抵抗率を約１０
１１０−ｃｍにまで高めることができるが、ホウ素量を
そのように正確に制御することは容易ではない上に、１
０′２０−ｃｍ程度の低）Ａ率でもカールソン方式によ
る感光プロセスに使用するには光感度が不十分てあり、
電荷保持特性もなお不十分である。また、ホウ素と共に
微量の酸素を導入することにより１０＋３０−ｃｍ程度
の高抵抗化が可能であるが、これを感光体に用いた場合
には光導電性が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生
という問題が生じる。

また、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘フ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ族電て
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは温気の影響を受け、受容電位が
著しく低下することが分フている。更に、ａ−５ｉ：Ｈ
はＡＩやステンレス等の支持体に対して服付き（接着性
）が悪（、電子写真感光体として賓用化する上で問題と
なる。この対策として、特開昭５５−８７１５４号にお
ける如きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５
７号における如きポリイミド住脂又はトリアジン樹脂等
の有機高分子化合物からなる接＠Ｍをａ−３ｉ：Ｈ層と
支持体との間に設けることが知られている。

しかしながら、これらの場合、接着層の形成とａ−８１
・Ｈ層の製膜とを別の方法で行なう必要があり、そのた
めに新たな製版装置を用いなければならず、作業性が不
良となる。

しかも、ａ−５ｉ：Ｈ［を光導電性の良好なものとする
には、その製膜時の基板（支持体）温度を通常約２００
℃又はそれ以上に保持することを要するが、このような
温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることができない
。

一方、ａ−５ｉ：Ｈに窒素原子を含有せしめた窒素原子
含有ａ−３ｉ：Ｈ（以下、ａ−３ｉＮ：Ｈと称すること
がある。）によ７て光導電層を形成することが、特開昭
５１−１４５５３９号、特開昭５７−３７３５２号の８
明細書に記載されている。この公知のａ−ＳｉＮ：Ｈ７
ｌは、ボロンのドーピングによってｅ６所比低抗ρ、が
約Ｉ　Ｘ　１０”Ｉ”ｌ　−Ｃ寵められ得ると共に、光
導電性（感度）にも優れている。しかしながら、本発明
者の検討によれば、上記の公知の感光体においては、ａ
−５ｉＮ、ＨＮへの導電性支持体からの不要路・電荷の
注入が生じ易いことが分フた。

また、ａ−５ｉＮ：Ｈへのボロンドーピング量を制御す
ることは容易ではなく、このために帯電電位の保持能（
換言すれば光導電層の高抵抗化）を再現性良く充分に発
揮させることが困難である。

本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
あって、基体（例えばＡβ等の導電性支持体）と、この
基体上に形成された窒素原子含有アモルファス水素化及
び／又はフッ素化シリコン（例えばａ−３ｉＮ：Ｈ）か
らなる厚さ１００式〜１μｍの電荷ブロッキング層と、
この電荷ブロッキング層上に形成されアモルファス水素
化及び／又はフッ素化、炭化シリコン（例えばａ−Ｓｉ
Ｃ１Ｈ）からなる厚さ２〜８０μｍの電荷輸送層と、こ
の電荷輸送層上に形成された窒素原子含有アモルファス
水素化及び／又はフッ素化シリコン（例えばａ−ＳｉＮ
：Ｈ）からなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層とからな
ることを特徴とする紀鋒体に係るものである。

本発明によれば、光導電層は窒素含有ａ−５ｉで形成し
ているので、窒素量のコントロールによって可視及び赤
外領域の光に対し優れた感度を示しかつ固有抵抗の制御
を窒素量及び不ｔｌｒ８．？７１ドーピング量で任意に
行なえるものとなっている。特に、ホウ素等のドーピン
グで１００−ｃｍ以上のρ、を示すのて、光感度と共に
電位保持能にも優れた光導電層となる。

しかも、電荷輸送層下には、ａ−３ｉＮからなるブロッ
キング層を設けているので、これがない場合に比べて、
基体からの不要なキャリアの注入を防止して感光体の帯
電電位の保持能を著しく向上させることができ、かつ基
体との接着性も充分となる。

しかも、光導電層下には、ａ−５ｉ　Ｃからなる電荷輸
送層を設けているので、これがない場合に比べて、高抵
抗ａ−３ｉＣにより感光体の帯電電位の保持能をＨＬ＜
向上させることができ、かつ光導電層からのキャリアは
大きな移動度と寿命で以って効率良く支持体側へ移動す
ることができる。

以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。

第１図〜第３図には、感光体の横進が例示されている。

第１図の感光体は、Ａβ等の導電性支持体基板１上に、
真性型のａ−３ｉＮ：Ｈからなる高抵抗電荷ブロッキン
グＮ２と、ａ−５ｉＣ：Ｈからなる電荷輸送層３と、ａ
−３ｉＮ：Ｈからなる光導電層５とが順次積層された横
進からなっている。

光Ｉｌ！電Ｍ５は、特に窒素原子含有！を１〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％（望ましくは１５〜２５ａｔｏｍ−ｉｃ％）
とすることによって、第４図に示す如く、暗所抵抗率ρ
。と光照射時の抵抗率ρ、との比が充分てあり、光感ｙ
！（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好と
なる。まｔこ、周期表第１Ａ族元素、例えばホウ素を後
述の流量比（Ｂ２Ｈｃ／　Ｓ　１Ｈ４）＝１〜５００ｐ
ｐｍでドーピングすることによって、第５図の如く、固
有抵抗をｌＯΩ−ｃｍ以上とし、高抵抗化できることが
分る。この高抵抗化によって電荷保持能を向上させるこ
とができる。

これによフて、光感度、電位保持能共に良好な光導ｔＭ
とすることができる。比較のために、第５図中に破線て
ａ−５ｉ：Ｈへの不純物ドーピングによる抵抗変化を示
したが、ａ−Ｓｉ：Ｈては高抵抗化の程度が不充分であ
り、しかも１０′°Ω−ｃｍ程度でしか安定した高抵抗
値を得ることができない。また、χ４図から理解される
ように、ａ−５ｉＮ：Ｈては窒素量によりてもρを制御
できるし、不純物ドーピングとの組合せて低植ｉ！制御
のｉｉ！囲を広くとることができる。また、菓６図に示
す如く、光導電層５は、窒素含有量の増加に伴、て光学
的エネルギーギャップ（ａ−Ｓｉ＋Ｈの場合には約１．
６５ｅＶ）を大きくし、入射光に対する吸収特性をコン
トロールできることが分る。

上記ブロッキングＨ２は、窒素原子含有量を５〜５０ａ
ｔｏｍｉｃ％（望ましくは１０〜４０ａｔｏｍｉｃ％）
とする。かつ第５図のりｏく周期表第１Ａ族元素のライ
トドープにより１０′３Ω−ｃｍ以上に高抵抗化（真性
化）されているので感光体の帯電電位保持能を向上させ
ることができる。

フロラキング効果を高めるために、第５図のりｏく、周
期表第ＶＡ族元素（例えばリン）のドーピングによって
ａ　　Ｓ　＋　Ｎ　：　Ｈｔｉ　２を第２図のようにＮ
型化すれば特に負帯電時での基板からのホールの注入が
充分に阻止される。このためのリンドープ量は流量比で
表わせばＰ　Ｈｙ／　Ｓ　ｉ　Ｈ−１０〜１０゜０００
ｐｐｍ　（ρＱて１００−ｃｍ以下）とするのがよい。

また、正帯電時の基板からの電子の注入を充分に防ぐに
は、第５図のように周期表第］ｆｉＡ族元＃（例えば、
ボロン）を流量比ＢえＨ４／　Ｓ　Ｉ　ＨＨ＝１０００
〜１００．０００ｐｐｍでドープして、第３図の如くＰ
型化（更にはＰ“を化）するとよい。

上記電荷輸送層３は、倹素原子含有量を５〜９０ａｔｏ
ｍｉｃ％（望オしくはＩＣ１〜５０ａｔｏｍ−ｉｃ％）
とすることによって、ρｏ−１０１（１０”Ω−ｃｍと
高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上させるこ
とができる。感光ＷＩ５から注入される光キャリアは、
電荷輸送層３中を大きな移動度と寿命で以）て移動し、
効率良く支持体１へ到達できるから、電荷輸送性が大幅
に向上する。また、第７図に示す（Ｉｏ　＜、不純物と
して周期表第Ｍ［Ａ族元素、例えばボロンを流量比Ｂｚ
Ｈｔ／　Ｓ　ｉ　Ｈ＋＝　１〜５００　ｐ　ｐ　ｒｎで
ドープすると、ρ、を１０１３Ω−ｃｍ以下とすること
ができ、これによ）て帯電電位及び電荷輸送能を一贋向
上させることができる。

上記した感光体の８層の厚みについても適切な１囲があ
り、光導電Ｎ３は０．３〜５μｍ（望すしくけ０．５〜
３μｍ）、ブロッキング層２は１００八〜１μｍ（望ま
しくは４００〜５０００Ａ）、電荷輸送層３は２〜８０
μｍ（望ましくは５〜３０μｍ）とすべきである。光導
電層３が０３μｍ未満だと光を充分に吸収できす、光感
度が低下し、また５μｍを越えると実用的でない。

フ゛ロッキング層も１００人未満ではブロッキング効果
かなく、また１μｍを越えると電荷輸送能が不良となる
。また、電荷輸送層も２μｍ未満だと効果がなく、８０
μｍを越えると実用的でなく、製膜に長時間装する。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要であるが
、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実
用的なものとはならないからである。このため、水素含
有量は１〜４０ａｔｏｍｉｃ％（更に１０〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％）とするのが望ましい。特に、光導電層５中の
水素含有量は、グングリングボンドを補償して光導電性
及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠てあフ
て、迩営は１〜４０ａｔｏｍｉｃ％てあり、３．５〜２
０ａ　ｔ　ｏ’ｍ　ｉ　ｃ％であるのがより望ましい。

また、ドーピング不純物として、ボロン以外にもＡβ、
Ｇａ％　Ｉｎ、Ｔｊ！等の周期表第１［Ａ族元素を使用
でき、リン以外にもＡｓ、Ｓｂ％Ｂｉ等の周期表第ＶＡ
族元素をドープてきる。

なお、グングリングボンドを補償するためには、上記し
たＨの代わりに、或いはＨと併用して）、ン素を導入し
、ａ−８ｉＮ：Ｆ、ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−５ｉＣ：
Ｆ、ａ−３＋Ｃ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合
のフッ装置は０．旧〜２０ａｔｏｍｉｃ％がよ＜、０．
５〜ｌＯａｔｏｍｉｃ％が替ましい。

次に、上記した感光体の製造方法及び装Ｎ（グロー放電
装置）を第８図について説明する。

この装置１１の真空１４！１２内では、上記した基板１
が基板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１
を所定温度に加熱し得るようにな、でいる。基板１に対
向して高周波電極１７が配され、基板１との間にグロー
放電が生ぜしめられる。なお、図中の２０．２１．２２
．２３．２４．２５．２７、２８、２９、３０、３１、
３７、３８、４０は８バルブ、３２はＳ　ｉ　Ｈ４又は
ガス伏ンリコン化合物の供！８源、３３はＮＨｔ又はＮ
】等の窒素の供絽腰、３４はＣＨ，等の疾化水素ガスの
供１８原、３５はＡｒ又はＨλ等のキャリアガス供！８
源、３６は不純物ガス（例えばＢ、ＬＨ≦又はＰ　Ｈ？
）供絽原である。

このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
Ａｊ２基板１の表面を清浄化した後に真空槽６ １２内に配置し、真空槽１２内のガス圧が１０Ｔ−ｏ４
ｒとなるようにバルブ３７を調節して排気し、かつ基板
１を所定温度、例えば３０〜４００℃に加熱保持する。

次いて、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ
ｉＨ＋又はガス状シリコン化合物、及びＮＨ＋又はＮ、
を適当ｉｌ希釈した。見合ガス、及びＣＨ，、Ｐ　Ｈ（
、ＢＩ　ＨＡ等を適宜真空槽１２゛内に導入し、例えば
０．旧〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下て高周波型［１６によ
り高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加する
。これによって、上記名反応ガスをグロー放電分角マし
、ｌ型、Ｎ撃又はＰ梨ａ−８−ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：
Ｈ，水素を含むａ　　ＳＩＮ：Ｈを上記のＭ２．３．５
として基板上に順次堆積させる。この際、シリコン化合
物と窒素化合物又は炭素化＠物の流量比及び基板温度を
適宜調整することによりて、所望の組成比及び光学的エ
ネルギーギャップを有するａ−３ｉ＋−ｘＮｘ　：　Ｈ
。

ａ−５ｉｔ−’／Ｃｙ：Ｈを析出させることができ、ま
た析出する瞑の電蒐的特性にさほど影響を与えることな
く、１０００人／ｍｉｎ以上の速度で堆積させることが
可能である。

このようにして、本発明によるａ−５ｉＮ・Ｈ／ａ−３
ｉＣ’：Ｈ／ａ−ＳｉＮ：Ｈを基本構造とする感光体は
、使用する反応ガスの１頚及びｉｌｌを変えるだけで同
一装置により順次８Ｍを製膜することによフて作成てき
る。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下で８１を蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によりても上記懇光体の製造が可
能である。使用する反応ガスは、Ｓ　ｉ　Ｈ＋以外にも
Ｓ　ｉｚＨ≦、Ｓ　ｉ　Ｆ＋、５ｉＨＦｚ、又はその誘
導体ガス、ＣＨ千以外のＣよＨｔ、　Ｃ１Ｈｒ筈の低級
炭化水素ガスが使用可能である。

菓９図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いるへ着装置を
示すものである。

ペルジャー４１は、バタフライバルブ４２を有するυ［
賞管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、こ
れにより当該ペルジャー４１内を例えば１０〜１０Ｔｏ
ｒｒの高真空杖態とし、当該ペルジャー４１内には基板
１を５ｉ！ＩＮしてこれをヒータ４５により温度１５０
〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱すると
共に、直流雪原４６により基板１に０〜−１０ＫＶ、好
首しくけ−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、その出
口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を接続
して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及び水素
イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板１と対
向するよう設けたシリコン蒸発原４８及び必要あればア
ルミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシャッ
ターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速
度比が例えば１：１０’となる蒸発速度で同時に蒸発さ
せ、かつペルジャー４１内へ、放電管５０により活性化
されたＮＨａガス又はＣＨ士ガスを導入し、これにより
ａ−５ｉＮ：Ｈ層２．５、ａ−ＳｉＣ：ＨＩ’１３（第
１図〜第３図参照）を形成する。

上記の放電管４７．５０の構造を例えば放電管４７につ
いて示すと、第１０図の如（、ガス入口６１を有する面
状の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を
一端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製
の放電空間部材６４と、この放電空間部材６４のｆｔ！
ｌ端に設けた、出口６５を有するリング杖の他方の電極
部材６６とより成り、前記一方のＴ！！極部材６２と他
方の電極部材６６との間に直流又は交流の電圧が印加さ
れることにより、ガス人口６１を介して供−会された例
えば水素ガスが斂電空１１ＪＩ６３においてグロー放電
を生じ、これにより電子エネルギー的に賦活された水素
原子若しくは電子より威る活性水素及びイオン化された
水素イオンが出口６５より排出される。この図示の例の
欣電空Ｆｉ１１部材６４は二重管構造であ）て冷却水を
流過せしめ得る構成を有し、６７．６８が冷却水入口及
び出口を示す。６９は一方の電極部キオ６２の冷却用フ
ィンである。上記の水素ガス放電管４７における電極間
距離は１０〜１５ｃｍであり、印加電圧は６００ｖ％放
電空聞６３の圧力は１０Ｔｏｒｒ程度とされる。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

トリクロルエチレンて；先浄し、口、１　％ＮａＯＨ水
溶液、０，１　％ＨＮ　ＯＪ水溶澄てエツチングしたＡ
１基板を菓８図のグロー放電装置内にセットし、反応槽
内１０Ｔｏ　ｒ　ｒ台の高真空度に排気し、支持体温度
を２００℃に加熱した後高純度Ａｒガスを導入し、Ｑ、
５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周液数１３５６ＭＨｚ、電力
密度０．０４Ｗ／の画周波電力を印加し、１５分間の予
備放電を行った。次いて、Ｓ　ｉ　Ｈ＋とＮ、又はＣＨ
，からなる反応ガスを導入し、さらにＰＨうまたはＢ、
Ｈレガスを添加し、グロー放電分解することにより、キ
ャリア注入の防止、及び電荷輸送層用のＢ　−Ｓ　ｉ　
Ｎ　：　Ｈ層、ａ−３ｉＣ：ＨＭを形成した。光導電層
の形成に当っては、ＳｉＨ４、Ｎλ、及び必要あればＢ
ｌＨｚを斂電分解し、ａ−５ｉＮ：Ｈ感光層を形成した
。

このようにして作成した電子写真感光体をエレクトロメ
ーター５Ｐ−４２８梨（川口電Ｉｌｌ■製）に装着し、
帯電ｔ９ｉ放電極に対する印加電圧を６ＫＶとし、５秒
間帯電摸作を行ない、この帯電掃作直後における感光体
表面の帯電電位をＶｏ　（Ｖ）とし、この帯電電位を％
にＡ表せしめるために必要な照財光量を半減露光量Ｅ％
（ｊｌ！ｕｘ−ｓｅｅ）とした。表面電位の光パ衰曲線
はある有限の電位でフラットとなり、完全にゼロとなら
ない場合があるが、この電位を残留電位７尺（Ｖ）と称
する。

また、画質については、感光体をドラム状に作成し、２
０℃、６０％ＲＨで電子写真感光体Ｕ−ＢｉｘＶ（小西
六写真工業ｅＩＩｊＡ）に装着し、絵出しを行ない、初
期画質（１０００コピ一時の画１１１．）及び９９鮫＠
使用時の画質（１０万枚コピ一時の画Ｖｉ、）をン欠の
クロくに；平価した。

画像濃度　１０以上　　◎（画質が非常に良好）０６〜
１．０　０（画質が良好） ０５未満　　△（画像にボケが発生） ×　（濃度が著しく低く 判別不能） 本発明による８感光体を比較例と共に第１１図に示した
が、光導電層（感光層）に不純物をドープｂ、窒素量を
コントロールした場合には署しく特性が向上する。この
感光層をはじめ、ブロッキング層、電荷輸送層の組成や
厚みを適切に選べば結果が良好となることも分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図、第
２図、第３図は感光体の三個の８断面図、 第４図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの抵抗変化を示す
グラフ、 第５＠は不純物ドーピングによるａ−５ｉ（Ｎ）：Ｈの
抵抗変化を示すグラフ、 荊６図は窒素量によるａ−５ｉＮ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、鵠７図はホロンドープ
によるａ−３ｉＣの抵抗変化を示すグラフ、 第８図はグロー斂電装置の側路断面図、第９図は真空蒸
着装置の檀略断面図、 第１０図はガス放電管の断面図、 第１１図は感光体の各特性を示す図 である。 Ｉｊお、図面に示された右号において、１−・−支持体
基板 ２−・−ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　ＨＦｉ　（ブロッキン
グＨ）３−−−ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　ＨＮ　（電荷輸送
層）５−・−−−ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｈ層（光導電
層又は感光層） である。 代理人　弁理士　逢　坂　　宏 第１図 第３図 第４゛図 第５図 第６図 ＝７ 第７図 ８２Ｈ６／ＳｉＨ４［ｐｐｍ１ 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　基体と、この基体上に形成された窒素原子含有アモ
   ルファス水素化及び／又はフ・ン素化シリコンからなる
   厚さ１００人〜１μｍの電荷フ゛ロッキング層と、この
   電荷ブロッキング層上に形成されたアモルファス水素化
   及び／又はフッ素化浅化シリコンからなる厚さ２〜８０
   μｍの電荷輸送層と、この電荷輸送層上に形成された窒
   素原子含有アモ特徴とする記１１体。 ２、光導電層の窒素原子含有量が１〜３０ａｔｏ−ｍｉ
   ｃ％、電荷ブロッキング層の窒素原子含有量が５＋〜５
   ０ａｔｏｍｉｃ％、電荷輸送層のＰｉ！、素原子含有量
   が５〜９０ａ　ｔｏｍｉ　ｃ％である、特許請求の範囲
   の第１項に記載した記録体。 ３、光導電層の窒素原子含有量が１５〜２５ａｔ−ｏｍ
   ｉｃ％、電荷ブロッキング層の窒素原子含有量が１０〜
   ４Ｑａｔｏｍｉｃ％、電荷輸送層の炭素原子含有量が１
   ０〜５０ａｔｏｍｉｃ％である、特許請求の範囲の笑２
   項に記載した記録体。 ４　光導電層の固有抵抗が周期表ＭＩＣＡ族元素のドー
   ピングによフて１０１″Ω−ｃｍ以上とな、ており、電
   荷ブロッキング層が周期表第１Ｉ　Ａ　族又はｉＶＡ族
   元素のドーピングによフてＰ型又はＮ型の導電間を示し
   ている、特許請求の範囲の第１項〜莞３項のいずれか１
   項に記載した記１僅体。 ５　電荷輸送層の固有抵抗が、周期表第１［［Ａ族元素
   のドーピングによって１０”Ｑ　−ｃｍ以上となってい
   る、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に
   記載した記１１体。 ６　電荷ブロッキング層の厚さが４００〜５０００人、
   電荷輸送層の厚さが５〜３０μｍ１光導電層の厚さが０
   ．５〜３μｍである、特許請求の範囲の第１項〜莞５項
   のいずれか１項に記載した記録体。